JPS63133522A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPS63133522A
JPS63133522A JP61280288A JP28028886A JPS63133522A JP S63133522 A JPS63133522 A JP S63133522A JP 61280288 A JP61280288 A JP 61280288A JP 28028886 A JP28028886 A JP 28028886A JP S63133522 A JPS63133522 A JP S63133522A
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JP
Japan
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optical system
light source
light
beta
angle
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Pending
Application number
JP61280288A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Matsumoto
宏一 松本
Tetsuo Kikuchi
哲男 菊池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP61280288A priority Critical patent/JPS63133522A/ja
Publication of JPS63133522A publication Critical patent/JPS63133522A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 C産業上の利用分野〕 本発明はレーザーを光源とする露光装置の構成に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、露光装置の光源として超高圧水銀ランプが使用さ
れている。しかし、最近ではマスクのパターンを更に高
密度で微細に転写するために、超高圧水銀ランプよりも
紫外線波長域を越えた、さらに波長の短いビームを発振
するエキシマレーザ−を光源として使用することに関心
を集めている。ところが、エキシマレーザ−は従来の光
源と比べて大型で高出力であるため、従来の超高圧水銀
ランプ等の光源と比べて発光形態も異なる。そのため、
露光装置用照明光学装置の構成も従来のものと異なった
構成にしなければならない。
また、光源としてのエキシマレーザ−は従来の超高圧水
銀ランプが出射する紫外線波長域を越えて、さらに短い
波長を発振し、高出力であるという利点はあるが、大型
でありエキシマレーザ−自体が振動の発生源となるため
光束が振れてしまうという問題点があった。このため、
特開昭60−242421号公報で開示されている如く
、光源としてのエキシマレーザ−と露光装置照明系とを
独立分離して、露光装置照明系内に該光源からの光束を
導入するための光束導入口に防露光学系を配置すること
で解決しようとするものが知られていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、防露光学系を配置することで光源からの振動
を防止できるが、防露光学系自体を付加しなければなら
ないため、露光装置全体の複雑化や大型化を招く問題が
ある。また、光源としてのエキシマレーザ−と露光装置
照明系が独立分離された場合に、エキシマレーザ−の出
射口側から被照射面までの光路長が必然的に長くなるた
め、レーザービームの発散角が無視できなくなる問題が
ある。そのため、光束導入口側での光束径が大きくなり
、ケラレが生じ十分な光量を露光装置照明系に導入する
ことが困難となる。したがって、被照射面上やウェハ面
での照度を均一に保ことが困難であるために、さらに高
密度で微細なパターンをウェハに転写することが困難と
なる問題がある。
そこで、本発明は、照度の均一性に優れ且つ光1損失の
少ない従来よりも更に高性能な露光装置を提供すること
を目的としている。
〔聞届を解決するための手段〕
本発明は、レーザーを露光用照明光源とする光源部と、
該光源部からの光束を被照射面に導いて該被照射面のパ
ターンの像を感光基板上に投影する照明部とを有する露
光装置に於いて、前記照明部は前記光源部からの震動に
対して隔離されるように前記光源部とは分離して防震装
置」−に設置され、前記照明部の光束導入口側にビーム
エキスパンダ光学系を配置したものである。
〔作用〕
上記の如き構成にすることによって、光源からの被照射
面までの光路がビームエキスパンダ光学系の光源側で分
離され、ビームエキスパンダ光学系から被照射面までの
照明部を防震装置上に設置されるので震動による傾き角
、光束の発散角が軽減できる。
すなわち、ビームエキスパンダ光学系は、先ず、光束の
径を二次元的に拡大する。そして、光源または照明部の
振動により、光束が前記光学系3に入射したときの光軸
に対して、θ1だけ傾いたとすると、ビームエキスパン
ダ光学系3を通過した後の傾き角θ2は、拡大倍率をβ
として、θ2−θl/βとなる。したがって、光源の振
動により発生する傾き角をβ分の1に軽減することがで
きる。
同時に、光束の発散角t1はビームエキスパンダ光学系
を通過する前の発散角ε、と通過した後の発散角ε2と
の間に s2−εI/βという関係が成り立つ。したが
って、光束の発散角による影響をβ分の1に軽減するこ
とができる。
そのため、従来技術の如く防露光学系を照明部の光束導
入部に配置する必要がなくなり、従来よりも簡単な構造
で、高性能な露光装置を得ることができる。
〔実施例〕
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。第
1図に示すように光源部としてのエキシマレーザ−とビ
ーム整形光学部材とからなる光源部と、照明部とは独立
分離されて、それぞれ別個の防震装置上に設置されてい
る。光源部では、光R1とビーム整形光学系2とが第一
防震装置10上に設置されており、照明部では、第二防
震装置ll上に設置されている。光源1から出射された
光束はビーム整形光学部材2に入射する。光源1として
のエキシマレーザ−から出射された光束の断面形状は矩
形をしており、ビーム整形光学系2に入射した光束は所
定の断面形状に整形される。
第1図において、ビーム整形光学系2の母線を含む面(
紙面に平行な面)内の光線を実線で、また、母線に垂直
な面(紙面に垂直な面)内の光線を破線にて示す。そし
て、整形された光束はビーム整形光学系2から照明部側
の光束導入口Gに向けて出射される。照明部に入射した
光束は、反射ミラーQで反射転向され、ビームエキスパ
ンダ光学系3に入射する。ビームエキスパンダ光学系a
を通過した光束は反射ミラーRで反射転向しフライアイ
インチグレーター4に入射する。そして、フライアイイ
ンチグレーター4によって多数の発散光束に分割され、
メインコンデンサーレンズ5にて、これらの光束が集光
されてレチクル6を均一に照明する。この場合、フライ
アイインチグレーター4は、多数の微小光源を一平面上
に作り、二次光源として作用する。そして、この光束は
反射ミラーSで反射転向される。このような光束によっ
て一様に照明されたレチクル6上の回路パターンは、投
影対物レンズ7によってステージ9に!!置されたウェ
ハ8上に投影される。
エキシマレーザ−光源1は、封入されたレーザー媒質の
雰囲気中に設けられた、第2図に示すような細長いカマ
ボコ型の主放電電極E、 、E!を有し、レーザー光は
その主放電電極E、%E2間に高電圧が印加されて放電
する際に生じる閃光が電極の長手方向に共振して矢印り
の方向に発光するものである。その際、レーザー光束の
断面形状は、電極E、 、E、の形状に大きく左右され
る特質を有しているが、一般に、放電電極が長辺Xで、
これに直角な方向が短辺yの第3図に示すような長方形
の断面形状を有している。
光源とビーム整形光学系とが(第1防震装置lO)上に
設置されている。そして、エキシマレーザ−による光源
lからレーザー光束が発振される。
そのレーザー光束の断面形状が矩形(長方形)となって
おり、アフォーカルなビーム整形光学系2に入射する。
そして、この光束は正方形の断面形状の光束に整形され
る。そして、第2防震装置の設置された照明部の光導入
口Gに、整形された光束が入射し、反射ミラーQで反射
転向しビームエキスパンダ光学系3に入射する。
第4図(C)には、ビームエキスパンダ光学系aの断面
図を示しており、この光学系3は、それぞれ正の屈折力
を有するレンズ3Aと正の屈折力を有するレンズ3Bと
によるケブラー型の構成となっている。レーザー光束は
ビームエキスパンダ光学系3を通過すると、光束は二次
元的に拡大される。
第6図(C)、(d)はビームエキスパンダ光学系3を
通過する前と後のレーザー光束の断面形状を示している
。第6図(c)に示すように、ビーム整形光学系2を通
過することによって、−辺の長さがXの正方形の断面形
状に整形される。
そして、この光束は、ビームエキスパンダ光学系3を通
過すると、第6図(d)に示すように、光束の断面形状
が二次元的にそれぞれβ倍に拡大される。したがって、
正方形の光束断面形状の一辺の長さはβXの光束に拡大
される。
さらに、ビームエキスパンダ光学系3は、光束を二次元
的に拡大する他に以下のような機能を有している。
このビームエキスパンダ光学系3の機能の1つは振動に
より生ずる光束の傾き角の軽減にある。
第5図(a)に示すように、露光袋W(光源部または照
明部)または露光装置周辺の振動により、光束がビーム
エキスパンダ光学系3にに入射したときの光軸に対して
、θ璽だけ傾いたとする。このとき、このビームエキス
パンダ光学系3を通過する前の傾き角θ、とビームエキ
スパンダ光学系aを通過した後の傾き角θ2との間に、
θ2−θI/βという関係が成り立つ。したがって、振
動の影響によって発生する傾き角θ1をβ分の1に軽減
することができる。
また、もう1つの機能は、レーザー光束には、発散角が
存在し、空気中のビーム距離が長くなると、その発散角
の影響を無視できなくなる。ところが、レーザー光束を
ビームエキスパンダ光学系aに通過させることでこの影
響を軽減することができる。第5図(b)はレーザー光
束がビームエキスパンダ光学系3を通過した時の光路図
である。
第5図(b)に示すように、光源1からのレーザーは、
二次元的な発散角ε、を持っている。この光束がビーム
エキスパンダ光学系3の双方のレンズ3A、3Bを通過
することによって光束の径がβ倍に拡大され、このビー
ムエキスパンダ光学系3を通過する前の発散角e1とビ
ームエキスパンダ光学系3を通過した後の発散角ε2と
の間に、t2=ε1/βという関係が成り立つ、したが
って、光源から出射されるレーザー光束の発散角εrを
β分の1に軽減するこができる 以上のことから、ビームエキスパンダ光学系3は、ただ
単に、光束の断面形状を二次元的に拡大するだけでなく
、ビームの発散角と振動による傾き角とを共に減少させ
ることができる。
また、ビーム整形光学系2についても一次元的ではある
がビームの発散角を押さえる機能を有している。ビーム
整形光学系2は、それぞれ正の屈折力を有するシリンド
リカルレンズ2Aと正の屈折力を有するシリンドリカル
レンズ2Bとからなるケプラー型の構成となっている。
第5図に示すように両シリンドリカルレンズ2A、2B
の母線は互いに平行となるように構成されている。すな
わち、母線を含む面内の光束は、第4図(a)に示すよ
うに屈折することなく、そのまま通過し、この母線に垂
直な面内の光線は第4図(b)の如く屈折する。この場
合、双方のシリンドリカルレンズ2A、2Bの各焦点を
O【点で合致するように配置すれば、両シリンドリカル
レンズによって、第4図(b)に示す母線に垂直な面内
の光線のみが光束幅をα倍に拡大されて再び平行光束と
なって射出され、ビーム整形される。したがって、第6
閾(aン、(b)に示す如く、長辺がX、短辺yの長方
形断面のレーザー光束は、ビーム整形光学系2によって
短辺yのみが拡大されて長辺Xと等しくなる。
さらに、上記の如きビームの拡大方向だけビーム整形光
学系2を通過する前の発散角ε、とビーム整形光学系2
を通過した後の発散角ε4との間に、t4−ε、/αと
いう関係が成り立つ。但し、αは光束拡大方向の倍率で
ある。したがって、光源から出射されるレーザー光束の
発散角ε3をα分の1に軽減することができる。
このように、−辺の長さをβXの正方形の断面形状に拡
大された光束はフライアイインテグレータ4と、このフ
ライアイインテグレータ4による二次光源結像面または
これに近接して設けられた円形の開口を有する絞り(以
下「σ絞り」と称する。)4Aおよびコンデンサーレン
ズ5を介して、レチクル6のパターン領域を均一に照明
する。その際、フライアイインテグレータ4による多数
の輝点によって形成された二次光源も一辺βXのほぼ正
方形の断面形状となっており、σ絞り4Aによって四隅
がカットされてほぼ円形に形成され第6図(e)の如き
形状となる。
レチクル6上のパターンを照明した光束は、投影対物レ
ンズ7の絞りPを通りウェハ8−ヒにパターン像が形成
される。この場合、σ絞り4Aは投影対物レンズ7の入
射瞳Pと共役な位置に設けられており、σ絞り4Aの開
口の像が第6図(f)に示すように入射瞳P内に結像さ
れる。このσ絞り4Aの像T (すなわち、入射瞳Pを
通る光束の断面)の大きさが入射瞳Pに対して0.5〜
0゜7となるようにすると、ウェハ8上で解像力および
コントラストが共に良好なパターン像を得ることができ
る。したがって、σ絞り4Aによりレーザー光束を僅か
にカットするのみで、エキシマレーザ−光源からのレー
ザー光束を最大限に利用して投影露光をfテなうことが
できる。
尚、アフォーカル系として機能するビーム整形光学系2
とビームエキスパンダ光学系3とを上記実施例に示した
ケプラー型に代えてガリレオ型として構成しても良い。
また、本発明の実施例では光源部と照明部とをそれぞれ
別個の防震装置上に設置した場合について説明したが、
光源部と照明部との間隔を大きくとる場合には、照明部
のみに防震装置を設置しても同様な効果が期待できる。
したがって、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ないことは言う・までもない。
〔発明の効果〕
以上の如く、本発明によれば、光源から被照射面までの
光路をビームエキスパンダ光学系の光源側で分離し、こ
のビームエキスパンダ光学系から被照射面までの照明部
を防震装置上に設置することで、露光装置く光源部また
は照明部)または露光装置周辺による振動による光束の
傾きの影響を軽減することができる。しかも、ビームの
進行に伴う発散角の影響も軽減することが可能となる。
したがって、本発明によって、照度の均一性に優れ且つ
光13(jEJ失の少ない従来よりも更に高性能な露光
装置を得ることができる。
さらに、光源部にビーム整形光学系を設ける構成にする
ことでビームの発散角をさらに軽減することができ、光
源とビーム整形光学系との間隔を狭めた時のその効果は
大きい。
尚、本発明はレーザーを光源とし得る他の装置、たとえ
ばアニール装置、CVD装置等の様々な露光装置にも使
用できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による実施例の概略光路図である。 第2回実施例に用いられるエキシマレーザ−光源放電電
極部の斜視図である。 第3図は第2図から出力されるエキシマレーザ−光源の
断面形状を示す平面図である。 第4図の(a)はビーム整形光学系の母線に平行な横断
面図、(b)は(a)の縦断面図、(C)はビームエキ
スパンダ光学系の縦断面図である。 第5図(a)は本発明によりレーザー光束の振動による
レーザー光束の傾き角を防止する原理を示した図、(b
)は本発明によりレーザー光束の発散角を防止する原理
を示した光学図である。 第6図は第1図中のエキシマレーザ−光束の断面シマレ
ーザー光束の断面図である。 (主要部分の符号の説明) ト・・エキシマレーザ−12・・・ビーム整形光学系、
315.ビームエキスパンダ光学系、4・・・フライア
イインテグレータ、4A・・・ σ絞り、5・・・コン
デンサーレンズ、6・・・ レチクル(被照射面)、7
・・・投影レンズ、8・・・ウェハ(基板)、10・・
・第一防震装置、11・・・第二防震装置 E鵞、E2・・・主放電電極 G・・・光束導入口、P・・・入射瞳 Q、R,S・・・反射ミラー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザーを露光用照明光源とする光源部と、該光
    源部からの光束を被照射面に導いて該被照射面のパター
    ンの像を感光基板上に投影する照明部とを有する露光装
    置に於いて、 前記照明部は前記光源部からの震動に対して隔離される
    ように前記光源部とは分離して防震装置上に設置されて
    おり、前記照明部は光束導入口側にビームエキスパンダ
    光学系を有することを特徴とする露光装置。
  2. (2)前記露光装置の光源部は光源と、ビーム整形光学
    系とを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の露光装置。
  3. (3)前記光源部は前記照明部が設置された防震装置と
    は別の防震装置に設置されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第2項記載の露光装置。
JP61280288A 1986-11-25 1986-11-25 露光装置 Pending JPS63133522A (ja)

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JP61280288A JPS63133522A (ja) 1986-11-25 1986-11-25 露光装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02142111A (ja) * 1988-11-24 1990-05-31 Hitachi Ltd 照明方法及びその装置並びに投影式露光方法及びその装置
JP2001085353A (ja) * 2000-08-10 2001-03-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
US7179726B2 (en) 1992-11-06 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and laser processing process
WO2023032038A1 (ja) * 2021-08-31 2023-03-09 ギガフォトン株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び電子デバイスの製造方法

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