CN113161273B - 位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法 - Google Patents

位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113161273B
CN113161273B CN202011619561.1A CN202011619561A CN113161273B CN 113161273 B CN113161273 B CN 113161273B CN 202011619561 A CN202011619561 A CN 202011619561A CN 113161273 B CN113161273 B CN 113161273B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
positional deviation
wafer
information
image information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011619561.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113161273A (zh
Inventor
渡边真二郎
荒卷宏二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN113161273A publication Critical patent/CN113161273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113161273B publication Critical patent/CN113161273B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/60—Analysis of geometric attributes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明提供位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法，能够准确地检测在基板未被吸附于载置台的状态下产生的位置偏离。基板的位置偏离检测方法包括以下步骤：获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置；获取被保持于所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；以及将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。

Description

位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法
技术领域
本公开涉及一种基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法、基板搬送控制方法以及基板的位置偏离检测装置。
背景技术
专利文献1公开了如下一种技术：基于在搬送机构向载置台移动的期间在通过从载置台突出的销将基板抬起了的状态下拍摄基板的周缘部得到的图像，来检测被销抬起了的基板的位置偏离以及/或者倾斜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-195644号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够准确地检测在基板未被吸附于载置台的状态下产生的位置偏离的技术。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个方式，提供一种基板的位置偏离检测方法，包括以下步骤：获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置；获取被保持于所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；以及将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。
发明的效果
根据一个方面，能够准确地检测在基板未被吸附于载置台的状态下产生的位置偏离。
附图说明
图1是表示第一实施方式的检查装置10的一例的立体图。
图2是表示本实施方式中的载置台18的一例的截面图。
图3是表示在第一实施方式中获取晶圆W的图像时的、载置台18与销19的位置关系的一例的图。
图4是表示求出两个图像的差的方法的一例的图。
图5是表示通过第一实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法以及基板搬送控制方法进行的处理的一例的流程图。
图6是表示在第二实施方式中获取晶圆W的图像时的、载置台18与销19的位置关系的一例的图。
图7是表示通过第二实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法以及基板搬送控制方法进行的处理的一例的流程图。
附图标记说明
13：控制装置；15：搬送臂；15A：预对准装置；18：载置台；17A：升降机构；19：销；W：晶圆。
具体实施方式
以下，参照附图来说明用于实施本公开的方式。此外，在本说明书和附图中，有时通过对实质上相同的结构标注相同的附图标记，来省略重复的说明。以下，使用图中的上下方向或上下关系进行说明，但并不表示普遍的上下方向或上下关系。
<第一实施方式>
图1是表示第一实施方式的检查装置10的一例的立体图。在图1中，为了方便说明，以切掉检查装置10的一部分的方式进行表示。如图1所示，检查装置10具有加载室11、探针室12、控制装置13以及显示装置14。
加载室11具有作为搬送机构的一例的搬送臂15。搬送臂15向探针室12搬入被收纳于盒C内的作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)W。另外，搬送臂15将检查完毕的晶圆W从探针室12向规定的搬出位置搬出。
探针室12检查通过搬送臂15搬入的晶圆W的电特性。在探针室12中设置有使载置台18沿上下方向(图1的Z轴的方向)和横方向(与图1的X轴及Y轴平行的XY平面内的方向)移动的X工作台16X、Y工作台16Y等。在载置台18上载置通过搬送臂15搬入的晶圆W，载置台18通过对所载置的晶圆W进行真空吸附等，来将该晶圆W吸附保持于载置台18的上表面。
图2是表示本实施方式中的载置台18的一例的截面图。如图2所示，在载置台18设置有通过驱动机构(未图示)在上下方向上移动并且相对于载置台18的上方自由地突出或退回的销19。销19用于在将晶圆W搬入载置台18时和将晶圆W从载置台18搬出时暂时从载置台18突出以将晶圆W支承在载置台18的上方。作为一例，设置有三个销19。
返回图1的说明。在探针室12中设置有对准装置20和探针卡(未图示)。对准装置20为用于使载置于载置台18上的晶圆W对准规定的检查位置的光桥的对准装置。对准装置20具有摄像机21、对准桥22以及一对直线导轨23、23。摄像机21以摄像方向朝向下方的方式搭载于对准桥22。对准桥22以能够沿Y轴方向移动的方式被一对直线导轨23、23支承。对准桥22与未图示的移动机构连接，移动机构使对准桥22沿Y轴方向移动。通过移动机构使对准桥22沿Y轴方向移动，由此使搭载于对准桥22的摄像机21也沿Y轴方向移动。移动机构由控制装置13控制，摄像机21和对准桥22的移动量由控制装置13管理。
在进行载置于载置台18的晶圆W的对准的情况下，通过未图示的移动机构使对准桥22沿一对直线导轨23、23从待机位置起在Y轴方向上移动。通过对准桥22沿Y轴方向移动，搭载于对准桥22的摄像机21也沿Y轴方向移动，并且到达预先设定于探针卡的下方的对准位置。在该状态下，通过搭载于对准桥22的摄像机21与固定于载置台18侧的摄像机(未图示)的协同作业，来进行载置台18上的晶圆W的对准。之后，通过未图示的移动机构使对准桥22返回原始的待机位置。另外，在探针室12中设置有预对准装置15A。预对准装置15A是校正装置的一例，例如设置于盒C的附近。预对准装置15A具有圆盘状的旋转体，晶圆W能够被载置于该旋转体的上表面，该旋转体能够使通过搬送臂15而被载置于该旋转体的晶圆W在XY平面内旋转来校正位置偏离。能够通过这样的预对准装置15A校正的晶圆W的位置偏离为晶圆W的中心位置的偏离、XY平面内的旋转方向的角度的偏离，是比较轻微的偏离。此外，在此，对使用预对准装置15A作为校正装置的方式进行说明，但也可以使用预对准装置15A以外的其它装置。
另外，探针卡具有用于对通过对准装置20进行了对准的晶圆W的电特性进行检查的探针。探针卡经由插入环固定于能够相对于探针室12的上表面进行开闭的顶板的中央的开口部。另外，在探针室12中以可转动的方式配设有测试头(未图示)。
在对载置于载置台18的晶圆W进行检查的情况下，首先，使探针卡与测试器(未图示)之间经由测试头进行电连接。然后，经由探针卡向载置台18上的晶圆W输出来自测试器的规定的信号，经由探针卡向测试器输出来自晶圆W的响应信号。由此，通过测试器来评价晶圆W的电特性。而且，在完成对晶圆W的电特性的检查后，使销19从载置台18突出来使晶圆W被销19抬起。然后，将被销19抬起了的晶圆W交接至移动到载置台18的搬送臂15，并通过搬送臂15将该晶圆W搬出至规定的搬出位置。
上述结构的检查装置10的动作由控制装置13统一控制。控制装置13具备通过程序、存储器、CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)构成的数据处理部等。程序用于使控制装置13向检查装置10的各部发送控制信号，实施后文中详细叙述的各种步骤来搬出晶圆W。另外，例如存储器具备用于写入各种参数的值的区域，CPU在执行程序的各命令时读出这些处理参数，并将与该参数值相应的控制信号发送至检查装置10的各部位。该程序(也包括与处理参数的输入操作、显示有关的程序)被保存于计算机存储介质例如软盘、光盘、MO(光磁盘)等存储部，并且被安装至控制装置13。
例如，控制装置13控制检查装置10的各部。列举详细的一例，控制装置13在向搬送臂15发出开始搬出载置于载置台18的晶圆W的指令并使搬送臂15向载置台18移动的期间，在通过从载置台18突出的销19将晶圆W抬起了的状态下，使摄像机21移动至应存在晶圆W的周缘部的规定的区域的上方。然后，控制装置13使移动后的摄像机21拍摄摄像区域。而且，控制装置13基于通过摄像机21拍摄到的图像来检测被销19抬起了的晶圆W的位置偏离。在此，关于被销19抬起了的晶圆W的位置偏离，有在三个销19的高度未产生偏离时晶圆W在被三个销19抬起了的状态下产生的平面上的位置偏离、以及由于三个销19的高度产生偏离而使得晶圆W倾斜所引起的位置偏离。另外，控制装置13进行如以下所说明的那样的控制。
图3是表示在第一实施方式中获取晶圆W的图像时的、载置台18与销19的位置关系的一例的图。在图3中，放大地示出载置台18、销19以及其周边。另外，简化地示出载置台18的真空吸盘用的吸引槽18A。在载置台18设置有真空吸盘，该真空吸盘在载置有晶圆W的状态下经由吸引槽18A对晶圆W进行吸引来将该晶圆W吸附于载置台18的上表面。通过控制装置13来控制真空吸盘的动作状态，来在晶圆W的吸附状态与非吸附状态之间切换。
在图3中，除了载置台18以外还示出工作台基部17、升降机构17A、销19以及对准装置20，省略检查装置10(参照图1)的其它构成要素。另外，在图3的(A)和图3的(B)中，示出升降机构17A及销19的高度位置(高度方向上的位置)不同的状态。另外，对于对准装置20，以简化了对准桥22和直线导轨23的状态示出摄像机21的位置。
工作台基部17为设置X工作台16X和Y工作台16Y(参照图1)的、检查装置10(参照图1)的基台。在图3中，省略X工作台16X和Y工作台16Y(参照图1)，示出在图1中被省略了的升降机构17A。
升降机构17A将载置台18以能够相对于工作台基部17进行升降的方式保持。通过控制装置13来控制升降机构17A，来调整载置台18的Z方向上的位置。
销19为保持部的一例，直接或间接地固定于工作台基部17。在通过升降机构17A使载置台18上升了的状态下，销19如图3的(A)所示那样被收容于载置台18的内部，在通过升降机构17A使载置台18下降了的状态下，销19如图3的(B)所示那样从载置台18的上表面突出到上方。此外，在图3的(A)所示的状态下，载置台18的上表面与销19的上端的高度位置相等。
在图3的(A)中，晶圆W通过真空吸盘而被吸附于载置台18的上表面。在该状态下，晶圆W被搬送臂15(参照图1)搬送且被准确地配置于载置台18的上表面的正确位置，并且处于能够进行电特性的检查的位置。
当晶圆W的电特性的检查结束时，为了通过搬送臂15(参照图1)搬送该晶圆W，使晶圆W如图3的(B)所示那样成为被销19保持了的状态。更具体的说，当在图3的(A)所示的状态下将真空吸盘切换为非吸附状态后通过升降机构17A使载置台18下降时，晶圆W从载置台18被交接至销19，如图3的(B)所示那样成为晶圆W被销19保持的状态。
在此，在如图3的(A)所示那样的晶圆W被载置于载置台18的上表面的状态下和如图3的(B)所示那样的晶圆W被销19保持着的状态下，晶圆W的高度位置相等，作为一例，晶圆W的下表面的高度位置为Z＝Z1(mm)。作为一例，高度Z1为相对于探针室12内的载置台18的Z方向上的基准位置的高度。Z方向上的基准位置能够设定为检查装置10的任意位置，例如能够设定为工作台基部17的上表面之类的高度位置。
图3的(A)所示的载置台18的上表面的高度位置与晶圆W的下表面的高度位置(Z＝Z1)相等，是第一高度位置的一例。另外，图3的(B)所示的载置台18的上表面的高度位置为Z＝Z2(mm)，是第二高度位置的一例。Z2比Z1低(Z2<Z1)。
像这样，在从图3的(A)的状态向图3的(B)的状态转变的期间，产生晶圆W被载置于载置台18的上表面并且真空吸盘从吸附状态切换为非吸附状态的状况、以及晶圆W从以未被吸附的方式载置于载置台18的上表面的状态切换(更换)为被销19保持的状态的状况。因此，晶圆W可能会相对于图3的(A)所示的状态下的正确位置产生位置偏离。
晶圆W未被真空吸盘吸附的状态为晶圆W的位置在载置台18的上表面未被固定的状态，是晶圆W的位置未受控制的状态。例如，在将真空吸盘切换为非吸附状态时，若吸引槽18A内残留有负压，则在使载置台18下降了时有时会使晶圆W弹起而产生晶圆W的位置偏离。另外，例如在将真空吸盘切换为非吸附状态时，若向吸引槽18A的内部吹送气体的时间过长时，则有时会使晶圆W在载置台18上弹起而产生晶圆W的位置偏离。另外，在此说明销19直接或间接地固定于工作台基部17的方式，但也可以为销19相对于载置台18在上下方向上移动的结构。在该情况下，载置台19可以是能够在上下方向上移动，也可以不是能够移动。在像这样销19相对于载置台18在上下方向上移动的结构的情况下，例如有时由于三个销19在上升时高度不一致使得晶圆W变得倾斜，由此产生晶圆W的位置偏离。
像这样，在未被真空吸盘吸附着的状态下，晶圆W的位置相对于载置台18未被固定，因此可能会产生晶圆W的位置偏离。当产生晶圆W的位置偏离时，例如可能会对在图3的(B)所示的状态下通过搬送臂15来搬送晶圆W的工序等产生影响。
因此，在第一实施方式中，提供一种能够正确地检测在经过像这样未被真空吸盘吸附的状态后的晶圆W的位置偏离的技术。在第一实施方式中，在将晶圆W准确地配置于载置台18的上表面的正确位置并通过真空吸盘吸附了该晶圆W的状态下、以及将真空吸盘切换为非吸附状态并通过销19保持了晶圆W的状态下，在使晶圆W的高度位置一致的情况下通过摄像机21进行拍摄，并通过对两个图像进行比较来检测晶圆W的位置偏离。
图4是表示求出两个图像的差的方法的一例的图。在此，作为一例，说明在三个销19的高度未产生偏离时在晶圆W产生了平面内的位置偏离的情况下的两个图像的差。
例如，在将晶圆W配置于载置台18的上表面的正确位置并通过真空吸盘吸附了该晶圆W的状态(图3的(A)所示的状态)下，得到图4的(A)所示的图像。白色的部分为晶圆W，黑色的部分为晶圆W以外的部分。
另外，在将真空吸盘切换为非吸附状态并通过销19保持了晶圆W的状态(图3的(B)这样的状态)下，得到图4的(B)所示的图像。两个图像是在晶圆W为相同的高度位置时通过摄像机21获取到的。
而且，设为图4的(A)与图4的(B)所示的图像的差如图4的(C)所示。在图4的(C)中，白色的部分表示两个图像的差D。两个图像是通过摄像机21拍摄处于相同的高度位置的晶圆W而得到的，因此两个图像的差D表示晶圆W的位置偏离。即，在图4的(C)中存在差D表示产生了晶圆W的位置偏离。在第一实施方式中，通过这样来检测晶圆W的位置偏离。如果将差D所表示的晶圆W的位置偏离分为X方向和Y方向上的成分来进行捕捉，则能够检测晶圆W的中心的在X方向和Y方向上的位置偏离量。另外，能够基于晶圆W的中心在X方向和Y方向上产生了位置偏离的位置，来检测晶圆W的在XY平面内的旋转方向上的位置偏离量。另外，也可以通过在Y方向上的位置不同的两个地方测定图4的(A)所示的图像和图4的(B)所示的图像中的晶圆W的边缘(两端)的、在X方向上的位置，来检测晶圆W的在X方向和Y方向上的位置偏离量和旋转方向上的位置偏离量，以取代求出差D。另外，也可以通过在X方向上的位置不同的两个地方测定晶圆W的边缘(两端)的、在Y方向上的位置，来检测晶圆W的在X方向和Y方向上的位置偏离量和旋转方向上的位置偏离量。
此外，在将真空吸盘切换为非吸附状态并通过销19保持了晶圆W的状态下，在三个销19的高度产生偏离而使得晶圆W发生了倾斜的情况下，通过摄像机21进行拍摄而得到的图像包括拍到晶圆W的部分的色调不固定而是阶段性地变化的渐变图案。其结果是，该图像与在将晶圆W配置于载置台18的上表面的正确位置并通过真空吸盘吸附了该晶圆W的状态(图3的(A)所示的状态)下获取到的图4的(A)所示的图像之差D也包括渐变图案。因此，差D包括渐变图案的情况为三个销19的高度产生偏离而使得晶圆W变得倾斜的情况。
图5是表示通过第一实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法以及基板搬送控制方法进行的处理的一例的流程图。控制装置13执行图5所示的处理。
在以下所示的步骤S1～S10B中，第一实施方式的基板的位置偏离检测方法通过步骤S1～S6的处理来实现。另外，实现基板的位置偏离检测方法的装置(控制装置13)为基板的位置偏离检测装置。
另外，第一实施方式的基板位置的异常判定方法通过对实现基板的位置偏离检测方法的步骤S1～S6的处理追加步骤S7或追加步骤S7和S9A的处理来实现。实现基板位置的异常判定方法的装置(控制装置13)为基板位置的异常判定装置。
另外，第一实施方式的基板搬送控制方法通过对实现基板的位置偏离检测方法的步骤S1～S6的处理追加步骤S7～S10B的处理来实现。实现基板搬送控制方法的装置(控制装置13)为基板搬送控制装置。
当处理开始时，控制装置13在使载置台18下降成低于图3的(A)所示的位置而使销19突出了的状态下，使搬送臂15(参照图1)移动并且将晶圆W载于销19上(步骤S1)。在步骤S1中，在使晶圆W载于销19上的状态下，不产生位置偏离。
控制装置13使载置台18上升并使上表面的高度位置成为Z＝Z1(参照图3的(A))，并且通过真空吸盘来吸附晶圆W(步骤S2)。当载置台18的上表面的高度位置成为Z＝Z1时，销19被收容于载置台18的内部，因此晶圆W如图3的(A)所示那样成为被载置于载置台18的上表面的状态。如果在该状态下将真空吸盘切换为吸附状态，则能够成为将晶圆W吸附于载置台18的上表面的正确位置的状态。在步骤S1之后，在通过步骤S2使载置台18上升并使上表面的高度位置达到Z＝Z1之前的状态下，晶圆W仅被置于三个销19上，因此不产生位置偏离。另外，当上表面的高度位置达到Z＝Z1时，被置于销19上的晶圆W被保持于从下方上升起来的载置台18的上表面，并在该位置仅被真空吸盘吸附，因此不产生位置偏离。
控制装置13通过摄像机21来拍摄晶圆W(步骤S3)。在步骤S3中，得到载置台18的上表面的高度位置为Z＝Z1时的处于正确位置的晶圆W的图像。步骤S3的载置台18的上表面的高度位置(Z＝Z1)为第一高度位置的一例，通过步骤S3得到的图像为第一图像信息的一例。另外，摄像机21为信息获取部的一例。
控制装置13在将真空吸盘切换为非吸附状态后使载置台18下降(步骤S4)。在步骤S4中，使载置台18下降成载置台18的上表面的高度位置为比Z＝Z1低的Z＝Z2的位置。
当通过步骤S4使载置台18下降时，如图3的(B)所示，销19从载置台18的上表面突出，晶圆W被三个销19保持于Z＝Z1的位置。即，晶圆W通过销19而被保持于作为第一高度位置的一例的Z＝Z1的位置。像这样，当在将真空吸盘切换为非吸附状态时将晶圆W从被载置台18载置更换为被销19载置时，可能会产生位置偏离。
控制装置13通过摄像机21来拍摄晶圆W(步骤S5)。在步骤S5中，得到被销19保持于Z＝Z1的高度位置的晶圆W的图像。通过步骤S5得到的图像为第二图像信息的一例。
控制装置13求出通过步骤S3和S5得到的图像的差D(步骤S6)。例如，在存在位置偏离的情况下，得到图4的(C)所示的差D。在没有位置偏离的情况下，差D为零。
控制装置13判定差D所表示的位置偏离是否为异常(步骤S7)。控制装置13将进行步骤S7的判定用的第一阈值保存于内部存储器中，在步骤S7中，判定差D所表示的位置偏离是否为第一阈值以上，由此判定差D所表示的位置偏离是否为异常。第一阈值包括关于X方向的阈值和关于Y方向的阈值。
此外，由于晶圆W发生了倾斜的位置偏离为异常，因此如果使用包括每个像素的色调的差的阈值的数据作为第一阈值，则在步骤S7中能够将晶圆W发生了倾斜的位置偏离判定为异常。
控制装置13当判定为差D所表示的位置偏离为异常(S7：是)时，判定该位置偏离是否为能够校正的位置偏离(步骤S8)。能够校正的位置偏离是指能够通过预对准装置15A进行校正的比较轻微的位置偏离。
控制装置13将进行步骤S8的判定用的第二阈值保存于内部存储器中，在步骤S8中，判定差D所表示的位置偏离是否为第二阈值以下，由此判定该位置偏离是否为能够校正的位置偏离。第二阈值比步骤S7中使用的第一阈值小。另外，第二阈值包括关于X方向的阈值和关于Y方向的阈值。
此外，由于晶圆W发生了倾斜的情况是不能够校正的，因此如果使用包括每个像素的色调的差的阈值的数据作为第二阈值，则在步骤S8中能够判定为晶圆W发生了倾斜的位置偏离是不能够校正的。
控制装置13当判定为不是能够校正的位置偏离(S8：否)时，发出提醒(警报)(步骤S9A)。发出提醒为通知异常的一例，例如只要通过在显示装置14中显示表示产生了不能够校正的位置偏离的数据来进行即可。也可以同时显示批号等用于确定晶圆W的信息。另外，也可以除显示装置14的显示以外还通过声音等发出提醒，或通过声音等发出提醒来代替显示装置14的显示。
不能够校正的位置偏离是晶圆W的平面中的位置偏离为第一阈值以上的情况下的位置偏离和晶圆W发生了倾斜的情况下的位置偏离。
另外，控制装置13当在步骤S8中判定为是能够校正的位置偏离(S8：是)时，驱动搬送臂15来使搬送臂15接受被销19保持着的晶圆W，将该晶圆W载置于预对准装置15A的旋转体上，并且驱动预对准装置15A来校正位置偏离(步骤S9B)。
控制装置13当结束步骤S9B的处理时，操作搬送臂15来将检查完毕的晶圆W从探针室12向规定的搬出位置搬出(步骤S10A)。例如，将晶圆W从探针室12收纳于FOUP等中。FOUP等为收纳部的一例。
另外，控制装置13当在步骤S7中判定为差D所表示的位置偏离不为异常(S7：否)时，操作搬送臂15来使搬送臂15接受被销19保持着的检查完毕的晶圆W，并且将该晶圆W从探针室12向规定的搬出位置搬出(步骤S10B)。
控制装置13当结束步骤S9A、S10A或S10B的处理时，结束一系列的处理。
此外，在此，也可以是，控制装置13在步骤S7中判定为差D所表示的位置偏离为异常(S7：是)的情况下，不进行步骤S8的处理，进入步骤S9A发出提醒。
如以上那样，根据第一实施方式的基板的位置偏离检测方法，在将晶圆W配置于载置台18的上表面的正确位置并且通过真空吸盘吸附了该晶圆W的状态下、以及之后将真空吸盘切换为非吸附状态并通过销19保持了晶圆W的状态下，在使晶圆W的高度位置相等的情况下通过摄像机21进行拍摄，并基于两个图像的差D来检测晶圆W的位置偏离。
因此，能够检测在晶圆W被载置于载置台18的上表面并将真空吸盘从吸附状态切换为非吸附状态的状况、以及晶圆W从以未被吸附的方式载置于载置台18的上表面的状态切换为被销19保持着的状态的状况这两个状况中可能产生的晶圆W的位置偏离。这两个状况均是在未通过真空吸盘将晶圆W吸附于载置台18的状态下产生的。
因而，能够提供一种能够准确地检测在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离的、基板的位置偏离检测方法。另外，通过能够准确地检测在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离，能够稳定地执行电特性的检查，因此能够以高生产率进行检查。
另外，根据第一实施方式的基板位置的异常判定方法，除了进行基板的位置偏离检测方法的处理以外，还判定差D所表示的位置偏离是否为异常。因此，能够提供一种能够准确地判定在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离是否为异常的基板位置的异常判定方法。
另外，根据第一实施方式的基板搬送控制方法，在除了进行基板位置的异常判定方法的处理以外，还在晶圆W的位置偏离不为异常的情况下将晶圆W搬送至搬出位置并收纳于FOUP等中。因此，能够提供一种在准确地判定为在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离不为异常的情况下，能够将晶圆W收纳于FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)等中的基板搬送控制方法。
此外，在以上说明了载置台18通过真空吸盘来吸附晶圆W的方式，但也可以使用静电吸盘来代替真空吸盘。另外，在使用静电吸盘等这样的真空吸盘以外的其它吸盘的情况下，也能够得到与关于使用真空吸盘的情况所说明的上述效果同样的效果。
另外，也可以是，取代通过摄像机21进行拍摄来获取图像，直接求出晶圆W的位置并求出图3的(A)、(B)所示的两个状态下的晶圆W的位置的差，由此检测位置偏离。表示在图3的(A)、(B)所示的两个状态下求出的晶圆W的位置的信息分别为第一位置信息和所述第二位置信息的一例。直接求出晶圆W的位置的装置例如可以为如利用了红外线激光等的位置传感器那样能够直接求出位置的任意装置。
另外，以上使用检查装置10进行了说明，但第一实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法、基板搬送控制方法以及基板的位置偏离检测装置不限于检查装置10，还能够应用于成膜装置、蚀刻装置等中。
<第二实施方式>
图6是表示在第二实施方式中获取晶圆W的图像时的、载置台18与销19的位置关系的一例的图。在第二实施方式中获取两个图像时的晶圆W的高度位置与第一实施方式不同。另外，在图6的(B)中，示出搬送臂15。图6所示的各构成要素与第一实施方式相同，因此对相同的构成要素标注相同的附图标记，并省略其说明。
在第二实施方式中，在图6的(A)、(B)所示的状态下，在晶圆W的下表面处于Z＝Z3(mm)的位置的状态下通过摄像机21获取图像。Z3为比第一实施方式的Z1高的位置(Z3>Z1)。在图6的(A)中，与载置台18的上表面处于Z＝Z3的位置同义。
在图6的(A)中，晶圆W通过真空吸盘而被吸附于载置台18的上表面。在该状态下，晶圆W被搬送臂15(参照图1)搬送且被准确地配置于载置台18的上表面的正确位置，载置台18的上表面的高度位置为Z＝Z3。通过升降机构17A使载置台18上升成高于Z＝Z1的高度位置，以使载置台18的上表面的高度位置成为Z＝Z3。
作为一例，Z＝Z3的高度位置是在电特性的检查结束后搬送臂15搬送晶圆W时的高度位置。因此，当在图6的(A)所示的状态下将真空吸盘切换为非吸附状态后，通过升降机构17A使载置台18下降，并且在如第一实施方式的图3的(B)所示那样通过销19保持了晶圆W的状态下，搬送臂15接受晶圆W。而且，接受到晶圆W的搬送臂15上升至晶圆W的下表面的高度位置为Z＝Z3的位置的状态是图6的(B)所示的状态。
在第二实施方式中，在如图6的(A)所示那样的晶圆W被吸附于载置台18的上表面且载置台18的上表面的高度位置为Z＝Z3的状态下、以及在使接受了晶圆W的搬送臂15上升并使晶圆W的下表面的高度位置成为Z＝Z3的状态下，通过摄像机21获取晶圆W的图像。
而且，与第一实施方式同样地求出两个图像的差D来进行晶圆W的位置偏离的检测、判定位置偏离的异常。
在第一实施方式中，说明检测在将晶圆W载置于载置台18的上表面并将真空吸盘从吸附状态切换为非吸附状态的状况、以及将晶圆W从以未被吸附的方式载置于载置台18的上表面的状态切换为被销19保持的状态的状况这两个状况下可能产生的晶圆W的位置偏离的方式。
在第二实施方式中，除了这两个状况下可能产生的位置偏离以外，还检测在搬送臂15接受被销19保持着的晶圆W的状况下、以及搬送臂15上升的状况下可能产生的位置偏离。此外，在搬送臂15具有如真空吸盘等这样的吸盘的情况下，在搬送臂15上升的状况下不产生位置偏离。在搬送臂15具有吸盘的情况下，能够具有使晶圆W载置并吸附于搬送臂15上的方式和通过搬送臂15从晶圆W的上方吸附该晶圆W的方式。
图6的(A)所示的载置台18的上表面的高度位置与晶圆W的下表面的高度位置(Z＝Z3)相等，是第一高度位置的一例。另外，如图6的(B)所示，与第一实施方式的图3的(B)同样地，为了将晶圆W更换为被销19载置而下降了的载置台18的上表面的高度位置(Z＝Z2)是第二高度位置的一例。图6的(B)所示的搬送臂15的上表面的高度位置与图6的(A)所示的载置台18的上表面的高度位置相等，因此是第一高度位置的一例。
在搬送臂15接受被销19保持着的晶圆W的状况下，由于销19与搬送臂15的相对位置的偏离等，在更换为向搬送臂15进行载置时可能会产生位置偏离。另外，在搬送臂15上升的状况下，在搬送臂15未通过真空吸盘等吸附晶圆W的情况下，为晶圆W未被固定于搬送臂15的状态，因此可能会产生位置偏离。
图7是表示通过第二实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法以及基板搬送控制方法进行的处理的一例的流程图。控制装置13执行图7所示的处理。
在图7所示的步骤S1～10C中，步骤S1、S3、S4、S5～S8、S9A的处理与第一实施方式中的相同的步骤编号的处理相同。第二实施方式的处理分别包括步骤S2A、S9C、S10C来代替第一实施方式的步骤S2、S9B、S10A，并且在步骤S4与S5中间插入了步骤S4A。另外，在第二实施方式中，在通过步骤S7判定为“否”的情况下，使流程进入步骤S10C，不进行第一实施方式的步骤S10B的处理。在以下说明与第一实施方式的处理的不同点。
在以下所示的步骤S1～S10C中，第二实施方式的基板的位置偏离检测方法通过步骤S1～S6的处理来实现。另外，实现基板的位置偏离检测方法的装置(控制装置13)为基板的位置偏离检测装置。
另外，第二实施方式的基板位置的异常判定方法通过对实现基板的位置偏离检测方法的步骤S1～S6的处理追加步骤S7或追加步骤S7和S9A的处理来实现。实现基板位置的异常判定方法的装置(控制装置13)为基板位置的异常判定装置。
另外，第二实施方式的基板搬送控制方法通过对实现基板的位置偏离检测方法的步骤S1～S6的处理追加步骤S7～S10C的处理来实现。实现基板搬送控制方法的装置(控制装置13)为基板搬送控制装置。
当结束步骤S1的处理时，控制装置13在使载置台18上升并将晶圆W载于上表面的状态下，通过真空吸盘来吸附晶圆W，并且使载置台18上升成上表面的高度位置成为Z＝Z3为止(步骤S2A)。当载置台18的上表面的高度位置成为Z＝Z1时，销19被收容于载置台18的内部，因此晶圆W成为被载置于载置台18的上表面的状态。如果在该状态下将真空吸盘切换为吸附状态，则能够成为在将晶圆W吸附于载置台18的上表面的正确位置的状态。而且，在将晶圆W吸附于载置台18的上表面的正确位置的状态下，只要如图6的(A)所示那样使载置台18上升成上表面的高度位置成为Z＝Z3为止即可。此外，也可以在使载置台18上升成上表面的高度位置成为Z＝Z3为止后将真空吸盘切换为吸附状态。
控制装置13当结束步骤S2A的处理时，进行步骤S3和S4的处理。
控制装置13当结束步骤S4的处理时，驱动搬送臂15来使搬送臂15接受被销19保持着的晶圆W，并使搬送臂15上升至Z＝Z3的高度位置为止(步骤S4A)。
控制装置13当结束步骤S4A的处理时，进行步骤S5之后的处理。步骤S5～S8的处理与第一实施方式相同。
在流程进入步骤S9A的情况下，由于是产生了不能够校正的位置偏离的情况，因此控制装置13发出提醒(步骤S9A)。其结果是，例如在显示装置14中显示表示发生了不能够校正的位置偏离的数据等。
不能够校正的位置偏离是晶圆W的平面内的位置偏离为第一阈值以上的情况下的位置偏离和晶圆W发生了倾斜的情况下的位置偏离。
另外，在流程进入步骤S9C的情况下，由于是产生了能够校正的位置偏离的情况，因此控制装置13驱动搬送臂15来将晶圆W载置于预对准装置15A的旋转体上，并驱动预对准装置15A来校正位置偏离(步骤S9C)。
接着，控制装置13驱动搬送臂15，来将检查完毕的晶圆W从探针室12向规定的搬出位置搬出(步骤S10C)。
另外，控制装置13在步骤S7中判定为差D所表示的位置偏离不为异常(S7：否)的情况下也进行步骤S10C的处理，驱动搬送臂15来将检查完毕的晶圆W从探针室12向规定的搬出位置搬出。
如以上那样，根据第二实施方式的基板的位置偏离检测方法，在将晶圆W配置于载置台18的上表面的正确位置并通过真空吸盘吸附了该晶圆W的状态下、以及在之后搬送臂15保持着晶圆W的状态下，在使晶圆W的高度位置相等的情况下通过摄像机21进行拍摄，并基于两个图像的差D来检测晶圆W的位置偏离。在这两个状态之间，存在将晶圆W载置于载置台18的上表面并将真空吸盘从吸附状态切换为非吸附状态的状况、以及将晶圆W从以未被吸附的方式载置于载置台18的上表面的状态切换为被销19保持着的状态的状况。另外，还存在搬送臂15接受被销19保持着的晶圆W的状况和搬送臂15上升的状况。
因此，在经过如上述那样的四个状况后，能够在如图6的(B)所示那样被搬送臂15保持了的状态下检测晶圆W的位置偏离。这四个状况全部是在未通过真空吸盘将晶圆W吸附于载置台18的状态下产生的。
因而，能够提供一种能够准确地检查在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离的基板的位置偏离检测方法。另外，通过能够准确地检测在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离，能够稳定地执行电特性的检查，因此能够以高生产率进行检查。
另外，根据第二实施方式的基板位置的异常判定方法，除了进行基板的位置偏离检测方法的处理以外，还判定差D所表示的位置偏离是否为异常。因此，能够提供一种能够准确地判定在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离是否为异常的基板位置的异常判定方法。
另外，根据第二实施方式的基板搬送控制方法，除了进行基板位置的异常判定方法的处理以外，还在晶圆W的位置偏离不为异常的情况下将晶圆W搬送至搬出位置并收纳于FOUP等中。因此，能够提供一种能够在准确地判定出在晶圆W未被吸附于载置台18的状态下产生的位置偏离不为异常的情况下将晶圆W收纳于FOUP等中的基板搬送控制方法。
此外，以上说明了载置台18通过真空吸盘来吸附晶圆W的方式，但与第一实施方式相同地，也可以使用静电吸盘来代替真空吸盘。另外，在使用如静电吸盘等这样的真空吸盘以外的其它吸盘的情况下，也能够得到与关于使用真空吸盘的情况说明的上述效果相同的效果。
另外，与第一实施方式同样地，也可以使用直接求出晶圆W的位置的装置来代替摄像机21。
另外，与第一实施方式同样地，第二实施方式的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法、基板搬送控制方法以及基板的位置偏离检测装置不限于检查装置10，也能够应用于成膜装置、蚀刻装置等中。
以上说明了本公开所涉及的基板的位置偏离检测方法、基板位置的异常判定方法、基板搬送控制方法以及基板的位置偏离检测装置的实施方式，但本公开不限定于上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范畴内进行各种变更、修正、置换、追加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围中。

Claims (16)

1.一种基板的位置偏离检测方法，包括以下步骤：
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置；
获取被保持于所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；以及
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。
2.根据权利要求1所述的基板的位置偏离检测方法，其特征在于，
还包括以下步骤：使载置有所述基板的所述载置台上升并移动到所述第一高度位置，
获取所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤是获取被载置且吸附于移动到了所述第一高度位置的所述载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的基板的位置偏离检测方法，其特征在于，
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置的步骤是在解除了对所述基板的吸附的状态下使所述载置台下降至比所述第一高度位置低的第二高度位置并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置的步骤。
4.一种基板位置的异常判定方法，包括：
根据权利要求1至3中的任一项所述的基板的位置偏离检测方法；以及
基于所述基板的位置偏离来判定所述基板的位置是否为异常的步骤。
5.根据权利要求4所述的基板位置的异常判定方法，其特征在于，还包括以下步骤：
当在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置为异常时，判定所述基板的位置是否能够校正；以及
当在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为不能够校正时，通知异常。
6.一种基板搬送控制方法，包括：
根据权利要求4或5所述的基板位置的异常判定方法；
在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为能够校正时使搬送机构接受被所述保持部保持的所述基板的步骤；
使校正装置校正被所述搬送机构接受的所述基板的位置偏离的步骤；以及
使所述搬送机构将被校正了所述位置偏离的基板收纳在收纳部中的步骤。
7.一种基板搬送控制方法，包括：
根据权利要求4或5所述的基板位置的异常判定方法；
在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置不为异常时使搬送机构接受被所述保持部保持的所述基板的步骤；以及
使收纳部收纳被所述搬送机构接受的所述基板的步骤。
8.一种基板的位置偏离检测方法，包括以下步骤：
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使保持部保持所述基板；
使搬送机构接受被保持的所述基板；
获取使所述搬送机构保持在所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。
9.根据权利要求8所述的基板的位置偏离检测方法，其特征在于，
还包括以下步骤：使载置有所述基板的所述载置台上升并移动到所述第一高度位置，
获取所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤是获取被载置且吸附于移动到了所述第一高度位置的所述载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息的步骤。
10.根据权利要求8或9所述的基板的位置偏离检测方法，其特征在于，
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部并使所述保持部保持所述基板的步骤是在解除了对所述基板的吸附的状态下使所述载置台下降至比所述第一高度位置低的第二高度位置并使所述保持部保持所述基板的步骤。
11.一种基板位置的异常判定方法，包括：
根据权利要求8至10中的任一项所述的基板的位置偏离检测方法；以及
基于所述基板的位置偏离来判定所述基板的位置是否为异常的步骤。
12.根据权利要求11所述的基板位置的异常判定方法，还包括以下步骤：
在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置为异常时，判定所述基板的位置是否能够校正；以及
在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为不能够校正时，通知异常。
13.一种基板搬送控制方法，包括：
根据权利要求11或12所述的基板位置的异常判定方法；
在判定所述基板的位置是否能够校正的步骤中判定为能够校正时使校正装置校正被所述搬送机构接受的所述基板的位置偏离的步骤；以及
使所述搬送机构将被校正了所述位置偏离的基板收纳在收纳部中的步骤。
14.一种基板搬送控制方法，包括：
根据权利要求11或12所述的基板位置的异常判定方法；以及
在判定所述基板的位置是否为异常的步骤中判定为所述基板的位置不为异常时使收纳部收纳被所述搬送机构接受的所述基板的步骤。
15.一种基板的位置偏离检测装置，基于通过获取基板的图像信息或位置信息的信息获取部获取的所述基板的图像信息或位置信息，来检测所述基板的位置偏离，所述基板的位置偏离检测装置执行包括以下步骤的处理：
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使所述保持部将所述基板保持在所述第一高度位置；
获取被所述保持部保持于所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；以及
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。
16.一种基板的位置偏离检测装置，基于通过获取基板的图像信息或位置信息的信息获取部获取的所述基板的图像信息或位置信息，来检测所述基板的位置偏离，所述基板的位置偏离检测装置执行包括以下步骤的处理：
获取在第一高度位置处被吸附于载置台的所述基板的第一图像信息或第一位置信息；
在解除了对所述基板的吸附的状态下将所述基板从所述载置台交接至保持部，并使保持部保持所述基板；
使搬送机构接受被所述保持部保持的所述基板；
获取被所述搬送机构保持在所述第一高度位置的所述基板的第二图像信息或第二位置信息；以及
将所述第一图像信息与所述第二图像信息进行比较、或者将所述第一位置信息与所述第二位置信息进行比较，来检测所述基板的位置偏离。
CN202011619561.1A 2020-01-07 2020-12-31 位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法 Active CN113161273B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-000894 2020-01-07
JP2020000894A JP7357549B2 (ja) 2020-01-07 2020-01-07 基板の位置ずれ検出方法、基板位置の異常判定方法、基板搬送制御方法、及び基板の位置ずれ検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113161273A CN113161273A (zh) 2021-07-23
CN113161273B true CN113161273B (zh) 2023-09-05

Family

ID=76654967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011619561.1A Active CN113161273B (zh) 2020-01-07 2020-12-31 位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11715657B2 (zh)
JP (1) JP7357549B2 (zh)
KR (1) KR102465561B1 (zh)
CN (1) CN113161273B (zh)
TW (1) TW202135215A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102582696B1 (ko) * 2020-06-15 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 리프트 핀 높이 편차 측정 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 처리 프로그램을 기록한 기록 매체
WO2023281934A1 (ja) 2021-07-05 2023-01-12 富士電機機器制御株式会社 電磁接触器
TWI799217B (zh) * 2022-03-29 2023-04-11 旺矽科技股份有限公司 晶圓卡盤控制方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005310833A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Olympus Corp 基板検査装置および方法
CN101355045A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 大日本网屏制造株式会社 基板检测装置和基板处理装置
CN101438397A (zh) * 2006-05-09 2009-05-20 东京毅力科创株式会社 拍摄位置校正方法、拍摄方法及基板拍摄装置
CN101461053A (zh) * 2006-09-05 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板定位方法、基板位置检测方法、基板回收方法
JP2010141213A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Canon Inc 操作装置、露光装置及びデバイス製造方法
CN102376612A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 东京毅力科创株式会社 基板搬运装置、基板搬运方法和记录程序的记录介质
JP2018195644A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
JP2019158362A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置および基板検査方法
KR20190124610A (ko) * 2018-04-26 2019-11-05 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604443A (en) * 1994-05-23 1997-02-18 Tokyo Electron Limited Probe test apparatus
US5999268A (en) * 1996-10-18 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Apparatus for aligning a semiconductor wafer with an inspection contactor
JP2001319865A (ja) 2000-05-11 2001-11-16 Canon Inc 基板ステージ装置、露光装置および半導体デバイス製造方法
JP4721247B2 (ja) * 2001-03-16 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
JP4243937B2 (ja) 2001-11-02 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
JP2005044893A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Canon Inc 基板保持装置
JP2005150708A (ja) 2003-10-24 2005-06-09 Nikon Corp 静電チャック、ステージ装置及び露光装置
US20060178009A1 (en) 2004-11-26 2006-08-10 Nikon Corporation Wafer stage with wafer positioning and alignment
JP4606319B2 (ja) * 2005-12-19 2011-01-05 日東電工株式会社 復旧支援装置
JP4929845B2 (ja) 2006-05-31 2012-05-09 凸版印刷株式会社 露光装置
JP4887913B2 (ja) 2006-06-02 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP4799325B2 (ja) 2006-09-05 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置，基板処理装置，基板受け渡し方法
JP2009182094A (ja) 2008-01-30 2009-08-13 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP5322822B2 (ja) * 2009-07-27 2013-10-23 株式会社日本マイクロニクス 半導体検査用ウエハプローバ及び検査方法
JP2013191737A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査装置
JP7353190B2 (ja) * 2020-01-10 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 載置台における異物の検出方法、及び、検出装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005310833A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Olympus Corp 基板検査装置および方法
CN101438397A (zh) * 2006-05-09 2009-05-20 东京毅力科创株式会社 拍摄位置校正方法、拍摄方法及基板拍摄装置
CN101461053A (zh) * 2006-09-05 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板定位方法、基板位置检测方法、基板回收方法
CN101355045A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 大日本网屏制造株式会社 基板检测装置和基板处理装置
JP2010141213A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Canon Inc 操作装置、露光装置及びデバイス製造方法
CN102376612A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 东京毅力科创株式会社 基板搬运装置、基板搬运方法和记录程序的记录介质
CN104867856A (zh) * 2010-08-20 2015-08-26 东京毅力科创株式会社 基板搬运装置、基板搬运方法和记录程序的记录介质
KR20160030143A (ko) * 2010-08-20 2016-03-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
JP2018195644A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
CN110622294A (zh) * 2017-05-15 2019-12-27 东京毅力科创株式会社 基板搬出方法
JP2019158362A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置および基板検査方法
KR20190124610A (ko) * 2018-04-26 2019-11-05 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11715657B2 (en) 2023-08-01
KR102465561B1 (ko) 2022-11-10
TW202135215A (zh) 2021-09-16
KR20210089083A (ko) 2021-07-15
JP2021111651A (ja) 2021-08-02
CN113161273A (zh) 2021-07-23
JP7357549B2 (ja) 2023-10-06
US20210210366A1 (en) 2021-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113161273B (zh) 位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法
CN111742399B (zh) 接触精度保证方法、接触精度保证机构和检查装置
TWI429014B (zh) Probe device
KR101335146B1 (ko) 프로브 카드 검출 장치, 웨이퍼의 위치 정렬 장치 및 웨이퍼의 위치 정렬 방법
KR101208137B1 (ko) 프로브 장치
CN110622294B (zh) 基板搬出方法
JP2014115115A (ja) 補正装置、プローブ装置、および試験装置
US20090016857A1 (en) Substrate-replacing apparatus, substrate-processing apparatus, and substrate-inspecting apparatus
KR101386331B1 (ko) 웨이퍼 반송 장치
JPH09186220A (ja) 搬送装置及び搬送方法
CN113109258B (zh) 载置台的异物的检测方法以及检测装置
US20200225282A1 (en) Chuck top, inspection apparatus, and chuck top recovery method
KR20190008102A (ko) 기판 위치 조정 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템
US11022644B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
WO2023189676A1 (ja) 検査方法及び検査装置
KR102316938B1 (ko) 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 검사 장치
US20240120219A1 (en) Bonding apparatus and bonding method
JP2023152601A (ja) 検査方法及び検査装置
JP2023048650A (ja) 検査装置及び検査方法
CN116802782A (zh) 检查设备的设定方法和检查设备
JPH04298057A (ja) プロービング装置及び方法
CN117063272A (zh) 处理装置和基板输送方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant