JPH03147322A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03147322A JPH03147322A JP28540189A JP28540189A JPH03147322A JP H03147322 A JPH03147322 A JP H03147322A JP 28540189 A JP28540189 A JP 28540189A JP 28540189 A JP28540189 A JP 28540189A JP H03147322 A JPH03147322 A JP H03147322A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に係り、特にシリコンウェハの清
浄表面形成方法に関し。
浄表面形成方法に関し。
半導体基板表面に自然酸化膜や残留ふっ素原子のない半
導体基板を得ることを目的とし。
導体基板を得ることを目的とし。
表面に酸化膜の形成された半導体基板を、ふっ素原子を
含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基板をアンモ
ニアを含むガス中に曝す第２の工程とを含み、該第１の
工程ののちに該第２の工程を行うか、或いは該第１の工
程と該第２の工程を同時に行う半導体装置の製造方法に
より構成する。
含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体基板をアンモ
ニアを含むガス中に曝す第２の工程とを含み、該第１の
工程ののちに該第２の工程を行うか、或いは該第１の工
程と該第２の工程を同時に行う半導体装置の製造方法に
より構成する。
また、上記において、少なくとも該第１の工程中或いは
該第２の工程中に、該半導体基板に紫外線照射を行う半
導体装置の製造方法により構成する。
該第２の工程中に、該半導体基板に紫外線照射を行う半
導体装置の製造方法により構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリコンウ
ェハの清浄表面形成方法に関する。
ェハの清浄表面形成方法に関する。
〔従来の技術）
シリコンウェハの自然酸化膜を除去するプロセスは、エ
ピタキシャル成長の前処理やコンタクト形成の前処理等
として将来のＵＬＳ Ｉ製造において重要なプロセスと
なる。自然酸化膜を除去しシリコンの清浄表面を得るプ
ロセスでは、低温化が望まれている。
ピタキシャル成長の前処理やコンタクト形成の前処理等
として将来のＵＬＳ Ｉ製造において重要なプロセスと
なる。自然酸化膜を除去しシリコンの清浄表面を得るプ
ロセスでは、低温化が望まれている。
最近になって、ＨＦ等のふっ素糸ガスを用いる方法が研
究されているが、この方法では自然酸化膜除去後にシリ
コン表面にふっ素原子が残留してしまい、このふっ素原
子が除去し難いという問題が生じていた０例えば、シリ
コンのホモエビキキシーへこの技術を応用すると、シリ
コン表面の残留ふっ素原子が欠陥発生の原因となってい
た。
究されているが、この方法では自然酸化膜除去後にシリ
コン表面にふっ素原子が残留してしまい、このふっ素原
子が除去し難いという問題が生じていた０例えば、シリ
コンのホモエビキキシーへこの技術を応用すると、シリ
コン表面の残留ふっ素原子が欠陥発生の原因となってい
た。
（発明が解決しようとする課題〕
本発明は、ふっ素糸ガスを用いてシリコン表面を清浄化
した後残留するふっ素原子を１低温で除去する方法を提
供することを目的とする。
した後残留するふっ素原子を１低温で除去する方法を提
供することを目的とする。
上記課題は１表面に酸化膜の形成された半導体基板１を
、ふっ素原子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導
体基板ｌをアンモニアを含むガス中に曝す第２の工程と
を含み、該第１の工程ののちに該第２の工程を行うか、
或いは該第１の工程と該第２の工程を同時に行う半導体
装置の製造方法によって解決される。
、ふっ素原子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導
体基板ｌをアンモニアを含むガス中に曝す第２の工程と
を含み、該第１の工程ののちに該第２の工程を行うか、
或いは該第１の工程と該第２の工程を同時に行う半導体
装置の製造方法によって解決される。
また、前記の方法において、少なくとも該第１の工程中
或いは該第２の工程中に、該半導体基板１に紫外線照射
を行う半導体装置の製造方法によって解決される。
或いは該第２の工程中に、該半導体基板１に紫外線照射
を行う半導体装置の製造方法によって解決される。
〔作用］
半導体基板１を、ふっ素原子を含むガス中に曝す第１の
工程で表面の自然酸化膜が除去されるが。
工程で表面の自然酸化膜が除去されるが。
その時表面にふっ素原子が残留する。その半導体基板を
アンモニアを含むガス中に曝す第２の工程では、アンモ
ニアが残留しているふっ素原子と反応して、ＮＨ，Ｆ、
ＮＨ！Ｆ等の化合物を生成し。
アンモニアを含むガス中に曝す第２の工程では、アンモ
ニアが残留しているふっ素原子と反応して、ＮＨ，Ｆ、
ＮＨ！Ｆ等の化合物を生成し。
これらの化合物が気相中に脱離する。このようにして、
清浄な半導体表面が得られる。
清浄な半導体表面が得られる。
第１の工程及び第２の工程を同時に行ってもよく、この
場合は自然酸化膜の除去とふっ素原子の除去が同時に進
行し、清浄な半導体表面が得られる。
場合は自然酸化膜の除去とふっ素原子の除去が同時に進
行し、清浄な半導体表面が得られる。
第１の工程及び第２の工程は、常温で行って目的を達成
することができるが、さらに短時間で目的を達成するた
めに、第１の工程中或いは該第２の工程中に、半導体基
板１に紫外線照射を行う。
することができるが、さらに短時間で目的を達成するた
めに、第１の工程中或いは該第２の工程中に、半導体基
板１に紫外線照射を行う。
紫外線照射は自然酸化膜の除去やふっ素原子の脱離等の
反応を促進し、処理時間を短縮する。
反応を促進し、処理時間を短縮する。
第１図は本発明を実施するための装置を示し。
ｌは半導体基板、２は紫外光源、３は加熱機構。
４は真空チャンバ、 ５１．５２．５３はバルブ、６は
台を表す。
台を表す。
以下、この装置を用いて行った実施例について説明する
。
。
実施例Ｉ
厚さ約１０人の自然酸化膜の形成されたシリコンウェハ
１を台６上に搭載し、真空チャンバ４を排気した後バル
ブ５１を開いてふっ素ガス（Ｆ２）を真空チャンバ４内
に導入し、常圧とし、シリコンウェハ１をその雰囲気に
１０分間曝した。
１を台６上に搭載し、真空チャンバ４を排気した後バル
ブ５１を開いてふっ素ガス（Ｆ２）を真空チャンバ４内
に導入し、常圧とし、シリコンウェハ１をその雰囲気に
１０分間曝した。
次に５真空チヤンバ４を排気した後バルブ５２を開いて
アンモニアガスを導入し２．５ Ｔｏｒｒの減圧状態に
し、この雰囲気にシリコンウェハ１を２０分間曝した。
アンモニアガスを導入し２．５ Ｔｏｒｒの減圧状態に
し、この雰囲気にシリコンウェハ１を２０分間曝した。
その後、シリコンウェハ１を真空チャンバ４から取り出
し、ＥＳＣＡによる表面分析を行ったところ、酸素、ふ
っ素ともバックグラウンドより大きい量を見出すことが
できなかった。
し、ＥＳＣＡによる表面分析を行ったところ、酸素、ふ
っ素ともバックグラウンドより大きい量を見出すことが
できなかった。
なお、ふっ素ガスはネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａ ｒ
）等の不活性ガスで希釈してもよく、ふっ素ガスに替
えてぶつ化水素ガスを使用してもよく。
）等の不活性ガスで希釈してもよく、ふっ素ガスに替
えてぶつ化水素ガスを使用してもよく。
アンモニアガスは水素ガス（Ｈｚ）を混合してもよい。
さらに、ふっ素を含むガスとアンモニアを含むガスを同
時に供給して、それらの混合雰囲気にシリコンウェハ１
を曝す処理方法でも、自然酸化膜を除去しふっ素原子の
残留を阻止することが可能であった。
時に供給して、それらの混合雰囲気にシリコンウェハ１
を曝す処理方法でも、自然酸化膜を除去しふっ素原子の
残留を阻止することが可能であった。
実施例ｎ
厚さ約１０人の自然酸化膜の形成されたシリコンウェハ
１を台６上に搭載し、真空チャンバ４を排気した。低圧
水銀ランプ２により、紫外光をシリコンウェハ１に照射
した状態でバルブ５１を開き。
１を台６上に搭載し、真空チャンバ４を排気した。低圧
水銀ランプ２により、紫外光をシリコンウェハ１に照射
した状態でバルブ５１を開き。
ふっ素ガス（Ｆ２）を真空チャンバ４内に導入し。
常圧とし、シリコンウェハ１をその雰囲気に１０分間曝
した。
した。
次に、真空チャンバ４を排気した後、紫外線ランプ２を
点灯したままバルブ５２を開いてアンモニアガスを導入
し２．５ Ｔｏｒｒの減圧状態にし、この雰囲気にシリ
コンウェハ１をその雰囲気に２０分間曝した。
点灯したままバルブ５２を開いてアンモニアガスを導入
し２．５ Ｔｏｒｒの減圧状態にし、この雰囲気にシリ
コンウェハ１をその雰囲気に２０分間曝した。
その後１ シリコンウェハ１を真空チャンバ４から取り
出し、ＥＳＣＡによる表面分析を行ったところ、酸素、
ふっ素ともバンクグラウンドより大きい量を見出すこと
ができなかった。
出し、ＥＳＣＡによる表面分析を行ったところ、酸素、
ふっ素ともバンクグラウンドより大きい量を見出すこと
ができなかった。
なお、紫外光源はＦ２やＨＦなとのＦ系ガス及びアンモ
ニアガスの吸収帯と一致する波長を持つものがよく、低
圧水銀ランプはその例である。紫外線照射は、ふっ素ガ
スによる自然酸化膜除去の際、あるいはアンモニアガス
によるふっ素原子除去の際のいずれか一方だけ行っても
よい。
ニアガスの吸収帯と一致する波長を持つものがよく、低
圧水銀ランプはその例である。紫外線照射は、ふっ素ガ
スによる自然酸化膜除去の際、あるいはアンモニアガス
によるふっ素原子除去の際のいずれか一方だけ行っても
よい。
また、紫外線照射に替えて１ シリコンウェハ１を加熱
機構３により加熱することにより１反応を促進すること
ができる。
機構３により加熱することにより１反応を促進すること
ができる。
〔発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、半導体基板表面
の自然酸化膜を除去し、さらにふっ素原子が残留するこ
とを防止して清浄な表面を得ることができる。
の自然酸化膜を除去し、さらにふっ素原子が残留するこ
とを防止して清浄な表面を得ることができる。
本発明を２例えば、シリコンのホモエピタキシーに応用
する場合、ふっ素原子に起因する欠陥をなくすことがで
きる。
する場合、ふっ素原子に起因する欠陥をなくすことがで
きる。
第１図は本発明を実施するための装置
である。
図において。
１は半導体基板であってシリコンウェハ。
２は紫外光源であって低圧水銀ランプ。
３は加熱機構であってヒータ。
４は真空チャンバ。
５１、５２．５３はバルブ。
６は台
本鉋Ｂ月５実光オるＴこめの装置
第 Ａ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕表面に酸化膜の形成された半導体基板（１）を、
ふっ素原子を含むガス中に曝す第１の工程と、該半導体
基板（１）をアンモニアを含むガス中に曝す第２の工程
と を含み、該第１の工程ののちに該第２の工程を行うか、
或いは該第１の工程と該第２の工程を同時に行うことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 〔２〕請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
少なくとも該第１の工程中或いは該第２の工程中に、該
半導体基板（１）に紫外線照射を行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285401A JP2853211B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285401A JP2853211B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147322A true JPH03147322A (ja) | 1991-06-24 |
| JP2853211B2 JP2853211B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17691051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285401A Expired - Lifetime JP2853211B2 (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853211B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007149812A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008010662A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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| US7611995B2 (en) | 2003-04-22 | 2009-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method for removing silicon oxide film and processing apparatus |
| US7993540B2 (en) | 2006-06-29 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US8206605B2 (en) | 2006-11-01 | 2012-06-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
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-
1989
- 1989-11-01 JP JP1285401A patent/JP2853211B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2009158774A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853211B2 (ja) | 1999-02-03 |
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