KR20020068455A - 높은 회전수의 메가소닉 세척 - Google Patents

높은 회전수의 메가소닉 세척 Download PDF

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램 리서치 코포레이션
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Abstract

본 발명에 따른 방법은 기판 위에 위치된 노즐(201)로부터 기판(204)에 메가소닉 진동수로 음파에 의해 요동치는 액체를 분무하는 것을 수반하며, 동시에 상기 기판은 300RPM 이상으로 회전되는 한편, 상기 노즐이 기판 위에서 휩쓸고 지나가고, 상기 기판은 음파에 의해 액체를 요동시키기 전에 브러쉬부에서 세척될 수 있음과 더불어, 본 발명에 따른 장치는 0°보다 큰 각위치(θ)를 갖는 노즐과 유체로 연통되는 아암(202)을 갖추며, 상기 노즐 아래에 위치된 기판 회전기(212)도 있다.

Description

높은 회전수의 메가소닉 세척 {HIGH RPM MEGASONIC CLEANING}
반도체 장치의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 웨이퍼의 오염물질을 세척해야만 한다. 제거되지 않으면, 이 웨이퍼의 오염물질은 장치의 이행성능에 악영향을 끼칠 수 있고, 장치의 고장이 평상시보다 빠르게 일어날 수 있다. 일반적으로, 웨이퍼의 오염물질에는 두가지 유형이 있는데, 미립자와 금속이다. 미립자들은 쉽게 한정될 수 있는 경계를 갖는 웨이퍼의 표면에 존재하는 재료의 아주 작은 조각들로서, 예컨대 실리콘 먼지와, 실리카(SiO2), 슬러리 찌꺼기, 중합체 찌꺼기, 금속박편, 대기중의 먼지, 플라스틱 입자들 및, 규산염 입자들이다.
미립자들인 오염물질을 제거하는 한가지 방법으로는, 메가소닉 헹굼이 있다. 이 메가소닉 헹굼은 공동화(空洞化)를 수반하는데, 이 공동화로 음파진동의 작용하에서 액체매개체에 극히 작은 물방울이 급속히 생성되고 소멸된다. 음파진동은 상기 액체가 충격파를 받게 함을 수반하고, 메가소닉 헹굼을 위해 이들 충격파는 0.4부터 1.5Mhz까지의 진동수로 일어난다. 메가소닉 헹굼에서, 공동화된 액체는 급회전하는 웨이퍼의 표면에 분무된다.
공동화된 액체가 급회전하는 웨이퍼에 분무될 때, 경계층(즉, 액체의 박막층)이 웨이퍼의 표면에 걸쳐 형성된다. 웨이퍼가 회전함에 따라, 상기 경계층의 액체는 통상 웨이퍼의 회전운동과 관련된 구심력 때문에 웨이퍼의 표면을 가로질러 외부로 흐르는 방사상의 흐름을 갖는다. 일반적으로, 웨이퍼의 회전이 빠르면 빠를수록, 상기 액체가 급회전하는 웨이퍼와 관련된 구심력에 의해 웨이퍼의 외부선단으로 더욱 세게 이동되기 때문에 경계층은 더욱 얇아진다. 상기 경계층의 액체는 웨이퍼의 표면을 가로질러 흐르고, 웨이퍼의 선단에 도착하면 결국 웨이퍼를 벗어나 비산(飛散)한다. 계속적인 액체의 메가소닉 분무는 분리되는 액체가 새로이 분무된 액체에 의해 동시에 대체되기 때문에 경계층의 두께를 안정되게 유지한다.
웨이퍼의 표면상에서 경계층의 액체에 일어나는 공동화 활동이 웨이퍼의 표면과 관련된 미립자인 오염물질을 제거하고 분해시킨다. 상기 물방울은 "펑" 터지며 오염물질을 분해하게 한다. 또한, 경계층의 액체가 웨이퍼의 표면을 가로질러 그 선단쪽으로 흐르기 때문에, 분해된 입자들은 웨이퍼의 표면을 거쳐 유체흐름에 의해 이송되고 결국 웨이퍼의 선단에서 액체와 함께 비산된다. 회전하는 웨이퍼와 관련된 구심력은 생성된 유체흐름 외에 별도로 입자들의 바깥쪽 이동에도 기여한다. 이러한 방식으로 메가소닉 헹굼은 웨이퍼의 세척에 도움이 된다.
메가소닉 헹굼은 메가소닉 분무장치 및 웨이퍼 회전기에 구비된 임의의 장치에서 이행될 수 있다. 한 예로, 도 1에 도시된 바와 같은 웨이퍼 세척시스템(100)을 구비한다. 도 1에 도시된 이 시스템(100)에서, 세척을 필요로 하는 웨이퍼는 순차대기부(110)에 위치되고, 각각의 내부 및 외부 브러쉬부(120,130)에서 브러쉬에 의해 세척된다. 다음으로, 웨이퍼는 헹굼과 회전 및 건조부(140)에서 헹궈지고 회전되면서 건조된다. 이 헹굼과 회전 및 건조부(140)가 전술한 바와 같은 메가소닉 헹굼이 일어날 수 있는 곳이다. 즉, 헹굼부(140)는 메가소닉 분무장치를 구비하고 있다.
메가소닉 분무기술이 갖는 문제점은 비교적 미완성이라는 것이다. 따라서, 세척효율에 다양한 메가소닉 분무의 처리변수들의 영향(즉, 메가소닉 분무처리에 의해 웨이퍼의 표면으로부터 제거된 입자들의 수나 비율)이 잘 알려져 있지 않다.
본 발명은 전체적으로 기판세척에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼용 메가소닉 세척에 관한 것이다.
도 1은 브러쉬 세척시스템의 예시도이고,
도 2a와 도 2b 및 도 2c는 메가소닉 분무장치의 예시도,
도 3은 0이 아닌 각위치를 갖는 노즐의 예시도이다.
본 발명은 기판 위에 위치된 노즐로부터 기판으로 메가소닉 진동수에서 음파에 의해 요동치는 액체의 분무를 포함하는 방법을 기술한다. 동시에, 상기 기판은 300RPM 이상으로 회전되는 한편, 노즐은 기판 위를 휩쓸고 지나간다. 상기 기판은 음파로 액체를 요동시키기 전에 브러쉬부에서 세척(솔질)된다.
또한, 0°보다 큰 각위치(θ)를 갖는 노즐과 유체로 연통되는 아암을 갖춘 장치가 기술된다. 상기 노즐 아래에 위치된 기판 회전기도 있다.
본 발명은 첨부도면에 의해 제한되지 않고 단지 예로 도해되되, 유사한 부재는 유사한 참조번호로 표시된다.
본 발명은 기판 위에 위치된 노즐로부터 기판으로 메가소닉 진동수에서 음파에 의해 요동치는 액체의 분무를 포함하는 방법을 기술한다. 동시에, 상기 기판은 300RPM 이상으로 회전되는 한편, 노즐은 기판 위를 휩쓸고 지나간다. 상기 기판은 음파로 액체를 요동시키기 전에 브러쉬부에서 세척(솔질)된다.
또한, 0°보다 큰 각위치(θ)를 갖는 노즐과 유체로 연통되는 아암을 갖춘 장치가 기술된다. 상기 노즐 아래에 위치된 기판 회전기도 있다.
본 발명에 따른 상기 및 다른 실시예는 아래의 기술에 따라 실현될 수 있으며, 다양한 응용과 변형이 본 발명의 광범위한 정신과 범주로부터 벗어남 없이 아래의 기술내에서 이루어질 수 있다. 따라서, 명세서와 도면은 제한적이라기보다는 예로 간주되며, 본 발명은 단지 청구범위의 내용으로 판단될 것이다.
도 2에 전술된 메가소닉 분무장치(200)의 예가 도시되어 있는 바, 이는 아암(202)에 부착된 노즐(201)을 갖추고, 액체는 튜브를 통해, 또는 아암(202)에 있는 다른 중공의 통로를 통해 흐른 후, 노즐(201)을 통해 웨이퍼(204)의 분무될곳으로 흐른다. 따라서, 상기 아암(202)과 노즐(201)은 유체로 연통된다. 상기 웨이퍼(204)는 웨이퍼 회전장치(212a,212b,212c)에 의해 회전된다. 상기 액체는 전형적으로 노즐(210)내에 위치된 압전결정에 의해 노즐(201)내에서 공동화되고, 동력장치(203)에 의해 구동된다. 다수의 메가소닉 분무의 처리변수가 노즐(201)의 위치와 관계가 있다.
상기 노즐(201)은 여러 다른 방식으로 위치될 수 있는 바, 우선 웨이퍼(204) 위에서 노즐(201)의 높이(205;이하 "노즐높이"라 함)는 전형적으로 웨이퍼(204) 위에서 아암(202)의 높이(216)를 조절함으로써 변화될 수 있다. 또한, 상기 노즐(201)은 전형적으로 회전되게 되는데, 이러한 노즐은 회전가능한 노즐이라 할 수 있다. 도 2의 실시예에서, 노즐헤드는 각각 3개의 각위치(θ(206),φ(207), α(208))를 형성하는 x축(209), y축(210), z축(211) 주위로 회전한다. 따라서, 노즐(201)의 위치는 4개의 가능한 처리변수, 즉 노즐높이(205)와 3개의 각위치 (θ(206),φ(207),α(208))로 설명될 수 있다.
다른 메가소닉 분무의 변수는 웨이퍼 회전장치(212a,212b,212c)에 의해 구동될 때 웨이퍼(204)의 회전속도(이하 "웨이퍼속도"라 함)와 관계가 있다. 이 웨이퍼속도는 전형적으로 분 당 웨이퍼의 회전수(또는 RPM)의 단위로 주어진다. 전술된 바와 같이, 웨이퍼가 빨리 회전할 수록, 상기 액체가 급회전하는 웨이퍼(204)와 관련된 구심력에 의해 웨이퍼의 외부선단으로 더욱 세게 이동되기 때문에 경계층(213)은 더욱 얇아진다. 이는 웨이퍼(204)의 표면에 걸쳐 방사상 방향으로 흐르는 경계층(213) 액체의 보다 빠른 유체흐름에 상응하게 된다.
또 다른 메가소닉 분무의 변수는 웨이퍼(204)의 위치에 대한 노즐(201)의 운동과 관계된다. 대부분의 메가소닉 분무장치는 노즐(201)이 웨이퍼(204)의 표면 위에서 x축(209)을 따라 앞뒤(214)로 이동되게 한다. 즉, 도 2를 참조하면 상기 노즐(201)은 웨이퍼의 중심(215)으로부터 웨이퍼의 선단(216)으로 이동되고, 그 다음에 웨이퍼의 중심(215)으로(즉, 웨이퍼(204)의 반경에 걸쳐 앞뒤로) 되돌아간다. 이러한 운동(웨이퍼의 중심(215)으로부터, 그리고 되돌아가는)을 휩쓸고 지나감이라 한다. 따라서, 추가적인 처리변수는 완벽한 웨이퍼(204)의 헹굼마다 각각의 휩쓸고 지나감에 대해 소요된 시간은 물론 완벽한 웨이퍼(204)의 헹굼마다 휩쓸고 지나간 수와 관계된다. 소요된 시간이 곱해진 휩쓸고 지나간 수는 완벽한 웨이퍼(204)의 헹굼마다 휩쓸고 지나간 전체 시간이라 할 수 있다. 물론, 다른 휩쓸고 지나감의 경향이 가능하다.
따라서, 처리변수들은 다음과 같이 특징지어질 수 있는 바, 1) 웨이퍼(204)의 회전에 관련된 것(웨이퍼속도)과; 2) 노즐(201)에 관련된 것(노즐높이(205) 및 각위치(θ(206),φ(207),α(208))); 3) 웨이퍼(204)의 위치와 함께 노즐(201)의 상대운동에 관련된 것(휩쓸고 지나간 수와 휩쓸고 지나감마다 소요된 시간) 및; 노즐(201)을 통한 액체의 흐름율과 사용된 액체의 유형 및 메가소닉 진동의 진동수와 같은 추가적인 변수들이다.
아래에는 세척효율에 관련된 메가소닉의 다양한 처리변수를 더욱 잘 이해하기 위해서 이행된 일련의 실험들과 관련하여 기술한다. 완벽한 웨이퍼의 헹굼마다 1번, 2번, 3번의 휩쓸고 지나감에 대해 관찰이 이루어졌다. 또한, 10초(1번의 휩쓸고 지나감 X 휩쓸고 지나감마다 10초씩)에서 84초(3번의 휩쓸고 지나감 X 휩쓸고 지나감마다 28초씩)까지의 휩쓸고 지나간 전체 시간의 범위내에서 일어나는 10초, 14초, 20초, 28초에서의 휩쓸고 지나감마다 소요된 시간에 대한 추가적인 관찰이 이루어졌다. 1.5Mhz의 메가소닉 진동수가 사용되었다. 노즐(201)을 통한 액체의 흐름율은 0.8리터/분에서 2.0리터/분까지의 범위내에 있다. 사용된 액체는 18MΩ의 저항을 갖는 탈이온화수이다.
이들 모든 실험은 온트랙(OnTrak™) 시리즈 Ⅱ 디에스에스(DSS)-200 세척시스템에서 이행되었다. 150mm와 200mm 웨이퍼가 처리되었다. 이들 웨이퍼는 다음과 같은 다수의 반도체 처리방법으로 처리되었는 바, 1) 후 쉘로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation) 화학기계적 광택(Chemical Mechanical Polishing:이하 CMP)처리; 2) 후 텅스텐 CMP처리; 3) 후 구리 CMP처리; 4) 후 산화물 CMP처리; 5) 텡스텐 엣취 백(Tungsten Etch Back)처리 및; 6) 잉크젯 프린터에 사용된 Si장치의 처리와 관련된 "실리콘(Si) 드릴링" 등이 있다. 실리콘 드릴링에서는, 천공이 이행된 후에 철저한 세척을 필요로 하는 구멍들이 웨이퍼(204)의 두께에 걸쳐 형성된다. 실리콘 드릴링은 전형적으로 0.5㎛ 보다 큰 입자들을 생성한다.
전형적으로, 이들 모든 방법(과 도 1을 참조로 하면)에 있어서, 웨이퍼는 헹굼과 회전 및 건조부(140)에 위치되기 전에 내부 및 외부 브러쉬부(120,130)에서 세척(솔질)된다. 상기 헹굼과 회전 및 건조부(140)에서, 메가소닉 액체는 건조될 때까지 단순히 회전하기 전에, 휩쓸고 지나가는 전체 시간동안 웨이퍼에 분무된다. 웨이퍼가 헹굼과 회전 및 건조부(140)를 떠나면 출력부(150)로 들어간다. 이들 실험은 특히 웨이퍼 또는 실리콘 웨이퍼와는 대조적으로 통상 기판으로 더욱 확장될 수 있다.
웨이퍼속도
메가소닉 헹굼동안 전형적인 산업용 웨이퍼의 속도는 100-300RPM의 범위내에 있다. 여기서, 현저하게 향상된 세척효율은 1000-1400RPM의 범위에서의 웨이퍼속도에 대해 관찰된다. 10mm인 노즐높이(205)를 이용하는 한 실험에서, 평균 세척효율은 1000-1400RPM의 범위까지 웨이퍼속도를 증가시킴으로써 간단히 2개의 인자 이상(0.15㎛ 보다 큰 입자에 대해 14.5%에서 30%까지)으로 향상되는 100-300RPM의 속도에서 얻어진다. 0.5㎛ 보다 큰 입자에 대해서, 시각적인 관찰로 1000-1400RPM의 범위내에서 50%를 훨씬 넘은 세척효율이 나타났다. 일반적으로, 세척효율은 다른 모든 처리변수들이 고정된 채 웨이퍼속도가 100-300RPM에서 1000-1400RPM으로 증가될 때, 대략 2배(예컨대 다른 실험에서는 20% 내지 37.5%)로 향상되는 것이 발견되었다. 더구나, 대략 2배보다 못한 향상은 400에서 1000까지의 RPM값에서 관찰되었다. 따라서, 세척효율에서 300RPM 이상인 웨이퍼속도의 효과가 관찰되었다.
세척효율은 웨이퍼속도의 증가로 향상되었다. 보다 높은 웨이퍼속도에서, 웨이퍼(204)의 표면을 가로지르는 액체의 방사상 흐름이 증가하기 때문에 경계층(213)의 두께가 (노즐(201)로부터의 고정된 흐름율에 대해)감소된다. 세척효율은 감소된 두께 또는 증가된 방사상 흐름율 때문에 향상되는 것으로 생각된다. 생각컨대, 분해된 입자를 보다 높은 경계층(213)의 방사상의 흐름조건하에서 웨이퍼(204)의 표면에 다시 부착하기가 더욱 어렵게 된다.
노즐위치
메가소닉의 헹굼의 기술분야에서는 노즐높이(205)가 각위치(θ(206),φ(207) ,α(208)) 모두가 0으로 설정된 채 웨이퍼(204)의 위에 10mm-20mm로 되는 것이 권장되는 것으로 통상 알려져 있다. 웨이퍼 세척효율은 이 범위내에서 균일하게 되는데, 10mm-20mm의 노즐높이(205)로 성취되고 노즐(201)의 각위치(θ(206),φ(207),α(208)) 모두가 도 2에 도시된 바와 같이 0으로 되는, 관찰된 세척효율에 변화가 거의 없다. 관찰된 세척효율은 전형적으로 50±5% 근처에 있다.
웨이퍼 세척효율이 각위치(θ(206), φ(207), α(208))가 0으로 설정된 채 10mm 이하인 노즐높이(205)에 대해 부적당한 수준으로 떨어지는 것이 발견되었다. 하지만, 도 3을 참조하면 적당한 세척효율이 0이 아닌 각위치(θ(306))를 갖는 10mm 이하(10mm 이상 뿐만 아니라)인 노즐높이(305)에 대해서 관찰되었다. 0이 아닌 각위치(θ(306))가 공동화 활동을 향상시키는 것으로 생각된다. 특히, 도 2a 및 도 2b를 다시 참조하면, θ는 0°이고 α가 0°일 때(즉, 노즐(201)이 웨이퍼(204)에 대해 직각인 경사각으로 유체흐름을 향하도록 위치될 때), 노즐(201)을 통해 방사되는 음파(메가소닉 유니트(203)로부터의)가 웨이퍼(204)의 표면에서 반사하고 노즐(201)내의 공동화를 위해 사용된 음파의 진폭을 소멸시키거나 감소시키는 것으로 생각된다. 해체적인 간섭이 감소된 세척효율을 일으킨다.
따라서, 도 3을 다시 참조하면, 노즐(301)을 기울임(도시된 바와 같이 θ가 0이 아니 되도록)으로써 반사된 음파가 노즐(301)로 들어가지 않게 된다. 현저한 세척효율의 향상이 2°보다 큰 값의 θ(306)에서 볼 수 있다. 3mm 또는 그 이상의노즐높이(305)에서, 최적의 세척효율은 세척효율(45°의 효율부터)의 점진적인 감소가 55°그리고 보다 높은 각도에서 시작함에 따라 45°에서 나타난다.
도 2a와 도 2b를 다시 참조하면, 전술되고 권장된 10mm인(θ,φ,α가 0°이면서) 최소의 노즐높이(205)는 반사된 음파에너지를 소비하는 데에 사용된다. 즉, 상기 노즐높이(205)가 10mm이거나 보다 높을 때 노즐(201)로 들어가는 반사된 음파는 불충분한 진폭을 가져 메가소닉 유니트(203)의 공동화 활동을 현저히 감소시킨다. 이와 같이, 도 3을 다시 참조하면 3mm와 같이 낮은 노즐높이(305)가 0이 아닌 θ(306) 각도와 함께 사용되었다.
예컨대, 0°, 30°, 45°인 θ(306)값과 함께 3mm인 노즐높이(305)에서, 0.15㎛(직경이)보다 큰 입자에 대한 관찰된 세척효율은 각각 23%, 32%, 38%였다. 따라서, 세척효율은 증가하는 θ(306)에 의해 향상되었다.
휩쓸고 지나간 수와 이에 소요된 시간
세척효율은 20초 이상이 휩쓸고 지나간 전체 시간(즉, 웨이퍼의 청소주행마다 : 휩쓸고 지나간 수 X 휩쓸고 지나감마다 소요된 시간)으로 적당하다. 즉, 세척효율은 휩쓸고 지나간 전체 시간이 20초 이상이면 휩쓸고 지나간 전체 시간에 크게 관계없다. 하지만, 400RPM이상인 웨이퍼속도의 값에서는, 휩쓸고 지나간 전체시간에 대해 10초와 같이 적게 세척효율의 향상(100-300RPM에서의 웨이퍼속도에 비해)이 관찰되었다. 10초 이하에서는 세척효율이 현저하게 떨어지는데, 이는 웨이퍼의 표면에서 일어나는 입자제거에 필요한 공동화 활동에 대한 노출의 부족에 기인한다.
액체 및 액체 흐름율
한 실시예에서, 18MΩ의 저항(0.8에서 2.0리터/분까지의 흐름율에서)을 갖는 탈이온화수가 사용된다. 일반적으로 세척효율은 흐름율에 의해 향상된다. 한 실시예에서, 최적의 세척효율은 2.0리터/분 주위에서의 흐름율에 의해 일어난다. 증가된 웨이퍼속도와 마찬가지로, 증가된 흐름율이 웨이퍼(204)의 표면 위에서 보다 빠른 흐름율 또는 웨이퍼의 표면 위에서 더욱 큰 공동화 활동을 생성하는 것으로 생각된다. 이를 위해, 흐름율은 노즐 개구부(230)에서 측정된다. 사용될 수 있는 다른 액체로는 묽은 암모니아와 SCl(체적의 비로 1:4:20인 NH4OH:H2O2:H2O) 및 표면활성제가 포함된다.
메가소닉 진동수
한 실시예에서, 메가소닉 진동수는 1.5Mhz에 고정된다. 하지만, 전술한 바와 같이, 전형적인 작용 메가소닉 진동수의 범위는 0.4-1.5Mhz이다.
처리
일반적으로 보다 우수한 세척효율은 다음을 갖춘 처리들로 성취될 수 있는 바, 1) 1000RPM 이상인 웨이퍼속도; 2) 10mm 보다 높은 노즐높이와 2°보다 큰 노즐각(θ); 3) 20초 이상인 휩쓸고 지나간 전체 시간; 4) 1.5리터/분 또는 그 이상으로 18MΩ의 저항성인 탈이온화수의 흐름을 갖는다.

Claims (23)

  1. 기판 위에 위치된 노즐로부터 기판에 메가소닉 진동수로 음파에 의해 요동치는 액체를 분무하는 단계와; 상기 액체의 분무와 동시에 300RPM 이상으로 기판을 회전시키는 단계 및; 상기 액체의 분무와 동시에 기판 위로 상기 노즐을 휩쓸고 지나가게 하는 단계;로 이루어진 메가소닉 세척방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 회전이 1000RPM 또는 이 보다 높게 일어나는 메가소닉 세척방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 휩쓸고 지나감은 10초 또는 이 이상의 휩쓸고 지나가는 전체 시간 동안 일어나는 메가소닉 세척방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 노즐의 휩쓸고 지나감은 20초인 휩쓸고 지나가는 전체 시간에 따라 일어나는 메가소닉 세척방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 액체의 분무는 0.8부터 2.0리터/분까지의 흐름율로 일어나는 메가소닉 세척방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 분무 전에 아암을 통해 액체를 흐르게 하는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 기판 위에서 10mm에서부터 20mm까지의 높이에 노즐을 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  8. 제 1항에 있어서, 0°보다 큰 각위치(θ)에 노즐을 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 45°에서부터 55°까지의 각위치(θ)에 노즐을 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  10. 브러쉬부에서 기판을 세척하는 단계와; 기판 위에 위치된 노즐로부터 기판에 메가소닉 진동수로 음파에 의해 요동치는 액체를 분무하는 단계; 상기 액체의 분무와 동시에 300RPM 이상으로 기판을 회전시키는 단계 및; 상기 액체의 분무와 동시에 기판 위로 상기 노즐을 휩쓸고 지나가게 하는 단계;로 이루어진 메가소닉 세척방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 세척 전에 기판에 화학기계적 광택(CMP)처리를 이행하는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 CMP처리는 쉘로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation) 영역에서 이행되는 메가소닉 세척방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 CMP처리는 텅스텐, 구리, 산화물 중 하나에서 이행되는 메가소닉 세척방법.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 세척 전에 기판에 텅스텐 엣취 백(Tungsten EtchBack)처리를 이행하는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 세척 전에 기판에 실리콘 드릴링을 이행하는 단계를 추가로 포함하는 메가소닉 세척방법.
  16. 아암과; 0°보다 큰 각위치(θ)를 갖는 아암과 유체로 연통되는 노즐 및; 이 노즐 아래에 위치된 기판 회전기;를 구비한 메가소닉 세척장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 아암과 노즐은 헹굼과 회전 및 건조부내에 위치되는 메가소닉 세척장치.
  18. 제 17항에 있어서, 헹굼과 회전 및 건조부에 결합된 브러쉬부를 추가로 구비한 메가소닉 세척장치.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 각위치(θ)는 45°인 메가소닉 세척장치.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 기판 회전기는 400RPM 또는 이 이상으로 기판을 회전시키는 메가소닉 세척장치.
  21. 기판 위에 위치된 노즐로부터 기판에 메가소닉 진동수로 음파에 의해 요동치는 액체를 분무하는 수단과; 상기 액체의 분무와 동시에 300RPM 이상으로 기판을 회전시키는 수단 및; 상기 액체의 분무와 동시에 기판 위로 상기 노즐을 휩쓸고 지나가게 하는 수단;을 구비한 메가소닉 세척장치.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 기판 위에서 10mm에서부터 20mm까지의 높이에 노즐을 위치시키는 수단을 추가로 구비하는 메가소닉 세척장치.
  23. 제 21항에 있어서, 0°보다 큰 각위치(θ)에 노즐을 위치시키는 수단을 추가로 구비하는 메가소닉 세척장치.
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