CN105493235B - 光照射装置 - Google Patents

光照射装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105493235B
CN105493235B CN201480046358.6A CN201480046358A CN105493235B CN 105493235 B CN105493235 B CN 105493235B CN 201480046358 A CN201480046358 A CN 201480046358A CN 105493235 B CN105493235 B CN 105493235B
Authority
CN
China
Prior art keywords
treated object
light
gap
component
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480046358.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105493235A (zh
Inventor
羽生智行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN105493235A publication Critical patent/CN105493235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105493235B publication Critical patent/CN105493235B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种光照射装置,能够以高处理效率均匀地处理被处理物。本发明的光照射装置具备:被处理物支撑台,配置被处理物;紫外线灯,对被处理物的被处理面照射真空紫外线;以及光透射窗构件,配置在被处理物与紫外线灯之间,使来自紫外线灯的真空紫外线透射,光照射装置的特征在于,被处理物的被处理面与光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下,设置有向该间隙沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体的气体供给机构,在上述被处理物支撑台上的向上述处理气体的供给方向延伸、且不放置被处理物的区域,配设有遮风构件。

Description

光照射装置
技术领域
本发明涉及一种光照射装置。更详细地说,本发明涉及例如适用于半导体及液晶等的制造工序中的抗蚀剂(Resist)的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的抗蚀剂的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的去污(Desmear)处理的光照射装置。
背景技术
当前,例如作为进行半导体及液晶等的制造工序中的抗蚀剂的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的抗蚀剂的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的去污(Desmear)处理的方法,周知有使用紫外线的干洗方法。尤其是,利用由从准分子灯放射的真空紫外线生成的臭氧及活性氧的方法能够更高效地短時间内进行预定的处理,因此被广泛利用。作为这种光照射装置,以往提出了各种结构(例如参照专利文献1~专利文献3)。
这种利用真空紫外线的光照射装置中的一种装置例如图3所示那样,经由光透射窗构件12对配置在例如氧气等处理气体的气氛下的被处理物(工件)W的被处理面Wa照射来自放射真空紫外线的紫外线灯41的光。
在该光照射装置中,由多个紫外线灯41构成光源单元40。该光源单元40具备在一方(图3中的下方)具有开口部的箱型状的外壳42,在该外壳42的开口部,以气密地闭塞该开口部的方式设置有平板状的光透射窗构件12。在外壳42内,多个棒状的紫外线灯41以灯中心轴在同一水平面内彼此平行地延伸的状态配置。此外,反射镜43被设置成包围这些紫外线灯41。
此外,在该光照射装置中,被处理物W配置在被处理物支撑台31的被处理物载置面31a上。该被处理物载置面31a具有比被处理物W的被处理面Wa大的纵横尺寸。此外,在被处理物支撑台31上设置有对被处理物W加热的加热机构(未图示),并且形成有气体供给用贯通孔32a及气体排出用贯通孔32b。气体供给用贯通孔32a及气体排出用贯通孔32b在被处理物载置面31a上具有开口,且以能够在这些开口之间放置被处理物W的方式,形成在彼此在面方向(灯的排列方向)上分离的位置。
在该图的例子中,34是用于在光透射窗构件12与被处理物支撑台31之间形成预定大小的空间的柱状的间隔构件。在该间隔构件34的上表面上配置有密封构件35。并且,光源单元40经由密封构件35气密地配置在被处理物支撑台31上,从而在光源单元40与被处理物支撑台31之间形成有处理室S。
此外,在图3中,用箭头表示气体的流通方向。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第2948110号公报
专利文献2:日本特开平11-231554号公报
专利文献3:日本特开2011-181535号公报
发明内容
发明要解决的课题
于是,本发明人为了实现处理的高效化,进行了以下分析,即向被处理物的被处理面与光透射窗构件之间所形成的间隙(以下,称为“被处理物上间隙”)沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体,并且缩短该被处理物上间隙的距离。结果,在被处理物上间隙的距离即被处理物与光透射窗构件的分离距离为1mm以下的情况下,明确了会产生无法以高均匀性对被处理物的被处理面进行处理的问题。
产生这种问题的原因被推测为,随着被处理物与光透射窗构件的分离距离减小,没有足够量的处理气体向被处理物的被处理面上流通。
具体说明的话,被处理物支撑台的被处理物载置面的纵横尺寸大于被处理物的被处理面,因此在该被处理物载置面上存在不放置被处理物的区域(以下,称为“被处理物周围区域”)。并且,在被处理物配置在被处理物支撑台上的状态下,在被处理物周围区域与光透射窗构件之间,以包围被处理物及被处理物上间隙的方式形成有间隙(以下称为“支撑台上间隙”)。该支撑台上间隙与被处理物上间隙相比,大被处理物W的厚度方向上的尺寸,因此传导性(Conductance)大,所以与该被处理物上间隙相比,处理气体更容易流动。因此,在光透射窗构件与被处理物的分离距离大的情况(具体地说,分离距离超过1mm的情况)下,向被处理物的被处理面上(被处理物上间隙)朝向一个方向供给的处理气体在该被处理面上流通的过程中,其一部分不会大致直线状地流动,而是向位于该被处理物的侧方的支撑台上间隙流出。然而,由于向支撑台上间隙流出的处理气体的量是少量,因此在被处理物的被处理面上流通有处理所需的足够的量的处理气体。而在将光透射窗构件与被处理物的分离距离设为1mm以下的情况下,在被处理物上间隙,传导性变得很小,处理气体难以流过。因此,从被处理物的被处理面上(被处理物上间隙)向位于该被处理物的侧方的支撑台上间隙流出的处理气体的量增多。因此,推测为在被处理物的被处理面上没有处理所需的足够量的处理气体流通。
此外,还确认了这种问题在被处理物W为大面积、具体地说横向尺寸为510mm以上且纵向尺寸为515mm以上,被处理面积为2.6×105mm2以上的情况下很明显。
本发明是基于以上情况而做出的,其目的在于提供一种能够以高处理效率均匀地处理被处理物的光照射装置。
用于解决课题的方案
本发明的一种光照射装置,具备:被处理物支撑台,配置被处理物;紫外线灯,对上述被处理物的被处理面照射真空紫外线;以及光透射窗构件,配置在上述被处理物与上述紫外线灯之间,使来自该紫外线灯的真空紫外线透射,上述光照射装置的特征在于,上述被处理物的被处理面与上述光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下,设置有向该间隙沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体的气体供给机构,在上述被处理物支撑台上的向上述处理气体的供给方向延伸、且不放置被处理物的区域,配设有遮风构件。
在本发明的光照射装置中,优选的是,上述遮风构件被设为与上述光透射窗构件接触的状态,与该光透射窗构件接触的部分由氟树脂形成。
发明效果
在本发明的光照射装置中,由于设置有遮风构件,因此成为被处理物的被处理面上的传导性比该被处理物的处理气体的供给方向上延伸的侧面侧即被处理物的侧方的传导性大的状态。因此,向被处理物的被处理面上从气体供给机构沿着该被处理物的被处理面朝向一个方向供给的处理气体从被处理物的被处理面上向侧方流出的情况得到防止或抑制。因此,能够在被处理物的被处理面上切实地流通处理所需的量的处理气体。并且,在被处理物的被处理面上,处理气体朝向一个方向大致直线状地流通,因此流速分布得到高均匀性。此外,被处理物的被处理面与光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下。因此,到达被处理物的被处理面的真空紫外线达到足够大小的强度(光量),并且在被处理物的被处理面上稳定地生成臭氧及活性氧。其结果,能够以高处理效率均匀地处理被处理物。
附图说明
图1是表示本发明的光照射装置的结构的一例中的与构成该光照射装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向上的截面的说明用截面图。
图2是表示图1的光照射装置中的紫外线灯的管轴方向上的截面的说明用截面图。
图3是表示现有的光照射装置的结构的一例的说明用截面图。
具体实施方式
以下,说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的光照射装置的结构的一例中的与构成该光照射装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向上的截面的说明用截面图,图2是表示图1的光照射装置中的紫外线灯的管轴方向上的截面的说明用截面图。
该光照射装置10具备:保持装置,具有配置被处理物(工件)W的被处理物支撑台11;以及光源单元20,配置在被处理物支撑台11的上方(图1及图2中的上方)。并且,构成光源单元20的多个(图例中为8根)紫外线灯21与载置在被处理物支撑台11的被处理物载置面11a上的被处理物W之间,设置有光透射窗构件12。
在光照射装置10中,被处理物支撑台11具有长方体状的形状,被处理物载置面11a为平坦面,具有比被处理物W的被处理面(上表面)Wa大的纵横尺寸。此外,光透射窗构件12具有矩形平板状的形状,由矩形环状的支撑构件13支撑,以与被处理物载置面11a平行的状态对置配置。支撑构件13具有窗构件夹持部13a,通过该窗构件夹持部13a紧密夹持光透射窗构件12的外周缘部。
此外,在光照射装置10中,以包围被处理物支撑台11的侧面的方式设置有矩形环状的光源单元支撑台14,在该光源单元支撑台14的上表面配置有光源单元20。此外,在光源单元支撑台14中,形成有将被处理物支撑台11以能够在上下方向(图1及图2中的上下方向)上滑动的方式收容的收容空间,并且通过在内周面的全周上延伸的凹部14a形成有窗构件配置部。并且,通过在该窗构件配置部上配设支撑构件13,在光透射窗构件12与被处理物支撑台11之间形成具有一定的厚度的处置室S。即,处理室S由被处理物支撑台11、光透射窗构件12、支撑构件13及光源单元支撑台14划分出来。在该处理室S中,在被处理物载置面11a上,在中央部形成有被处理物W所处的区域(以下还称为“被处理物配置区域”),以包围该被处理物配置区域的方式,存在不放置被处理物W的环状的区域(被处理物周围区域)。在被处理物配置区域,在其整个区域上,经由光透射窗构件12照射有来自紫外线灯21的真空紫外线。并且,由该被处理物配置区域形成有能够通过真空紫外线及臭氧等对被处理物W的被处理面Wa进行处理的区域(有效处理区域)。
在该图的例子中,被处理物W具有大致矩形平板状的形状。此外,被处理物载置面11a的被处理物周围区域被支撑构件13遮光,因此不会照射来自紫外线灯21的真空紫外线。另外,本发明的光照射装置还可以是以下结构:在图1及图2的光照射装置中,窗构件夹持部短(具体地说,图1及图2中的左右尺寸短),在被处理物支撑台的被处理物载置面上,不仅是被处理物配置区域(有效处理区域),被处理物周围区域也被照射来自紫外线灯的真空紫外线。
在保持装置中设置有将被处理物支撑台11向上下方向驱动的驱动机构。通过由该驱动机构使被处理物支撑台11上下移动,能够调整被处理物W的被处理面Wa与光透射窗构件12之间形成的间隙(被处理物上间隙)的距离即距离被处理物W与光透射窗构件12的分离距离。即,在光照射装置10中,能够与被处理物W的厚度无关地将被处理物上间隙的距离设为所期望的大小。
在光照射装置10中,被处理物W在处理室S内的被处理物配置区域中被配置成被处理面Wa与光透射窗构件12对置。并且,被处理物上间隙的距离(被处理物W与光透射窗构件12的分离距离)设为1mm以下,优选为0.1~1.0mm,更优选0.1~0.5mm,特别优选0.3~0.5mm。
通过被处理物上间隙的距离被设为1mm以下,能够稳定地生成臭氧及活性氧,并且能够将到达被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线设为足够大小的强度(光量)。
光源单元20具备在一方(图1及图2中下方)具有开口部的大致长方体的箱型形状的外壳22。在该外壳22内,配设有多个棒状的紫外线灯21。这些多个紫外线灯21以中心轴在同一水平面内彼此平行地延伸的方式以一定的间隔(图1中为等间隔)排列。
并且,光源单元20配置在光源单元支撑台14的上表面上,由此,外壳22的开口部被光透射窗构件12、光源单元支撑台14、支撑构件13及被处理物支撑台11封闭,在外壳22的内部形成有密闭的灯收容室。此外,成为多个紫外线灯21经由光透射窗构件12与被处理物W的被处理面Wa对置的状态。
作为紫外线灯21,只要是放射真空紫外线的灯,就可以使用公知的各种灯。具体地说,作为紫外线灯21,能够例示放射波长185nm的真空紫外线的低压水银灯、放射中心波长为172nm的真空紫外线的氙准分子灯、或者在发光管内封入有氙气且在发光管的内表面涂布射出例如波长190nm的真空紫外线的荧光体而成的荧光准分子灯等。
在该图的例子中,作为紫外线灯21,使用向特定方向(图1及图2中的下方向)照射光的方型的准分子灯。
并且,在光照射装置10中,设置有向处理室S供给处理气体的气体供给机构。气体供给机构能够向被处理物W的被处理面Wa上具体地说向大致矩形状的被处理物上间隙,沿着被处理物W的被处理面Wa朝向一个方向(图2中的左方向)供给处理气体。即,气体供给机构以使处理气体至少在被处理物W的被处理面Wa上(被处理物上间隙)朝向一个方向大致直线状流通的方式进行气体供给。
该气体供给机构由光源单元支撑台14的彼此对置的边部15A、15C上所形成的气体供给用贯通孔16及气体排出用贯通孔17、以及与气体供给用贯通孔16连接的处理气体供给源(未图示)构成。气体供给用贯通孔16在边部15A的面向处理室S的内表面上的与被处理物上间隙对置的区域具有沿着边部15A延伸的方向(图2中与纸面垂直的方向)配置的横长的气体供给用开口16a。另一方面,气体排出用贯通孔17在边部15C的面向处理室S的内表面上的与被处理物上间隙对置的区域具有沿着边部15C延伸的方向(图2中与纸面垂直的方向)配置的横长的气体排出用开口17a。即,气体排出用开口17a与气体供给用开口16a对置配置。
在此,气体供给用开口16a及气体排出用开口17a分别既可以由1个横长狭缝形成,也可以由多个狭缝形成。
在该图的例子中,气体供给用开口16a及气体排出用开口17a由边部15A、15C的内表面上的与被处理物上间隙对置的区域的全域上延伸的横长狭缝形成。
此外,在图2中,用箭头表示了向被处理物W的被处理面Wa上(被处理物上间隙)供给的处理气体的供给方向即被处理物W的被处理面Wa上的处理气体的流通方向。
作为从气体供给机构向处理室S供给的处理气体,使用含预定浓度的氧气的气体。
作为处理气体的具体例,例如可列举氧气、氧气和臭氧气体的混合气体等。
处理气体中的氧浓度优选为70体积%以上。
通过将处理气体中的氧气浓度设为上述的范围,能够增多通过真空紫外线生成的臭氧及活性氧的量,能够切实地进行所期望的处理。
作为气体供给机构的气体供给条件,根据被处理物W的被处理面Wa的大小等,考虑被处理物W的种类、被处理面Wa所需的处理的种类、处理气体的种类及组成等来适当确定。例如,在被处理面Wa的横向尺寸为510mm以上且纵向尺寸为515mm以上,并且被处理面积为2.6×105mm2以上的情况下,气体流量优选为0.01~2LPM,或者气体流速优选为1~50mm/sec。
此外,在光照射装置10中,在处理室S设置有遮风构件25、25。该遮风构件25、25分别在被处理物支撑台11上的处理气体的供给方向上延伸,配置在不放置被处理物W的区域。即,遮风构件25、25配置在被处理物支撑台11上的被处理物载置面11a的被处理物周围区域、且沿着被处理物W(被处理物配置区域)向处理气体的供给方向延伸的区域。
该遮风构件25、25具有能够使位于被处理物上间隙的两侧方的间隙的传导性比该被处理物上间隙的传导性小的形状。因此,具有抑制或防止处理气体在被处理物W的被处理面Wa上(被处理物上间隙)向气体供给方向以外的方向流动的遮风功能。
具体说明遮风构件25、25,则该遮风构件25、25分别具有长方体状的形状。并且,一个遮风构件25在位于被处理物载置面11a上的被处理物W与光源单元支撑台14的边部15B之间的区域被配置成沿着被处理物W。另一方面,另一个遮风构件25在位于被处理物载置面11a上的被处理物W与光源单元支撑台14的边部15D之间的区域被配置成沿着被处理物W。此外,遮风构件25、25的高度(图1中的上下尺寸)被设为被处理物支撑台11与光透射窗构件12的分离距离以下,且比被处理物W的厚度大。即,遮风构件25、25的上端部分(图1中的上端部分)被配置在被处理物上间隙的沿着处理气体的供给方向延伸的缘部的外方侧。并且,遮风构件25、25分别被配置成一侧面与被处理物W的侧面(具体地说与边部15B、15D对置的侧面)及被处理物上间隙的缘部(具体地说与边部15B、15D对置的缘部)相接的状态。
在该图的例子中,遮风构件25、25被设置成能够更换。由于能够更换遮风构件25、25,能够实现根据被处理物W的尺寸(具体地说纵横尺寸及厚度)及光照射条件(具体地说例如被处理物W与紫外线灯21的分离距离)等来使用适当大小的遮风构件25、25、或者遮风构件25、25的配置位置的调整等。因此,光照射装置10能够对被处理物W的尺寸及光照射条件不同的多种被处理物W进行处理。
如图1及图2所示,从遮风功能的观点考虑,遮风构件25、25优选具有全长与被处理物W的处理气体的供给方向上的尺寸相同、高度与被处理物支撑台11和光透射窗构件12之间的分离距离相同的形状。根据具有这种形状的遮风构件25、25,能够防止供给到被处理面Wa上(被处理物上间隙)的处理气体向位于被处理物W的侧方的间隙流出。
在该图的例子中,遮风构件25、25具有能够封堵被处理物上间隙与光源单元支撑台14的边部15B、15D之间所形成的大致长方体状的间隙的形状。即,遮风构件25、25具有全长与被处理物W的处理气体的供给方向上的尺寸相同、高度与被处理物支撑台11和光透射窗构件12之间的分离距离相同的长方体状的形状。
遮风构件25、25由对真空紫外线具有耐性且对臭氧具有耐性的材料形成。
此外,遮风构件25、25在如图1所示那样处于与光透射窗构件12接触的状态的情况下,优选与光透射窗构件12接触的部分(以下,还称为“窗接触部分”)由氟树脂形成。该具有由氟树脂形成的窗接触部分的遮风构件25、25即可以是遮风构件25、25整体由氟树脂形成,或者也可以具有由氟树脂以外的材料形成的基体、且在该基体的上表面上形成有氟树脂层。
通过由氟树脂形成遮风构件25、25的窗接触部分,能够防止产生因遮风构件25、25与光透射窗构件12接触而引起光透射窗构件12发生破损等弊端。
在此,作为遮风构件25、25的构成材料的具体例,除了氟树脂以外,可以列举不锈钢等。
在该图的例子中,遮风构件25、25在由不锈钢形成的基体的上表面整个面上层叠有氟树脂层。
作为构成光透射窗构件12的材料,只要对从紫外线灯21放射的真空紫外线具有透射性、且对真空紫外线及臭氧具有耐性即可,例如可以使用石英玻璃。
此外,光照射装置10优选设置成在被处理物支撑台11上设置有对被处理物W加热的加热机构(未图示)的结构。
根据这种结构,伴随着被处理物W的被处理面Wa的温度上升,能够促进臭氧及活性氧的作用,因此能够高效地进行处理。
此外,在被处理物支撑台11上,由于被处理物载置面11a的纵横尺寸大于被处理物W的被处理面Wa的纵横尺寸,因此能够均匀地加热被处理物W的被处理面Wa。
加热机构的加热条件为使被处理物载置面11a的温度例如达到100~150℃的条件。
在这种结构的光照射装置10中,经由光透射窗构件12对配置在处理气体的气氛下的被处理物W的被处理面Wa照射包含来自紫外线灯21的真空紫外线的光,由此进行被处理物W的表面处理。
具体说明的话,处理气体经由气体供给用开口16a以所期望的气体供给条件供给到配置有被处理物W及遮风构件25、25的处理室S。这样,向处理室S不停地供给处理气体,由此处理室S成为处理气体气氛。并且,构成光源单元20的多个紫外线灯21一齐被点灯,由此来自该多个紫外线灯21的真空紫外线经由光透射窗构件12朝向被处理物W的被处理面Wa照射。由此,通过到达被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线、以及由真空紫外线生成的臭氧及活性氧,进行被处理物W的被处理面Wa的处理。此外,在处理室S中,向从气体供给用开口16a供给的处理气体中混入当该处理气体在处理室S中流通的过程中被处理面Wa被处理而产生的反应生成气体(具体地说,例如二氧化碳气体)。并且,混入有该反应生成气体的气体(以下还称为“废气”)经由气体排出用开口17a向处理室S的外部排出。
这样,在光照射装置10中,成为在处理室S设置有遮风构件25、25,通过该遮风构件25、25闭塞了被处理物上间隙的向处理气体的供给方向延伸的两侧的状态。即,在处理室S中,由在边部15A与被处理物W之间沿着该边部15A延伸的大致矩形状的间隙、被处理物上间隙、在边部15C与被处理物W之间沿着该边部15C延伸的大致矩形状的间隙,形成有处理气体的流通空间。因此,从气体供给用开口16a供给的处理气体的全部在被处理物W的被处理面Wa上(被处理物上间隙)从气体供给用开口16a侧朝向气体排出用开口17a侧以大致直线状流通。其结果,在被处理物W的被处理面Wa上,流速分布得到高均匀性。因此,在被处理物W的被处理面Wa上(被处理物上间隙),通过由气体供给机构调整气体供给条件,能够以所期望的流速流通处理所需的量的处理气体。并且,由于被处理物上间隙的距离被设为1mm以下,因此到达被处理物W的被处理面Wa的真空紫外线达到足够大小的强度(光量),并且在被处理面Wa上(被处理物上间隙)稳定地生成臭氧及活性氧。其结果,能够以高处理效率均匀地处理被处理物W。
该光照射装置10例如能够适用于半导体及液晶等的制造工序中的抗蚀剂的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的抗蚀剂的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的去污(Desmear)处理等。
在本发明的光照射装置中,不限定于上述的实施方式,能够进行各种变更。
例如,遮风构件不限定于图1及图2所示的形状。即,遮风构件只要具有向被处理物支撑台上的处理气体的供给方向延伸、能够配置在不放置被处理物的区域上、且能够发挥所期望的遮风功能的形状即可。具体地说,例如还可以是以下结构:在图1的遮风构件中,全长比被处理物的处理气体的供给方向上的尺寸大,且配置成两端面均从被处理物的侧面(具体地说,在与处理气体的供给方向垂直的方向上延伸的侧面)向外方突出的状态。
根据具备这种结构的遮风构件的光照射装置,该遮风构件的突出的部分作为气体引导件发挥功能。因此,能够使从气体供给用开口供给的处理气体高效地向被处理物的被处理面上(被处理物上间隙)流动。此外,能够使废气朝向气体排出用开口高效地流动,快速从该气体排出用开口排出,因此能够从处理室高效地去除对被处理面的处理带来不良影响的反应生成物。其结果,能够得到更高的处理效率。
此外,光照射装置中,只要被处理物上间隙的距离为1mm以下即可,也可以不是像图1及图2所示那样被处理物支撑台向上下方向移动的结构。
此外,气体供给机构只要能够向被处理物的被处理面上沿着该被处理物的被处理面朝向一个方向供给处理气体即可,例如也可以是在图1及图2的光照射装置中气体供给用开口被设置在被处理物载置面上的边部15A与被处理物之间的区域、气体排出用开口被设置在被处理物载置面上的边15C与被处理物之间的区域的结构。
符号说明
10 光照射装置
11 被处理物支撑台
11a 被处理物载置面
12 光透射窗构件
13 支撑构件
13a 窗构件夹持部
14 光源单元支撑台
14a 凹部
15A、15B、15C、15D 边部
16 气体供给用贯通孔
16a 气体供给用开口
17 气体排出用贯通孔
17a 气体排出用开口
20 光源单元
21 紫外线灯
22 外壳
25 遮风构件
31 被处理物支撑台
31a 被处理物载置面
32a 气体供给用贯通孔
32b 气体排出用贯通孔
34 间隔构件
35 密封构件
40 光源单元
41 紫外线灯
42 外壳
43 反射镜
W 被处理物
Wa 被处理面

Claims (2)

1.一种光照射装置,具备:被处理物支撑台,配置被处理物;紫外线灯,对上述被处理物的被处理面照射真空紫外线;以及光透射窗构件,配置在上述被处理物与上述紫外线灯之间,使来自该紫外线灯的真空紫外线透射,
上述光照射装置的特征在于,
上述被处理物的被处理面与上述光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下,设置有向该间隙沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体的气体供给机构,
在上述被处理物支撑台上的向上述处理气体的供给方向延伸、且不放置被处理物的区域,配设有遮风构件,
上述遮风构件具有能够使位于被处理物上间隙的两侧方的间隙的传导性比该被处理物上间隙的传导性小的形状,其可以抑制或防止处理气体在被处理物的被处理面上向气体供给方向以外的方向流动。
2.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
上述遮风构件被设为与上述光透射窗构件接触的状态,与该光透射窗构件接触的部分由氟树脂形成。
CN201480046358.6A 2013-09-13 2014-09-09 光照射装置 Active CN105493235B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-189983 2013-09-13
JP2013189983 2013-09-13
PCT/JP2014/073764 WO2015037573A1 (ja) 2013-09-13 2014-09-09 光照射装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105493235A CN105493235A (zh) 2016-04-13
CN105493235B true CN105493235B (zh) 2017-05-24

Family

ID=52665677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480046358.6A Active CN105493235B (zh) 2013-09-13 2014-09-09 光照射装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9616469B2 (zh)
JP (1) JP5765504B1 (zh)
KR (1) KR101657038B1 (zh)
CN (1) CN105493235B (zh)
WO (1) WO2015037573A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013108659B3 (de) 2013-08-09 2014-07-03 Presens - Precision Sensing Gmbh Optischer Sensor und Messanordnung zum quantitativen Nachweis eines Analyten in einer Probe
DE102014107837B4 (de) 2014-06-04 2021-09-02 Presens Precision Sensing Gmbh Optischer Sensor zum quantitativen Nachweis eines Analyten in einer Probe und Verfahren zur Herstellung des Sensors
JP5900806B2 (ja) * 2014-08-08 2016-04-06 ウシオ電機株式会社 光源装置およびプロジェクタ
JP6586827B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-09 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置
WO2018084133A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置
JP7003431B2 (ja) * 2017-04-06 2022-01-20 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP6984206B2 (ja) * 2017-07-19 2021-12-17 ウシオ電機株式会社 光照射装置
CN107377533B (zh) * 2017-09-12 2020-03-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种紫外辐照装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109506A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Ushio Inc 紫外線照射装置
CN101885517A (zh) * 2009-05-11 2010-11-17 哈利盛东芝照明公司 紫外线照射装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108722A (ja) * 1986-10-27 1988-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 基板表面処理装置
JP2966419B2 (ja) * 1988-09-14 1999-10-25 株式会社日立製作所 有機物除去装置及び有機物除去方法
JP2948110B2 (ja) 1994-09-19 1999-09-13 ウシオ電機株式会社 被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法
US6143081A (en) * 1996-07-12 2000-11-07 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method
JPH11231554A (ja) 1998-02-19 1999-08-27 Fujitsu Ltd レジスト剥離方法とその装置
US6592673B2 (en) * 1999-05-27 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate
EP1109210A1 (en) * 1999-05-28 2001-06-20 Tokyo Electron Limited Ozone treatment device of semiconductor process system
JP4744671B2 (ja) * 2000-05-22 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 枚葉式処理装置
JP4731694B2 (ja) * 2000-07-21 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2003249475A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Sony Corp 表面処理方法および表面処理装置
JP2004152842A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Ushio Inc 紫外光照射による処理方法および紫外光照射装置
JP2005334840A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Toshiba Corp 光洗浄方法及び光洗浄装置
JP4618552B2 (ja) 2005-04-19 2011-01-26 株式会社ニコン 紫外光学装置および光源装置
JP4984886B2 (ja) * 2006-12-27 2012-07-25 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ用基板の洗浄装置及び洗浄方法
WO2009022429A1 (ja) * 2007-08-16 2009-02-19 Asahi Glass Company, Limited 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2009268974A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd 紫外線照射方法及び紫外線照射装置
KR101027468B1 (ko) * 2008-08-20 2011-04-06 엘아이지에이디피 주식회사 미세패턴 형성장치 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법
JP2011181535A (ja) 2010-02-26 2011-09-15 Ushio Inc 光処理装置および光処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109506A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Ushio Inc 紫外線照射装置
CN101885517A (zh) * 2009-05-11 2010-11-17 哈利盛东芝照明公司 紫外线照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160022943A (ko) 2016-03-02
US20160221049A1 (en) 2016-08-04
JPWO2015037573A1 (ja) 2017-03-02
CN105493235A (zh) 2016-04-13
KR101657038B1 (ko) 2016-09-12
WO2015037573A1 (ja) 2015-03-19
JP5765504B1 (ja) 2015-08-19
US9616469B2 (en) 2017-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105493235B (zh) 光照射装置
CN105074882B (zh) 光照射装置
JP5987815B2 (ja) アッシング方法およびアッシング装置
JP6135764B2 (ja) デスミア処理装置
TW201300177A (zh) 紫外線照射裝置
JP2015103545A (ja) 光源装置およびデスミア処理装置
JP5354643B2 (ja) ドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法
KR101255408B1 (ko) 자외선 조사 장치
WO2014199808A1 (ja) アッシング装置
JP2588508B2 (ja) 処理装置
JP6123649B2 (ja) アッシング装置および被処理物保持構造体
JP6360441B2 (ja) 貯水槽
JPH09120950A (ja) 紫外線洗浄装置
JP6459578B2 (ja) 光処理装置および光処理方法
JP2007149938A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びにディスプレイ装置
JP2016152358A (ja) 光処理装置および光処理方法
JPH08288270A (ja) 処理装置
JPH08288269A (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant