JPH0426121A - 基板表面の洗浄装置 - Google Patents
基板表面の洗浄装置Info
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- JPH0426121A JPH0426121A JP13024690A JP13024690A JPH0426121A JP H0426121 A JPH0426121 A JP H0426121A JP 13024690 A JP13024690 A JP 13024690A JP 13024690 A JP13024690 A JP 13024690A JP H0426121 A JPH0426121 A JP H0426121A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超微細な氷粒子を基板表面に噴射して基板
の表面の洗浄を行う基板表面の洗浄装置に関するもので
ある。
の表面の洗浄を行う基板表面の洗浄装置に関するもので
ある。
第２図は従来の基板表面の洗浄装置の一例を示す模式図
であり、図において、（１）は微細凍結粒子を生成する
ための製氷ホッパー、（２〉は液体窒素等の冷媒体、（
３）は先端が製氷ホッパー＜１）内に臨んでおり純水を
微噴霧するノズル、（４）は生成された微細凍結粒子、
（５）は被洗浄体である半導体等の基板、（６）は基板
（５）の洗浄を行う洗浄槽、（７）は基板（５）を固定
する支持部、（８）は微細凍結粒子＜４）を基板（５）
に向けて噴射する噴射ノズル、（９）は洗浄槽（６）内
の排気を行う排気ブロワ−１（１０）は基板（５）に向
けて純水を噴射するリンスノズルである。
であり、図において、（１）は微細凍結粒子を生成する
ための製氷ホッパー、（２〉は液体窒素等の冷媒体、（
３）は先端が製氷ホッパー＜１）内に臨んでおり純水を
微噴霧するノズル、（４）は生成された微細凍結粒子、
（５）は被洗浄体である半導体等の基板、（６）は基板
（５）の洗浄を行う洗浄槽、（７）は基板（５）を固定
する支持部、（８）は微細凍結粒子＜４）を基板（５）
に向けて噴射する噴射ノズル、（９）は洗浄槽（６）内
の排気を行う排気ブロワ−１（１０）は基板（５）に向
けて純水を噴射するリンスノズルである。
次に、動作について説明する。第２図において製氷ホッ
パー（１）内に液体窒素等の冷媒体（２）を注入し、ス
プレーノズル（３）により超純水等の被凍結液体をｍ噴
霧して微細凍結粒子（４）を得る。
パー（１）内に液体窒素等の冷媒体（２）を注入し、ス
プレーノズル（３）により超純水等の被凍結液体をｍ噴
霧して微細凍結粒子（４）を得る。
洗浄槽（６）内に設置されている噴射ノズル（８）は、
気体の噴流によるエジェクタ一方式によって製氷ホッパ
ー（１）内の微細凍結粒子（４）を引き込み、キャリヤ
ガスとともに基板（５）に向けて噴射する。
気体の噴流によるエジェクタ一方式によって製氷ホッパ
ー（１）内の微細凍結粒子（４）を引き込み、キャリヤ
ガスとともに基板（５）に向けて噴射する。
基板（５）の表面上の汚染物は噴射された微細凍結粒子
（４）の衝突によって除去される。
（４）の衝突によって除去される。
ところで、洗浄槽（６）内は排気ブロワ−（９）によっ
て排気されており、除去された汚染物は洗浄槽（６）の
外へ排出されるが、噴射ノズル（８）から。
て排気されており、除去された汚染物は洗浄槽（６）の
外へ排出されるが、噴射ノズル（８）から。
噴射されるキャリヤガスによって、洗浄槽（６）内の気
流が乱れることにより、−度基板（５）から除去された
汚染物が再度基板（５）に付着することがある。これを
防ぐために洗浄槽（６）内に設けられたリンスノズル（
１０）により純水を基板（５）に噴き付け、純水の流れ
によって汚染物を基板（５）の表面から洗い流している
。洗浄の際、微細凍結粒子（４）の衝突による基板（５
）へのダメージは、噴射ノズル（８）に送るキャリヤガ
スの圧力調節（例えば２ Ｋｇ／ ｃｍ”−４Ｋｇ／
ｃｍ’ ）による微細凍結粒子（４）の噴射速度変化に
よって制御される。
流が乱れることにより、−度基板（５）から除去された
汚染物が再度基板（５）に付着することがある。これを
防ぐために洗浄槽（６）内に設けられたリンスノズル（
１０）により純水を基板（５）に噴き付け、純水の流れ
によって汚染物を基板（５）の表面から洗い流している
。洗浄の際、微細凍結粒子（４）の衝突による基板（５
）へのダメージは、噴射ノズル（８）に送るキャリヤガ
スの圧力調節（例えば２ Ｋｇ／ ｃｍ”−４Ｋｇ／
ｃｍ’ ）による微細凍結粒子（４）の噴射速度変化に
よって制御される。
従来の基板表面の洗浄装置は以上のように構成されてい
るので、洗浄時、汚染物が基板（５）の表面へ再付着し
ないように、純水噴き付けによるリンスを行っているが
、基板（５）の表面全域に噴射するのが困難で、十分な
汚染物の再付着防止を行うことができないという問題点
があった。また、基板（５）へのダメージ制御という点
で、制御範囲が狭く基板（５）に対してダメージを与え
てしまうという問題点もあった。
るので、洗浄時、汚染物が基板（５）の表面へ再付着し
ないように、純水噴き付けによるリンスを行っているが
、基板（５）の表面全域に噴射するのが困難で、十分な
汚染物の再付着防止を行うことができないという問題点
があった。また、基板（５）へのダメージ制御という点
で、制御範囲が狭く基板（５）に対してダメージを与え
てしまうという問題点もあった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、微細凍結粒子の噴射によって除去された汚
染物を基板表面に再付着させることがなく、また基板に
対してダメージを与えない基板表面の洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
れたもので、微細凍結粒子の噴射によって除去された汚
染物を基板表面に再付着させることがなく、また基板に
対してダメージを与えない基板表面の洗浄装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る基板表面の洗浄装置は、純水の入った洗
浄槽内に基板を純水中に浸漬して設けたものである。
浄槽内に基板を純水中に浸漬して設けたものである。
この発明における基板表面の洗浄装置は、純水中に浸漬
された基板の表面に向けて氷粒子を噴射する。
された基板の表面に向けて氷粒子を噴射する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）、 （２）、 （３）、 （４）、
（５）。
図において、（１）、 （２）、 （３）、 （４）、
（５）。
（８）は従来の基板表面の洗浄装置と同一のものである
５ （１０）は基板（５）の洗浄を行う洗浄槽、（１１）は
基板（５）を水平に支持するとともに水面との距離を調
節する支持部、（１２）は純水に超音波振動を与える振
動器、（１３）は洗浄槽（１０）内の純水を循環する配
管、（１４）は純水を循環させる循環用ポンプ、（１５
）は配管（１３）に取り付けられ純水中のパーティクル
を除去するフィルターである。
５ （１０）は基板（５）の洗浄を行う洗浄槽、（１１）は
基板（５）を水平に支持するとともに水面との距離を調
節する支持部、（１２）は純水に超音波振動を与える振
動器、（１３）は洗浄槽（１０）内の純水を循環する配
管、（１４）は純水を循環させる循環用ポンプ、（１５
）は配管（１３）に取り付けられ純水中のパーティクル
を除去するフィルターである。
次に、動作について説明する。Ｖ＆細凍結粒子（４）を
生成し、噴射ノズル（８）によって噴射するまでは従来
技術と同様である。洗浄槽（１０）の中には超純水（例
えば比抵抗１８８Ω ｃｐｓ以上）が満たされている。
生成し、噴射ノズル（８）によって噴射するまでは従来
技術と同様である。洗浄槽（１０）の中には超純水（例
えば比抵抗１８８Ω ｃｐｓ以上）が満たされている。
この超純水は、循環用ボンフ責１４）により配管（１３
）を通りフィルター（１５）によってｉ濾過されて循環
している。微細凍結粒子（４）は噴射によって純水中を
突き抜けて、基板（５）へ衝突する。基板（５）の表面
上の汚染物はこれにＪ：り除去され、また、洗浄槽（１
０）内の純水の流れにより、洗浄槽（１０）外へ流し出
される。また、純水の循環途中、純水はフィルター（１
５）によってｉ濾過され、パーティクル等の汚染物のな
い純水が洗浄槽（１０）へ入り込まれる。
）を通りフィルター（１５）によってｉ濾過されて循環
している。微細凍結粒子（４）は噴射によって純水中を
突き抜けて、基板（５）へ衝突する。基板（５）の表面
上の汚染物はこれにＪ：り除去され、また、洗浄槽（１
０）内の純水の流れにより、洗浄槽（１０）外へ流し出
される。また、純水の循環途中、純水はフィルター（１
５）によってｉ濾過され、パーティクル等の汚染物のな
い純水が洗浄槽（１０）へ入り込まれる。
一方、振動器（１２）は超音波振動（例えばＩＭＨｚ）
を純水に与え、これにより基板（５）上の汚染物除去の
効率を高めている。また、ｍ細凍結粒子（４）が基板（
５）に衝突することによる基板（５）へのダメージは、
支持部（１）による水面と基板（５）との距離の調節に
よって変えることができ、例えば水面と基板（５） と
の距離を大きくとれば、ダメージが小さく調節すること
ができる。
を純水に与え、これにより基板（５）上の汚染物除去の
効率を高めている。また、ｍ細凍結粒子（４）が基板（
５）に衝突することによる基板（５）へのダメージは、
支持部（１）による水面と基板（５）との距離の調節に
よって変えることができ、例えば水面と基板（５） と
の距離を大きくとれば、ダメージが小さく調節すること
ができる。
なお、」１記実施例では循環用ポンプ（１４）により、
洗浄槽（１０）内の純水は循環しているが、純水を回収
しないワンパス方式であってもよい。このときはフィル
ター（１５）は必要としない。
洗浄槽（１０）内の純水は循環しているが、純水を回収
しないワンパス方式であってもよい。このときはフィル
ター（１５）は必要としない。
以上説明したように、この発明の基板表面の洗浄装置に
よれば、純水中に基板を浸漬しこの基板の表面に向かっ
て微細凍結粒子を噴射するようになっているので、基板
洗浄効果を高める効果があるとともに基板へのダメージ
の制御を容易にできるという効果もある。
よれば、純水中に基板を浸漬しこの基板の表面に向かっ
て微細凍結粒子を噴射するようになっているので、基板
洗浄効果を高める効果があるとともに基板へのダメージ
の制御を容易にできるという効果もある。
第１図はこの発明の一実施例による基板表面の洗浄装置
を示す模式図。第２図は従来の基板表面の洗浄装置の一
例を示す模式図である。 図において、（１）は製氷ポツパー、（２）は冷媒体、
（３）はスプレーノズル、（４）は微細凍結粒子、（５
）は基板、（１０）は洗浄槽、（１１）は支持部、（１
２）は超音波振動器である。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
を示す模式図。第２図は従来の基板表面の洗浄装置の一
例を示す模式図である。 図において、（１）は製氷ポツパー、（２）は冷媒体、
（３）はスプレーノズル、（４）は微細凍結粒子、（５
）は基板、（１０）は洗浄槽、（１１）は支持部、（１
２）は超音波振動器である。 なお、各図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
Claims (1)
- 純水から製氷した超微細な氷粒子を基板の表面に噴射
して基板の表面を洗浄する基板表面の洗浄装置において
、純水の入った洗浄槽内に前記基板を前記純水中に浸漬
して設け、前記氷粒子を前記基板の表面に向けて噴射す
るようになっていることを特徴とする基板表面の洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130246A JP2957229B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板表面の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2130246A JP2957229B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板表面の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426121A true JPH0426121A (ja) | 1992-01-29 |
| JP2957229B2 JP2957229B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=15029638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2130246A Expired - Lifetime JP2957229B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 基板表面の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2957229B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2130246A patent/JP2957229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000061306A1 (de) * | 1999-04-12 | 2000-10-19 | Steag Microtech Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2957229B2 (ja) | 1999-10-04 |
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