JP2002324821A - 電子部品の圧着装置及び圧着方法 - Google Patents
電子部品の圧着装置及び圧着方法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 複数のフリップチップなどの電子部品を、一
度に基板に圧着することができる圧着装置、及び圧着方
法を提供する。 【解決手段】 電子部品を圧着する複数の圧着ツール3
と、前記複数の圧着ツール3が基板に対して同時に上下
動できるガイド2たる複数の挿入孔と、前記複数の圧着
ツール3の上下動距離の相違を調整する弾性体5とを設
けた台座部1を備える圧着装置。この装置により、厚さ
の異なる複数の電子部品を同時に圧着する際のツールの
ストロークの違いを、ツールに介設した弾性物の変形量
の差によって相殺し、複数電子部品の一括圧着が容易に
実現できる。
度に基板に圧着することができる圧着装置、及び圧着方
法を提供する。 【解決手段】 電子部品を圧着する複数の圧着ツール3
と、前記複数の圧着ツール3が基板に対して同時に上下
動できるガイド2たる複数の挿入孔と、前記複数の圧着
ツール3の上下動距離の相違を調整する弾性体5とを設
けた台座部1を備える圧着装置。この装置により、厚さ
の異なる複数の電子部品を同時に圧着する際のツールの
ストロークの違いを、ツールに介設した弾性物の変形量
の差によって相殺し、複数電子部品の一括圧着が容易に
実現できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップな
どの電子部品を基板に圧着する圧着ヘッドなどの圧着装
置及び圧着方法に関する。
どの電子部品を基板に圧着する圧着ヘッドなどの圧着装
置及び圧着方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来用いられているフリップチップ用の
圧着ヘッドの構造を、図3に示す。金属製の台座部21
に、サファイア製の膜22を取り付けて、圧着ヘッド2
3を形成している。サファイア製の膜は、200〜30
0℃の高い耐熱性を有し、20μm角のヘッド部面積内
で数μm以下の高い平坦性を保持している。
圧着ヘッドの構造を、図3に示す。金属製の台座部21
に、サファイア製の膜22を取り付けて、圧着ヘッド2
3を形成している。サファイア製の膜は、200〜30
0℃の高い耐熱性を有し、20μm角のヘッド部面積内
で数μm以下の高い平坦性を保持している。
【0003】図4に、従来の圧着ヘッドを用いたフリッ
プチップの圧着工程フローを示す。図4(a)では、表
面にメッキ配線7されたセラミック基板8に、ポリイミ
ド製薄膜9をはさむように、表面にスタッドバンプ10
を形成した半導体チップ11を、フリップチップボンデ
ィングして、メッキ配線7の所定の箇所と金製のスタッ
ドバンプ10の所定の箇所を合わせ仮接合する。
プチップの圧着工程フローを示す。図4(a)では、表
面にメッキ配線7されたセラミック基板8に、ポリイミ
ド製薄膜9をはさむように、表面にスタッドバンプ10
を形成した半導体チップ11を、フリップチップボンデ
ィングして、メッキ配線7の所定の箇所と金製のスタッ
ドバンプ10の所定の箇所を合わせ仮接合する。
【0004】図4(b)では、仮接合された半導体チッ
プ11の裏面を、180℃に加熱した図3の構造の圧着
ヘッド23を用いて押さえつけて、半導体チップ11を
セラミック基板8に接合する。その際、スタッドバンプ
10は、ポリイミド製薄膜9を突き破り、セラミック基
板8表面のメッキ配線7と接合される。また、ポリイミ
ド製薄膜9は、圧着ヘッドの熱で温度上昇する過程でい
ったん軟らかくなり、セラミック基板8と半導体チップ
11で挟まれることによりつぶされ、180℃近い温度
に達すると一転して固まるので、常温に戻るとセラミッ
ク基板8と半導体チップ11が密着する。
プ11の裏面を、180℃に加熱した図3の構造の圧着
ヘッド23を用いて押さえつけて、半導体チップ11を
セラミック基板8に接合する。その際、スタッドバンプ
10は、ポリイミド製薄膜9を突き破り、セラミック基
板8表面のメッキ配線7と接合される。また、ポリイミ
ド製薄膜9は、圧着ヘッドの熱で温度上昇する過程でい
ったん軟らかくなり、セラミック基板8と半導体チップ
11で挟まれることによりつぶされ、180℃近い温度
に達すると一転して固まるので、常温に戻るとセラミッ
ク基板8と半導体チップ11が密着する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法では、圧着時の接合を均一にさせるため
には、圧着ヘッド23と、セラミック基板8および半導
体チップ11に、数μm以下の平坦性が要求される。ま
た、そのために、圧着ヘッド23の表面に、平坦に研磨
された高価なサファイアの膜22を用いている。よっ
て、平坦で均一な厚みの圧着ヘッド23や、セラミック
基板8や半導体チップ11が必要となり、製造設備や管
理コストの増大につながる。また、例えば、20μm角
の面積で5μm程度の平坦性であるセラミック基板8
と、それぞれの厚み差が±5μm程度である半導体チッ
プ11とでは、ひとつのチップを均一に圧着することは
可能ではあるが、一度に複数のチップを均一に圧着する
ことは困難である。従って、従来技術では、複数のチッ
プや種類の違うチップをフリップチップする場合、別々
に圧着するので工程数が増えるという問題あった。
うな従来の方法では、圧着時の接合を均一にさせるため
には、圧着ヘッド23と、セラミック基板8および半導
体チップ11に、数μm以下の平坦性が要求される。ま
た、そのために、圧着ヘッド23の表面に、平坦に研磨
された高価なサファイアの膜22を用いている。よっ
て、平坦で均一な厚みの圧着ヘッド23や、セラミック
基板8や半導体チップ11が必要となり、製造設備や管
理コストの増大につながる。また、例えば、20μm角
の面積で5μm程度の平坦性であるセラミック基板8
と、それぞれの厚み差が±5μm程度である半導体チッ
プ11とでは、ひとつのチップを均一に圧着することは
可能ではあるが、一度に複数のチップを均一に圧着する
ことは困難である。従って、従来技術では、複数のチッ
プや種類の違うチップをフリップチップする場合、別々
に圧着するので工程数が増えるという問題あった。
【0006】そこで、本発明は、一度に複数の電子部品
を基板に圧着することができる圧着装置、及び圧着方法
を提供する。
を基板に圧着することができる圧着装置、及び圧着方法
を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の電子部品の圧着装置は、電子部品を圧着す
る複数の圧着ツールと、前記圧着ツールを基板に対して
上下動させる複数の挿入孔と、前記圧着ツールの上下動
を制御する弾性体とを備えたことを特徴とする。
め、本発明の電子部品の圧着装置は、電子部品を圧着す
る複数の圧着ツールと、前記圧着ツールを基板に対して
上下動させる複数の挿入孔と、前記圧着ツールの上下動
を制御する弾性体とを備えたことを特徴とする。
【0008】これにより、フリップチップ等の厚みの異
なる電子部品を圧着した時にできる、チップとチップの
隙間の凹凸を吸収することができるので、厚みの異なる
電子部品を圧着することができる。また、圧着ヘッドの
圧着ツールを複数の細い棒状に分割しているため、前記
棒状の圧着ツールを、所望の間隔で設定された挿入孔
(ガイド)に通して束ねることができる。
なる電子部品を圧着した時にできる、チップとチップの
隙間の凹凸を吸収することができるので、厚みの異なる
電子部品を圧着することができる。また、圧着ヘッドの
圧着ツールを複数の細い棒状に分割しているため、前記
棒状の圧着ツールを、所望の間隔で設定された挿入孔
(ガイド)に通して束ねることができる。
【0009】また、本発明の電子部品の圧着装置におい
ては、前記圧着ツールがネイルヘッド状に形成され、か
つ前記圧着ツールのネイルヘッドの頭部端面が前記弾性
体に接触し、前記圧着ツールの先端部端面が電子部品に
接触する機構を備えていることが好ましい。
ては、前記圧着ツールがネイルヘッド状に形成され、か
つ前記圧着ツールのネイルヘッドの頭部端面が前記弾性
体に接触し、前記圧着ツールの先端部端面が電子部品に
接触する機構を備えていることが好ましい。
【0010】これにより、それぞれの棒状の圧着ツール
がネイルヘッド状に形成され、かつネイルヘッドの頭部
端面が弾性体に接触するため、圧着ツールは弾性体の抵
抗を受けて止まるところまで独立して往復運動できる。
がネイルヘッド状に形成され、かつネイルヘッドの頭部
端面が弾性体に接触するため、圧着ツールは弾性体の抵
抗を受けて止まるところまで独立して往復運動できる。
【0011】次に、本発明の電子部品の圧着方法は、複
数の圧着ツールにより複数の電子部品を基板に押圧し
て、前記電子部品を同時に基板に圧着する電子部品の圧
着方法であって、前記複数の圧着ツールを押圧したとき
の押圧荷重を弾性体で制御するようにしたことを特徴と
する。
数の圧着ツールにより複数の電子部品を基板に押圧し
て、前記電子部品を同時に基板に圧着する電子部品の圧
着方法であって、前記複数の圧着ツールを押圧したとき
の押圧荷重を弾性体で制御するようにしたことを特徴と
する。
【0012】これにより、上記と同様の理由から、同時
に複数のフリップチップ等の電子部品を圧着することが
できるとともに、圧着に要する工程数を削減することが
できる。
に複数のフリップチップ等の電子部品を圧着することが
できるとともに、圧着に要する工程数を削減することが
できる。
【0013】また、本発明の電子部品の圧着方法は、前
記圧着ツールがネイルヘッド状に形成され、かつ前記圧
着ツールのネイルヘッドの頭部端面が前記弾性体に接触
し、前記圧着ツールの先端部端面が前記電子部品に接触
することを特徴とする。
記圧着ツールがネイルヘッド状に形成され、かつ前記圧
着ツールのネイルヘッドの頭部端面が前記弾性体に接触
し、前記圧着ツールの先端部端面が前記電子部品に接触
することを特徴とする。
【0014】これにより、フリップチップ等にかかる荷
重が均一化するため、複数のチップを均一に圧着するこ
とができる。
重が均一化するため、複数のチップを均一に圧着するこ
とができる。
【0015】また、本発明の電子部品の圧着方法におい
ては、前記電子部品を樹脂薄膜を介して前記基板に圧着
することが好ましい。
ては、前記電子部品を樹脂薄膜を介して前記基板に圧着
することが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 (実施の形態1)図1に本発明の実施の形態1の圧着ヘ
ッドの側面構造を示す。ガイドとなる例えばアルミ製の
台座部1には、直径150μmの複数のガイド2が30
0μm間隔で行列状に設けられ、そのガイド2に直径1
30μmの太さの、例えばチタン製の棒状の圧着ツール
3を通している。圧着ツール3の一方の先端部4は直径
200μmの円柱形状をしており、圧着ツール全体をネ
イルヘッド形状にすることで、一方から抜けないような
構造となっている。ネイルヘッド形状の圧着ツールのネ
イルヘッド部の上方には、例えば4フッ化エチレン−パ
ーフルオロメチルビニルエーテルのような耐熱性樹脂で
できた弾性体5が置かれている。
て説明する。 (実施の形態1)図1に本発明の実施の形態1の圧着ヘ
ッドの側面構造を示す。ガイドとなる例えばアルミ製の
台座部1には、直径150μmの複数のガイド2が30
0μm間隔で行列状に設けられ、そのガイド2に直径1
30μmの太さの、例えばチタン製の棒状の圧着ツール
3を通している。圧着ツール3の一方の先端部4は直径
200μmの円柱形状をしており、圧着ツール全体をネ
イルヘッド形状にすることで、一方から抜けないような
構造となっている。ネイルヘッド形状の圧着ツールのネ
イルヘッド部の上方には、例えば4フッ化エチレン−パ
ーフルオロメチルビニルエーテルのような耐熱性樹脂で
できた弾性体5が置かれている。
【0017】圧着ツール3を押圧すると、圧着ツール3
のもう一方の先端部6は電子部品(半導体チップ)1
1、12に接触し、圧力に応じて弾性体5が圧着ツール
3のネイルヘッド部4を吸収するようにへこむ。このよ
うな独立した圧着ツール3が、10mm角の台座部1全
体に形成されて、一体化した圧着ヘッドを構成してい
る。本実施の形態では、圧着用の圧着ツール(棒状部)
3を円柱形状にしているが、角柱などの別の形状でも構
わない。
のもう一方の先端部6は電子部品(半導体チップ)1
1、12に接触し、圧力に応じて弾性体5が圧着ツール
3のネイルヘッド部4を吸収するようにへこむ。このよ
うな独立した圧着ツール3が、10mm角の台座部1全
体に形成されて、一体化した圧着ヘッドを構成してい
る。本実施の形態では、圧着用の圧着ツール(棒状部)
3を円柱形状にしているが、角柱などの別の形状でも構
わない。
【0018】図2に、本発明の圧着ヘッドを用いたフリ
ップチップ圧着工程フローを示す。図2(a)では、表
面にメッキ配線7されたセラミック基板8に、ポリイミ
ド製薄膜9をはさむように、表面にスタッドバンプ10
を形成した半導体チップ11および半導体チップ12を
フリップチップボンディングして、メッキ配線7の所定
の箇所と金製のスタッドバンプ10の所定の箇所を合わ
せ仮接合する。半導体チップ11および半導体チップ1
2は、チップの大きさと厚みが異なり、厚みはそれぞれ
150μmと155μmである。
ップチップ圧着工程フローを示す。図2(a)では、表
面にメッキ配線7されたセラミック基板8に、ポリイミ
ド製薄膜9をはさむように、表面にスタッドバンプ10
を形成した半導体チップ11および半導体チップ12を
フリップチップボンディングして、メッキ配線7の所定
の箇所と金製のスタッドバンプ10の所定の箇所を合わ
せ仮接合する。半導体チップ11および半導体チップ1
2は、チップの大きさと厚みが異なり、厚みはそれぞれ
150μmと155μmである。
【0019】図2(b)では、仮接合された半導体チッ
プ11および半導体チップ12の裏面を、180℃に加
熱した図1の構造の圧着ヘッドを用いて押さえつけて、
半導体チップ11および半導体チップ12を同時にセラ
ミック基板8に接合する。その際、厚みの厚い半導体チ
ップ12を押さえる圧着ヘッドの圧着ツール(棒状部)
13が先に半導体チップ12に接触して、その後に厚み
の薄い半導体チップ11を押さえる圧着ヘッドの圧着ツ
ール(棒状部)14が半導体チップ11に接触する。そ
うすると、各棒状部13、14を受ける弾性体領域1
5,16も、チップの厚みの厚い半導体チップを押さえ
る順番に、圧着ツール13、14の各ネイルヘッド部を
受けることになる。
プ11および半導体チップ12の裏面を、180℃に加
熱した図1の構造の圧着ヘッドを用いて押さえつけて、
半導体チップ11および半導体チップ12を同時にセラ
ミック基板8に接合する。その際、厚みの厚い半導体チ
ップ12を押さえる圧着ヘッドの圧着ツール(棒状部)
13が先に半導体チップ12に接触して、その後に厚み
の薄い半導体チップ11を押さえる圧着ヘッドの圧着ツ
ール(棒状部)14が半導体チップ11に接触する。そ
うすると、各棒状部13、14を受ける弾性体領域1
5,16も、チップの厚みの厚い半導体チップを押さえ
る順番に、圧着ツール13、14の各ネイルヘッド部を
受けることになる。
【0020】つまり、半導体チップ12を押さえる圧着
ヘッドの圧着ツール13を受ける弾性体領域15が、半
導体チップの厚みの差5μmを吸収して受けることにな
り、その分の弾性体の吸収によってはみ出した力が、厚
みの薄い半導体チップ11に加わって各圧着ツールの圧
力は均等化される。また、チップとチップの隙間部分の
圧着ヘッドの圧着ツール(棒状部)17は、何にも接触
しないで止まる。
ヘッドの圧着ツール13を受ける弾性体領域15が、半
導体チップの厚みの差5μmを吸収して受けることにな
り、その分の弾性体の吸収によってはみ出した力が、厚
みの薄い半導体チップ11に加わって各圧着ツールの圧
力は均等化される。また、チップとチップの隙間部分の
圧着ヘッドの圧着ツール(棒状部)17は、何にも接触
しないで止まる。
【0021】チップのスタッドバンプ10は、ポリイミ
ド製薄膜9を突き破りセラミック基板8表面のメッキ配
線7と接合される。また、ポリイミド製薄膜9は、圧着
ヘッドの熱で温度上昇する過程でいったん軟らかくなり
セラミック基板8と半導体チップ11,12で挟まれる
ことによりつぶされ、180℃近い温度に達すると一転
して固まるので、常温に戻るとセラミック基板8と半導
体チップ11,12を密着させる。
ド製薄膜9を突き破りセラミック基板8表面のメッキ配
線7と接合される。また、ポリイミド製薄膜9は、圧着
ヘッドの熱で温度上昇する過程でいったん軟らかくなり
セラミック基板8と半導体チップ11,12で挟まれる
ことによりつぶされ、180℃近い温度に達すると一転
して固まるので、常温に戻るとセラミック基板8と半導
体チップ11,12を密着させる。
【0022】本発明の形態では、ポリイミド製薄膜9を
用いたフリップチップで行っているが、使わない場合、
例えば、金バンプ接合とアンダーフィル充填する工法な
どの他の方法でもかまわない。
用いたフリップチップで行っているが、使わない場合、
例えば、金バンプ接合とアンダーフィル充填する工法な
どの他の方法でもかまわない。
【0023】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の電子部品
の圧着装置は、電子部品を圧着する複数の圧着ツール
と、前記圧着ツールを基板に対して上下動させる複数の
挿入孔と、前記圧着ツールの上下動を制御する弾性体と
を備えているため、フリップチップなどの厚みの異なる
電子部品の接続が容易になる。
の圧着装置は、電子部品を圧着する複数の圧着ツール
と、前記圧着ツールを基板に対して上下動させる複数の
挿入孔と、前記圧着ツールの上下動を制御する弾性体と
を備えているため、フリップチップなどの厚みの異なる
電子部品の接続が容易になる。
【0024】また、本発明の電子部品の圧着方法は、複
数の圧着ツールを押圧したときの押圧荷重を弾性体で制
御するようにしているため、同時に複数のフリップチッ
プ等の電子部品を均一に基板に圧着することができると
ともに、別々に圧着する必要がなくなるため、圧着に要
する工程数を削減することができる。よって、その工業
的価値は大である。
数の圧着ツールを押圧したときの押圧荷重を弾性体で制
御するようにしているため、同時に複数のフリップチッ
プ等の電子部品を均一に基板に圧着することができると
ともに、別々に圧着する必要がなくなるため、圧着に要
する工程数を削減することができる。よって、その工業
的価値は大である。
【図1】本発明の実施の形態の圧着ヘッドの構造を示す
切欠側面図である。
切欠側面図である。
【図2】(a)〜(b)は本発明の実施の形態の電子部
品の圧着方法の工程説明図である。
品の圧着方法の工程説明図である。
【図3】従来の圧着ヘッドの構造を示す側面図である。
【図4】(a)〜(b)は従来の電子部品の圧着方法の
工程説明図である。
工程説明図である。
1 台座部 2 ガイド 3,13,14,17 圧着ツール 4 圧着ツールのネイルヘッド部 5 弾性体 6 圧着ツールの先端部 7 メッキ配線 8 セラミック基板 9 ポリイミド薄膜 10 スタッドバンプ 11,12 半導体チップ 15,16 弾性体 18 圧着ヘッド 21 台座部 22 サファイア製の膜 23 圧着ヘッド
Claims (5)
- 【請求項1】 電子部品を圧着する複数の圧着ツール
と、前記圧着ツールを基板に対して上下動させる複数の
挿入孔と、前記圧着ツールの上下動を制御する弾性体と
を備えたことを特徴とする電子部品の圧着装置。 - 【請求項2】 前記圧着ツールがネイルヘッド状に形成
され、かつ前記圧着ツールのネイルヘッドの頭部端面が
前記弾性体に接触し、前記圧着ツールの先端部端面が電
子部品に接触する機構を備えたことを特徴とする請求項
1に記載の電子部品の圧着装置。 - 【請求項3】 複数の圧着ツールにより複数の電子部品
を基板に押圧して、前記電子部品を同時に基板に圧着す
る電子部品の圧着方法であって、前記複数の圧着ツール
を押圧したときの押圧荷重を弾性体で制御するようにし
たことを特徴とする電子部品の圧着方法。 - 【請求項4】 前記圧着ツールがネイルヘッド状に形成
され、かつ前記圧着ツールのネイルヘッドの頭部端面が
前記弾性体に接触し、前記圧着ツールの先端部端面が前
記電子部品に接触することを特徴とする請求項3に記載
の電子部品の圧着方法。 - 【請求項5】 前記電子部品を樹脂薄膜を介して前記基
板に圧着することを特徴とする請求項3又は4に記載の
電子部品の圧着方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001127911A JP2002324821A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 電子部品の圧着装置及び圧着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001127911A JP2002324821A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 電子部品の圧着装置及び圧着方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002324821A true JP2002324821A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18976700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001127911A Pending JP2002324821A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 電子部品の圧着装置及び圧着方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002324821A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205068A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加圧ヘッドおよび部品圧着装置 |
JP2009505387A (ja) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | ミュールバウアー アーゲー | 多数の半導体構成要素のためのサーモードデバイス |
JP2011009357A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Fujitsu Ltd | 実装装置 |
EP2264748A3 (en) * | 2005-02-02 | 2012-09-05 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Electric component mounting apparatus |
JP2013080759A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Panasonic Corp | 半導体素子の実装方法 |
CN105074882A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-11-18 | 优志旺电机株式会社 | 光照射装置 |
NL2015895B1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-06-28 | Besi Netherlands Bv | Device and method for thermal compression bonding electronic components on a carrier. |
WO2021177409A1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | Tdk株式会社 | 素子アレイの加圧装置、製造装置および製造方法 |
KR20230041776A (ko) | 2020-09-02 | 2023-03-24 | 가부시키가이샤 신가와 | 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001127911A patent/JP2002324821A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2264748A3 (en) * | 2005-02-02 | 2012-09-05 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Electric component mounting apparatus |
JP2009505387A (ja) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | ミュールバウアー アーゲー | 多数の半導体構成要素のためのサーモードデバイス |
JP2008205068A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加圧ヘッドおよび部品圧着装置 |
JP2011009357A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Fujitsu Ltd | 実装装置 |
US8381963B2 (en) | 2009-06-24 | 2013-02-26 | Fujitsu Limited | Compression-bonding apparatus |
JP2013080759A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Panasonic Corp | 半導体素子の実装方法 |
KR101934595B1 (ko) * | 2011-10-03 | 2019-01-02 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 반도체 소자의 실장 방법 |
CN105074882A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-11-18 | 优志旺电机株式会社 | 光照射装置 |
NL2015895B1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-06-28 | Besi Netherlands Bv | Device and method for thermal compression bonding electronic components on a carrier. |
WO2021177409A1 (ja) * | 2020-03-04 | 2021-09-10 | Tdk株式会社 | 素子アレイの加圧装置、製造装置および製造方法 |
KR20230041776A (ko) | 2020-09-02 | 2023-03-24 | 가부시키가이샤 신가와 | 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법 |
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