JPS59101831A - 半導体焼付露光装置 - Google Patents
半導体焼付露光装置Info
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- JPS59101831A JPS59101831A JP57210988A JP21098882A JPS59101831A JP S59101831 A JPS59101831 A JP S59101831A JP 57210988 A JP57210988 A JP 57210988A JP 21098882 A JP21098882 A JP 21098882A JP S59101831 A JPS59101831 A JP S59101831A
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- exposure shot
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- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N timiperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCC(N2C(NC3=CC=CC=C32)=S)CC1 YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229950000809 timiperone Drugs 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
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- VCGRFBXVSFAGGA-UHFFFAOYSA-N (1,1-dioxo-1,4-thiazinan-4-yl)-[6-[[3-(4-fluorophenyl)-5-methyl-1,2-oxazol-4-yl]methoxy]pyridin-3-yl]methanone Chemical compound CC=1ON=C(C=2C=CC(F)=CC=2)C=1COC(N=C1)=CC=C1C(=O)N1CCS(=O)(=O)CC1 VCGRFBXVSFAGGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の製造、特に焼付露光工程にステ
ッパを使用するに際し、例えばマイクロプロセッサを用
いて最適の露光ショット配列を選別し、焼付露光を行う
半導体焼付露光装置に関するものである。
ッパを使用するに際し、例えばマイクロプロセッサを用
いて最適の露光ショット配列を選別し、焼付露光を行う
半導体焼付露光装置に関するものである。
半導体の焼付露光装置には、例えばマスクの回路パター
ンを縮小投影レンズでウェハー上に投影しウェハーの小
領域を露光する一方、ウェハーを順次にステ・ンプ送り
して露光を繰り返すステッパと呼ばれる型式のものがる
。従来の画面サイズの小さいステッパにおいては、１シ
ョット当りのパターンの構成が単一チップで構成されて
いる場合には露光ショット配列は一義的に決定されてい
た。しかし、最近のように画面サイズが大きくなり、１
回の露光ショットパターンが複数チップで構成されるよ
うになると、生産性を考えた最適な露光ショット配列を
得るには何回かの試行を繰り返さなければならないとい
う問題点がある。
ンを縮小投影レンズでウェハー上に投影しウェハーの小
領域を露光する一方、ウェハーを順次にステ・ンプ送り
して露光を繰り返すステッパと呼ばれる型式のものがる
。従来の画面サイズの小さいステッパにおいては、１シ
ョット当りのパターンの構成が単一チップで構成されて
いる場合には露光ショット配列は一義的に決定されてい
た。しかし、最近のように画面サイズが大きくなり、１
回の露光ショットパターンが複数チップで構成されるよ
うになると、生産性を考えた最適な露光ショット配列を
得るには何回かの試行を繰り返さなければならないとい
う問題点がある。
本発明の目的は、上述の従来例の欠点を除去し、全自動
焼付露光装置の実現を可能にし、加えて諸条件における
各種の配列シュミレーションの結果得られたウェハー１
枚当りの処理時間、収得有効チップ数、スループットを
最適とし得る半導体焼料露光装置を提供することにあり
、その要旨は、ステップ露光を行う焼付露光装置におい
て、ウェハーの外径、１チツプの寸法、ウェハーの無効
領域の大きさ、１露光ショット当りのパターン構成に関
する信号を入力するための信号入力手段と、該信号入力
手段により入力された信号に基づいた露光ショットの配
列モデルの中から所望の露光シヨ・スト配列を選別する
選別手段と、該選別手段により選別した露光ショット配
列に従って露光ショットを行う駆動手段とを具備したこ
とを特徴とするものである。
焼付露光装置の実現を可能にし、加えて諸条件における
各種の配列シュミレーションの結果得られたウェハー１
枚当りの処理時間、収得有効チップ数、スループットを
最適とし得る半導体焼料露光装置を提供することにあり
、その要旨は、ステップ露光を行う焼付露光装置におい
て、ウェハーの外径、１チツプの寸法、ウェハーの無効
領域の大きさ、１露光ショット当りのパターン構成に関
する信号を入力するための信号入力手段と、該信号入力
手段により入力された信号に基づいた露光ショットの配
列モデルの中から所望の露光シヨ・スト配列を選別する
選別手段と、該選別手段により選別した露光ショット配
列に従って露光ショットを行う駆動手段とを具備したこ
とを特徴とするものである。
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本実施例の構成図であり、１は前工程でパター
ニングされたウェハーであって、焼付露光装置での搬送
経路に沿って寸法測定装置２、移動供給装置３、ウェハ
ー１を載置するＸＹステージ４が配列されている。移動
供給装置３はウェハー１を搬送するためのものであり、
ＸＹステージ４はＸ軸サーボモータ６、Ｙ軸サーボモー
タ７によりＸ軸方向、Ｙ軸方向に駆動され、これらのサ
ーボモータ６．７はマイクロプロセッサから成る演算制
御装置５の指令信号によりそれぞれ作動し得るようにな
っている。また、演算制御装置５には選別手段、駆動手
段を作動させるためのプログラムが内蔵されていて、演
算制御装置５にキーインによるデータ入力設定装置８、
磁気ディスク等の記憶装置９、モニタテレビ等の表示装
置１０が接続されている。
ニングされたウェハーであって、焼付露光装置での搬送
経路に沿って寸法測定装置２、移動供給装置３、ウェハ
ー１を載置するＸＹステージ４が配列されている。移動
供給装置３はウェハー１を搬送するためのものであり、
ＸＹステージ４はＸ軸サーボモータ６、Ｙ軸サーボモー
タ７によりＸ軸方向、Ｙ軸方向に駆動され、これらのサ
ーボモータ６．７はマイクロプロセッサから成る演算制
御装置５の指令信号によりそれぞれ作動し得るようにな
っている。また、演算制御装置５には選別手段、駆動手
段を作動させるためのプログラムが内蔵されていて、演
算制御装置５にキーインによるデータ入力設定装置８、
磁気ディスク等の記憶装置９、モニタテレビ等の表示装
置１０が接続されている。
上記の構成において、パターニングされたウェハー１は
搬送経路の一部に配置された２組の寸法測定装Ｎ２によ
りＸ軸方向、Ｙ軸方向の２方向の外径を計測され、その
測定データは演算制御装置５に入力される。また、デー
タ入力設定装置８に次工程で使用する１ショット当りの
露光パターンの情報、ウェハー１の露光無効領域情報、
ｌチップの寸法を入力すると、これらの情報から演算−
制１２１１１装置５で露光ステップについて予め演算制
御装置、５にプログラム化されている演算式に従って各
秤の配列シミュレーションを行う。そして、その結果か
ら有効チップ取得数を優先し、更にウェハー処理時間の
最短を目的とする露光シゴット配列、或いは単位時間当
りの有効チップ数の関係を基に生産性の儂先を目的とし
た露光ショット配列等の種々の目的に合致した露光ショ
ット配列を選別し、その選別に基づいてＸＹステージ４
を駆動するサーボモークロ、７を作動して目的とする露
光ショット配列のステップ移動を実現する。
搬送経路の一部に配置された２組の寸法測定装Ｎ２によ
りＸ軸方向、Ｙ軸方向の２方向の外径を計測され、その
測定データは演算制御装置５に入力される。また、デー
タ入力設定装置８に次工程で使用する１ショット当りの
露光パターンの情報、ウェハー１の露光無効領域情報、
ｌチップの寸法を入力すると、これらの情報から演算−
制１２１１１装置５で露光ステップについて予め演算制
御装置、５にプログラム化されている演算式に従って各
秤の配列シミュレーションを行う。そして、その結果か
ら有効チップ取得数を優先し、更にウェハー処理時間の
最短を目的とする露光シゴット配列、或いは単位時間当
りの有効チップ数の関係を基に生産性の儂先を目的とし
た露光ショット配列等の種々の目的に合致した露光ショ
ット配列を選別し、その選別に基づいてＸＹステージ４
を駆動するサーボモークロ、７を作動して目的とする露
光ショット配列のステップ移動を実現する。
この選別の方法について更に詳しく説明すると、＄２図
は前工程で既にパターニングされたウェハー１を示し、
Ｔはパターニングされたウニノ＼−有効領域内の任意の
１チツプであり、Ｎはデータ入力設定装置８により設定
されたウニ／＼−１の周囲の無効領域を示している。こ
のウェハー１は例えば第３図に示すような１回の露光シ
ョット当り４個のチップＴを同時に露光する４チフプマ
ルチパターンから成る露光パターンＰによってステッパ
で露光されるものとする。第４図はウニ／＼−１の有効
露光領域内の任意の１チツプＴに第３図の露光パターン
Ｐを組合わせる場合を示している。第４図で理解される
ように、任意のｌチ・ンプＴに対する露光パターンＰの
組合わせは４通りある。そして、最多有効チップ数を優
先した露光ショット配列の代表例である露光ショット配
列を第１例〜第４例として第５図〜第８図に示す。これ
らの第１例〜第４例について、ウェハー１枚当りの有効
チップ数、露光ショツト数、処理時間を算定すると次の
第１表のようになる。
は前工程で既にパターニングされたウェハー１を示し、
Ｔはパターニングされたウニノ＼−有効領域内の任意の
１チツプであり、Ｎはデータ入力設定装置８により設定
されたウニ／＼−１の周囲の無効領域を示している。こ
のウェハー１は例えば第３図に示すような１回の露光シ
ョット当り４個のチップＴを同時に露光する４チフプマ
ルチパターンから成る露光パターンＰによってステッパ
で露光されるものとする。第４図はウニ／＼−１の有効
露光領域内の任意の１チツプＴに第３図の露光パターン
Ｐを組合わせる場合を示している。第４図で理解される
ように、任意のｌチ・ンプＴに対する露光パターンＰの
組合わせは４通りある。そして、最多有効チップ数を優
先した露光ショット配列の代表例である露光ショット配
列を第１例〜第４例として第５図〜第８図に示す。これ
らの第１例〜第４例について、ウェハー１枚当りの有効
チップ数、露光ショツト数、処理時間を算定すると次の
第１表のようになる。
第 １ 表
有効チンプ数 ショツト数 処理時間
第１例 １１２ ３２ ３２ｔｌ＋３２ｔｓ第
２例 １１２ ３１ ３０ｔｌ＋３１ｔｓ第３例
１’１２ ３２ ３１ｔｌ＋３２ｔｓ第４例 １１２
３３ ３３ｔｌ＋３３ｔｓここで、ｔｌは１回のステ
ップ作動時間、ｔｓはステップ作動終了から露光終了ま
での１回当りの所要時間である。
２例 １１２ ３１ ３０ｔｌ＋３１ｔｓ第３例
１’１２ ３２ ３１ｔｌ＋３２ｔｓ第４例 １１２
３３ ３３ｔｌ＋３３ｔｓここで、ｔｌは１回のステ
ップ作動時間、ｔｓはステップ作動終了から露光終了ま
での１回当りの所要時間である。
第１表の比較で判るように、同一ショツト数でもショッ
ト配列によってウェハー１枚当りの処理時間に相異が生
じ、４つの例の比較の結果としては、処理時間の短い順
から第２例、第３例、第１例、第４例となる。
ト配列によってウェハー１枚当りの処理時間に相異が生
じ、４つの例の比較の結果としては、処理時間の短い順
から第２例、第３例、第１例、第４例となる。
また、本例は４チツプマルチパターンである露光パター
ンＰを例として、有効チップ数を優先させてその条件下
でウェハーｌの全体の処理時間を最小とする露光ショッ
ト配列を選別したが、複数チンプマルチパターンについ
て、ウェハー１の有効領域内周辺部において、１ショッ
ト当り最低何チップ以上かの有効チップが採れるという
条件、例えば１シヨツトで２個の有効チップがあればそ
のショットを行うが、１個ならば止めるという条件を付
加することも考えられる。これにより、単位時間当りに
焼付けるウェハーの数を増加させ、ウェハーの受は渡し
時間等の装置特有の性質を考慮した所要時間と有効チッ
プの取得数の関係により、生産性を優先させた露光ショ
ット配列を選別することができる。
ンＰを例として、有効チップ数を優先させてその条件下
でウェハーｌの全体の処理時間を最小とする露光ショッ
ト配列を選別したが、複数チンプマルチパターンについ
て、ウェハー１の有効領域内周辺部において、１ショッ
ト当り最低何チップ以上かの有効チップが採れるという
条件、例えば１シヨツトで２個の有効チップがあればそ
のショットを行うが、１個ならば止めるという条件を付
加することも考えられる。これにより、単位時間当りに
焼付けるウェハーの数を増加させ、ウェハーの受は渡し
時間等の装置特有の性質を考慮した所要時間と有効チッ
プの取得数の関係により、生産性を優先させた露光ショ
ット配列を選別することができる。
この場合に演算制御装置５内では、ウェハーｌの無効領
域Ｎの設定信号とウェハー１の外径計測値から得られた
ウェハー有効領域を求め、有効領域の任意の場所にマル
チパターンを構成する露光パターンＰを当てはめ、チッ
プＴの辺の長さ単位によりＸ軸方向、Ｙ軸方向に露光パ
ターンＰとウェハー１とを相対的に移動し、有効チップ
数、露光ショツト数、処理時間を求めながら所望の露光
ショット配列を選別する。そして、この選別結果に基づ
＜、ＸＹテーブル４の移動に従って露光を実施すればよ
い。このように、ウニノー−搬送過程の一部でウニ／＼
−１の外径を計測する寸ン去ｉ１１定装置２を備えるこ
とにより、ウニ／＼−１の外ｆｌの変イしに応じて所望
する露光シヨ・スト配列を各ウニ／＼−毎に設定するこ
とができる。
域Ｎの設定信号とウェハー１の外径計測値から得られた
ウェハー有効領域を求め、有効領域の任意の場所にマル
チパターンを構成する露光パターンＰを当てはめ、チッ
プＴの辺の長さ単位によりＸ軸方向、Ｙ軸方向に露光パ
ターンＰとウェハー１とを相対的に移動し、有効チップ
数、露光ショツト数、処理時間を求めながら所望の露光
ショット配列を選別する。そして、この選別結果に基づ
＜、ＸＹテーブル４の移動に従って露光を実施すればよ
い。このように、ウニノー−搬送過程の一部でウニ／＼
−１の外径を計測する寸ン去ｉ１１定装置２を備えるこ
とにより、ウニ／＼−１の外ｆｌの変イしに応じて所望
する露光シヨ・スト配列を各ウニ／＼−毎に設定するこ
とができる。
上述の例では、入力情報を基番こ露光ノくターンＰとウ
ェハー１とを相対的に移動しな力くら露光ショット配列
をシミュレーション番こより求めたが、この露光シ：Ｉ
’７１’配列は予め記憶装置９もこテーブル化して記
憶しておき、この中力＼ら入力情報を基１こ選択するよ
うにしてもよい。
ェハー１とを相対的に移動しな力くら露光ショット配列
をシミュレーション番こより求めたが、この露光シ：Ｉ
’７１’配列は予め記憶装置９もこテーブル化して記
憶しておき、この中力＼ら入力情報を基１こ選択するよ
うにしてもよい。
以上説明したように本発明に係る半導体焼４寸露光装置
は、＠算制御装置を用いて種々の言安定条件を満す数種
類の露光シヨ・スト配列力１ら、露光ショク）・数及び
ウニ／＼−１枚当りの処理時間を算定することにより、
有効チ・ンプ数を優先した条件下におけるウニ／＼−１
枚当りの処理時間を最ノ」＼ｔこする露光ショット配列
、或いは単位時間当りの有効チップ数の関係から生産性
の優先を目的とした露光ショット配列を選別できるので
、ウニノ＼−製造工程が能率化され、しかも製造歩留の
向上等に寄与し得る効果は大きい。
は、＠算制御装置を用いて種々の言安定条件を満す数種
類の露光シヨ・スト配列力１ら、露光ショク）・数及び
ウニ／＼−１枚当りの処理時間を算定することにより、
有効チ・ンプ数を優先した条件下におけるウニ／＼−１
枚当りの処理時間を最ノ」＼ｔこする露光ショット配列
、或いは単位時間当りの有効チップ数の関係から生産性
の優先を目的とした露光ショット配列を選別できるので
、ウニノ＼−製造工程が能率化され、しかも製造歩留の
向上等に寄与し得る効果は大きい。
図面は本発明に係る半導体焼付露光装置の一実施例を示
すものであり、第１図はその構成図、第２図はパターニ
ングされたウニｌ＼−の平面図、第３図は露光パターン
の説明図、第４図はノくターニングされたウニノ＼−の
中の任意の１チツプレこ露光パターンを当てはめる場合
の説明図、第５図〜第８図はそれぞれウニノ＼−と露光
ノくターンを組合わせた状態の説明図である。 符号ｌはウェハー、２は寸法測定装置、３は移動供給装
置、４はＸＹステージ、５は演算制御装置、６はＸ軸サ
ーボモータ、７はＹ軸サーボモータ、８はデータ入力設
定装置、９は記憶装置、１０は表示装置、Ｐは露光パタ
ーン、Ｔはチ・ンプ、Ｎは無効領域である。
すものであり、第１図はその構成図、第２図はパターニ
ングされたウニｌ＼−の平面図、第３図は露光パターン
の説明図、第４図はノくターニングされたウニノ＼−の
中の任意の１チツプレこ露光パターンを当てはめる場合
の説明図、第５図〜第８図はそれぞれウニノ＼−と露光
ノくターンを組合わせた状態の説明図である。 符号ｌはウェハー、２は寸法測定装置、３は移動供給装
置、４はＸＹステージ、５は演算制御装置、６はＸ軸サ
ーボモータ、７はＹ軸サーボモータ、８はデータ入力設
定装置、９は記憶装置、１０は表示装置、Ｐは露光パタ
ーン、Ｔはチ・ンプ、Ｎは無効領域である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ステップ露光を行う焼付露光装置において、ウェ
ハーの外径、１チツプの寸法、ウニ／＼−の無効領域の
大きさ、１露光ショット当りのノくターン構成に′関す
る信号を入力するための信号入力手段と、該信号入力手
段により入力された信号に基づいた露光ショットの配列
モデルの中から所望の露光ショット配列を選別する選別
手段と、該選別手段により選別した露光ショット配列に
従って露光ショットを行う駆動手段と゛を具備したこと
を特徴とする半導体焼付露光装置。 ２、前記入力信号のうち、ウニ／＼−の外径は計測器に
より、１チツプの寸法、ウニ／＼−の無効領域の大きさ
、１ショット当りのパターン構成に関する信号はデータ
入力設定装置により入力するようにした特許請求の範囲
第１項に記載の半導体焼付露光装置。 ３、前記選別する露光ショット配列は有効チップ数を優
先した組合せとし、その中のウェハー処理時間の最短の
ものを選別するようにした特許請求の範囲第１項に記載
の半導体焼付露光装置。 ４、前記選択する露光ショット配列は単位時間当りの有
効処理チップ数を最大にするようにした特許請求の範囲
第１項に記載の半導体焼付露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210988A JPS59101831A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体焼付露光装置 |
| US06/555,525 US4530587A (en) | 1982-12-01 | 1983-11-28 | Step type mask aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210988A JPS59101831A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体焼付露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101831A true JPS59101831A (ja) | 1984-06-12 |
Family
ID=16598452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57210988A Pending JPS59101831A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 半導体焼付露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4530587A (ja) |
| JP (1) | JPS59101831A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622192B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表示パネル製造方法 |
| US4775877A (en) * | 1985-10-29 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for processing a plate-like workpiece |
| DE3772467D1 (de) * | 1986-06-13 | 1991-10-02 | Dainippon Screen Mfg | Belichtungssystem. |
| JP2577507B2 (ja) * | 1990-12-19 | 1997-02-05 | 株式会社東芝 | ウェーハの描画装置 |
| US5699260A (en) * | 1995-03-14 | 1997-12-16 | Analog Devices, Incorporated | Technique for optimizing the number of IC chips obtainable from a wafer |
| JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
| DE19537756A1 (de) * | 1995-10-10 | 1997-04-17 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Optimieren einer Stepfeldanordnung auf einem Halbleiterwafer |
| JP3689698B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3716296A (en) * | 1970-05-06 | 1973-02-13 | Molekularelektronik | Method and electronic circuit arrangement for producing photomasks |
| US3722996A (en) * | 1971-01-04 | 1973-03-27 | Electromask Inc | Optical pattern generator or repeating projector or the like |
| FR2371716A1 (fr) * | 1976-11-19 | 1978-06-16 | Thomson Csf | Appareil photorepeteur de masques |
| US4427292A (en) * | 1982-04-28 | 1984-01-24 | Microsize, Inc. | Computer controlled microfilm camera system |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP57210988A patent/JPS59101831A/ja active Pending
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1983
- 1983-11-28 US US06/555,525 patent/US4530587A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4530587A (en) | 1985-07-23 |
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