JPH0430411A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH0430411A
JPH0430411A JP2136829A JP13682990A JPH0430411A JP H0430411 A JPH0430411 A JP H0430411A JP 2136829 A JP2136829 A JP 2136829A JP 13682990 A JP13682990 A JP 13682990A JP H0430411 A JPH0430411 A JP H0430411A
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は投影露光装置に関し、特にIC。
LSI等の半導体素子を製造する際にレチクル面上の電
子回路パターンをウニ八面上に投影光学系により投影す
るときの歪曲誤差や投影倍率誤差等の光学性能を良好に
補正し、高精度な投影パターン像が得られる投影露光装
置に関するものである。
(従来の技術) 従来よりIC,LSI等の半導体素子製造用の焼付装置
(アライナ−)においては非常に高い組立精度と光学性
能が要求されている。
このうち電子回路パターンが形成されているレチクルと
ウェハとを重ね合わせる際のマツチング精度は特に重要
になっている。このマツチング精度に最も影響を与える
一要素に投影光学系の投影倍率誤差と歪曲誤差がある。
投影倍率誤差や歪曲誤差は所望の格子点と投影パターン
の格子点との差として現われる。本出願人は特開昭62
−35620号公報において光学手段を用いて像歪誤差
を減少させて投影倍率を補正した手段を有するアライナ
−を提案している。
ところで最近のアライナ−に用いられるパターン寸法は
年々微細化されており、それに伴いマツチング結反もよ
り高精度なものが要求されてきている。この為投影光学
系の投影倍率誤差と歪曲誤差を更に僅少にすることが要
望されている。
現在の投影光学系の投影倍率誤差と歪曲誤差は投影光学
系の製造工程上の調整及び装置の設置時の調整により補
正されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら投影光学系の投影倍率誤差や歪曲誤差等は
組立誤差や周囲の環境、特に気圧や温度によって変化す
る。又投影光学系はウニへの露光時に露光エネルギーを
吸収し、光学要素(例えば屈折率、形状)が変化し、こ
れによっても投影倍率誤差や歪曲誤差等が変化してくる
これらの光学性能の双方を良好に補正するのは難しく、
従来の投影露光装置では例えば気圧や温度変化、光吸収
等による歪曲誤差が残留していたり、投影倍率誤差を補
正する際に歪曲誤差が発生したりして投影倍率誤差と歪
曲誤差の双方を完全に補正することが大変難しかった。
本発明はレチクル面上のパターンを投影光学系によりウ
ニ八面上に投影する際、投影倍率誤差と歪曲誤差の双方
を良好に補正し、高い光学性能が容易に得られる投影露
光装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明の投影露光装置は、照明系からの光束で照明され
た第1物体面上のパターンを投影光学系を介して第2物
体面上に投影する際、該投影光学系の少なくとも1つの
レンズ系を光軸方向に移動させるか又は/及び該投影光
学系と該第1物体とを相対的に光軸方向に移動させるよ
うにした駆動手段と、該照明系からの光束の発振波長を
変化させる波長可変手段とを利用して、該第1物体面上
のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影する
際の光学性能を調整したことを特徴としている。
特に本発明では、光学性能として投影倍率誤差と歪曲誤
差を良好に補正していることを特長としている。
(実施例) 第1図は本発明の投影露光装置の一実施例を示す概略図
である。
第1図において1は回路パターンが描かれた第1物体と
してのレチクル、2はレチクル1を吸着保持するレチク
ルチャック、3はレチクルチャック2に取り付けたレチ
クル駆動装置、4はレチクル駆動装置3を支持するレチ
クルステージ、5は縮少型の投影レンズ系、6A、6B
は各々投影レンズ系5を構成する部分レンズ系のフィー
ルドレンズである(以下「フィールドレンズ6A、フィ
ールドレンズ6BJと称す。)。
7はレンズ系であり、投影レンズ系5の一部を構成して
いる。8A、8Bは各々レンズ駆動装置であり、フィー
ルドレンズ6A、6Bを投影レンズ系5の光軸AX方向
に移動させている。9はレジスト等の感材か塗布された
第2物体としてのウェハ、10はウェハ9を吸着保持す
るウェハチャック、11はウェハチャック10に取付け
たウェハ駆動装置である。
えば圧電素子等から成り、レチクル駆動装置3によりレ
チクルチャック2を投影レンズ系5の光軸AX方向に変
位せしめてレチクル1を光軸AX方向に移動させ、ウェ
ハ駆動装置11によりウェハチャック10を投影レンズ
系5の光軸AX方向に変位せしめてウェハ9を光軸AX
方向に移動させる。12はウェハ駆動装置11を支持し
、投影レンズ系5の光軸AXに直交する面内で移動可能
なウェハステージを示す。
一方、レンズ駆動装置8A、8Bは空気圧や圧電素子等
を利用してフィールドレンズ6A、6Bを投影レンズ系
5の光軸AX方向に移動させるものである。レンズ駆動
装置8A、8Bの具体的な構造は本件出願人による特開
昭62−32613号公報に開示されているので、ここ
では説明を省略する。
レチクル駆動装置3によるレチクルチャック2の駆動は
レチクル駆動制御系13からの信号に基づいて行なわれ
、この時レチクル1の光軸AX方向の位置がレチクル位
置検出器15により検出される。又、同様にレンズ駆動
装置8A、8Bによるフィールドレンズ6A、6Bの駆
動はレンズ駆動制御系16A、16Bから信号に基づい
て行なわれ、この時フィールドレンズ6A、6Bの光軸
AX方向に位置がレンズ位置検出器17A。
17Bにより検出される。レチクル位置検出器15とレ
ンズ位置検出器17A、17Bは光学式エンコーダ等の
各種の位置検出器で構成することができる。
又、ウェハ駆動装置11によるウェハチャック10の駆
動はウェハ駆動制御系14からの信号に基づいて行なわ
れ、この時ウェハ9(の表面)の光軸AX方向の位置は
フォーカス検出器18により検出される。フォーカス検
出器18は、この種の投影露光装置で従来から使用され
てきた例えばエアーセンサーや光学式センサーで構成さ
れている。レチクル位置検出器15、レンズ位置検出器
17A、17B及びフォーカス位置検出器I8からの各
信号はマイクロプロセッサ−23へ入力される。一方、
投影レンズ系5の周囲の気圧、気温5温度の変化を検出
するために気圧センサー19、温度センサー20、湿度
センサー21が設けられ、投影レンズ系5の光吸収によ
る温度変化を検出するためにレンズ温度センサー22が
設けられてあり、これら各種センサー19,20゜21
.22からの信号もマイクロプロセッサ−23へ人力さ
れる。
又、レチクル駆動制御系13、レンズ駆動制御系16A
、16B及びウェハ駆動制御系14はマイクロプロセッ
サ−23により制御される。
以上のうち各要素13,14,15,16A。
16B、17A、17Bは駆動手段の一部を構成してい
る。
24はレチクル1の回路パターンを均一な照度で照明す
る照明系を示し、照明系24は波長λ=248.4nm
のレーザー光を放射するKvFエキシマレーザ−を、露
光用の光源として具備している。照明系24からのレー
ザー光はレチクル1と投影レンズ系5を介してウェハ9
上に向けられ、ウェハ9上にレチクルlの回路パターン
像が投影されることになる。
本実施例では遠紫外域の波長を有するレーザー光で投影
露光を行なうために投影レンズ系5を構成する各レンズ
を波長λ=248.4nmの光に対して高い透過率を備
えた合成石英(SiO2)で製造している。
次に本実施例における照明系24の各要素について説明
すると27はレーザー光源であり、後述する波長選択素
子駆動制御系32により発振波長が制御された光束を放
射している。25はコンデンサーレンズであり、レーザ
ー光源27からの光束をミラー26で反射させてレチク
ル1面上を均一照明している。
レーザー光源27はレーザー共振器28と波長選択素子
29を有している。30は波長選択素子駆動装置、31
は波長選択素子角度検出器、32は波長選択素子駆動制
御系である。
第2図は第1図のレーザー光源27の要部概略図である
。波長選択素子29はプリズム、グレーティング、エタ
ロンなどを使用することにより波長帯域の狭帯域化を可
能としている。同時にプリズム後の反射鏡、グレーティ
ング、エタロンの角度を変えることによってレーザー共
振器の本来の波長帯域範囲内で波長を変えることが可能
である。
波長選択素子駆動装置30はステップモータあるいは圧
電素子等から成り、波長選択素子駆動制御系32からの
信号に基づいて駆動する。この時波長選択素子29の角
度が波長選択素子角度検出器31により検出される。波
長選択素子角度検出器31は例えば光学式エンコーダな
どの各種角度検出器で構成できる。波長選択素子角度検
出器3!からの信号はマイクロプロセッサ−23へ人力
される。又波長選択素子駆動制御系32はマイクロプロ
セッサ−23により制御される。
本実施例では以上のような構成により投影レンズ系5と
は独立に、後述するようにしてレーザー光源27からの
発振波長を変化させるようにして装置全体の簡素化を図
っている。
第3図は第1図の投影レンズ系5の具体的なしンズ構成
のレンズ断面図である。同図においてはレチクル1とウ
ェハ9の間に、符号G、〜GI2で示される12枚のレ
ンズが光軸AXに沿って配列されて投影レンズ系5が構
成されている。
第3図に示す投影レンズ系のレンズデータな表−1に示
す。表−1中、R,(i=1〜24)はレチクル1側か
ら順に数えて第i番目の面の曲率半径(mm)を、D、
はレチクル1側から順に数えて第i番目と第i+1番目
の面間の軸上肉厚又は軸上空気間隔(mm)を、N1 
(i=1〜12)はレンズGl (i=1〜12)の屈
折率を示す。又、Slはレチクル1の回路パターン面と
レンズG、のレチクル1側のレンズ面との間の軸上空気
間隔を、S2はレンズG12のウェハ9側のレンズ面と
ウェハ9表面との間の軸上空気間隔を示す。
表 1@100.00000 表−2は表−1に示した投影レンズ系においてレチクル
1とレンズ01間の軸上間隔S1、レンズG12とウェ
ハ9間の軸上空気間隔52及び互いに隣接するレンズG
1とGH,、(i=1〜11)間の軸上空気間隔D2.
(i=1〜11)を各々個別に1mm変化させた時、更
に露光用光源の波長λをlnm変化させたときの投影レ
ンズ系の像面の像高10mmの位置における像点の対称
歪曲収差の変化に伴なうシフト量ΔSD(以下、「対称
歪曲変化量ΔSDJと称す。)と投影倍率の変化に伴な
うシフト量Δβ(以下、「投影倍率変化量Δβ」と称す
。)及び両者の比1ΔSD/Δβ1を示す。尚、投影レ
ンズ系の光軸から離れる方向に像点かシフトしたものを
正とし、投影レンズ系の光軸に近づく方向に像点がシフ
トしたものを負の符号を付している。
表 本実施例は表−2に基づいて間隔D2、(ix1〜11
)と波長λの2種類の変数のうち波長λと他の1つ又は
2つ以上の変数としての間隔の少なくとも1つの値を調
整して投影倍率と対称歪曲の双方を調整するようにした
ことを特長としている。
今、2つの変数なX、Yとし、それぞれの変化量をΔX
、ΔYとする。更にそれぞれの変数の表−2に対応した
対称歪曲の変化量をΔSDx。
ΔSDY、投影倍率の変化量をΔβ8.Δβ、とすると
全系での対称歪曲の変化量ΔS D TOTと投影倍率
の変化量Δβ7゜7は各々次式で表わすことができる。
従ってΔX、ΔYが次の式て与えられる。
但しに−(ΔSO,−Δβ1−Δ50Y−Δβx)−1
(2)式からある歪曲誤差ΔS D TOT及び投影倍
率誤差ΔβToアが発生した場合、間隔D2t(i=1
〜1真)と波長λのうち2つの変数X、Yを選択すると
(2)式からそれぞれの変化させるべき量ΔX、ΔYが
求まり、歪曲誤差及び投影倍率誤差を同時に補正するこ
とが可能となる。
次に第1図に示す投影露光装置において具体的にレチク
ル1面上のパターンをウェハ9面上に投影する際の投影
倍率誤差と歪曲誤差の補正方法について説明する。
マイクロプロセッサ−23はそのメモリ内に投影レンズ
系5の投影倍率変化量ΔβTOTと歪曲変化量ΔS D
 TOTを求めるための計算式がプログラムされており
、各々の計算式は気圧、気温、湿度、及び投影レンズ系
5の温度の予め決めた基準値からの変動量が変数となっ
ている。又このメモリには上述の計算式(2)もプログ
ラムされており、Δβア。アとΔ5DTOアの値を計算
式(2)に代入することにより、変数X及び変数Yの変
化させるべき量ΔX、ΔYを求める。
尚、ΔβTOTとΔS D TOTの値を気圧、気温、
湿度及び投影レンズ系5の温度変化に基づいて求める計
算式はシュミレーションによる計算や実験により導出す
ることができる。
一方、投影レンズ系5によるパターン像のフォーカス位
置は投影レンズ系5の周囲の気圧、気温、湿度及び投影
レンズ系5の温度に依存して変化し、これに加えて変数
X及び変数Yの設定状態にも依存して変化する。従って
本実施例ではこれらの変動要因に基づいて投影レンズ系
5のフォーカス位置変動量を求めるための計算式をマイ
クロプロセッサ−23のメモリ内にプログラムし、この
計算式に基づいてフォーカス位置を正確に把握するよう
にしている。
マイクロプロセッサ−23は気圧センサー19、温度セ
ンサー20、湿度センサー21、レンズ温度センサー2
2からの気圧、気温、湿度、レンズ温度に対応する各信
号を受けて上述の所定の条件式に基づいて変数X及び変
数Yの変化させるべき量ΔX、ΔYを求める。
一方、変数X及び変数Yの位置検出器(波長選板素子角
度検出器31、レチクル位置検出器15、レンズ位1置
検出器17A、17B)からの変数X及び変数Yの位置
に対応した信号がマイクロプロセッサ−23へ人力され
る。マイクロプロセッサ−23は変数X及び変数Yの変
化させるべき量ΔX、ΔYに対応する信号を変数X及び
変数Yの駆動制御系(波長選択素子駆動制御系32、レ
チクル駆動制御系13、レンズ駆動制御系16A、16
B)へ入力する。そして変数X及び変数Yの各駆動制御
系が各駆動装置に所定の制御信号を与え、変数X及び変
数Yの変化させるべき量ΔX、ΔYの駆動が行なわれる
。この変数ΔX、ΔYの駆動により投影レンズ系5の周
囲の気圧、気温、湿度、及び投影レンズ系5の温度など
の変動に基づくパターン像の投影倍率誤差と歪曲誤差が
補正される。
又、マイクロプロセッサ−23は変数X及び変数Yの位
置検出器、気圧せンサー19、温度センサー20、湿度
センサー21、及びレンズ温度センサー22からの信号
に基づいて投影レンズ系5によるパターン層のフォーカ
ス位置を検出しフォーカス位置検出器18からのウェハ
9(の表面)の位置に応じた信号に基ついて、ウェハ9
がフォーカス位置に位置決めされるようにウェハ駆動制
御系14を制御する。ウェハ駆動制御系14は所定の制
御信号をウェハ駆動装置11に与え、ウェハ駆動装置1
1によりウェハ9を光軸AX方向に移動させて、パター
ン像のフォーカス位置にウェハ9を位置付ける。
以上述べた動作で、パターン像の投影倍率を予め決めた
倍率に補正し、パターン像の歪曲を所定の許容範囲内に
抑えることにより、前工程でウェハ9上に形成されたパ
ターンとパターン像とを正確に重ね合わせることができ
る。又ウェハ9の位置とパターン像のフォーカス位置も
合致せしめられるのでウェハ9上に鮮明なパターン像を
投影することが可能になる。
本実施例ではパターン像の投影倍率及び歪曲の気圧、気
温、湿度及びレンズ温度の変動に伴なう変化を検出する
ために気圧センサー19、温度センサー20、湿度セン
サー21、レンズ温度センサー22からの出力信号を利
用していたが、投影レンズ系5により投影された又は現
像不要の媒体に記録されたパターン像を撮像装置で撮像
し、パターン像の大きさ及び形状に基づいてパターン像
の投影倍率及び歪曲誤差の変化を検出するようにしても
良い。この時現像装置をウェハステージ12に付設して
おけば、所望の時期にパターン像の投影倍率や歪曲の変
化を検出することができ、投影露光装置の構成も複雑に
ならない。
又、本実施例においてはレチクル1又は投影レンズ系5
のうち少なくとも1つのレンズ系を光軸上移動させれば
良く、必ずしもレチクル1やフィールドレンズ6A、6
B、レンズ系7等の全てを光軸上移動させる必要はない
尚、本実施例では投影倍率誤差及び歪曲誤差を補正する
為に変数を2つ用いた場合を示したが3つ以上の変数を
用いて行っても良い。3つ以上の変数を用いる方法は変
数の駆動量に限界がある場合に特に有効である。この時
コマ収差、像面弯曲等、他収差の変動量が小さいパラメ
ータを選択したり、特定の収差を相殺するような組合せ
を選択すると全系の収差が良好に保たれる。
第1図に示すフィールドレンズ6A、6Bは1枚に限ら
ず複数個のレンズより構成しても良い。
(発明の効果) 本発明によれば投影光学系の少なくとも−・部のレンズ
系を光軸上移動させるか又は/及び第1物体と投影光学
系とを相対的に光軸上移動させると共に照明系からの光
束の発振波長を変化させることにより、第1物体に描か
れたパターンの投影光学系によるパターン像の投影倍率
と歪曲を正確に調整することができる。従って投影光学
系の周囲の気圧変動や温度変動等によりパターン像の投
影倍率や歪曲が変化して誤差が生じても、パターン像の
投影倍率誤差や歪曲誤差の双方を良好に補正することが
できる投影露光装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の投影露光装置の一実施例を示す概略図
、第2図は第1図のレーザー光源の説明図、第3図は第
1図の投影レンズ系の具体的なレンズ構成を示すレンズ
断面図である。 図中、1はレチクル、2はレチクルチャック、3はレチ
クル駆動装置、4はレチクルステージ、5は投影レンズ
系、6A、6Bはフィールドレンズ、7はレンズ系、8
A、8Bはレンズ駆動装置、9はウェハ、10はウェハ
チャック、11はウェハ駆動装置、12はウェハステー
ジ、13はレチクル駆動制御系、14はウェハ駆動制御
系、15はレチクル位置検出器、16はレンズ駆動制御
系、17A、17Bはレンズ位置検出器A。 B、18はフォーカス位置検出器、19は気圧せンサー
、20は温度せンサー 21は湿度せンサー 22はレ
ンズ温度せンサー、23はマイクロプロセッサ、24は
照明系、25はコンデンサーレンズ、26はミラー、2
7はレーザー光源、28はレーザー共振器、29は波長
選択素子、 30は波長選択素子駆動装置、 1は波長選 択素子角度検出器、 2は波長選択素子駆動制御 系である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)照明系からの光束で照明された第1物体面上のパ
    ターンを投影光学系を介して第2物体面上に投影する際
    、該投影光学系の少なくとも1つのレンズ系を光軸方向
    に移動させるか又は/及び該投影光学系と該第1物体と
    を相対的に光軸方向に移動させるようにした駆動手段と
    、該照明系からの光束の発振波長を変化させる波長可変
    手段とを利用して、該第1物体面上のパターンを投影光
    学系により第2物体面上に投影する際の光学性能を調整
    したことを特徴とする投影露光装置。
  2. (2)前記光学性能は投影倍率と歪曲であることを特徴
    とする請求項1記載の投影露光装置。
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