KR101823449B1 - 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에 사용되는 위치설정 시스템 및 방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 리소그래피 장치에 사용되는 위치설정 시스템 및 방법 Download PDF

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엔젤렌 아드리아너스 조세퍼스 페트루스 반
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

기준 바디(202) 및 위치설정 시스템(200)을 가진 리소그래피 장치가 제공된다. 위치설정 시스템은 메인 바디(204), 반작용 바디(206), 액추에이터(208), 및 컨트롤러(210)를 포함한다. 메인 바디는 제1 방향(+z) 및 제2 방향(-z)의 경로를 따라서 기준 바디에 대해 운동가능하다. 제1 방향은 제2 방향의 반대방향이다. 반작용 바디는 제1 방향 및 제2 방향의 추가 경로를 따라서 메인 바디에 대해 운동가능하다. 반작용 바디는 제1 방향 및 제2 방향으로 기준 바디에 대해 운동할 수 있도록 기준 바디에 운동가능하게 연결된다. 컨트롤러는 액추에이터에 제1 신호 및 제2 신호를 제공하도록 배치된다. 액추에이터는 메인 바디와 반작용 바디 사이에 배치된다.

Description

리소그래피 장치, 리소그래피 장치에 사용되는 위치설정 시스템 및 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, POSITIONING SYSTEM FOR USE IN A LITHOGRAPHIC APPARATUS AND METHOD}
본 출원은 2013년 7월 2일에 출원된 미국 가출원 61/842,180의 이익을 주장하고, 상기 가출원은 원용에 의해 그 전부가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 위치설정 시스템, 및 리소그래피 장치에서 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하기 위한 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있는 장치이다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 디바이스가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상의 타겟 영역 상으로 투영 시스템을 통해 방사선 빔에 의해 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재 층 위로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper)를 포함한다. 공지된 리소그래피 장치는 또한 소정의 방향의 방사 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다.
공지된 리소그래피 장치의 투영 시스템은 방사선 빔을 전사하고 성형하기 위한 광학 요소를 가진다. 리소그래피 장치의 사용 중에, 방사선 빔은 투영 시스템의 일부를 가열하고, 이것은 광학 요소의 일부가 드리프트(drift)하거나 변형되도록 만들수 있다. 드리프트 또는 변형은 기판 상에 투영된 패턴의 품질을 감소시키는 방사선 빔의 수차를 유발할 수 있다. 드리프트 또는 변형을 보상하기 위하여, 이러한 광학 요소의 일부의 위치 또는 배향이 조정될 수 있다.
원용에 의해 본 명세서에 포함되는 US 2012/0138401 A1에 설명된 것과 같은 공지된 리소그래피 장치에서, 투영 시스템은 광학 요소, 내부 링, 내부 링을 둘러싸는 외부 링, 및 액추에이터 시스템을 가진다. 광학 요소는 내부 링에 견고하게 연결된다. 액추에이터 시스템은 내부 링과 외부 링 사이에 위치되어 외부 링에 대하여 광학 요소를 변위 또는 변형시킨다. 광학 요소의 진동을 방지하기 위하여, 복수의 질량 댐퍼가 내부 링에 제공된다. 각각의 질량 댐퍼는 스프링-댐퍼 요소를 통해 내부 링에 연결된 댐퍼 질량을 가진다. 댐퍼 질량과 스프링-댐퍼 요소의 조합은 고유 진동수를 가진 동적 시스템을 형성한다.
공지된 리스그래피 장치가 개선될 수 있다. 질량 댐퍼가 광학 요소의 진동의 에너지를 흡수할 때, 질량 댐퍼는 고유 진동수에서 고유모드로 진동하기 시작할 것이다. 질량 댐퍼가 추가 에너지를 흡수하면, 질량 댐퍼의 변위의 크기가 증가할 것이다. 리소그래피 장치에서의 부피 제한 때문에, 질량 댐퍼는 단부 스탑과 같은 리소그래피 장치의 일부분을 가격할 수 있다. 이러한 가격은 리소그래피 장치의 진동을 유발하여, 기판 상에 투영된 패턴의 품질을 감소시킨다.
본 발명의 일실시예에서, 기판 상에 투영된 패턴의 개선된 품질을 제공하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 제1 양태에서, 기준 바디 및 위치설정 시스템을 가진 리소그래피 장치가 제공된다. 위치설정 시스템은 메인 바디, 반작용 바디, 액추에이터, 및 컨트롤러를 포함한다. 메인 바디는 제1 방향 및 제2 방향의 경로를 따라서 기준 바디에 대해 이동가능하다. 제1 방향은 제2 방향의 반대방향이다. 반작용 바디는 제1 방향 및 제2 방향의 추가 경로를 따라서 메인 바디에 대해 이동가능하다. 반작용 바디는 제1 방향 및 제2 방향으로 기준 바디에 대해 이동할 수 있도록 기준 바디에 이동가능하게 연결된다. 컨트롤러는 액추에이터에 제1 신호 및 제2 신호를 제공하도록 배치된다. 액추에이터는 메인 바디와 반작용 바디 사이에 배치되어, 제1 신호의 제어 하에 제1 방향으로 메인 바디를 가속하고 제2 방향으로 반작용 바디를 가속하고, 또한 제2 신호의 제어 하에 제2 방향으로 메인 바디를 가속하고 제1 방향으로 반작용 바디를 가속한다. 컨트롤러는, 반작용 바디가 추가 경로를 따라서 제2 방향으로 이동할 때, 제1 신호 이후에 제2 신호를 액추에이터에 제공하도록 배치된다.
제1 양태에 따르면, 액추에이터는 제1 신호 하에 제2 방향으로 반작용 바디를 가속한다. 컨트롤러는 반작용 바디가 제2 방향으로 이동할 때까지 제2 신호를 액추에이터에 제공하는 것을 대기한다. 반작용 바디가 제2 방향으로 이동할 때, 액추에이터는 제2 신호의 제어 하에 제1 방향으로 반작용 바디를 가속한다. 반작용 바디의 제2 방향으로의 이동은 제1 방향으로의 가속의 반대방향이기 때문에, 반작용 바디의 이동이 감소된다. 감소된 이동은 반작용 바디의 변위의 크기를 제한한다. 그 결과, 반작용 바디가 리소그래피 장치의 일부를 가격할 가능성이 감소된다. 반작용 바디가 어떠한 부분도 가격하지 않으면, 리소그래피 장치는 더 적은 진동을 겪게 되고, 이것은 기판 상에 투영된 패턴의 품질 개선으로 이어진다.
리소그래피 장치의 제1 실시예에서, 기준 바디와 기준 바디에 연결된 반작용 바디는 고유모드(eigenmode)를 가진 동적 시스템을 형성한다. 고유모드는 외부 구동력이 없는 경우 적어도 부분적으로 제1 방향 및 제2 방향으로의 기준 바디에 대한 반작용 바디의 진동 운동에 의해 특징지어진다. 고유모드는 대응 기간을 가진다. 컨트롤러는 제1 신호와 제2 신호 사이에 시간 간격을 가지고 제1 신호 및 제2 신호를 제공하도록 배치된다. 시간 간격은 대응 기간에 의해 결정된다.
제1 실시예에 따르면, 기준 바디와 기준 바디에 연결된 반작용 바디의 동적 시스템은 고유모드 및 대응 기간을 가진다. 대응 기간은 기준 바디의 질량, 반작용 바디의 질량, 및 기준 바디와 반작용 바디 사이의 연결 강성에 의존할 수 있다. 대응 기간은 예컨대 리소그래피 장치를 사용하기 전에 계산 또는 측정될 수 있다. 대응 기간을 이용하여, 컨트롤러는, 컨트롤러가 제1 신호를 액추에이터에 제공한 이후에 반작용 바디가 제2 방향으로 이동하는 때를 결정할 수 있다.
리소그래피 장치의 제2 실시예에서, 반작용 바디는 반작용 질량 및 가요성 요소를 포함한다. 가요성 요소는 반작용 질량을 기준 바디에 이동가능하게 연결한다.
제2 실시예에 따르면, 대응 기간은 메인 바디의 원하는 설정 포인트와 일치하도록 설정될 수 있다. 설정 포인트는 언제 메인 바디가 제1 및 제2 방향으로 가속되어야 하는지를 결정한다. 대응 기간은 반작용 질량의 크기와 가요성 요소의 강성 및/또는 댐핑을 선택함으로써 설정될 수 있다.
리소그래피 장치의 제3 실시예에서, 가요성 요소는 대응 기간을 선택할 수 있도록 조정가능하다.
제3 실시예에 따르면, 대응 기간은 가요성 요소를 조정함으로써 좀더 정확하게 설정될 수 있다. 가요성 요소를 조정함으로써, 가요성 요소의 강성 또는 댐핑이 변화될 수 있다.
리소그래피 장치의 제4 실시예에서, 리소그래피 장치는 기판 상에 방사선 빔을 투영하기 위한 투영 시스템을 포함한다. 메인 바디는 투영 시스템의 일부이다.
제4 실시예에 따르면, 투영 시스템은 액추에이터에 의해 작동되는 구성요소를 가진다. 그러한 구성요소는 광학 요소 또는 광학 요소용 마운트를 포함한다. 액추에이터에 의해 유발된 진동이 리소그래피 장치를 통하여 전파되는 것을 방지하기 위하여, 반작용 바디는 진동 에너지의 적어도 일부를 흡수하도록 배치된다. 앞서 설명한 바와 같이, 반작용 바디는 흡수된 에너지로 인하여 진동할 것이다. 투영 시스템은 여러 구성이 서로 근접하여 위치하는 복잡한 시스템이기 때문에, 반작용 바디가 진동하기 위한 공간이 제한되어 있다. 제1 양태에서, 반작용 바디는 투영 시스템의 어떠한 부분도 가격하지 않으면서 제한된 공간에서 사용될 수 있다.
리소그래피 장치의 제5 실시예에서, 위치설정 시스템은 컨트롤러에 센서 신호를 제공하기 위한 센서를 포함한다. 센서 신호는 언제 반작용 바디가 추가 경로를 따라 제2 방향으로 이동하고 있는지는 나타낸다.
제5 실시예에 따르면, 반작용 바디의 운동은 광학 센서 또는 정전용량형 센서와 같은 센서에 의해 감지된다. 센서는 반작용 바디가 제2 방향으로 이동할 때를 감지하고, 센서 신호를 컨트롤러에 제공한다. 센서 신호를 사용하여, 컨트롤러는 반작용 질량이 제2 방향으로 이동할 때 제2 신호를 제공할 수 있다.
본 발명의 제2 양태에서, 전술한 바와 같은 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 위치설정 시스템이 제공된다.
본 발명의 제3 양태에서, 리소그래피 장치에서 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하기 위한 방법이 제공된다. 리소그래피 장치는 기준 바디, 메인 바디, 및 반작용 바디를 포함한다. 메인 바디는 제1 방향 및 제2 방향의 경로를 따라서 기준 바디에 대해 이동가능하다. 제1 방향은 제2 방향의 반대방향이다. 반작용 바디는 제1 방향 및 제2 방향의 추가 경로를 따라서 메인 바디에 대해 이동가능하다. 반작용 바디는 제1 및 제2 방향으로 기준 바디에 대해 이동할 수 있도록 기준 바디에 이동가능하게 연결된다. 본 방법은 제1 신호의 제어 하에 제1 방향으로 메인 바디를 가속하고 제2 방향으로 반작용 바디를 가속하는 단계를 포함한다. 본 방법은 또한 제2 신호의 제어 하에 제2 방향으로 메인 바디를 가속하고 제1 방향으로 반작용 바디를 가속하는 단계를 포함한다. 본 방법은 추가적으로 반작용 바디가 추가 경로를 따라서 제2 방향으로 이동할 때 제1 신호를 제공한 이후에 제2 신호를 제공하는 단계를 포함한다.
제3 양태에 따르면, 반작용 바디는 제1 신호의 제어 하에 제2 방향으로 가속된다. 제1 방향으로 반작용 바디를 가속하기 위한 제2 신호는 반작용 바디가 제2 방향으로 이동할 때 제공된다. 반작용 바디의 제2 방향으로의 이동은 제1 방향의 가속과 반대방향이기 때문에, 반작용 바디의 이동이 감소된다. 감소된 이동은 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하고, 반작용 바디가 리소그래피 장치의 일부를 가격하는 것을 방지하는 것을 돕는다. 반작용 바디가 어떠한 부분도 가격하기 않을 때, 리소그래피 장치는 더 적은 진동을 겪고, 이것은 기판 상에 투영된 패턴의 품질 개선으로 이어진다.
일실시예에서, 기준 바디와 기준 바디에 연결된 반작용 바디는 고유모드를 가진 동적 시스템을 형성한다. 고유모드는 적어도 부분적으로 제1 방향 및 제2 방향으로의 기준 바디에 대한 반작용 바디의 운동에 의해 특징지어진다. 고유모드는 대응 기간을 가진다. 본 방법은 제1 신호와 제2 신호 사이에 시간 간격을 가지고 제1 신호 및 제2 신호를 제공하는 단계를 포함하고, 시간 간격은 대응 기간에 의해 결정된다.
이 실시예에 따르면, 기준 바디와 기준 바디에 연결된 반작용 바디의 동적 시스템은 고유모드와 대응 기간을 가진다. 대응 기간은 기준 바디의 질량, 반작용 바디의 질량, 및 기준 바디와 반작용 바디 사이의 연결 강성에 의존할 수 있다. 대응 기간은 예컨대 리소그래피 장치를 사용하기 이전에 계산 또는 측정될 수 있다. 대응 기간을 사용하여, 제2 신호는 반작용 바디가 제2 방향으로 이동할 때 제공될 수 있다. 그 결과, 본 발명의 제1 양태에서 설명된 바와 같이, 기판 상에 투영된 패턴의 품질이 개선된다.
일실시예에서, 본 방법은 센서 신호를 제공하는 단계를 포함한다. 센서 신호는 언제 반작용 바디가 추가 경로를 따라서 제2 방향으로 이동하는지를 나타낸다.
이 실시예에 따르면, 반작용 바디의 이동은 광학 또는 정전용량형 센서와 같은 센서에 의해 측정된다. 센서는 반작용 바디가 제2 방향으로 이동하는 때를 감지하고, 센서 신호를 컨트롤러에 제공한다. 센서 신호를 이용하여, 제2 신호는 반작용 질량이 제2 방향으로 이동할 때 제공될 수 있다.
이하 단지 예시로서 첨부된 개략적 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 설명될 것이고, 도면에서 대응하는 도면 부호는 대응하는 부분을 가리킨다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치의 위치설정 시스템의 다이어그램을 도시하고 있다.
도 3은 본 발명의 추가 실시예에 따른 리소그래피 장치의 위치설정 시스템의 다이어그램을 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메인 바디와 반작용 바디의 운동을 나타내는 그래프를 도시하고 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 메인 바디의 가속 및 반작용 바디의 운동을 나타내는 그래프를 도시하고 있다.
도 1은 본 발명에 따른 위치설정 시스템을 가진 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 리소그래피 장치는 조명 시스템(IL), 지지 구조체(MT) 또는 패터닝 디바이스 지지체, 기판 테이블(WT), 및 투영 시스템(PS)을 포함할 수 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된다. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 또는 다른 형태의 광학 요소들 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 방사선 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스와 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예컨대 적절한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사선 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL)으로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명 시스템(IL)은 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL)은 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명 시스템은 방사선 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.
본 명세서에 사용된 "방사선 빔"이라는 용어는, 자외선(UV)(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐)과 극자외선(EUV)(예컨대, 5 내지 20 nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기파를 포괄한다.
지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하기 위한 것이다. 지지 구조체(MT)는 소정의 파라미터에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치설정 시스템(PM)에 연결된다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 지지, 즉 패터닝 디바이스(MA)의 중량을 지탱한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 디바이스가 진공 환경에 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스가 예컨대 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있도록 할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판(W)의 타겟 영역(C)에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판(W)의 타겟 영역(C) 내의 원하는 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역(C) 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 디바이스(MA)의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다. 여기에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형이고, 투명한 마스크를 채택한다.
기판 테이블(WT), 예컨대 웨이퍼 테이블은 기판(W), 예컨대 레지스트 코팅된 웨이퍼를 유지하기 위한 것이다. 기판 테이블(WT)은 소정의 파라미터에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치설정 시스템(PW)에 연결된다.
투영 시스템(PS)은 기판(W)의 타겟 영역(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한 때에는, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 종단한 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)이 방사선 빔(B)을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치설정 시스템(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟 영역(C)을 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치설정 시스템(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 도시되어 있지 않음)가 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 롱-스트로크 모듈(long-stroke module) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module)을 이용하여 구현될 수 있다. 롱-스트로크 모듈은 긴 범위에 걸쳐서 투영 시스템(PS)에 대한 숏-스트로크 모듈의 개략적 위치설정을 제공한다. 숏-스트로크 모듈은 작은 범위에 걸쳐서 롱-스트로크 모듈에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 미세한 위치설정을 제공한다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치설정 시스템(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 구현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대), 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있거나, 또는 고정될 수도 있다.
패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들(P1, P2)이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역(C) 사이의 공간에 위치될 수도 있다. 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2)는 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개 이상의 기판 테이블(WT) 및/또는 2개 이상의 지지 구조체(MT)를 가진 유형일 수 있다. 적어도 하나의 기판 테이블(WT)에 추가하여, 리소그래피 장치는 측정 테이블을 포함할 수 있고, 측정 테이블은 측정을 수행하지만 기판을 유지하도록 배치되지 않는다.
리소그래피 장치는 기판의 적어도 일부분이 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 공간을 채우기 위해 예컨대 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체에 의해 덮여질 수 있는 유형일 수 있다. 액침액은 또한 예컨대 패터닝 디바이스(MA)와 투영 시스템(PS) 사이의 리소그래피 장치의 다른 공간에도 적용될 수 있다. 액침액은 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)를 증가시키기 위해 본 기술 분야에 널리 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "액침"이라는 표현은 기판(W)과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 한다는 것을 의미하지 않고, 단지 노광 동안에 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 위치된다는 것을 의미한다.
도시된 리소그래피 장치는 다음 3가지 모드 중 적어도 하나의 모드로 사용될 수 있다:
제1 모드, 소위 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사선 빔에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 그런 다음, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다.
제2 모드, 소위 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
제3 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 디바이스(MA)를 유지한 채로 지지 구조체(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스형 방사선 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사선 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 디바이스(MA)를 이용하는 마스크리스 리소그래피(maskless lithography)에 쉽게 적용될 수 있다.
전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치의 위치설정 시스템(200)의 다이어그램을 도시하고 있다. 위치설정 시스템(200)은 메인 바디(204), 액추에이터(208), 반작용 바디(206), 및 컨트롤러(210)를 포함한다.
메인 바디(204)는 기준 바디(202)에 대하여 이동가능하다. 본 실시예에서, 메인 바디(204)와 기준 바디(202)는 +z 방향 및 -z 방향으로 경로를 따라 서로에 대해 이동할 수 있다. +z 방향은 제1 방향으로 간주될 수 있고, -z 방향은 제1 방향의 반대방향인 제2 방향으로 간주될 수 있다. 상기 경로는 +z 방향 및 -z 방향이 아닌 방향으로 기준 바디(202)에 대한 메인 바디(204)의 이동을 포함할 수 있다.
반작용 바디(206)는 +z 방향 및 -z 방향으로 추가 경로를 따라 메인 바디(204)에 대해 이동가능하다. 상기 추가 경로는 +z 방향 및 -z 방향이 아닌 방향으로 메인 바디(204)에 대한 반작용 바디(206)의 이동을 포함할 수 있다.
반작용 바디(206)는 +z 방향 및 -z 방향으로 기준 바디(202)에 대해 이동할 수 있도록 기준 바디(202)에 이동가능하게 연결된다. 본 실시예에서, 반작용 바디(206)는 반작용 질량(214) 및 가요성 요소(212)를 포함한다. 가요성 요소(212)는 반작용 질량(214)을 기준 바디(202)에 연결한다. 가요성 요소(212)는 기준 바디(202)에 대한 반작용 질량(214)의 운동을 허용하기 위하여 가요성을 가진다. 가요성 요소(212)는 스프링과 같은, 가요성 재료와 가요성 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
컨트롤러(210)는 액추에이터(208)에 연결된다. 컨트롤러(210)는 액추에이터(208)에 제1 신호를 제공하도록 배치된다. 액추에이터는, 제1 신호의 제어 하에 +z 방향으로 메인 바디(204)를 가속하고 -z 방향으로 반작용 바디(206)를 가속하기 위하여, 메인 바디(204)와 반작용 바디(206) 사이에 배치된다. 본 실시예에서, 액추에이터(208)는 반작용 바디(206)에 연결된다. 제1 신호의 제어 하에서, 액추에이터(208)는 메인 바디(204)를 +z 방향으로 미는 힘을 생성하도록 배치된다. 이 힘은 메인 바디(204)가 +z 방향으로 가속되도록 만든다. 이 힘과 동시에, -z 방향으로 액추에이터를 미는 반작용력이 생성된다. 액추에이터가 반작용 바디(206)에 연결되기 때문에, 반작용 바디(206)는 액추에이터(208)에 의해 밀려지고, 반작용 바디(206)는 제1 신호의 제어 하에서 -z 방향으로 가속된다.
컨트롤러(210)는 액추에이터(208)에 제2 신호를 제공하도록 배치된다. 제2 신호의 제어 하에, 액추에이터(208)는 -z 방향으로 메인 바디(204)를 당긴다. 이 힘은 메인 바디(204)가 -z 방향으로 가속되도록 만든다. 이 힘과 동시에, +z 방향으로 액추에이터(208)를 당기는 반작용력이 생성된다. 액추에이터(208)가 반작용 바디(206)에 연결되기 때문에, 반작용 바디(206)는 액추에이터에 의해 당겨지고, 반작용 바디(206)는 제2 신호의 제어 하에서 +z 방향으로 가속된다.
컨트롤러(210)는 반작용 바디(206)가 -z 방향으로 이동할 때 제1 신호 이후에 제2 신호를 액추에이터(208)에 제공하도록 배치된다. 이러한 방식으로, 컨트롤러(210)는 -z 방향 및 +z 방향으로의 반작용 바디(206)의 변위의 크기를 제한할 수 있다.
반작용 바디(206)에 연결되는 것 대신에, 액추에이터(208)는 메인 바디(204)에 연결될 수 있다. 일실시예에서, 액추에이터(208)의 일부분은 반작용 바디(206)에 연결되는 반면, 액추에이터의 다른 부분은 메인 바디(204)에 연결된다. 예컨대, 액추에이터(208)의 자석은 반작용 바디(206)에 연결되고 액추에이터(208)의 코일은 메인 바디(204)에 연결되거나, 그 반대도 가능하다.
컨트롤러(210)는 적절한 유형의 컨트롤러, 마이크로 프로세서, 또는 마이크로 컨트롤러일 수 있다.
도 2에 도시된 +z 방향 및 -z 방향의 방향은 단지 예시적인 목적을 위한 것이라는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다. +z 방향 및 -z 방향은 역전될 수 있거나, 또는 다르게 배향될 수 있다.
기준 바디(202)와 기준 바디(202)에 연결되는 반작용 바디(206)는 동적 시스템을 형성할 수 있다. 동적 시스템은 고유모드를 가질 수 있고, 이러한 고유모드로 반작용 바디(206)는 적어도 +z 방향 및 -z 방향으로 기준 바디(202)에 대하여 이동한다. 고유모드에서 반작용 바디(206)의 운동은 특정 진동수, 즉 동적 시스템의 고유 진동수에서 일어날 수 있다. 고유 진동수는 고유모드에 대응하는 기간의 역수이다. 이러한 대응 기간은 반작용 바디(206)가 고유모드에 따라 완전한 한 사이클의 운동을 수행하는데 걸리는 시간이다. 운동의 사이클은, 운동 사이클의 시작 시의 위치 및 속도와 동일한 기준 바디(202)에 대한 특정 위치 및 속도에 반작용 바디(206)가 있을 때 완성될 수 있다.
컨트롤러(210)가 액추에이터(208)에 제1 신호를 제공할 때, 액추에이터(208)는 반작용 바디(206)에 힘을 가한다. 이러한 힘을 가함으로써, 반작용 바디(206)가 고유모드에 따라 진동하게 될 수 있다. 컨트롤러(210)에 고유 진동수 또는 대응 기간이 제공되면, 컨트롤러(210)는 반작용 바디(206)가 언제 +z 방향으로 이동하고 있는지를 예측할 수 있다. 컨트롤러(210)는 액추에이터(208)에 제1 신호를 제공한 이후, 액추에이터(208)에 제2 신호를 제공하기 이전에 소정의 시간 간격 동안 대기하도록 프로그램될 수 있다.
고유모드 및 대응 기간은 반작용 질량(214) 및 가요성 요소(212)에 의해 결정될 수 있다. 반작용 질량(214)의 특정 질량 크기와 가요성 요소(212)의 강성 및/또는 댐핑의 특정 크기의 조합을 선택함으로써, 고유모드와 대응 기간이 설정될 수 있다. 가요성 요소(212)는 강성 및/또는 댐핑을 변화시키도록 조정가능할 수 있다. 가요성 요소(212)를 조정함으로써, 대응 기간이 좀더 정확하게 설정될 수 있다.
일실시예에서, 반작용 바디(206)는 복수의 가요성 요소(212) 및 복수의 반작용 질량(214)을 포함한다. 예컨대, 가요성 요소(212)는 기준 바디(202) 및 반작용 질량(214)에 연결될 수 있다. 추가 가요성 요소가 반작용 질량(214) 및 추가 반작용 질량에 연결될 수 있다. 액추에이터(208)는 추가 반작용 질량에 연결될 수 있다. 가요성 요소와 반작용 질량의 개수는 반작용 바디(206)의 동적 거동을 최적화하도록 선택될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같은 반작용 바디(206)는 +z 방향 및 -z 방향으로 선형 운동가능하다. 도 3은 도 2의 실시예와 유사한 일실시예를 도시하고 있지만, 반작용 바디는 가요성 요소(212) 대신에 회전가능한 가요성 요소(312)를 포함하고 있다. 회전가능한 가요성 요소(312)는 양방향 화살표에 의해 표시된 바와 같이 회전가능하다. 반작용 바디(206)의 일부를 형성하는 반작용 질량(214)은 회전가능한 가요성 요소(312)에 연결된다. 회전가능한 가요성 요소(312)가 오직 작은 양만 회전할 때, 반작용 질량(214)의 운동은 실질적으로 +z 방향 및 -z 방향이다.
일실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이 위치설정 시스템(200)에 센서(304)가 구비된다. 센서(304)는 반작용 바디(206)가 -z 방향으로 이동하고 있는 때를 결정하도록 배치된다. 센서(304)는 예컨대 유선 또는 무선으로 컨트롤러에 연결된다. 센서(304)는 반작용 바디(206)가 -z 방향으로 이동하는 것을 결정할 때, 센서는 컨트롤러(210)로 센서 신호를 제공한다. 센서 신호를 수신할 때, 컨트롤러(210)는 언제 제2 신호를 액추에이터(208)에 제공할지를 결정할 수 있다. 센서(304)는 기준 바디(202)에 대한 반작용 바디(206)의 위치를 결정하는 위치 센서를 포함할 수 있다. 센서는 속도 센서 또는 가속도 센서를 포함할 수 있다. 가속도 센서의 센서 신호를 적분하거나 또는 위치 센서의 센서 신호를 미분함으로써, 반작용 바디(20)의 이동이 결정될 수 있다. 센서(304)는 적절한 유형의 센서, 예컨대 엔코더형 센서 또는 간섭계와 같은 광학 센서를 포함할 수 있다. 센서는 정전용량형 센서 또는 전자기유도형 센서를 포함할 수 있다.
일실시예에서, 메인 바디(204)는 투영 시스템(PS)의 일부분, 예컨대 광학 요소 또는 광학 요소를 지지하기 위한 마운트이다. 이 실시예에서, 기준 바디는 프레임일 수 있다. 이 부분은 프레임에 대해 이동될 수 있다. 위치 측정 시스템이 프레임에 대한 이 부분의 위치를 측정할 수 있다. 프레임은 하나 이상의 광학 요소 또는 광학 요소를 위한 하나 이상의 마운트를 지지할 수 있다. 광학 요소는 미러 또는 렌즈일 수 있다.
일실시예에서, 위치설정 시스템(200)은 제1 위치설정 시스템(PM) 또는 제2 위치설정 시스템(PW)에서 사용될 수 있다. 메인 바디(204)는 지지 구조체(MT)의 일부분이거나, 또는 기판 테이블(WT)의 일부분일 수 있다. 메인 바디(204)는 숏-스트로크 모듈의 일부분일 수 있고, 기준 바디(202)는 롱-스트로크 모듈의 일부분일 수 있다.
일실시예에서, 메인 바디(204)는 제1 위치설정 시스템(PM)의 일부분이고, 기준 바디(202)는 투영 시스템(PS)을 지지하는 계측 프레임의 일부분이다. 일실시예에서, 메인 바디(204)는 제2 위치설정 시스템(PW)의 일부분이고, 기준 바디(202)는 투영 시스템(PS)을 지지하는 계측 프레임의 일부분이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메인 바디(204)와 반작용 바디(206)의 운동을 보여주는 4개의 그래프를 도시하고 있다. 그래프(402)는 시간 t에 따른 메인 바디(204)의 위치를 보여주고 있다. 메인 바디(204)는 시간 T1의 시작 위치 Pos1로부터 종료 위치 Pos2까지 이동하고 있다. 그래프(402)에 도시된 바와 같이, 이동은 +z 방향이다. 그래프(404)는 이동 시 메인 바디(204)의 속도를 보여주고 있다. 그래프(404)는 시간 T1에서의 속도가 O이라는 것을 보여주고 있다. 시간 T1 이후, 속도는 최대 속도 Vmax에 도달할 때까지 유지된다. 최대 속도 Vmax는 시간 T2까지 유지된다. 시간 T2에서, 속도가 감소된다. 속도는 메인 바디(204)가 종료 위치 Pos2에 도달할 때 0이 된다. 그래프(406)는 메인 바디(204)의 가속도 프로파일을 보여주고 있다. 시간 T1에서, 메인 바디(204)는 메인 바디(204)가 최대 속도 Vmax에 도달할 때까지 +z 방향으로 가속된다. 메인 바디(204)가 최대 속도 Vmax에 도달할 때, 가속도는 0이 된다. 시간 T2에서, 메인 바디(204)는 속도를 0으로 감소시키기 위하여 -z 방향으로 가속된다.
그래프(408)는 시간 t에 따른 반작용 바디(206)의 위치를 보여주고, 기준 바디(202)에 대한 반작용 바디(206)의 고유모드 운동에 대응한다. 이 운동은 명료함을 위하여 +z 방향 및 -z 방향으로의 사인형상 운동으로 도시되어 있다. 시간 T1에서, +z 방향으로의 메인 바디(204)의 가속도는 반작용 바디(206)가 -z 방향으로 가속되도록 만든다. 시간 T1 이후에, 반작용 바디(206)는 초기에 -z 방향으로 운동한다. 반작용 바디(206)가 최소 z-위치 Zmin에 도달할 때, 반작용 바디(206)는 +z 방향으로 운동하기 시작하고, 사인형상 운동의 운동 사이클을 완성한다. 시간 T2에서, 반작용 바디(206)는 최대 z-위치 Zmax를 지나, -z 방향으로 운동하고 있다. 시간 T2에서, 컨트롤러(210)는 제2 신호를 액추에이터(208)에 제공한다. 액추에이터(208)는 -z 방향으로 메인 바디(204)를 가속한다. 액추에이터(208)의 반작용력은 반작용 바디(206)를 +z 방향으로 가속하고, 이것은 반작용 바디(206)의 -z 방향 속도의 반대방향이다. 반작용 바디(206)의 운동 크기는 그 결과 감소된다.
그래프(402, 404, 406)는 메인 바디(204) 설정 포인트, 즉 궤적을 도시하고 있다. 설정 포인트는 저크(jerk), 스냅(snap), 또는 크래클(crackle)과 같은 가속도의 고차 도함수를 포함할 수 있다. 저크는 가속도의 시간 도함수이고, 스냅은 저크의 시간 도함수이고, 크래클은 스냅의 시간 도함수이다. 메인 바디(204)를 가속하기 위하여, 컨트롤러(210)로부터의 제1 신호와 제2 신호 중 하나 또는 양자는 가속도의 고차 도함수의 변화를 개시할 수 있다. 시간 T1과 시간 T2 중 하나에서, 가속도의 고차 도함수의 변화가 시작할 수 있다.
도 4에서, 속도 및 가속도는 최대값에 도달한다. 원하는 설정 포인트와 액추에이터(208)의 유형에 따라, 속도 및/또는 가속도는 최대값에 도달하지 않고, 계속 증가 및/또는 감소할 수 있다.
그래프(408)에서, 반작용 바디(206)의 도시된 운동은 대략 한 사이클의 운동이다. 일실시예에서, 시간 T1과 시간 T2 사이에 이러한 복수의 운동 사이클이 존재한다. 제2 신호는 반작용 바디(206)가 -z 방향으로 이동하고 있을 때 임의의 시간 T2에서 부여될 수 있다.
다음의 실시예는 이하 설명되는 것을 제외하고는 앞서 설명된 실시예와 유사하다. 이 실시예에서 액추에이터(208)는 도 5에 도시된 바와 같이 가속도 프로파일(506)에 따라 메인 바디(204)를 가속하는 힘을 생성한다. 액추에이터(208)는 시간 T1에서 시간 T3까지 +z 방향으로 메인 바디(204)를 가속한다. 시간 T1 이전 및 시간 T3 이후의 가속도는 0이다.
반작용 바디(206)의 대응 기간은 도 5의 그래프(508)에 도시된 바와 같이 T1와 T3 사이의 시간 간격과 실질적으로 동일하게 설정된다. 액추에이터(208)가 메인 바디(204)를 +z 방향으로 가속하기 위하여 시간 T1에 컨트롤러(210)로부터 제1 신호를 수신할 때, 반작용 바디(206)는 -z 방향으로 액추에이터(208)에 의해 가속된다. 시간 T3에서, 반작용 바디(206)는 고유모드에 따르고 대응 기간에 대응하는 운동 사이클을 완성하기 때문에, 반작용 바디(206)는 -z 방향으로 운동한다. 반작용 바디가 -z 방향으로 운동하고 있을 때, 액추에이터(208)는 메인 바디(204)를 +z 방향으로 가속하는 힘을 감소시킴으로써 메인 바디(204)의 가속도를 감소시킨다. 액추에이터(208)는 컨트롤러(210)로부터의 제3 신호의 제어 하에 이 힘을 감소시킨다. 만약 제3 신호가 액추에이터(208)에 제공되지 않으면, 반작용 바디(206)는 그래프(508)의 점선(510)을 따라 계속 운동할 것이다. 이 점선은 반작용 바디(206)의 고유모드에 따른 반작용 바디(206)의 운동을 나타낸다. 그러나, 메인 바디(204)의 가속도가 시간 T3에서 감소되기 때문에, 반작용 바디(206)의 운동은 실선(512)으로 표시되어 있다. 실선(512)으로 도시된 바와 같이, T3 이후의 반작용 바디(206)의 변위는 시간 T1과 T3 사이의 반작용 바디(206)의 변위보다 더 작도록 감소된다. 시간 T3 이후 반작용 바디(206)의 변위는 0일 수 있다. 시간 T3 이후 반작용 바디(206)의 변위를 감소시키는 것은 반작용 바디(206)가 리소그래피 장치의 일부를 가격하는 것을 방지한다.
추가적으로 또는 대안적으로, 컨트롤러(210)로부터의 제3 신호는 -z 방향으로의 메인 바디(204)의 가속도를 감소시키는데 사용될 수 있다. 일실시예에서, 시간 T1과 시간 T3 사이의 시간 간격은 단일의 대응 기간 대신에 복수의 대응 기간이다.
본 명세서에서는 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하여 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 통상의 기술자라면, 이러한 대안적 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들이 앞서 설명되었으나, 본 발명은 설명된 것과 다른 방식으로 실시될 수도 있음을 이해할 것이다.
상기 설명은 본 발명을 제한하려는 것이 아니라 본 발명을 예시하기 위한 것이다. 따라서, 통상의 기술자는 아래에 제시된 청구 범위에서 벗어나지 않고서도 전술한 바와 같은 본 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다.

Claims (11)

  1. 기준 바디(202) 및 위치설정 시스템(200)을 가진 리소그래피 장치로서,
    상기 위치설정 시스템(200)은 메인 바디(204), 반작용 바디(206), 액추에이터(208), 및 컨트롤러(210)를 포함하고,
    상기 메인 바디(204)는 제1 방향(+z) 및 제2 방향(-z)으로 경로를 따라서 상기 기준 바디(202)에 대해 운동가능하고, 상기 제1 방향(+z)은 상기 제2 방향(-z)의 반대방향이고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 추가 경로를 따라서 상기 메인 바디(204)에 대해 운동가능하고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 상기 기준 바디(202)에 대해 운동할 수 있도록 상기 기준 바디(202)에 운동가능하게 연결되고,
    상기 컨트롤러(210)는 상기 액추에이터(208)에 제1 신호, 제2 신호, 및 제3 신호를 제공하도록 배치되고,
    상기 액추에이터(208)는 상기 메인 바디(204)와 상기 반작용 바디(206) 사이에 배치되어, 상기 제1 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제2 방향(-z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하고, 또한 상기 제2 신호의 제어에 따라 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제1 방향(+z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하며, 상기 제3 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z) 또는 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하는 힘을 감소시킴으로써 상기 메인 바디(204)의 가속도를 감소시키고,
    상기 컨트롤러(210)는 상기 반작용 바디(206)가 상기 제2 방향(-z)으로 운동하는 시기를 결정하도록 배치되고,
    상기 컨트롤러(210)는, 상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동할 때, 상기 제1 신호 이후에 상기 제2 신호를 상기 액추에이터(208)에 제공하도록 배치되는, 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 바디(202)와 상기 기준 바디(202)에 연결된 상기 반작용 바디(206)는 고유모드(eigenmode)를 가진 동적 시스템을 형성하고, 상기 고유모드는 적어도 부분적으로 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로의 상기 기준 바디(202)에 대한 상기 반작용 바디(206)의 운동에 의해 특징지어지고,
    상기 고유모드는 대응 기간을 가지고,
    상기 컨트롤러(210)는 상기 제1 신호와 상기 제2 신호 사이에 시간 간격을 두고 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 제공하도록 배치되고, 상기 시간 간격은 상기 대응 기간에 의해 결정되는, 리소그래피 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반작용 바디(206)는 반작용 질량(214) 및 가요성 요소(212)를 포함하고, 상기 가요성 요소(212)는 상기 반작용 질량(214)을 상기 기준 바디(202)에 운동가능하게 연결하는, 리소그래피 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가요성 요소(212)는 상기 대응 기간을 선택하기 위하여 조정가능한, 리소그래피 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 기판(W) 상에 방사선 빔(B)을 투영하기 위한 투영 시스템(PS)을 포함하고, 상기 메인 바디(204)는 상기 투영 시스템(PS)의 일부분인, 리소그래피 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 위치설정 시스템(200)은 상기 컨트롤러(210)에 센서 신호를 제공하기 위한 센서를 포함하고, 상기 센서 신호는 상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동하고 있는 시기를 나타내는, 리소그래피 장치.
  7. 기준 바디(202)를 가진 리소그래피 장치에 사용하기 위한 위치설정 시스템(200)으로서,
    상기 위치설정 시스템(200)은 메인 바디(204), 반작용 바디(206), 액추에이터(208), 및 컨트롤러(210)를 포함하고,
    상기 메인 바디(204)는 제1 방향(+z) 및 제2 방향(-z)으로 경로를 따라서 상기 기준 바디(202)에 대해 운동가능하고, 상기 제1 방향(+z)은 상기 제2 방향(-z)의 반대방향이고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 추가 경로를 따라서 상기 메인 바디(204)에 대해 운동가능하고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 상기 기준 바디(202)에 대해 운동할 수 있도록 상기 기준 바디(202)에 운동가능하게 연결되고,
    상기 컨트롤러(210)는 상기 액추에이터(208)에 제1 신호, 제2 신호, 및 제3 신호를 제공하도록 배치되고,
    상기 액추에이터(208)는 상기 메인 바디(204)와 상기 반작용 바디(206) 사이에 배치되어, 상기 제1 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제2 방향(-z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하고, 또한 상기 제2 신호의 제어에 따라 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제1 방향(+z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하며, 상기 제3 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z) 또는 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하는 힘을 감소시킴으로써 상기 메인 바디(204)의 가속도를 감소시키고,
    상기 컨트롤러(210)는 상기 반작용 바디(206)가 상기 제2 방향(-z)으로 운동하는 시기를 결정하도록 배치되고,
    상기 컨트롤러(210)는, 상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동할 때, 상기 제1 신호 이후에 상기 제2 신호를 상기 액추에이터(208)에 제공하도록 배치되는, 위치설정 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 위치설정 시스템은 상기 컨트롤러(210)에 센서 신호를 제공하기 위한 센서를 포함하고, 상기 센서 신호는 상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동하고 있는 시기를 나타내는, 위치설정 시스템.
  9. 리소그래피 장치에서 반작용 바디(206)의 변위(excursion)의 크기를 제한하기 위한 방법으로서,
    상기 리소그래피 장치는 기준 바디(202), 메인 바디(204), 및 반작용 바디(206)를 포함하고,
    상기 메인 바디(204)는 제1 방향(+z) 및 제2 방향(-z)으로 경로를 따라서 상기 기준 바디(202)에 대해 운동가능하고, 상기 제1 방향(+z)은 상기 제2 방향(-z)의 반대방향이고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 추가 경로를 따라서 상기 메인 바디(204)에 대해 운동가능하고,
    상기 반작용 바디(206)는 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로 상기 기준 바디(202)에 대해 운동할 수 있도록 상기 기준 바디(202)에 운동가능하게 연결되고,
    상기 방법은:
    제1 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제2 방향(-z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하는 단계;
    제2 신호의 제어에 따라 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하고 상기 제1 방향(+z)으로 상기 반작용 바디(206)를 가속하는 단계;
    제3 신호의 제어에 따라 상기 제1 방향(+z) 또는 상기 제2 방향(-z)으로 상기 메인 바디(204)를 가속하는 힘을 감소시킴으로써 상기 메인 바디(204)의 가속도를 감소시키는 단계; 및
    상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동할 때 상기 제1 신호를 제공한 이후에 상기 제2 신호를 제공하는 단계를 포함하는, 리소그래피 장치에서 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하기 위한 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기준 바디(202)와 상기 기준 바디(202)에 연결된 상기 반작용 바디(206)는 고유모드를 가진 동적 시스템을 형성하고,
    상기 고유모드는 적어도 부분적으로 상기 제1 방향(+z) 및 상기 제2 방향(-z)으로의 상기 기준 바디(202)에 대한 상기 반작용 바디(206)의 운동에 의해 특징지어지고,
    상기 고유모드는 대응 기간을 가지고,
    상기 방법은 상기 제1 신호와 상기 제2 신호 사이에 시간 간격을 두고 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 시간 간격은 상기 대응 기간에 의해 결정되는, 리소그래피 장치에서 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하기 위한 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 방법은 센서 신호를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 센서 신호는 상기 반작용 바디(206)가 상기 추가 경로를 따라서 상기 제2 방향(-z)으로 운동하는 시기를 나타내는, 리소그래피 장치에서 반작용 바디의 변위의 크기를 제한하기 위한 방법.
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