JPH05198499A - レジスト膜のアッシング装置 - Google Patents
レジスト膜のアッシング装置Info
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- JPH05198499A JPH05198499A JP2746592A JP2746592A JPH05198499A JP H05198499 A JPH05198499 A JP H05198499A JP 2746592 A JP2746592 A JP 2746592A JP 2746592 A JP2746592 A JP 2746592A JP H05198499 A JPH05198499 A JP H05198499A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上のレジスト膜全体を、均等に、かつ
速い速度で除去することができるレジスト膜のアッシン
グ装置を提供することにある。 【構成】 処理室と、処理室の一端側に位置するオゾン
噴出口から、処理室内にオゾンを導入するオゾン導入手
段と、処理室内において、ウエハを載置して保持するウ
エハ保持台と、ウエハ上のレジスト膜に紫外線を照射す
る紫外線ランプと、紫外線ランプからの紫外線を遮る遮
光板とを具えてなるレジスト膜のアッシング装置におい
て、アッシング処理の進行に伴って、前記遮光板は、処
理室の一端側から他端側へ連続的もしくは間欠的に移動
してレジスト膜への紫外線照射光路に進入し、レジスト
膜へ照射されている紫外線が、処理室の一端側から順次
遮られることを特徴とする。
速い速度で除去することができるレジスト膜のアッシン
グ装置を提供することにある。 【構成】 処理室と、処理室の一端側に位置するオゾン
噴出口から、処理室内にオゾンを導入するオゾン導入手
段と、処理室内において、ウエハを載置して保持するウ
エハ保持台と、ウエハ上のレジスト膜に紫外線を照射す
る紫外線ランプと、紫外線ランプからの紫外線を遮る遮
光板とを具えてなるレジスト膜のアッシング装置におい
て、アッシング処理の進行に伴って、前記遮光板は、処
理室の一端側から他端側へ連続的もしくは間欠的に移動
してレジスト膜への紫外線照射光路に進入し、レジスト
膜へ照射されている紫外線が、処理室の一端側から順次
遮られることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジスト膜のアッシ
ング装置に関し、更に詳しくは、ＬＳＩなどの半導体素
子の製造プロセスにおいて、ウエハ上の不要レジスト膜
を光アッシング処理によって除去するアッシング装置に
関する。
ング装置に関し、更に詳しくは、ＬＳＩなどの半導体素
子の製造プロセスにおいて、ウエハ上の不要レジスト膜
を光アッシング処理によって除去するアッシング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩなどの半導体素子の製造プ
ロセスにおいて、エッチングやイオンの打ち込み後、ウ
エハ上の不要レジスト膜を除去する方法として、酸素プ
ラズマによるアッシング方法が実用化されている。しか
し、酸素プラズマによるアッシング方法においては、電
界によって加速された電子やイオンなどプラズマ中の荷
電粒子がウエハと衝突して、またそのときの反応熱によ
って、ウエハの表面が傷ついて半導体素子の電気的特性
が損なわれるという、いわゆるプラズマダメージの問題
を有している。特に、半導体素子の高集積化の要請に伴
って、プラズマダメージによる電気的特性への影響を無
視することはできない。
ロセスにおいて、エッチングやイオンの打ち込み後、ウ
エハ上の不要レジスト膜を除去する方法として、酸素プ
ラズマによるアッシング方法が実用化されている。しか
し、酸素プラズマによるアッシング方法においては、電
界によって加速された電子やイオンなどプラズマ中の荷
電粒子がウエハと衝突して、またそのときの反応熱によ
って、ウエハの表面が傷ついて半導体素子の電気的特性
が損なわれるという、いわゆるプラズマダメージの問題
を有している。特に、半導体素子の高集積化の要請に伴
って、プラズマダメージによる電気的特性への影響を無
視することはできない。
【０００３】最近において、半導体素子を傷つけないで
レジスト膜を除去するアッシング方法として、紫外線ラ
ンプから放射される紫外線を利用した光アッシング方法
が提案されている。この光アッシング方法は、レジスト
膜が形成されたウエハを処理室内に配置し、この処理室
内にオゾンを導入し、ウエハ上のレジスト膜に、紫外線
ランプからの紫外線を照射することにより行われる。
レジスト膜を除去するアッシング方法として、紫外線ラ
ンプから放射される紫外線を利用した光アッシング方法
が提案されている。この光アッシング方法は、レジスト
膜が形成されたウエハを処理室内に配置し、この処理室
内にオゾンを導入し、ウエハ上のレジスト膜に、紫外線
ランプからの紫外線を照射することにより行われる。
【０００４】図４は、従来の（光）アッシング装置の一
例を示す概略断面図である。同図において、１は処理室
であり、処理室１の一端側の側面１ａにはオゾン導入パ
イプ２が設けられている。３はガス排気口、４は処理す
べきウエハＷを載置して保持するウエハ保持台、５はウ
エハＷ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ラン
プ、６は紫外線反射ミラー、７は紫外線透過窓である。
このアッシング装置において、オゾン導入パイプ２から
処理室１内に導入されたオゾン（Ｏ3 ）は、紫外線ラン
プ５からの紫外線によって励起して活性化酸素（Ｏ* ）
となる。そして、この活性化酸素が、ウエハＷ上のレジ
スト膜と接触すると、有機化合物よりなるレジスト膜は
酸化されて分解し、ＣＯ2 あるいはＨ2 Ｏ等となって除
去される。
例を示す概略断面図である。同図において、１は処理室
であり、処理室１の一端側の側面１ａにはオゾン導入パ
イプ２が設けられている。３はガス排気口、４は処理す
べきウエハＷを載置して保持するウエハ保持台、５はウ
エハＷ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ラン
プ、６は紫外線反射ミラー、７は紫外線透過窓である。
このアッシング装置において、オゾン導入パイプ２から
処理室１内に導入されたオゾン（Ｏ3 ）は、紫外線ラン
プ５からの紫外線によって励起して活性化酸素（Ｏ* ）
となる。そして、この活性化酸素が、ウエハＷ上のレジ
スト膜と接触すると、有機化合物よりなるレジスト膜は
酸化されて分解し、ＣＯ2 あるいはＨ2 Ｏ等となって除
去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成のアッシング装置においては、その処理速度
が遅い、という問題がある。図４に示したように、オゾ
ン導入パイプ２は、処理室１の一端側の側面１ａに設け
られている。そして、このオゾン導入パイプ２から導入
されたオゾンは、処理室１内に均一に拡散される前に、
紫外線ランプ５からの紫外線によって活性化酸素とな
り、処理室１の他端側まで到達しにくい。従って、オゾ
ン噴出口２Ａが位置する一端側の側面１ａの近傍におい
ては活性化酸素の濃度が高く、オゾン噴出口２Ａから離
れた他端側の側面１ｂの近傍においては活性化酸素の濃
度が低い。また、活性化酸素は容易に脱活性化されやす
いため、他端側の側面１ｂの近傍においては、アッシン
グ処理に有用でない脱活性化ガスの濃度が高くなる。こ
のように、処理室の一端側から導入されたオゾンが他端
側まで到達しないため、他端側における活性化酸素の濃
度が、一端側における活性化酸素の濃度よりも低くな
る。従って、処理室１内におけるウエハＷ上のレジスト
膜のうち、一端側の側面１ａの近傍にあるレジスト膜が
除去されやすくなる反面、他端側の側面１ｂの近傍にあ
るレジスト膜は除去されにくくなり、ウエハＷ上のレジ
スト膜全体を除去するために長時間を要することにな
る。
ような構成のアッシング装置においては、その処理速度
が遅い、という問題がある。図４に示したように、オゾ
ン導入パイプ２は、処理室１の一端側の側面１ａに設け
られている。そして、このオゾン導入パイプ２から導入
されたオゾンは、処理室１内に均一に拡散される前に、
紫外線ランプ５からの紫外線によって活性化酸素とな
り、処理室１の他端側まで到達しにくい。従って、オゾ
ン噴出口２Ａが位置する一端側の側面１ａの近傍におい
ては活性化酸素の濃度が高く、オゾン噴出口２Ａから離
れた他端側の側面１ｂの近傍においては活性化酸素の濃
度が低い。また、活性化酸素は容易に脱活性化されやす
いため、他端側の側面１ｂの近傍においては、アッシン
グ処理に有用でない脱活性化ガスの濃度が高くなる。こ
のように、処理室の一端側から導入されたオゾンが他端
側まで到達しないため、他端側における活性化酸素の濃
度が、一端側における活性化酸素の濃度よりも低くな
る。従って、処理室１内におけるウエハＷ上のレジスト
膜のうち、一端側の側面１ａの近傍にあるレジスト膜が
除去されやすくなる反面、他端側の側面１ｂの近傍にあ
るレジスト膜は除去されにくくなり、ウエハＷ上のレジ
スト膜全体を除去するために長時間を要することにな
る。
【０００６】なお、このような場合において、オゾン導
入パイプ２からのオゾンの導入量を増加させることによ
って、処理室１の他端側までオゾンを到達させ、他端側
における活性化酸素の濃度を高めることも考えられる
が、オゾン発生装置からのオゾンの供給量にも性能上の
制限があって容易ではない。
入パイプ２からのオゾンの導入量を増加させることによ
って、処理室１の他端側までオゾンを到達させ、他端側
における活性化酸素の濃度を高めることも考えられる
が、オゾン発生装置からのオゾンの供給量にも性能上の
制限があって容易ではない。
【０００７】このような問題に対して、ウエハ保持台に
回転機構を設け、一端側の側面の近傍におけるレジスト
膜が十分に除去された後、ウエハ保持台に保持されてい
るウエハを１８０°回転させることにより、ウエハ上の
レジスト膜全体を除去する手段が提案されている。しか
しながら、このような手段では、ウエハ保持台を回転さ
せる際に、ベアリング等のウエハ保持台回転機構から塵
埃が発生し、半導体製品の歩留りを低下させる原因とな
るので好ましくない。
回転機構を設け、一端側の側面の近傍におけるレジスト
膜が十分に除去された後、ウエハ保持台に保持されてい
るウエハを１８０°回転させることにより、ウエハ上の
レジスト膜全体を除去する手段が提案されている。しか
しながら、このような手段では、ウエハ保持台を回転さ
せる際に、ベアリング等のウエハ保持台回転機構から塵
埃が発生し、半導体製品の歩留りを低下させる原因とな
るので好ましくない。
【０００８】また、処理室に複数のオゾン噴出口を設
け、処理室へのオゾンの導入を多方向から行う手段が提
案されている。しかしながら、多方向からオゾンを導入
すると、処理室内においてオゾンの対流が生じ、オゾン
濃度が低い領域が部分的に形成されるので、ウエハ上の
レジスト膜全体を均等に除去することができない。
け、処理室へのオゾンの導入を多方向から行う手段が提
案されている。しかしながら、多方向からオゾンを導入
すると、処理室内においてオゾンの対流が生じ、オゾン
濃度が低い領域が部分的に形成されるので、ウエハ上の
レジスト膜全体を均等に除去することができない。
【０００９】この発明は、以上のような事情に基いてな
されたものであって、その目的は、ウエハ上のレジスト
膜全体を、均等に、かつ速い速度で除去することができ
るレジスト膜のアッシング装置を提供することにある。
されたものであって、その目的は、ウエハ上のレジスト
膜全体を、均等に、かつ速い速度で除去することができ
るレジスト膜のアッシング装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明のレジスト膜の
アッシング装置（第１の装置）は、処理室と、処理室の
一端側に位置するオゾン噴出口から、処理室内にオゾン
を導入するオゾン導入手段と、処理室内において、ウエ
ハを載置して保持するウエハ保持台と、ウエハ上のレジ
スト膜に紫外線を照射する紫外線ランプと、紫外線ラン
プからの紫外線を遮る遮光板とを具えてなるレジスト膜
のアッシング装置において、アッシング処理の進行に伴
って、前記遮光板は、処理室の一端側から他端側へ連続
的もしくは間欠的に移動してレジスト膜への紫外線照射
光路に進入し、レジスト膜へ照射されている紫外線が、
処理室の一端側から順次遮られることを特徴とする。
アッシング装置（第１の装置）は、処理室と、処理室の
一端側に位置するオゾン噴出口から、処理室内にオゾン
を導入するオゾン導入手段と、処理室内において、ウエ
ハを載置して保持するウエハ保持台と、ウエハ上のレジ
スト膜に紫外線を照射する紫外線ランプと、紫外線ラン
プからの紫外線を遮る遮光板とを具えてなるレジスト膜
のアッシング装置において、アッシング処理の進行に伴
って、前記遮光板は、処理室の一端側から他端側へ連続
的もしくは間欠的に移動してレジスト膜への紫外線照射
光路に進入し、レジスト膜へ照射されている紫外線が、
処理室の一端側から順次遮られることを特徴とする。
【００１１】また、この発明のレジスト膜のアッシング
装置（第２の装置）は、処理室と、処理室の一端側に位
置するオゾン噴出口から、処理室内にオゾンを導入する
オゾン導入手段と、処理室内において、ウエハを載置し
て保持するウエハ保持台と、ウエハ上のレジスト膜に紫
外線を照射する紫外線ランプと、紫外線ランプからの紫
外線を遮る遮光板とを具えてなるレジスト膜のアッシン
グ装置において、アッシング処理の進行に伴って、前記
遮光板は、処理室の他端側から一端側へ連続的もしくは
間欠的に移動してレジスト膜への紫外線照射光路から退
去し、紫外線ランプからの紫外線が、処理室の他端側か
ら順次レジスト膜に照射されることを特徴とする。
装置（第２の装置）は、処理室と、処理室の一端側に位
置するオゾン噴出口から、処理室内にオゾンを導入する
オゾン導入手段と、処理室内において、ウエハを載置し
て保持するウエハ保持台と、ウエハ上のレジスト膜に紫
外線を照射する紫外線ランプと、紫外線ランプからの紫
外線を遮る遮光板とを具えてなるレジスト膜のアッシン
グ装置において、アッシング処理の進行に伴って、前記
遮光板は、処理室の他端側から一端側へ連続的もしくは
間欠的に移動してレジスト膜への紫外線照射光路から退
去し、紫外線ランプからの紫外線が、処理室の他端側か
ら順次レジスト膜に照射されることを特徴とする。
【００１２】
【作用】（１）第１の装置 アッシング処理の開始時においては、ウエハ上のレジス
ト膜全体に紫外線が照射されており、一端側の側面の近
傍におけるレジスト膜が主に除去される。そして、アッ
シング処理の進行に伴って、遮光板が、処理室の一端側
から紫外線照射光路に進入することにより、レジスト膜
へ照射されている紫外線は、処理室の一端側から順次遮
られる。ここに、紫外線が遮られている領域では、オゾ
ンの励起による活性化酸素の生成反応が起こらず、オゾ
ンは他端側方向へ拡散し、紫外線が遮られていない領域
において活性化酸素の生成反応が起こる。従って、従来
のアッシング装置ではオゾンが到達しにくかった他端側
においても、処理に必要な量のオゾンが到達して活性化
酸素が生成され、他端側の側面の近傍におけるレジスト
膜を除去することが可能となる。このように、紫外線が
遮られる領域を、オゾンが導入される一端側から順次拡
大させることにより、活性化酸素とレジスト膜との接触
がウエハの表面全体において均等に行われ、ウエハ上の
レジスト膜全体を、均等に、かつ速い速度で除去するこ
とができる。
ト膜全体に紫外線が照射されており、一端側の側面の近
傍におけるレジスト膜が主に除去される。そして、アッ
シング処理の進行に伴って、遮光板が、処理室の一端側
から紫外線照射光路に進入することにより、レジスト膜
へ照射されている紫外線は、処理室の一端側から順次遮
られる。ここに、紫外線が遮られている領域では、オゾ
ンの励起による活性化酸素の生成反応が起こらず、オゾ
ンは他端側方向へ拡散し、紫外線が遮られていない領域
において活性化酸素の生成反応が起こる。従って、従来
のアッシング装置ではオゾンが到達しにくかった他端側
においても、処理に必要な量のオゾンが到達して活性化
酸素が生成され、他端側の側面の近傍におけるレジスト
膜を除去することが可能となる。このように、紫外線が
遮られる領域を、オゾンが導入される一端側から順次拡
大させることにより、活性化酸素とレジスト膜との接触
がウエハの表面全体において均等に行われ、ウエハ上の
レジスト膜全体を、均等に、かつ速い速度で除去するこ
とができる。
【００１３】（２）第２の装置 アッシング処理の開始時においては、レジスト膜への紫
外線が全て遮られており、処理室の一端側から導入され
たオゾンは、励起されることなく処理室内に拡散し、処
理室の他端側にも処理に必要な量のオゾンが到達する。
そして、アッシング処理の進行に伴って、遮光板が、処
理室の一端側へ移動して紫外線照射光路から退去するこ
とにより、紫外線ランプからの紫外線は、処理室の他端
側から順次レジスト膜に照射される。従って、アッシン
グ処理の開始直後においては、処理室の他端側で活性化
酸素の生成反応が起こり、他端側の側面の近傍における
レジスト膜が除去され、紫外線照射光路から遮光板が退
去した時には、一端側の側面の近傍におけるレジスト膜
が主に除去される。このように、紫外線が照射される領
域を、他端側から順次拡大させることにより、活性化酸
素とレジスト膜との接触がウエハの表面全体において均
等に行われ、ウエハ上のレジスト膜全体を、均等に、か
つ速い速度で除去することができる。
外線が全て遮られており、処理室の一端側から導入され
たオゾンは、励起されることなく処理室内に拡散し、処
理室の他端側にも処理に必要な量のオゾンが到達する。
そして、アッシング処理の進行に伴って、遮光板が、処
理室の一端側へ移動して紫外線照射光路から退去するこ
とにより、紫外線ランプからの紫外線は、処理室の他端
側から順次レジスト膜に照射される。従って、アッシン
グ処理の開始直後においては、処理室の他端側で活性化
酸素の生成反応が起こり、他端側の側面の近傍における
レジスト膜が除去され、紫外線照射光路から遮光板が退
去した時には、一端側の側面の近傍におけるレジスト膜
が主に除去される。このように、紫外線が照射される領
域を、他端側から順次拡大させることにより、活性化酸
素とレジスト膜との接触がウエハの表面全体において均
等に行われ、ウエハ上のレジスト膜全体を、均等に、か
つ速い速度で除去することができる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を用いて具体
的に説明する。図１は、この発明のアッシング装置の一
例を示す概略断面図である。同図において、１０は処理
室、２０は、処理室１０の一端側の側面１０ａに設けら
れたオゾン導入パイプ、１５はガス排気口、３０は処理
すべきウエハＷを載置して保持するウエハ保持台、４０
はウエハＷ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ラ
ンプ、４５は紫外線反射ミラー、５０は紫外線透過窓、
６０は、紫外線ランプ４０からの紫外線を遮る遮光板、
６５は、遮光板６０の駆動機構である。
的に説明する。図１は、この発明のアッシング装置の一
例を示す概略断面図である。同図において、１０は処理
室、２０は、処理室１０の一端側の側面１０ａに設けら
れたオゾン導入パイプ、１５はガス排気口、３０は処理
すべきウエハＷを載置して保持するウエハ保持台、４０
はウエハＷ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ラ
ンプ、４５は紫外線反射ミラー、５０は紫外線透過窓、
６０は、紫外線ランプ４０からの紫外線を遮る遮光板、
６５は、遮光板６０の駆動機構である。
【００１５】この実施例のアッシング装置において、オ
ゾン導入パイプ２０のオゾン噴出口２０Ａはスリット状
に形成されている。これにより、オゾンの層流状態が確
保され、スリット幅方向（図１において紙面の奥行き方
向）におけるオゾンの流れを均一にすることができ、こ
の方向においても均等なアッシング処理が可能になる。
オゾン導入パイプ２０からのオゾンの導入量は、図示し
ないオゾン発生装置の性能によって決定され、例えば１
０リットル／分の割合で導入される。
ゾン導入パイプ２０のオゾン噴出口２０Ａはスリット状
に形成されている。これにより、オゾンの層流状態が確
保され、スリット幅方向（図１において紙面の奥行き方
向）におけるオゾンの流れを均一にすることができ、こ
の方向においても均等なアッシング処理が可能になる。
オゾン導入パイプ２０からのオゾンの導入量は、図示し
ないオゾン発生装置の性能によって決定され、例えば１
０リットル／分の割合で導入される。
【００１６】オゾン噴出口２０Ａから処理室１０内に導
入されたオゾン（Ｏ3 ）は、紫外線ランプ４０からの紫
外線によって活性化酸素（Ｏ* ）となり、この活性化酸
素が、ウエハ保持台３０に保持されたウエハＷ上のレジ
スト膜と接触することによりアッシングが行われる。紫
外線ランプ４０としては、オゾンを励起する紫外線を放
射するものであれば特に限定されず、例えば低圧水銀ラ
ンプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどを用
いることができ、この実施例のアッシング装置において
は、２個の高圧水銀ランプが用いられている。
入されたオゾン（Ｏ3 ）は、紫外線ランプ４０からの紫
外線によって活性化酸素（Ｏ* ）となり、この活性化酸
素が、ウエハ保持台３０に保持されたウエハＷ上のレジ
スト膜と接触することによりアッシングが行われる。紫
外線ランプ４０としては、オゾンを励起する紫外線を放
射するものであれば特に限定されず、例えば低圧水銀ラ
ンプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどを用
いることができ、この実施例のアッシング装置において
は、２個の高圧水銀ランプが用いられている。
【００１７】遮光板６０は、駆動機構６５により、処理
室１０の一端側から他端側へ移動して（移動方向を「矢
印Ｘ1 」で示す）紫外線照射光路に進入し、処理室１０
の他端側から一端側へ移動して（移動方向を「矢印
Ｘ2 」で示す）紫外線照射光路から退去する。このアッ
シング装置においては、遮光板６０の移動が、処理室１
０の外側で行われるため、処理室１０内において塵埃が
発生することはなく、半導体製品の歩留りを低下させる
ことはない。
室１０の一端側から他端側へ移動して（移動方向を「矢
印Ｘ1 」で示す）紫外線照射光路に進入し、処理室１０
の他端側から一端側へ移動して（移動方向を「矢印
Ｘ2 」で示す）紫外線照射光路から退去する。このアッ
シング装置においては、遮光板６０の移動が、処理室１
０の外側で行われるため、処理室１０内において塵埃が
発生することはなく、半導体製品の歩留りを低下させる
ことはない。
【００１８】以下、この発明のアッシング装置を用いた
アッシング処理について説明する。 〔第１の処理方法〕図２は、この発明のアッシング装置
による第１の処理方法を説明する概略図である。なお、
同図（イ）〜（ハ）において、ウエハ上の各位置に対応
する「活性化酸素Ｏ* の濃度分布」および「残留するレ
ジスト膜」を併せて示す。 処理室１０内のウエハ保持台３０に、レジスト膜が
形成されているウエハＷを載置する。 処理室１０内にオゾンを導入し、紫外線ランプ（図
示省略）を点灯して、アッシング処理を開始する。この
とき、遮光板６０は、レジスト膜への紫外線照射光路か
ら退去しており、ウエハＷ上のレジスト膜全体に紫外線
ランプからの紫外線が照射されている〔図２（イ）〕。 アッシング処理の進行に伴って、遮光板６０を、連
続的にＸ1 方向へ移動させる〔図２（ロ）〜（ハ）〕。
そして、紫外線照射光路に進入する遮光板６０により、
ウエハＷ上のレジスト膜へ照射されている紫外線は、処
理室１０の一端側から順次遮られる。ここに、紫外線が
遮られている領域では活性化酸素の生成反応が起こらな
いので、オゾンは他端側方向へ拡散し、処理室１０の他
端側においても、処理に必要な量のオゾンが到達して活
性化酸素が生成され、他端側の側面１０ｂの近傍におけ
るレジスト膜を除去することが可能となる。
アッシング処理について説明する。 〔第１の処理方法〕図２は、この発明のアッシング装置
による第１の処理方法を説明する概略図である。なお、
同図（イ）〜（ハ）において、ウエハ上の各位置に対応
する「活性化酸素Ｏ* の濃度分布」および「残留するレ
ジスト膜」を併せて示す。 処理室１０内のウエハ保持台３０に、レジスト膜が
形成されているウエハＷを載置する。 処理室１０内にオゾンを導入し、紫外線ランプ（図
示省略）を点灯して、アッシング処理を開始する。この
とき、遮光板６０は、レジスト膜への紫外線照射光路か
ら退去しており、ウエハＷ上のレジスト膜全体に紫外線
ランプからの紫外線が照射されている〔図２（イ）〕。 アッシング処理の進行に伴って、遮光板６０を、連
続的にＸ1 方向へ移動させる〔図２（ロ）〜（ハ）〕。
そして、紫外線照射光路に進入する遮光板６０により、
ウエハＷ上のレジスト膜へ照射されている紫外線は、処
理室１０の一端側から順次遮られる。ここに、紫外線が
遮られている領域では活性化酸素の生成反応が起こらな
いので、オゾンは他端側方向へ拡散し、処理室１０の他
端側においても、処理に必要な量のオゾンが到達して活
性化酸素が生成され、他端側の側面１０ｂの近傍におけ
るレジスト膜を除去することが可能となる。
【００１９】〔第２の方法〕図３は、この発明のアッシ
ング装置による第２の処理方法を説明する概略図であ
る。なお、同図（イ）〜（ニ）において、ウエハ上の各
位置に対応する「活性化酸素Ｏ* の濃度分布」および
「残留するレジスト膜」を併せて示す。 処理室１０内のウエハ保持台３０に、レジスト膜が
形成されているウエハＷを載置する。 処理室１０内にオゾンを導入し、紫外線ランプ（図
示省略）を点灯して、アッシング処理を開始する。この
とき、遮光板６０は、レジスト膜への紫外線照射光路に
進入しており、レジスト膜への紫外線の全てが、遮光板
６０によって遮られている〔図３（イ）〕。 アッシング処理の進行に伴って、遮光板６０を、連
続的にＸ2 方向へ移動させる〔図３（ロ）〜（ハ）〕。
そして、レジスト膜への紫外線照射光路から遮光板６０
が退去することにより、紫外線ランプからの紫外線は、
処理室１０の他端側からレジスト膜に照射され、他端側
の側面１０ｂの近傍におけるレジスト膜から順次除去さ
れる。 遮光板６０が、レジスト膜への紫外線照射光路から
退去した時には、主に、一端側の側面１０ａの近傍にお
けるレジスト膜が除去される〔図３（ニ））〕。
ング装置による第２の処理方法を説明する概略図であ
る。なお、同図（イ）〜（ニ）において、ウエハ上の各
位置に対応する「活性化酸素Ｏ* の濃度分布」および
「残留するレジスト膜」を併せて示す。 処理室１０内のウエハ保持台３０に、レジスト膜が
形成されているウエハＷを載置する。 処理室１０内にオゾンを導入し、紫外線ランプ（図
示省略）を点灯して、アッシング処理を開始する。この
とき、遮光板６０は、レジスト膜への紫外線照射光路に
進入しており、レジスト膜への紫外線の全てが、遮光板
６０によって遮られている〔図３（イ）〕。 アッシング処理の進行に伴って、遮光板６０を、連
続的にＸ2 方向へ移動させる〔図３（ロ）〜（ハ）〕。
そして、レジスト膜への紫外線照射光路から遮光板６０
が退去することにより、紫外線ランプからの紫外線は、
処理室１０の他端側からレジスト膜に照射され、他端側
の側面１０ｂの近傍におけるレジスト膜から順次除去さ
れる。 遮光板６０が、レジスト膜への紫外線照射光路から
退去した時には、主に、一端側の側面１０ａの近傍にお
けるレジスト膜が除去される〔図３（ニ））〕。
【００２０】なお、遮光板６０の移動は、必ずしも連続
的でなくてもよく、間欠的な移動であってもよい。遮光
板６０の移動速度の制御方法としては、経験的データに
基いて、等速もしくは変速的に移動させる方法、光学膜
厚計などによってレジスト膜の膜厚をモニタリングしな
がら制御する方法、レジストに吸収される特定波長の光
を発光素子からウエハ表面に照射し、ウエハ表面からの
反射光の強度を受光素子により検出して制御する方法な
どを挙げることができる。これらのうち、一対の発光−
受光素子を用いてウエハ表面からの反射強度を検出して
制御する方法は安価な方法であって好ましい。
的でなくてもよく、間欠的な移動であってもよい。遮光
板６０の移動速度の制御方法としては、経験的データに
基いて、等速もしくは変速的に移動させる方法、光学膜
厚計などによってレジスト膜の膜厚をモニタリングしな
がら制御する方法、レジストに吸収される特定波長の光
を発光素子からウエハ表面に照射し、ウエハ表面からの
反射光の強度を受光素子により検出して制御する方法な
どを挙げることができる。これらのうち、一対の発光−
受光素子を用いてウエハ表面からの反射強度を検出して
制御する方法は安価な方法であって好ましい。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、紫外線が遮ら
れる領域を、オゾンが導入される一端側から順次拡大さ
せることにより、ウエハ上のレジスト膜全体を、均等
に、かつ速い速度で除去することができる。請求項２の
発明によれば、紫外線が照射される領域を、他端側から
順次拡大させることにより、ウエハ上のレジスト膜全体
を、均等に、かつ速い速度で除去することができる。
れる領域を、オゾンが導入される一端側から順次拡大さ
せることにより、ウエハ上のレジスト膜全体を、均等
に、かつ速い速度で除去することができる。請求項２の
発明によれば、紫外線が照射される領域を、他端側から
順次拡大させることにより、ウエハ上のレジスト膜全体
を、均等に、かつ速い速度で除去することができる。
【図１】この発明のアッシング装置の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】この発明のアッシング装置による第１の処理方
法を説明する概略図である。
法を説明する概略図である。
【図３】この発明のアッシング装置による第２の処理方
法を説明する概略図である。
法を説明する概略図である。
【図４】従来の光アッシング装置の一例を示す概略断面
図である。
図である。
１ 処理室 ２ オゾン導入パイ
プ ３ ガス排気口 ４ ウエハ保持台 ５ 紫外線ランプ ６ 紫外線反射ミラ
ー ７ 紫外線透過窓 １０ 処理室 １５ ガス排気口 ２０ オゾン導入パイプ ３０ ウエハ保持台 ４０ 紫外線ランプ ４５ 紫外線反射ミ
ラー ５０ 紫外線透過窓 ６０ 遮光板 ６５ 駆動機構 Ｗ ウエハ
プ ３ ガス排気口 ４ ウエハ保持台 ５ 紫外線ランプ ６ 紫外線反射ミラ
ー ７ 紫外線透過窓 １０ 処理室 １５ ガス排気口 ２０ オゾン導入パイプ ３０ ウエハ保持台 ４０ 紫外線ランプ ４５ 紫外線反射ミ
ラー ５０ 紫外線透過窓 ６０ 遮光板 ６５ 駆動機構 Ｗ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 処理室と、 処理室の一端側に位置するオゾン噴出口から、処理室内
にオゾンを導入するオゾン導入手段と、 処理室内において、ウエハを載置して保持するウエハ保
持台と、 ウエハ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ランプ
と、 紫外線ランプからの紫外線を遮る遮光板とを具えてなる
レジスト膜のアッシング装置において、 アッシング処理の進行に伴って、前記遮光板は、処理室
の一端側から他端側へ連続的もしくは間欠的に移動して
レジスト膜への紫外線照射光路に進入し、 レジスト膜へ照射されている紫外線が、処理室の一端側
から順次遮られることを特徴とするレジスト膜のアッシ
ング装置。 - 【請求項２】 処理室と、 処理室の一端側に位置するオゾン噴出口から、処理室内
にオゾンを導入するオゾン導入手段と、 処理室内において、ウエハを載置して保持するウエハ保
持台と、 ウエハ上のレジスト膜に紫外線を照射する紫外線ランプ
と、 紫外線ランプからの紫外線を遮る遮光板とを具えてなる
レジスト膜のアッシング装置において、 アッシング処理の進行に伴って、前記遮光板は、処理室
の他端側から一端側へ連続的もしくは間欠的に移動して
レジスト膜への紫外線照射光路から退去し、 紫外線ランプからの紫外線が、処理室の他端側から順次
レジスト膜に照射されることを特徴とするレジスト膜の
アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2746592A JPH05198499A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | レジスト膜のアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2746592A JPH05198499A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | レジスト膜のアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198499A true JPH05198499A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12221870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2746592A Withdrawn JPH05198499A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | レジスト膜のアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115419B2 (en) | 2003-03-20 | 2006-10-03 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for producing a film for controlling the chemotactic function and an artificial material and process for producing the artificial material |
| WO2015108184A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | ウシオ電機株式会社 | デスミア処理装置 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP2746592A patent/JPH05198499A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115419B2 (en) | 2003-03-20 | 2006-10-03 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for producing a film for controlling the chemotactic function and an artificial material and process for producing the artificial material |
| WO2015108184A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | ウシオ電機株式会社 | デスミア処理装置 |
| JPWO2015108184A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-03-23 | ウシオ電機株式会社 | デスミア処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |