JPH11186206A - 表面洗浄装置 - Google Patents
表面洗浄装置Info
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- JPH11186206A JPH11186206A JP35687097A JP35687097A JPH11186206A JP H11186206 A JPH11186206 A JP H11186206A JP 35687097 A JP35687097 A JP 35687097A JP 35687097 A JP35687097 A JP 35687097A JP H11186206 A JPH11186206 A JP H11186206A
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- acceleration nozzle
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エアロゾルの洗浄力を高め、被洗浄物の種類
によって洗浄力を調整可能とし、発塵量も減らす。 【解決手段】 加速ノズル１０８を一体加工品で構成
し、加速ノズル１０８と被洗浄物（ウェハ１０）の表面
間の距離を調整可能とし、加速ノズル１０８のノズル穴
１０９を、出口方向に広がった形状とする。
によって洗浄力を調整可能とし、発塵量も減らす。 【解決手段】 加速ノズル１０８を一体加工品で構成
し、加速ノズル１０８と被洗浄物（ウェハ１０）の表面
間の距離を調整可能とし、加速ノズル１０８のノズル穴
１０９を、出口方向に広がった形状とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面洗浄装置に係
り、特に、半導体用ウェハのような平板の表面を洗浄す
る際に用いるのに好適な、洗浄力が高く、被洗浄物の種
類によって洗浄力を調整でき、発塵量も少ない表面洗浄
装置に関する。
り、特に、半導体用ウェハのような平板の表面を洗浄す
る際に用いるのに好適な、洗浄力が高く、被洗浄物の種
類によって洗浄力を調整でき、発塵量も少ない表面洗浄
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程における半導体用ウェハ
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させる。このため、前記ウェハ等の表面
洗浄が極めて重要である。
の表面上や、液晶（ＬＣＤ）あるいは太陽電池等の表面
上の微粒子（パーティクル）や汚れは、最終製品の歩留
りを大きく低下させる。このため、前記ウェハ等の表面
洗浄が極めて重要である。
【０００３】従って従来から、種々の表面洗浄方法が提
案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の
純水洗浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素
液や硫酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を侵
漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
案されており、半導体製造を例に採ると、超音波併用の
純水洗浄、純水中に薬液（例えばアンモニア過酸化水素
液や硫酸過酸化水素液）を加えた溶液中に被洗浄物を侵
漬し、洗浄する等の湿式洗浄方式が用いられている。
【０００４】しかしながら、この種の湿式洗浄方式は、
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
各種設備の設置面積が大きく、廃液処理も必要であると
いう問題がある。
【０００５】一方、液体を用いない乾式洗浄方式とし
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル状の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
て、ガスを加え化学反応を利用したドライクリーニング
があるが、パーティクル状の汚染物が除去できないとい
う問題がある。
【０００６】更に、ドライアイスや氷、アルゴン固体等
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させ、パーティクルを
除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に、鉄鋼や石油精製の廃ガ
スを原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れて
いるため、不純物汚染の問題がある。
の微粒子を、被洗浄物表面に衝突させ、パーティクルを
除去することも考えられているが、氷を用いた場合に
は、被洗浄物の表面が損傷を受ける恐れがあり、ドライ
アイスを用いた場合には、特に、鉄鋼や石油精製の廃ガ
スを原料とする市販品では、ドライアイス自体が汚れて
いるため、不純物汚染の問題がある。
【０００７】これらに対して、特開平６−２５２１１４
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を用いる方法によれば、上記のような問題は存
在しない。
や特開平６−２９５８９５に記載された、アルゴン固体
の微粒子を用いる方法によれば、上記のような問題は存
在しない。
【０００８】例えば、特開平６−２９５８９５では、図
１０に示す如く、アルゴン（Ａｒ）ガスのボンベ２０か
ら圧力調整弁２２を介して供給されるアルゴンガスと、
窒素（Ｎ2 ）ガスのボンベ２４から圧力調整弁２６を介
して供給される窒素ガスを合流点３０で混合し、該合流
点３０で混合されたＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを、配管３２を
介してフィルタ３４でガス中の粒子を除去した後、配管
３６を介して冷却器（又は熱交換器）３８で、当該冷却
器３８の到達冷却温度が、その圧力でのアルゴンガスの
液化点近傍温度となるように冷却する。冷却された混合
ガスは、配管４０を介してエアロゾル噴射ノズル４２に
より、被洗浄物であるウェハ１０等が走査機構１２の移
動台１３上に載置されて収容されている、洗浄室１４を
構成する真空容器内に噴出される。真空容器内の圧力
は、アルゴンのエアロゾルを形成するように、三重点以
下に維持される。エアロゾル噴射ノズル４２から噴出さ
れた混合ガスは、真空容器である洗浄室１４内で断熱膨
脹し、アルゴンの固体、気体の混合体であるエアロゾル
を形成するので、多量のアルゴン微粒子を含むエアロゾ
ルがウェハ１０の表面に噴射され、効率的に洗浄され
る。
１０に示す如く、アルゴン（Ａｒ）ガスのボンベ２０か
ら圧力調整弁２２を介して供給されるアルゴンガスと、
窒素（Ｎ2 ）ガスのボンベ２４から圧力調整弁２６を介
して供給される窒素ガスを合流点３０で混合し、該合流
点３０で混合されたＡｒ＋Ｎ2 混合ガスを、配管３２を
介してフィルタ３４でガス中の粒子を除去した後、配管
３６を介して冷却器（又は熱交換器）３８で、当該冷却
器３８の到達冷却温度が、その圧力でのアルゴンガスの
液化点近傍温度となるように冷却する。冷却された混合
ガスは、配管４０を介してエアロゾル噴射ノズル４２に
より、被洗浄物であるウェハ１０等が走査機構１２の移
動台１３上に載置されて収容されている、洗浄室１４を
構成する真空容器内に噴出される。真空容器内の圧力
は、アルゴンのエアロゾルを形成するように、三重点以
下に維持される。エアロゾル噴射ノズル４２から噴出さ
れた混合ガスは、真空容器である洗浄室１４内で断熱膨
脹し、アルゴンの固体、気体の混合体であるエアロゾル
を形成するので、多量のアルゴン微粒子を含むエアロゾ
ルがウェハ１０の表面に噴射され、効率的に洗浄され
る。
【０００９】図において、１６は、洗浄室１４内を真空
に排気するための排気装置である。
に排気するための排気装置である。
【００１０】この表面洗浄装置においては、エアロゾル
噴射ノズル４２に設けられたノズル穴４３を介して、冷
却器３８で冷却されたアルゴンガスを洗浄室１４中に噴
出させ、急激な断熱膨脹によって多数のエアロゾル（液
体、固体、気体、あるいは固体と液体及び気体の混合物
からなる極微粒子のガス状懸濁物）を形成させ、ウェハ
１０の表面に噴き付けて、微粒子の衝撃力を利用して表
面洗浄を行う。
噴射ノズル４２に設けられたノズル穴４３を介して、冷
却器３８で冷却されたアルゴンガスを洗浄室１４中に噴
出させ、急激な断熱膨脹によって多数のエアロゾル（液
体、固体、気体、あるいは固体と液体及び気体の混合物
からなる極微粒子のガス状懸濁物）を形成させ、ウェハ
１０の表面に噴き付けて、微粒子の衝撃力を利用して表
面洗浄を行う。
【００１１】即ち、エアロゾル噴射ノズル４２と洗浄室
１４内の圧力差が適切であれば、アルゴン微粒子の表面
のみが固化して殻状となり、内部が液体のままであるの
で、ウェハ１０の表面に衝突した際に殻が割れ、弾性的
に反射することがない。従って洗浄能力が向上する。
１４内の圧力差が適切であれば、アルゴン微粒子の表面
のみが固化して殻状となり、内部が液体のままであるの
で、ウェハ１０の表面に衝突した際に殻が割れ、弾性的
に反射することがない。従って洗浄能力が向上する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄室
１４中に噴出されたエアロゾルは、被洗浄物１０の表面
に達する前に、周囲のガスにその運動量を奪われ、速度
が落ちてしまうため、衝撃力、従って洗浄力が弱く、強
固な付着力を持つ汚染物やエッチング残渣を除去し難い
という問題点を有していた。
１４中に噴出されたエアロゾルは、被洗浄物１０の表面
に達する前に、周囲のガスにその運動量を奪われ、速度
が落ちてしまうため、衝撃力、従って洗浄力が弱く、強
固な付着力を持つ汚染物やエッチング残渣を除去し難い
という問題点を有していた。
【００１３】このような問題点を解決するべく、不活性
ガス（被洗浄物の表面に対して、化学的に無害なガス）
を噴射して、噴出したエアロゾルを加速することが考え
られるが、加速ノズルによって、発塵量が増える恐れが
ある。
ガス（被洗浄物の表面に対して、化学的に無害なガス）
を噴射して、噴出したエアロゾルを加速することが考え
られるが、加速ノズルによって、発塵量が増える恐れが
ある。
【００１４】又、被洗浄物の種類によって洗浄力を変更
したい場合があるが、従来は、洗浄力を独立に変更でき
なかった。
したい場合があるが、従来は、洗浄力を独立に変更でき
なかった。
【００１５】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、洗浄力が高く、被洗浄物の種類によ
って洗浄力を調整でき、発塵量も少ない表面洗浄装置を
提供することを課題とする。
くなされたもので、洗浄力が高く、被洗浄物の種類によ
って洗浄力を調整でき、発塵量も少ない表面洗浄装置を
提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、被洗浄物の表
面に向けてエアロゾルを噴射するエアロゾル噴射ノズル
と、該エアロゾル噴射ノズルから噴出したエアロゾルを
加速するための不活性ガスを噴射する加速ノズルを含む
表面洗浄装置において、前記加速ノズルを一体加工品で
構成し、該加速ノズルと被洗浄物表面間の距離を調整可
能とし、該加速ノズルのノズル穴を、出口方向に広がっ
た形状とすることにより、前記課題を解決したものであ
る。
面に向けてエアロゾルを噴射するエアロゾル噴射ノズル
と、該エアロゾル噴射ノズルから噴出したエアロゾルを
加速するための不活性ガスを噴射する加速ノズルを含む
表面洗浄装置において、前記加速ノズルを一体加工品で
構成し、該加速ノズルと被洗浄物表面間の距離を調整可
能とし、該加速ノズルのノズル穴を、出口方向に広がっ
た形状とすることにより、前記課題を解決したものであ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１８】本実施形態が適用される半導体用ウェハの
表面洗浄装置の全体構成を図１に示す。この表面洗浄装
置には、装置外部から被洗浄物であるウェハ１０が多数
収容されたカセット５２が交互に搬入出され、真空状態
に排気される２つのカセット室５４、５６と、洗浄前の
ウェハ１０を、前記カセット室５４、５６の一方のカセ
ット５２から１枚ずつ引き出して、矢印Ａに示す如く、
次のバッファ室６２に搬入すると共に、洗浄後のウェハ
を、バッファ室６２から搬出して、矢印Ｂに示す如く、
所定のカセット５２に挿入するための、ウェハハンドリ
ング用の真空ロボット５８が配設されたロボット室６０
と、常時、真空に保たれているロボット室６０とノズル
４２から噴射されるエアロゾルにより真空度が低下する
洗浄室１４間の圧力差を解消して、ウェハの受け渡しを
するためのバッファ室６２と、該バッファ室６２内で待
機しているウェハを、移動台１３を構成するプロセスハ
ンドにより洗浄室１４に搬入し、Ｘ方向、Ｙ方向に走査
するための走査機構１２と、下を通過するウェハに対し
てエアロゾルを噴射して洗浄するためのノズル４２を備
えた洗浄室１４と、該ノズル４２に供給されるＡｒ＋Ｎ
2 混合ガスを冷却するための冷却器３８を構成する冷凍
機７６、コンプレッサ７８及び熱交換器８０と、前記カ
セット室５４、５６、ロボット室６０、バッファ室６
２、洗浄室１４を排気して真空にするための排気装置で
あるドライポンプ８２とが、主に備えられている。
表面洗浄装置の全体構成を図１に示す。この表面洗浄装
置には、装置外部から被洗浄物であるウェハ１０が多数
収容されたカセット５２が交互に搬入出され、真空状態
に排気される２つのカセット室５４、５６と、洗浄前の
ウェハ１０を、前記カセット室５４、５６の一方のカセ
ット５２から１枚ずつ引き出して、矢印Ａに示す如く、
次のバッファ室６２に搬入すると共に、洗浄後のウェハ
を、バッファ室６２から搬出して、矢印Ｂに示す如く、
所定のカセット５２に挿入するための、ウェハハンドリ
ング用の真空ロボット５８が配設されたロボット室６０
と、常時、真空に保たれているロボット室６０とノズル
４２から噴射されるエアロゾルにより真空度が低下する
洗浄室１４間の圧力差を解消して、ウェハの受け渡しを
するためのバッファ室６２と、該バッファ室６２内で待
機しているウェハを、移動台１３を構成するプロセスハ
ンドにより洗浄室１４に搬入し、Ｘ方向、Ｙ方向に走査
するための走査機構１２と、下を通過するウェハに対し
てエアロゾルを噴射して洗浄するためのノズル４２を備
えた洗浄室１４と、該ノズル４２に供給されるＡｒ＋Ｎ
2 混合ガスを冷却するための冷却器３８を構成する冷凍
機７６、コンプレッサ７８及び熱交換器８０と、前記カ
セット室５４、５６、ロボット室６０、バッファ室６
２、洗浄室１４を排気して真空にするための排気装置で
あるドライポンプ８２とが、主に備えられている。
【００１９】本実施形態は、このような表面洗浄装置に
おいて、図１０に示した従来例と同様の構成に加えて、
図２（管路図）、図３（図１のIII −III 線に沿う洗浄
室の縦断面図）、図４（洗浄室の横断面図）、図５（図
４のＶ−Ｖ線に沿う縦断面図）、図６（同じくVI−VI線
に沿う縦断面図）に示す如く、前記窒素ガスボンベ２４
から、圧力調整弁９０、配管９２、フィルタ９４、配管
９６を介して供給される窒素ガスを、ノズル４２のノズ
ル穴４３の近傍に噴射して、エアロゾルを加速する加速
ノズル１０８を追加したものである。
おいて、図１０に示した従来例と同様の構成に加えて、
図２（管路図）、図３（図１のIII −III 線に沿う洗浄
室の縦断面図）、図４（洗浄室の横断面図）、図５（図
４のＶ−Ｖ線に沿う縦断面図）、図６（同じくVI−VI線
に沿う縦断面図）に示す如く、前記窒素ガスボンベ２４
から、圧力調整弁９０、配管９２、フィルタ９４、配管
９６を介して供給される窒素ガスを、ノズル４２のノズ
ル穴４３の近傍に噴射して、エアロゾルを加速する加速
ノズル１０８を追加したものである。
【００２０】前記加速ノズル１０８の加工法としては、
溶接、ろう付け、圧入等が考えられるが、溶接やろう付
けは溶融部から、圧入は圧入部の隙間から微粒子を生
じ、ウェハ汚染の原因となる。そこで、本発明では、例
えばブロックから削り出して製造した一体加工品を用い
る。
溶接、ろう付け、圧入等が考えられるが、溶接やろう付
けは溶融部から、圧入は圧入部の隙間から微粒子を生
じ、ウェハ汚染の原因となる。そこで、本発明では、例
えばブロックから削り出して製造した一体加工品を用い
る。
【００２１】又、この加速ノズル１０８を使用した場
合、洗浄力を決める要因に、加速ノズル１０８からのガ
ス流れがウェハ１０に衝突する速度がある。自由噴流を
仮定すると、この速度は、完全発達領域では図７に示す
如く、加速ノズル出口からウェハまでの距離が長くなる
に従って減少する。従って、図４及び図６に詳細に示し
た如く、加速ノズル１０８を固定しているステー１１
０、１１２に長穴１１４を設け、該長穴１１４の範囲
で、ボルト１１６により、加速ノズル１０８の位置を上
下に調整可能としている。
合、洗浄力を決める要因に、加速ノズル１０８からのガ
ス流れがウェハ１０に衝突する速度がある。自由噴流を
仮定すると、この速度は、完全発達領域では図７に示す
如く、加速ノズル出口からウェハまでの距離が長くなる
に従って減少する。従って、図４及び図６に詳細に示し
た如く、加速ノズル１０８を固定しているステー１１
０、１１２に長穴１１４を設け、該長穴１１４の範囲
で、ボルト１１６により、加速ノズル１０８の位置を上
下に調整可能としている。
【００２２】図において、１２０は、洗浄室１４内の流
れを制御するためのシールド板である。
れを制御するためのシールド板である。
【００２３】又、前記加速ノズル１０８のノズル穴１０
９の形状をストレートにした場合、図８に破線Ｄで示す
如く、加速ノズル内の圧力を上げてもガス速度が上がら
ない臨界圧がある。このときの出口速度は、（２ｇ（ｋ
／ｋ＋１）ＲＴ）0.5 となり、温度のみの関数となる。
これに対して、図９に示すような、出口方向に例えば所
定角度θで広がった末広がりの形状とすれば、図８に実
線Ｅで示す如く、出口速度は加速ノズル内圧力の関数と
なり、速度を制御できる。即ち、圧力による洗浄力の制
御が可能となり、臨界圧がないため、高い洗浄力を持つ
加速ノズルとなる。
９の形状をストレートにした場合、図８に破線Ｄで示す
如く、加速ノズル内の圧力を上げてもガス速度が上がら
ない臨界圧がある。このときの出口速度は、（２ｇ（ｋ
／ｋ＋１）ＲＴ）0.5 となり、温度のみの関数となる。
これに対して、図９に示すような、出口方向に例えば所
定角度θで広がった末広がりの形状とすれば、図８に実
線Ｅで示す如く、出口速度は加速ノズル内圧力の関数と
なり、速度を制御できる。即ち、圧力による洗浄力の制
御が可能となり、臨界圧がないため、高い洗浄力を持つ
加速ノズルとなる。
【００２４】以下作用を説明する。
【００２５】前記エアロゾル噴射ノズル４２のノズル穴
４３からはアルゴン微粒子を含むエアロゾル、前記加速
ノズル１０８のノズル穴１０９からは加速用窒素ガスを
噴出させた状態で、例えば特開平６−２５２１１４や特
開平６−２９５８９５に記載された方法を用いて、走査
機構１２の移動台１３（例えばプロセスハンド）により
ウェハ１０を、図１の手前から奥の方に、ノズル穴のピ
ッチ分だけ横方向（Ｘ方向）に走査しながら、Ｙ方向に
ジグザグに送り込む。すると、ウェハ１０の表面には、
エアロゾル噴射ノズル４２から噴射され、加速ノズル１
０８から噴射される窒素ガスによって加速されたエアロ
ゾルが衝突し、高い洗浄力で、ウェハ１０の表面が洗浄
される。
４３からはアルゴン微粒子を含むエアロゾル、前記加速
ノズル１０８のノズル穴１０９からは加速用窒素ガスを
噴出させた状態で、例えば特開平６−２５２１１４や特
開平６−２９５８９５に記載された方法を用いて、走査
機構１２の移動台１３（例えばプロセスハンド）により
ウェハ１０を、図１の手前から奥の方に、ノズル穴のピ
ッチ分だけ横方向（Ｘ方向）に走査しながら、Ｙ方向に
ジグザグに送り込む。すると、ウェハ１０の表面には、
エアロゾル噴射ノズル４２から噴射され、加速ノズル１
０８から噴射される窒素ガスによって加速されたエアロ
ゾルが衝突し、高い洗浄力で、ウェハ１０の表面が洗浄
される。
【００２６】本実施形態においては、不活性ガスとして
窒素ガスを用いていたので、経済性が高い。なお、不活
性ガスの種類はこれに限定されず、例えばアルゴンガス
を用いることも可能である。
窒素ガスを用いていたので、経済性が高い。なお、不活
性ガスの種類はこれに限定されず、例えばアルゴンガス
を用いることも可能である。
【００２７】前記実施形態においては、本発明が、半導
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、ハードディスク、液晶、マイク
ロマシン、精密機械部品及び電子部品等の他の被洗浄物
の洗浄にも同様に適用できることは明らかである。
体用ウェハの洗浄に適用されていたが、本発明の適用対
象はこれに限定されず、ハードディスク、液晶、マイク
ロマシン、精密機械部品及び電子部品等の他の被洗浄物
の洗浄にも同様に適用できることは明らかである。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、エアロゾルの洗浄力を
高め、被洗浄物の種類によって洗浄力が調整でき、発塵
量も少なくなる。
高め、被洗浄物の種類によって洗浄力が調整でき、発塵
量も少なくなる。
【図１】本発明に係る半導体用ウェハの表面洗浄装置の
実施形態の全体構成を示す平面図
実施形態の全体構成を示す平面図
【図２】同じく管路図
【図３】前記実施形態の洗浄室の断面形状を示す縦断面
図
図
【図４】同じく横断面図
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う縦断面図
【図６】同じくVI−VI線に沿う縦断面図
【図７】本発明の原理を説明するための、加速ノズル出
口からウェハまでの距離と、加速ノズルからのガス流れ
がウェハに衝突する速度の関係の例を示す線図
口からウェハまでの距離と、加速ノズルからのガス流れ
がウェハに衝突する速度の関係の例を示す線図
【図８】同じく、加速ノズルの穴形状がストレートであ
る場合と末広がりである場合の、加速ノズル内の圧力と
ガス速度の関係の例を比較して示す線図
る場合と末広がりである場合の、加速ノズル内の圧力と
ガス速度の関係の例を比較して示す線図
【図９】前記実施形態で用いられている加速ノズルの穴
部断面形状を示す断面図
部断面形状を示す断面図
【図１０】特開平６−２９５８９５に記載された従来の
表面洗浄装置の構成を示す管路図
表面洗浄装置の構成を示す管路図
１０…ウェハ（被洗浄物） １２…走査機構 １３…移動台 １４…洗浄室（真空容器） １６…排気装置 ２０…アルゴン（Ａｒ）ガスボンベ ２４…窒素（Ｎ2 ）ガスボンベ ３４、９４…フィルタ ３８…冷却器 ４２…エアロゾル噴射ノズル ７６…冷凍機 ７８…コンプレッサ ８０…熱交換器 ８２…ドライポンプ（排気装置） １０８…加速ノズル １０９…ノズル穴 １１０、１１２…加速ノズル固定用ステー １１４…長穴 １１６…位置調整ボルト
Claims (1)
- 【請求項１】被洗浄物の表面に向けてエアロゾルを噴射
するエアロゾル噴射ノズルと、該エアロゾル噴射ノズル
から噴出したエアロゾルを加速するための不活性ガスを
噴射する加速ノズルとを含む表面洗浄装置であって、 該加速ノズルが一体加工品で構成され、 該加速ノズルと被洗浄物表面間の距離が調整可能とさ
れ、 該加速ノズルのノズル穴が、出口方向に広がった形状と
されていることを特徴とする表面洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35687097A JPH11186206A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 表面洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35687097A JPH11186206A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 表面洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186206A true JPH11186206A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18451177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35687097A Pending JPH11186206A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 表面洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107406A1 (ja) * | 2002-06-17 | 2003-12-24 | 住友重機械工業株式会社 | エアロゾル洗浄装置、及び、その制御方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35687097A patent/JPH11186206A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107406A1 (ja) * | 2002-06-17 | 2003-12-24 | 住友重機械工業株式会社 | エアロゾル洗浄装置、及び、その制御方法 |
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