KR101445414B1 - 반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정 - Google Patents

반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정 Download PDF

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Abstract

반도체, 의료 또는 임의의 다른 프로세싱 환경에 사용되는 프로세싱 장비의 표면에서 서브 마이크론 미립자 오염 물질을 제거하기 위해 선택적인 화학 물질과 함께 메가소닉 탱크, 스캐닝 메가소닉 플레이트, 메가소닉 분사 및 메가소닉 스위핑 빔 등을 포함하는 다양한 메가소닉 장치의 사용을 위해 방법 및 장치가 제공된다.
Figure R1020097014810
메가소닉 세정, 정밀 세정, 메가소닉 탱크, 메가소닉 분사, 메가소닉 스위핑 빔

Description

반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정{MEGASONIC PRECISION CLEANING OF SEMICONDUCTOR PROCESS EQUIPMENT COMPONENTS AND PARTS}
배경
1.발명의 분야
본 발명은 프로세싱 및 제조 장치의 정밀 세정에 관한 것으로, 더 상세하게는 전자 디바이스 프로세싱 및 제조 장치, 다른 유형의 프로세싱 및 제조 장치등을 세정하기 위해 선택적인 세정 매체와 함께 고 주파수 메가소닉 (megasonic) 에너지를 사용하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
2.관련 기술의 설명
전자 디바이스 제조 동작에서, 메가소닉 세정은 웨이퍼 수율 및 디바이스 안정성에 미치는 입자 오염의 유해한 효과를 완화시키기 위해, 반도체 웨이퍼, 자기 매체 등에서 입자 오염을 제거하는데 널리 사용된다. 그러나, 반도체 웨이퍼, 자기 매체와 이들 반도체 웨이퍼, 자기 매체를 프로세싱하는데 사용되는 부품, 장치 또는 툴 등 사이의 미립자 및 미량 금속 교차 오염 (cross contamination) 에 대한 지속적인 관심이 존재한다.
종래에는, 전자 디바이스 제조 동작에 사용되는 프로세싱 부품, 장치 및 툴 등의 세정은 저-주파수 (75 KHz 미만) 울트라소닉 (ultrasonic) 정밀 세정 방법을 사용하여 달성된다. 그러나, 반도체 웨이퍼 등의 임계 치수 (critical dimension) 가 계속 감소하고 프로세싱 부품, 장치 및 툴 등의 표면에 증착되는 서브마이크론 입자 (예를 들어, 0.1 ㎛ - 0.5 ㎛) 의 수가 증가함에 따라, 저-주파수 울트라소닉 세정 기술은 웨이퍼 제조 라인 수율 및 디바이스 수율 등에 상당한 영향을 미칠 수 있는 서브마이크론 입자를 프로세싱 부품, 장치, 툴 등에서 더 이상 효율적으로 제거하지 못한다.
전술한 관점에서, 반도체 프로세싱 장치 컴포넌트 등의 표면에서 서브마이크론 미립자 오염을 효과적으로 제거하기 위해 메가소닉 에너지를 적용하는 접근이 요구된다.
개요
일 실시형태에서, 본 발명은 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치를 제공한다. 장치는 베이스 및 그로부터 연장되는 하나 이상의 측벽 및 베이스와 대향하고 있는 개구부에 의해 정의되는 캐비티 (cavity) 를 구비한 탱크를 포함한다. 탱크는 프로세싱 컴포넌트를 침지하기 위해 캐비티 내의 유체의 체적을 유지하도록 구성된다. 장치는 프로세싱 컴포넌트의 표면 상을 이동할 수 있고 프로세싱 부품의 표면에 수직인 방향과 일반적으로 관련된 고 주파수 메가소닉 음파 에너지를 생성할 수 있는 플레이트 어셈블리를 더 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 본 발명은 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치를 제공한다. 장치는 캐리어 엘리먼트 (carrier element) 를 구비한 프로세싱 챔버를 포함하며, 그 캐리어 엘리먼트는 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 컴포넌트를 지지할 수 있다. 장치는 유체를 프로세싱 컴포넌트의 표면으로 공급할 수 있는 유체 공급 어셈블리를 더 포함한다. 장치는 고 주파수 메가소닉 음파 에너지의 빔 (beam) 을 생성할 수 있는 빔 어셈블리를 또한 포함하며, 음파 에너지의 빔은 프로세싱 컴포넌트의 표면으로 인가된다.
또 다른 실시형태에서, 본 발명은 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치를 제공한다. 장치는 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱 컴포넌트를 지지할 수 있는 캐리어 엘리먼트를 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 장치는 음파적으로 에너지화된 유체를 프로세싱 컴포넌트의 표면에 공급할 수 있는 분사 어셈블리 (jet assembly) 를 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태 및 이점은 실시형태 및 본 발명의 원리를 예로써 도시하는 첨부된 도면과 함께 하기의 상세한 설명에서 더 명백해질 것이다.
도면의 간단한 설명
본 발명의 장점과 함께, 본 발명은 첨부된 도면과 함께 하기의 상세한 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있다.
도 1 은 부품의 표면에서의 메가소닉 에너지의 인가로 인한 프로세싱 컴포넌트의 선택적인 표면을 둘러싸는 정지형 유체 내에 생성된 마이크로 스트리밍 포스의 측면도이다.
도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 스캐닝 메가소닉 플레이트를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치의 단면도이다.
도 2b 는 도 2a 에 도시된 메가소닉 정밀 세정 장치에 대한 다른 실시형태의 단면도이다.
도 3a 는 본 발명의 실시형태에 따라 스위핑 (sweeping) 메가소닉 빔을 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치의 단면도이다.
도 3b 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 스위핑 메가소닉 빔을 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치의 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 실시형태에 따라 메가소닉 분사 (megasonic jet) 를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치의 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 다른 메가소닉 분사를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치의 단면도이다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 실시형태는 전자 디바이스 프로세싱 부품, 콤포넌트, 툴 등 또는 기판이나 웨이퍼는 아니지만 무기 또는 유기 서브마이크론 미립자 오염에 영향받기 쉬운 임의의 다른 부품, 컴포넌트, 툴 등에서 서브마이크론 미립자 오염을 효과적으로 제거하기 위해 메가소닉 에너지를 인가하는 시스템, 장치 및 방법을 제공한다. 상세하게는, 본 발명의 실시형태는 프로세싱 부품, 컴포넌트, 툴 등의 표면 및 측벽에서 서브마이크론 입자를 제거하기 위해 다양한 정밀 세정 장치와 함께 고 주파수 메가소닉 에너지 (대략적으로 600KHz - 2MHz) 및 선택적 세정 매체 (예를 들어, 화학 약품, 유체 등) 를 사용하는 접근법을 제공한다.
본 발명의 실시형태인 정밀 세정 장치는 세정되는 부품, 컴포넌트, 툴 등의 표면상에 생성되는 마이크로-스트리밍 포스 (도 1 참조) 를 증강시키고 다양하고 복잡한 구성, 사이즈 및 중요한 컴포넌트를 가지는 부품, 콤포넌트, 툴 등을 세정 하는데 사용될 수 있는 메가소닉 탱크, 스캐닝 메가소닉 플레이트, 메가소닉 분사 및 메가소닉 스위핑 빔을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시형태에서, 세정 매체의 다양한 유형은 메가소닉 세정 프로세스의 성능을 향상시키고 부품, 컴포넌트, 툴등이 만들어지는 재료의 화학적 및 물리적 등의 특성과의 양립성을 위해 선택적으로 선택될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시형태에서, 세정 매체의 다양한 유형은 메가소닉 세정 프로세스를 더 최적화하기 위해 선택적으로 인가 (예를 들어, 가열, 재순환, 시퀀싱 등) 될 수 있다.
본 발명의 실시형태에 대한 여기의 설명에서, 본 발명의 실시형태의 완벽한 이해를 제공하기 위해 컴포넌트 및/또는 방법의 예와 같이 다수의 특정 세부사항이 제공된다. 그러나, 관련 기술 분야의 당업자는 본 발명의 실시형태는 하나 이상의 특정 세부 사항 없이 또는 다른 장치, 시스템, 어셈블리, 방법, 컴포넌트, 재료, 부품 및/또는 등과 함께 실시될 수 있다는 것을 알 것이다. 다른 경우, 주지의 구조, 재료 또는 동작이 불필요하게 본 발명의 실시형태의 양태를 불명확하게 하지 않도록 상세하게 도시되거나 설명되지 않는다. 본 발명은 수개의 양태를 포함하며 도면 및 실시형태와 함께 하기에 나타나며 논의된다.
도 1 에서, 본 발명의 실시형태인 세정 메커니즘은 화학 작용 또는 임의의 다른 작용과 결합되는 경우, 프로세싱 컴포넌트 등의 표면에서 오염 물질을 제거하는 공동현상 (cavitation) 및 마이크로-스트리밍 포스와 연관된다. 공동현상은 소닉 에너지가 액체 매체에 인가되는 경우 용해된 가스로부터 생성된 마이크로스코픽 거품의 신속한 형성 및 붕괴이다. 붕괴하는 경우, 거품은 서브마이크론 미 립자가 부품 등의 표면에 부착되는 접착력 (adhesion force) 의 붕괴를 통해 입자 제거를 돕는 에너지를 방출 (release) 한다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 압전 (piezoelectric) 메가소닉 변환기 등을 사용하여 세정 될 프로세싱 컴포넌트 (112) 의 표면 (106) 에 인가되는 메가소닉 에너지 (104) 가 프로세싱 컴포넌트 (112) 의 하나 이상의 표면을 감싸는 정지형 유체 경계층 (또는 메니스커스) (108) 을 침투하는 경우, 마이크로-스트리밍 포스 (102) 가 생성된다. 마이크로-스트리밍 포스 (102) 는 프로세싱 컴포넌트 (112) 의 표면에서 오염 물질을 제거하고 오래된 화학 물질을 고갈시키는 동시에 지속적으로 프로세싱 컴포넌트 (112) 의 표면으로 새로운 용액을 운반하는 펌핑 작용 (110) (즉, 전력이 압전 변환기 등에 인가되는 경우 정지형 유체 경계층을 통해 전파하는 음파 파동에 의해 유도된 유체 모션) 을 생성한다.
도 2a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 메가소닉 정밀 세정 장치 (200) 를 도시한다. 장치 (200) 는 베이스 (203) 및 베이스 (203) 에서 연장되어 캐비티 (207) 를 형성하는 측벽 (205) 을 구비하는 메가소닉 탱크 (202) 를 포함한다. 탱크 (202) 의 캐비티 (207) 는 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 메가소닉 정밀 세정을 향상시키는 능력을 위해 선택된 세정 용액 또는 유체 (209) 를 포함한다. 프로세싱 컴포넌트 (208) 가 세정 용액 (209) 에 침지되며 캐리어 (212) 에 의해 지지된다. 그러나, 세정 용액 (209) 내에 프로세싱 컴포넌트 (208) 를 지지하는 임의의 적합한 수단이 본 발명의 실시형태와 함께 사용될 수 있다. 여기에 사용된 바와 같이, 세정 용액 및 세정 화학 물질은 호환가능하다. 본 발명의 일 실시형태에서, 세정 용액 (209) 은 알칼리 수용액 (예를 들어, NH4OH+H2O2+H2O), 산성 수용액 (예를 들어, HCl+H2O2+H2O, HF+H2O2+H2O), 중성 계면활성제 용액, 산성 계면활성제 용액, 염기성 계면활성제 용액, 계면활성제 수용액 또는 유기 용매 및 물 의 혼합물 등을 포함할 수 있다. 산성 수용액은 부품, 콤포넌트, 툴 등의 표면에서 미립자 오염 및 미량 금속을 제거하는 데에 유익하다. 입자가 부품, 컴포넌트, 툴의 표면으로 재-증착되는 것을 방지하기 위해 중성, 산성 및 염기성 계면활성제 용액이 부품, 콤포넌트, 툴 등의 표면 화학물질을 조정하는데 사용될 수 있다. 계면 활성제 수용액은 Si, SiC 및 그래파이트 (graphite) 와 같은 소수성 표면을 적시고 메가소닉의 마이크로-스트리밍을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 유기 용매 및 물 혼합물은 소수성 표면의 습윤성을 증가시키기 위해 또한 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시형태와 함께 쓰이는 세정 용액 (209) 은 메가소닉 세정에 적합하고 입자의 제거뿐만 아니라 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면상으로의 입자의 재증착의 억제를 용이하게 하는 마이크로-스트리밍 프로세스를 향상시키는 특성을 포함하는 임의의 적당한 세정 용액, 유체 등이 될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 세정 용액 (209) 은 입자 제거 효율을 증가시키기 위해 가열될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시형태에서, 세정 용액 (209) 은 입자 제거 효율을 증가시키고 입자가 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면으로 재증착하는 것을 방지하기 위한 인-시튜 여과 접근법을 사용하여 재순환될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시형태에서, 세정 화학 물질 (209) 의 선택적인 시퀀스가 정밀 메가소닉 세정 프로세스를 최적화하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, IPA (이소프로필 알콜)/탈 이온수(DIW:deionized water) 혼합물과 같은 계면활성제 용액 또는 유기계 용매가 먼저 사용될 수 있고, 그 이후에 프로세싱 컴포넌트 (208) 재료의 화학적 특성에 따라 산성 또는 염기성 용액이 사용될 수 있다.
도 2a 를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 장치 (200) 는 메가소닉 탱크 (202) 의 베이스 (203) 에 연결된 하나 이상의 메가소닉 변환기 (210) 및 메가소닉 탱크 (202) 의 측벽 (205) 에 연결된 하나 이상의 메가소닉 변환기 (204) 를 포함할 수 있다. 각 메가소닉 변환기 (210) 는 개별 변환기 엘리먼트 (210a-210d) 및 공진기 엘리먼트 (210a'-210d') 를 포함할 수 있다. 이와 같이, 각 메가소닉 변환기 (204) 는 개별 변환기 엘리먼트 (204a-204d) 및 공진기 엘리먼트 (204a'-204d') 를 포함할 수 있다. 메가소닉 변환기 (204, 210) 는 임의의 적당하고 상업적으로 사용가능한 메가소닉 변환기일 수 있다. 장치 (200) 는 메가소닉 변환기 (206) 를 포함하는 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 를 더 포함할 수 있다. 메가소닉 변환기 (206) 는 변환기 엘리먼트 (206a) 및 공진기 엘리먼트 (206b) 를 포함할 수 있다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 일 실시형태에 따라, 메가소닉 변환기 (206) 는 세정 용액 (209) 에 침지된다. 그러나, 또 다른 실시형태에서, 탱크 (202) 는 드라이 챔버 (즉, 세정 용액 (209) 이 제거됨) 를 제공할 수 있고 메가소닉 변환기 (206) 는 프로세싱 컴포넌트 (208) 위에 구성될 수 있고 공진기 엘리먼트 (206b) 에서 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 노출된 표면으로 흐르는 고 주파수 메가소닉 에너지-전달 액체 매체를 포함할 수 있 다. 일 실시형태에서, 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 는 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면에 최대 메가소닉 에너지 노출을 제공하기 위해 전진, 후진, 래터럴, 앵귤러 또는 써큘러 스캐닝 모션을 사용하여 탱크 (202) 의 개구부에 근접하여 위치한 대체로 수평인 평면을 따라 프로세싱 컴포넌트 (208) 위에서 이동할 수 있다. 일 실시형태에서, 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 는 탱크 (202) 의 개구부에 근접하여 위치한 지지 구조에 연결될 수 있다. 그러나, 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 가 프로세싱 컴포넌트 (208) 위에서 임의의 방향으로 이동할 수 있도록 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 를 지지하는 임의의 다른 적당한 수단이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 프로세싱 컴포넌트 (208) 를 둘러싸는 정지형 유체 경계층 (216) 내에 마이크로-스트리밍 포스를 생성하기 위해, 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면에 수직인 방향을 포함하는 복수의 방향으로 집합적으로 및 동시에 메가소닉 (음파) 에너지 (215) 를 생성하기 위해, 하나 이상의 메가소닉 변환기 (210), 하나 이상의 메가소닉 변환기 (204) 및 스캐닝 메가소닉 변환기 어셈블리 (214) 가 적절히 배향되거나 조정될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 메가소닉 변환기 (210) 및 메가소닉 변환기 (204) 는 세정 효율을 최대화하고 전력자원을 보존하기 위해 변환기의 대응하는 어레이 (array) 내의 단일 변환기 및/또는 변환기들의 구역이 상이한 시간 간격으로 켜질 수 있도록 하는 어레이 (도시되지 않음) 로 구성될 수 있다.
도 2b 는 도 2a 에 도시된 메가소닉 정밀 세정 장치 (200) 에 대한 다른 실시형태이다. 도 2b 에 도시된 바와 같이, 도 2a 에 도시된 메가소닉 변환기 (210) 는 탱크 (202) 의 베이스 (203) 에 연결되고 캐비티 (207) 내에 존재하는 제 2 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (218) 에 의해 대체될 수 있다. 도 2a 의 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214) 와 유사하게, 제 2 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (218) 는 변환기 엘리먼트 (220a) 및 공진기 엘리먼트 (220b) 를 포함하는 메가소닉 변환기 (220) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 메가소닉 변환기 (220) 는 메가소닉 변환기 (220) 가 세정 용액 (209) 에 침지되도록 구성된다. 제 2 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (218) 는 전진, 후진, 래터럴, 앵귤러 또는 써큘러 스캐닝 모션을 사용하여 탱크 (202) 의 베이스 (203) 에 근접하여 위치한 대체로 수평인 평면을 따라 프로세싱 컴포넌트 (208) 상을 이동할 수 있다. 도 2b 의 실시형태에서, 프로세싱 컴포넌트 (208) 를 둘러싸는 정지형 유체 경계층 (216) 내에 마이크로-스트리밍 포스를 생성하기 위해, 프로세싱 컴포넌트의 표면에 수직인 방향을 포함하는 복수의 방향으로 집합적으로 및 동시에 메가소닉 (음파) 에너지 (215) 를 생성하기 위해 하나 이상의 수평 변환기 (204) 및 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214, 218) 가 적절히 배향되거나 조정될 수 있다. 도 2a 의 메가소닉 변환기 (206) 와 유사하게, 도 2b 에 도시된 대응하는 메가소닉 변환기 (206, 220) 는 세정 용액 (209) 내에 침지된다. 그러나, 일 실시형태에서, 탱크 (202) 는 드라이 챔버 (즉, 세정 용액 (209) 이 제거됨) 를 제공할 수 있고, 도 2b 의 메가소닉 변환기 (206, 220) 는 각각 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 상측 및 하측에 구성될 수 있으며 공진기 엘리먼트 (206b, 220b) 에서 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 노출된 표면으로 흐르는 고 주파수 메가소닉 에너지-전 달 액체 매체를 포함할 수 있다.
부가적으로, 도 2a 및 도 2b 에서 논의된 것과 다른 실시형태가 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214, 218) 와 유사한 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (도시되지 않음) 가 개별 측벽 (205) 에 근접하여 위치한 대체로 수직인 평면을 따라 이동하기 위해 메가소닉 탱크 (202) 의 측벽 (205) 에 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (214, 218) 와 유사한 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리 (도시되지 않음) 는 베이스 (203), 측벽 (205), 탱크 (202) 의 덮개 (도시하지 않음) 를 따라 이동할 수 있도록 탱크 (202) 에 연결될 수 있고, 스캐닝 메가소닉 플레이트 어셈블리가 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 모든 표면의 주위를 실질적으로 스캐닝할 수 있다.
도 2a 및 도 2b 에 관하여 논의된 것에 대한 또 다른 실시형태에서, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 캐리어 (212) 는 탱크 캐비티 (207) 내에서 프로세싱 컴포넌트 (208) 를 회전시키는 모션 어셈블리로서 구축될 수 있다. 일 실시형태에서, 캐리어 (212) 의 회전 모션은 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면을 세정하기 위해 도 2a 의 메가소닉 변환기 (204, 206, 210) 의 하나 또는 조합의 세정 작용과 함께 사용될 수 있다. 일 실시형태에서, 캐리어 (212) 의 회전 모션은 프로세싱 컴포넌트 (208) 의 표면을 세정하기 위해 도 2b 의 메가소닉 변환기 (204, 206, 220) 의 하나 또는 조합의 세정 작용과 함께 사용될 수 있다.
도 3a 에서, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라, 스위핑 메가소닉 빔 어셈 블리 (310) 를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치 (300) 을 도시한다. 장치 (300) 는 캐리어 (328) 또는 프로세싱 컴포넌트 (318) 를 지지하는 임의의 적당한 수단을 포함하는 프로세싱 챔버 (302) 를 더 포함한다. 본 발명의 일 실시형태에서, 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (310) 는 메가소닉 변환기 부분 (310a) 및 헤드 부분 (310b) 을 포함한다. 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (310) 는 프로세싱 챔버 (302) 의 개구부 (312) 를 통해 캐비티 (308) 로 연장할 수 있다. 메가소닉 빔 어셈블리 (310) 의 메가소닉 변환기 부분 (310a) 에서 생성되고 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (310) 의 헤드 부분 (310b) 에서 방출된 메가소닉 (음파) 에너지의 빔 (314) 은 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 을 가로질러 방출 및 스위핑하는 것과 동시에, 유체 공급 어셈블리 (307) 의 세정 소스 (326) 로부터 제공된 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 은 노즐 (322) 로부터 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 으로 분사된다. 유체 공급 어셈블리 (307) 는 노즐 (322) 을 세정 소스 (326) 에 연결하는 공급 라인 (306) 을 포함할 수 있다. 정지형 유체 경계 (324) 는 새로운 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 을 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 으로 전달하는 동시에 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 등에서 오염 물질을 제거하는 마이크로 스트리밍 포스를 생성하기 위해 빔 (314) 으로부터의 메가소닉 에너지가 이동하고 유체 (320) 와 상호작용하는 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 을 둘러싸도록 생성된다.
도 3b 에서, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라, 스위핑 메가소닉 빔 어셈 블리 (332) 를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치 (330) 를 도시한다. 장치 (330) 는 캐리어 (328) 또는 프로세싱 컴포넌트 (318) 를 지지하기 위한 임의의 다른 적합한 수단을 포함하는 프로세싱 챔버 (302) 를 더 포함한다, 본 발명의 일 실시형태에서, 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (332) 는 메가소닉 변환기 부분 (332a) 및 헤드 부분 (332b) 을 포함한다. 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (332) 는 프로세싱 챔버 (302) 의 개구부 (312) 를 통해 캐비티 (308) 로 연장할 수 있다. 일 실시형태에서, 메가소닉 변환기 부분 (332a) 은 유입구 (336) 및 유출구 (338) 를 가지는 관통로 (throughway) (334) 를 포함하며, 세정 매체 소스 (326) 에서 비롯한 탈 이온수 및 세정 용액 (320) 등은 메가소닉 변환기 부분 (332a) 의 유입구 (336) 에서 공급 라인 (306) 으로부터 메가소닉 빔 어셈블리 (332) 로 들어간다. 탈 이온수 및 세정 용액 (320) 은 관통로 (334) 를 따라 이동하고 유출구 (338) 에서 관통로 (334) 를 나와서 헤드 부분 (332b) 으로 들어간다. 헤드 부분 (332b) 에서, 메가소닉 빔 어셈블리 (332) 의 메가소닉 변환기 부분 (332a) 에서 생성되고 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (332) 의 헤드 부분 (332b) 에서 방출된 메가소닉 (음파) 에너지의 빔 (314) 은 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 을 가로질러 방출 및 스위핑하는 것과 동시에, 세정 소스 (326) 로부터 제공된 음파적으로 에너지화된 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 은 헤드 부분 (332b) 로부터 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 으로 분사된다. 정지형 유체 경계 (324) 는 새로운 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 을 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 으로 전달하는 동시에 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 등에서 오염 물질을 제거하는 마이크로 스트리밍 포스를 생성하기 위해 빔 (314) 으로부터의 메가소닉 에너지가 이동하고 유체 (320) 와 상호작용하는 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 노출된 표면 (315, 316) 을 둘러싸도록 생성된다. 일 실시형태에서, 하기에 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 캐리어 (328) 는 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 모든 표면이 빔 (314) 으로부터 방출된 메가소닉 에너지 및 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 에 노출되도록 프로세싱 컴포넌트 (318) 를 회전시킬 수 있다. 일 실시형태에서 메가소닉 전력이 켜지는 동안 세정 용액 (320) 이 처음에 인가되고, 그 후에 탈 이온수가 인가된다.
도 3a 및 도 3b 를 참조하여, 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 정밀 세정을 최대화하기 위해 본 발명의 일 실시형태에서, 프로세싱 컴포넌트 (318) 는 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 모든 표면에서의 오염 물질의 제거를 용이하게 하기 위해 수동적또는 기계적으로 뒤집어지거나 캐리어 (328) 상을 또는 캐리어에 의해 회전한다. 또한, 본 발명의 일 실시형태에서, 스위핑 메가소닉 빔 어셈블리 (310, 332) 의 헤드 부분 (310b, 332b) 은 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 표면에 대해 메가소닉 에너지의 최대 노출을 제공하기 위해 전진, 후진, 래터럴, 앵귤러 또는 써큘러 등의 스위핑 모션을 사용할 수 있다.
또한, 도 2 에서 언급된 바와 같이, 도 3a 및 도 3b 의 세정 용액 (320) 은 알칼리 수용액 (예를 들어, NH4OH+H2O2+H2O), 산성 수용액 (예를 들어, HCl+H2O2+H2O, HF+H2O2+H2O), 중성 계면활성제 용액, 산성 계면활성제 용액, 염기성 계면활성제 용액, 계면활성제 수용액 또는 유기 용매 및 물 등의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 세정 용액은 메가소닉 세정에 쓰일 수 있는 임의의 적합한 세정 용액, 유체 (320) 등일 수 있다. 세정 용액 (320) 은 입자의 제거뿐만 아니라 부품, 툴, 컴포넌트 등 (318) 의 표면상의 입자의 재증착의 방지를 용이하게 하기 위해 마이크로 스트리밍 프로세스를 향상시키는 특성을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 세정 용액 또는 탈 이온수 (320) 는 입자 제거 효율을 증가시키기 위해 가열될 수 있다. 이와 같이, 탈 이온수 또는 세정 용액 (320) 은 입자 제거 효율을 증가시키고 프로세싱 컴포넌트 (318) 의 표면 (315, 316) 으로의 입자의 재증착을 방지하기 위해 인-시튜 여과 접근법을 사용하여 재순환될 수 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시형태에서, 도 2 에서 상술한것과 같은 세정 화학 물질 (320) 의 선택적인 시퀀스는 도 3 의 정밀 메가소닉 세정 프로세스를 최적화하는데 사용될 수 있다.
도 4 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라 메가소닉 분사 어셈블리 (402) 를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치 (400) 의 도시이다. 장치 (400) 는 캐리어 (432) 또는 프로세싱 컴포넌트 (428) 를 지지하는 임의의 다른 적당한 수단을 포함하는 프로세싱 챔버 (404) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 메가소닉 분사 어셈블리 (402) 는 도 4 에 도시된 바와 같이 프로세싱 챔버 (404) 의 개구부 (412) 를 통해 연장할 수 있거나 메가소닉 분사 어셈블리 (402) 는 프로세싱 챔버 (404) 의 가장자리 (434) 바로 위에 구성될 수 있다. 일 실시형태에서, 메가소닉 분사 어셈블리 (402) 는 몸체부 (402a) 및 몸체부 (402a) 의 유출구 (414) 에 연결된 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 을 포함한다. 몸체부 (402a) 는 유입구 (418) 및 유출구 (414) 를 가지는 관통로 (416)를 포함하며, 세정 매체 소스 (422) 에서 비롯한 탈 이온수 또는 세정 용액 (420) 등은 몸체부 (402a) 의 유입구 (418) 에서 공급 라인 (408) 으로부터 메가소닉 분사 어셈블리 (402) 로 들어간다. 탈 이온수 또는 세정 용액 (420) 은 관통로 (416) 를 따라 이동하고 유출구 (414) 에서 관통로 (416) 를 나와서, 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 로 들어간다. 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 는 탈 이온수 또는 세정 용액 (420) 등이 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 의 관통로 (406) 를 통해 이동함에 따라, 유체 (420) 가 음파적으로 에너지화되고 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 에서 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 노출된 표면 (424, 426) 으로 스프레이되도록 음파에너지를 생성할 수 있다. 음파적으로 에너지화된 유체 (420) 를 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 로부터 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 노출된 표면 (424, 426) 상으로 스프레이 함으로써, 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 노출된 표면 (424, 426) 을 둘러싸는 정지형 유체 경계층 (430) 내의 마이크로 스트리밍 포스는 미립자 오염을 제거하고 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 표면 (424, 428) 에서 오래된 화학 물질을 고갈시킴과 동시에 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 표면 (424, 426) 으로 계속적으로 새로운 용액을 운반한다. 본 발명의 다른 실시형태에 대해 여기에 논의된 바와 같이, 세정 용액 (420) 은 메가소닉 세정에 사용될 수 있으며 부품, 툴, 컴포넌트 등의 표면상에 입 자의 재 증착을 금지하는 것뿐만 아니라 입자의 제거를 용이하게 하기 위해 마이크로 스트리밍 프로세스를 향상시키는 특성을 포함하는 임의의 적당한 용액이 될 수 있다. 또한, 유체 (420) 는 도 2 내지 3 에서 논의된 바와 같이 가열되고, 재순환되며 시퀀싱될 수 있다.
도 4 를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 표면 (424, 426) 의 세정 효율을 더 최적화하기 위해, 메가소닉 변환기 노즐부 (402b) 는 전진, 후진, 래터럴, 앵귤러 또는 써큘러 등의 스캐닝 또는 스위핑 모션을 사용하여 음파적으로 에너지화된 유체 (420) 를 스프레이할 수 있는 회전 노즐일 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 프로세싱 컴포넌트 (428) 는 바로 위에서 기술된 정밀 세정 접근을 사용하여 프로세싱 컴포넌트 (428) 의 이전에 노출되지 않은 표면 등에서 오염 물질의 제거를 용이하게 하기 위해 수동적 또는 기계적으로 뒤집어지거나 캐리어 (328) 상을 또는 캐리어에 의해 회전한다.
도 5 는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따라, 대안의 메가소닉 분사 어셈블리 (502) 를 포함하는 메가소닉 정밀 세정 장치 (500) 의 도시이다. 장치 (500) 는 캐리어 (530) 또는 프로세싱 컴포넌트 (528) 를 지지하는 임의의 다른 적당한 수단을 포함하는 프로세싱 챔버 (504) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 메가소닉 분사 어셈블리 (502) 는 도 5 에 도시된 바와 같이 프로세싱 챔버 (504) 의 개구부 (512) 를 통해 연장될 수 있거나, 베이스 (503) 와 대향하는 프로세싱 챔버 (504) 의 개구부에서 구성될 수 있다. 도 5 의 실시형태에서, 메가소닉 분사 어셈블리 (502) 는 메가소닉 변환기 몸체부 (502a) 및 메가소닉 변환기 몸체부 (502a) 의 유출구 (514) 에 연결된 노즐부 (502b) 을 포함한다. 메가소닉 변환기 몸체부 (502a) 는 유입구 (518) 및 유출구 (514) 를 가지는 관통로 (516) 를 포함하며, 메가소닉 변환기 몸체부 (502a) 는 세정 매체 소스 (522) 에서 비롯한 탈 이온수 또는 세정 용액 (520) 등이 공급 라인 (508) 을 통해 메가소닉 변환기 몸체부 (502a) 의 유입구 (518) 에서 메가소닉 분사 어셈블리 (502) 로 들어감에따라 유체 (520) 가 관통로 (516) 를 통해 이동하면서 음파적으로 에너지화되고 음파적으로 에너지화된 유체 (520) 는 노즐부 (502b) 에서 프로세싱 컴포넌트 (528) 의 노출된 표면 (524, 526) 으로 스프레이될 수 있도록 음파 에너지를 생성하고 음파 에너지를 관통로 (516) 로 전파할 수 있다.
도 5 를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 프로세싱 컴포넌트 (528) 의 표면 (524, 526) 의 세정 효율을 더 최적화하기 위해, 노즐부 (502b) 은 전진, 후진, 래터럴, 앵귤러 또는 써큘러등의 스캐닝 또는 스위핑 모션을 사용하여 음파적으로 에너지화된 유체 (420) 를 스프레이할 수 있는 회전 노즐일 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 프로세싱 컴포넌트 (528) 는 바로 위에서 기술된 정밀 세정 접근법을 사용하여 프로세싱 컴포넌트 (528) 의 이전에 노출되지 않은 표면 등에서 오염 물질의 제거를 용이하게 하기 위해 수동적 또는 기계적으로 뒤집어지거나 캐리어 (530) 상을 또는 캐리어에 의해 회전한다.
상기 논의된 관점에서, 본 발명의 실시형태인 메가소닉 세정 장치 및 방법의 장점은 툴, 컴포넌트, 부품 등의 표면에서 서브 마이크론 미립자 오염을 제거하기 위해 반도체, 의료 또는 임의의 다른 프로세싱 환경에 사용되는 툴, 컴포넌트, 부 품 등의 정밀 세정을 제공하는 것이다. 예를 들어, 이것은 프로세싱 장비를 세정하기 위해 사용된 저 주파수 울트라소닉 에너지가 서브 마이크론 미립자 오염을 제거하는데에 비효율적인 종래의 시스템에 비해 이점이다. 본 발명의 실시형태에 따라, 상이한 메가소닉 장치가 다양한 구성, 사이즈 및 임계 표면 지오메트리를 가지는 컴포넌트를 세정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 툴, 컴포넌트 또는 부품 등이 작은 직경 (예를 들어, 1 mm 미만) 을 가지는 깊은 (10 mm 초과) 구멍으로 관통되는 경우, 플라즈마 드라이 에칭기 등에 사용되는 Si 전극 상의 가스 구멍과 같이 이들 깊은 구멍 내부에 갇힌 서브 마이크론 입자는, 다른 방법으로는 제거하기 매우 힘들지만 본 발명의 실시형태를 이용하여 효과적으로 제거될 수 있다. 또한, 상이한 화학물질이 툴, 컴포넌트, 부품 등의 메가소닉 정밀 세정을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 세정되고 있는 부품의 화학적 및 물리적 특성에 따라 상이한 화학 물질 또는 용액이 메가소닉 정밀 세정 장치의 성능을 향상시키는데 이용될 수 있다. 부가적으로, 화학 물질의 인가의 시퀀스가 툴, 컴포넌트, 부품등의 메가소닉 정밀 세정 프로세스를 최적화하는데 또한 사용될 수 있다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 실시형태에 사용되는 세정 메커니즘은 메가소닉 에너지로부터 생성된 마이크로 스트리밍 포스를 정밀 메가소닉 세정 효율이 펌핑 작용을 생성하고 새로운 화학물질을 세정되고 린스될 툴, 컴포넌트, 부품 등의 표면으로 전달하는 마이크로 스트리밍 포스에 의해 결정될 수 있도록 하는 화학 작용; 세정될 표면의 표면-제타 포텐셜이 세정될 표면과 미립자 또는 박막 오염 물질 사이의 반발력을 생성하기 위해 화학 약품의 부가로 조정될 수 있는 화학작용; 및 세정될 표면 에서 유리된 입자의 기계적 제거와 결합한다. 또한, 본 발명의 실시형태에 따르면, 메가소닉 에너지의 인가와 함께 산성 또는 염기성 세정 용액은 프로세싱 컴포넌트의 표면에서 금속 오염을 더 쉽게 제거하기 위해 사용될 수 있다.
전술한 발명은 이해의 명확성을 위해 자세하게 기술되었지만, 변경 및 수정인 첨부된 청구항의 범위 내에서 실시될 수 있음은 자명하다. 따라서, 본 실시형태는 제한으로서가 아닌 예시로서 고려되어야 하며, 본 발명은 여기 제공된 세부사항으로 한정되지 않으며 본 발명의 범위 및 균등물 내에서 수정될 수 있을 것이다.

Claims (27)

  1. 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치로서,
    베이스 및 상기 베이스로부터 연장한 하나 이상의 측벽에 의해 정의되는 캐비티 (cavity) 및 상기 베이스에 대향하는 개구부를 구비하고, 상기 프로세싱 컴포넌트를 침지하기 위해 상기 캐비티 내에 소정량의 유체를 유지하도록 구성되는 탱크;
    상기 프로세싱 컴포넌트의 표면 위에서 이동할 수 있고, 상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 표면에 대체로 수직인 방향과 연관된 고 주파수 메가소닉 음파 에너지 (megasonic acoustic energy) 를 생성할 수 있는 플레이트 어셈블리; 및
    상기 탱크의 상기 캐비티 내의 상기 프로세싱 컴포넌트를 지지할 수 있고, 세정 동안 상기 프로세싱 컴포넌트를 뒤집기 (flipping) 위한 메커니즘을 갖는 캐리어 엘리먼트를 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 컴포넌트의 제 2 표면에 대체로 수직인 방향과 연관된 메가소닉 에너지를 생성할 수 있는, 상기 하나 이상의 측벽 중 적어도 하나에 연결된 하나 이상의 메가소닉 변환기를 더 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 컴포넌트의 제 3 표면에 대체로 수직인 방향과 연관된 메가소닉 에너지를 생성할 수 있는, 상기 베이스에 연결된 하나 이상의 메가소닉 변환기 를 더 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 탱크의 상기 베이스에 연결되고, 상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 표면과 대체로 대향하는 상기 프로세싱 컴포넌트의 제 2 표면 위에서 이동할 수 있고, 상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 제 2 표면에 대체로 수직인 방향과 연관된 음파 에너지를 생성할 수 있는 제 2 플레이트 어셈블리를 더 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 표면 위에서 이동하는 것은 전진, 후진, 래터럴 (lateral), 앵귤러 (angular) 또는 써큘러 스캐닝 모션을 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 컴포넌트는 반도체 디바이스 프로세싱 컴포넌트인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는 탈 이온수인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는 알칼리 수용액, 산성 수용액, 중성 계면활성제 용액, 산성 계면 활성제 용액, 염기성 계면활성제 용액, 계면활성제 수용액 또는 유기 용매 및 물의 혼합물인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 알칼리 수용액은 NH4OH+H2O2+H2O인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 산성 수용액은 HCl+H2O2+H2O, HF+H2O2+H2O 인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는 가열되는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는 인-시튜 여과 (in-situ filtration) 를 사용하여 재순환되는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체는 유체의 시퀀스 중 하나이고, 상기 유체의 시퀀스는 상기 표면의 세정을 최적화하기 위해 상기 탱크의 상기 캐비티 내에 선택적으로 부가되는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 고 주파수 메가소닉 음파 에너지는 600kHz 내지 2MHz 사이의 주파수를 가지는 에너지인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  16. 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치로서,
    캐리어 엘리먼트를 구비한 프로세싱 챔버로서, 상기 캐리어 엘리먼트는 상기 프로세싱 챔버 내의 상기 프로세싱 컴포넌트를 지지할 수 있는, 상기 프로세싱 챔버;
    상기 프로세싱 컴포넌트의 표면에 유체를 공급할 수 있는 유체 공급 어셈블리; 및
    고 주파수 메가소닉 음파 에너지의 빔을 생성할 수 있는 빔 어셈블리로서, 고 주파수 메가소닉 음파 에너지의 상기 빔은 상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 표면에 인가되는, 상기 빔 어셈블리를 포함하며,
    상기 캐리어 엘리먼트는 세정 동안 상기 프로세싱 컴포넌트를 뒤집기 위한 메커니즘을 갖는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 유체 공급 어셈블리는 노즐을 상기 유체의 소스에 연결하는 공급 라인을 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 유체는 탈 이온수인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 유체는 알칼리 수용액, 산성 수용액, 중성 계면활성제 용액, 산성 계면활성제 용액, 염기성 계면활성제 용액, 계면활성제 수용액 또는 유기 용매 및 물의 혼합물인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 빔 어셈블리는 스위핑 빔 어셈블리이며, 상기 스위핑 빔 어셈블리는 상기 프로세싱 컴포넌트의 상기 표면에 음파 에너지의 상기 빔을 인가하기 위해 스위핑 모션을 사용할 수 있는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 고 주파수 메가소닉 음파 에너지는 600kHz 내지 2MHz 의 주파수를 가지는 에너지인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  22. 프로세싱 컴포넌트를 세정하는 장치로서,
    캐리어 엘리먼트를 구비한 프로세싱 챔버로서, 상기 캐리어 엘리먼트는 상기 프로세싱 챔버 내의 상기 프로세싱 컴포넌트를 지지할 수 있는, 상기 프로세싱 챔버; 및
    상기 프로세싱 컴포넌트의 표면으로 음파적으로 에너지화된 유체를 공급할 수 있는 분사 어셈블리를 포함하며,
    상기 캐리어 엘리먼트는 세정 동안 상기 프로세싱 컴포넌트를 뒤집기 위한 메커니즘을 갖는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 분사 어셈블리는 노즐부를 포함하고, 상기 노즐부는 음파 에너지를 생성하고 상기 노즐부의 관통로를 따라 이동하는 유체에 상기 음파 에너지를 인가하여 음파적으로 에너지화된 유체를 공급할 수 있는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 분사 어셈블리는 노즐부에 연결된 몸체부를 포함하고, 변환기 몸체부는 음파 에너지를 생성하고 상기 음파 에너지를 상기 변환기 몸체부의 관통로를 따라 이동하는 유체에 인가하여 상기 노즐부에서 음파적으로 에너지화된 유체를 공급할 수 있는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 음파적으로 에너지화된 유체는 600kHz 내지 2 MHz 의 주파수를 가지는 메가소닉 에너지의 인가로부터 제공되는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 음파적으로 에너지화된 유체는 탈 이온수를 포함하는, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 음파적으로 에너지화된 유체는 알칼리 수용액, 산성 수용액, 중성 계면활성제 용액, 산성 계면 활성제 용액, 염기성 계면활성제 용액, 계면활성제 수용액 또는 유기 용매 및 물의 혼합물인, 프로세싱 컴포넌트 세정 장치.
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