KR20030076200A - 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 - Google Patents

리소그래피장치 및 디바이스제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030076200A
KR20030076200A KR1020020081049A KR20020081049A KR20030076200A KR 20030076200 A KR20030076200 A KR 20030076200A KR 1020020081049 A KR1020020081049 A KR 1020020081049A KR 20020081049 A KR20020081049 A KR 20020081049A KR 20030076200 A KR20030076200 A KR 20030076200A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical component
actuator
reaction mass
projection system
projection
Prior art date
Application number
KR1020020081049A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100588119B1 (ko
Inventor
콕스헨드리쿠스헤르만마리에
아우어프랑크
판데르비요스트마르크빌헬무스마리아
얀센바스티앙슈테파누스헨드리쿠스
프랑켄도미니쿠스야코부스페트루스아드리아누스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20030076200A publication Critical patent/KR20030076200A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100588119B1 publication Critical patent/KR100588119B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Vibration Prevention Devices (AREA)

Abstract

반작용매스(14; 54; 64) 및 액추에이터(15; 55; 65)는 리소그래피투영장치의 투영시스템내의 광학구성요소(10; 50; 60)의 원치 않는 진동을 줄이는 데 사용된다. 반작용매스(14; 54; 64)는 광학구성요소(50; 60)에만 기계적으로 연결될 수 있거나 투영시스템 프레임(11)에 유연하게(compliantly) 장착될 수 있다.

Description

리소그래피장치 및 디바이스제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 관한 것이다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는, 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며 본 명세서에서도 참조자료로 채용된다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피쳐의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화,화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선의 투영빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여 임의의 이들 디자인방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함하고, 이러한 구성요소들은 이후 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈" 또는 "투영시스템 구성요소"라고 언급될 수 있다. 상술된 바와 같은 리소그래피투영장치의 투영시스템은 매우 높은 정밀성을 가지고 또한 투영된 이미지에 예를 들어, 광수차 또는 변위오차와 같은 오차를 유도하지 않으면서 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영해야만 한다. 투영시스템내의 굴절 및/또는 반사구성요소는 (예를 들어, 3개의 직교축선에 따른 선형변위 및 3개의 축선을 중심으로 한 회전변위를 포함할 수도 있는) 광학구성요소당 1이상(6개까지)의 자유도로 정확히 위치될 필요가 있을 수 있다. 반사광학기를 포함하는 투영시스템은 예를 들어, Williamson의 US 5,815,310호 및 US 5,956,192호에 개시되어 있으며, 모두 본 명세서에서 인용참조 되고 있다.
이러한 투영시스템 구성요소의 위치설정의 정확성은 투영시스템 및 투영시스템프레임내의 진동 및 그 밖의 위치노이즈(positional noise)에 의하여 영향을 받을 수 있다. 위치노이즈는 예를 들어, (음향노이즈, 바닥잔류진동 및 베이스프레임과 투영광학기시스템사이의 방진시스템 및 현가장치(suspension system)를 통하여 전달되는 스캔 반작용력과 같은) 투영시스템에 대한 외부영향에 의하여, 또한 투영시스템 구성요소의 위치를 조정하는 데 사용되는 액추에이터의 반작용력과 같은 내부영향에 의하여 형성될 수 있다. 광학구성요소는 투영시스템의 공통프레임에 직접 장착될 수도 있고 공통프레임에 장착되어 있는 서브프레임에 장착될 수도 있다. 또한, 상기의 고려사항은 그안에 장착되어 있는 방사선시스템 및 광학구성요소에도 적용할 수 있다.
본 발명의 목적은 각각의 투영시스템 구성요소 또는 방사선시스템 구성요소가 장착되어 있는 투영시스템 또는 방사선시스템내의 임의의 섭동력(disturbing force) 및/또는 변위의 영향을 줄이는 수단을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 리소그래피투영장치를 도시하는 도면;
도 2는 프레임에 장착된 3개의 반사기를 도시한, 도 1의 장치의 투영시스템의 상세도;
도 3은 1개의 서브프레임 및 1의 자유도를 갖는 2개의 반작용매스를 통하여 투영시스템 프레임에 장착된 광학구성요소를 도시하는 도면;
도 4는 서브프레임없이 1의 자유도를 갖는 2개의 반작용매스를 통하여 투영시스템 프레임에 장착된 광학구성요소를 도시하는 도면;
도 5는 1개의 서브프레임 및 2의 자유도를 갖는 단일의 반작용매스를 통하여 투영시스템 프레임에 장착된 광학구성요소를 도시하는 도면;
도 6은 반작용매스로서 작용하는 공통프레임을 통하여 투영시스템 프레임에 장착된 2개의 광학구성요소를 도시하는 도면;
도 7은 1개의 서브프레임 및 1의 자유도를 갖는 2개의 반작용매스를 통하여 투영시스템 프레임에 장착된 능동제어된 표면을 갖는 광학구성요소를 도시하는 도면;
도 8은 본 발명의 제2실시예에서 사용되는, 투영시스템 프레임상에 투영시스템 구성요소를 장착하기 위한 마운트를 도시하는 도면;
도 9는 도 3에 도시된 마운트의 변형례를 도시하는 도면.
본 발명에 따라 서두문에 상술된 바와 같은 리소그래피투영장치로,
상기 투영 및 방사선시스템 중 적어도 하나는 액추에이터에 의하여 적어도 1개의 자유도로 이동할 수 있는 반작용매스(reaction mass)에 연결된 적어도 하나의 광학구성요소를 포함하고, 상기 액추에이터는 반작용매스와 광학구성요소 사이에서 1이상의 자유도로 광학구성요소의 위치를 제어하는 데 사용되기 위한 힘을 가하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치에서 상기 목적과 또 다른 목적이 달성된다.
따라서, 본 발명은 광학(투영 또는 방사선)시스템내의 (투과, 및 반사)광학구성요소의 서브-나노미터 위치제어를 가능하게 하는 수단을 제공할 수 있다. 이는 광학시스템의 프레임에 대한 광학구성요소의 상대적인 위치를 1이상(6까지)의 자유도의 위치제어함으로써 행해진다. 투영시스템 또는 방사선시스템내의 광학구성요소에 대한 크게 개선된 위치정확성에 대응하여 묘화품질도 개선된다.
본 발명의 이 실시형태의 바람직한 실시예에서, 반작용매스는 투영시스템의 프레임과 같은 장치의 프레임에 유연하게 장착되며, 반작용매스와 광학구성요소 사이에 액추에이터에 의하여 가해진 힘에 대한 반작용은 소정 위치로 광학구성요소를움직이는 데 사용된다. 이는 장치의 나머지부분, 즉 다른 광학구성요소에 맞춰 광학구성요소의 위치를 조정할 때에, 액추에이터에 의하여 발생된 진동의 전달을 방지할 수 있다. 또한, 투영시스템 또는 방사선시스템에서의 진동, 예를 들어 투영 또는 방사선시스템의 외부원인에 의하여 발생된 진동이 광학구성요소에 전달되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 이 실시형태의 더욱 바람직한 실시예에서는, 반작용매스는 광학구성요소에만 연결되고, 광학구성요소의 움직임을 검출하기 위해서 가속도계가 사용된다. 가속도계로부터 얻은 데이터를 사용함으로써, 반작용매스와 광학구성요소 사이에서 액추에이터에 의하여 가해진 힘에 대한 반작용은 광학구성요소의 움직임을 줄이는 데 사용될 수 있다. 이것은 광학구성요소에서의 임의의 잔류진동을 줄일 수 있어 유리하다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로는 방사선감응재층으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,
- 액추에이터는 적어도 1의 자유도로 이동할 수 있는 반작용매스와, 투영시스템 및 방사선시스템 중 적어도 하나의 광학구성요소 사이에 연결되고;
- 액추에이터에 의하여 반작용매스와 광학구성요소 사이에 가해진 힘을 사용하여 광학구성요소의 위치를 제어하는 단계를 특징으로 하는 디바이스제조방법이 제공된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 극자외선(EUV)방사선(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)을 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
첨부된 개략적인 도면을 참조로 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예를 서술한다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, EUV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PM)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 거울그룹)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflective type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 방전 또는 레이저 생성 플라즈마원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 조정하는 수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사원(LA)이 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 두 시나리오 모두를 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며,전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2에는 예시의 방식으로 광학시스템 프레임내에 장착되어 있는 3개의 반사광학구성요소로 투영시스템이 도시되어 있다. 장치에서, 투영시스템은 도 2에 도시된 방식으로 각각 장착되어 있는 더 많은, 예를 들어 4개 또는 6개의 반사기를 포함할 수 있다. (반사기의 경우) 광학구성요소(M1, M2, M3)는 바람직하게 6의 자유도로 거울을 정확히 위치설정할 수 있는 각각의 위치설정시스템을 통하여 프레임(17)에 장착되어 있다. 서브-나노미터 위치정확성을 위해서, 각각의 광학구성요소를 제어하는 위치루프는 서보루프(servo loop)내에 보이는 기계 고유주파수에 의하여 물리적으로 제한되는 높은 서보대역폭(servo bandwidth)을 가져야만 한다. 광학구성요소 자체는 비교적 소형이고, 비교적 단순한 기계구조(mechanics)를 가지므로, 다이나믹스(dynamics)는 높은 내부 기계 고유주파수(예를 들어, >1000㎐)로 설계될 수 있다. 하지만, 수개의 광학구성요소를 포함할 수도 있는 광학시스템 프레임(17)은 통상적으로 크기 때문에, 높은 내부 기계 고유주파수(<<1000㎐)를 가질 수 없다.
액추에이터(15)는 광학구성요소(10)를 구동하고, 그것의 내부 다이나믹스를 여기시킨다. 대응하는 반작용(제어)력은 광학시스템 프레임(17)상에 직접 작용하고 및/또는 대응하는 반작용(제어)력은 서브프레임(11)이 광학서브프레임(11) 및 광학시스템 프레임(17)의 내부 다이나믹스를 여기시킬 것이다. 서보(13)에 의하여 측정된 구성요소의 위치가 광학시스템 (서브)프레임에 대한 광학구성요소의 위치이기 때문에, 이 위치측정은 광학구성요소(10)의 다이나믹스 및 광학서브프레임(11)(있을 경우)과 광학시스템 프레임(17)의 다이나믹스를 포함한다. 광학시스템 프레임(연결부(18)로 도시됨)의 다이나믹스는 성취가능한 서보-대역폭, 즉, 거울의 위치설정 정확성에 엄격한 제한을 둘 것이다.
본 발명에 따르면, 광학프레임의 까다로운 다이나믹스가 반작용(제어)력과 (도 3에 도시된) 광학서브프레임(11) 또는 (도 4에 도시된) 광학시스템 프레임(17) 사이에 반작용매스(14)를 도입함으로써 서보루프로부터 제거될 수 있다. 상기 배치에 의하여, 반작용매스(14)(및 부속물(16))의 고유주파수(통상 5-20㎐)는 광학시스템 프레임으로 반작용력을 전달하는 기계식 저역필터를 형성한다. 반작용매스 고유주파수보다 낮은 주파수를 갖는 반작용력은 광학시스템 프레임에 직접 전달된다. 하지만 상기 주파수보다 높은 모든 반작용력은 저역필터링되고(롤오프=-40dB/decade), 광학시스템 다이나믹스를 여기시킨다. 제어안정성에 대한 효과는서보루프가 광학시스템 프레임 및 서브프레임의 다이나믹스를 포함하지 않는다는 것이다. 따라서, 서보루프는 광학구성요소의 고주파수 다이나믹스 및 제어안정성에 대한 문제를 유발하지 않는 반작용매스의 저주파수 다이나믹스(통상 대략 10㎐에서)의 몇가지 작은 효과만을 포함하기 때문에, 매우 높은 대역폭을 가질 수 있다. 그러므로, 광학시스템 프레임의 저주파수 다이나믹스에도 불구하고, 높은 서보대역폭 및 그에 따른 높은 위치설정 정확성이 가능하다.
광학구성요소를 장착하는 2개의 대안적인 장치가 도 3 및 도 4에 상세히 도시되어 있다.
도 3은 거울과 같은 투영시스템 구성요소(10)용 마운트를 도시하며, 서브프레임(11)을 거쳐 투영시스템(PL)내에 투영시스템 프레임(11)에 그것을 고정한다. 개략적으로 도시된 시스템은 2의 자유도로 거울의 위치를 조정할 수 있다. 2의 자유도는 제1방향(도 2에 도시된 수직방향)으로의 선형변위 및 (도 2의 평면에 직각인) 제2방향을 중심으로 한 회전변위로 주어진다. 일반적으로는, 더 많은 자유도, 즉 6(3개의 병진 및 3개의 회전)의 자유도가 각 거울에 요구될 것이다. 또한, 투영시스템은 수개의 투영구성요소를 포함할 것이다. 도 2에 도시되지 않은 이들 자유도는 적절한 변경에 의한 대응하는 방식으로 이룩될 수 있다.
투영시스템 구성요소(10)는 예를 들어, 도 3에 도시된 기계적 스프링일 수 있는 중력보상기(12)에 의하여 지지될 수도 있고, 공압원리, 영구자석 또는 다른 적절한 수단에 기초할 수 있다. 중력보상기의 목적은 중력에 맞서 투영시스템 구성요소를 지지하고, 투영시스템 구성요소(10)를 위치시키는 데 사용되는 액추에이터(15)에 의하여 가해질 힘을 감소시켜, 액추에이터의 동력소산을 줄이는 것이다. 수직모터의 냉각이 충분히 양호한 경우, 추가 중력보상기는 필요하지 않으며, 중력은 모터력에 의하여 보상될 수 있다. 위치설정 액추에이터(15)는 로렌츠힘 모터인 것이 바람직하다. 액추에이터(15)는 낮은 서스팬션 주파수(suspension frequency)를 갖는 스프링(16)(또는 대안적인 탄성수단)을 구비한 투영시스템 프레임(11)에 유연하게 장착되는 반작용매스(14)에 대하여 작동한다. 반작용매스의 서스팬션의 공명주파수는 일반적으로 예를 들어 10㎐ 정도로 0 내지 100㎐의 범위내에 있는 것이 바람직하다. 이러한 마운트는 소프트 마운트로 칭해질 수 있다. 반작용매스는 자석 또는, 바람직하게 열원이 광학구성요소로부터 멀리 떨어져 있도록 로렌츠힘 모터의 모터코일을 포함한다. 또한, 로렌츠힘 모터 및 중력보상기의 기술적 배경은 예를 들어, EP 1,001, 512A에 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
위치센서(13)는 서브프레임(11) 또는 직접 투영시스템 프레임(17)에 대하여 투영시스템 구성요소(10)의 위치를 측정하는 데 사용된다. 제어시스템의 요건에 따라, 위치센서는 투영시스템 구성요소의 상대적 변위, 속도 및 가속도를 측정하는 데 사용될 수도 있다.
일반적으로, (진동 격리된) 투영시스템 프레임(17)의 움직임이 작기 때문에, 광학구성요소(10)를 위치시키는 데 필요한 힘이 적게 든다. 하지만, 반작용모터제어력 자체에 의한 투영시스템 프레임(17)의 여기는 폐루프제어되는 광학구성요소에 대한 심각한 안정성 문제를 유발할 수 있다. 반작용매스(14)의 적용은 로렌츠힘모터(15)의 반작용력이 투영시스템 프레임(17)에 장착된 서브프레임(11)을 섭동시키는 것을 방지하는 것이다. 도 4에 도시된 대안적인 구조에서는, 서브프레임(11)이 생략되고, 컴플라이언스(16), 중력보상기(12) 및 센서(13)가 투영시스템 프레임(17)에 장착되어 있다.
실제로, 투영시스템 프레임에 대한 반작용매스(14)의 유연한 마운팅(compliant mounting)(16)은 반작용매스의 고유주파수보다 높은 주파수에 대하여 로렌츠힘의 반작용력을 필터링한다. 상기 고유주파수는 반작용매스(14)의 질량 및 소프트마운트(16)의 강성(stiffness)에 의하여 결정된다. 따라서, 반작용력 필터링은 각각의 구성요소(10) 자체 및 투영시스템 프레임(17)에 부착된 다른 투영시스템 구성요소에 전달될 수 있는 서브프레임(11)내의 위치노이즈의 양을 감소시킨다. 내부 투영시스템 다이나믹스는 투영시스템 구성요소의 위치제어루프에 대하여 효과적으로 나타나지 않게 된다. 그 결과는 투영시스템 구성요소용 제어시스템의 제어안정성이 특히 보다 높은 주파수에서 많이 개선된다는 것이다(즉, 위치측정의 기준을 형성하는 투영시스템 프레임에 대한 액추에이터 반작용력의 복귀경로가 크게 감소된다). 그러므로, 제어루프는 100 내지 1000㎐ 범위, 예를 들어 대략 300㎐에서 매우 높은 위치대역폭을 가지고 설계될 수 있다. 이것은 곧 위치정확성이 크게 증가된다는 것을 의미한다. 그러므로, 투영시스템 구성요소는 대략 0.1mm 이하의 정확성으로 위치될 수 있다. 그러므로, 투영시스템의 내부 다이나믹스는 투영시스템 구성요소를 작동시킬 때에 영향을 받지 않는다. 소프트하게 장착된 반작용매스의 고유주파수보다 높으면, 투영시스템 구성요소는 투영시스템 다이나믹스를 여기시킬 수 없다. 즉, 투영시스템은 그 "다이나믹 매스"를 느끼지 못한다.
투영시스템 구성요소의 제어는 속도와 위치루프를 포두 포함할 수 있고 결합할 수 있는 1이상의 제어루프에 의하여 수행되는 것이 바람직하다.
상술된 방식으로 1이상의 자유도로 위치설정되는 투영시스템 구성요소의 경우에는, 각각의 액추에이터와 함께 사용된 반작용매스는 (도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이) 독립적일 수도 있고 도 5에 도시된 바와 같이 1이상의 결합된 반작용매스(14a)를 형성하도록 연결될 수도 있다. 또한, 도 6에 도시된 바와 같이 수개 또는 모든 광학구성요소의 반작용매스가 일체(14b)로 결합될 수 있다. 그러면, 상기 단일체는 투영광학기 프레임(17) 또는 베이스프레임(BP)상에 장착될 수 있다.
도 2에 도시된 투영시스템 프레임(11)은 투영시스템내의 모든 광학구성요소에 공통인 프레임일 수 있으나, 1이상의 광학구성요소가 장착되어 있는 서브프레임일 수 있고 상기 서브프레임은 몇가지 방식으로 투영시스템의 공통프레임에 장착되어 있다. 반작용매스 때문에, 1개의 광학구성요소의 위치루프는 또 다른 광학구성요소의 위치제어루프의 반작용력에 의하여 섭동되지 않는다. 일반적으로, 투영시스템의 공통프레임은 리소그래피장치의 프레임에 장착될 수 있고, 이는 격리된 기준 프레임을 구성하도록 장치의 베이스프레임에 대하여 진동상으로 격리된다. 투영광학기 프레임은 유럽특허출원번호 제 02254863.0호 개시된 바와 같이 기준프레임에 유연하게 장착될 수 있다.
도 2는 광학구성요소(10)와 프레임(11) 사이에 장착된 중력보상기(12)를 도시한다. 대안적인 실시예에서, 이러한 중력보상기(12)는 덜 효율적일 지라도 반작용력(14)과 광학구성요소(10) 사이에 장착될 수도 있다. 하지만, 중력보상기는 없을 수도 있다. 수직방향으로는 작용하지 않는 액추에이터는 광학구성요소(10)에 의한 중력을 받지 않을 것이고 중력보상기를 필요로 하지 않을 것이다. 모든 중력보상력은 광학면의 변형을 일으킬 수 있는 굽힘모멘트를 최소화하도록 수직제어력과 일직선으로 작동하도록 배치되어야 한다.
이상적인 1의 자유도 반작용매스는 반작용력의 방향과 정확히 일치하는 소프트 강성(stiffness)(통상적으로 2-20㎐)을 가진다. 오정렬은 광학시스템 프레임의 바람직하지 않은 여기를 초래할 수 있다. 반작용매스는 다른 자유도가 "중간 소프트(medium soft)" 서스팬션 고유주파수와 일치되는 경우, 반작용력의 오정렬에 덜 민감하게 만들어질 수 있다. 통상적으로, "중간 강성"은 (통상적으로 10-50㎐로) "소프트" 방향보다 5 내지 10배정도 높다.
제1실시예의 또 다른 변형례에서, 반작용매스(14)는 투영시스템의 프레임이 아닌 리소그래피장치의 또 다른 프레임, 예를 들어, 베이스프레임(BP)에 또는, 투영시스템의 공통프레임이 장착되어 있는 격리된 기준프레임에 소프트하게 장착된다.
도 7에는 제1실시예의 또 다른 변형례가 도시되어 있다. 이 변형례는 거울면결함을 조정할 수 있는 능동거울면을 포함한다. 얇고 가벼운 (예를 들어, 0.1kg질량의) 반사거울면(21)은 다중(예를 들어, 9개 내지 64개의) 작은 액추에이터(22), 다중센서(24) 및 가능하다면 그 사이에 다중 추가 구조지지체(23)를 가지면서 두꺼운 (예를 들어 1 내지 10kg 또는 30kg 질량의)지지거울구조체(10)의 최상부에 놓인다.
다중 액추에이터는 매우 작은 행정(<10e-6m)을 가지고, 거울구조체에 대한 거울면의 상대 위치를 제어한다. 액추에이터는 공압, 압전, 정전기, 자기구속(magneto-restrictive)형일 수 있다. 다중 액추에이터를 사용하면 표면의 국부적 변형이 가능하고, 따라서 국부적 거울면 결함을 보정할 수 있다. 6의 자유도의 큰 강체(rigid body) 위치(대략 10-10000e-6m)는 상술된 바와 마찬가지로 반작용매스를 갖는 로렌츠모터로 제어된다.
다중 표면 액추에이터 및 유연한 거울의 전체 질량은 거울구조체 질량과 비교할 때, 비교적 작기 때문에, 능동표면 및 거울구조체의 조합의 다이나믹스는광범위한 6의 자유도와 높은 서보대역폭(예를 들어 250-400㎐)으로 국부면 서브-나노미터 광학 위치설정을 모두 가능하게 하기 위해서 충분히 높은 고유주파수를 갖도록 설계될 수 있다. 정밀성이 떨어지는 시스템의 경우, 반작용매스를 갖는 6 DOF 로렌츠모터는 다른 방식의 액추에이터 또는 플랙서(flexure)로 대체될 수 있다.
다중 액추에이터를 갖는 능동거울면은 국부적 거울 결함의 실시간 보정을 가능하게 하므로, 웨이퍼 레벨에서 이미지의 손상 및 변형을 줄일 수 있다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예는 도 8에 도시된 투영시스템 구성요소용 마운트의 배치만 다를 뿐, 제1실시예와 유사하다. 이 경우, 반작용매스(54)는 투영시스템 구성요소(50)의 진동을 "흡수"하는 데 사용된다. 투영시스템 구성요소(50)는 (로렌츠힘 모터, 압전 액추에이터, 자기구속 액추에이터 등등과 같은) 액추에이터(52) 및바람직하게는 중력보상기(53)를 사용하여 투영시스템 프레임(51)과 같은 투영시스템의 부분에 장착된다. 반작용매스(54)는 액추에이터(55)를 사용하여 투영시스템 구성요소(50)에 부착되지만, 투영시스템에 직접 기계적으로 부착되지는 않는다(하지만, 반작용매스가 액추에이터의 코일인 경우, 전력 및 냉각제와 같은 유틸리티를 위하여 투영시스템에 직접 연결될 수 있다).
액추에이터(55)를 적절히 제어함으로써, 투영시스템 구성요소의 바람직하지 않은 여하한의 진동이 감쇠될 수 있다. 투영시스템 구성요소의 진동을 검출하기 위해서, 제2매스(56)가 예를 들어, 압전센서 또는 자기제한센서와 같은 센서(57)를 사용하여 투영시스템 구성요소(50)에 부착되어, 가속도계를 형성한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 2개의 센서(57) 및 2개의 액추에이터(55)를 사용하면 (도 8에 도시된 수직방향) 선형의 제1방향과 회전하는 제1방향에 직각인 제2방향을 중심으로 (도 8의 평면에 직각인 축선을 중심으로) 방향의 양쪽으로 모두 진동을 측정하고 감쇠할 수 있다.
상기의 배치는 유연하게 장착된 광학구성요소와 강성으로 장착된 예를 들어, 400㎐이상의 고유주파수를 가지는 광학구성요소 모두에서의 진동을 감쇠시키도록 적용될 수 있다.
도 9는 도 8에 도시된 투영시스템 구성요소 마운트의 대안적인 배치를 도시한다. 앞에서와 마찬가지로, 투영시스템 구성요소(60)는 예를 들어, 액추에이터(62) 및 중력보상기(63)를 사용하여 투영시스템 프레임(61)에 장착된다. 반작용매스(64)는 원치 않는 진동을 감쇠시키도록 투영시스템 구성요소에 부착된다. 이 경우, 센서(67) 및 액추에이터(65)는 적층되고, 공통매스(64)를 사용한다. 이 배치에서, 액추에이터(65)는 압전액추에이터인 것이 바람직하고 센서(67)는 압전센서인 것이 바람직하다. 반작용매스(64)와 액추에이터(65) 사이에 위치된 센서(67)는 투영시스템 구성요소(60)의 진동을 검출한다. 그런 후, 액추에이터(65)는 원치 않는 진동을 줄이기 위해서 투영시스템 구성요소의 움직임을 보정하는 데 사용된다. 도 8에 도시된 장치에서와 마찬가지로, 1쌍의 센서 및 액추에이터는 선형의 진동뿐 아니라 회전진동을 감쇠시키는 데에도 사용될 수 있다.
도 8 또는 도 9에 도시되어 있지는 않지만, 투영시스템 구성요소의 진동은 통상적으로 6의 자유도로 제어될 필요가 있을 것이다. 반작용매스, 센서 및 액추에이터의 적절히 변형된 조합은, 도시되지 않은 자유도의 제어를 수행하는 데에 사용될 수 있다. 사용된 반작용매스 및/또는 센서에 사용된 매스는 적절한 곳에 1이상의 조합된 매스를 형성하도록 조합될 수 있다.
간명함을 위하여 어떠한 도면에도 도시하지 않았지만, (도 3 또는 도 4에 도시된 배치를 사용하여) 투영시스템 프레임과 투영시스템 구성요소 사이에 전달되는 진동을 줄이고 (도 8 및 도 9에 도시된 배치를 사용하여) 투영시스템 구성요소내에 존재하는 모든 진동도 모두 감쇠시키도록 제1 및 제2실시예가 결합될 수 있다.
또한, 투영시스템 구성요소(10, 50, 60)은 도면에 매우 개략적으로 도시되어 있다. 상기 구성요소는 굴절 및 반사광학 구성요소를 포함할 수도 있으나 회절구성요소와 같은 다른 방식을 포함할 수도 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 서술되었지만, 본 발명은 상술된 바와 다르게 실행될 수도 있다. 상기 서술은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 각각의 투영시스템 구성요소 또는 방사선시스템 구성요소가 장착되어 있는 투영시스템 또는 방사선시스템내의 임의의 섭동력 및/또는 변위의 영향을 줄이는 수단이 제공된다.

Claims (16)

  1. - 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
    - 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
    - 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 있어서,
    상기 투영시스템 및 방사선시스템 중 적어도 하나는 액추에이터에 의하여 적어도 1의 자유도로 이동할 수 있는 반작용매스에 연결된 적어도 하나의 광학구성요소를 포함하고, 상기 액추에이터에 의하여 가해지는 힘은 반작용매스와 광학구성요소 사이에서 1이상의 자유도로 광학구성요소의 위치를 제어하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반작용매스를 상기 장치의 프레임에 연결하는 탄성부재를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 프레임은 투영시스템의 프레임인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 프레임은 상기 장치의 베이스프레임의 부분인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학구성요소의 위치를 측정하는 감지수단을 더욱 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 광학구성요소가 요구되는 위치내에 있게 조정되도록 상기 감지수단에 응답하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학구성요소는 복수의 액추에이터에 연결되며, 각각의 액추에이터는 각각의 반작용매스에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학구성요소는 대응하는 방향으로 움직일 수 있는 단일 반작용매스에 연결된 상이한 방향으로 힘을 가하는 복수의 액추에이터에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각 1이상의 액추에이터를 갖는 복수의 광학구성요소를 포함하고, 상기 복수의 광학구성요소의 액추에이터는 단일 반작용매스에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학구성요소는 능동제어되는 광학면을 가지고, 상기 능동광학면은 국부적인 반사거울결함을 보정할 수 있는 다중 센서 및 액추에이터에 의하여 형성되는 다중 국부위치제어루프를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반작용매스는 광학구성요소에만 기계적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광학구성요소의 움직임을 검출하는 감지수단을 더욱 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 광학구성요소의 움직임이 감소되도록 상기 광학구성요소의 위치를 조정하기 위하여 상기 감지수단에 응답하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  12. 제2항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투영시스템은
    - 제2액추에이터에 의하여 상기 광학구성요소에 연결된 제2반작용매스; 및
    - 상기 제2액추에이터에 의하여 상기 광학구성요소의 위치를 조정하는 데 사용되는, 상기 제2반작용매스와 상기 광학구성요소 사이에 가해지는 힘의 반작용을 더욱 포함하며,
    상기 제2반작용매스는 상기 광학구성요소에만 기계적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광학구성요소의 움직임을 검출하는 제2감지수단을 더욱 포함하고, 상기 액추에이터는 상기 광학구성요소의 움직임이 감소되도록 상기 광학구성요소의 위치를 조정하기 위하여 상기 감지수단에 응답하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 로렌츠힘 모터인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  15. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 압전액추에이터인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  16. - 적어도 부분적으로는 방사선감응재층으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,
    - 액추에이터는 적어도 1의 자유도로 이동할 수 있는 반작용매스와, 투영시스템 및 방사선시스템 중 적어도 하나의 광학구성요소 사이에 연결되고;
    - 액추에이터에 의하여 반작용매스와 광학구성요소 사이에 가해진 힘을 사용하여 광학구성요소의 위치를 제어하는 단계를 특징으로 하는 디바이스제조방법.
KR1020020081049A 2001-12-21 2002-12-18 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 KR100588119B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01310781A EP1321822A1 (en) 2001-12-21 2001-12-21 Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP01310781.8 2001-12-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030076200A true KR20030076200A (ko) 2003-09-26
KR100588119B1 KR100588119B1 (ko) 2006-06-09

Family

ID=8182566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020081049A KR100588119B1 (ko) 2001-12-21 2002-12-18 리소그래피장치 및 디바이스제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6788386B2 (ko)
EP (2) EP1321822A1 (ko)
JP (1) JP3813923B2 (ko)
KR (1) KR100588119B1 (ko)
CN (1) CN1285971C (ko)
DE (1) DE60233780D1 (ko)
SG (1) SG120906A1 (ko)
TW (1) TWI290664B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852677B1 (ko) * 2006-05-23 2008-08-19 캐논 가부시끼가이샤 광학 소자 구동장치
KR101253910B1 (ko) * 2009-01-20 2013-04-16 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 댐핑 장치
KR20140057250A (ko) * 2011-07-01 2014-05-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 진동 분리 지지 유닛을 구비한 광학 이미징 장치
KR20170108027A (ko) * 2015-02-03 2017-09-26 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 특히 광학 시스템에서, 요소의 위치를 조작하기 위한 장치
KR20190106783A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 캐논 가부시끼가이샤 진동 감쇠 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7813634B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Tessera MEMS Technologies, Inc. Autofocus camera
US6850675B1 (en) * 2002-02-04 2005-02-01 Siwave, Inc. Base, payload and connecting structure and methods of making the same
TWI266151B (en) * 2002-07-11 2006-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1457834A3 (en) * 2003-03-14 2008-10-29 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus and method for producing device
US7084956B2 (en) * 2003-06-13 2006-08-01 Asml Netherlands B.V Supporting device, lithographic apparatus, and device manufacturing method employing a supporting device, and a position control system arranged for use in a supporting device
EP1486825A1 (en) * 2003-06-13 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Supporting device, lithographic projection apparatus and device manufacturing method using a supporting device and a position control system arranged for use in a supporting device
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7224504B2 (en) * 2003-07-30 2007-05-29 Asml Holding N. V. Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use
CN1829948A (zh) * 2003-08-04 2006-09-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于有效载荷的洛伦兹电动机控制系统
US7551970B2 (en) * 2003-08-07 2009-06-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning apparatus gravity compensation device and method for compensating gravitational forces
EP1513018A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1513022A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1664587B1 (en) 2003-09-05 2010-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Actuator arrangement for active vibration isolation comprising an inertial reference mass
US20070273074A1 (en) * 2003-09-11 2007-11-29 Japan Science And Technology Agency Method And Apparatus For Vibration Isolation
WO2005026801A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Apparatus for manipulation of an optical element
TWI262363B (en) * 2003-10-21 2006-09-21 Asml Netherlands Bv An assembly, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
AU2003290094A1 (en) * 2003-10-29 2005-06-08 Asml Netherlands B.V. Optical assembly for photolithography
US7075623B2 (en) * 2003-11-17 2006-07-11 Asml Holding N.V. Flexure-supported split reaction mass
US7110083B2 (en) * 2003-11-19 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005091077A2 (de) * 2004-02-20 2005-09-29 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
WO2005083487A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-09 Carl Zeiss Smt Ag Housing structure
JP4577307B2 (ja) * 2004-03-09 2010-11-10 株式会社ニコン 光学素子、投影光学系及び露光装置
WO2006000352A1 (de) 2004-06-29 2006-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Positioniereinheit und vorrichtung zur justage für ein optisches element
US7492440B2 (en) * 2004-09-09 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101157003B1 (ko) 2004-09-30 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 투영 광학 디바이스 및 노광 장치
FR2877104B1 (fr) * 2004-10-27 2006-12-29 Sagem Dispositif d'imagerie ou d'insolation, notamment pour la realisation d'un micro-circuit electronique
WO2006046101A1 (en) * 2004-10-27 2006-05-04 Carl Zeiss Smt Ag A six degree of freedom (dof) actuator reaction mass
JP2006140366A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nikon Corp 投影光学系及び露光装置
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7180571B2 (en) * 2004-12-08 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and actuator
KR101266566B1 (ko) 2005-05-02 2013-05-22 가부시키가이샤 니콘 광학 요소 구동장치, 투영 광학계, 노광 장치, 및디바이스의 제조 방법
US7726452B2 (en) * 2005-06-02 2010-06-01 Technical Manufacturing Corporation Systems and methods for active vibration damping
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
JP2007103657A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 光学素子保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
DE102005060622A1 (de) * 2005-12-19 2007-04-19 Carl Zeiss Smt Ag Montagevorrichtung für eine optische Einrichtung
US7936443B2 (en) * 2006-05-09 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
US20080061948A1 (en) * 2006-08-18 2008-03-13 Daniel Perez System and method for communicating with gate operators via a power line
US8908144B2 (en) * 2006-09-27 2014-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080094186A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-24 Viking Access Systems, Llc Apparatus and method for monitoring and controlling gate operators via power line communication
US20080106370A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Viking Access Systems, Llc System and method for speech-recognition facilitated communication to monitor and control access to premises
DE102007009867A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-11 Carl Zeiss Smt Ag Abbildungsvorrichtung mit auswechselbaren Blenden sowie Verfahren hierzu
US8044373B2 (en) * 2007-06-14 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7884920B2 (en) * 2007-06-15 2011-02-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and pivotable structure assembly
DE102007045396A1 (de) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle
US20090085719A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Daniel Perez System and method for monitoring and controlling a movable barrier operator utilizing satellite communication capabilities
EP2045664B1 (en) * 2007-10-04 2013-03-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
US8164737B2 (en) * 2007-10-23 2012-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an active damping subassembly
NL1036160A1 (nl) 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly.
DE102008004762A1 (de) 2008-01-16 2009-07-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung
US20090188166A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Hassan Taheri System for gearless operation of a movable barrier utilizing lorentz forces
US7816875B2 (en) * 2008-01-24 2010-10-19 Viking Access Systems, Llc High torque gearless actuation at low speeds for swing gate, roll-up gate, slide gate, and vehicular barrier operators
US7816879B2 (en) * 2008-02-19 2010-10-19 Viking Access Systems, Llc High torque movable barrier actuation at low speeds utilizing a hub motor
US20090211160A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Ali Tehranchi Access device with a photovoltaic housing utilized to generate power
DE102008026077B4 (de) * 2008-05-30 2017-11-09 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Lithographiesystem
DE102009034166A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Kontaminationsarme optische Anordnung
DE102008047562B4 (de) * 2008-09-16 2012-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Dämpfung von Schwingungen in Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithographie
DE102008049616B4 (de) * 2008-09-30 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE102009054549A1 (de) 2008-12-11 2010-06-17 Carl Zeiss Smt Ag Gravitationskompensation für optische Elemente in Projektionsbelichtungsanlagen
DE102009009221A1 (de) * 2009-02-17 2010-08-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Aktuatorsystem
US20100289616A1 (en) * 2009-05-18 2010-11-18 Ali Tehranchi Movable barrier system adapted to utilize biometric technology to identify and authorize access to premises
US8952342B2 (en) 2009-12-17 2015-02-10 Mapper Lithography Ip B.V. Support and positioning structure, semiconductor equipment system and method for positioning
KR101496882B1 (ko) * 2010-02-23 2015-03-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5641878B2 (ja) * 2010-10-29 2014-12-17 キヤノン株式会社 振動制御装置、リソグラフィー装置、および、物品の製造方法
US20120127445A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Akimitsu Ebihara Isolation system for an optical element of an exposure apparatus
NL2007633A (en) * 2010-11-22 2012-05-23 Asml Netherlands Bv A positioning system, a lithographic apparatus and a method for positional control.
EP2469340B1 (en) * 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102011007917A1 (de) * 2011-04-21 2012-10-25 Asml Netherlands B.V. Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011075393B4 (de) * 2011-05-06 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer Projektionsbelichtungsanlage
JP5864762B2 (ja) * 2011-10-07 2016-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィシステムの光学素子の動きの制御方法
NL2009692A (en) 2011-12-07 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
DE102012202553A1 (de) 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographievorrichtung mit dämpfungsvorrichtung
JP6154808B2 (ja) * 2012-03-05 2017-06-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 振動遮断支持ユニットを有する光学結像装置
US9370865B1 (en) * 2012-05-23 2016-06-21 Western Digital Technologies, Inc. Flexure based compliance device for use with an assembly device
DE102013201082A1 (de) 2013-01-24 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
KR102390697B1 (ko) 2013-01-28 2022-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치를 위한 방사선 소스, 거울 및 투영 시스템
US9658427B2 (en) 2013-03-15 2017-05-23 Raytheon Company Reaction compensated tilt platform
KR101823449B1 (ko) 2013-07-02 2018-01-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에 사용되는 위치설정 시스템 및 방법
DE102013214008A1 (de) * 2013-07-17 2015-01-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikanordnung
US9890575B2 (en) 2013-12-09 2018-02-13 Viking Access Systems, Llc Movable barrier operator with removable power supply module
CN104880911B (zh) 2014-02-28 2018-01-30 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种光刻机工件台及其垂向位置初始化方法
DE102014204523A1 (de) 2014-03-12 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Schwingungskompensiertes optisches system, lithographieanlage und verfahren
CN105988304B (zh) 2015-02-28 2018-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种可调磁浮力重力补偿器
JP6830486B2 (ja) * 2015-12-03 2021-02-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 能動的に調整可能なメトロロジー支持ユニットを備える光学結像装置
CN106933045B (zh) * 2015-12-30 2019-06-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种辅助支撑装置及带有辅助支撑的光刻机设备
WO2017207016A1 (en) * 2016-05-30 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with a piezoelectric device
AU2017325120B2 (en) * 2016-09-09 2022-03-24 Centro Nacional De Pesquisa Em Energia E Materiais Instrument for moving and positioning of optical elements with nanometric mechanical stability and resolution implemented as a double-crystal monochromator in synchrotron beamlines
BR102016020900A2 (pt) * 2016-09-09 2018-03-20 Cnpem Centro Nac De Pesquisa Em Energia E Materiais método de controle de grau de liberdade em sistemas mecatrônicos e monocromador de duplo cristal
US10203475B2 (en) 2016-10-20 2019-02-12 Raytheon Company Curved magnetic actuators, and systems, and methods for mounting tilt platforms
DE102016225707A1 (de) * 2016-12-21 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographiesystem sowie verfahern
US10866529B2 (en) 2017-02-10 2020-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3670958A1 (en) * 2018-12-21 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Positioning device, stiffness reduction device and electron beam apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62165916A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
US5660255A (en) * 1994-04-04 1997-08-26 Applied Power, Inc. Stiff actuator active vibration isolation system
GB2333849B (en) * 1995-04-14 1999-10-06 Nikon Corp Exposure apparatus
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US6408045B1 (en) * 1997-11-11 2002-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Stage system and exposure apparatus with the same
WO1999027570A1 (fr) * 1997-11-25 1999-06-03 Nikon Corporation Dispositif d'exposition par projection
JP3548411B2 (ja) * 1997-12-26 2004-07-28 キヤノン株式会社 ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法
EP1001512A3 (en) * 1998-11-10 2001-02-14 Asm Lithography B.V. Actuator and transducer
US6124687A (en) * 1999-05-03 2000-09-26 Raytheon Company Apparatus for solving bearing life and torque compensation problems in systems with oscillating components
DE19938893B4 (de) * 1999-08-17 2005-06-09 Infineon Technologies Ag Schwingungsfreie Vorrichtung zur Halbleiterbelichtung
JP3814453B2 (ja) * 2000-01-11 2006-08-30 キヤノン株式会社 位置決め装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法
JP2001267226A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Nikon Corp 駆動装置及び露光装置、並びにデバイス及びその製造方法
DE10062786A1 (de) * 2000-12-15 2002-06-20 Zeiss Carl System zur Dämpfung von Schwingungen
US6791664B2 (en) * 2001-01-19 2004-09-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufacturing thereby
EP1271248A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852677B1 (ko) * 2006-05-23 2008-08-19 캐논 가부시끼가이샤 광학 소자 구동장치
KR101253910B1 (ko) * 2009-01-20 2013-04-16 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 댐핑 장치
KR20140057250A (ko) * 2011-07-01 2014-05-12 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 진동 분리 지지 유닛을 구비한 광학 이미징 장치
KR20170108027A (ko) * 2015-02-03 2017-09-26 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 특히 광학 시스템에서, 요소의 위치를 조작하기 위한 장치
KR20190106783A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 캐논 가부시끼가이샤 진동 감쇠 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1321823A2 (en) 2003-06-25
TW200411331A (en) 2004-07-01
CN1285971C (zh) 2006-11-22
EP1321822A1 (en) 2003-06-25
EP1321823A3 (en) 2005-02-09
US20030197914A1 (en) 2003-10-23
SG120906A1 (en) 2006-04-26
CN1442755A (zh) 2003-09-17
US6788386B2 (en) 2004-09-07
JP3813923B2 (ja) 2006-08-23
DE60233780D1 (de) 2009-11-05
KR100588119B1 (ko) 2006-06-09
EP1321823B1 (en) 2009-09-23
JP2003203860A (ja) 2003-07-18
TWI290664B (en) 2007-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100588119B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
EP2053461B1 (en) Lithographic apparatus having a damping subassembly.
KR101155066B1 (ko) 리소그래피 장치, 투영 조립체 및 능동 감쇠
US7554105B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4954967B2 (ja) 構造物と２以上の能動減衰システムの組合せ、リソグラフィ装置、および投影アセンブリ
US20110141447A1 (en) Measurement System and Lithographic Apparatus for Measuring a Position Dependent Signal of a Movable Object
JP4881215B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7248339B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6741739B2 (ja) 粒子ビーム装置
US7110083B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100767833B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US10620552B2 (en) Stage system, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4740970B2 (ja) 振動絶縁サポートデバイスを含むリソグラフィ装置
EP1380899B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140523

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150526

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160520

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee