JP2003203860A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィ装置およびデバイス製造方法を
提供すること。 【解決手段】 反応質量１４、５４、６４およびアクチ
ュエータ１５、５５、６５を使用して、リソグラフィ投
影装置の投影系中の光学エレメント１０、５０、６０の
望ましくない振動を低減させる。反応質量１４、５４、
６４は、光学エレメント５０、６０のみに機械的に接続
することも、投影系フレーム１１にコンプライアントに
取り付けることもできる。
提供すること。 【解決手段】 反応質量１４、５４、６４およびアクチ
ュエータ１５、５５、６５を使用して、リソグラフィ投
影装置の投影系中の光学エレメント１０、５０、６０の
望ましくない振動を低減させる。反応質量１４、５４、
６４は、光学エレメント５０、６０のみに機械的に接続
することも、投影系フレーム１１にコンプライアントに
取り付けることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ投影
装置であって、投影放射線ビームを供給する放射系と、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン形成する
働きをするパターン形成手段を指示する支持構造と、基
板を保持する基板テーブルと、パターン形成されたビー
ムを基板のターゲット部分に投影する投影系とを含むリ
ソグラフィ投影装置に関する。
装置であって、投影放射線ビームを供給する放射系と、
投影ビームを所望のパターンに従ってパターン形成する
働きをするパターン形成手段を指示する支持構造と、基
板を保持する基板テーブルと、パターン形成されたビー
ムを基板のターゲット部分に投影する投影系とを含むリ
ソグラフィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本明細書で使用する「パターン形成手
段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板のタ
ーゲット部分に形成しようとするパターンに対応するパ
ターン形成断面を与えるために使用することができる手
段を指すものとして広義に解釈されるものとする。「光
弁」という用語も同様の意味合いで使用することができ
る。一般に、前記パターンは、集積回路またはその他の
デバイスなど（以下参照）、ターゲット部分に形成して
いるデバイスの特定の機能層に対応することになる。こ
のようなパターン形成手段の例としては、以下のような
ものがある。マスク。マスクの概念は、リソグラフィ分
野では周知であり、バイナリ・タイプ、交番移相タイ
プ、減衰移相タイプなどのマスク・タイプ、ならびに様
々なハイブリッド・マスク・タイプなどがある。このよ
うなマスクを放射線ビーム中に配置すると、マスクのパ
ターンに応じて、マスクに入射する放射線の選択的透過
（透過性マスクの場合）または選択的反射（反射性マス
クの場合）が起こる。マスクの場合には、支持構造は一
般にマスク・テーブルとなり、マスク・テーブルは、入
射放射線ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持す
ることができるようにし、望ましい場合にはビームに対
して相対的に移動させることができる。プログラム可能
ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例は、粘弾性
制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス
指定可能表面である。この装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域が入射光を回折
光として反射し、アドレス指定されない領域が入射光を
非回折光として反射するというものである。適当なフィ
ルタを使用すると、前記アドレス指定されない領域を反
射ビームから取り除き、その後に回折光だけを残すこと
ができる。こうして、マトリックス・アドレス指定可能
表面のアドレッシング・パターンに従って、ビームがパ
ターン形成される。プログラム可能ミラー・アレイの代
替実施形態では、適当な局在電界を印加する、または圧
電作動手段を利用することによってそれぞれ個別に軸の
周りで傾斜させることができる小型ミラーのマトリック
ス配列を利用する。この場合もやはり、ミラーはマトリ
ックス・アドレス指定可能であり、アドレス指定された
ミラーは、アドレス指定されないミラーとは異なる方向
に入射放射線ビームを反射するようになっている。こう
して、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレ
ッシング・パターンに従って、反射ビームがパターン形
成される。必要なマトリックス・アドレッシングは、適
当な電子手段を用いて行うことができる。上述のいずれ
の状況でも、パターン形成手段は、１つまたは複数のプ
ログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。本明
細書で述べるミラー・アレイに関するさらに詳細な情報
は、例えば、参照により本明細書に組み込む米国特許第
５２９６８９１号および第５５２３１９３号、ならびに
ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号および第ＷＯ
９８／３３０９６号から得ることができる。プログラム
可能ミラー・アレイの場合には、前記支持構造は、例え
ば、必要に応じて固定式にも可動式にもすることができ
るフレームまたはテーブルとして実施することができ
る。プログラム可能ＬＣＤアレイ。この構造の一例は、
参照により本明細書に組み込む米国特許第５２２９８７
２号に与えられている。上記と同様に、この場合の支持
構造は、例えば、必要に応じて固定式にも可動式にもす
ることができるフレームまたはテーブルとして実施する
ことができる。分かりやすくするために、本文書の残り
の部分では、いくつかの箇所で、マスクおよびマスク・
テーブルを含む例について詳細に述べるが、そうした場
合に論じる一般的な原理は、上述のような広範なパター
ン形成手段の状況で理解されるものとする。
段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板のタ
ーゲット部分に形成しようとするパターンに対応するパ
ターン形成断面を与えるために使用することができる手
段を指すものとして広義に解釈されるものとする。「光
弁」という用語も同様の意味合いで使用することができ
る。一般に、前記パターンは、集積回路またはその他の
デバイスなど（以下参照）、ターゲット部分に形成して
いるデバイスの特定の機能層に対応することになる。こ
のようなパターン形成手段の例としては、以下のような
ものがある。マスク。マスクの概念は、リソグラフィ分
野では周知であり、バイナリ・タイプ、交番移相タイ
プ、減衰移相タイプなどのマスク・タイプ、ならびに様
々なハイブリッド・マスク・タイプなどがある。このよ
うなマスクを放射線ビーム中に配置すると、マスクのパ
ターンに応じて、マスクに入射する放射線の選択的透過
（透過性マスクの場合）または選択的反射（反射性マス
クの場合）が起こる。マスクの場合には、支持構造は一
般にマスク・テーブルとなり、マスク・テーブルは、入
射放射線ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持す
ることができるようにし、望ましい場合にはビームに対
して相対的に移動させることができる。プログラム可能
ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例は、粘弾性
制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス
指定可能表面である。この装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域が入射光を回折
光として反射し、アドレス指定されない領域が入射光を
非回折光として反射するというものである。適当なフィ
ルタを使用すると、前記アドレス指定されない領域を反
射ビームから取り除き、その後に回折光だけを残すこと
ができる。こうして、マトリックス・アドレス指定可能
表面のアドレッシング・パターンに従って、ビームがパ
ターン形成される。プログラム可能ミラー・アレイの代
替実施形態では、適当な局在電界を印加する、または圧
電作動手段を利用することによってそれぞれ個別に軸の
周りで傾斜させることができる小型ミラーのマトリック
ス配列を利用する。この場合もやはり、ミラーはマトリ
ックス・アドレス指定可能であり、アドレス指定された
ミラーは、アドレス指定されないミラーとは異なる方向
に入射放射線ビームを反射するようになっている。こう
して、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレ
ッシング・パターンに従って、反射ビームがパターン形
成される。必要なマトリックス・アドレッシングは、適
当な電子手段を用いて行うことができる。上述のいずれ
の状況でも、パターン形成手段は、１つまたは複数のプ
ログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。本明
細書で述べるミラー・アレイに関するさらに詳細な情報
は、例えば、参照により本明細書に組み込む米国特許第
５２９６８９１号および第５５２３１９３号、ならびに
ＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号および第ＷＯ
９８／３３０９６号から得ることができる。プログラム
可能ミラー・アレイの場合には、前記支持構造は、例え
ば、必要に応じて固定式にも可動式にもすることができ
るフレームまたはテーブルとして実施することができ
る。プログラム可能ＬＣＤアレイ。この構造の一例は、
参照により本明細書に組み込む米国特許第５２２９８７
２号に与えられている。上記と同様に、この場合の支持
構造は、例えば、必要に応じて固定式にも可動式にもす
ることができるフレームまたはテーブルとして実施する
ことができる。分かりやすくするために、本文書の残り
の部分では、いくつかの箇所で、マスクおよびマスク・
テーブルを含む例について詳細に述べるが、そうした場
合に論じる一般的な原理は、上述のような広範なパター
ン形成手段の状況で理解されるものとする。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。このような
場合には、パターン形成手段でＩＣの個々の層に対応す
る回路パターンを生成することができ、このパターン
を、放射線感応材料（レジスト）で被覆された基板（シ
リコン・ウェハ）のターゲット部分（例えば１つまたは
複数のダイを含む）上に結像させることができる。一般
に、単一のウェハは、一度に１つずつ投影系を介して連
続的に照射される隣接するターゲット部分の全ネットワ
ークを含むことになる。現行の装置では、マスク・テー
ブル上のマスクによるパターン形成を利用して、２つの
異なるタイプの機械を区別することができる。１つのタ
イプのリソグラフィ投影装置では、各ターゲット部分
は、ターゲット部分を１回でマスク・パターン全体で露
光することによって照射される。このような装置は一般
に、ウェハ・ステッパと呼ばれる。一般にステップ・ス
キャン装置と呼ばれる代替装置では、各ターゲット部分
は、投影ビームの下でマスク・パターンを所与の基準方
向（「走査」方向）に漸進的に走査し、これと同期し
て、基板テーブルをこの方向に対して平行または逆平行
に走査することによって、照射される。一般に、投影系
は倍率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルを
走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度の
倍率Ｍ倍となる。本明細書に記載するリソグラフィ・デ
バイスに関するさらなる情報は、例えば参照により本明
細書に組み込む米国特許６０４６７９２号から得ること
ができる。
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。このような
場合には、パターン形成手段でＩＣの個々の層に対応す
る回路パターンを生成することができ、このパターン
を、放射線感応材料（レジスト）で被覆された基板（シ
リコン・ウェハ）のターゲット部分（例えば１つまたは
複数のダイを含む）上に結像させることができる。一般
に、単一のウェハは、一度に１つずつ投影系を介して連
続的に照射される隣接するターゲット部分の全ネットワ
ークを含むことになる。現行の装置では、マスク・テー
ブル上のマスクによるパターン形成を利用して、２つの
異なるタイプの機械を区別することができる。１つのタ
イプのリソグラフィ投影装置では、各ターゲット部分
は、ターゲット部分を１回でマスク・パターン全体で露
光することによって照射される。このような装置は一般
に、ウェハ・ステッパと呼ばれる。一般にステップ・ス
キャン装置と呼ばれる代替装置では、各ターゲット部分
は、投影ビームの下でマスク・パターンを所与の基準方
向（「走査」方向）に漸進的に走査し、これと同期し
て、基板テーブルをこの方向に対して平行または逆平行
に走査することによって、照射される。一般に、投影系
は倍率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルを
走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度の
倍率Ｍ倍となる。本明細書に記載するリソグラフィ・デ
バイスに関するさらなる情報は、例えば参照により本明
細書に組み込む米国特許６０４６７９２号から得ること
ができる。
【０００４】リソグラフィ投影装置を用いた製造プロセ
スでは、パターン（例えばマスク中のパターン）を、放
射線感応材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に被
覆した基板上で結像させる。この結像ステップの前に、
プライミングやレジスト被覆、ソフト・ベークなど様々
な手続きを基板にほどこすことができる。露光後に、露
光後ベーク（ＰＥＢ）や現像、ハード・ベーク、像の特
徴の測定／検査など、その他の手続きを基板に対して行
うことができる。この手続きの配列は、ＩＣなどのデバ
イスの個々の層にパターン形成を行う基礎として使用さ
れる。このようにしてパターン形成された層は、その
後、エッチングやイオン注入（ドーピング）、金属化、
酸化、化学機械研磨など、個々の層の仕上げを目的とし
た様々な処理を受けることができる。いくつかの層が必
要である場合には、手続き全体、またはその変形手続き
を、層が新しくなるごとに繰り返す必要がある。最終的
に、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に載ることに
なる。その後、これらのデバイスをダイシングやソーイ
ングなどの技法で互いに分離して、これら個々のデバイ
スを、キャリアに取り付けたり、ピンに接続したりする
ことができる。このようなプロセスに関するさらなる情
報は、例えば、参照によって本明細書に組み込む、Ｐｅ
ｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆ
ａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕ
ｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ」、Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｍａｃ
ＧｒａｗＨｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．、１
９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得
ることができる。
スでは、パターン（例えばマスク中のパターン）を、放
射線感応材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に被
覆した基板上で結像させる。この結像ステップの前に、
プライミングやレジスト被覆、ソフト・ベークなど様々
な手続きを基板にほどこすことができる。露光後に、露
光後ベーク（ＰＥＢ）や現像、ハード・ベーク、像の特
徴の測定／検査など、その他の手続きを基板に対して行
うことができる。この手続きの配列は、ＩＣなどのデバ
イスの個々の層にパターン形成を行う基礎として使用さ
れる。このようにしてパターン形成された層は、その
後、エッチングやイオン注入（ドーピング）、金属化、
酸化、化学機械研磨など、個々の層の仕上げを目的とし
た様々な処理を受けることができる。いくつかの層が必
要である場合には、手続き全体、またはその変形手続き
を、層が新しくなるごとに繰り返す必要がある。最終的
に、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に載ることに
なる。その後、これらのデバイスをダイシングやソーイ
ングなどの技法で互いに分離して、これら個々のデバイ
スを、キャリアに取り付けたり、ピンに接続したりする
ことができる。このようなプロセスに関するさらなる情
報は、例えば、参照によって本明細書に組み込む、Ｐｅ
ｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆ
ａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕ
ｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ」、Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｍａｃ
ＧｒａｗＨｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．、１
９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得
ることができる。
【０００５】リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テー
ブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を
有するタイプにすることができる。このような「複数ス
テージ」デバイスでは、追加のテーブルを同時に使用す
ることができる、または１つまたは複数のテーブルにつ
いては予備ステップを実行しながら、その他の１つまた
は複数のテーブルは露光用に使用することができる。２
ステージリソグラフィ装置は、例えば、参照により本明
細書に組み込む米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ
９８／４０７９１号に記載されている。
ブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を
有するタイプにすることができる。このような「複数ス
テージ」デバイスでは、追加のテーブルを同時に使用す
ることができる、または１つまたは複数のテーブルにつ
いては予備ステップを実行しながら、その他の１つまた
は複数のテーブルは露光用に使用することができる。２
ステージリソグラフィ装置は、例えば、参照により本明
細書に組み込む米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ
９８／４０７９１号に記載されている。
【０００６】分かりやすくするために、以下では投影系
を「レンズ」と呼ぶ。ただし、この用語は、例えば屈折
光学部品、反射光学部品、反射屈折系を含む様々なタイ
プの投影系を含むものとして広範に解釈されるものとす
る。放射系も、投影放射線ビームを方向付ける、整形す
る、または制御するなど任意の設計に従って動作するエ
レメントを含むことができる。このようなエレメント
も、以下では集合的に、または１つにまとめて「レン
ズ」または「投影系エレメント」と呼ぶ。上述のような
リソグラフィ装置の投影系は、非常に高い精度で、かつ
例えば光学収差や変位誤差などの誤差が投射像に含まれ
ないようにして、パターン形成されたビームを基板のタ
ーゲット部分に投射しなければならない。投影系内の屈
折性エレメントおよび／または反射性エレメントは、各
光学エレメントごとに１自由度または多自由度（６ま
で）で正確に位置決めする必要があることがある（自由
度は、例えば３つの直交軸に沿った線形変位およびこの
３つの軸の周りの回転変位を含むことができる）。反射
光学部品を含む投影系は、例えば、参照により本明細書
に組み込むＷｉｌｌｉａｍｓｏｎの米国特許第５８１５
３１０号および米国特許第５９５６１９２号に開示され
ている。
を「レンズ」と呼ぶ。ただし、この用語は、例えば屈折
光学部品、反射光学部品、反射屈折系を含む様々なタイ
プの投影系を含むものとして広範に解釈されるものとす
る。放射系も、投影放射線ビームを方向付ける、整形す
る、または制御するなど任意の設計に従って動作するエ
レメントを含むことができる。このようなエレメント
も、以下では集合的に、または１つにまとめて「レン
ズ」または「投影系エレメント」と呼ぶ。上述のような
リソグラフィ装置の投影系は、非常に高い精度で、かつ
例えば光学収差や変位誤差などの誤差が投射像に含まれ
ないようにして、パターン形成されたビームを基板のタ
ーゲット部分に投射しなければならない。投影系内の屈
折性エレメントおよび／または反射性エレメントは、各
光学エレメントごとに１自由度または多自由度（６ま
で）で正確に位置決めする必要があることがある（自由
度は、例えば３つの直交軸に沿った線形変位およびこの
３つの軸の周りの回転変位を含むことができる）。反射
光学部品を含む投影系は、例えば、参照により本明細書
に組み込むＷｉｌｌｉａｍｓｏｎの米国特許第５８１５
３１０号および米国特許第５９５６１９２号に開示され
ている。
【０００７】このような投影系エレメントの位置決めの
精度は、投影系および投影系フレーム内の振動およびそ
の他の位置的ノイズの影響を受けることがある。位置的
ノイズは、例えば、投影系の外部の影響（音響的ノイ
ズ、残留床振動、ベース・フレームと投影光学系の間の
防振または懸垂システムを介して伝達される走査反力な
ど）、および投影系エレメントの位置を調節するために
使用するアクチュエータの反力などの内部の影響によっ
て発生する可能性がある。光学エレメントは、投影系の
共通フレームに直接取り付けることも、共通フレームに
取り付けられたサブフレームに取り付けることもでき
る。さらに、上記で考慮したことは、放射系およびその
中に取り付けられた光学エレメントにも当てはめること
ができる。
精度は、投影系および投影系フレーム内の振動およびそ
の他の位置的ノイズの影響を受けることがある。位置的
ノイズは、例えば、投影系の外部の影響（音響的ノイ
ズ、残留床振動、ベース・フレームと投影光学系の間の
防振または懸垂システムを介して伝達される走査反力な
ど）、および投影系エレメントの位置を調節するために
使用するアクチュエータの反力などの内部の影響によっ
て発生する可能性がある。光学エレメントは、投影系の
共通フレームに直接取り付けることも、共通フレームに
取り付けられたサブフレームに取り付けることもでき
る。さらに、上記で考慮したことは、放射系およびその
中に取り付けられた光学エレメントにも当てはめること
ができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、投影
系または放射系内での任意の擾乱力および／または変位
がその投影系または放射系内に取り付けられたエレメン
トに及ぼす影響を低減する手段を提供することである。
系または放射系内での任意の擾乱力および／または変位
がその投影系または放射系内に取り付けられたエレメン
トに及ぼす影響を低減する手段を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記その他の目的は、本
発明によれば、本明細書の冒頭の段落に記述したリソグ
ラフィ装置であって、前記投影系および放射系の少なく
とも一方が、少なくとも１自由度で移動可能な反応質量
（ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍａｓｓ）にアクチュエータによ
って接続された少なくとも１つの光学エレメントを含
み、該アクチュエータによって反応質量と光学エレメン
トの間に加えられる力を使用して、１自由度または多自
由度で光学エレメントの位置を制御することを特徴とす
るリソグラフィ装置で達成される。
発明によれば、本明細書の冒頭の段落に記述したリソグ
ラフィ装置であって、前記投影系および放射系の少なく
とも一方が、少なくとも１自由度で移動可能な反応質量
（ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍａｓｓ）にアクチュエータによ
って接続された少なくとも１つの光学エレメントを含
み、該アクチュエータによって反応質量と光学エレメン
トの間に加えられる力を使用して、１自由度または多自
由度で光学エレメントの位置を制御することを特徴とす
るリソグラフィ装置で達成される。
【００１０】本発明は、これにより、光学（投影または
放射）系中の（透過性および反射性）光学エレメントの
ナノメートル以下の位置制御を可能にする手段を提供す
ることができる。これは、光学系のフレームに対する光
学エレメントの相対位置を１自由度または多自由度（６
まで）で位置制御することによって行われる。この投影
系または放射系内の光学エレメントの位置精度の大幅な
改善に対応して、結像の質が改善される。
放射）系中の（透過性および反射性）光学エレメントの
ナノメートル以下の位置制御を可能にする手段を提供す
ることができる。これは、光学系のフレームに対する光
学エレメントの相対位置を１自由度または多自由度（６
まで）で位置制御することによって行われる。この投影
系または放射系内の光学エレメントの位置精度の大幅な
改善に対応して、結像の質が改善される。
【００１１】本発明のこの態様の好ましい実施形態で
は、投影系のフレームなど、装置のフレームに反応質量
をコンプライアントに取り付けることができ、アクチュ
エータによって反応質量と光学エレメントの間に加えら
れる力に対する反力を使用して、光学エレメントを必要
な位置に移動させる。これにより、光学エレメントの位
置を調節したときにアクチュエータが引き起こす振動
が、装置のその他の部分に伝達され、そこからその他の
光学エレメントに伝達されることが防止される。さら
に、投影系または放射系内の振動、例えば投影系または
放射系の外部の源が引き起こす振動などが、光学エレメ
ントに伝達されることも防止される。
は、投影系のフレームなど、装置のフレームに反応質量
をコンプライアントに取り付けることができ、アクチュ
エータによって反応質量と光学エレメントの間に加えら
れる力に対する反力を使用して、光学エレメントを必要
な位置に移動させる。これにより、光学エレメントの位
置を調節したときにアクチュエータが引き起こす振動
が、装置のその他の部分に伝達され、そこからその他の
光学エレメントに伝達されることが防止される。さら
に、投影系または放射系内の振動、例えば投影系または
放射系の外部の源が引き起こす振動などが、光学エレメ
ントに伝達されることも防止される。
【００１２】本発明のこの態様の別の好ましい実施形態
では、反応質量は光学エレメントのみに接続され、加速
度計を使用して光学エレメントの運動を検出する。加速
度計からのデータを用いて、アクチュエータによって反
応質量と光学エレメントの間に加えられる力に対する反
力を使用して、光学エレメントの運動を低減させる。こ
れは、光学エレメントの任意の残留振動を低減させるこ
とができるので有利である。
では、反応質量は光学エレメントのみに接続され、加速
度計を使用して光学エレメントの運動を検出する。加速
度計からのデータを用いて、アクチュエータによって反
応質量と光学エレメントの間に加えられる力に対する反
力を使用して、光学エレメントの運動を低減させる。こ
れは、光学エレメントの任意の残留振動を低減させるこ
とができるので有利である。
【００１３】本発明の別の態様によれば、放射線感応材
料の層で少なくとも部分的に被覆された基板を提供する
ステップと、放射系を用いて投影放射線ビームを供給す
るステップと、パターン形成手段を使用して、投影ビー
ムの断面にパターンを与えるステップと、投影系を用い
て、放射線感応材料の層のターゲット部分にパターン形
成した放射線ビームを投影するステップとを含むデバイ
ス製造方法であって、アクチュエータが、少なくとも１
自由度で移動可能な反応質量と、投影系および放射系の
少なくとも一方の光学エレメントとの間に接続され、ア
クチュエータによって反応質量と光学エレメントの間に
加えられた力を利用して、光学エレメントの位置を制御
することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
料の層で少なくとも部分的に被覆された基板を提供する
ステップと、放射系を用いて投影放射線ビームを供給す
るステップと、パターン形成手段を使用して、投影ビー
ムの断面にパターンを与えるステップと、投影系を用い
て、放射線感応材料の層のターゲット部分にパターン形
成した放射線ビームを投影するステップとを含むデバイ
ス製造方法であって、アクチュエータが、少なくとも１
自由度で移動可能な反応質量と、投影系および放射系の
少なくとも一方の光学エレメントとの間に接続され、ア
クチュエータによって反応質量と光学エレメントの間に
加えられた力を利用して、光学エレメントの位置を制御
することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００１４】本文書では、本発明による装置をＩＣの製
造に使用する場合について特に述べるが、この装置には
その他にも多くの適用分野があることを明確に理解され
たい。例えば、この装置は、統合光学系、磁区メモリの
誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘ
ッドなどの製造に利用することができる。当業者なら、
これらの代替の適用分野においては、本文書に任意に使
用される「レチクル」、「ウェハ」、または「ダイ」な
どの用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、および
「ターゲット部分」といったより一般的な用語で置き換
えられるものと考えられることを理解するであろう。
造に使用する場合について特に述べるが、この装置には
その他にも多くの適用分野があることを明確に理解され
たい。例えば、この装置は、統合光学系、磁区メモリの
誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘ
ッドなどの製造に利用することができる。当業者なら、
これらの代替の適用分野においては、本文書に任意に使
用される「レチクル」、「ウェハ」、または「ダイ」な
どの用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、および
「ターゲット部分」といったより一般的な用語で置き換
えられるものと考えられることを理解するであろう。
【００１５】本文書では、「放射線」および「ビーム」
という用語は、紫外線放射（例えば３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波
長を有する）および極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５
〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオン・
ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた、全ての
タイプの電磁放射を包含するものとして使用している。
という用語は、紫外線放射（例えば３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波
長を有する）および極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５
〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオン・
ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた、全ての
タイプの電磁放射を包含するものとして使用している。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、例示のみを目的として、添
付の概略図を参照しながら本発明の実施形態について述
べる。
付の概略図を参照しながら本発明の実施形態について述
べる。
【００１７】これらの図面では、対応する参照符は対応
する部分を示している。
する部分を示している。
【００１８】実施形態１
図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投
影装置を概略的に示す図である。この装置は、この特定
の場合では放射線源ＬＡも含む、放射線の投影ビームＰ
Ｂ（例えばＥＵＶ放射線）を供給する放射系Ｅｘ、ＩＬ
と、マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマ
スク・ホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正
確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続
された、第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ
と、基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を
保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段
ＰＷに接続された、第２の物体テーブル（基板テーブ
ル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗのターゲ
ット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に結
像させるための投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラ
ー群）とを含む。本明細書で述べるこの装置は、反射タ
イプである（すなわち反射性マスクを有する）。しか
し、一般には、例えば（透過性マスクを有する）透過タ
イプであっても良い。あるいは、この装置は、上述のタ
イプのプログラム可能ミラー・アレイなど、別の種類の
パターン形成手段を利用することもできる。
影装置を概略的に示す図である。この装置は、この特定
の場合では放射線源ＬＡも含む、放射線の投影ビームＰ
Ｂ（例えばＥＵＶ放射線）を供給する放射系Ｅｘ、ＩＬ
と、マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマ
スク・ホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正
確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続
された、第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ
と、基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を
保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対し
て基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段
ＰＷに接続された、第２の物体テーブル（基板テーブ
ル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗのターゲ
ット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に結
像させるための投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラ
ー群）とを含む。本明細書で述べるこの装置は、反射タ
イプである（すなわち反射性マスクを有する）。しか
し、一般には、例えば（透過性マスクを有する）透過タ
イプであっても良い。あるいは、この装置は、上述のタ
イプのプログラム可能ミラー・アレイなど、別の種類の
パターン形成手段を利用することもできる。
【００１９】放射線源ＬＡ（例えば放電またはレーザ発
生プラズマ源）が、放射線ビームを発生させる。このビ
ームは、直接、または例えばビーム拡大器などの調整手
段を横切った後で、照明システム（照明器）ＩＬに供給
される。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側の径方
向の広がりおよび／または内側の径方向の広がり（一般
には、それぞれ外σ（σ−ｏｕｔｅｒ）および内σ（σ
−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を設定するための調節手段
ＡＭを含むことができる。さらに、照明器は一般に、積
分器ＩＮやコンデンサＣＯなど、その他の様々な構成要
素を含むことになる。このようにして、マスクＭＡに入
射するビームＰＢの断面は、所望の均一さおよび強度分
布を有するようになる。
生プラズマ源）が、放射線ビームを発生させる。このビ
ームは、直接、または例えばビーム拡大器などの調整手
段を横切った後で、照明システム（照明器）ＩＬに供給
される。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側の径方
向の広がりおよび／または内側の径方向の広がり（一般
には、それぞれ外σ（σ−ｏｕｔｅｒ）および内σ（σ
−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を設定するための調節手段
ＡＭを含むことができる。さらに、照明器は一般に、積
分器ＩＮやコンデンサＣＯなど、その他の様々な構成要
素を含むことになる。このようにして、マスクＭＡに入
射するビームＰＢの断面は、所望の均一さおよび強度分
布を有するようになる。
【００２０】図１に関して、放射線源ＬＡは、リソグラ
フィ投影装置のハウジング内に置くことができるが（放
射線源ＬＡが例えば水銀ランプであるときしばしばそう
なるように）、リソグラフィ投影装置から離して置き、
放射線源が発生させる放射線ビームを装置中に導くよう
にすることもできることに留意されたい（例えば、適切
な方向付けミラー）。この後者の状況は、放射線源ＬＡ
がエキシマ・レーザであるときにしばしば見られる。本
発明および本発明の特許請求の範囲は、これら両方の状
況を包含する。
フィ投影装置のハウジング内に置くことができるが（放
射線源ＬＡが例えば水銀ランプであるときしばしばそう
なるように）、リソグラフィ投影装置から離して置き、
放射線源が発生させる放射線ビームを装置中に導くよう
にすることもできることに留意されたい（例えば、適切
な方向付けミラー）。この後者の状況は、放射線源ＬＡ
がエキシマ・レーザであるときにしばしば見られる。本
発明および本発明の特許請求の範囲は、これら両方の状
況を包含する。
【００２１】その後、ビームＰＢは、マスク・テーブル
ＭＴ上に保持されたマスクＭＡに当たる。このマスクＭ
Ａによって選択的に反射された後で、ビームＰＢはレン
ズＰＬを通過し、このレンズＰＬが基板Ｗのターゲット
部分Ｃ上にビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手
段（および干渉測定手段ＩＦ）を援用して、基板テーブ
ルＷＴを正確に移動させ、例えば様々なターゲット部分
ＣをビームＰＢの経路中に位置決めすることができる。
同様に、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機
械的に取り出した後で、または走査中に、第１の位置決
め手段を使用して、ビームＰＢの経路に対してマスクＭ
Ａを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テ
ーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１には明示していない長
行程モジュール（粗い位置決め）および短行程モジュー
ル（精細な位置決め）を援用して行われることになる。
ただし、（ステップ・スキャン装置とは異なり）ウェハ
・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴは、短行
程アクチュエータのみに接続することも、固定すること
もできる。
ＭＴ上に保持されたマスクＭＡに当たる。このマスクＭ
Ａによって選択的に反射された後で、ビームＰＢはレン
ズＰＬを通過し、このレンズＰＬが基板Ｗのターゲット
部分Ｃ上にビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手
段（および干渉測定手段ＩＦ）を援用して、基板テーブ
ルＷＴを正確に移動させ、例えば様々なターゲット部分
ＣをビームＰＢの経路中に位置決めすることができる。
同様に、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機
械的に取り出した後で、または走査中に、第１の位置決
め手段を使用して、ビームＰＢの経路に対してマスクＭ
Ａを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テ
ーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１には明示していない長
行程モジュール（粗い位置決め）および短行程モジュー
ル（精細な位置決め）を援用して行われることになる。
ただし、（ステップ・スキャン装置とは異なり）ウェハ
・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴは、短行
程アクチュエータのみに接続することも、固定すること
もできる。
【００２２】図示の装置は、異なる２つのモードで使用
することができる。 １．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク像全体を１回で（すな
わち１回の「フラッシュ」で）ターゲット部分Ｃに投影
する。次いで、別のターゲット部分ＣにビームＰＢを照
射することができるように、基板テーブルＷＴをｘ方向
および／またはｙ方向にシフトさせる。 ２．スキャン・モードでも、基本的には同じ手順が当て
はまるが、所与のターゲット部分Ｃを１回の「フラッシ
ュ」では露光しない。その代わりに、マスク・テーブル
ＭＴが所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方
向）に速度ｖで移動可能であり、投影ビームＰＢでマス
ク像を走査するようになっている。同時に、基板テーブ
ルＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時
に移動させる。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率である
（通常はＭ＝１／４または１／５）。こうして、解像度
を落とすことなく比較的大きなターゲット部分Ｃを露光
することができる。
することができる。 １．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基
本的に静止状態に保たれ、マスク像全体を１回で（すな
わち１回の「フラッシュ」で）ターゲット部分Ｃに投影
する。次いで、別のターゲット部分ＣにビームＰＢを照
射することができるように、基板テーブルＷＴをｘ方向
および／またはｙ方向にシフトさせる。 ２．スキャン・モードでも、基本的には同じ手順が当て
はまるが、所与のターゲット部分Ｃを１回の「フラッシ
ュ」では露光しない。その代わりに、マスク・テーブル
ＭＴが所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方
向）に速度ｖで移動可能であり、投影ビームＰＢでマス
ク像を走査するようになっている。同時に、基板テーブ
ルＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時
に移動させる。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率である
（通常はＭ＝１／４または１／５）。こうして、解像度
を落とすことなく比較的大きなターゲット部分Ｃを露光
することができる。
【００２３】例示を目的として、図２に、光学系フレー
ム中に取り付けられた３つの反射光学エレメントとして
投影系を示す。装置中では、投影系は、図２に示す方法
でそれぞれ取り付けられたこれより多くの反射器、例え
ば４つまたは６つの反射器を含むことができる。光学エ
レメント（この場合には反射器）Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は、
６自由度で正確にミラーを位置決めすることができるこ
とが好ましいそれぞれの位置決めシステムを介してフレ
ーム１７に取り付けられる。ナノメートル以下の位置精
度を得るためには、各光学エレメントを制御する位置ル
ープは、サーボ・ループで見られる機械的固有振動数に
よって物理的に制限された高いサーボ帯域幅を有してい
なければならない。光学エレメント自体は、比較的小型
であり、かつ比較的単純な機構を有するので、その運動
は高い内部機械的固有振動数（例えば＞１０００Ｈｚ）
で設計することができる。しかし、光学系フレーム１７
は、いくつかの光学エレメントを含むことがあり、通常
は大きいので、高い内部機械的固有振動数を有すること
はできない（≪１０００Ｈｚ）。
ム中に取り付けられた３つの反射光学エレメントとして
投影系を示す。装置中では、投影系は、図２に示す方法
でそれぞれ取り付けられたこれより多くの反射器、例え
ば４つまたは６つの反射器を含むことができる。光学エ
レメント（この場合には反射器）Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は、
６自由度で正確にミラーを位置決めすることができるこ
とが好ましいそれぞれの位置決めシステムを介してフレ
ーム１７に取り付けられる。ナノメートル以下の位置精
度を得るためには、各光学エレメントを制御する位置ル
ープは、サーボ・ループで見られる機械的固有振動数に
よって物理的に制限された高いサーボ帯域幅を有してい
なければならない。光学エレメント自体は、比較的小型
であり、かつ比較的単純な機構を有するので、その運動
は高い内部機械的固有振動数（例えば＞１０００Ｈｚ）
で設計することができる。しかし、光学系フレーム１７
は、いくつかの光学エレメントを含むことがあり、通常
は大きいので、高い内部機械的固有振動数を有すること
はできない（≪１０００Ｈｚ）。
【００２４】アクチュエータ１５は、光学エレメント１
０を駆動し、その内部運動を励起する。これに対応する
反力（制御力）が光学系フレーム１７および／またはサ
ブフレーム１１に直接与えられると、光学サブフレーム
１１および光学系フレーム１７の運動が励起されること
になる。サーボ１３が測定するエレメントの位置は光学
系（サブ）フレームに対する光学エレメントの位置であ
るから、この位置測定は、光学エレメント１０の運動、
ならびに光学サブフレーム１１（存在する場合）および
光学系フレーム１７の運動を含む。光学系フレームの運
動（接続１８で記号的に示す）は、達成できるサーボ帯
域幅に厳しい制限を加えることになり、ひいてはミラー
の位置決め精度にも厳しい制限を加えることになる。
０を駆動し、その内部運動を励起する。これに対応する
反力（制御力）が光学系フレーム１７および／またはサ
ブフレーム１１に直接与えられると、光学サブフレーム
１１および光学系フレーム１７の運動が励起されること
になる。サーボ１３が測定するエレメントの位置は光学
系（サブ）フレームに対する光学エレメントの位置であ
るから、この位置測定は、光学エレメント１０の運動、
ならびに光学サブフレーム１１（存在する場合）および
光学系フレーム１７の運動を含む。光学系フレームの運
動（接続１８で記号的に示す）は、達成できるサーボ帯
域幅に厳しい制限を加えることになり、ひいてはミラー
の位置決め精度にも厳しい制限を加えることになる。
【００２５】本発明によれば、反力（制御力）と光学サ
ブフレーム１１の間に反応質量１４を導入する（図３に
示す）、または反力（制御力）と光学系フレーム１７の
間に反応質量１４を導入する（図４に示す）ことによ
り、この扱いにくい光学フレームの運動をサーボ・ルー
プから除去することができる。この配列によれば、固有
振動数（通常は５〜２０Ｈｚ）の反応質量１４（および
コンプライアンス１６）は、反力を光学系フレームに伝
達する機械的低域フィルタを形成する。反応質量の固有
振動数より低い振動数の反力は、光学系フレームに直接
伝達される。しかし、この振動数より高い全ての反力は
低域濾過され（ロールオフ＝−４０ｄＢ／ｄｅｃａｄ
ｅ）、光学系の運動を励起する。制御安定性には、サー
ボ・ループが光学系フレームおよびサブフレームの運動
を含まなくなるという効果がある。こうして、サーボ・
ループは、光学エレメントの振動数の高い運動と、制御
安定性には問題のない振動数の低い（通常は約１０Ｈ
ｚ）反応質量の運動の若干の影響とを含むだけなので、
非常に高い帯域幅を有することができる。したがって、
光学系フレームの運動が低振動数であっても、高いサー
ボ帯域幅と、それによる高い位置決め精度が可能とな
る。
ブフレーム１１の間に反応質量１４を導入する（図３に
示す）、または反力（制御力）と光学系フレーム１７の
間に反応質量１４を導入する（図４に示す）ことによ
り、この扱いにくい光学フレームの運動をサーボ・ルー
プから除去することができる。この配列によれば、固有
振動数（通常は５〜２０Ｈｚ）の反応質量１４（および
コンプライアンス１６）は、反力を光学系フレームに伝
達する機械的低域フィルタを形成する。反応質量の固有
振動数より低い振動数の反力は、光学系フレームに直接
伝達される。しかし、この振動数より高い全ての反力は
低域濾過され（ロールオフ＝−４０ｄＢ／ｄｅｃａｄ
ｅ）、光学系の運動を励起する。制御安定性には、サー
ボ・ループが光学系フレームおよびサブフレームの運動
を含まなくなるという効果がある。こうして、サーボ・
ループは、光学エレメントの振動数の高い運動と、制御
安定性には問題のない振動数の低い（通常は約１０Ｈ
ｚ）反応質量の運動の若干の影響とを含むだけなので、
非常に高い帯域幅を有することができる。したがって、
光学系フレームの運動が低振動数であっても、高いサー
ボ帯域幅と、それによる高い位置決め精度が可能とな
る。
【００２６】光学エレメントを取り付ける代替の２つの
配列を、図３および図４にさらに詳細に示す。
配列を、図３および図４にさらに詳細に示す。
【００２７】図３は、投影系ＰＬ内でサブフレーム１１
を介してミラーなどの投影系エレメント１０を投影系フ
レーム１１に固定する取付けを示す図である。この概略
的に示す系では、２自由度でミラーの位置を調節するこ
とができる。すなわち、第１の方向（図２では垂直方向
として示す）の直線変位および第２の方向（図２の面に
対して直交する方向）の周りの回転変位で、２自由度を
与えている。一般には、各ミラーごとに６自由度（並進
に３自由度、回転に３自由度）まで、さらに多くの自由
度が必要となる。さらに、投影系は、いくつかの投影エ
レメントを含むことになる。図２には示していない自由
度は、適宜修正を加えた対応する方法で達成することが
できる。
を介してミラーなどの投影系エレメント１０を投影系フ
レーム１１に固定する取付けを示す図である。この概略
的に示す系では、２自由度でミラーの位置を調節するこ
とができる。すなわち、第１の方向（図２では垂直方向
として示す）の直線変位および第２の方向（図２の面に
対して直交する方向）の周りの回転変位で、２自由度を
与えている。一般には、各ミラーごとに６自由度（並進
に３自由度、回転に３自由度）まで、さらに多くの自由
度が必要となる。さらに、投影系は、いくつかの投影エ
レメントを含むことになる。図２には示していない自由
度は、適宜修正を加えた対応する方法で達成することが
できる。
【００２８】投影系エレメント１０は、重力補償器１２
によって支持することができる。重力補償器は、例えば
図３に示すように機械ばねにすることも、あるいは気圧
原理に基づくもの、永久磁石、またはその他の適当な手
段にすることもできる。重力補償器の目的は、重力に逆
らって投影系エレメントを支持し、投影系エレメント１
０を位置決めするために使用するアクチュエータ１５か
ら加わる力を減少させ、それによりアクチュエータの力
の散逸を軽減することである。これら垂直モータの冷却
が十分に良好である場合には、重力補償器を追加する必
要はなく、重力はモータの力で補償することができる。
位置決めアクチュエータ１５は、ローレンツ力モータで
あることが好ましい。アクチュエータ１５は、低懸垂振
動数を有するばね１６（または代替の弾性手段）によっ
てサブフレーム１１にコンプライアントに取り付けられ
た反応質量１４に逆らって動作する。反応質量の懸垂の
共振振動数は、一般に、０〜１００Ｈｚの範囲、例えば
１０Ｈｚ程度になることが好ましい。このような取付け
は、ソフト取付けと呼ばれることがある。熱源が光学エ
レメントから離間するように、反応質量は、ローレンツ
力モータの磁石または好ましくはモータ・コイルを含
む。ローレンツ力モータおよび重力補償に関するさらな
る背景情報は、例えば、参照によって本明細書に組み込
むＥＰ１００１５１２Ａに開示されている。
によって支持することができる。重力補償器は、例えば
図３に示すように機械ばねにすることも、あるいは気圧
原理に基づくもの、永久磁石、またはその他の適当な手
段にすることもできる。重力補償器の目的は、重力に逆
らって投影系エレメントを支持し、投影系エレメント１
０を位置決めするために使用するアクチュエータ１５か
ら加わる力を減少させ、それによりアクチュエータの力
の散逸を軽減することである。これら垂直モータの冷却
が十分に良好である場合には、重力補償器を追加する必
要はなく、重力はモータの力で補償することができる。
位置決めアクチュエータ１５は、ローレンツ力モータで
あることが好ましい。アクチュエータ１５は、低懸垂振
動数を有するばね１６（または代替の弾性手段）によっ
てサブフレーム１１にコンプライアントに取り付けられ
た反応質量１４に逆らって動作する。反応質量の懸垂の
共振振動数は、一般に、０〜１００Ｈｚの範囲、例えば
１０Ｈｚ程度になることが好ましい。このような取付け
は、ソフト取付けと呼ばれることがある。熱源が光学エ
レメントから離間するように、反応質量は、ローレンツ
力モータの磁石または好ましくはモータ・コイルを含
む。ローレンツ力モータおよび重力補償に関するさらな
る背景情報は、例えば、参照によって本明細書に組み込
むＥＰ１００１５１２Ａに開示されている。
【００２９】位置センサ１３を使用して、投影系エレメ
ント１０のサブフレーム１１に対する位置を測定する、
または投影系フレーム１７に対する位置を直接測定す
る。制御システムの要件によっては、位置センサを使用
して、投影系エレメントの相対変位、速度および加速度
を決定することもできる。
ント１０のサブフレーム１１に対する位置を測定する、
または投影系フレーム１７に対する位置を直接測定す
る。制御システムの要件によっては、位置センサを使用
して、投影系エレメントの相対変位、速度および加速度
を決定することもできる。
【００３０】一般に、（振動から切り離された）投影系
フレーム１７の運動は小さいので、光学エレメント１０
を位置決めするために必要となる力は小さい。ただし、
反応モータの制御力自体による投影系フレーム１７の励
起は、閉ループ制御された光学エレメントに関して深刻
な安定性の問題を生じる可能性がある。反応質量１４を
適用することによって、ローレンツ力モータ１５の反力
が投影系フレーム１７に取り付けられたサブフレーム１
１を擾乱することは防止される。図４に示す代替構成で
は、サブフレーム１１を省略し、コンプライアンス１
６、重力補償器１２およびセンサ１３を投影系フレーム
１７に取り付ける。
フレーム１７の運動は小さいので、光学エレメント１０
を位置決めするために必要となる力は小さい。ただし、
反応モータの制御力自体による投影系フレーム１７の励
起は、閉ループ制御された光学エレメントに関して深刻
な安定性の問題を生じる可能性がある。反応質量１４を
適用することによって、ローレンツ力モータ１５の反力
が投影系フレーム１７に取り付けられたサブフレーム１
１を擾乱することは防止される。図４に示す代替構成で
は、サブフレーム１１を省略し、コンプライアンス１
６、重力補償器１２およびセンサ１３を投影系フレーム
１７に取り付ける。
【００３１】実際には、反応質量１４を投影系フレーム
に取り付けるコンプライアント取付具１６は、反応質量
の固有振動数より高い振動数のローレンツ・モータの反
力を除去する。この固有振動数は、反応質量１４の質量
および軟性取付具１６のスチフネスによって決まる。こ
の反力の除去により、各エレメント１０自体と投影系フ
レーム１７に取り付けられたその他の投影系エレメント
とに伝達される可能性のあるサブフレーム１１の位置的
ノイズの量が減少する。事実上、投影系内部の運動は、
投影系エレメントの位置制御ループにとっては無視でき
る。その結果として、投影系エレメントの制御システム
の制御安定性は、特に高い振動数において非常に改善さ
れる（すなわち位置測定の基準となる投影系フレームへ
のアクチュエータの反力のリターン・パスが大幅に減少
する）。したがって、制御ループは、１００から１００
０Ｈｚの範囲、例えば約３００Ｈｚの極めて高い位置的
帯域幅で設計することができる。これは、位置精度が大
幅に向上したことを意味する。したがって、投影系エレ
メントは、約０．１ｍｍ未満の精度で位置決めすること
ができる。したがって、投影系エレメントを作動させた
ときに、投影系の内部運動は影響を受けない。ソフトに
取り付けられた反応質量の固有振動数より高い振動数で
は、１つまたは複数の投影系エレメントは、投影系の運
動を励起することができず、投影系はその「動的質量」
を感じない。
に取り付けるコンプライアント取付具１６は、反応質量
の固有振動数より高い振動数のローレンツ・モータの反
力を除去する。この固有振動数は、反応質量１４の質量
および軟性取付具１６のスチフネスによって決まる。こ
の反力の除去により、各エレメント１０自体と投影系フ
レーム１７に取り付けられたその他の投影系エレメント
とに伝達される可能性のあるサブフレーム１１の位置的
ノイズの量が減少する。事実上、投影系内部の運動は、
投影系エレメントの位置制御ループにとっては無視でき
る。その結果として、投影系エレメントの制御システム
の制御安定性は、特に高い振動数において非常に改善さ
れる（すなわち位置測定の基準となる投影系フレームへ
のアクチュエータの反力のリターン・パスが大幅に減少
する）。したがって、制御ループは、１００から１００
０Ｈｚの範囲、例えば約３００Ｈｚの極めて高い位置的
帯域幅で設計することができる。これは、位置精度が大
幅に向上したことを意味する。したがって、投影系エレ
メントは、約０．１ｍｍ未満の精度で位置決めすること
ができる。したがって、投影系エレメントを作動させた
ときに、投影系の内部運動は影響を受けない。ソフトに
取り付けられた反応質量の固有振動数より高い振動数で
は、１つまたは複数の投影系エレメントは、投影系の運
動を励起することができず、投影系はその「動的質量」
を感じない。
【００３２】投影系エレメントの制御は、速度ループお
よび位置ループの両方を含み、かつ場合によってはその
両者を組み合わせることができる１つまたは複数の制御
ループによって行われることが好ましい。
よび位置ループの両方を含み、かつ場合によってはその
両者を組み合わせることができる１つまたは複数の制御
ループによって行われることが好ましい。
【００３３】上述の方法で１を超える自由度で投影系エ
レメントを位置決めする場合には、各アクチュエータと
ともに使用する反応質量は、（図３および４に示すよう
に）別々にすることも、図５に示すように結合して１つ
または複数の連結反応質量１４ａとすることもできる。
さらに、図６に示すように、いくつかまたは全ての光学
エレメントの反応質量を組み合わせて一体部１４ｂにす
ることもできる。この場合、この一体部は、投影光学フ
レーム１７またはベース・フレームＢＰのいずれにも取
り付けることができる。
レメントを位置決めする場合には、各アクチュエータと
ともに使用する反応質量は、（図３および４に示すよう
に）別々にすることも、図５に示すように結合して１つ
または複数の連結反応質量１４ａとすることもできる。
さらに、図６に示すように、いくつかまたは全ての光学
エレメントの反応質量を組み合わせて一体部１４ｂにす
ることもできる。この場合、この一体部は、投影光学フ
レーム１７またはベース・フレームＢＰのいずれにも取
り付けることができる。
【００３４】図２に示す投影系フレーム１１は、投影系
内の全ての光学エレメントに共通のフレームにすること
ができるが、１つまたは複数の光学エレメントが取り付
けられるサブフレームにすることもできる。このサブフ
レームは、何らかの方法で投影系の共通フレームに取り
付けられる。反応質量があるので、１つの光学エレメン
トの位置ループが、別の光学エレメントの位置制御ルー
プの反力によって擾乱されることはない。一般に、投影
系の共通フレームは、装置のベース・フレームの振動か
ら切り離されて独立基準フレームを構成する、リソグラ
フィ装置のフレームに取り付けることができる。投影光
学フレームは、ヨーロッパ特許出願第０２２５４８６
３．０号に記載のように、基準フレームにコンプライア
ントに取り付けることができる。
内の全ての光学エレメントに共通のフレームにすること
ができるが、１つまたは複数の光学エレメントが取り付
けられるサブフレームにすることもできる。このサブフ
レームは、何らかの方法で投影系の共通フレームに取り
付けられる。反応質量があるので、１つの光学エレメン
トの位置ループが、別の光学エレメントの位置制御ルー
プの反力によって擾乱されることはない。一般に、投影
系の共通フレームは、装置のベース・フレームの振動か
ら切り離されて独立基準フレームを構成する、リソグラ
フィ装置のフレームに取り付けることができる。投影光
学フレームは、ヨーロッパ特許出願第０２２５４８６
３．０号に記載のように、基準フレームにコンプライア
ントに取り付けることができる。
【００３５】図２は、光学エレメント１０とフレーム１
１の間に取り付けられた重力補償器１２を示す。代替実
施形態では、この重力補償器１２は、反応質量１４と光
学エレメント１０の間に取り付けることもできるが、こ
れはあまり効率的ではない。しかし、重力補償器は、省
略することもできる。垂直方向に作用しないアクチュエ
ータは、光学エレメント１０による重力を受けず、重力
補償器を全く必要としない。任意の重力補償力は、光学
表面の変形につながる可能性の曲げモーメントを最小限
に抑えるように垂直制御力に応じて作用するようにしな
ければならない。
１の間に取り付けられた重力補償器１２を示す。代替実
施形態では、この重力補償器１２は、反応質量１４と光
学エレメント１０の間に取り付けることもできるが、こ
れはあまり効率的ではない。しかし、重力補償器は、省
略することもできる。垂直方向に作用しないアクチュエ
ータは、光学エレメント１０による重力を受けず、重力
補償器を全く必要としない。任意の重力補償力は、光学
表面の変形につながる可能性の曲げモーメントを最小限
に抑えるように垂直制御力に応じて作用するようにしな
ければならない。
【００３６】理想的な１自由度反応質量は、反力の方向
に正確に合致したソフトなスチフネスを有する（通常は
２〜２０Ｈｚ）。方向にずれがあると、光学系フレーム
の望ましくない励起につながることがある。その他の自
由度に「中程度ソフト（ｍｅｄｉｕｍ ｓｏｆｔ）」懸
垂固有振動数を与えれば、この反応質量が反力の方向ず
れの影響を受けにくくなるようにすることができる。通
常は、この「中程度スチフネス（ｍｅｄｉｕｍ ｓｔｉ
ｆｆｎｅｓｓ）」は、「ソフト」方向の場合と同様に５
倍から１０倍高くなる（通常は１０〜５０Ｈｚ）。
に正確に合致したソフトなスチフネスを有する（通常は
２〜２０Ｈｚ）。方向にずれがあると、光学系フレーム
の望ましくない励起につながることがある。その他の自
由度に「中程度ソフト（ｍｅｄｉｕｍ ｓｏｆｔ）」懸
垂固有振動数を与えれば、この反応質量が反力の方向ず
れの影響を受けにくくなるようにすることができる。通
常は、この「中程度スチフネス（ｍｅｄｉｕｍ ｓｔｉ
ｆｆｎｅｓｓ）」は、「ソフト」方向の場合と同様に５
倍から１０倍高くなる（通常は１０〜５０Ｈｚ）。
【００３７】第１の実施形態のさらに別の変形形態で
は、反応質量１４は、投影系のフレームにソフトに取り
付けられず、リソグラフィ装置の別のフレーム、例えば
ベース・フレームＢＰ、または投影系の共通フレームが
取り付けられる独立基準フレームに取り付けられる。
は、反応質量１４は、投影系のフレームにソフトに取り
付けられず、リソグラフィ装置の別のフレーム、例えば
ベース・フレームＢＰ、または投影系の共通フレームが
取り付けられる独立基準フレームに取り付けられる。
【００３８】第１の実施形態のさらに別の変形形態を図
７に示す。この変形形態は、ミラー表面の欠陥に合わせ
て調節することができる能動ミラー表面を含む。薄くか
つ軽量の（例えば０．１ｋｇの質量）の反射ミラー表面
２１を、複数（例えば９個から６４個）の小型アクチュ
エータ２２と、複数のセンサ２４と、場合によっては複
数の追加構造支持体２３とを間に挟んで、厚い支持ミラ
ー構造１０（例えば１から１０または３０ｋｇの質量）
上に配置する。構造支持体２３は、バールのアレイを含
むことができる。
７に示す。この変形形態は、ミラー表面の欠陥に合わせ
て調節することができる能動ミラー表面を含む。薄くか
つ軽量の（例えば０．１ｋｇの質量）の反射ミラー表面
２１を、複数（例えば９個から６４個）の小型アクチュ
エータ２２と、複数のセンサ２４と、場合によっては複
数の追加構造支持体２３とを間に挟んで、厚い支持ミラ
ー構造１０（例えば１から１０または３０ｋｇの質量）
上に配置する。構造支持体２３は、バールのアレイを含
むことができる。
【００３９】複数のアクチュエータは極めて小さな行程
（＜１０ｅ−６ｍ）を有し、ミラー構造に対するミラー
表面の相対位置を制御する。これらのアクチュエータ
は、気圧タイプ、ピエゾ・タイプ、静電タイプ、磁気抵
抗タイプにすることができる。複数のアクチュエータを
使用することで、表面を局所的に変形させることが可能
になり、これにより局所的なミラー表面欠陥を補正する
ことが可能になる。大まかな６自由度の剛性体の位置決
め（約１０〜１０００ｅ−６）は、上述の場合と同様
に、反応質量を有するローレンツ・モータで制御され
る。
（＜１０ｅ−６ｍ）を有し、ミラー構造に対するミラー
表面の相対位置を制御する。これらのアクチュエータ
は、気圧タイプ、ピエゾ・タイプ、静電タイプ、磁気抵
抗タイプにすることができる。複数のアクチュエータを
使用することで、表面を局所的に変形させることが可能
になり、これにより局所的なミラー表面欠陥を補正する
ことが可能になる。大まかな６自由度の剛性体の位置決
め（約１０〜１０００ｅ−６）は、上述の場合と同様
に、反応質量を有するローレンツ・モータで制御され
る。
【００４０】複数の表面アクチュエータおよび可撓性ミ
ラーの全質量は、ミラー構造の質量に比べて比較的小さ
いので、能動表面とミラー構造の組合せの運動は、高い
サーボ帯域幅（例えば２５０〜４００Ｈｚ）で大域的な
６自由度の光学的位置決めおよび局所表面のナノメート
ル以下の光学的位置決めがともに可能となる、高い固有
振動数を有するように設計することができる。精度の低
いシステムの場合には、１つまたは複数の反応質量を備
えた６自由度のローレンツ・モータを、その他のタイプ
のアクチュエータまたは湾曲部（ｆｌｅｘｕｒｅ）で置
き換えることができる。
ラーの全質量は、ミラー構造の質量に比べて比較的小さ
いので、能動表面とミラー構造の組合せの運動は、高い
サーボ帯域幅（例えば２５０〜４００Ｈｚ）で大域的な
６自由度の光学的位置決めおよび局所表面のナノメート
ル以下の光学的位置決めがともに可能となる、高い固有
振動数を有するように設計することができる。精度の低
いシステムの場合には、１つまたは複数の反応質量を備
えた６自由度のローレンツ・モータを、その他のタイプ
のアクチュエータまたは湾曲部（ｆｌｅｘｕｒｅ）で置
き換えることができる。
【００４１】複数のアクチュエータを備えた能動ミラー
表面により、局所的なミラー欠陥の実時間補正が可能と
なり、その結果としてウェハのレベルにおける像のスメ
アおよび変形が抑えられる。
表面により、局所的なミラー欠陥の実時間補正が可能と
なり、その結果としてウェハのレベルにおける像のスメ
アおよび変形が抑えられる。
【００４２】実施形態２
本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態と同様であ
るが、各投影系エレメントの取付け方法が異なる。これ
を図８に示す。この場合には、反応質量５４は、投影系
エレメント５０の振動を「吸収」するために使用され
る。投影系エレメント５０は、投影系フレーム５１など
投影系の一部に、アクチュエータ５２（ローレンツ力モ
ータ、圧電アクチュエータ、磁気抵抗アクチュエータな
ど）および好ましくは重力補償器５３を介して取り付け
られる。反応質量５４は、アクチュエータ５５を介して
投影系エレメント５０に取り付けられるが、投影系に直
接機械的に取り付けられるわけではない（ただし、反応
質量がアクチュエータのコイルである場合には、給電や
冷却などの用途のために投影系に直接接続されることも
ある）。
るが、各投影系エレメントの取付け方法が異なる。これ
を図８に示す。この場合には、反応質量５４は、投影系
エレメント５０の振動を「吸収」するために使用され
る。投影系エレメント５０は、投影系フレーム５１など
投影系の一部に、アクチュエータ５２（ローレンツ力モ
ータ、圧電アクチュエータ、磁気抵抗アクチュエータな
ど）および好ましくは重力補償器５３を介して取り付け
られる。反応質量５４は、アクチュエータ５５を介して
投影系エレメント５０に取り付けられるが、投影系に直
接機械的に取り付けられるわけではない（ただし、反応
質量がアクチュエータのコイルである場合には、給電や
冷却などの用途のために投影系に直接接続されることも
ある）。
【００４３】アクチュエータ５５を適切に制御すること
により、投影系エレメントの任意の望ましくない振動を
減衰させることができる。投影系エレメントの振動を検
出するために、例えばピエゾ・センサや磁気抵抗センサ
などのセンサ５７を介して第２の質量５６を投影系エレ
メント５０に取り付け、加速度計を形成する。図８に示
すように２つのセンサ５７および２つのアクチュエータ
５５を使用すると、第１の方向（図８の垂直方向）の直
線的な振動、および第１の方向と直交する第２の方向の
周り（図８の面と直交する軸の周り）の回転的な振動の
両方を測定し、減衰させることができる。
により、投影系エレメントの任意の望ましくない振動を
減衰させることができる。投影系エレメントの振動を検
出するために、例えばピエゾ・センサや磁気抵抗センサ
などのセンサ５７を介して第２の質量５６を投影系エレ
メント５０に取り付け、加速度計を形成する。図８に示
すように２つのセンサ５７および２つのアクチュエータ
５５を使用すると、第１の方向（図８の垂直方向）の直
線的な振動、および第１の方向と直交する第２の方向の
周り（図８の面と直交する軸の周り）の回転的な振動の
両方を測定し、減衰させることができる。
【００４４】上記の配列は、コンプライアントに取り付
けられた光学エレメント、および例えば４００Ｈｚ以上
の固有振動数で堅く取り付けられた光学エレメントの両
方の振動を減衰させるために適用することができること
を理解されたい。
けられた光学エレメント、および例えば４００Ｈｚ以上
の固有振動数で堅く取り付けられた光学エレメントの両
方の振動を減衰させるために適用することができること
を理解されたい。
【００４５】図９は、図８に示す投影系エレメントの取
付けの代替方法を示す図である。前述の場合と同様に、
投影系エレメント６０は、例えばアクチュエータ６２お
よび重力補償器６３を介して投影系フレーム６１に取り
付けられる。反応質量６４を投影系エレメントに取り付
け、望ましくない振動を減衰させる。この場合、センサ
６７とアクチュエータ６５は積み重ねられ、共通の質量
６４を使用している。この配列では、アクチュエータ６
５はピエゾ・アクチュエータであることが好ましく、セ
ンサ６７はピエゾ・センサであることが好ましい。反応
質量６４とアクチュエータ６５の間に位置するセンサ６
７は、投影系エレメント６０の振動を検出する。この場
合、アクチュエータ６５は、投影系エレメントの運動を
補正して、望ましくない振動を低減させるために使用さ
れる。図８に示す配列と同様に、一対のセンサおよびア
クチュエータを使用して、回転振動ならびに直線的振動
を減衰させることもできる。
付けの代替方法を示す図である。前述の場合と同様に、
投影系エレメント６０は、例えばアクチュエータ６２お
よび重力補償器６３を介して投影系フレーム６１に取り
付けられる。反応質量６４を投影系エレメントに取り付
け、望ましくない振動を減衰させる。この場合、センサ
６７とアクチュエータ６５は積み重ねられ、共通の質量
６４を使用している。この配列では、アクチュエータ６
５はピエゾ・アクチュエータであることが好ましく、セ
ンサ６７はピエゾ・センサであることが好ましい。反応
質量６４とアクチュエータ６５の間に位置するセンサ６
７は、投影系エレメント６０の振動を検出する。この場
合、アクチュエータ６５は、投影系エレメントの運動を
補正して、望ましくない振動を低減させるために使用さ
れる。図８に示す配列と同様に、一対のセンサおよびア
クチュエータを使用して、回転振動ならびに直線的振動
を減衰させることもできる。
【００４６】図８および図９には示していないが、投影
系エレメントの振動は、通常は６自由度で制御する必要
がある。適宜修正した組合せの反応質量、センサおよび
アクチュエータを使用して、図示しない自由度の制御を
行うことができる。然るべき場合には、使用する反応質
量および／またはセンサに使用する質量を組み合わせ
て、１つまたは複数の合成質量を形成することもでき
る。
系エレメントの振動は、通常は６自由度で制御する必要
がある。適宜修正した組合せの反応質量、センサおよび
アクチュエータを使用して、図示しない自由度の制御を
行うことができる。然るべき場合には、使用する反応質
量および／またはセンサに使用する質量を組み合わせ
て、１つまたは複数の合成質量を形成することもでき
る。
【００４７】分かりやすくするためにどの図面にも示し
ていないが、第１の実施形態と第２の実施形態を組み合
わせ、（図３または４に示す配列を使用して）投影系フ
レームと投影系エレメントの間で伝達される振動を低減
させ、かつ（図８および９に示す配列を使用して）投影
系エレメント内に存在する任意の振動を減衰させること
ができる
ていないが、第１の実施形態と第２の実施形態を組み合
わせ、（図３または４に示す配列を使用して）投影系フ
レームと投影系エレメントの間で伝達される振動を低減
させ、かつ（図８および９に示す配列を使用して）投影
系エレメント内に存在する任意の振動を減衰させること
ができる
【００４８】さらに、投影系エレメント１０、５０、６
０は、これらの図面では極めて概略的に示したものであ
る。これらは、屈折性光学エレメントおよび反射性光学
エレメントだけでなく、回折性エレメントなどその他の
タイプのエレメントも含むことができる。
０は、これらの図面では極めて概略的に示したものであ
る。これらは、屈折性光学エレメントおよび反射性光学
エレメントだけでなく、回折性エレメントなどその他の
タイプのエレメントも含むことができる。
【００４９】本発明の特定の実施形態について上記で述
べたが、本発明は上述以外の方法でも実施することがで
きることを理解されたい。本記述は、本発明を制限する
ものではない。
べたが、本発明は上述以外の方法でも実施することがで
きることを理解されたい。本記述は、本発明を制限する
ものではない。
【図１】本発明の第１の実施形態によるリソグラフィ投
影装置を示す図である。
影装置を示す図である。
【図２】図１の装置の投影系をさらに詳細に示す図であ
り、フレームに取り付けられた３つの反射器を示す図で
ある。
り、フレームに取り付けられた３つの反射器を示す図で
ある。
【図３】サブフレームおよび２つの１自由度反応質量を
介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレメン
トを示す図である。
介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレメン
トを示す図である。
【図４】サブフレームを用いずに２つの１自由度反応質
量を介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレ
メントを示す図である。
量を介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレ
メントを示す図である。
【図５】サブフレームおよび単一の２自由度反応質量を
介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレメン
トを示す図である。
介して投影系のフレームに取り付けられた光学エレメン
トを示す図である。
【図６】反応質量として働く共通のフレームを介して投
影系のフレームに取り付けられた２つの光学エレメント
を示す図である。
影系のフレームに取り付けられた２つの光学エレメント
を示す図である。
【図７】サブフレームおよび２つの１自由度反応質量を
介して投影系のフレームに取り付けられた、能動制御表
面を有する光学エレメントを示す図である。
介して投影系のフレームに取り付けられた、能動制御表
面を有する光学エレメントを示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態で使用される、投影系
のエレメントを投影系のフレームに取り付ける取付けを
示す図である。
のエレメントを投影系のフレームに取り付ける取付けを
示す図である。
【図９】図３に示す取付けの変形形態を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 フランク アオアー
オランダ国 エイントホーフェン、エイメ
リック 75
(72)発明者 マルク ヴィルヘルムス マリア ヴァン
デル ヴィユスト
オランダ国 フェルトホーフェン、ブレー
83
(72)発明者 バスティアーン ステファヌス ヘンドリ
クス ヤンセン
オランダ国 ロー、ローストラート １
(72)発明者 ドミニカス ヤコブス ペトリュス アド
リアヌス フランケン
オランダ国 フェルトホーフェン、ショウ
ウベルグ ５
Ｆターム(参考） 5F046 AA23 CB02 CB12 CB20 GA14
GB01
Claims (16)
- 【請求項１】 投影放射線ビームを供給する放射系と、 所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成する
働きをするパターン形成手段を支持する支持構造と、 基板を保持する基板テーブルと、 パターン形成されたビームを基板のターゲット部分に投
影する投影系とを含むリソグラフィ投影装置であって、 前記投影系および放射系の少なくとも一方が、少なくと
も１自由度で移動可能な反応質量にアクチュエータによ
って接続された少なくとも１つの光学エレメントを含
み、該アクチュエータによって反応質量と光学エレメン
トの間に加えられる力を使用して、１自由度または多自
由度で光学エレメントの位置を制御することを特徴とす
るリソグラフィ投影装置。 - 【請求項２】 反応質量を該装置のフレームに接続する
弾性部材をさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ
投影装置。 - 【請求項３】 前記フレームが投影系のフレームであ
る、請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項４】 前記フレームが、前記装置のベース・フ
レームの一部である、請求項２に記載のリソグラフィ投
影装置。 - 【請求項５】 光学エレメントの位置を決定するための
感知手段をさらに含むリソグラフィ投影装置であって、
光学エレメントが必要な位置になるよう調節されるよう
に前記アクチュエータが前記感知手段に応答することが
できる、請求項１、請求項２、請求項３、または請求項
４に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項６】 前記光学エレメントが、反応質量にそれ
ぞれ接続された複数のアクチュエータに接続された、請
求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のリソグ
ラフィ投影装置。 - 【請求項７】 前記光学エレメントが、異なる方向に力
を加える複数のアクチュエータに接続され、該複数のア
クチュエータが、対応する方向に移動可能な単一の反応
質量に接続された、請求項１から請求項５までのいずれ
か一項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項８】 該装置が１つまたは複数のアクチュエー
タをそれぞれ備えた複数の光学エレメントを含み、複数
の光学エレメントのアクチュエータが単一の反応質量に
接続された、請求項１から請求項５までのいずれか一項
に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項９】 前記光学エレメントが能動制御光学表面
を有し、前記能動光学表面が、局所的な反射ミラー欠陥
を補正することができる複数のセンサおよびアクチュエ
ータで構成された複数の局所位置制御ループを有する、
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のリソ
グラフィ投影装置。 - 【請求項１０】 反応質量が、光学エレメントのみに機
械的に接続された、請求項１に記載のリソグラフィ投影
装置。 - 【請求項１１】 光学エレメントの運動を検出するため
の感知手段をさらに含むリソグラフィ投影装置であっ
て、前記アクチュエータが、光学エレメントの運動が低
減されるように光学エレメントの位置を調節するよう前
記感知手段に応答可能である、請求項１０に記載のリソ
グラフィ投影装置。 - 【請求項１２】 投影系が、 第２のアクチュエータによって前記光学エレメントに接
続された第２の反応質量をさらに含み、 第２のアクチュエータによって第２の反応質量と光学エ
レメントの間に加えられる力の反力を利用して光学エレ
メントの位置が調節され、 第２の反応質量が、光学エレメントのみに機械的に接続
された、請求項２から請求項９までのいずれか一項に記
載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１３】 光学エレメントの運動を検出する第２
の感知手段をさらに含むリソグラフィ投影装置であっ
て、前記アクチュエータが、光学エレメントの運動が低
減されるように光学エレメントの位置を調節するよう前
記感知手段に応答可能である、請求項１２に記載のリソ
グラフィ投影装置。 - 【請求項１４】 前記アクチュエータがローレンツ力モ
ータである、請求項１から請求項１３までのいずれか一
項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１５】 該アクチュエータがピエゾ・アクチュ
エータである、請求項１から請求項１３までのいずれか
一項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１６】 放射線感応材料の層で少なくとも部分
的に被覆された基板を提供するステップと、 放射系を用いて投影放射線ビームを供給するステップ
と、 パターン形成手段を使用して、投影ビームの断面にパタ
ーンを与えるステップと、 投影系を用いて、放射線感応材料の層のターゲット部分
にパターン形成した放射線ビームを投影するステップと
を含むデバイス製造方法であって、 アクチュエータが、少なくとも１自由度で移動可能な反
応質量と、投影系および放射系の少なくとも一方の光学
エレメントとの間に接続され、 アクチュエータによって反応質量と光学エレメントの間
に加えられた力を利用して、光学エレメントの位置を制
御することを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01310781A EP1321822A1 (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP01310781.8 | 2001-12-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003203860A true JP2003203860A (ja) | 2003-07-18 |
| JP3813923B2 JP3813923B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=8182566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002367679A Expired - Fee Related JP3813923B2 (ja) | 2001-12-21 | 2002-12-19 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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| JP (1) | JP3813923B2 (ja) |
| KR (1) | KR100588119B1 (ja) |
| CN (1) | CN1285971C (ja) |
| DE (1) | DE60233780D1 (ja) |
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| EP1321822A1 (en) | 2003-06-25 |
| TW200411331A (en) | 2004-07-01 |
| EP1321823A3 (en) | 2005-02-09 |
| CN1285971C (zh) | 2006-11-22 |
| US20030197914A1 (en) | 2003-10-23 |
| EP1321823A2 (en) | 2003-06-25 |
| DE60233780D1 (de) | 2009-11-05 |
| US6788386B2 (en) | 2004-09-07 |
| CN1442755A (zh) | 2003-09-17 |
| KR100588119B1 (ko) | 2006-06-09 |
| SG120906A1 (en) | 2006-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060515 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060519 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060601 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20070124 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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