KR19980087228A - 기판의 세정방법 및 세정장치 - Google Patents

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Abstract

개시된 내용은, 진공용기 내에 수용되며, 복수 개의 피세정기판이 각각 배치되는 복수 개의 공간으로, 양측으로부터 동시에 세정유체를 내뿜도록, 분출노즐공이 배열된 노즐장치에, 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 세정유체를 공급하는 공정과, 진공용기로부터 상기 유체를 외부로 배출해서 진공용기의 내부를 진공으로 유지하는 공정과, 복수 개의 공간에 복수 개의 피세정기판을 각각 배치해서 고정하고, 피세정기판과 노즐장치가 서로 상대적으로 수직 운동하도록 피세정기판 및 노즐장치 중 하나를 수직으로 움직이면서, 피세정기판을 세정 처리하는 공정 및, 세정유체를 상기 공간으로부터 계속 배출하는 배출유체를, 피세정기판의 상방으로부터 공급하는 공정을 포함하는 기판의 세정방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이 방법을 실행하기 위한 장치도 기재하고 있다.

Description

기판의 세정방법 및 세정장치
본 발명은 세정방법 및 세정장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 기판이나 액정 기판과 같은 기판의 표면을 세정하기에 적합한 세정방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조할 때, 표면에 고밀도로 반도체 소자가 형성되는 반도체 기판을 세정하는 것은, 생략할 수 없는 주요 공정이다. 또, 반도체 장치의 집적화 및 미세화에 수반하여, 미세한 소자 오염조차도 효과적으로 제거하기 위해, 반도체 장치의 제조 일드를 향상시킬 필요가 있다. 특히, 소자 오염이 쉽게 발생하는 성막 공정이나 드라이 에칭 공정 후에는, 종래로부터 암모니아-과산화수소 혼합용액에 의한 세정이 시행되어 왔다.
이러한 화학 용액을 사용하는 액체 세정법(wet cleaning)은, 과잉의 에칭을 생성하고, 장치의 신뢰성을 저하시킨다. 더욱이, 다량의 화학 용액을 사용해야만 하기 때문에, 환경으로의 부하도 크다. 이 액체 세정 기술을 대처하기 위해, Ar 에어로졸 클리닝의 개발이 진행되고 있다.
Ar 에어로졸 세정법에 따르면, 우선, 액체 질소 혹은 냉동기를 사용해서 Ar가스를 예비 냉각한다. 예비 냉각한 Ar가스는 분출노즐공을 매개로 하여 감압 공간으로 분출해서 단열팽창 시키며, 고체화한 Ar미립자를 포함하는 액체(이하 이 액체를 Ar 에어로졸이라고 약칭한다)를 생성한다. 그리고. 이 Ar 에어로졸을 웨이퍼에 내뿜어서, 상기의 고체화한 미립자를 웨이퍼에 부딪치게 하는 것으로서, 웨이퍼 상의 입자 오염과 측벽 퇴적 막을 제거한다(이하 이 세정 방법을 Ar 에어로졸 클리닝이라고 약칭한다).
도 1은, 종래의 세정장치의 모식도를 나타낸다. 웨이퍼 스태지를 분출노즐공(4a)에 대해서 전후 운동시키는 것에 의해, 분출노즐공(4a)으로부터 분출되는 Ar에어로졸(5)을 웨이퍼(8)의 전면에 내뿜는다. 이 방법은, 일본 특허공개 6-283488호의 명세서에 개시되어 있다. 도 1을 참고하면, 봉상의 노즐장치(4)가. 웨이퍼(8)의 운동 방향에 대해서 대략 수직으로, 그리고 웨이퍼(8)에 대해서 수평으로 배치되어 있다. 분출노즐공(4a)으로부터 분출된 Ar 에어로졸(5)은, 웨이퍼(8)상에 부착되어 있는 오염 소자(7)를 세차게 쳐서 떨어뜨린다. 이 떨어진 오염소자(7)는 기판에 대해서 대략 수평 방향으로 제거된다.
종래의 Ar 에어로졸 세정 장치는, 웨이퍼의 상측 표면에만 Ar미립자(Ar 에어로졸)를 내뿜어서 부착시키기 때문에, 웨이퍼의 저면은 처리할 수 없으며, 처리 효율도 떨어진다. 또, Ar 에어로졸 및 떨어진 오염 입자는 수평 방향으로 제거되기 때문에, 배기 시스템을 잘 고안하지 않으면, 기판상의 오염 입자가 낙하하여서, 재 부착할 가능성이 있다.
본 발명은 종래 기술에 있어서의 상기 사정을 감안한 것으로서, 그 목적으로 하는 것은, 아르곤 가스 또는 이산화탄소 가스의 세정유체를 기판쪽으로 내뿜어서, 복수 개의 웨이퍼의 각각의 양면을 동시에 세정 처리하고, 제거된 오염 입자의 재 부착을 방지해서, 기판의 처리 효율 및 처리된 기판의 세정도를 높일 수 있는 세정방법 및 세정장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래 기술의 구성을 나타내는 개략 모식도이며,
도 2는 본 발명의 실시예의 구성을 나타내는 개략 모식도이며,
도 3a는 피세정기판의 보지 부재 및 세정 부분을 나타내는 개략 사시도이며,
도 3b는 도 3a에 도시한 보지 부재 중 하나의 확대 사시도이며,
도 4는 도 2에 도시한 실시예의 일부분을 한 측면으로부터 본 모식도이며,
도 5 및 도 6은 각각 기판 표면의 잔류 입자수를 종래 예와 본 발명 실시예를 비교해서 나타내는 그래프이며,
도 7은 시간당 세정되는 웨이퍼의 수를 종래 예와 본 발명 실시예를 비교해서 나타내는 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 세정방법의 주 태양에 의하면, 진공용기 내에 수용되며, 복수 개의 피세정기판이 각각 배치되는 복수 개의 공간으로, 양측으로부터 동시에 세정유체를 내뿜도록 분출노즐공이 배열된 노즐장치에, 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 세정유체를 공급하는 공정과, 상기 진공용기로부터 유체를 외부로 배출해서 진공용기의 내부를 진공으로 유지하는 공정과, 상기 복수 개의 공간에 복수 개의 피세정기판을 각각 배치해서 고정하고, 피세정기판과 노즐장치가 서로 상대적으로 수직 운동하도록, 피세정기판과 노즐장치 중 하나를 수직으로 움직이면서, 피세정기판을 세정 처리하는 공정과, 세정유체를 상기 공간으로부터 계속 배출하는 배출유체를 피세정기판의 상방으로부터 공급하는 공정을 포함하는 기판의 세정방법이 제공된다.
상기 세정방법의 주 태양에 있어서, 피세정기판의 세정처리 공정 중에, 상기 피세정기판을 회전시킬 수 있다.
또, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 세정장치의 주 태양에 의하면, 복수 개의 피세정기판이 각각 배치되는 복수 개의 공간에, 양측으로부터 동시에 세정유체를 내뿜는 분출노즐공이 배치된 노즐장치와, 이 노즐장치로 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 세정액체를 공급하는 세정유체 공급부와, 상기 복수 개의 공간에 각각 배치되는 복수 개의 피세정기판을 고정하기 위한 보지수단과, 상기 피세정기판과 노즐장치가 서로 상대적으로 수직 운동하도록 피세정기판과 노즐장치 중 어느 하나를 수직으로 움직이는 구동부와, 세정유체가 상기 공간으로부터 계속 배출되는 흐름을 만들기 위해 배출유체를 피세정기판의 상방으로부터 공급하는 배출유체 공급부와, 상기 노즐장치, 구동부, 보지수단 및 배출유체 공급부를 수납하는 진공용기와, 진공용기로부터 유체를 외부로 배출해서 진공용기의 내부를 진공으로 계속 유지하는 배기 수단을 구비하는 기판의 세정장치가 제공된다.
상기 세정장치에서 주 역할을 하는 노즐장치는, 공통 배관과 이 공통 배관으로부터 빚-모양으로 분지한 복수 개의 노즐 배관을 포함한다. 이 노즐 배관의 각각은 소정의 피치로 천설된 복수 개의 분출노즐공을 가지고 있다.
또한, 상기 세정장치에서 주요 형태인 보지수단은, 각각이 원주부에 U자형 또는 V자형의 홈을 가지는 롤러 상의 리테이너를 포함한다. 적어도 3개의 지점에 배치된 이 리테이너로 상기 피세정기판을 고정하고 있다.
본 발명의 상기 목적 및 많은 다른 목적, 특징 및 이점은, 본 발명의 특징을 포함하는 바람직한 실시예를, 실예를 나타내는, 다음의 상세한 설명 및 첨부한 도면을 참고하여 분명하게 이해될 것이다.
이하, 본 발명을 첨부한 도면에 도시한 바람직한 실시예를 참고하여 상세히 설명한다.
본 발명의 세정방법은, 우선, 진공용기 내에 수납된 노즐장치에, 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 세정유체(Ar 에어로졸 또는 CO2에어로졸)를 공급한다. 노즐장치는 진공용기에 배치된 복수 개의 피세정기판을 세정 처리할 수 있다. 피세정기판이 수직으로 일정한 간격으로 배치되어서 수평한 어레이를 형성하도록 하는 것이 노즐장치에 바람직하다.
노즐장치는, 노즐장치에 대향하도록 설치된 각각의 피세정기판의 양측을 향해서 세정유체를 내뿜도록 배치되어 있다. 보다 상세하게는, 노즐장치는, 세정유체를 공급하는 공통 배관과, 공통 배관으로부터 빗 모양으로 분지되며, 각각이 복수 개의 분출노즐공으로 형성된 복수 개의 노즐 배관을 가진다. 각 노즐 배관은 분출노즐공이 상기 세정유체를 뿜어서 배출하는 기능을 행하도록 배치되어 있다. 노즐장치에 세정유체를 공급한 때, 노즐장치는 피세정장치가 설치되어야만 하는 각각의 공간에, 양측으로부터 세정유체를 내뿜을 수 있다.
진공용기 내의 유체는 외부로 계속 배기되며, 진공용기의 내부는 진공으로 유지된다. 진공 분위기에서 뿜어낸 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자는 단열팽창에 의해 발생된 급격한 온도 저하로 인해 고체 입자로 변한다. 공급된 세정유체는 소정의 압력으로 가압해야만 하고, 필요에 따라 예냉시킨다.
다음으로, 노즐장치의 각 노즐 배관에 대향하도록 피세정기판을 배치해서 설치하면, 각각의 피세정기판의 양측방향으로 동시에 세정유체가 뿜어서 나온다. 그리고, 피세정기판과 분출노즐공이 서로 상대적으로 수직 운동을 하고, 세정유체가 피세정기판의 전체로 내뿜어져서 부착된다. 이 때문에, 피세정기판 또는 노즐장치 중 어느 하나를 수직으로 움직여서 피세정기판의 전체를 세정 처리한다. 아르곤 고체 미립자 또는 이산화탄소 고체 미립자는 각 피세정기판의 양면으로 부착한 퇴적물이나 오염 미립자를 튀겨서 떨어트린다.
또, 동시에, 퇴적물 조각 및 오염 미립자를 포함하는 세정유체를 배출하기 위한 배출유체를 피세정기판의 상부로부터 공급한다. 배출유체에는 질소가스 등을 사용할 수도 있다. 퇴적물 조각 및 오염 미립자를 포함한 세정유체는 피세정기판의 하측을 향해서 배출된다. 퇴적물 조각 및 오염 미립자를 포함한 세정유체 및 배출유체는 진공용기의 외부로 배출되며, 따라서 진공용기의 내부는 진공으로 유지된다. 배출유체는 필요에 따라서 예냉시킨다.
본 발명의 세정장치는, 상술한 대로의 구성을 가짐과 함께, 피세정기판을 상기 공간으로 배치해서 고정하는 보지 부재를 가진다.
또한, 세정장치는 피세정기판 또는 노즐장치를 수직으로 운동시킬 수 있는 구동부를 가진다. 구동부를 작동시키는 것에 의해, 피세정기판과 분출노즐공이 서로 상대적으로 수직 운동하며, 그래서 세정유체가 피세정기판의 전체에 내뿜어서 부착되도록 한다. 또, 세정장치는, 배출유체를 피세정기판의 상방으로부터 공급해서 배출유체를 피세정기판의 하방을 향해서 배출하는 배출유체 공급부를 가진다.
또한, 세정기판은 노즐장치, 구동부, 보지수단, 배출유체 공급부를 수납하는 진공용기와, 이 진공용기의 유체를 외부에 배기해서 진공용기의 내부를 진공으로 유지하는 배기 수단을 가진다. 이 장치를 작동하기 전에, 배기 수단이 진공용기 내의 내부공기를 배출해서 진공용기 내부를 진공으로 설정한다. 장치 동작 중에는, 배기 수단이 이탈한 오염 입자 등을 포함하는 세정유체 및 배출유체를 배기 하여서, 진공용기의 내부를 소정의 진공도에서 진공으로 보존한다. 세정유체는 진공 중에 방출되기 때문에, 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자는 단열팽창에 의해 발생되는 급격한 온도 저하로 인해 고체 입자로 변화한다. 공급된 세정유체는 소정의 압력으로 가압해야만 하고, 필요에 따라서 예냉시킨다. 아르곤 고체 입자 및 이산화탄소 고체 입자는 각 피세정기판의 양측으로 부착한 퇴적물이나 오염 입자를 분출에 의해 제거한다.
배출유체는 피세정기판의 상부로부터 공급되고, 피세정기판의 하측을 향해서 흐르기 때문에, 이탈한 퇴적물 조각 및 오염 입자는 피세정기판에 재 부착하지 않고 피세정기판의 영역 밖으로 배출된다. 이 배출유체는 필요에 따라서 예냉시킨다.
노즐장치는 공통 배관과 복수의 노즐 배관으로 구성될 수 있으며, 각 노즐 배관이 소정의 피치로서 형성된 복수의 분출노즐공을 구비할 수 있다. 노즐 배관이 공통 배관으로부터 빗-모양으로 분지될 수도 있다. 더욱이, 보지 부재가 U자형 또는 V자형의 홈을 가지는 롤러 상의 리테이너를 구비할 수 있으며, 그래서 적어도 3개의 지점에서 보지 부재로 피세정기판을 고정한다.
도 2, 3a, 3b 및 4에는, 본 발명의 실시예에 의한 세정장치, 즉 에어로졸 클리닝 장치의 기본 구성을 도시한다. Ar 에어로졸을 발생하는 과정은, 종래 방식과 어느 정도 동일하다. 세정 가스로서, Ar 가스와 N2가스를 각각 Ar가스 소스(1)와 N2가스 소스(2)로부터 공급하여서, Ar가스와 N2가스의 혼합 가스를 형성한다. 이 혼합 가스를 냉각 시스템(3)에서 80°K∼150°K의 온도에서 예비 냉각한다. 가스 소스(1 및 2)는, 공장에 공급되는 가스 실린더 또는 가스 시스템을 사용한다. Ar가스 소스(1) 및 N2가스 소스(2)는, 소정의 공급 압력을 가진다. 냉각 시스템(3)은, 냉각기 또는 액체 질소를 사용한다. 세정장치의 운전을 개시하기 전에, 배기 장치(13)에 의해, 진공용기(6) 내부의 공기가 배출되며, 진공용기(6)의 내부를 10KPa∼100KPa의 진공 압력으로 설정한다. 배기 장치(13)는 진공 펌프 등을 사용한다.
세정 가스로서 Ar가스와 N2가스의 혼합가스(Ar가스 단독으로도 사용 가능하다)는, 노즐장치(9)의 공통 배관(9c)으로부터 빗-모양으로 분지한 복수의 노즐 배관(9b)에 형성된 분출노즐공(9a)으로부터 밀폐구조를 갖는 진공용기(6) 내로 분출된다. 이 때, 가스의 압력이 급격히 저하해서 단열 팽창하고, 또한 가스의 온도도 급격히 저하해서, Ar가스가 고체 미립자를 포함해서 Ar 에어로졸(5)을 형성한다(줄-톰슨 효과). 이 가스의 유속은 1m/s∼10m/s로 설정한다. 공통 배관(9c)은 일체의 직선 배관을 수평으로 배치한 것이며, 노즐 배관(9b)은 공통 배관(9c)으로부터 ,일정 간격으로, 공통배관에 대해 직각이 되는 수평방향으로 분지하고 있다. 노즐 배관이 공통 배관으로부터 돌출하는 길이는 일정하다.
노즐장치(9)의 분지 부분은, 도 3a에 도시한 대로, 각각이 원형의 단면을 갖는 노즐 배관(9b)으로 구성되며, 피처리 되는 기판인 웨이퍼(10)를, 일정한 간격에 의해 서로 분리되게, 노즐 배관(9b)의 사이에 수직으로 각각 삽입한다. 각 노즐 배관(9b)의 길이는, 웨이퍼(10)의 직경보다도 길며, 각 노즐 배관의 직경은 3∼15㎜, 웨이퍼(10)와 노즐 배관(9b)의 최단 거리는 0.3∼10㎜, 분출노즐공(9a)의 직경은 0.1∼2㎜정도로 하는 것도 바람직하다. 웨이퍼(10)는, 도 4에 있어서의 지면의 수직으로 움직이며, 분출노즐로부터 뿜어 나오는 Ar 에어로졸이 웨이퍼에 부착하고 있는 퇴적물 및 오염입자(7)를 하방향으로 내뿜어서 떨어뜨리고, 그렇게 해서 웨이퍼(10)를 세정한다.
분출노즐공(9a)은 반경방향 및 긴 방향에서 일정한 피치를 해서 형성하며, 원형 단면의 각 노즐 배관(9b)의 수평 중심선의 상측 반분보다도 하측 반분에 더 많이 형성되며, 그래서 Ar 에어로졸(5)의 흐름이 전체로서 하방향으로 향하도록 하고 있다. 또, 도 2에 도시하듯이, N2캐리어 가스 배관(14)은, N2가스 소스(2)에 접촉된다. N2캐리어 가스는, 냉각 시스템(3)에 의해 소정의 온도로 예비 냉각시킨 후, 웨이퍼(10) 상부로부터 하방향을 향해서 공급된다. 그래서, 하방의 배기 장치(13)에 의해 웨이퍼(10)로부터 분리된 오염 입자는 효과적으로 웨이퍼의 갭으로부터 하방향으로 효과적으로 배출하고, 그리고 나서 진공용기(6) 외부로 배출된다. 또한, N2캐리어 가스 배관(14)도 공통 배관부로부터 빗-모양으로 분지한 배관부를 가진다. 각 분지 배관부의 저부에 긴 방향으로 일정한 피치를 해서 분출노즐공(14a)을 형성하고 있다. 분출노즐공(14a)의 직경은, 약 0.1㎜∼1㎜ 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
분출노즐공(9a)으로부터 분출하는 Ar 에어로졸(5)이 웨이퍼(10) 전면으로 충분히 퍼져 나가도록, 웨이퍼(10)를 수직으로 운동시킨다. 이 수직 운동은, 기판 세정처리 공정 중에 약 10회∼100회 정도로 행한다. 수직 운동 및 Ar 에어로졸(5)이 웨이퍼(10)에 부딪치는 것에 의해 웨이퍼(10)가 진동하지 않도록, 기판 보지 부재(11)로 웨이퍼(10)를 확실하게 고정한다. 각 기판 보지 부재(11)는, 도 3b에 도시하듯이, 얇은 U자형 또는 V자형의 홈을 가지는 롤러 상인 것이 바람직하며, 1개의 웨이퍼(10)에 대해서 적어도 3개의 지점에서 이 기판 보지 부재(11)로 고정되어야만 한다.
상기 웨이퍼(10)는 수직 운동만이 아니라, 회전운동을 시킬 수도 있다. 더욱이, 웨이퍼(10)를 고정해서, 노즐장치(9)를 수직으로 운동시킬 수도 있다. 일군의 웨이퍼(10)의 수는, 도 2 및 도 4에서는 5개로 하고 있지만, 통상은 25∼50이며, 이 범위 이외 일 수도 있다. 세정장치의 설계에 따라 적절한 웨이퍼 수가 결정된다.
처리 후, 일군의 웨이퍼(10)는, 기판 보지 부재(11)를 아래쪽으로 이동시키는 것에 의해, 처리 위치로부터 벗어난다. 이 일군의 웨이퍼(10)가 진공용기(6)내에서 처리되고 있을 때, 다음으로 처리되어야만 하는 또 다른 일군의 웨이퍼(10)는 진공용기(6)와 인접한 예비 진공용기(도시하지 않음) 내에서 대기하고 있다. 이 처리 전의 일군의 웨이퍼(10)는, 예비 진공용기로부터 진공용기로 전달되며, 노즐 배관(9b)의 사이에 동일하게 삽입되며, 기판 보지 부재(11)로 고정되어서, 처리 위치로의 웨이퍼(10)의 설정을 완료한다. 처리된 일군의 웨이퍼(10)는, 처리전의 일군의 웨이퍼(10)와 교대되며, 예비 진공용기 내로 이전된다. 예비 진공용기 내의 공간은 진공용기(6) 내의 공간으로부터 분리 가능하다.
다음으로, 예비 진공용기 내의 공간은 진공용기(6) 내의 공간으로부터 분리되며, 예비 진공용기만 압력이 대기로 개방된다. 그 후, 처리가 끝난 웨이퍼(10)를 예비 진공용기로부터 대기 측으로 추출하며, 그 다음으로 처리되어야만 웨이퍼(10)를 예비 진공용기 내로 넣는다.
웨이퍼(10)의 출입이 종료한 후에, 예비 진공용기는, 진공용기(6)의 진공도와 동일하게 될 때까지 공기를 빼낸다. 진공도가 진공용기(6)와 동일하게 된 시점에서 예비 진공용기의 분리가 해제되며, 예비 진공용기는 진공용기와 결합상태가 된다. 그 후, 처리 전의 웨이퍼(10)가 예비 진공용기로부터 진공용기(6)의 처리 위치로 이동되며, 처리 후의 웨이퍼(10)가 진공용기(6)로부터 예비 진공용기로 이동된다. 그리고 나서 상술한 바와 같은 동일한 조작이 반복된다.
도 5∼도 7은, 종래 기술과 본 발명의 비교 결과의 예를 도시한다.
도 5는 기판의 상면/앞면의 잔류 입자수에 대해서 종래 기술 및 본 발명의 비교도를 도시하는 그래프이다.
본 발명의 세정방법을 사용할 때, 종래 기술에 비해서 기판의 상면/앞면에 잔류하는 입자수를 수분의 1로 저감할 수 있다. 이것은, 분리된 오염 입자가, 상부로부터 공급되는 N2캐리어 가스 위에 실려서, 중력방향으로 웨이퍼의 영역 외로 효과적으로 제거되기 때문이다.
도 6은 기판의 하면/이면의 잔류 입자수에 대한 종래 기술 및 본 발명의 비교도를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 세정방법을 사용하는 것에 의해, 종래 기술에 비해서 기판의 하면/이면에 잔류하는 입자수를 수 10분의 1로 저감할 수 있다. 이것은, 종래 기술에서는 기판 하면 및 이면의 오염 입자를 동시에 제거하는 기구가 구비되어 있지 않았기 때문이다.
도 7은 시간당 처리되는 기판의 수에 대하여, 종래 기술 및 본 발명의 비교예를 나타내는 그래프이다. 본 발명에 따른 배치 처리에 의해 25개의 웨이퍼가 처리된다고 추측된다. 종래 기술에 따라 상면만을 처리하는데 걸리는 시간과 본 발명에서 걸리는 시간을 비교한 경우, 1시간당 처리할 수 있는 웨이퍼의 개수는 20배 이상으로 향상한다. 또. 이 결과를, 기판의 상면과 이면을 개별 처리하는 경우의 종래 기술과 비교할 때, 40배 이상의 처리능력이 획득된다.
상기 각 태양으로부터 이해되듯이, 본 발명의 세정장치를 사용하여, 본 발명의 세정방법에 따라 세정하는 경우, 복수 개의 기판의 각각의 양면을 동시에 세정할 수 있다. 그래서, 기판의 세정처리 효율을 향상시키고, 제조 능력을 높게 할 수 있다. 또. 배출유체에 의해서 세정유체를 계속해서 배출하기 때문에, 기판으로부터 이탈된 퇴적물 및 오염물은 기판에 재 부착하기 어렵다. 그 결과, 퇴적물이나 오염물의 제거율이 향상한다. 따라서, 본 발명에 의해 처리된 기판을 사용한 전자 장치의 신뢰성이 향상한다.

Claims (8)

  1. 진공용기 내에 수용되며, 복수 개의 피세정기판이 각각 배치되는 복수 개의 공간으로, 양측으로부터 동시에 세정유체를 내뿜도록 분출노즐공이 배열된 노즐장치에, 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 상기 세정유체를 공급하는 공정과; 상기 진공용기로부터 상기 유체를 외부로 배출해서 상기 진공용기의 내부를 진공으로 유지하는 공정과; 상기 복수 개의 공간에 상기 복수 개의 피세정기판을 각각 배치해서 고정하고, 상기 피세정기판과 상기 노즐장치가 서로 상대적으로 수직 운동하도록 상기 피세정기판 및 상기 노즐장치 중 하나를 수직으로 움직이면서, 상기 피세정기판을 세정 처리하는 공정; 및 상기 세정유체를 상기 공간으로부터 계속 배출하는 배출유체를, 상기 피세정기판의 상방으로부터 공급하는 공정을 포함하는 기판의 세정방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 피세정기판의 세정처리 공정 중에, 상기 피세정기판이 회전하는 것을 특징으로 하는 기판의 세정방법.
  3. 복수 개의 피세정기판이 각각 배치되는 복수 개의 공간에, 양측으로부터 동시에 세정유체를 내뿜도록 분출노즐공이 배치된 노즐장치와; 상기 노즐장치로 아르곤 미립자 또는 이산화탄소 가스 미립자를 포함하는 세정액체를 공급하는 세정유체 공급부와; 상기 복수 개의 공간에 각각 배치되는 상기 복수 개의 피세정기판을 고정하기 위한 보지수단과; 상기 피세정기판과 상기 노즐장치가 서로 상대적으로 수직 운동하도록 상기 피세정기판과 상기 노즐장치 중 어느 하나를 수직으로 움직이는 구동부와; 상기 세정유체가 상기 공간으로부터 계속 배출되는 흐름을 만들기 위해, 배출유체를 상기 피세정기판의 상방으로부터 공급하는 배출유체 공급부; 및 상기 노즐장치, 상기 구동부, 상기 보지수단 및 상기 배출유체 공급부를 수납하는 진공용기와, 상기 진공용기로부터 유체를 외부로 배출해서 상기 진공용기의 내부를 진공으로 계속 유지하는 배기 수단을 포함하는 기판의 세정장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 노즐장치가, 상기 세정유체를 공급하기 위한 공통 배관과, 상기 공통 배관으로부터 빗-모양으로 분지한 복수 개의 노즐 배관을 포함하며, 상기 각 노즐 배관이 소정의 피치로 천설된 복수 개의 분출노즐공을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 기판의 세정장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 보지수단이, 각각이 원주부에 U자형 또는 V자형의 홈을 가지는 롤러 상의 리테이너를 포함하며, 적어도 3개의 지점에 배치된 상기 리테이너로 상기 각 피세정기판을 고정하고 있는 것을 특징으로 하는 기판의 세정장치.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 노즐장치 중 상기 각 분출노즐공이, 0.1㎜∼1.0㎜ 범위의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 기판의 세정장치.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 노즐장치 및 상기 피세정기판 중 어느 하나의 수직 운동이, 상기 세정공정 중에 10회∼100회의 범위로 행해지는 것을 특징으로 하는 기판의 세정장치.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 각 노즐 배관의 길이가 상기 피세정기판의 직경 보다 더 긴 것을 특징으로 하는 기판의 세정장치.
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