JPS63299352A - プロ−ブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プローブ装置に関する。

（従来の技術） 一般に半導体チップの製造は、半導体ウェハに多数個の
半導体チップを形成した（いわゆる前工程）後半導体チ
ップ毎にスクライブを行ない各半導体チップをパッケー
ジングする（いわゆる後工程）、このスクライブ以前に
ウェハ状態でも各チップ毎に電気的な特・性測定を行な
っている（いわゆるブロービング工程）。そしてその結
果不良品として判定された場合は、その表面にマーキン
グを施して良品と区別する。

近年、半導体チップの測定後に不良品と判定された半導
体チップのマーキングをプローブ装置以外で集中マーキ
ングする等の目的で、各半導体チップの測定結果、即ち
良品不良品を例えばフロッピーディスクにウェハマツプ
状に記憶することがなされている。このような処理は例
えば特開昭５８−２１５０４９号公報により周知である
。

従来では上記マーキング方法として、インクを付加する
インクマーキングの他、ダイヤモンド針等により傷を付
加するスクラッチマーキング、１ノーザ光により半導体
ウェハ表面を溶かすレーザーマーキング等が用いられる
。

上述したように半導体ウェハ上へのマーキングを付加す
るマーカーは、プローブ装置に設置されており、半導体
ウェハの品種交換毎にマーカーと半導体チップの間隔を
その都度調整し設定していた。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記説明の従来の技術では、マーカーと半
導体チップの間隔設定の調整はマーカーを保持している
ネジ等で行なうため、大変手間のかかる作業となってい
た。

また、上記半導体チップが更に微細であると正確な高さ
合わせが困難になり、高さに誤差が生じるとマークの径
が変化し、マークの径が小さくダイシング後に良品と不
良品を選別する工程において検知できずに不良品を良品
として判断したり。

マークの径が大きく隣り合う半導体チップにはみだし、
これにより隣り合う良品の半導体チップを不良品として
判断してしまうという問題点があった。

本発明は上記点に対処してなされたもので、被測定体と
マーカーの間隔を自動的に速やかに行ない、間隔誤差に
よる不良マークトラブルを防いだプローブ装置を提供し
ようととするものである。

［発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は、被測定体の良否を測定し、その測定結果に基
づいて上記被測定体にマーカーによりマークを付するプ
ローブ装置において、上記被測定体と上記マーカーの間
隔を被測定体を載置する載置台の昇降量を調整すること
により設定することを特徴とするプローブ装置を得るも
のである。

（作用） 被測定体とマーカーの間隔を被測定体を載置する載置台
の昇降量を調整することにより、予め検知機構により行
なう被測定体の載置状態および高さ等の検知を流用して
自動的に間隔設定を行なうとができる。また、間隔設定
を自動化することができるため、スループットを向上す
ることが可能となる。

（実施例） 以下、本発明装置を半導体ウェハ検査工程に適用した一
実施例につき図面を参照して説明する。

プローブ装置ωは、被測定体例えば半導体ウェハ■をウ
ェハカセット■に所定の間隔を設けて２５枚設置する。

この半導体ウェハ■を収納したウェハカセット■をカセ
ット収納部（イ）に搬入する。この収納部に）から半導
体ウェハ■を取出し機構（図示せず）等で一枚づつ取出
し、半導体ウェハの予備位置決めステージ■に搬送する
。この予備位置決めステージ（ハ）で半導体ウェハ■の
オリ・フラを基準に精度±１°位まで予備位置決めした
後、半導体ウェハ■載置台例えば測定ステージ０に搬送
する。この搬送は半導体ウェハ■の裏面を真空吸着して
搬送をする。この測定ステージ０に搬送された半導体ウ
ェハ■の設置状態を分析するために容量センサ例えばハ
イドセンサ（図示せず）を測定ステージのＸ方向・Ｙ方
向の移動範囲である、例えばプローブ装置■筐体内のプ
ローブカード■を保持するインサートリングより前面側
の半導体ウェハの正確な位置決めを行なうアライメント
機構が構成されているアライメントブリッジの部分に測
定ステージ■と垂直に設置する。この設置されたハイド
センサの測定位置に半導体ウェハ■が載置された測定ス
テージ０をＸ方向・Ｙ方向の移動をさせることとにより
設定する。設定された測定ステージ（０は、Ｚアップに
よりハイドセンサとの間隔を例えば１．６Ｉに常に保つ
。この段階において、測定ステージ（１１）をＸ方向・
Ｙ方向の移動により、半導体ウェハ■の中央部および周
縁部を９０″の間隔をおいての４箇所、合計５箇所にお
いて、ハイドセンサと半導体ウェハ■との距離を測定す
る。この測定された各距離により半導体ウェハ０表面の
凹凸状態を計算し、測定動作における各半導体チップに
対応した２アツプ量を算出して、これと上記各距離をプ
ローブ装置ω内に設置されているメモリー機能に記憶し
ておく、このハイドセンサによる測定の後、測定ステー
ジ■をテスタ−に接続している測定部に移動し電気的諸
性能の測定を開始する。この測定動作は、固定されたプ
ローブカード■に持着されたプローブ針（へ）に測定ス
テージ０を上記メモリーにより記憶されている各半導体
チップの移動量をＺアップし半導体チップの電極パッド
を接触させ電気的諸性能を測定し。

１つの半導体チップの測定が終わりしだい２ダウンする
。この動作を規則的に並んでいる半導体チップに対応し
て測定ステージ■をＸ方向・Ｙ方向に移動し、各半導体
チップのメモリーにそった２アツプ量の動作を行ない、
規則的な半導体チップの測定順産道りにす、べての半導
体チップの測定をするものである。

上記測定中、常時半導体チップを目視可能な状態にプロ
ーブカード■の上方に拡大鏡、例えばマイクロスコープ
０が設けられているが、上記マイクロスコープ■では倍
率が悪く各チップの電極についた針跡を見る場合等検出
不可能な場合が発生する。この場合、プローブ装置■の
後面以外例えば前面部に設けたバキュームピンセット用
バキューム取出し口（ｌＯ）にバキュームピンセット（
図示せず）を差し込み、このバキュームピンセットの真
空吸着部で半導体ウェハ■の裏面を真空吸着し、この半
導体ウェハ■をプローブ装置■の外部へ搬送して高倍率
である拡大鏡で検出可能な如く、上記バキュームピンセ
ット用バキューム取出し口（ｌＯ）が設けられており、
適宜使用する。また、上記バキュームピンセットを使用
しない場合、上記プローブ装置■に設けた収納ボックス
（１１）に収納しておくと、余計な手間を省くことがで
きる。また、この収納ボックス（１１）にウェハカセッ
トやドライバー等を収納しておくとクリーンルームの省
スペース化を図ることが可能となる。そして、上記半導
体ウェハ■に形成された複数の半導体チップを測定し、
各半導体チップに品質ランクを付ける。これを第２図に
示すように、まず、測定部（１２）により各半導体チッ
プの特性を測定し、この測定した特性データを測定結果
値記憶手段（１３）で記憶する。そして基本品質ランク
記憶部（１４）に、多少の特性範囲を有する複数の品質
ランクを予め記憶しておき、比較手段（１５）において
測定結果値記憶手段（１３）に記憶した特性データと基
本品質ランク記憶部（１４）に予め記憶しである多少の
範囲を有する複数の品質ランクとを比較し、上記特性デ
ータが該当する品質ランクを選択し、品質ランクを品質
ランク記憶手段（１６）で記憶する。また、この時上記
品質ランク付けした半導体チップの位置も同時に記憶し
ておく。そして上記半導体ウェハ■の各半導体チップの
測定終了後、測定日時や歩留まり等も記憶しておく。

次に上記各半導体チップの測定終了後上記半導体ウェハ
■を載置している測定ステージ０を測定部であるプロー
ブカード■の直下からマーキング部であるマーカー（１
７）直下へ移動する。この時、測定ステージ■に載置し
た半導体ウェハ■からマーカー（１７）の先端までの距
離を正確に設定しなければ、例えばインクマーキングの
際に半導体チップ表面に付するインクの大きさが変化し
てしまうため、上記距離を正確に設定する。この設定動
作は予めハイドセンサにより測定、記憶した半導体ウェ
ハ■の各距離をメモリーより読み出す、そして、この読
み出した各距離から、半導体ウェハ■とマーカー（１７
）先端の距離を、測定ステージ■の上下動により設定距
離に自動的に合わせる。このように、予め測定した半導
体ウェハ■の各距離を記憶しておき、この記憶内容から
測定ステージ０の上下動により設定距離に合わせること
により。

オペレーターがマーカー（１７）の調整による距離の設
定の手間を省くことができる。そして、上記距離の設定
後、記憶した品質ランクに基づき、一定レベル即ち良品
半導体チップと不良品半導体チップとの区分レベルより
不良品側にある半導体チップ総てに上記マーカー（１７
）からインクを流出することによりマーキング処理を行
なう。このように、別エリアによるマーキング処理後、
半導体ウェハ■を測定ステージ０からウェハカセット■
へ搬送し、他の半導体ウェハの処理を上記と同様の処理
で実行する。

上記のように、各半導体チップの電気的諸性能を測定し
、半導体チップの実行処理速度等がら品質ランクに分類
する。また、一定レベル即ち良品半導体チップと不良品
半導体チップとの区分レベルより不良品側にある半導体
チップの不良要因からも品質ランクに分類する。そして
、この不良要因から不良要因を持つ装置を分析し、その
装置にフィードバックをかける。これにより、各装置の
故障解析が容易になり、オペレーターの手間を省くこと
ができる。

次に、他の実施例を第３図、第４図を参照して説明する
。

第３図に示すように、この検査装置はテスタ（１８）と
２系統のテストヘッド（１９）から構成され、１０−ダ
、２ステージのプローバ（２０）に取付けられている。

このプローバ（２０）は、第４図に示すように一系統の
独立筐体で形成されたローダ部（２１）に対して、複数
系統例えば、第１のプローバ部（２２ａ）と第２のプロ
ーバ部（２２ｂ）の夫々独立筐体から成り、この第１お
よび第２のプローバ部（２２ａ）（２２ｂ）はローダ部
（２１）の左右側面に位置して配設された構成になって
いる。このローダ部（２１）の内部構成として前面側は
、ウェハカセット収納部となっている。このウェハカセ
ット収納部には図示しないモータが連結され、回動可能
なガイド軸（２３）　４本がローダ部（２１）筐体の側
面と平行方向に設置されており、このガイド軸（２３）
　２本に対して１つのウェハカセット載置台（図示せず
）の−側面を取付ける。即ち上記モータの回転によりガ
イド軸（２３）を回転させ、この回転に合わせウェハカ
セット載置台を上昇させて、このウェハカセット載置台
に載置したウェハカセット（２４）を上下動させるもの
である。このウェハカセット収納部には、被測定体であ
る半導体チップが規則的に形成された半導体ウェハ■を
夫々適当な間隔を設けて２５枚収納されているウェハカ
セット（２４）が２カセツト載置可能となっている。

このウェハカセット（２４）から半導体ウェハ■を搬出
入するための真空吸着機構（２５）は、平行スライド可
能であり、先端から中央部まで平行な２本の板状物でな
る吸着部（２５ａ）で形成されている。

上記真空吸着機構（２５）とウェハカセット収納部との
間には、半導体ウェハ■を載置可能なブリアラメントス
テージ（２６）が設定され１図示しないモータに係合し
Ｚ方向およびθ方向の駆動が可能となっている。また、
プリアライメントステージ（２６）からプローバ部の測
定ステージへ半導体ウェハ■を搬送する。スライド回転
可能な真空吸着アーム（２７）が設置されている。この
真空吸着アーム（２７）は図示しないモータに連結され
水平に３６０１回転可能となっている。

このローダ部（２１）筐体上方の後面側には、支柱が設
置されこの支柱を中心として水平に３６０°回転可能な
アームが支柱に取付けられていて、このアームの先端に
は半導体チップを拡大して見るマイクロスコープ（図示
せず）が設置され、垂直方向に例えば２００ｍ上下動可
能である。次にプローバ部について説明すると、第１の
プローバ部（２２ａ）と第２のプローバ部（２２ｂ）は
、同一構成の夫々独立した筐体であり、夫々ローダ部（
２１）に対して左右何れの側からも設置可能な構成であ
る。第１のプローバ部（２２ａ）について説明すると、
この第１のプローパ部（２２ａ）は例えば奥行１０１０
０Ｏ＋、幅６２０Ｉ、高さ１２００ｍｍの独立筐体で構
成され、この第１のブローパ部（２２ａ）の両側面は、
どちら側にもローダ部（２１）が設定可能なように、夫
々ボルトを８箇所に螺合するだけで着脱自在である。こ
の８箇所とは、第１のプローバ部（２２ａ）筐体の周縁
部の四角と各角の中間点である。内部構成として、測定
ステージ（２８ａ）は周知の手段でＸ方向、Ｙ方向。

Ｚ方向、θ方向の駆動が可能であり、特にＸ方向。

Ｙ方向の駆動範囲は、第１のプローバ部（２２ａ）の中
心点において前後左右で対称の動作が可能である。又予
備機構として、プリアライメントステージ（２６）に載
置された半導体ウェハ■を測定ステージ（２８ａ）へ真
空吸着して回転搬送する真空吸着アーム（２９ａ）が設
置されている。このアーム（２９ａ）は、第１のプロー
バ部（２２ａ）の筐体の右側面に設置されている。順番
待ちのための半導体ウェハはこのアーム上で待機させる
。また測定位置において、測定ステージ（２８ａ）と対
向した位置には、プローブカードが設定されており、周
知の手段で被測定体の測定を行なう、更に上記第１のプ
ローバ部（２２ａ）の筐体の右側手前に測定ステージ（
２８ａ）に載置する半導体ウェハ■にマーキング可能な
如くマーカー（３０ａ）が設けられている。また、第１
のプローバ部（２２ａ）と第２のプローパ部（２２ｂ）
は、上述したように同一の構成であり、第１のプローバ
部（２２ａ）について説明したことは、第２のプローバ
部（２２ｂ）についても同様のことがいえる。

第１のプローバ部（２２ａ）と第２のプローバ部（２２
ｂ）は同一の機構を用いるため、第２のプローバ部（２
２ｂ）の真空吸着アーム（２９ｂ）は予備機構と設置さ
れており、この実施例については直接使用はしない。次
にローダ部（２１）と第１および第２のプローバ部（２
２ａ）　、　（２２ｂ）の接続と位置設定について説明
する。

ローダ部（２１）の左右両側面に１例えば向ってローダ
部（２１）左側面に第１のブローバ部（２２ａ）を設定
し、右側面に第２のブローパ部（２２ｂ）を設定する。

この場合、あらかじめローダ部（２１）の両側面板と第
１のプローバ部（２２ａ）の向って右側面板及び第２の
プローバ部（２２ｂ）の左側面板を夫々取りはずしてお
く、この側面板を取りはずしたプローバ部（２２ａ）　
（２２ｂ）の側面には、中央を横断する様にガイド板が
設置されており、このガイド板には適当な間隔を設けて
ガイドピンが突出している。又、側面板を取りはずした
ローダ部（２１）には、プローバ部（２２ａ）　（２２
ｂ）のガイドピンに相応する様に筒状のガイドホールを
設置しており、このガイドホールに、プローバ部のガイ
ドピンを挿入することにより、ローダ部（２１）とプロ
ーバ部（２２ａ）　（２２ｂ）の位置決めを行なう。位
置決めを行なった後、プローバ部（２２ａ）　（２２ｂ
）とローダ部（２１）をボルトにより螺合し固定する。

これら第１および第２の測定部には第３図に示すように
夫々テストヘッド（１９）を設置する。ここで各ブロー
バ部に各テストヘッド（１９）を配線する。

この２つのテストヘッド（１９）は、同一規格のため各
プローバ部への配線は同一である。即ち、この配線は、
プローバ（２０）側の各プローブ針から夫々絶縁した状
態でプローブカードにプリント配線された接続部に夫々
対応したテストヘッド（１９）の接続基板に接続する。

この接続基板から検査回路へはテストヘッド（１９）内
で配線されていて、この検査回路基板からテストヘッド
（１９）の−側面を通してテスタ（１８）本体までケー
ブル（３１）で配線されている。このケーブル（３１）
は、テストヘッド（１９）からテスタ（１８）までの距
離を最短にするために直線状態で接続している。即ち、
２つの測定部に夫々テストヘッド（１９）を設置し、こ
の２系統のテストヘッド（１９）から１系統のテスタ（
１８）本体までは。

夫々はぼ直線状態でケーブル（３１）配線されている。

この時、夫々のケーブル（３１）配線の長さが異なると
、夫々のインピーダンスが異なり、測定時において高周
波特性に誤差が生じ、正確な検査が実行できない。この
ため、各テストヘッド（１９）がらテスタ（１８）まで
の配線長は同距離とするのが望ましい。

次に、このプローバで半導体ウェハ■を測定する流れに
そって説明する。

ローダ部（２１）とプローバ部（２２ａ）　（２２ｂ）
の各機構は夫々のＣＰＵに入力されている予め定められ
たプログラムにそった動作である。

まず、カセット収納部のカセット載置台に、半導体ウェ
ハ■が２５枚収納しであるウェハカセット（２４）を２
カセツト搬入設定する。このウェハカセット（２４）に
真空吸着機構（２５）をスライド挿入し真空吸着部（２
５ａ）に半導体ウェハ■を１枚吸着し。

この半導体ウェハ■を真空吸着機構（２５）でスライド
搬出する。この真空吸着機構（２５）の真空吸着部（２
５ａ）をプリアライメントステージ（２６）の設置しで
ある所に設定し、そこでプリアライメントステージ（２
６）を上昇させて搬出した半導体ウェハ■をプリアライ
メントステージ（２６）に載置する。このプリアライメ
ントステージ（２６）に載置した半導体ウェハ■をＬＥ
Ｄ−センサー機構の周知の手段により半導体ウェハ■の
センター出しゃ精度±１＠位の予備位置決めを行なう。

この予備位置決めされた半導体ウェハ■を第１のブロー
バ部（２２ａ）の真空吸着アーム（２９ａ）で測定ステ
ージ（２８ａ）へ回転搬送する。この第１のプローバ部
（２２ａ）の測定ステ−ジ（２８ａ）に載置した半導体
ウェハ■は、レーザ認識機構やパターン認識機構で正確
に本位置決めした後、周知の手段により各半導体チップ
の電極パッドにプローブ針を接触させて電気的測定を実
行する。この第１のプローバ部（２２ａ）に半導体ウェ
ハ■を搬送するためにプリアライメントステージ（２６
）から真空吸着アーム（２９ａ）に半導体ウェハ■を載
せかえた後を利用して、ウェハカセット（２４）を真空
吸着機構（２５）の水平位置を固定として、次の半導体
ウェハ■が取出せる予め定めた設定間隔だけ上昇させた
後、上記１枚目の半導体ウェハ■と同様に２枚目の半導
体ウェハ■をウエハカセッ！−（２４）より真空吸着機
構（２５）で搬出する。この２枚目の半導体ウェハ■を
プリアライメントステージ（２６）で予備位置決めした
後、このローダ部（２１）に設置されている真空吸着ア
ーム（２７）で２枚目の半導体ウェハ■を吸着して、第
２のプローバ部（２２ｂ）の測定ステージ（２８ｂ）に
真空吸着アーム（２７）吸着部の他端を中心として回転
し、半導体ウェハ■を回転搬送するゆ搬送された半導体
ウェハ■は、正確に本位置合わせした後に測定を実行す
る。そしてこの２枚目の半導体ウェハ■がプリアライメ
ントステージ（２６）から真空吸着アーム（２７）に載
った後、更に上記同様３枚目の半導体ウェハ■をプリア
ライメントステージ（２６）にて予備位置決めし、真空
吸着アーム（２９ａ）の下部に位置する同様形状の真空
吸着アーム（図示せず）に載り、次の測定順番待ちをす
る。次に同様にして４枚目の半導体ウェハ■を真空吸着
アーム（２７）の下部に位置する真空吸着アーム（図示
せず）上で待機する。第１のプローバ部（２２ａ）で１
枚目の半導体ウェハ■の測定を終えた後、この１枚目の
半導体ウェハ■を載置した測定ステージ（２８ａ）がマ
ーカー（３０ａ）直下へ移動する。そして予めハイドセ
ンサにより測定、記憶した半導体ウェハ■の距離をメモ
リーより読み出す。そして、この読み出した各距離から
半導体ウェハ■とマーカー（３０ａ）先端の距離を、測
定ステージ■の上下動により設定距離に自動的に合わせ
る。第１のプローバ部（２２ａ）で１枚目の半導体ウェ
ハ■のマーキング処理を終えたタイミングで、１枚目の
半導体ウェハ■を真空吸着アーム（２９ａ）で吸着し、
プリアライメントステージ（２６）に搬出し、待機中の
３枚目の半導体ウェハ■を第１の測定ステージ（２８ａ
）に搬送し、１枚目の半導体ウェハ■を載置したプリア
ライメントステージ（２６）を下降させ、真空吸着機構
（２５）の吸着部（２５ａ）に半導体ウェハ■を搬送す
る。ここでウェハカセット（２４）は、半導体ウェハ■
が元設定されていた場所に搬入設定可能なように設定間
隔だけ下降させておく。このウェハカセット（２４）に
１枚目の半導体ウェハ（２）を吸着した真空吸着機構（
２５）を前方向にスライドさせて、１枚目の半導体ウェ
ハ■の元の設定位置に１枚目の半導体ウェハ■を搬入す
る。次に５枚目の半導体ウェハ■を抜き取り上記したセ
ツティング動作を行ない第１の真空吸着アーム（２９ａ
）上で待機する。上記測定を終えた２枚目の半導体ウェ
ハ■をマーカー（３０ｂ）直下へ移動し、第１のプロー
バ部（２２ａ）と同様に距離設定を行ないマーキング処
理する。そして、この半導体ウェハ■をプリアライメン
トステージ（２６）に搬出し４枚目の半導体ウェハ■を
第２の測定ステージ（２８ｂ）に搬送し、２枚目の半導
体ウェハをウェハカセット（２４）の元の位置に搬入し
、６枚目の半導体ウェハ■について第２の真空吸着アー
ム（２９ｂ）上で待機させる。このような動作をウェハ
カセット（２４）に収納している半導体ウェハ■をすべ
で測定する機構になっている。ここで半導体ウェハ■の
測定順序について説明しておくと、ウェハカセット（２
４）はローダ部（２１）に縦方向に２つ設定されている
ので内側のウェハカセット（２４）の最上段に設定され
ている半導体ウェハ■から測定を開始し次に外側のウェ
ハカセット（２４）の最上段に設定されている半導体ウ
ェハ（２）の順序で測定する。

また、ウェハカセット（２４）ごとに測定ステージ（２
８ａ）　（２８ｂ）を変えて測定してもよいし、品種ご
とに変えてもよい。この時、複数の品種の半導体ウェハ
■が１カセツトに収納されている場合、半導体ウェハ■
上に記載された識別マーク例えばＩＤマーク等を読み取
り、品種ごとに上記測定ステージ（２８ａ）　（２８ｂ
）を変えて測定を行なってもよい、また、内側のウェハ
カセット（２４）に収納されているすべての半導体ウェ
ハ■を測定終了後、このウェハカセット（２４）は上昇
させておき、真空吸着機構（２５）は、このウェハカセ
ット（２４）の下側をスライド移動して、外側のウェハ
カセット（２４）から半導体ウェハ■を搬出入する。

このような連続自動工程の実行に先立ちティーチング操
作を行なう必要がある。このティーチング操作を説明す
る。

第１のプローバ部（２２ａ）の測定ステージ（２８ａ）
に設置した半導体ウェハ■を正確に位置決めした後、プ
ローブカードの設置されている測定部に測定ステージ（
２８ａ）を設定する。ここで操作者によりローダ部（２
１）の筐体上面に設置されている顕微鏡例えばマイクロ
スコープで半導体ウェハ■に形成されている半導体チッ
プの電極部とプローブカードに取着されたプローブ針の
接触を確認し、第１のプローバ部（２２ａ）に設置され
ている、操作パネル部（３２ａ）のジョイスティック（
３３ａ）を操作し、測定ステージ（２２ａ）のｘＹ駆動
を操作して半導体ウェハ■に形成されているすべて半導
体チップの測定を可能なようなティーチング操作をする
。又第２のプローバ部（２２ｂ）のティーチング操作は
、第１のプローバ部（２２ａ）のｃｐｕがローダ部（２
１）のｃｐｕを介して第２のプローバ部（２２ｂ）のＣ
ＰＵに接続されているため、この第１のプローバ部（２
２ａ）のＣＰＵの情報を基準としてマイクロスコープで
半導体チップの電極部とプローブカードに取着したプロ
ーブ針の接触を確認するだけでよく、もし、この接触位
置がズしている際には、第２のプローバ部（２２ｂ）の
操作パネル（３２ｂ）のジョイスティック（３３ｂ）を
操作して接触位置を補正する。

又、マイクロスコープがローダ部（２１）に設置されて
いるため従来１台ごとに必要であったマイクロスコープ
が２台のプローブ装置に１台となり、コストの低減がは
かれテストヘッド（１９）は、プローブ装置の後面側か
らの設置が可能となり、或いは又、テストヘッド（１９
）からテスター（１８）本体へ継がっているケーブル（
３１）を後面側へ出すことが可能となり、クリーンルー
ムでのブローバの設置も、プローバとプローバの間隔を
縮めることが可能となった。さらに、上記の理由により
テストヘッドを左専用、右専用と作る必要がなく同一企
画のテストヘッドで良くなりテストヘッドの改造が不用
となる。

又、第１のプローバ部（２２ａ）が故障の際、もしくは
何らかの原因で第１のプローバ部（２２ａ）が動作不可
能な場合、ローダ部（２１）に内臓されているＣＰＵに
より、第２のプローバ部（２２ｂ）のみの測定に自動的
に切り替わる楕成になっている。同様に第２のプローバ
部（２２ｂ）が動作不可能のとき、第１のプローバ部（
２２ａ）のみの測定に切り替わる。

このローダ部（２１）のＣＰＵへの入力はローダ部筐体
に設置されているキーボードを操作することにより行な
われる。

以上述べたようにこの実施例によれば、被測定体とマー
カーの間隔を被測定体を載置する［置台の昇降量の調整
を、予め検知機構により行なう被測定体の載置状態およ
び高さ等の検知を流用して自動的に間隔設定を行なうた
め、半導体製造工程および検査工程に理想な完全自動化
を行なうことが可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、被測定体とマー゛
カーの間隔を被測定体を載置する載置台の昇降量を調節
することにより、予め検知機構により行なう被測定体の
載置状態および高さ等の検知を流用して自動的に間隔設
定を行なうことができる。

また１間隔設定を自動化することができるため。

スループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのプロー
ブ装置の構成図、第２図は被測定体に品質ランク付けを
説明するための図、第３図はテストヘッドからテスター
の配線の図、第４図は本発明装置の一実施例を説明する
ためのプローブ装置の構成図を示すものである。 ２・・・半導体ウェハ、　６，２８・・・測定ステージ
、１７・・・マーカー、　　　　１９．３０・・・テス
トヘッド。 特許出願人　東京エレクトロン株式会社第１図 第２図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）被測定体の良否を測定し、その測定結果に基づい
   て上記被測定体にマーカーによりマークを付するプロー
   ブ装置において、上記被測定体と上記マーカーの間隔を
   被測定体を載置する載置台の昇降量を調整することによ
   り設定することを特徴とするプローブ装置。
2. （２）載置台の昇降量の調整は、予め検知機構により行
   なう被測定体の載置状態および高さ等の検知を流用し、
   この検知内容を基にして設定したマーキング位置に載置
   台を移動することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のプローブ装置。
3. （３）検知機構は容量センサーである特許請求の範囲第
   ２項記載のプローブ装置。