JPS6215830A - ウエハ−マ−キング装置 - Google Patents
ウエハ−マ−キング装置Info
- Publication number
- JPS6215830A JPS6215830A JP15467985A JP15467985A JPS6215830A JP S6215830 A JPS6215830 A JP S6215830A JP 15467985 A JP15467985 A JP 15467985A JP 15467985 A JP15467985 A JP 15467985A JP S6215830 A JPS6215830 A JP S6215830A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- marking
- mark
- inker
- inspection
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、クエ・・−上に形成された半導体素子に対し
て、電気的特性検査による不良素子へのマーキングと同
マークの検査手段に関するものである。
て、電気的特性検査による不良素子へのマーキングと同
マークの検査手段に関するものである。
従来の技術
所定のウェハープロセスを経てウェノ・−上に形成され
た個々の半導体素子は、ブロービングマシンと電気的特
性検査装置によシ、それぞれ電気的特性を検査され、一
定の特性条件を満たさない不良素子には不合格マークが
付され、同マークが適正に付されているか否かの検査を
、従来は顕微鏡を介して検査員が目視によシ検査を行っ
ていた。
た個々の半導体素子は、ブロービングマシンと電気的特
性検査装置によシ、それぞれ電気的特性を検査され、一
定の特性条件を満たさない不良素子には不合格マークが
付され、同マークが適正に付されているか否かの検査を
、従来は顕微鏡を介して検査員が目視によシ検査を行っ
ていた。
発明が解決しようとする問題点
従来、不良素子への不合格゛マーク付けは、ブロービン
グマシンに取付けられたインカーによって行われていた
。ところが、従来装置では、インカーへのインクの補充
あるいは調整のたびに、ブロービングマシンを停止させ
る必要があシ、高額設備であるブロービングマシン、電
気的特性検査装置等の稼働率を低下させていた。さらに
は前述のような顕微鏡を介して人によるマーキング検査
では、それぞれの検査員によシ判定がばらつき易いとい
う欠点もあった。
グマシンに取付けられたインカーによって行われていた
。ところが、従来装置では、インカーへのインクの補充
あるいは調整のたびに、ブロービングマシンを停止させ
る必要があシ、高額設備であるブロービングマシン、電
気的特性検査装置等の稼働率を低下させていた。さらに
は前述のような顕微鏡を介して人によるマーキング検査
では、それぞれの検査員によシ判定がばらつき易いとい
う欠点もあった。
問題点を解決するための手段
所定のウェハー検査で得られた個々の素子の良否データ
と同素子の位置とに関するデーターにもとづ−き、同素
子にマーキングを付するマーキング手段と、前記マーキ
ングを光電検出する検出手段を有するものよ多構成され
る。
と同素子の位置とに関するデーターにもとづ−き、同素
子にマーキングを付するマーキング手段と、前記マーキ
ングを光電検出する検出手段を有するものよ多構成され
る。
作用
本発明は上記構成によシ、ウェノ・−上に形成された個
々の半導体素子の合否データーと、位置データーとにも
とづき、半導体素子にマーク付けを行うとともに、光学
的に検出された前記不良素子表面に付されたマークの面
積と、基準マーク面積とを比較照合し、適正なマーキン
グがなされたか否かを判別する。
々の半導体素子の合否データーと、位置データーとにも
とづき、半導体素子にマーク付けを行うとともに、光学
的に検出された前記不良素子表面に付されたマークの面
積と、基準マーク面積とを比較照合し、適正なマーキン
グがなされたか否かを判別する。
実施例
第１図乃至第３図を参照し本発明の一実施例を説明する
。
。
第１図は実施列の概要を示す平面図である。ウェハーは
、予め、所定のウェノ・−検査装置で個々の素子を全数
検査し、個々の素子の良否とその位置とをウェハーごと
に適当な記憶手段、たとえば、フロッピーディスクに記
憶しておく。
、予め、所定のウェノ・−検査装置で個々の素子を全数
検査し、個々の素子の良否とその位置とをウェハーごと
に適当な記憶手段、たとえば、フロッピーディスクに記
憶しておく。
電気的特性検査がなされたウエノ・−が収納されたウェ
ハーカセットは、ウェノ・−マーキング装置１内のロー
ディングステーション２にセットサレウェハーを１枚ず
つ矢印方向に取出し、丸ベルト等の第一の搬送手段３ａ
によシプリアライメントステージ４に導かれる。プリア
ライメントステージ４にて前記ウェハーはオリエンテー
ションフラットを基準に概略の位置決めがなされたのち
、丸ベルト、吸着アーム等からなる第二の搬送手段３ｂ
によシ、メインステージ５へ、正確に位置決めされてセ
ットされ、不合格マーク付けと同マークの検査が行われ
る。マーク付けと検査が終ったウニハーバアンローダ−
ステーション６のウェハーカセットに順次収納される。
ハーカセットは、ウェノ・−マーキング装置１内のロー
ディングステーション２にセットサレウェハーを１枚ず
つ矢印方向に取出し、丸ベルト等の第一の搬送手段３ａ
によシプリアライメントステージ４に導かれる。プリア
ライメントステージ４にて前記ウェハーはオリエンテー
ションフラットを基準に概略の位置決めがなされたのち
、丸ベルト、吸着アーム等からなる第二の搬送手段３ｂ
によシ、メインステージ５へ、正確に位置決めされてセ
ットされ、不合格マーク付けと同マークの検査が行われ
る。マーク付けと検査が終ったウニハーバアンローダ−
ステーション６のウェハーカセットに順次収納される。
第２図は第１図実施列のメインステージ部の構成を示す
概要図である。
概要図である。
ＤＣサーボモーター、パルスモータ−等によって駆動さ
れるＸ−Ｙテーブル７の上にはウェハーを吸着するウェ
ハー吸着台８が取付けられておシ、同ウェハー吸着台８
の上面に電気的特性検査がなされたウェハー９が吸着さ
れている。
れるＸ−Ｙテーブル７の上にはウェハーを吸着するウェ
ハー吸着台８が取付けられておシ、同ウェハー吸着台８
の上面に電気的特性検査がなされたウェハー９が吸着さ
れている。
ウェハー吸着台８の上方には不良素子に不合格マークを
付するためのインカー１０が設けられておシ、さらに前
記ウェハー吸着台８の斜上方に落射光源１１および落射
光源１１のウェハー表面よシの反射光を撮像する撮像手
段が取付けられている。この撮像手段は光学鏡筒１２．
撮像管１３などから構成されてお）光学鏡筒１２に入射
した光信号（矢印１５）を電気信号（ビデオ信号）に変
換する。
付するためのインカー１０が設けられておシ、さらに前
記ウェハー吸着台８の斜上方に落射光源１１および落射
光源１１のウェハー表面よシの反射光を撮像する撮像手
段が取付けられている。この撮像手段は光学鏡筒１２．
撮像管１３などから構成されてお）光学鏡筒１２に入射
した光信号（矢印１５）を電気信号（ビデオ信号）に変
換する。
、Ｘ−Ｙテーブル７は前記記憶内容を読み取る手段を有
する制御装置（図示せず）によ多制御され、電気的特性
不良素子がインカー１０の下方に位置するように移動し
インカー１０は前記不良半導体素子の表面に不合格マー
ク付けを行う。
する制御装置（図示せず）によ多制御され、電気的特性
不良素子がインカー１０の下方に位置するように移動し
インカー１０は前記不良半導体素子の表面に不合格マー
ク付けを行う。
第３図ａは不合格マーク付けが行われた半導体素子の平
面図とそれを光学的に走査して撮像検出する様子を示す
図である。ウェハー９の表面で反射した光は光学鏡筒１
２に入光し撮像管１３のビデオ信号出力となるが、素子
表面のマーク付けがなさ、Ｉしていない部分の反射率、
は高く、撮像管１３の出力信号はハイレベル（１）とな
る。一方、素子上のマーク面の反射率は低く、撮像管１
３の出力信号はローレベル（ｑとなシ、適当なスレッシ
ョルド、レベルで２値化すると、出カバターン図は、第
３図すのように、丸囲いの部分、すなわち、インカーで
印されたマーク部分で（０）、他部で（１）となる。不
良素子の表面に付された不合格マークの面積は前記ロー
レベル（０）のビット数の総和に比例するため、ローレ
ベル（０）のビット数の総和を所定の基準ビット数と比
較することによシ素子表面に付された不合格マークの大
きさが所定の基準値よυ犬であるか或は小であるかを判
断し、前記不合格マークが所定の大きさに付されたか否
かを判断する。
面図とそれを光学的に走査して撮像検出する様子を示す
図である。ウェハー９の表面で反射した光は光学鏡筒１
２に入光し撮像管１３のビデオ信号出力となるが、素子
表面のマーク付けがなさ、Ｉしていない部分の反射率、
は高く、撮像管１３の出力信号はハイレベル（１）とな
る。一方、素子上のマーク面の反射率は低く、撮像管１
３の出力信号はローレベル（ｑとなシ、適当なスレッシ
ョルド、レベルで２値化すると、出カバターン図は、第
３図すのように、丸囲いの部分、すなわち、インカーで
印されたマーク部分で（０）、他部で（１）となる。不
良素子の表面に付された不合格マークの面積は前記ロー
レベル（０）のビット数の総和に比例するため、ローレ
ベル（０）のビット数の総和を所定の基準ビット数と比
較することによシ素子表面に付された不合格マークの大
きさが所定の基準値よυ犬であるか或は小であるかを判
断し、前記不合格マークが所定の大きさに付されたか否
かを判断する。
素子表面に付された不合格マークがもし基準値よシ大で
あれば、周辺の素子へ悪影響を及ぼし、また、基準値よ
り小であれば後工程において不良素子の選別に困難を来
たす。
あれば、周辺の素子へ悪影響を及ぼし、また、基準値よ
り小であれば後工程において不良素子の選別に困難を来
たす。
発明の効果
本発明によると、マーキング工程はウェハー検査工程か
ら分離され、かつ、半導体ウェハー上に形成された素子
のうち、不良素子表面に不合格マークを付するとともに
、その不合格マークが適当な大きさに付されたか否かを
撮像手段等を用いて検査することによシ、顕微鏡を介し
て人による検査を排し、マーク検査の自動化を可能にす
ることができる。
ら分離され、かつ、半導体ウェハー上に形成された素子
のうち、不良素子表面に不合格マークを付するとともに
、その不合格マークが適当な大きさに付されたか否かを
撮像手段等を用いて検査することによシ、顕微鏡を介し
て人による検査を排し、マーク検査の自動化を可能にす
ることができる。
第１図は本発明の一実施例の概要を示す平面図、第２図
は第１図のメインステージ部の構成を示す概要図、第３
図は不合格マーク付けがなされた不良素子を撮像検出し
た様子を示す模式図で、同図ａは素子表面を走査した状
態図、同図すは素子表面の反射光（ビデオ信号）を２値
化した状態図である。 １・・・・・・ウェハーマーキング装置、２・・・・・
・ウェハーカセット・ローディングステーション、４・
・・・・・プリアライメントステージ、５・・・・・・
メインステージ、１０・・・・・インカー、１１・・・
・・・光源、１２・・・・・・光学篭筒、１３・・・・
・・撮像管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図
Ｉ−轄’ｈＡ−１−キ°デ襲１第３図 ＜ｃＬ＋ ｔ ｂン
は第１図のメインステージ部の構成を示す概要図、第３
図は不合格マーク付けがなされた不良素子を撮像検出し
た様子を示す模式図で、同図ａは素子表面を走査した状
態図、同図すは素子表面の反射光（ビデオ信号）を２値
化した状態図である。 １・・・・・・ウェハーマーキング装置、２・・・・・
・ウェハーカセット・ローディングステーション、４・
・・・・・プリアライメントステージ、５・・・・・・
メインステージ、１０・・・・・インカー、１１・・・
・・・光源、１２・・・・・・光学篭筒、１３・・・・
・・撮像管。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図
Ｉ−轄’ｈＡ−１−キ°デ襲１第３図 ＜ｃＬ＋ ｔ ｂン
Claims (1)
- 所定のウェハー検査で得られた個々の素子の良否と同素
子の位置とに関するデーターにもとづき同素子にマーキ
ングを付するマーキング手段と、前記マーキングを光電
検出する検出手段とを有することを特徴とするウェハー
マーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467985A JPS6215830A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | ウエハ−マ−キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15467985A JPS6215830A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | ウエハ−マ−キング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215830A true JPS6215830A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15589542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15467985A Pending JPS6215830A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | ウエハ−マ−キング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115838A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Matsushita Electronics Corp | ウエハ−マ−ク検出方法 |
| JPS63299352A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15467985A patent/JPS6215830A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115838A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Matsushita Electronics Corp | ウエハ−マ−ク検出方法 |
| JPH0584669B2 (ja) * | 1985-11-15 | 1993-12-02 | Matsushita Electronics Corp | |
| JPS63299352A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
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