CN105874892B - 除胶渣处理装置 - Google Patents

除胶渣处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105874892B
CN105874892B CN201580003124.8A CN201580003124A CN105874892B CN 105874892 B CN105874892 B CN 105874892B CN 201580003124 A CN201580003124 A CN 201580003124A CN 105874892 B CN105874892 B CN 105874892B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
processing unit
circuit board
mentioned
lamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580003124.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105874892A (zh
Inventor
竹添法隆
远藤真
远藤真一
羽生智行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN105874892A publication Critical patent/CN105874892A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105874892B publication Critical patent/CN105874892B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0071Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by heating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08Treatments involving gases
    • H05K2203/087Using a reactive gas
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1509Horizontally held PCB

Abstract

本发明的目的是提供一种即使排列配置的多个紫外线灯(21)的相互邻接的紫外线灯(21)的间距(P)大,也能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料(1)的除胶渣处理装置(10)。本发明的除胶渣处理装置的特征在于,具备:多个紫外线灯(21),沿布线基板材料(1)被处理面(1a)排列配置;板状的光透射性窗部件(31);以及处理用气体供给机构,布线基板材料(1)被配置在处理用气体供给机构的气体供给口(15a)与气体排出口(16a)之间的位置,在形成于布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间中,处理用气体沿多个紫外线灯(21)排列的方向流动,并形成该处理用气体的层流。

Description

除胶渣处理装置
技术领域
本发明涉及除胶渣(desmear)处理装置。更详细地讲,本发明涉及去除绝缘层和导电层被层叠而成的板状的布线基板材料中的胶渣(除胶渣)的处理中所使用的除胶渣处理装置。
背景技术
现在,作为进行绝缘层和导电层被层叠而成的板状的布线基板材料中的胶渣去除处理即除胶渣处理的方法,已知有利用紫外线的干洗浄方法。并且,作为用于通过该方法进行处理的除胶渣处理装置,提出了将准分子灯等的放射真空紫外线的紫外线灯作为紫外线光源使用的技术(例如参照专利文献1)。该除胶渣处理装置为利用由真空紫外线生成的活性种(具体而言,例如臭氧以及氧自由基)的装置。
这种除胶渣处理装置的某一种被设为如下结构,经由光透射性窗部件对例如包含氧气的处理用气体的气氛下所配置的布线基板材料的被处理面照射来自放射真空紫外线的紫外线灯的光。
在该除胶渣处理装置中,来自紫外线灯的紫外线经由光透射性窗部件向被处理面放射,从而通过到达该被处理面的紫外线、以及由紫外线生成的活性种进行该被处理面的处理。并且,利用多个紫外线灯作为紫外线光源,将这些多个紫外线灯以一定间隔并列排列,使被处理面上的紫外线分布均匀,由此,能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料。
但是,在除胶渣处理装置中,为了削减装置制造成本以及处理成本,要求减少作为紫外线光源利用的紫外线灯的个数。因此,作为除胶渣处理装置,即使构成紫外线光源的紫外线灯的个数少的情况下,也要求以高的处理效率均匀地处理布线基板材料。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-180757号公報
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明即是基于以上的事实而做出的,其目的在于提供一种即使排列配置的多个紫外线灯的相互邻接的紫外线灯的间距大时也能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料的除胶渣处理装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的除胶渣处理装置,具备:
多个紫外线灯,对层叠绝缘层和导电层而成的板状的布线基板材料的被处理面照射紫外线,上述多个紫外线灯沿该被处理面排列配置;
板状的光透射性窗部件,在上述布线基板材料和上述多个紫外线灯之间与该布线基板材料平行地配置,上述板状的光透射性窗部件透射来自该紫外线灯的紫外线;以及
处理用气体供给机构,从气体供给口对形成在上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的空间供给包含用于生成活性种的活性种源在内的处理用气体,并将在该空间流动过的气体从气体排出口排出,
该除胶渣处理装置的特征在于,
上述布线基板材料被配置在上述处理用气体供给机构的气体供给口与气体排出口之间的位置,
在形成于上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的空间中,处理用气体沿上述多个紫外线灯排列的方向流动,并形成该处理用气体的层流。
在本发明的除胶渣处理装置中,优选上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的间距为1mm以下,在该布线基板材料与该光透射性窗部件之间所形成的的空间流动的处理用气体的气体流速为1~500mm/sec。
在本发明的除胶渣处理装置中,优选在形成于上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的空间与上述气体供给口之间的位置,设置有压力缓和空间。
发明的效果
在本发明的除胶渣处理装置中,在布线基板材料的被处理面上,处理用气体沿多个紫外线灯排列的方向流动,形成该处理用气体的层流。因此,在被处理面上,处理用气体的气体流速分布能够得到高均匀性。并且,通过紫外线生成的活性种通过处理用气体的流动而朝向处理用气体的流动方向下游侧移动。其结果,即使因多个紫外线灯的相互邻接的紫外线灯的间距大而在被处理面产生了来自紫外线灯的紫外线的照度分布不均,也能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料。
附图说明
图1是表示本发明的除胶渣处理装置的结构的一例中的与构成该除胶渣处理装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向的剖面的说明用剖面图。
图2是表示构成图1的除胶渣处理装置的多个紫外线灯的排列状态的说明图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的除胶渣处理装置的结构的一例中的与构成该除胶渣处理装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向的剖面的说明用剖面图。图2是表示构成图1的除胶渣处理装置的多个紫外线灯的排列状态的说明图。
除胶渣处理装置10是将绝缘层和导电层被层叠而成的板状的布线基板材料1作为被处理物处理的装置。
在布线基板材料1中,绝缘层通过树脂构成,所述树脂含有由无机物构成的填充物。这里,作为构成绝缘层的树脂,能够使用环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等。并且,作为构成绝缘层的填充物的材料能够使用二氧化硅、氧化铝、云母、硅酸盐、硫酸钡、氢氧化镁、氧化钛等。
并且,作为构成导电层的材料能够使用铜、镍、金等。
在该图的例子中,布线基板材料1具有大致矩形平板状的形状。
除胶渣处理装置10具备具有大致长方体状的外观形状的框体11。在该框体11的内部,在上方侧配置有多个(图例中为5个)棒状的紫外线灯21,在下方侧配置有保持装置。该保持装置具有配置布线基板材料1的长方体状的被处理物支承台18。并且,在多个紫外线灯21与被处理物支承台18之间配置有矩形平板状的光透射性窗部件31,以将框体11的内部空间划分为上下。该光透射性窗部件31相对于框体11的上壁部11A以及下壁部11B和被处理物支承台18的被处理物载置面18a平行配置。这样,在框体11的内部,通过位于光透射性窗部件31的上方侧的大致长方体状的密闭的空间形成灯室R,并且通过位于光透射性窗部件31的下方侧的大致长方体状的密闭的空间形成处理室S。
在该图的例子中,在框体11上遍及由四个侧壁部构成的内周面的整周而设置有向内侧突出的窗部件支持部13。并且,光透射性窗部件31通过该窗部件支持部13被气密地支承,由此形成光透射性窗部件31的气密结构。
被处理物支承台18的被处理物载置面18a被设为平坦面,且具有比布线基板材料1大的纵横尺寸。
该被处理物支承台18配置在框体11的下壁部11B上,并成为与光透射性窗部件31隔开间隔并对置的状态。
并且,被处理物载置面18a上形成有有效处理区域,该有效处理区域为能够通过来自紫外线灯21的紫外线以及活性种(具体而言例如为臭氧以及氧自由基)对布线基板材料1进行处理的区域。配置在该有效处理区域的布线基板材料1的被处理面1a成为与光透射性窗部件31隔开间隔而平行的状态,并且成为经由光透射性窗部件31与多个紫外线灯21对置的状态。
并且,在保持装置上设置有沿上下方向驱动被处理物支承台18的驱动机构。通过该驱动机构使被处理物支承台18上下运动,由此调整布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h。即,在除胶渣处理装置10中,无论布线基板材料1的厚度如何,能够使布线基板材料1和光透射性窗部件31之间的间距h设为预期的大小。
这里,布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h优选为1mm以下,更优选为0.1~0.7mm。
通过间距h为1mm以下,在处理室S能够使活性种稳定地生成,并且,能够使到达被处理面1a的来自紫外线灯21的紫外线为充分大的强度(光量)。
在灯室R中,多个紫外线灯21沿该被处理物载置面18a以一定间隔排列,以使中心轴在于被处理物载置面18a平行的同一水平面内互相平行地延伸。即,多个紫外线灯21沿被处理面1a以一定间隔排列配置。
多个紫外线灯21的配置间隔优选为等间隔。
并且,相互邻接的紫外线灯的间距(以下也称为“灯间距离”)P优选为5~50mm。
在该图的例子中,多个紫外线灯21以等间隔排列配置。
作为紫外线灯21只要是放射波长为220nm以下的真空紫外线的灯,则能够根据布线基板材料1的种类,使用公知的各种灯。具体而言,作为紫外线灯21,能够例示出放射中心波长为172nm的真空紫外线的氙准分子灯等。
在该图的例子中,作为紫外线灯21,可以使用向特定方向(图1的下方)照射光的角型的准分子灯。
作为构成光透射性窗部件31的材料可以使用对于从紫外线灯21放射的紫外线具有透射性且对处理用气体、由紫外线生成的活性种以及通过处理被处理面1a而产生的反应生成气体具有耐性的材料。
作为构成光透射性窗部件31的材料的具体例例如可举出石英玻璃。
并且,光透射性窗部件31的厚度优选为2~10mm。
并且,在除胶渣处理装置10中设置有向处理室S供给处理用气体的气体供给机构。气体供给机构在形成在被处理面1a与光透射性窗部件31之间的大致矩形状的空间(以下也称为“被处理面上空间”)中、朝向多个紫外线灯21排列的方向(图1中的右方向以及图2中的单点划线的箭头方向)供给处理用气体。即,气体供给机构进行气体供给,以使处理用气体至少在被处理面上空间中朝向多个紫外线灯21排列的方向以大致直线状流动。并且,在被处理面上空间中,在一方(图1中的左方)形成上游侧开口,在另一方(图1中的右方)形成下游侧开口。
处理用气体供给机构具备处理用气体供给源(未图示),经由贯通框体11的下壁部11B的气体供给用贯通孔15以及气体排出用贯通孔16,使处理室S流动处理用气体。处理用气体供给源经由气体流路形成部件25与气体供给用贯通孔15连接,通过该气体流路形成部件25形成气体供给用气体流路。并且,气体排出用贯通孔16上连接有气体流路形成部件26,在通过该气体流路形成部件26形成的气体排出用气体流路中,自发地放出在处理室S流动过的气体。
气体供给用贯通孔15在下壁部11B的内表面的侧壁部11C与被处理物支承台18之间,具有沿侧壁部11C的延伸方向(图1中的与纸面垂直的方向)配设的横长(日语:横長)的气体供给口15a。另一方面,气体排出用贯通孔16在下壁部11B的内表面的侧壁部11E与被处理物支承台18之间,具有沿侧壁部11E的延伸方向(图1中的与纸面垂直的方向)配设的横长的气体排出口16a。并且,气体供给口15a与气体排出口16a为了在它们之间的位置配置被处理物支承台18,而被形成在沿面方向(紫外线灯21的排列方向)相互隔开间隔的位置。即,配置在被处理物支承台18上的布线基板材料1位于气体供给口15a与气体排出口16a之间。
这里,气体供给口15a以及气体排出口16a可以分别通过一个横长狭缝形成,并且,也可以由多个孔形成。
在该图的例子中,气体供给口15a以及气体排出口16a由沿被处理物支承台18伸长的横长狭缝构成。
作为处理用气体,使用含有由从紫外线灯21放射的紫外线生成活性种的活性种源的气体。这里,作为活性种源例如可以举出氧气以及臭氧气体。
作为处理用气体的具体例,例如可以举出氧气、以及氧气与臭氧气体的混合气体等。在它们之中,从处理时间的缩短的角度出发,优选的是氧气和臭氧气体的混合气体。并且,处理用气体可以包含水蒸气。
处理用气体的活性种源的浓度为50体积%以上,优选为88体积%以上。
通过使处理用气体中的活性种源的浓度为上述的范围,能够使由来自紫外线灯21的紫外线(真空紫外线)生成的活性种的量增多而可靠地进行预期的处理。特别是,在处理用气体为氧气和臭氧气体的混合气体时,通过氧气的浓度为88体积%以上,即臭氧气体的浓度为12体积%以下,能够获得高安全性。
处理用气体供给机构的处理用气体供给条件被确定为,被处理面上空间即在被处理面1a上流动的处理用气体成为沿被处理面1a被整流的层流状态。即,处理用气体供给条件被确定为在被处理面上空间形成有处理用气体的层流。
具体而言,处理用气体供给条件根据布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h,考虑被处理面1a的大小、紫外线灯21的种类、处理用气体的种类以及组分等而被适当地确定。
这里,布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h为1mm以下的情况下,在被处理面上空间流动的处理用气体的气体流速优选为1~500mm/sec。
这样,当在被处理面上空间中使气体流速为1~500mm/sec时,能够使在被处理面上空间中流动的处理用气体可靠地成为层流状态。
并且,在被处理面上空间中,通过处理用气体的流动,使在位于紫外线灯21的正下方位置的区域(以下也称为“灯正下空间”)所生成的活性种的一部分移动至该灯正下空间的近旁,在该近旁能够有效地用于被处理面1a的处理中。具体而言,在灯正下空间生成的一部分的活性种被移动至与该灯正下空间邻接的、位于相互邻接的紫外线灯21之间的间隙的正下位置的区域(以下也称为“灯间正下空间”)。并且,在该灯间正下空间中,被供给到被处理面1a中的与该灯间正下空间相对的区域的处理。
并且,在除胶渣处理装置10中,优选在被处理面上空间与气体供给口15a之间的位置、具体而言在被处理面上空间的上游侧开口与气体供给口15a之间的位置,设置压力缓和空间A。
这里,所谓压力缓和空间A是指具有蓄积(reservoir)作用的空间,其用于缓和从气体供给口15a导入到处理室S的处理用气体的气体压力,并以一定压力对被处理面上空间供给处理用气体。并且,该压力缓和空间A与被处理面上空间相比,具有处理用气体容易流动的大小。
通过设有压力缓和空间A,即使被处理面上空间的厚度(图1中上下方向的尺寸)小,也能够以一定压力对该被处理面上空间供给处理用气体。因此,能够将被处理面上空间中的处理用气体的气体流速设为预期的范围。
并且,在除胶渣处理装置10中,优选在被处理物支承台18上设置加热布线基板材料1的加热机构(未图示)。
通过设置该加热机构,能够伴随被处理面1a的温度上升促进活性种的作用,因此能够进行高效处理。
并且,在被处理物支承台18中,由于被处理物载置面18a的纵横尺寸比布线基板材料1的纵横尺寸大,因此能够均匀地加热被处理面1a。
基于加热机构的加热条件为,被处理物载置面18a的温度例如为100~150℃的条件。
并且,在除胶渣处理装置10中,优选在灯室R设置例如清除氮气等惰性气体的惰性气体清除机构(省略图示)。
通过设置该惰性气体清除机构,能够以高效从光透射性窗部件31出射来自紫外线灯21的紫外线(真空紫外线)。即,在灯室R中,能够防止来自紫外线灯21的紫外线被构成灯室R的气氛的气体吸收。
在这种结构的除胶渣处理装置10中,经由光透射性窗部件31对配置在处理用气体气氛下的布线基板材料1的被处理面1a照射来自紫外线灯21的紫外线,从而进行布线基板材料1的表面处理。
具体说明的话,从气体供给口15a以预期的气体供给条件对配置有布线基板材料1的处理室S供给处理用气体(具体而言为氧气)。这样,不间断地对处理室S供给处理用气体,由此,处理室S成为处理用气体氛围。并且,通过使在灯室R并排配置的多个紫外线灯21同时点灯,从而来自该多个紫外线灯21的紫外线经由光透射性窗部件31朝向被处理面1a放射。由此,通过到达被处理面1a的紫外线、以及由紫外线生成的活性种(具体而言为臭氧以及氧自由基),进行被处理面1a的处理。并且,在处理室S中,在该处理用气体在处理室S流动的过程,在从气体供给口15a供给的处理用气体中混入了通过处理被处理面1a而产生的反应生成气体(具体而言例如二氧化碳气体)。然后,混入了该反应生成气体的气体被从气体排出口16a排出到处理室S的外部。
在图1中,由箭头表示除胶渣处理装置10内的气体的流动方向。
而且,在除胶渣处理装置10中,在被处理面上空间中,处理用气体沿多个紫外线灯21排列的方向流动,并形成该处理用气体的层流。因此,在被处理面上空间中,处理用气体的气体流速分布能够获得高均匀性。并且,由紫外线生成的活性种通过处理用气体的流动而朝向处理用气体的流动方向下游侧、即与紫外线灯21的管轴垂直的一方向移动。结果,即使因灯间距离P大,在被处理面1a,来自紫外线灯21的紫外线的照度分布产生了不均匀,也能抑制与紫外线照度大的灯正下空间相对的区域的处理效率、和与紫外线照度小的灯间正下空间相对的区域的处理効率之间产生差。即,能够高效且短时间处理被处理面1a。
具体说明的话,在除胶渣处理装置10中,在由于灯间距离P大而在被处理面1a产生了紫外线的照度分布不均的情况下,当然在被处理面1a,到达与灯间正下空间相对的区域的紫外线的照射量小于到达与灯正下空间相对的区域的紫外线的照射量。并且,在被处理面上空间中,在灯间正下空间生成的活性种的生成量比在灯正下空间生成的活性种的生成量小。然而,在被处理面上空间中,通过具有高气体流速分布均匀性的处理用气体的流动,能够使在灯正下空间生成的活性种的一部分移动到位于该灯正下空间的处理用气体的流动方向下游侧位置的灯间正下空间。因此,能够抑制在灯正下空间与灯间正下空间产生活性种的浓度差,因此,能够实现被处理面上空间的活性种的浓度均匀化。其结果,由于能够抑制在被处理面1a上供给到与灯间正下空间相对的区域的处理中的活性种的量小于供给到与灯正下空间相对的区域的处理中的活性种的量的情况,因此能够抑制在与灯间正下空间相对的区域的处理中需要长时间的情况。
因此,根据除胶渣处理装置10,在多个紫外线灯21的灯间距离P大时,即使到达被处理面1a中的与灯间正下区域相对的区域的紫外线的照射量变小,也能够抑制因灯间距离P大而供给到该区域的活性种的量变小。其结果,能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料1。
并且,在除胶渣处理装置10中,将布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h设为1mm以下,并且将被处理面上空间的气体流速设为1~500mm/sec,由此在该被处理面上空间中形成处理用气体的层流。由此,能够以更高的处理效率均匀地处理布线基板材料1。
具体说明的话,布线基板材料1与光透射性窗部件31之间的间距h为1mm以下、比较小,因此,到达被处理面1a的紫外线成为充分大的強度(光量),并在被处理面上空间中稳定地生成活性种。
并且,由于被处理面上空间的气体流速为1~500mm/sec、比较小,因此,在该被处理面上空间中,在处理用气体的流动方向上游侧(图1的左侧)所生成的活性种不会向下游侧(图1中的右侧)较大移动。因此,在被处理面1a,能够充分抑制位于处理用气体的流动方向上游侧位置的部分与位于下游侧的部分相比处理不充分。而且,使在灯正下空间生成的活性种的一部分向与该灯正下空间邻接的灯间正下空间移动,从而能够有效地利用到被处理面1a中的与该灯间正下空间相对的区域的处理中。
本发明的光源装置以及除胶渣处理装置并不限定于上述实施方式,能够加入各种变更。
例如,除胶渣处理装置可以不为图1所示那样被处理物支承台向上下方向运动。
并且,除胶渣处理装置并不限于图1所示那样使布线基板材料水平(横向)地进行搬送的结构,也可以为使布线基板材料垂直(纵向)地进行搬送的结构。
并且,除胶渣处理装置并不限于如图1所示那样对布线基板材料的一面照射紫外线的结构,也可以为对布线基板材料的两面照射紫外线的结构。
并且,处理用气体供给机构只要是在被处理面上空间中,以处理用气体沿多个紫外线灯排列的方向流动并形成该处理用气体的层流的方式,供给处理用气体即可。具体而言,在例如图1所涉及的除胶渣处理装置中,可以为将气体供给口以及气体排出口设置于相互对置的侧壁部上的结构。
实施例
以下,对本发明的具体的实施例进行说明,但是本发明并不限于这些实施例。
〔实施例1〕
按照图1的结构,制作出具备5个紫外线灯(21)的除胶渣处理装置(以下,也称为“除胶渣处理装置(A1)”)。在该除胶渣处理装置(A1)中,处理用气体沿多个紫外线灯(21)排列的方向、即与紫外线灯(21)的管轴方向垂直的方向(以下也称为“灯垂直方向”)流动。
并且,在除胶渣处理装置(A1)中,作为紫外线灯(21)使用了灯宽为70mm、放射中心波长为172nm的真空紫外线的氙准分子灯。而且,以灯间距(P)为14mm的的方式等间隔配置5个紫外线灯(21)。并且,作为处理用气体使用了氧气。而且,以使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的气体流速为5mm/sec的方式供给了处理用气体。
首先,在制做出的除胶渣处理装置(A1)的处理室(S)中,以与光透射性窗部件(31)的间距(h)为0.5mm的方式,配置了纵横尺寸为600mm×500mm且层叠绝缘层与导电层而成的矩形板状的布线基板材料(1)。之后,从气体供给口(15a)对处理室(S)供给氧气。然后,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间形成了处理用气体的层流。
接着,在处理室(S)成为氧气气氛后,继续从气体供给口(15a)供给氧气,并同时点灯5个紫外线灯(21),由此对布线基板材料(1)进行除胶渣处理。
在该除胶渣处理中,测量了光透射性窗部件(31)的光出射面(图1中的下面)中的、位于紫外线灯(21)的正下的区域的照度(以下也称为“灯正下照度”)以及位于相互邻接的紫外线灯(21)之间的间隙(以下也称为“灯间隙”)的正下的区域的照度(以下也称为“灯间正下照度”)。并且,测量了处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的区域所需的时间。将结果表示在表1中。
〔比较例1〕
制作出除了处理用气体沿与多个紫外线灯(21)排列的方向垂直的方向、即紫外线灯(21)的管轴方向(以下也称为“灯平行方向”)流动以外与除胶渣处理装置(A1)具有同样结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B1)”)。
通过制作出的比较用除胶渣处理装置(B1),通过与实施例1相同的条件进行了除胶渣处理。并且,测量了光透射性窗部件(31)的光出射面的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。将结果表示在表1中。
〔实施例2〕
制作出除了按照表1变更了灯间距(P)以外与除胶渣处理装置(A1)具有同样结构的除胶渣处理装置(以下也称为“除胶渣处理装置(A2)”)。
利用制作出的除胶渣处理装置(A2),通过与实施例1同样的条件进行了除胶渣处理。在该除胶渣处理中,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间形成有处理用气体的层流。然后,测量了光透射性窗部件(31)的光出射面的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。将结果表示在表1中。
〔比较例2〕
制作出除了处理用气体沿灯平行方向流动以外与除胶渣处理装置(A2)具有相同结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B2)”)。
利用制作出的比较用除胶渣处理装置(B2),通过与实施例2同样的条件进行了除胶渣处理。并且,测量了光透射性窗部件(31)的光出射面的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。将结果表示在表1中。
根据表1的结果,显而易见,根据实施例1以及实施例2所涉及的除胶渣处理装置,能够缩短被处理面中的与灯间正下空间相对的区域的处理所需的时间。并且显而易见,实施例2所涉及的除胶渣处理装置相比实施例1所涉及的除胶渣处理装置,灯间距(P)大,但是与灯间正下空间相对的区域的处理所需的时间与实施例1所涉及的除胶渣处理装置大致相同。
另一方面,在比较例1以及比较例2所涉及的除胶渣处理装置中,为了处理被处理面中的与灯间正下空间相对的区域,需要较长的时间。并且,比较例2所涉及的除胶渣处理装置相比比较例1所涉及的除胶渣处理装置灯间距(P)大,因此相比比较例1所涉及的除胶渣处理装置,与灯间正下空间相对的区域的处理所需的时间变得相当长。
因此可确认,根据本发明的除胶渣处理装置,能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料。
〔实施例3〕
制作出除了使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的处理用气体的气体流速为表2所示的气体流速以外与除胶渣处理装置(A1)具有同样结构的除胶渣处理装置(以下也称为“除胶渣处理装置(A3)”)。
首先,在制作出的除胶渣处理装置(A3)的处理室(S)中,以与光透射性窗部件(31)之间的间距(h)为0.5mm的方式配置纵横尺寸为600mm×500mm且层叠绝缘层和导电层而成的板状的布线基板材料(1)。之后,从气体供给口(15a)对处理室(S)供给氧气。然后,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间形成处理用气体的层流。
接着,在处理室(S)成为氧气气氛后,继续从气体供给口(15a)供给氧气,并同时点亮5个紫外线灯(21),由此对布线基板材料(1)进行除胶渣处理。
在该除胶渣处理中测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。将结果表示在表2中。
〔比较例3〕
制作出除了处理用气体沿灯平行方向流动以外与除胶渣处理装置(A3)具有同样结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B3)”)。
利用制作出的比较用除胶渣处理装置(B3),通过与实施例3相同的条件进行了除胶渣处理。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。并将结果表示在表2中。
〔实施例4〕
制作出除了使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的气体流速为表2所示的气体流速以外与除胶渣处理装置(A3)具有同样结构的除胶渣处理装置(以下也称为“除胶渣处理装置(A4)”)。
利用制作出的除胶渣处理装置(A4),通过与实施例3同样的条件进行了除胶渣处理。在该除胶渣处理中,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间形成了处理用气体的层流。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。并将结果表示在表2中。
〔比较例4〕
制作出除了处理用气体在灯平行方向流动以外与除胶渣处理装置(A4)具有同样结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B4)”)。
利用制作出的比较用除胶渣处理装置(B4),通过与实施例4同样的条件进行了除胶渣处理。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。并将结果表示在表2中。
〔实施例5〕
制作出除了使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的气体流速为表2所示的气体流速以外与除胶渣处理装置(A3)具有同样结构的除胶渣处理装置(以下也称为“除胶渣处理装置(A5)”)。
利用制作出的除胶渣处理装置(A5),通过与实施例3同样的条件进行了除胶渣处理。在该除胶渣处理中,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间中形成了处理用气体的层流。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需要的时间。并将结果表示在表2中。
〔比较例5〕
制作出除了处理用气体沿灯平行方向流动以外与除胶渣处理装置(A5)具有同样结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B5)”)。
利用制作出的比较用除胶渣处理装置(B5),通过与实施例5同样的条件进行了除胶渣处理。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。并将结果表示在表2中。
〔参考例1〕
制作出除了使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的气体流速为表2所示的气体流速以外与除胶渣处理装置(A3)具有同样结构的参考用的除胶渣处理装置(以下也称为“参考用除胶渣处理装置(A6))。
利用制作出的参考用除胶渣处理装置(A6),通过与实施例3同样的条件进行了除胶渣处理。在该除胶渣处理中,在布线基板材料(1)与光透射性窗部件(31)之间的空间形成处理用气体的紊流。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需的时间。并将结果表示在表2中。
〔比较例6〕
制作出除了处理用气体沿灯平行方向流动以外与参考用除胶渣处理装置(A6)具有同样结构的比较用的除胶渣处理装置(以下也称为“比较用除胶渣处理装置(B6)”)。
利用制作出的比较用除胶渣处理装置(B6),通过与参考例1同样的条件进行了除胶渣处理。然后测量了光透射性窗部件(31)的光出射面中的灯正下照度以及灯间正下照度。并且,测量了用于处理布线基板材料(1)的被处理面(1a)中的位于灯间隙的正下的位置的区域所需要的时间。并将结果表示在表2中。
表2
根据表2的结果,显而易见,根据实施例3~实施例5所涉及的除胶渣处理装置,能够缩短被处理面中的与灯间正下空间相对的区域的处理所需的时间。
另一方面,在比较例3~比较例5所涉及的除胶渣处理装置中,为了处理被处理面中的与灯间正下空间相对的区域,需要较长的时间。
并且,对于参考例1所涉及的除胶渣处理装置而言,被处理面中的与灯间正下空间相对的区域的处理所需的时间与比较例6所涉及的除胶渣处理装置几乎没有差别、并且与处理用气体的气体流速为1/2倍的实施例5所涉及的除胶渣处理装置同等。这里,在参考例1所涉及的除胶渣处理装置中,处理所需的时间与比较例6所涉及的除胶渣处理装置几乎没有差别的理由是因为,通过处理用气体的紊流,活性种被分散,由此缓和了在被处理面上因产生照度分布不均而引起的处理効率之差。即,是因为在参考例1所涉及的除胶渣处理装置中不能通过处理用气体的流动方向控制活性种的变化(移动)。
因此可确认,根据本发明的除胶渣处理装置,能够以高处理效率均匀地处理布线基板材料。
〔比较例7~11〕
使用在实施例1~实施例5中制作出的除胶渣处理装置(A1)~除胶渣处理装置(A5)的每一个,在除胶渣处理中,通过除了使光透射性窗部件(31)与布线基板材料(1)之间的空间的处理用气体的气体流速为0mm/sec(具体而言,没有从气体供给口(15a)供给氧气)以外与各实施例同样的条件进行了除胶渣处理。其结果,不管在哪个除胶渣处理装置中,均不能完成除胶渣处理。其理由是因为没有供给用于完成除胶渣处理所需的氧气。
标号说明
1 布线基板材料
1a 被处理面
10 除胶渣处理装置
11 框体
11A 上壁部
11B 下壁部
11C,11E 侧壁部
13 窗部件支持部
15 气体供给用贯通孔
15a 气体供给口
16 气体排出用贯通孔
16a 气体排出口
18 被处理物支承台
18a 被处理物载置面
21 紫外线灯
25,26 气体流路形成部件
31 光透射性窗部件
A 压力缓和空间
R 灯室
S 处理室

Claims (2)

1.一种除胶渣处理装置,具备:
多个紫外线灯,对层叠绝缘层和导电层而成的板状的布线基板材料的被处理面照射紫外线,上述多个紫外线灯沿该被处理面排列配置;
板状的光透射性窗部件,在上述布线基板材料和上述多个紫外线灯之间与该布线基板材料平行地配置,上述板状的光透射性窗部件透射来自该紫外线灯的紫外线;以及
处理用气体供给机构,从气体供给口对形成在上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的空间供给包含用于生成活性种的活性种源在内的处理用气体,并将在该空间流动过的气体从气体排出口排出,
该除胶渣处理装置的特征在于,
上述布线基板材料被配置在上述处理用气体供给机构的气体供给口与气体排出口之间的位置,
在形成于上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的空间中,处理用气体沿上述多个紫外线灯排列的方向流动,并形成该处理用气体的层流,
上述布线基板材料与上述光透射性窗部件之间的间距为1mm以下,在该布线基板材料与该光透射性窗部件之间所形成的空间中流动的处理用气体的气体流速为1~500mm/sec。
2.如权利要求1所述的除胶渣处理装置,其特征在于,
在上述布线基板材料和上述光透射性窗部件之间形成的空间、与上述气体供给口之间的位置,设置有压力缓和空间。
CN201580003124.8A 2014-01-20 2015-01-19 除胶渣处理装置 Active CN105874892B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014007591 2014-01-20
JP2014-007591 2014-01-20
PCT/JP2015/051236 WO2015108184A1 (ja) 2014-01-20 2015-01-19 デスミア処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105874892A CN105874892A (zh) 2016-08-17
CN105874892B true CN105874892B (zh) 2018-11-13

Family

ID=53543066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580003124.8A Active CN105874892B (zh) 2014-01-20 2015-01-19 除胶渣处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160330846A1 (zh)
JP (1) JP6135764B2 (zh)
KR (1) KR20160089463A (zh)
CN (1) CN105874892B (zh)
TW (1) TWI595818B (zh)
WO (1) WO2015108184A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6597323B2 (ja) * 2016-01-08 2019-10-30 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置および紫外線処理方法
CN107949170B (zh) * 2017-11-15 2019-11-05 重庆市志益鑫电子科技有限公司 线路板制作装置
JP6702490B2 (ja) * 2019-08-21 2020-06-03 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1951544A (zh) * 2005-10-21 2007-04-25 福建新大陆环保科技有限公司 一种光化学降解有机物气体的方法和装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1203089B (it) * 1976-03-03 1989-02-15 Int Plasma Corp Procedimento ed apparecchiatura per eseguire reazioni chimiche nella regione della scarica luminescente di un plasma
JPS6320833A (ja) * 1986-07-14 1988-01-28 Toshiba Corp アツシング装置
JP2928550B2 (ja) * 1989-08-28 1999-08-03 株式会社東芝 レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法
JPH04230018A (ja) * 1990-12-27 1992-08-19 Orc Mfg Co Ltd ホトレジストの光灰化装置
JPH05109674A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Ushio Inc レジスト膜の灰化方法と灰化装置
JP2978620B2 (ja) * 1992-01-20 1999-11-15 ウシオ電機株式会社 レジスト膜のアッシング装置
JPH05198499A (ja) * 1992-01-20 1993-08-06 Ushio Inc レジスト膜のアッシング装置
AU7682594A (en) * 1993-09-08 1995-03-27 Uvtech Systems, Inc. Surface processing
JP3025414B2 (ja) * 1994-09-20 2000-03-27 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ装置
JPH08180757A (ja) 1994-12-21 1996-07-12 Nitto Denko Corp 接点部の形成方法
JPH09275085A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法ならびに洗浄装置および半導体基板製造用成膜方法および成膜装置
US6015759A (en) * 1997-12-08 2000-01-18 Quester Technology, Inc. Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation
JP3653980B2 (ja) * 1998-04-09 2005-06-02 ウシオ電機株式会社 紫外線照射装置
JP2000349414A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント基板の加工方法およびその装置
JP3506055B2 (ja) * 1999-07-28 2004-03-15 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ、およびその光照射装置
JP3992894B2 (ja) * 2000-01-13 2007-10-17 アルプス電気株式会社 洗浄装置
JP2002016033A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd 基板ドライ洗浄装置及び基板ドライ洗浄方法
JP3964131B2 (ja) * 2000-12-18 2007-08-22 シャープ株式会社 ドライ洗浄装置
JP2002344144A (ja) * 2001-03-14 2002-11-29 Toppan Printing Co Ltd 多層配線板の製造方法および多層配線板および表面保護用フィルム
JP2003159571A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Ushio Inc 紫外線照射装置
JP2003338683A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2004152842A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Ushio Inc 紫外光照射による処理方法および紫外光照射装置
JP2004327943A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Sharp Corp レジスト処理装置および処理方法
IL183693A0 (en) * 2007-06-05 2007-09-20 Nova Measuring Instr Ltd Optical method and system
JP5303364B2 (ja) * 2009-05-28 2013-10-02 日東電工株式会社 両面配線回路基板およびその製造方法
WO2011007663A1 (ja) * 2009-07-17 2011-01-20 ウシオ電機株式会社 照射装置
TWI564338B (zh) * 2010-03-08 2017-01-01 Ajinomoto Kk Resin composition
WO2014164206A1 (en) * 2013-03-09 2014-10-09 John Moore Aqueous detergent soluble coating and adhesive and methods of temporary bonding for manufacturing
JP5861696B2 (ja) * 2013-03-28 2016-02-16 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP2015041728A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 ウシオ電機株式会社 デスミア処理方法およびデスミア処理装置
JP2015085267A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置
JP2015090948A (ja) * 2013-11-07 2015-05-11 ウシオ電機株式会社 配線基板材料の製造方法および配線基板材料の製造装置
JP5874720B2 (ja) * 2013-12-20 2016-03-02 ウシオ電機株式会社 配線基板材料のデスミア処理方法、配線基板材料の製造方法および複合絶縁層形成材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1951544A (zh) * 2005-10-21 2007-04-25 福建新大陆环保科技有限公司 一种光化学降解有机物气体的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105874892A (zh) 2016-08-17
TW201628475A (zh) 2016-08-01
JP6135764B2 (ja) 2017-05-31
US20160330846A1 (en) 2016-11-10
KR20160089463A (ko) 2016-07-27
TWI595818B (zh) 2017-08-11
WO2015108184A1 (ja) 2015-07-23
JPWO2015108184A1 (ja) 2017-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105874892B (zh) 除胶渣处理装置
CN105493235B (zh) 光照射装置
KR101689987B1 (ko) 광조사 장치
JP5601312B2 (ja) 光照射装置
KR20110088364A (ko) 광 처리 장치 및 광 처리 방법
TWI596231B (zh) Equipment for plasma treatment with process gas circulation in a variety of plasma
US20170263420A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
TWI620479B (zh) Desmear treatment device and desmear treatment method
KR102036236B1 (ko) 광처리 장치 및 광처리 방법
KR20200119139A (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 인라인 기판처리시스템
JP4832046B2 (ja) 連続熱cvd装置
JP2015111611A (ja) アッシング方法およびアッシング装置
JP2008241076A (ja) 加熱方法及び間欠送り式トンネル炉、バッチ炉
CN210098143U (zh) 一种uv固化设备
TW202033820A (zh) 成膜裝置
KR100408604B1 (ko) 대기압 플라즈마를 이용한 정밀세정과 표면개질방법 및 그장치
JP2015103545A (ja) 光源装置およびデスミア処理装置
JP2016165014A (ja) デスミア処理装置およびデスミア処理方法
JP6123649B2 (ja) アッシング装置および被処理物保持構造体
JP2015122403A (ja) デスミア処理方法およびデスミア処理装置
JPS58220423A (ja) 半導体基板の連続熱処理方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant