JPS62165916A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS62165916A JPS62165916A JP61008227A JP822786A JPS62165916A JP S62165916 A JPS62165916 A JP S62165916A JP 61008227 A JP61008227 A JP 61008227A JP 822786 A JP822786 A JP 822786A JP S62165916 A JPS62165916 A JP S62165916A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子製造に用いる光学露光装置に関す
るものである。
るものである。
さらに詳しくは、半導体素子製造におけるホトリソグラ
フィ一工程の超微細加工を実現するために考案された縮
小投影型エキシマ−露光装置に関するものである。
フィ一工程の超微細加工を実現するために考案された縮
小投影型エキシマ−露光装置に関するものである。
従来の技術
従来、すでに半導体素子、特にＬＳＩ 、ＶＬＳＩ等の
微細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小
投影型露光装置（ステッパー）が市販されている。しか
しながら、従来のステッパーは超高圧水銀灯のｇ線（４
３６ｎｍ ）やｉ線（３６６ｎｍ） を用いている
ため、解像度はｇ線で１．２μｍ、ｉ線で０．８μｍ程
度が限界であった。これらの波長では、今後ａＭｂｉｔ
ＲＡｎや１ａＭｂｉｔＲＡＭ製造に必要とされる０、５
μｍの解像度を得ることは不可能に近い。
微細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小
投影型露光装置（ステッパー）が市販されている。しか
しながら、従来のステッパーは超高圧水銀灯のｇ線（４
３６ｎｍ ）やｉ線（３６６ｎｍ） を用いている
ため、解像度はｇ線で１．２μｍ、ｉ線で０．８μｍ程
度が限界であった。これらの波長では、今後ａＭｂｉｔ
ＲＡｎや１ａＭｂｉｔＲＡＭ製造に必要とされる０、５
μｍの解像度を得ることは不可能に近い。
そこで、近年、ｇ線やｉ線に比べより波長の短イｘｅｃ
Ｂ（３ｏａｎｍ ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ ）やムｒＦ
（１９３ｎｍ）等のエキシマ−光源を用いた露光装置の
開発が検討されるようになってきた。
Ｂ（３ｏａｎｍ ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ ）やムｒＦ
（１９３ｎｍ）等のエキシマ−光源を用いた露光装置の
開発が検討されるようになってきた。
発明が解決しようとした問題点
しかしながら、超高圧水銀灯に比べ、エキシマ−光源は
、発振させるために高電圧のパルス放電を利用している
ので、放電時の衝撃波による振動がアライメントや露光
時の大きな問題となる。また、光源の設置スペースが大
きなことも、超クリーンルームを必要とした半導体製造
工業にとっては問題である。放電時の防振対策のみであ
れば、光源、レンズ系、ウェハステージ、マスクホルダ
ー等全てを同一防振台に乗せることである程度解決でき
るが、この場合どうしても超クリーンルーム内での設置
スペースが３倍程度も犬きくなってしまう。そこで、本
発明は、発振時の防振対策と超クリーンルーム必要面積
を小くすることを目的とした。
、発振させるために高電圧のパルス放電を利用している
ので、放電時の衝撃波による振動がアライメントや露光
時の大きな問題となる。また、光源の設置スペースが大
きなことも、超クリーンルームを必要とした半導体製造
工業にとっては問題である。放電時の防振対策のみであ
れば、光源、レンズ系、ウェハステージ、マスクホルダ
ー等全てを同一防振台に乗せることである程度解決でき
るが、この場合どうしても超クリーンルーム内での設置
スペースが３倍程度も犬きくなってしまう。そこで、本
発明は、発振時の防振対策と超クリーンルーム必要面積
を小くすることを目的とした。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、レンズ系、ウェハステージ、マスクホルダー
等の本体と光源をそれぞれ別体の防振台に乗せ、光源を
出たエキシマ−光をレンズ系に導くために、光源を乗せ
た防振台に直接または間接に固定された第１のミラーと
、本体を乗せた防振台に直接または間接に固定された第
２のミラーの間の光軸または、垂直に立てた光源と第２
のミラー間の光軸が、前記２つの防振台の振動方向に一
致するように組み合せる。つまり、光源と本体が完全に
分離された構成となる。
等の本体と光源をそれぞれ別体の防振台に乗せ、光源を
出たエキシマ−光をレンズ系に導くために、光源を乗せ
た防振台に直接または間接に固定された第１のミラーと
、本体を乗せた防振台に直接または間接に固定された第
２のミラーの間の光軸または、垂直に立てた光源と第２
のミラー間の光軸が、前記２つの防振台の振動方向に一
致するように組み合せる。つまり、光源と本体が完全に
分離された構成となる。
作用
従って、本発明によれば、光源の発振時の振動がレンズ
系を含む本体に伝わることがなく、シかも、光源と本体
が完全に分離されているため、超クリーン度を必要とし
た本体部のみ超クリーンルームへ設置し、光源部は別室
に設置することが可能となる。すなわち、光源とミラー
間又は２つのミラー間の光軸を、防振台の振動方向と一
致させておくことにより、振動が生じても光路長が伸縮
するのみで光軸のズレを防止できる作用がある。
系を含む本体に伝わることがなく、シかも、光源と本体
が完全に分離されているため、超クリーン度を必要とし
た本体部のみ超クリーンルームへ設置し、光源部は別室
に設置することが可能となる。すなわち、光源とミラー
間又は２つのミラー間の光軸を、防振台の振動方向と一
致させておくことにより、振動が生じても光路長が伸縮
するのみで光軸のズレを防止できる作用がある。
このだめ、前記効果が発揮される。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図を用いて説明する。すな
わち、光源部として、第１防撮台１に乗せたＫｒＦエキ
シマ−レーザ光源２と光源２より発射される光を垂直方
向に折曲げる第１防振台１に直接固定した第１のミラー
３を組立る。一方、本体部として、第２防振台４に乗せ
た半導体基板Ｗを支持したウェハステージ５．縮小投映
石英レンズ６、ビームスプリンター７、マスクＭを保持
したマスクホルダー８．コンデンサレンズｃａ、ｍ２の
ミラー１０１インチグレーター１１１第３のミラー１２
よりなる本体部１３．さらに本体部１３に固定されたア
ライメントレンズ１４．アライメント光源１６（例えば
超高圧水銀灯の光をカットフィルタまたはモノクロメー
タで分光したもの）アライメント用ビームスプリンター
１６１画像パターン信号増幅用ｌｌＴ１７．画像読取り
用ＣＣＤカメラ１８よりなるアライメント元学系１９を
組み立てる。また、マスクＭとウェハＷのアライメント
を行うために、ＣＯＤカメラ１已により読み取った画像
信号を処理しウェハステージ５の移動を制御するだめの
コンピュータ２０を別体で設置しておく。
わち、光源部として、第１防撮台１に乗せたＫｒＦエキ
シマ−レーザ光源２と光源２より発射される光を垂直方
向に折曲げる第１防振台１に直接固定した第１のミラー
３を組立る。一方、本体部として、第２防振台４に乗せ
た半導体基板Ｗを支持したウェハステージ５．縮小投映
石英レンズ６、ビームスプリンター７、マスクＭを保持
したマスクホルダー８．コンデンサレンズｃａ、ｍ２の
ミラー１０１インチグレーター１１１第３のミラー１２
よりなる本体部１３．さらに本体部１３に固定されたア
ライメントレンズ１４．アライメント光源１６（例えば
超高圧水銀灯の光をカットフィルタまたはモノクロメー
タで分光したもの）アライメント用ビームスプリンター
１６１画像パターン信号増幅用ｌｌＴ１７．画像読取り
用ＣＣＤカメラ１８よりなるアライメント元学系１９を
組み立てる。また、マスクＭとウェハＷのアライメント
を行うために、ＣＯＤカメラ１已により読み取った画像
信号を処理しウェハステージ５の移動を制御するだめの
コンピュータ２０を別体で設置しておく。
このとき、光源を出たエキシマー光をレンズに導くため
に、第１防撮台１に固定された第１ミラー３と本体部に
固定された第２ミラー１０の元！咄を合せておき、且つ
この２つのミラー（カップリングミラー）間の光１ｉ１
１２１の方向を防振台の振動方向（この場合は防振台に
エアーサスペンションを使用し組直方向に合せておく］
に一致させてお〈。なお、第２図に示すように、第１ミ
ラー３で光源から出たエキシマ−光を垂直方向に折り曲
げて第２のミラー１ｏに入射させる代りに、エキシマ−
光源２そのものを垂直に、つまり発射光の光軸が光軸２
１に一致するように第１防振台の上に乗せても同じ効果
が得られる。
に、第１防撮台１に固定された第１ミラー３と本体部に
固定された第２ミラー１０の元！咄を合せておき、且つ
この２つのミラー（カップリングミラー）間の光１ｉ１
１２１の方向を防振台の振動方向（この場合は防振台に
エアーサスペンションを使用し組直方向に合せておく］
に一致させてお〈。なお、第２図に示すように、第１ミ
ラー３で光源から出たエキシマ−光を垂直方向に折り曲
げて第２のミラー１ｏに入射させる代りに、エキシマ−
光源２そのものを垂直に、つまり発射光の光軸が光軸２
１に一致するように第１防振台の上に乗せても同じ効果
が得られる。
発明の効果
エキシマ−露光装置において、本発明の構成すなわち光
源部と本体部を別体の防振台に乗せることにより、エキ
シマ−光源の発掘時の強力な振動が本体部に伝わるのを
完全に防止できる。
源部と本体部を別体の防振台に乗せることにより、エキ
シマ−光源の発掘時の強力な振動が本体部に伝わるのを
完全に防止できる。
また、防振台の振動方向と、カップリングミラー又は光
源と１つのミラーの尤抽を一致させておくことにより、
別体におかれた装置間の振動時の光軸のズレを防止でき
る。この場合、光路長のズレは防止できないが、レーザ
ー元は平行光でありしかもインチグレーター以降はすべ
て本体側で一体構造としたことによりパターン解像度と
は無関係となる。
源と１つのミラーの尤抽を一致させておくことにより、
別体におかれた装置間の振動時の光軸のズレを防止でき
る。この場合、光路長のズレは防止できないが、レーザ
ー元は平行光でありしかもインチグレーター以降はすべ
て本体側で一体構造としたことによりパターン解像度と
は無関係となる。
また、本体部と光源部を別体としたことにより本体を設
置すべき超クリーンルームのスペースを大幅に縮小でき
る効果もある。
置すべき超クリーンルームのスペースを大幅に縮小でき
る効果もある。
以上の理由により、実用レベルで超々ＬＳＩに必要な０
．５μｍの解像度を有するエキシマ−露光装置を完成で
きる。なお、エキシマ−光源はＫｒＦに限定されるもの
ではない。また、反射縮小投影露光装置でも同じ効果が
得られることも明らかであろう。
．５μｍの解像度を有するエキシマ−露光装置を完成で
きる。なお、エキシマ−光源はＫｒＦに限定されるもの
ではない。また、反射縮小投影露光装置でも同じ効果が
得られることも明らかであろう。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例のエキ
シマ−露光装置を説明するだめの概念図である。 １・・・・・・第１防振台、４・・・・・・第２防振台
、３・・・・・・第１ミラー、１ｏ・・・・・・第２ミ
ラー、５・・・・・・ウェハステージ、６・・・・・・
石英レンズ、８・・・・・・マスクホルダー〇
シマ−露光装置を説明するだめの概念図である。 １・・・・・・第１防振台、４・・・・・・第２防振台
、３・・・・・・第１ミラー、１ｏ・・・・・・第２ミ
ラー、５・・・・・・ウェハステージ、６・・・・・・
石英レンズ、８・・・・・・マスクホルダー〇
Claims (4)
- （１）縮小投影レンズと、ウェハステージと、マスクホ
ルダーと、エキシマー光源と、前記エキシマー光源を乗
せた第１防振台に直接または間接に固定された第１ミラ
ーと、前記縮小投影レンズ、ウェハステージおよびマス
クホルダーを乗せた第２防振台に直接または間接に固定
された第２ミラーとを有し、前記光源より出た光を前記
レンズに導くとともに、前記第１と第２ミラーの光軸が
前記２つの防振台の振動方向に一致するように組み合わ
されていることを特徴とした露光装置。 - （２）第１と第２ミラー間の光軸と防振台の振動方向が
垂直方向に規制されていることを特徴とした特許請求の
範囲第１項記載の露光装置。 - （３）縮小投影レンズと、ウェハステージと、マスクホ
ルダーと、エキシマー光源と、前記エキシマー光源を乗
せた第１防振台と、前記縮小投影レンズ、ウェハステー
ジおよびマスクホルダーを乗せた第２防振台と、この第
２防振台に固定された第２ミラーとを有し、前記エキシ
マー光源を出て第２ミラーに入射する光の光軸が、前記
２つの防振台の振動方向に一致するように組み合わされ
ていることを特徴とした露光装置。 - （４）エキシマー光源を出て第２ミラーに入射する光の
光軸が垂直方向に規制されていることを特徴とした特許
請求の範囲第３項記載の露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008227A JPS62165916A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 露光装置 |
| US07/004,133 US4724466A (en) | 1986-01-17 | 1987-01-16 | Exposure apparatus |
| US07/104,041 US4805000A (en) | 1986-01-17 | 1987-10-02 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008227A JPS62165916A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165916A true JPS62165916A (ja) | 1987-07-22 |
| JPH0374505B2 JPH0374505B2 (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=11687275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008227A Granted JPS62165916A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165916A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465836A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Canon Kk | Aligner |
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| EP1321823A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| JP2007515773A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-06-14 | カール ツアイス エスエムティー アーゲー | フォトリソグラフィにおける光学アセンブリ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161719A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Canon Inc | 露光装置 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61008227A patent/JPS62165916A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161719A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465836A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Canon Kk | Aligner |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| EP1321823A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1321823A3 (en) * | 2001-12-21 | 2005-02-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007515773A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-06-14 | カール ツアイス エスエムティー アーゲー | フォトリソグラフィにおける光学アセンブリ |
| US8072700B2 (en) | 2003-10-29 | 2011-12-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical apparatus for use in photolithography |
| US9933707B2 (en) | 2003-10-29 | 2018-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical apparatus for use in photolithography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374505B2 (ja) | 1991-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |