JPS62119543A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62119543A JPS62119543A JP60258492A JP25849285A JPS62119543A JP S62119543 A JPS62119543 A JP S62119543A JP 60258492 A JP60258492 A JP 60258492A JP 25849285 A JP25849285 A JP 25849285A JP S62119543 A JPS62119543 A JP S62119543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- foam
- bubble generating
- cleaning
- detergent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置において光転写に使用する
フォトマスクの洗浄装置に関するものである。
フォトマスクの洗浄装置に関するものである。
第２図は従来の半導体製造装置におけるフォトマスクの
洗浄装置の一例を示す正面断面図および側面断面図であ
り、（１）は洗浄されるフォトマスク、（２）はこのフ
ォトマスク（１）の両側に設けられた一対の洗浄ブラシ
で、図示のない駆動機構によって回転し、例えば洗浄槽
内の有機溶剤などに浸漬されたフォトマスク（１）面に
摺接しながら、付着している異物を除去するようになっ
ている。（３）はフォトマスク（１）を保持して上下に
移動するマスク保持具である。
洗浄装置の一例を示す正面断面図および側面断面図であ
り、（１）は洗浄されるフォトマスク、（２）はこのフ
ォトマスク（１）の両側に設けられた一対の洗浄ブラシ
で、図示のない駆動機構によって回転し、例えば洗浄槽
内の有機溶剤などに浸漬されたフォトマスク（１）面に
摺接しながら、付着している異物を除去するようになっ
ている。（３）はフォトマスク（１）を保持して上下に
移動するマスク保持具である。
上記のような構成の従来のフォトマスク洗浄装置におい
て、例えば有機溶剤が満たされた洗浄槽内で回転する一
対の洗浄ブラシ（２）間を、上下に駆動するマスク保持
具（３）によって把持されたフォトマスク（１）を移動
させ、フォトマスク（１）面に対する洗浄ブラシ（２）
の所定の押圧力によって摺接させながらフォトマスク（
１）面に付着している異物を除去し、リンスおよび乾燥
工程を経て洗浄操作が終了する。
て、例えば有機溶剤が満たされた洗浄槽内で回転する一
対の洗浄ブラシ（２）間を、上下に駆動するマスク保持
具（３）によって把持されたフォトマスク（１）を移動
させ、フォトマスク（１）面に対する洗浄ブラシ（２）
の所定の押圧力によって摺接させながらフォトマスク（
１）面に付着している異物を除去し、リンスおよび乾燥
工程を経て洗浄操作が終了する。
上記のような従来のフォトマスク洗浄装置では、回転す
る洗浄ブラシ（２）のフォトマスク（１）面に対する摺
接によって付着した異物の除去を行うので、ブラシの素
線径および植設密度により微細な異物の除去率、特に１
０ヒ以下の異物の除去率が良くないので、所定通りの除
去率の洗浄結果を得るためＫは、乾燥工程後に行う除去
率の検査による判定に応じて同一フォトマスクの洗浄操
作を数回も反覆して行なわなければならないような問題
があった。
る洗浄ブラシ（２）のフォトマスク（１）面に対する摺
接によって付着した異物の除去を行うので、ブラシの素
線径および植設密度により微細な異物の除去率、特に１
０ヒ以下の異物の除去率が良くないので、所定通りの除
去率の洗浄結果を得るためＫは、乾燥工程後に行う除去
率の検査による判定に応じて同一フォトマスクの洗浄操
作を数回も反覆して行なわなければならないような問題
があった。
この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
で、１回の洗浄操作によってフォトマスクに付着した微
細な異物を所定通りの除去率で洗浄できるフォトマスク
洗浄装置を得ることを目的とする。
で、１回の洗浄操作によってフォトマスクに付着した微
細な異物を所定通りの除去率で洗浄できるフォトマスク
洗浄装置を得ることを目的とする。
この発明に係るフォトマスク洗浄装置は、有機溶剤ある
いは純水などの洗浄液が満たされた洗浄槽内に、相対向
する一対の気泡発生部を設け、この気泡発生部の間をマ
スク保持具によって把持されたフォトマスクを上下ＫＭ
動させるか、あるいはフォトマスクを固定して気泡発生
部を上下に移動し、気泡発生部よりの気泡をフォトマス
ク面に噴射させることによってフォトマスク面の付着物
を除去するものである。
いは純水などの洗浄液が満たされた洗浄槽内に、相対向
する一対の気泡発生部を設け、この気泡発生部の間をマ
スク保持具によって把持されたフォトマスクを上下ＫＭ
動させるか、あるいはフォトマスクを固定して気泡発生
部を上下に移動し、気泡発生部よりの気泡をフォトマス
ク面に噴射させることによってフォトマスク面の付着物
を除去するものである。
この発明におけるフォトマスク面の付着物ノ除去手段は
、気泡発生部へ圧送される空気圧によって気泡発生部壁
面に穿設された細孔より噴出する気泡群がフォトマスク
面に衝突するエネルギと、この衝突時の気泡群の破烈力
とによってフォトマスク面に付着している微細な異物を
も除去する。
、気泡発生部へ圧送される空気圧によって気泡発生部壁
面に穿設された細孔より噴出する気泡群がフォトマスク
面に衝突するエネルギと、この衝突時の気泡群の破烈力
とによってフォトマスク面に付着している微細な異物を
も除去する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置にお
けるフォトマスク洗浄装置の構成を示す正面断面図およ
び側面断面図であり、（１）、（３）は従来例を示した
第２図における同符号と同一または相当部分である。（
４）は有機溶剤や純水などの洗浄剤（５）を満たしてい
る洗浄槽、（６）は洗浄剤（５）内に浸漬し、図示のな
い空気源より高圧空気が圧送される管状に形成した一対
の気泡発生部であり、その相対向する管壁には多数の細
孔が穿設されている。
けるフォトマスク洗浄装置の構成を示す正面断面図およ
び側面断面図であり、（１）、（３）は従来例を示した
第２図における同符号と同一または相当部分である。（
４）は有機溶剤や純水などの洗浄剤（５）を満たしてい
る洗浄槽、（６）は洗浄剤（５）内に浸漬し、図示のな
い空気源より高圧空気が圧送される管状に形成した一対
の気泡発生部であり、その相対向する管壁には多数の細
孔が穿設されている。
（力はこれらの細孔より噴出する気泡群、（８）は洗浄
剤（５）の入口、（９）は出口である。
剤（５）の入口、（９）は出口である。
上記のように構成されたこの発明によるフォトマスク洗
浄装置において、先ず所定の流量で入口（８）より洗浄
剤（５）が供給されている洗浄槽（４）内の気泡発生部
（６）へ圧送される高圧空気によって、気泡発生部（６
）の細孔より気泡群（力を噴出させ、次いでマスク保持
Ａ （３）を昇降させてフォトマスク（１） ヲ洗浄剤
（５）内に浸漬し、気泡群（力をフォトマスク（１）面
に噴射させると、この噴射による気泡群（力の衝突エネ
ルギとこの衝突時の気泡群（力の破裂力と、さらＫはフ
ォトマスク（１）の上下動による洗浄剤（５）との表面
における抵抗とが相乗的に作用して、フォトマスク（７
）面に付着していた微細な異物に至るまで効率よく除去
するようになっている。
浄装置において、先ず所定の流量で入口（８）より洗浄
剤（５）が供給されている洗浄槽（４）内の気泡発生部
（６）へ圧送される高圧空気によって、気泡発生部（６
）の細孔より気泡群（力を噴出させ、次いでマスク保持
Ａ （３）を昇降させてフォトマスク（１） ヲ洗浄剤
（５）内に浸漬し、気泡群（力をフォトマスク（１）面
に噴射させると、この噴射による気泡群（力の衝突エネ
ルギとこの衝突時の気泡群（力の破裂力と、さらＫはフ
ォトマスク（１）の上下動による洗浄剤（５）との表面
における抵抗とが相乗的に作用して、フォトマスク（７
）面に付着していた微細な異物に至るまで効率よく除去
するようになっている。
なお、上記実施例ではフォトマスク（１）を上下に移動
させ、気泡発生部（６）を固定した例について説明した
が、これとは逆に、フォトマスク（１）を洗浄剤（５）
中に浸漬して固定し、このフォトマスク（１）の両側に
気泡発生部（６）を上下に移動させるように構成しても
、上記実施例と同様の効果を奏する。
させ、気泡発生部（６）を固定した例について説明した
が、これとは逆に、フォトマスク（１）を洗浄剤（５）
中に浸漬して固定し、このフォトマスク（１）の両側に
気泡発生部（６）を上下に移動させるように構成しても
、上記実施例と同様の効果を奏する。
この発明は以上説明したとおり、洗浄剤に浸漬したフォ
トマスクとこのフォトマスクの両側に設けた気泡発生部
との一方を固定して他を上下に移動し、気泡発生部より
噴出する気泡群によってフォトマスク面の付着物を除去
するように構成したので、微細な付着物をも除去できて
洗浄効率が良くなり、高精度のフォトマスクが得られる
効果がある。
トマスクとこのフォトマスクの両側に設けた気泡発生部
との一方を固定して他を上下に移動し、気泡発生部より
噴出する気泡群によってフォトマスク面の付着物を除去
するように構成したので、微細な付着物をも除去できて
洗浄効率が良くなり、高精度のフォトマスクが得られる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置にお
けるフォトマスク洗浄装置の構成を示す正面断面図およ
び側面断面図、第２図は従来の半導体製造装置における
フォトマスク洗浄装置の構成の一例を示す正面断面図お
よび側面断面図である。 図において、（１）はフォトマスク、（３）はマスク保
持具、（４）は洗浄槽、（５）は洗浄剤、（６）は気泡
発生部、（７）は気泡群。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 （力 第１図 ３；□ヌクィ忙待員 ４： シ毘シを矛書 ５：：／茫＝／！Ｐな１ ６：気児発工郷 −０憂うグ憾 ７：；Ａ ン（、ハク「 図
けるフォトマスク洗浄装置の構成を示す正面断面図およ
び側面断面図、第２図は従来の半導体製造装置における
フォトマスク洗浄装置の構成の一例を示す正面断面図お
よび側面断面図である。 図において、（１）はフォトマスク、（３）はマスク保
持具、（４）は洗浄槽、（５）は洗浄剤、（６）は気泡
発生部、（７）は気泡群。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 （力 第１図 ３；□ヌクィ忙待員 ４： シ毘シを矛書 ５：：／茫＝／！Ｐな１ ６：気児発工郷 −０憂うグ憾 ７：；Ａ ン（、ハク「 図
Claims (1)
- 有機溶剤あるいは純水などの洗浄剤を満たした洗浄槽と
、この洗浄槽内に管状に形成され相対向して配設された
一対の気泡発生部と、これらの気泡発生部の相対向する
管壁のそれぞれに穿設された多数の細孔と、上記気泡発
生部に高圧空気を圧送する空気源とを備え、マスク保持
具によつて把持されたフォトマスクと上記気泡発生部と
の何れか一方を固定し、他方を上下に移動させながら上
記気泡発生部より噴出する気泡群を上記フォトマスクの
両面へ噴射させ、このフォトマスク面の付着物を除去す
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258492A JPS62119543A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258492A JPS62119543A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119543A true JPS62119543A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17320959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258492A Pending JPS62119543A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119543A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006424A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing a residual organic layer from a substrate using reactive gases |
| EP1610366A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-12-28 | Hoya Corporation | Cleaning method, method for removing foreign particle, cleaning apparatus and cleaning liquid |
| JP2007300118A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法 |
| US7568490B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
| US8388762B2 (en) | 2007-05-02 | 2013-03-05 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning technique employing multi-phase solution |
| US8480810B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-07-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for particle removal |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258492A patent/JPS62119543A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1610366A1 (en) * | 2003-03-31 | 2005-12-28 | Hoya Corporation | Cleaning method, method for removing foreign particle, cleaning apparatus and cleaning liquid |
| EP1610366A4 (en) * | 2003-03-31 | 2009-04-15 | Hoya Corp | CLEANING METHOD, METHOD FOR REMOVING FRESH PARTICLES, CLEANING DEVICE AND CLEANING LIQUID |
| WO2005006424A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for removing a residual organic layer from a substrate using reactive gases |
| US7568490B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-08-04 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids |
| US8480810B2 (en) | 2005-12-30 | 2013-07-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for particle removal |
| JP2007300118A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法 |
| US8388762B2 (en) | 2007-05-02 | 2013-03-05 | Lam Research Corporation | Substrate cleaning technique employing multi-phase solution |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101445414B1 (ko) | 반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정 | |
| KR102033741B1 (ko) | 이형제 스프레이 모듈의 세척장치 | |
| CN107415465A (zh) | 一种网版印刷机的网版油墨自动清洗装置 | |
| JPS62119543A (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN205966646U (zh) | 非接触式光罩或晶圆洁净装置 | |
| KR101971151B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
| JPH07201795A (ja) | 洗浄方法 | |
| KR20010087380A (ko) | 에이치에프-에이치에프 세척방법과 그 장치 | |
| JPH09186124A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| CN109127580A (zh) | 一种金属板镀膜前的清洁系统 | |
| JP2001269631A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| CN114864431A (zh) | 槽式清洗设备的快排冲洗槽及晶圆清洗方法 | |
| KR100576823B1 (ko) | 기판세정장치 | |
| JPH0195521A (ja) | 洗浄方法および装置 | |
| CN106235981A (zh) | 一种大型超声波自动洗碗机 | |
| JP2000107706A (ja) | 洗浄装置 | |
| KR101014520B1 (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법 | |
| JPH02268879A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP3349299B2 (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
| KR20060001204A (ko) | 유리표면 처리장치 | |
| CN216679187U (zh) | 一种用于ps版铝板基的清洗装置 | |
| CN212597380U (zh) | 一种半导体晶圆清洗设备 | |
| KR101568924B1 (ko) | 유체 노즐 및 기판 세정 장치, 및 기판의 세정 방법 | |
| SU925431A1 (ru) | Конвейерна моечна машина | |
| JP2861900B2 (ja) | 半導体洗浄装置 |