JP2016189394A - デスミア用エキシマ光照射装置およびデスミア処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】乾式のデスミア処理を高い効率で実行することができるデスミア用エキシマ光照射装置およびデスミア処理方法を提供する。【解決手段】本発明のデスミア用エキシマ光照射装置は、被処理物に真空紫外線を照射する紫外線出射ランプと、前記被処理物を支持する支持機構と、前記被処理物と前記紫外線出射ランプとの間に配置された、前記紫外線出射ランプからの真空紫外線を透過する光透過窓と、前記被処理物と前記光透過窓との間に酸素を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給機構とを備えたデスミア用エキシマ光照射装置であって、前記光透過窓を冷却する冷却機構と、前記被処理物を加熱する加熱機構とを有することを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板材料のデスミア処理に用いられるデスミア用エキシマ光照射装置およびデスミア処理方法に関する。

例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
この多層配線基板の製造工程においては、絶縁層にビアホール用またはスルーホール用の貫通孔が形成される。そして、絶縁層に貫通孔を形成する際には、絶縁層を構成する材料に起因するスミアが、例えば絶縁層における貫通孔の内壁面や、貫通孔の底部すなわち導電層における貫通孔によって露出した部分などに残留している。このため、配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。

配線基板材料のデスミア処理方法としては、真空紫外線を利用した乾式のデスミア処理方法が知られている。この乾式のデスミア処理方法においては、酸素（Ｏ₂ ）を含む雰囲気下に、被処理物である配線基板材料に対して真空紫外線を照射する。これにより、下記反応式（１）に示すように、配線基板材料の周囲に存在する酸素（Ｏ₂ ）が真空紫外線を受けることによって反応し、その結果、オゾン（Ｏ₃ ）が生成される。
反応式（１）：３Ｏ₂ ＋ＵＶ→２Ｏ₃

このようにして生成したオゾン（Ｏ₃ ）は、下記反応式（２）に示すように分解することによって、活性種（酸素ラジカル）が生成される。
反応式（２）：Ｏ₃ →Ｏ₂ ＋Ｏ（ ¹Ｄ）

そして、下記反応式（３）に示すように、被処理物に残留するスミアを構成する有機物が、活性種と反応することによって、炭酸ガス（ＣＯ₂ ）や水（Ｈ₂ Ｏ）などに変化する。
反応式（３）：Ｃ_m Ｈ_2nＯ_k ＋ｊＯ（ ¹Ｄ）→ｍＣＯ₂ ＋ｎＨ₂ Ｏ

このような反応が繰り返し生じることにより、配線基板材料に残留したスミアが除去される。
以上において、スミアを構成する有機物の反応に寄与しない活性種（酸素ラジカル）は、下記反応式（４）に示すように反応することにより、酸素（Ｏ₂ ）に変化する。
反応式（４）：Ｏ（ ¹Ｄ）＋Ｏ（ ¹Ｄ）→Ｏ₂

このような乾式のデスミア処理方法に用いられる光照射装置としては、被処理物に真空紫外線を出射する紫外線出射ランプと、被処理物と紫外線出射ランプとの間に配置された、紫外線出射ランプからの真空紫外線を透過する光透過窓と、被処理物を加熱する加熱手段とを備えてなるものが提案されている（特許文献１参照。）。
このような光照射装置においては、被処理物の温度が上昇することに伴って、被処理物の周囲の温度も上昇する。このため、オゾン（Ｏ₃ ）の分解反応（上記反応式（２）による反応）が促進され、その結果、活性種（酸素ラジカル）が効率よく生成される。

特開２０１４−２０９５４８号公報

しかしながら、上記の光照射装置においては、以下のような問題があることが判明した。
光透過窓を透過した真空紫外線は被処理物に到達するまでの間に酸素（Ｏ₂ ）に吸収されることにより、被処理物の近傍における真空紫外線の強度は、光透過窓の近傍における真空紫外線の強度より低い。このため、被処理物の近傍においては、オゾン（Ｏ₃ ）の生成反応（上記反応式（１）による反応）は光透過窓の近傍よりも相対的に生じにくい。従って、被処理物の近傍におけるオゾン（Ｏ₃ ）の濃度は、光透過窓の近傍に比較して低い。
また、被処理物を加熱すると、その熱が被処理物と光透過窓との間のガスや光透過窓に伝達され、これにより、被処理物と光透過窓との間のガス全体の温度や光透過窓の温度が上昇する。このため、オゾン（Ｏ₃ ）の分解反応（上記反応式（２）による反応）、すなわち活性種（酸素ラジカル）の生成反応は、被処理物の近傍のみならず、光透過窓の近傍においても促進される。

一方、活性種（酸素ラジカル）の寿命、すなわち上記反応式（２）により活性種（酸素ラジカル）が生成してから上記反応式（４）により酸素（Ｏ₂ ）が生成するまでの時間は、マイクロ秒オーダーという極めて短い時間である。このため、光透過窓の近傍において生成した活性種（酸素ラジカル）の大部分は、被処理物に到達するまでの間に酸素（Ｏ₂ ）に変化してしまう。
以上のように、従来の光照射装置では、オゾン（Ｏ₃ ）が生成しやすい光透過窓の近傍において生成した活性種（酸素ラジカル）は、スミアの分解に十分に利用されない。従って、残留するスミアを除去するために相当に長い時間を要し、デスミア処理を高い効率で実行することが困難であった。

そこで、本発明の目的は、乾式のデスミア処理を高い効率で実行することができるデスミア用エキシマ光照射装置およびデスミア処理方法を提供することにある。

本発明のデスミア用エキシマ光照射装置は、被処理物に真空紫外線を照射する紫外線出射ランプと、
前記被処理物を支持する支持機構と、
前記被処理物と前記紫外線出射ランプとの間に配置された、前記紫外線出射ランプからの真空紫外線を透過する光透過窓と、
前記被処理物と前記光透過窓との間に酸素を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給機構と
を備えたデスミア用エキシマ光照射装置であって、
前記光透過窓を冷却する冷却機構と、
前記被処理物を加熱する加熱機構と
を有することを特徴とする。

本発明のデスミア処理方法は、被処理物に対して、酸素を含む処理用ガスの存在下に、真空紫外線を透過する光透過窓を介して真空紫外線を照射する紫外線照射工程を有するデスミア処理方法であって、
前記紫外線照射工程において、前記光透過窓を冷却すると共に前記被処理物を加熱しながら、当該被処理物に真空紫外線を照射することを特徴とする。

本発明のデスミア処理方法においては、前記被処理物の温度をＴ１とし、前記光透過窓の温度をＴ２としたとき、下記式（１）〜式（３）を満たす条件で、前記紫外線照射工程を実行することが好ましい。
式（１）：５０℃≦Ｔ１≦２５０℃
式（２）：０℃≦Ｔ２≦２４０℃
式（３）：１０℃≦Ｔ１−Ｔ２≦８０℃

本発明においては、光透過窓が冷却されることにより、当該光透過窓の近傍におけるオゾンの分解反応が抑制される。そして、オゾンの寿命は活性種（酸素ラジカル）に比較して相当に長いため、当該オゾンは光透過窓の近傍から被処理物の近傍に到達する。一方、被処理物が加熱されることにより、当該被処理物の近傍におけるオゾンの分解反応、すなわち活性種（酸素ラジカル）の生成反応が促進される。
従って、本発明によれば、オゾンの分解反応によって生成した活性種（酸素ラジカル）が、スミアの分解に効率よく利用されるので、被処理物に対して乾式のデスミア処理を高い効率で実行することができる。

本発明のデスミア用エキシマ光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。 光透過窓を冷却する冷却機構の一例における構成を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明のデスミア用エキシマ光照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。このデスミア用エキシマ光照射装置（以下、単に「光照射装置」ともいう。）は、被処理物Ｗが配置される処理室Ｓ１を形成する処理室形成部材１０と、この処理室形成部材１０の上方に設けられた光源ユニット２０とを有する。ここで、被処理物Ｗは、多層配線基板などの配線基板の製造工程において中間体として作製される、ビアホール用またはスルーホール用の貫通孔が形成された配線基板材料である。

処理室形成部材１０は矩形の筒状の筐体１５を有する。この筐体１５内には、被処理物Ｗを支持する、矩形の板状の支持機構１１が設けられている。この支持機構１１の表面には、その周縁部に沿って矩形の枠状のスペーサ部材１６が配置されている。図示の例では、筐体１５の上端部１５ａが、スペーサ部材１６の上面を覆うよう内方に突出した状態で形成されている。処理室形成部材１０における筐体１５の上端部１５ａ上には、シール部材１７を介して、光源ユニット２０が配置されている。これにより、支持機構１１と光源ユニット２０との間に、被処理物Ｗが配置される処理室Ｓ１が形成されている。

光源ユニット２０は、下面に開口部を有する略直方体の箱型のケーシング２１を備えている。ケーシング２１の内部には、ランプ収容室Ｓ２が形成されている。ランプ収容室Ｓ２には、棒状の複数の紫外線出射ランプ２５が、同一水平面内において互いに平行に並ぶよう配置されている。また、ランプ収容室Ｓ２における紫外線出射ランプ２５の上方には、反射ミラー２６が設けられている。

紫外線出射ランプ２５としては、例えば波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を放射するエキシマランプが用いられる。このような紫外線出射ランプ２５としては、中心波長が１７２ｎｍの真空紫外線を放射するキセノンエキシマランプ、発光管内にキセノンガスが封入されると共に、発光管の内面に例えば１９０ｎｍの真空紫外線を出射する蛍光体が塗布されてなる蛍光エキシマランプなどを例示することができる。これらの中では、キセノンエキシマランプが好ましい。

被処理物Ｗと紫外線出射ランプ２５との間には、紫外線出射ランプ２５からの真空紫外線を透過する光透過窓３０が配置されている。具体的には、光透過窓３０は、ケーシング２１の開口部に気密に設けられている。
光透過窓３０を構成する材料としては、紫外線出射ランプ２５から放射される真空紫外線について透過性を有し、かつ、真空紫外線および生成される活性種に対する耐性を有するものであればよい。このような材料としては、例えば合成石英ガラスを用いることができる。

光源ユニット２０には、図２に示すように、光透過窓３０を冷却する冷却機構３１が設けられている。この冷却機構３１は、例えば窒素ガスなどの不活性ガスによる冷却風によって光透過窓３０を冷却するものである。また、この例の冷却機構３１は、紫外線出射ランプ２５から出射された真空紫外線が光透過窓３０に到達するまでに減衰するのを防止するために、不活性ガスによってケーシング２１のランプ収容室Ｓ２内をパージするガスパージ手段としての機能を併有する。
具体的に説明すると、冷却機構３１は、ケーシング２１の上面に配置された本体部３２と、この本体部３２内に不活性ガスを導入するガス導入管３３と、本体部３２からケーシング２１のランプ収容室Ｓ２内に不活性ガスを供給する複数のガス供給管３４とを備えてなる。ガス供給管３４の各々は、その先端のガス供給口３４ａから供給された不活性ガスが、隣接する紫外線出射ランプ２５の間の空間を介して、光透過窓３０の内面に直接吹き付けられるよう配置されている。
また、冷却機構３１には、不活性ガスを冷却するガス冷却手段（図示省略）が設けられていてもよい。
このような冷却機構３１が設けられることにより、光透過窓３０を冷却することができ、光透過窓３０の表面近傍において生成したオゾン（Ｏ₃ ）の分解反応が抑制される。

支持機構１１には、それぞれ支持機構１１の厚み方向に貫通するガス供給用孔１２およびガス排出用孔１３が形成されている。ガス供給用孔１２およびガス排出用孔１３の各々における開口形状は、紫外線出射ランプ２５のランプ軸方向に沿って延びる帯状とされている。そして、ガス供給用孔１２およびガス排出用孔１３は、紫外線出射ランプ２５の配列方向に互いに離間した位置に形成されている。ここに、被処理物Ｗは、支持機構１１の表面上において、紫外線出射ランプ２５の配列方向における、ガス供給用孔１２とガス排出用孔１３との間の位置に配置される。

ガス排出用孔１３の総開口面積は、ガス供給用孔１２の総開口面積よりも大きいことが好ましい。総開口面積がガス供給用孔１２より大きいガス排出用孔１３を形成することにより、処理室Ｓ１内において、ガスが停滞することがなく、ガス供給用孔１２からガス排出用孔１３に向かう一方向に一様な流れで流通される。従って、処理室Ｓ１内においてガスの流れを安定に維持することができる。

ガス供給用孔１２には、ガス管４５を介して、処理室Ｓ１に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段４０が接続されている。この処理用ガス供給手段４０は、処理用ガスが貯蔵された処理用ガス供給源４１と、ガス管４５に設けられたバルブ４３を調節することによって、処理用ガス供給源４１からの処理用ガスの供給量を制御する制御部４２とにより構成されている。

処理用ガス供給手段４０から供給される処理用ガスとしては、活性種源として酸素（Ｏ₂ ）を含むものが用いられる。また、処理用ガス中には、活性種源として酸素（Ｏ₂ ）の他にオゾン（Ｏ₃ ）が含まれていてもよい。
処理用ガス中の活性種源の濃度は、５０体積％以上であることが好ましく、より好ましくは７０体積％以上、更に好ましくは９０体積％以上である。このような処理用ガスを用いれば、当該処理用ガスが真空紫外線を受けることにより、十分な量の活性種が生成するため、所期のデスミア処理を確実に行うことができる。
また、活性種源として酸素（Ｏ₂ ）およびオゾン（Ｏ₃ ）を含む処理用ガスを用いる場合には、当該処理用ガス中のオゾン（Ｏ₃ ）の濃度は、０．１〜１２体積％であることが好ましく、より好ましくは１〜１２体積％である。

支持機構１１には、当該支持機構１１を介して被処理物Ｗを加熱する加熱機構５０が設けられている。このような加熱機構５０が設けられることにより、被処理物Ｗの被処理面の温度が上昇することに伴って、当該被処理物Ｗの被処理面の近傍において、オゾン（Ｏ₃ ）の分解反応が促進されて効率よく活性種（酸素ラジカル）が発生する。

本発明のデスミア処理方法においては、上記の光照射装置を用い、以下のようにして被処理物Ｗのデスミア処理が実行される。
先ず、処理室形成部材１０から光源ユニット２０が取り外された状態で、支持機構１１の表面上におけるガス供給用孔１２とガス排出用孔１３との間の位置に、被処理物Ｗが載置される。次いで、処理室形成部材１０上に、光源ユニット２０がシール部材１７を介して配置される。これにより、光源ユニット２０における光透過窓３０は、被処理物Ｗと紫外線出射ランプ２５との間において、被処理物Ｗの被処理面に間隙を介して対向するよう配置される。また、冷却機構３１が作動することによって光透過窓３０が冷却され、加熱機構５０が作動することによって、被処理物Ｗが加熱される。

そして、処理用ガス供給手段４０によって、処理用ガスがガス供給用孔１２を介して処理室Ｓ１に供給される。処理室Ｓ１内に供給された処理用ガスは、ガス排出用孔１３を介して当該処理室Ｓ１から排出される。これにより、処理室Ｓ１内においては、ガス供給用孔１２からの処理用ガスが、光透過窓３０と被処理物Ｗとの間隙をガス排出用孔１３に向かって流通する。このとき、光透過窓３０と被処理物Ｗとの間隙を流通する処理用ガスの供給量が、制御部４２によって制御される。

このような状態で、被処理物Ｗに対する紫外線照射工程が実行される。具体的に説明すると、光源ユニット２０における紫外線出射ランプ２５が点灯される。そして、紫外線出射ランプ２５からの真空紫外線は、光透過窓３０を介して、被処理物Ｗに照射されると共に、光透過窓３０と被処理物Ｗと間隙を流通する処理用ガスに照射される。これにより、処理用ガスに含まれる酸素（Ｏ₂ ）の光化学反応が生じ、その結果、酸素（Ｏ₂ ）からオゾン（Ｏ₃ ）が生成する。更に、オゾン（Ｏ₃ ）が分解することにより、活性種（酸素ラジカル）が生成する。そして、生成した活性種が、被処理物Ｗに残留するスミアに接触することにより、スミアを構成する有機物が分解して当該スミアが除去される。

以上において、光透過窓３０と被処理物Ｗとの間の距離は、例えば１ｍｍ以下であり、好ましくは０．１〜０．７ｍｍである。
処理用ガスの供給量は、例えば６×１０^-5〜６×１０^-1Ｌ／ｍｉｎであり、好ましくは６×１０^-5〜２×１０^-1Ｌ／ｍｉｎである。
照射される真空紫外線の照度は、光透過窓３０における被処理物Ｗに対向する表面上において、例えば１００〜５００ｍＷ／ｃｍ² である。
真空紫外線の照射時間は、例えば３０〜６００秒間であり、好ましくは６０〜３００秒間である。

また、被処理物Ｗに対する紫外線照射工程は、被処理物Ｗの温度をＴ１とし、光透過窓３０の温度をＴ２としたとき、下記式（１）〜式（３）を満たす条件で実行されることが好ましい。
式（１）：５０℃≦Ｔ１≦２５０℃
式（２）：０℃≦Ｔ２≦２４０℃
式（３）：１０℃≦Ｔ１−Ｔ２≦８０℃
このような条件を満足することにより、一層高い効率で被処理物Ｗのデスミア処理を確実に実行することができる。

被処理物Ｗの温度（Ｔ１）は５０〜２５０℃の範囲とされるが、より好ましい範囲は８０〜１５０℃である。特に被処理物Ｗを構成する配線基板材料の材質が、例えばエポキシ樹脂等の熱変質しやすい材料である場合には、被処理物Ｗの温度（Ｔ１）は１５０℃以下であることが好ましい。
光透過窓３０の温度（Ｔ２）は０〜２４０℃の範囲とされるが、より好ましい範囲は５０〜１２０℃である。
被処理物Ｗの温度と光透過窓３０の温度との差（Ｔ１−Ｔ２）は１０〜８０℃とされるが、より好ましい範囲は３０〜６０℃である。

被処理物Ｗの温度（Ｔ１）が５０℃未満である場合には、オゾン（Ｏ₃ ）の熱分解が、十分に進まず、活性種（酸素ラジカル）の生成が不十分となる虞がある。一方、被処理物Ｗの温度（Ｔ１）が２５０℃を超える場合には、オゾン（Ｏ₃ ）の熱分解が十分に行われ、活性種（酸素ラジカル）の生成には十分である。しかし、処理室Ｓ１内の処理用ガスの温度も上昇することにより、被処理物Ｗにオゾン（Ｏ₃ ）が十分に近づく前にオゾン（Ｏ₃ ）が熱分解してしまい、被照射物Ｗ近傍において活性種（酸素ラジカル）の生成が十分に行われない虞がある。
光透過窓３０の温度（Ｔ２）が０℃未満である場合には、光透過窓３０付近のオゾン濃度が高くなり過ぎる。オゾン（Ｏ₃ ）は濃度が高くなると、発熱を伴う急激な分解が行われる。この急激な分解は、時には爆発にも似た現象を伴い、危険であり、温度制御によるオゾン（Ｏ₃ ）の熱分解の抑制が困難となる虞れがある。一方、光透過窓３０の温度（Ｔ２）が２４０℃を超える場合には、光透過窓３０近傍における熱分解も非常に活発に行われるようになるため、もはや被照射物Ｗ近傍へ十分にオゾンを供給することが困難となる虞がある。
被処理物Ｗの温度と光透過窓３０の温度との差（Ｔ１−Ｔ２）が１０℃未満である場合には、本発明の効果が十分に得られない虞れがあり、スミアが十分に除去されるまでに要する時間が、温度に差がない（Ｔ１＝Ｔ２）場合と同程度となることがある。一方、被処理物Ｗの温度と光透過窓３０の温度との差（Ｔ１−Ｔ２）が８０℃であれば、被処理物Ｗ近傍へオゾンを十分に供給することができ、それ以上の温度差を設ける必要はない。

本発明においては、冷却機構３１によって光透過窓３０が冷却されることにより、当該光透過窓３０の近傍においてオゾン（Ｏ₃ ）の分解反応が抑制される。そして、オゾン（Ｏ₃ ）の寿命は活性種（酸素ラジカル）に比較して相当に長いため、当該オゾン（Ｏ₃ ）は光透過窓３０の近傍から被処理物Ｗの近傍に到達する。一方、被処理物Ｗが加熱されることにより、当該被処理物Ｗの近傍においてオゾン（Ｏ₃ ）の分解反応、すなわち活性種（酸素ラジカル）の生成反応が促進される。
従って、本発明によれは、オゾン（Ｏ₃ ）の分解反応によって生成した活性種（酸素ラジカル）が、スミアの分解に効率よく利用されるので、乾式のデスミア処理を高い効率で実行することができる。

図１に示す構成に従って光照射装置を作製した。この光照射装置の具体的な仕様は以下の通りである。

［支持機構］
寸法：９００ｍｍ×６００ｍｍ×３００ｍｍ
材質：アルミニウム
ガス供給用孔の開口寸法：６００ｍｍ×１０ｍｍ
ガス排出用孔の開口寸法：６００ｍｍ×１０ｍｍ
ガス供給用孔とガス排出用孔との距離：８００ｍｍ
［紫外線出射ランプ］
種類：キセノンエキシマランプ
発光長：６４０ｍｍ
直径：４０ｍｍ
紫外線出射ランプの数：５本
定格入力電力：５００Ｗ
［光透過窓］
寸法：１０００ｍｍ×７００ｍｍ×５ｍｍ
材質：合成石英ガラス
［処理室］
寸法：６００ｍｍ×５００ｍｍ×０．５ｍｍ
［処理用ガス］
酸素ガス（濃度１００％）

上記の光照射装置を用い、下記の被処理物のデスミア処理を下記の条件で行い、処理後の被処理物を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって観察した。
［被処理物］
構成：銅箔上にビアホールを有する絶縁層が積層された配線基板材料
平面の寸法：５００ｍｍ×３４０ｍｍ
銅箔の厚み：５００μｍ
絶縁層の厚み：３０μｍ
ビアホールの直径：５０μｍ

［デスミア処理の条件］
光透過窓と被処理物との間の距離：０．３ｍｍ
被処理物の温度（Ｔ１）：表１の通り
光透過窓の温度（Ｔ２）：表１の通り
処理用ガスの供給量：０．１Ｌ／ｍｉｎ
真空紫外線の照度：３００ｍＷ／ｃｍ²

そして、上記のデスミア処理の操作を、真空紫外線の照射時間を変更して行い、真空紫外線の照射を開始してから被処理物に付着したスミアが十分に除去されるまでの時間（以下、「デスミア完了時間」という。）を測定した。ここで、スミアが十分に除去されているか否かは、ビアホールの底部をＳＥＭ観察したときに、該底部に像として確認し得るスミアが残留しているか否かをもって判断した。結果を表１に示す。

表１において、「Ｔ１−Ｔ２」の値が０℃である例は、光透過窓の冷却を行わなかった例である。
表１の結果から明らかなように、光透過窓を冷却すると共に被処理物を加熱することにより、光透過窓を冷却しない場合に比較してデスミア完了時間が短く、従って、被処理物のデスミア処理が高い効率で実行されることが確認された。

１０ 処理室形成部材
１１ 支持機構
１２ ガス供給用孔
１３ ガス排出用孔
１５ 筐体
１５ａ 上端部
１６ スペーサ部材
１７ シール部材
２０ 光源ユニット
２１ ケーシング
２５ 紫外線出射ランプ
２６ 反射ミラー
３０ 光透過窓
３１ 冷却機構
３２ 本体部
３３ ガス導入管
３４ ガス供給管
３４ａ ガス供給口
４０ 処理用ガス供給手段
４１ 処理用ガス供給源
４２ 制御部
４３ バルブ
４５ ガス管
５０ 加熱機構
Ｓ１ 処理室
Ｓ２ ランプ収容室
Ｗ 被処理物

Claims (3)

1. 被処理物に真空紫外線を照射する紫外線出射ランプと、
   前記被処理物を支持する支持機構と、
   前記被処理物と前記紫外線出射ランプとの間に配置された、前記紫外線出射ランプからの真空紫外線を透過する光透過窓と、
   前記被処理物と前記光透過窓との間に酸素を含む処理用ガスを供給する処理用ガス供給機構と
   を備えたデスミア用エキシマ光照射装置であって、
   前記光透過窓を冷却する冷却機構と、
   前記被処理物を加熱する加熱機構と
   を有することを特徴とするデスミア用エキシマ光照射装置。
2. 被処理物に対して、酸素を含む処理用ガスの存在下に、真空紫外線を透過する光透過窓を介して真空紫外線を照射する紫外線照射工程を有するデスミア処理方法であって、
   前記紫外線照射工程において、前記光透過窓を冷却すると共に前記被処理物を加熱しながら、当該被処理物に真空紫外線を照射することを特徴とするデスミア処理方法。
3. 前記被処理物の温度をＴ１とし、前記光透過窓の温度をＴ２としたとき、下記式（１）〜式（３）を満たす条件で、前記紫外線照射工程を実行することを特徴とする請求項２に記載のデスミア処理方法。
   式（１）：５０℃≦Ｔ１≦２５０℃
   式（２）：０℃≦Ｔ２≦２４０℃
   式（３）：１０℃≦Ｔ１−Ｔ２≦８０℃

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