JPS6079358A - 投影光学装置 - Google Patents
投影光学装置Info
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- JPS6079358A JPS6079358A JP58187867A JP18786783A JPS6079358A JP S6079358 A JPS6079358 A JP S6079358A JP 58187867 A JP58187867 A JP 58187867A JP 18786783 A JP18786783 A JP 18786783A JP S6079358 A JPS6079358 A JP S6079358A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、投影光学系を用いて、マスクのノくターンを
感光体（つ、）・）に露光する装置に関し、特に投影光
学系の光学時性を所定の状態に安定させた投影光学装置
に関する。
感光体（つ、）・）に露光する装置に関し、特に投影光
学系の光学時性を所定の状態に安定させた投影光学装置
に関する。
（発明の背景）
縮小投影型露光装置は近年超ＬＳＩの生産現場に多く導
入され、大きな成果金もたらしているが、その重要な性
能の一つに重ね合せマツチング精度があげられる。この
マツチング精度に影響を与える要素の中で重要なものに
投影光学系の倍率誤差がある。超ＬＳＩに用いられるパ
ターンの大きさは年々微細化の傾向を強め、それに伴つ
てマツチング精度の向上に対するニーズも強くなってき
ている。従って投影倍率を所定の値に保つ必要性はきわ
めて高くなってきている。現在投影光学系の倍率は装置
の設置時に調整することにより倍率誤差が一応無視でき
る程度になっている。しかしながら、装置の稼動時にお
ける僅かな温度変化やクリーンルーム内の僅かな気圧変
動等、環境条件が変化しても倍率誤差が生じないように
したいという要求が高まっている。
入され、大きな成果金もたらしているが、その重要な性
能の一つに重ね合せマツチング精度があげられる。この
マツチング精度に影響を与える要素の中で重要なものに
投影光学系の倍率誤差がある。超ＬＳＩに用いられるパ
ターンの大きさは年々微細化の傾向を強め、それに伴つ
てマツチング精度の向上に対するニーズも強くなってき
ている。従って投影倍率を所定の値に保つ必要性はきわ
めて高くなってきている。現在投影光学系の倍率は装置
の設置時に調整することにより倍率誤差が一応無視でき
る程度になっている。しかしながら、装置の稼動時にお
ける僅かな温度変化やクリーンルーム内の僅かな気圧変
動等、環境条件が変化しても倍率誤差が生じないように
したいという要求が高まっている。
また、環境東件の変化により倍率の変動だけでなく、投
影光学系の結像面の位置が光軸方面に変動する、いわゆ
る焦点変動も生じる。このため、この焦点変動をそのま
＼放置しておくと、投影されたマスクのパターン像が感
光体であるウェハ上で解像不良となり、超ＬＳＩの不良
を招くことにもなる。
影光学系の結像面の位置が光軸方面に変動する、いわゆ
る焦点変動も生じる。このため、この焦点変動をそのま
＼放置しておくと、投影されたマスクのパターン像が感
光体であるウェハ上で解像不良となり、超ＬＳＩの不良
を招くことにもなる。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決すべく、温度及び気圧の変
動による倍率誤差や焦点変動の発生を防１）、シ得る投
影光学装置を提供することを目的とする０ （発明の概要） そこで本発明は、投影先竿系と感光体とを外気携 から遮断して気密状態に収納する収就各器（チャンバー
）を設け、さらにそのチャンバー内の気体の温度と圧力
を所定値に維持し得る気体制御装置と、その気体を、投
影光学系の構成要素でおる複数の光学要素（レンズエレ
メント）間に流通させる手段（ノア／）とを設けること
を技術的要点とする。
動による倍率誤差や焦点変動の発生を防１）、シ得る投
影光学装置を提供することを目的とする０ （発明の概要） そこで本発明は、投影先竿系と感光体とを外気携 から遮断して気密状態に収納する収就各器（チャンバー
）を設け、さらにそのチャンバー内の気体の温度と圧力
を所定値に維持し得る気体制御装置と、その気体を、投
影光学系の構成要素でおる複数の光学要素（レンズエレ
メント）間に流通させる手段（ノア／）とを設けること
を技術的要点とする。
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例による投影露光装置の概
略的な構成図である。照明用の光源１は楕円形の集光ミ
ラー２の第１焦点位置に配置され、光源１からめ光は集
光ばラー２の第２焦点位置に集光される０この第２焦点
位置には照明光を透過、及び遮断するンヤッター３が設
けられている○こノンヤッター３はパルスモータやソノ
ノイド等の駆動部４によって開閉される。ンヤソター３
を透過した照明光は第１コンデンサーレ／ズ５、）・２
コンデンサーレンズ６ｔｍｂ、レチクル（マスク）Ｒを
照明する。
略的な構成図である。照明用の光源１は楕円形の集光ミ
ラー２の第１焦点位置に配置され、光源１からめ光は集
光ばラー２の第２焦点位置に集光される０この第２焦点
位置には照明光を透過、及び遮断するンヤッター３が設
けられている○こノンヤッター３はパルスモータやソノ
ノイド等の駆動部４によって開閉される。ンヤソター３
を透過した照明光は第１コンデンサーレ／ズ５、）・２
コンデンサーレンズ６ｔｍｂ、レチクル（マスク）Ｒを
照明する。
レチクルＲには所定の回路パターン等が形成されており
、そのパターンの光像は投影レンズ７によって、感光材
を塗布したウェハＷ上に投影される０ 投影レンズ７を構成する鏡筒には周囲に複数の通気孔７
ａが設けられており、この通気孔７ａは、投影レンズ７
を構成するレンズエレメントとレンズエレメントとの間
の各空間Ｓ１、’ Ｓｔ、、８ｓを鏡筒の外側の雰囲気
と連通させる。移動ステージ８（以下、単にステージ８
と呼ぶ）はウェハＷを載置するとともに、駆動部９によ
シ定盤１０の上を２次元的に移動するように設けられて
いるＱこのステージ８０２次元的な位１４はレーザ光を
用いた光波干渉計（以下、レーザ干渉計とする）１１に
よって逐次測定されている。
、そのパターンの光像は投影レンズ７によって、感光材
を塗布したウェハＷ上に投影される０ 投影レンズ７を構成する鏡筒には周囲に複数の通気孔７
ａが設けられており、この通気孔７ａは、投影レンズ７
を構成するレンズエレメントとレンズエレメントとの間
の各空間Ｓ１、’ Ｓｔ、、８ｓを鏡筒の外側の雰囲気
と連通させる。移動ステージ８（以下、単にステージ８
と呼ぶ）はウェハＷを載置するとともに、駆動部９によ
シ定盤１０の上を２次元的に移動するように設けられて
いるＱこのステージ８０２次元的な位１４はレーザ光を
用いた光波干渉計（以下、レーザ干渉計とする）１１に
よって逐次測定されている。
この定盤１０は、エア・タンパ−１２を有する防振台１
３の上に載置されている。このため床１４を伝９てくる
外部振動は露光装置に伝らないように遮断、もしくは減
衰される。さらに、この定盤１０には投影レンズ７、レ
チクルｎ 、 ％及び第２コンデンサーレンズ６を所定
の光学的な関係に保持するための支柱１５が設けられて
いる０たｙしレチクルＲはレチクルホルダー１６に載置
され、このＶチクルホルダー１６は、レチクルＲが２次
元的に移動可能なように支柱１５に設けられている０ チャンバー２０は刈・２コンデンサーレンズ６、ｖ−ｙ
−クルＲ，，投影レンズ７、ウェハＷ及びステージ８を
外気から遮断して、その内部を密閉状態にする如く設け
られている。このチキンバー２０の内部には、内部の気
体（例えば空気）の温度を調整する温度調整装置１８が
設けられている。この温度調整装置１８は、チャンバー
２０内の下方の気体を上方へ送る送風機２１と、送風機
２１から送られた気体１を所定の温度に調節して排出す
る温度制御部２２と、温度制御部２２からの気体をチャ
ンバー２０内の上側で排出するようなフィルター２３と
で構成されている。温度制御部２２は、例えば冷却機、
加熱機、温度センサー及び制御回路により構成され、温
度センサーが排出される気体の温度を検出し、その温度
が所定値になるように制御回路によシ冷却機と加熱機と
を制御することによって、フィルター２３からは常に所
定温度の気体が排出される。また、フィルター２３は、
通過する気体中の微小な塵（サブミクロンまでの粒子）
を取シ去るようなＨＥＰＡフィルター（）Ｉｉｇｈ Ｅ
ｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｌｉｃｕｌａｌｅ Ａｉｒ
ｆｉｌ＋ｅｒ）で６Ｄ常に清浄な気体をチャンバー２
０内に排出するＯ さて、このチャンバー２０内の気体の圧力は圧力センサ
−２５で検出され、その検出信号は圧力調整装置２６に
送られる。この圧力調整装［２６は検出信号に基づいて
、チャンバー２０内の圧力が所定値になるように、管２
７を通じて圧力制御する。圧力調整装置２６は外気に開
放された管２８を通じて、チャンバー２０内に気体を送
シ込むコンプレッサーと、チャンバー２０内の気体を排
気する排気装置とで構成されておシ、このコンプレッサ
ーと排気装置を圧力センサー２５からの検出信号に基づ
いて制御することにより、チャンバー２０内は常に所定
圧力に保たれる０尚、チャンバー２０の上方には、光源
１、集光ミラー２、シャッター３、駆動部４、第１コン
デンサーレンズ５のカバー１９が設けられている。
３の上に載置されている。このため床１４を伝９てくる
外部振動は露光装置に伝らないように遮断、もしくは減
衰される。さらに、この定盤１０には投影レンズ７、レ
チクルｎ 、 ％及び第２コンデンサーレンズ６を所定
の光学的な関係に保持するための支柱１５が設けられて
いる０たｙしレチクルＲはレチクルホルダー１６に載置
され、このＶチクルホルダー１６は、レチクルＲが２次
元的に移動可能なように支柱１５に設けられている０ チャンバー２０は刈・２コンデンサーレンズ６、ｖ−ｙ
−クルＲ，，投影レンズ７、ウェハＷ及びステージ８を
外気から遮断して、その内部を密閉状態にする如く設け
られている。このチキンバー２０の内部には、内部の気
体（例えば空気）の温度を調整する温度調整装置１８が
設けられている。この温度調整装置１８は、チャンバー
２０内の下方の気体を上方へ送る送風機２１と、送風機
２１から送られた気体１を所定の温度に調節して排出す
る温度制御部２２と、温度制御部２２からの気体をチャ
ンバー２０内の上側で排出するようなフィルター２３と
で構成されている。温度制御部２２は、例えば冷却機、
加熱機、温度センサー及び制御回路により構成され、温
度センサーが排出される気体の温度を検出し、その温度
が所定値になるように制御回路によシ冷却機と加熱機と
を制御することによって、フィルター２３からは常に所
定温度の気体が排出される。また、フィルター２３は、
通過する気体中の微小な塵（サブミクロンまでの粒子）
を取シ去るようなＨＥＰＡフィルター（）Ｉｉｇｈ Ｅ
ｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｌｉｃｕｌａｌｅ Ａｉｒ
ｆｉｌ＋ｅｒ）で６Ｄ常に清浄な気体をチャンバー２
０内に排出するＯ さて、このチャンバー２０内の気体の圧力は圧力センサ
−２５で検出され、その検出信号は圧力調整装置２６に
送られる。この圧力調整装［２６は検出信号に基づいて
、チャンバー２０内の圧力が所定値になるように、管２
７を通じて圧力制御する。圧力調整装置２６は外気に開
放された管２８を通じて、チャンバー２０内に気体を送
シ込むコンプレッサーと、チャンバー２０内の気体を排
気する排気装置とで構成されておシ、このコンプレッサ
ーと排気装置を圧力センサー２５からの検出信号に基づ
いて制御することにより、チャンバー２０内は常に所定
圧力に保たれる０尚、チャンバー２０の上方には、光源
１、集光ミラー２、シャッター３、駆動部４、第１コン
デンサーレンズ５のカバー１９が設けられている。
さらに、チャンバー２０内には投影レンズ７の周囲に気
体を強制的に流ずためのファン３０が設けられている。
体を強制的に流ずためのファン３０が設けられている。
７ ’ｙン３０は図中、矢印Ａのように温度調整装置１
８のフィルター２３から排出された洗浄な気体を、積極
的に投影レンズ７にあてる働きをする。これにより投影
レンズ７の通気孔り、投影レンズ７に入射する光エネル
ギーの一部を内部のレンズエレメントＬ＋−Ｌａが吸収
することにより生じる熱的変動を低減させる。
８のフィルター２３から排出された洗浄な気体を、積極
的に投影レンズ７にあてる働きをする。これにより投影
レンズ７の通気孔り、投影レンズ７に入射する光エネル
ギーの一部を内部のレンズエレメントＬ＋−Ｌａが吸収
することにより生じる熱的変動を低減させる。
すなわち、投影レンズ７内の各レンズニレメン） １ｕ
〜Ｌ４の表面は、常に所定の温度及び所定の圧力に；ｕ
制御された気体にさらされており、レンズエレメントＬ
＋〜Ｌ４が光エネルギーの吸収により温度上昇しても、
レンズエレメント自体の光学的な特性を狂わすことがな
く、空間Ｓ！、Ｓｌ、Ｓ３の圧力も一定なので、この空
間による屈折率も変化せずその結果、投影レンズ７の光
学的な特性の変動、例えば倍率変動や焦点変動が押えら
れ、常に初期の特性が保たれる。
〜Ｌ４の表面は、常に所定の温度及び所定の圧力に；ｕ
制御された気体にさらされており、レンズエレメントＬ
＋〜Ｌ４が光エネルギーの吸収により温度上昇しても、
レンズエレメント自体の光学的な特性を狂わすことがな
く、空間Ｓ！、Ｓｌ、Ｓ３の圧力も一定なので、この空
間による屈折率も変化せずその結果、投影レンズ７の光
学的な特性の変動、例えば倍率変動や焦点変動が押えら
れ、常に初期の特性が保たれる。
ところで、レチクルＲやウェハＷは変換する必要がある
。このためチャンバー２０とは独立したウェハ用予備室
４０と、レチクル用予備室５０とが設けられている。ウ
ェハ用予備室４０には外気に対し７て気密可能に開閉す
る扉４１と、ウェハ用予備室４０とチャンバー２０とを
隔離する開閉可能な扉４２とが設けられている。たソし
、扉４１と扉４２は同時には開かないように制御されて
いる。ウェノ・用予備室４０には、１枚のウエノ・、又
は復故のウェハを段積み状態で格納するウェノ・カセッ
トが、扉４１を開いて運び込まれる。１枚のウェハの場
合は、扉４２が閉じて、扉４１が開いた状態でウェノ・
用予備室４０内に搬入され、扉４１が閉じてから扉４２
が開いて、そのウェノ・は不図示の自動搬送部によりス
テージ８まで運ばれる。また、ウェノ・カセットごとウ
ェノ・用予備室４０内に搬入される場合は、扉４１を閉
じた後扉４２を開いたま＼にして、自動搬送部によりウ
ェハカセットからステージ８へ１枚ずつウェノへヲ供給
し、露光が終了したら、そのウェノ・をステージ８から
ウェハカセットへ戻し、次のウェノ・を搬送するように
すればよい。
。このためチャンバー２０とは独立したウェハ用予備室
４０と、レチクル用予備室５０とが設けられている。ウ
ェハ用予備室４０には外気に対し７て気密可能に開閉す
る扉４１と、ウェハ用予備室４０とチャンバー２０とを
隔離する開閉可能な扉４２とが設けられている。たソし
、扉４１と扉４２は同時には開かないように制御されて
いる。ウェノ・用予備室４０には、１枚のウエノ・、又
は復故のウェハを段積み状態で格納するウェノ・カセッ
トが、扉４１を開いて運び込まれる。１枚のウェハの場
合は、扉４２が閉じて、扉４１が開いた状態でウェノ・
用予備室４０内に搬入され、扉４１が閉じてから扉４２
が開いて、そのウェノ・は不図示の自動搬送部によりス
テージ８まで運ばれる。また、ウェノ・カセットごとウ
ェノ・用予備室４０内に搬入される場合は、扉４１を閉
じた後扉４２を開いたま＼にして、自動搬送部によりウ
ェハカセットからステージ８へ１枚ずつウェノへヲ供給
し、露光が終了したら、そのウェノ・をステージ８から
ウェハカセットへ戻し、次のウェノ・を搬送するように
すればよい。
一部、レチクル用予備室５０もウェノ・用予備室４０と
同様に、外気に対して気密状態にする開閉可能な扉５１
と、レチクル用予備室５０とチャンバー２０とを隔１１
Ｈする開閉可能な扉５２とが設けられている。このレチ
クル用予備室５０内には１枚のレチクル、又は複数のレ
チクルが搬入されるＯ扉５１．５２の動作も扉４１．４
２と同様に、同時に両方の扉５１．５２が開かないよう
に制御されている０ さて、このような構成で圧力調整装置２６はチャンバー
２０内の圧力を一定の値、例えば７６０ｍＨｇに保ち、
温度調整装置１８はフィルター２３を介して一定の温度
、例えば２５℃の気体を図中矢印に示すように、第２コ
ンデンサーレンズ６、レチクルＲ１投影レンズ７に向け
て排出する０この気体はチャンバー２０内を循環して、
ウエノ・Ｗやステージ８の周囲を通り、再び温度調整装
置１８の送風機２１に流れ込む０以上のように、レチク
ルＲ１投影レンズ７、ウェハＷは、常に一定の温度、一
定の圧力に保たれた気体中に設置され、さらに投影レン
ズ７の内部のレンズエレメントＩ−＋〜Ｌ４も、その気
体の流れにさらされているので、レチクルＲを通り投影
レンズ７に入射する光エネルギーによって、光学特性の
変動を起こすことがなく、投影状態、すなわち倍率変動
によるウェハＷ上での投影像の伸縮状態や、焦点変動に
よる投影像の結像状態を常に最適なものに維持すること
ができる。
同様に、外気に対して気密状態にする開閉可能な扉５１
と、レチクル用予備室５０とチャンバー２０とを隔１１
Ｈする開閉可能な扉５２とが設けられている。このレチ
クル用予備室５０内には１枚のレチクル、又は複数のレ
チクルが搬入されるＯ扉５１．５２の動作も扉４１．４
２と同様に、同時に両方の扉５１．５２が開かないよう
に制御されている０ さて、このような構成で圧力調整装置２６はチャンバー
２０内の圧力を一定の値、例えば７６０ｍＨｇに保ち、
温度調整装置１８はフィルター２３を介して一定の温度
、例えば２５℃の気体を図中矢印に示すように、第２コ
ンデンサーレンズ６、レチクルＲ１投影レンズ７に向け
て排出する０この気体はチャンバー２０内を循環して、
ウエノ・Ｗやステージ８の周囲を通り、再び温度調整装
置１８の送風機２１に流れ込む０以上のように、レチク
ルＲ１投影レンズ７、ウェハＷは、常に一定の温度、一
定の圧力に保たれた気体中に設置され、さらに投影レン
ズ７の内部のレンズエレメントＩ−＋〜Ｌ４も、その気
体の流れにさらされているので、レチクルＲを通り投影
レンズ７に入射する光エネルギーによって、光学特性の
変動を起こすことがなく、投影状態、すなわち倍率変動
によるウェハＷ上での投影像の伸縮状態や、焦点変動に
よる投影像の結像状態を常に最適なものに維持すること
ができる。
向、この第１の実施例において、チャ／バー２０の容積
に対して、ウェノ・用予備室４０、レチクル用予備室５
０の容積が十分小さく、チャンバー２０内の圧力と外気
の圧力（大気圧）との差が小さい場合は、扉４２、扉５
２を開いてもチャンバー２０内の圧力変動は小さい。し
かしながら、チャンバー２０内の圧力と大気圧との差が
大きい場合は、扉４２、扉５２の開放によりチャンバー
２０内の圧力が急に変動することになる。そこでこの場
合、扉４２、扉５２を開く速度を遅くして、チャンバー
２０と各予備室との間で気体がリークする速度を低くす
る。そして、チャンバー２０内の圧力変化の速さを小さ
くして、圧力調整装置２６の圧力調節速度（応答時間）
ば十分追随できるようにすればよい。父、各予備室４０
．５０に圧力調整装置を設け、予備室内の圧力がチャン
バー２０内の圧力と同じになるように制御しても同様の
効果が得られる。
に対して、ウェノ・用予備室４０、レチクル用予備室５
０の容積が十分小さく、チャンバー２０内の圧力と外気
の圧力（大気圧）との差が小さい場合は、扉４２、扉５
２を開いてもチャンバー２０内の圧力変動は小さい。し
かしながら、チャンバー２０内の圧力と大気圧との差が
大きい場合は、扉４２、扉５２の開放によりチャンバー
２０内の圧力が急に変動することになる。そこでこの場
合、扉４２、扉５２を開く速度を遅くして、チャンバー
２０と各予備室との間で気体がリークする速度を低くす
る。そして、チャンバー２０内の圧力変化の速さを小さ
くして、圧力調整装置２６の圧力調節速度（応答時間）
ば十分追随できるようにすればよい。父、各予備室４０
．５０に圧力調整装置を設け、予備室内の圧力がチャン
バー２０内の圧力と同じになるように制御しても同様の
効果が得られる。
またウェハ用予備室４０は複数設けておいた方が、ウェ
ハの出し入れに対して便利であり、例えばウェハをチャ
ンバー２０内に搬入するための予備室ト、チャンバー２
０内から搬出するための予備室とを別々にすると、装置
のスループットが向上するｙいう利点がおる。さらに、
そのように搬入用と搬出用に予備室を分けた場合でも、
それぞれ複数の室を用意し、１つの室が外気に対して閉
じている時に、他の室が外気に対して開いているように
すれば、ウェハ交換の操作がよ！ｌ１便利になる利点も
ある。
ハの出し入れに対して便利であり、例えばウェハをチャ
ンバー２０内に搬入するための予備室ト、チャンバー２
０内から搬出するための予備室とを別々にすると、装置
のスループットが向上するｙいう利点がおる。さらに、
そのように搬入用と搬出用に予備室を分けた場合でも、
それぞれ複数の室を用意し、１つの室が外気に対して閉
じている時に、他の室が外気に対して開いているように
すれば、ウェハ交換の操作がよ！ｌ１便利になる利点も
ある。
次に本発明の第２の実施例を第２図を用いて説明する。
第１の実施例では第１のコンデンサーレンズ５によって
チャンバー２０内と外気とを気密状態で遮断するように
したが、第２の実施例ではレチクルＲによりて遮断する
ようにチャンバー２０を構成した点で異なる。すなわち
第２図のように、レチクルＲの下面からステージ８捷で
がチャンバー２０内に気密状態で格納される０このため
、第２の実施例においても、ＶチクルＲと投影レンズ７
の間の空間、投影レンズ７とウエノ・Ｗとの間の空間、
及び投影レンズ７内の空間８ｔＸ８ｔ、８ｔは一定温度
、一定圧力の気体で満され、ファン３０によってレンズ
エレメントＬｌ−Ｌ４は熱的な光学特性の変動を押えら
れるから、レチクル只のノ（ターンはウェノ・Ｗ上に常
に一定の倍率で、かつ最適な結像状態で投影される。
チャンバー２０内と外気とを気密状態で遮断するように
したが、第２の実施例ではレチクルＲによりて遮断する
ようにチャンバー２０を構成した点で異なる。すなわち
第２図のように、レチクルＲの下面からステージ８捷で
がチャンバー２０内に気密状態で格納される０このため
、第２の実施例においても、ＶチクルＲと投影レンズ７
の間の空間、投影レンズ７とウエノ・Ｗとの間の空間、
及び投影レンズ７内の空間８ｔＸ８ｔ、８ｔは一定温度
、一定圧力の気体で満され、ファン３０によってレンズ
エレメントＬｌ−Ｌ４は熱的な光学特性の変動を押えら
れるから、レチクル只のノ（ターンはウェノ・Ｗ上に常
に一定の倍率で、かつ最適な結像状態で投影される。
尚、この実施例においては、レチクルＲと投影レンズ７
との間の空間はチャンバー２０内の制御された気体で満
たすものとしたが、投影レンズ７のＶチクルＲ側の刺・
１番目のレンズエレメント（例エバレンズエレメントＬ
ｌ ）によって外気と遮断するように、チャンバー２０
の壁を投影レンズ７の鏡筒と接合しておいても同様の効
果が得られる。この場合、投影レンズ７とウェノ・Ｗの
間の空間、及び投影レンズ７内の空間８＋、 Ｓｔ、Ｓ
ｍが一定温度、一定圧力の気体で満される０ （発明 考牛の効果） 以上のように本発明によれば投影光学系をイ１僅成する
光学要素の表面を空冷することにより、露光エネルギー
の吸収による熱的変化を軽減できるので、安定した結像
倍率や結像位置が得られるだけでなく、外気の圧力や温
度変化にが＼わらず所定の結像特性を維持できる利点が
ある。丑た本発明を、実、流側のよう、にステージにレ
ーザ干渉側を用いて位置測定するような露光装置に適用
すると、レーザ光の波長が変動しないので、一定の波長
係敬を損けるだけで特別な波長補正をしなくてよく、ま
たレーザ光が通る空間の気体の屈折率の揺らぎも小さく
なって、ステージ位置測定の再現性が良くなるので、ス
テージの位置決め精度が向上するという利点もある。
との間の空間はチャンバー２０内の制御された気体で満
たすものとしたが、投影レンズ７のＶチクルＲ側の刺・
１番目のレンズエレメント（例エバレンズエレメントＬ
ｌ ）によって外気と遮断するように、チャンバー２０
の壁を投影レンズ７の鏡筒と接合しておいても同様の効
果が得られる。この場合、投影レンズ７とウェノ・Ｗの
間の空間、及び投影レンズ７内の空間８＋、 Ｓｔ、Ｓ
ｍが一定温度、一定圧力の気体で満される０ （発明 考牛の効果） 以上のように本発明によれば投影光学系をイ１僅成する
光学要素の表面を空冷することにより、露光エネルギー
の吸収による熱的変化を軽減できるので、安定した結像
倍率や結像位置が得られるだけでなく、外気の圧力や温
度変化にが＼わらず所定の結像特性を維持できる利点が
ある。丑た本発明を、実、流側のよう、にステージにレ
ーザ干渉側を用いて位置測定するような露光装置に適用
すると、レーザ光の波長が変動しないので、一定の波長
係敬を損けるだけで特別な波長補正をしなくてよく、ま
たレーザ光が通る空間の気体の屈折率の揺らぎも小さく
なって、ステージ位置測定の再現性が良くなるので、ス
テージの位置決め精度が向上するという利点もある。
さらに、本発明では収納容器（チャンバー２０）を用い
るので、ウェハＷの置かれる雰囲気を空気ではなく窒素
等の他の気体に置換することもできる。このだめ感光材
としてポジレジストだけでなく、ネガレジストも使用で
きる。この場合には、ウェハ用予備室４０、又はレチク
ル用予備室５０からの空気の混入が予想されるので、使
用する気体を単位時間に一方から供給し、他方から排気
する等して、気体の成分比を所定のものとする必要があ
る。また圧力調整装置２６の外気に開かれたｔＶ２８を
その気体の供給口として使用する場合は使用気体の配管
と接続しなければならない。
るので、ウェハＷの置かれる雰囲気を空気ではなく窒素
等の他の気体に置換することもできる。このだめ感光材
としてポジレジストだけでなく、ネガレジストも使用で
きる。この場合には、ウェハ用予備室４０、又はレチク
ル用予備室５０からの空気の混入が予想されるので、使
用する気体を単位時間に一方から供給し、他方から排気
する等して、気体の成分比を所定のものとする必要があ
る。また圧力調整装置２６の外気に開かれたｔＶ２８を
その気体の供給口として使用する場合は使用気体の配管
と接続しなければならない。
第１図は本発明の第１実施例による投影露光装置の構成
図、第２図は本発明の第２の実施例による投影露光装置
の構成図である。 〔＋要部分の符号の説明〕 １・・・・・・・・・光源、７・・・・・・・・投影レ
ンズ、７ａ・・・・・・・・・通気孔、８・・・・・・
・・・ステージ、１１・・・・・・・・・レーザ干渉計
、１８・・・・・・・・・温度調整装置、２０・・・・
・・・・・チャンバー、２６・・・・・・・・・圧力調
整装置、３０・・・・・・・・・ファン出願人 日本光
学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 才１図 第２図
図、第２図は本発明の第２の実施例による投影露光装置
の構成図である。 〔＋要部分の符号の説明〕 １・・・・・・・・・光源、７・・・・・・・・投影レ
ンズ、７ａ・・・・・・・・・通気孔、８・・・・・・
・・・ステージ、１１・・・・・・・・・レーザ干渉計
、１８・・・・・・・・・温度調整装置、２０・・・・
・・・・・チャンバー、２６・・・・・・・・・圧力調
整装置、３０・・・・・・・・・ファン出願人 日本光
学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男 才１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の光学要素から成る投影光学系を介して、マスクの
パターンを感光体に投影露光する装置において、 前記投影光学系と感光体とを外気から遮断して気密状態
に収納する収納容器と； 該収納容器内の気体の温度と圧力とを所定の値に制御す
る気体制御装置と； 該制御された気体を前記投影光学系の複数の光学要素間
に流通させる手段とを備えたことを特徴とする投影光学
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187867A JPS6079358A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 投影光学装置 |
| US06/656,746 US4690528A (en) | 1983-10-05 | 1984-10-01 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187867A JPS6079358A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 投影光学装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4319138A Division JPH0645227A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079358A true JPS6079358A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH04589B2 JPH04589B2 (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=16213602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187867A Granted JPS6079358A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-07 | 投影光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079358A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249624A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置用遮風装置 |
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| US4716441A (en) * | 1985-07-19 | 1987-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light exposure apparatus |
| JPH0269955A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Canon Inc | マスクローディング機構 |
| JP2548668B2 (ja) * | 1993-02-26 | 1996-10-30 | エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 | 半導体デバイス製造装置 |
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
| WO2001020650A1 (fr) * | 1999-09-14 | 2001-03-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition |
| US6529264B1 (en) | 1997-11-25 | 2003-03-04 | Nikon Corporation | Support structure for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus having the same |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187867A patent/JPS6079358A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716441A (en) * | 1985-07-19 | 1987-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light exposure apparatus |
| JPS6249624A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置用遮風装置 |
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPH0269955A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Canon Inc | マスクローディング機構 |
| JP2548668B2 (ja) * | 1993-02-26 | 1996-10-30 | エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 | 半導体デバイス製造装置 |
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
| US6529264B1 (en) | 1997-11-25 | 2003-03-04 | Nikon Corporation | Support structure for a projection exposure apparatus and projection exposure apparatus having the same |
| WO2001020650A1 (fr) * | 1999-09-14 | 2001-03-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04589B2 (ja) | 1992-01-08 |
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