JPS6378525A - 光学露光装置 - Google Patents
光学露光装置Info
- Publication number
- JPS6378525A JPS6378525A JP61222642A JP22264286A JPS6378525A JP S6378525 A JPS6378525 A JP S6378525A JP 61222642 A JP61222642 A JP 61222642A JP 22264286 A JP22264286 A JP 22264286A JP S6378525 A JPS6378525 A JP S6378525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens system
- wafer
- reticle
- refractive index
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 9
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は露光光線によりウェーハ上にパターンを投影転
写する光学露光装置において、縮小レンズ系を大気に比
し屈折率変化の少ない気体内に設けることにより、 湿度や気圧等の外部環境による屈折率の変化を防止する
ようにしたものである。
写する光学露光装置において、縮小レンズ系を大気に比
し屈折率変化の少ない気体内に設けることにより、 湿度や気圧等の外部環境による屈折率の変化を防止する
ようにしたものである。
本発明は光学露光装置に係り、特に紫外光によりウェー
ハ上へのパターン転写形成を行なう光学露光装置に関す
る。
ハ上へのパターン転写形成を行なう光学露光装置に関す
る。
ウェーハ上へのパータン転写形成工程は、ＨＢする半導
体素子の性能に大きな影響を与える重要な工程である。
体素子の性能に大きな影響を与える重要な工程である。
このため、この工程に使用される光学露光装置は高信頼
性のものが要求される。
性のものが要求される。
従来より紫外光を用いて、ウェーハ上に微細なパターン
を形成する光学露光装置が知られている。
を形成する光学露光装置が知られている。
この光学露光装置は所定の倍率で拡大製作されているレ
チクルの原画パターンを縮小レンズで縮小し、その光線
をウェーハ上に投影して原画パターンを転写する。
チクルの原画パターンを縮小レンズで縮小し、その光線
をウェーハ上に投影して原画パターンを転写する。
この光学露光装置によれば、フォトマスク上のパターン
配列位置誤差やウェーハの伸縮に影響されずに位買合わ
せを高精度で行なえ、ウェーハ上に微細なパターンを高
精度に形成することができる。
配列位置誤差やウェーハの伸縮に影響されずに位買合わ
せを高精度で行なえ、ウェーハ上に微細なパターンを高
精度に形成することができる。
従来の光学露光装置はその光学系及び光路が大気中に存
在するため、温度や気圧の影響を受は易い。それゆえ縮
小レンズ系のレンズ間の媒質の屈折率も外部環境の変化
に伴い、一定（安定）せず、ＩＣ製造工程では縮率の変
化として現われ、歩留りを低下させるという問題点があ
った。
在するため、温度や気圧の影響を受は易い。それゆえ縮
小レンズ系のレンズ間の媒質の屈折率も外部環境の変化
に伴い、一定（安定）せず、ＩＣ製造工程では縮率の変
化として現われ、歩留りを低下させるという問題点があ
った。
本発明は上記の点に鑑みて０１作されたもので、高信頼
性を得ることが可能な光学露光装置を提供することを目
的とする。
性を得ることが可能な光学露光装置を提供することを目
的とする。
本発明の光学露光装置は、レチクルを通過した露光光線
を縮小してウェーハ上にレチクルの原画パターンを投影
する縮小レンズ系を、屈折率変化が人気に比し小なる屈
折率の気体が充填された筐体内に配置したものである。
を縮小してウェーハ上にレチクルの原画パターンを投影
する縮小レンズ系を、屈折率変化が人気に比し小なる屈
折率の気体が充填された筐体内に配置したものである。
縮小レンズ系を通過する露光光線は、縮小レンズ系が大
気に比し屈折率変化の少ない気体内に配置されであるの
で、気圧、温度等の外部環境による密度の変化は、縮小
レンズ系においては他の大気中での密度の変化に比し小
となる。この結果、縮小レンズ系での外部環境によるレ
ンズ間の媒質の屈折率（以下、単に屈折率という）の変
化が少なく、縮率の変化も小で略一定となる。
気に比し屈折率変化の少ない気体内に配置されであるの
で、気圧、温度等の外部環境による密度の変化は、縮小
レンズ系においては他の大気中での密度の変化に比し小
となる。この結果、縮小レンズ系での外部環境によるレ
ンズ間の媒質の屈折率（以下、単に屈折率という）の変
化が少なく、縮率の変化も小で略一定となる。
図は本発明の一実施例の構成図を示す。図中、光源１よ
り放射された露光光線（例えばｇ線）はコンデンサレン
ズ２を通してレチクル３に照射される。
り放射された露光光線（例えばｇ線）はコンデンサレン
ズ２を通してレチクル３に照射される。
レチクル３は例えば１０倍の大きさで製作された原画パ
ターンで、レチクル３を透過した露光光線は縮小レンズ
系４に入射される。縮小レンズ系４は複数の縮小レンズ
等からなり、筐体５内に収納されである。この筐体５内
にはＨｅ（ヘリウム）ガスが充填されである。Ｈｅガス
は大気に比し外部環境の変化に対する屈折率の変化が小
なる気体である。
ターンで、レチクル３を透過した露光光線は縮小レンズ
系４に入射される。縮小レンズ系４は複数の縮小レンズ
等からなり、筐体５内に収納されである。この筐体５内
にはＨｅ（ヘリウム）ガスが充填されである。Ｈｅガス
は大気に比し外部環境の変化に対する屈折率の変化が小
なる気体である。
従って、従来に比し屈折率の変化が少ないこの縮小レン
ズ系４内を通過する露光光線は縮率の変化が従来に比し
小なる光線となる。
ズ系４内を通過する露光光線は縮率の変化が従来に比し
小なる光線となる。
この縮小レンズ系４により原画パターンを１／１０に縮
小された露光光は、筐体５の外部へ取り出されて窓（図
示せず）を通してウェーハステージ上のウェーハ〇に照
射される。ウェーハ６は、ＸＹステージ（図示せず）に
より定寸送りされる毎に上記の縮小された原画パターン
が転写される。
小された露光光は、筐体５の外部へ取り出されて窓（図
示せず）を通してウェーハステージ上のウェーハ〇に照
射される。ウェーハ６は、ＸＹステージ（図示せず）に
より定寸送りされる毎に上記の縮小された原画パターン
が転写される。
上述の如く、本発明によれば、縮小レンズ系での外部環
境（気圧、温度）の変化による屈折率の変化が少なく、
それに伴う縮率の変化も略一定とすることができるため
、歩留りを向上できると共に高信頼性が１！７られ、今
後のシー１１−露光装置にも適用でき、ＶＬＳｌ、ＵＬ
Ｓｌ、ＶＨＬＳＩの製造に好適である等の特長を有する
ものである。
境（気圧、温度）の変化による屈折率の変化が少なく、
それに伴う縮率の変化も略一定とすることができるため
、歩留りを向上できると共に高信頼性が１！７られ、今
後のシー１１−露光装置にも適用でき、ＶＬＳｌ、ＵＬ
Ｓｌ、ＶＨＬＳＩの製造に好適である等の特長を有する
ものである。
図は本発明の一実施例の構成を示す図である。
図において、
１は水銀ランプ光源、
３はレチクル、
４は縮小レンズ系、
５は筐体、
６はウェーハである。
、１・１、
代理人 弁理士 井 桁 員 −二′ ・−１、
′ で−一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 露光光線によりウェーハ上にパターンを投影転写する光
学露光装置において、 レチクルを通過した露光光線を縮小してウェーハ上に該
レチクルの原画パターンを投影する縮小レンズ系（４）
を、屈折率の変化が大気に比し小なる屈折率の気体が充
填された筐体（５）内に配置したことを特徴とする光学
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222642A JPS6378525A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 光学露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222642A JPS6378525A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 光学露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378525A true JPS6378525A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16785651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61222642A Pending JPS6378525A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 光学露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378525A (ja) |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP61222642A patent/JPS6378525A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100632890B1 (ko) | 리소그래피 장치 등을 위한 마스크 클램핑장치 | |
| US5459000A (en) | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method | |
| JP2003092253A (ja) | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| US20030147155A1 (en) | Optical element holding device | |
| JPH10142555A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS60205453A (ja) | フオトマイクロリソグラフイ装置 | |
| JPH0430411A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS6378525A (ja) | 光学露光装置 | |
| Mayer et al. | A new step-by-step aligner for very large scale integration (VLSI) production | |
| US7190436B2 (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus | |
| JPS62122126A (ja) | 露光方法 | |
| JP2001291663A (ja) | 露光方法及び装置、ステージモジュール、露光装置の製造方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JPH0430412A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS6378524A (ja) | 光学露光装置 | |
| JP2000208406A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS63197333A (ja) | パタ−ン形成方法及び装置 | |
| US20050122492A1 (en) | Exposing method, exposing apparatus and device manufacturing method utilizing them | |
| JPH0374505B2 (ja) | ||
| JPS6378526A (ja) | 光学露光装置 | |
| JP2789706B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH04314321A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0550849B2 (ja) | ||
| JPH04352410A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62296135A (ja) | 縮小投影型露光装置 | |
| JP2852227B2 (ja) | 縮小投影露光装置 |