CN100400185C - 清洁片、使用清洁片的输送件、使用清洁片与输送件的基片处理设备清洁方法 - Google Patents

清洁片、使用清洁片的输送件、使用清洁片与输送件的基片处理设备清洁方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种清除基片处理设备内部的异物的清洁片。该清洁片包括基本上没有胶粘性和根据JIS K7127确定的拉伸模量不小于0.98N/mm2的清洁层。或者，清洁片包括Vickers硬度不小于10的一个清洁层。

Description

清洁片、使用清洁片的输送件、使用清洁片与输送件的基片处理设备清洁方法
技术领域
本发明涉及一种用于清洁各种设备的清洁片。更具体地说，本发明涉及容易受到异物损坏的基片处理设备，例如，生产或检查半导体的设备、平板显示器、印刷电路板等的清洁片，包括该清洁片的输送件和使用该清洁片与输送件的基片处理设备的清洁方法。
背景技术
各种基片处理设备都是在各种输送系统和基片实际上互相接触的情况下输送输送系统和基片的。在这个操作过程中，当异物粘接在这些基片和输送系统上时，后续的基片会依次被污染。这样，必需定时地停止设备工作，进行清洁。这样做的缺点是，工作效率降低或需要大量劳动力。为了解决这个问题，提出了一种方法，它包括输送固定有粘接剂材料的基片，将异物从基片处理设备内部清除掉(如在未经审查的日本专利公告10-154686中所述那样)。
包括输送固定有粘接剂材料的基片以从基片处理设备内部清除掉异物的方法是克服上述缺点的有效方法。然而这种方法的缺点是，粘接剂材料和设备的接触区域互相粘接太牢固，不能剥开，因此不能保证基片的完全输送。
发明内容
考虑到这种情况，本发明的一个目的要提供一种清洁片，它可以可靠地将基片输送至基片处理设备的内部，以及可以容易和可靠地除去附着在设备内部的异物。
发明人作了广泛的研究来达到上述目的。结果发现，通过输送具有清洁层的清洁片或有这种片固定在上面的基片，从基片处理设备内部清除掉异物，其中，该清洁层基本上没有胶粘性且其拉伸模量不小于一个特定值，或表面自由能小于一个特定值，或Vickers硬度不小于一个特定值，则可以简单和可靠地除去异物，不会产生上述问题。
换句话说，本发明提供一种清洁片，它包括基本上没有胶粘性，和根据JIS K7127确定的拉伸模量不小于0.98N/mm2的清洁层。清洁层可以设在基底材料上，或可以设在基底材料的一个侧面上，而普通粘接剂层可以设在基底材料的另一个侧面上。清洁层最好基本上没有胶粘性和基本上不导电。清洁层的表面自由能最好小于30mJ/m2。
本发明还提供了包括Vickers硬度不小于10的清洁层的清洁片。该清洁层可以设在基底材料上或可以设在基底材料的一个侧面上，而普通粘接剂层可设在基底材料的另一个侧面上。
上述清洁片还可从其他方面进一步改进。
从下面对优选实施例的详细说明中，将可了解本发明的特点和优点。
具体实施方式
在根据本发明的清洁片中，清洁层(在下文中它包括诸如单一一个清洁片、层叠片和与基底材料层叠的片的形式)必需基本上没有胶粘性，其拉伸模量不小于根据JIS K7127确定的0.98N/mm2，优选的是0.98～4900N/mm2，最好是9.8～3000N/mm2。根据本发明，当清洁层的拉伸模量在上述确定的特定范围内时，可以清除异物而不会在输送中造成任何困难。当清洁层的拉伸模量小于0.98N/mm2时，清洁层变成有粘性并在输送过程中可能粘接在要清洁的设备内部区域上，使输送困难。
清洁层对硅晶片(镜面)的180°剥离粘接力不大于0.20N/10mm，最好为0.01～0.1N/10mm。当清洁层的剥离粘接力超过0.20N/10mm时，清洁层粘接在设备要清洁的内部区域上，使输送困难。
最好，本发明的清洁片中的清洁层由基本上没有胶粘性和基本上没有导电性的层构成。在本发明中，清洁片可以设计成使其清洁层基本上没有胶粘性和基本不导电，这样可以通过静电吸引除去异物，而不会产生输送困难。
清洁层的表面电阻率优选不小于1×1013Ω/□，较优选是不小于1×1014Ω/□。设计清洁片，预先确定其清洁层的表面电阻率不低于这个特定值，可使清洁层尽可能的绝缘，发挥静电捕捉和吸收异物的作用。因此，当清洁层的表面电阻率低于1×1013Ω/□时，可以损害静电捕捉和吸收异物的作用。
清洁层的材料和结构没有特别的限制，只要其基本上没有胶粘性和基本上不导电即可。这种材料的示例包括塑料薄膜(例如：聚乙烯、聚乙烯对苯二酸盐、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺和聚碳化二亚胺)和通过使可硬化的粘接剂硬化而得到的基本上没有胶粘性的材料。
本发明的清洁片中的清洁层的表面自由能优选小于30MJ/m2，较优选为25～15mJ/m2。这里所用的术语“清洁层(固体)的表面自由能”是指作为联立线性方程式，求解由通过代换相对于水和甲撑碘化物的清洁层的表面接触角，和在Young氏方程与从扩展的Fowkes方程推导出的下列方程(1)中，用于测量接触角(从文献中已知)的这些液体的表面自由能所得出的二个方程式所确定的值。
(1+Cosθ)γL＝2√(γS dγL d)+2√(γS pγL p)…(1)
式中θ-表示接触角；
γL-表示用于测量接触角的液体的表面自由能；
γL d-表示γL中的分散力分量；
γL p-表示γL中的极性力分量；
γS d-表示固体表面自由能中的分散力分量；
γS p-表示固体表面自由能中的极性力分量；
清洁片应设计成使其清洁层表面相对于水的接触角大于90°，最好是大小100°。在本发明中，通过设计清洁层，使表面自由能和相对于水的接触角在上述的范围内，则可以发挥可靠地输送清洁片的作用，而不会在输送过程中，使清洁层牢固地粘接在要清洁的位置上。
本发明的第二个清洁片中的清洁层的Vickers硬度不小于10，最好为20～500。这里所用的术语“Vickers硬度”是指根据JIS Z2244，加在金刚石压头上的预先确定的负荷被所产生的压痕的表面积除所得到的值。在本发明中，通过设计清洁片，使清洁层的Vickers硬度不小于预定值，则可以发挥输送清洁片的作用，而不会在输送过程中产生清洁层与要清洁的位置紧密接触的问题。
本发明的第二个清洁片中的清洁层的表面自由能应小于30mJ/m2，最好为15～25mJ/m2。清洁层相对于水的表面接触角大于90°，最好大于100°。在本发明中，通过设计清洁层，使其表面自由能和相对于水的接触角在上述范围内，则可以发挥可靠地输送清洁片的作用，而不会在输送过程中使清洁层牢固地粘接在要清洁的位置上。
只要拉伸模量或Vickers硬度不低于上述确定的值，和基本没有胶粘性，则上清洁层的材料等没有特别的限制。然而，实际上可能最好是使用在有效能量(例如紫外线光和热)作用下，可以加速进行交联反应或固化的材料，以提高拉伸模量。
最好，上述清洁层由使包含至少每个分子有一个或多个不饱和双键化合物的压敏粘接剂聚合物和聚合引发剂受到有效能引起的聚合固化反应所得到的材料制成，以使清洁层基本上没有胶粘性。作为这种压敏粘接剂聚合物，可以使用丙烯酸聚合物，该聚合物作为主要单体，包括从由丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸和甲基丙烯酸酯构成的组中选择的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯。当使用每个分子中有两个或多个不饱和双键化合物，或用化学方法使每个分子具有不饱和双键的化合物通过功能团的反应使不饱和双键进入丙烯酸聚合物的分子中来与这样合成的丙烯酸聚合物粘接，这样来综合丙烯酸聚合物时，所产生的聚合物本身可以参与由有效能量引起的聚合固化反应。
每个分子都具有一个或多个不饱和双键的化合物(下文称为“可聚合的不饱和化合物”)，最好为重量平均分子量不大于10000的不挥发的低分子量化合物。特别是，可聚合的不饱和化合物的分子量最好不大于5000，以使得粘接剂层在固化过程可以更有效地形成三维网络。
可聚合的不饱和化合物最好也是重量平均分子量不大于10000的不挥发的低分子量化合物。特别是，可聚合的不饱和化合物的分子量最好不大于5000，使得在固化过程中，清洁层可以更有效地形成三维网络。这种可聚合的化合物的示例包括：苯氧聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、六硝酸六(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯和酯类低聚物(甲基)丙烯酸酯。这些可聚合的化合物可以单个使用或两个或多个综合起来使用。
作为要加入清洁层中的聚合引发剂，可以毫无限制地使用任何已知的材料。如果利用热作为有效能量，则可以使用热聚合引发剂(例如，过氧化苯酰和偶氮二异丁腈)。如果使用光作为有效能量，则可以使用光聚合引发剂，例如：苯酰、苯酰乙醚、二苯基、异丙基苯酰醚、苯酮、Michler甲酮氯硫杂蒽酮、十二基硫杂蒽酮、二甲基硫杂蒽酮、乙酰苯二乙基缩酮、苯基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基甲酮、2-羟基二甲基苯丙烷和2，2-二甲基氧基-2-苯基乙酰苯。
清洁层的厚度没有特别限制。然而，实际上，一般为大约5～100μm。
本发明还提供一种清洁片，它包括设在基底材料的一个侧面上的上述的特殊清洁层和在基底材料另一侧面上的一个普通粘接剂层。设在基底材料另一侧面上的粘接剂层的材料没有特别限制，只要它有所希望的粘接功能即可。可以使用普通的粘接剂(如，丙烯酸粘接剂、以橡胶为基的粘接剂)。
采用这种结构时，清洁片可以与各种基片或其他输送件(例如，带子和带有普通粘接剂层的片)粘接，作为具有清洁功能的输送件，输送至设备内部，与要清洁的位置接触，可以清洁该设备。
在清洁后，为了重新利用上述的输送件(例如基片)而将基片从粘接剂层上剥离开来的情况下，粘接剂层对于硅晶片(镜面)的180°剥离粘接力可以为0.01～0.98N/10mm，最好为大约0.01～0.5N/10mm，这样可以防止将基片从粘接剂层上剥离开来和在清洁后容易剥离基片。
设有清洁层的基底材料没有特别限制。作为这种基底材料，可以使用塑料薄膜，例如：聚乙烯、聚乙烯对苯二酸盐、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯和聚酰胺。一般，基底材料的厚度大约为10～100微米。
粘附有清洁片的输送件没有特别的限制。然而，实际上可以使用例如半导体晶片一类的基片，平板显示器(例如，液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP))的基片和致密盘(CD)与存储寄存器(MR)头的基片。
本发明还提供用于清洁各种导电检查设备的零件、使用该零件的清洁导电检查设备的方法、以及清洁容易被异物损坏的导电检查设备的零件和方法。
生产半导体时使用的各种导电检查设备，通过使检查设备上的触点(例如，集成电路插座的触点插头)与产品上的终端(例如，半导体的终端)接触，来检查导电性。在这个过程中，当检查重复进行时，使集成电路终端与触点插头重复接触。结果，触点插头刮削在集成电路终端上的材料(例如铝、低温焊料)。所产生的异物则附着在触点插头上。另外，附着在触点插头上的铝和焊料氧化，这样由于绝缘而造成缺陷。在最坏的情况下，要检查的导电性可能降低。为了清洁触点插头上的这些异物，使用涂敷有氧化铝颗粒的聚乙烯对苯二酸盐薄膜，或磨粒嵌入以橡胶为基的树脂(例如硅酮)中的零件(下文称为“触点插头清洁器”)。然而，考虑到在生产半导体的过程中，近来的趋势是减小晶片的厚度和增加晶片的长度，因此，晶片更易被在检查工作台(卡盘工作台)上的异物损坏，并且卡盘夹紧的误差更大。因此，必需采取一些对策来清除卡盘工作台上的异物。为此，必需定期地停止导电检查设备的工作，以清洁卡盘工作台，从而除去其上的异物。这样做的缺点是工作效率降低或需要大量的劳动力。
在这种情况下，本发明的另一个目的是要提供一种可以清洁导电检查设备中的触点插头，以及减少附着在卡盘工作台和输送臂上的异物量的清洁件和清洁方法。
为了达到上述目的，本发明人进行了广泛的研究。结果发现，通过输送包括一个用于清除附着在导电检查设备中的导电检查触点插头上的异物的零件(下文称为“触点插头清洁器”)；和包括一个设在触点插头清洁器的一个侧面上的用于清除附着在设备的与触点插头清洁器接触的接触区域上的异物的清洁层(卡盘工作台)，则可在除去附着在检查设备中的卡盘工作台上的异物的同时，可使触点插头清洁。还发现，通过预先确定清洁层的摩擦系数不小于一个特定值，则可以在简单地减少异物量的同时，可靠地输送清洁片通过检查设备的内部。这样就实现了本发明。
换句话说，本发明还提供了一种导电检查设备的清洁零件，该零件包括一个用于清除附着在导电检查设备中的导电检查触点插头上的异物的零件(下文称为“触点插头清洁器”)；和设在触点插头清洁器一个侧面上的用于清除附着在设备的与触点插头清洁器接触的接触区域上的异物的清洁层。
本发明还提供了一种导电检查设备的清洁件，该清洁件包括：设在用于清除附着在导电检查设备的导电检查触点插头上的异物的输送件一个侧面上的零件(下文称为“触点插头清洁器”)；和设在上述输送件的另一个侧面上，用于清除附着在设备与所述触点插头清除器接触的接触区域上的异物的上述清洁片。
本发明的清洁件中的清洁层没有特别的限制，只要能可靠地通过检查设备的内部输送以及简单地减少异物的量即可。然而，实际上，从清除灰尘的性质和输送性质的观点来看，清洁层的摩擦系数应优选不小于1.0，最好为1.2～1.8。当清洁层的摩擦系数小于1.0时，卡盘工作台上的异物不能可靠地附着在清洁层上。相反，当清洁层的摩擦系数超过上述确定范围时，清洁片可能不能输送。在本发明中，清洁层的摩擦系数(μ)是这样确定的，即通过测量用万能试验机使不锈钢板(50mm×50mm的平板)沿着清洁层的表面滑动时产生的摩擦力(F)，并将该测量值和在这个过程中加在钢板上的垂直负荷(W)代入下列方程式(2)中确定的。它代表动态摩擦系数。
μ＝F/W......(2)
式中μ-动态摩擦系数；
F-摩擦阻力(N)；
W-加在钢板上的垂直负荷(N)。
清洁层的拉伸模量不大于2000N/mm2，最好大于1N/mm2。当清洁层的拉伸模量超过2000N/mm2时，卡盘工作台上的异物不能可靠地附着在清洁层上。相反，当清洁层的拉伸模量小于1N/mm2时，清洁片不能输送。在本发明中，预先确定清洁层的摩擦系数和拉伸模量在上述确定的范围内，可以在输送清洁片等的过程中，使清洁层基本上没有胶粘性，这就可以发挥输送清洁片的作用，而不会使清洁层牢固地粘接在要清洁的位置上。
本发明中使用的触点插头清洁器的材料、形状和其他因素没有特别的限制。可以使用各种材料。可以使用塑料薄膜，例如：聚乙烯、聚乙烯对苯二酸盐、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺和聚碳化二亚胺；还可使用以橡胶为基的树脂，例如硅酮；或基片(背面)，例如：涂敷有磨粒(例如氧化铝颗粒、碳化硅和氧化铬颗粒)的无纺织物。但本发明不是仅局限于此。触点插头清洁器的形状可根据插座形状和要清洁的集成电路(例如硅晶片和集成电路芯片)和设备的种类来适当确定。
利用这种结构，可将清洁片送入设备内部，同时粘附在触点插头清洁器上，用以清洁在该设备不清洁一侧上的触点插头；或粘接在具有清洁功能的输送件(例如各种基片)上。该输送件带有一个普通的粘接剂层以形成输送件，与卡盘工作台接触，供清洁用。
其上设置有清洁层的输送件没有特别的限制。然而，实际上可以使用半导体晶片，平板显示器(例如液晶显示器(LCD)和等离子体显示板(PDP))的基片，致密盘(CD)和存储寄存器(MR)头的基片，或塑料薄膜，例如：聚乙烯、聚乙烯对苯二酸盐、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺和聚碳化二亚胺。
本发明还提供了生产用于各种基片处理设备(例如，生产或检查半导体、平板显示器，印刷电路板等的设备)的、具有清洁功能的输送件的方法，例如：生产容易被异物损害的具有清洁功能的输送件的方法。
上述生产具有清洁功能的输送件的方法(下文称为“清洁件”)的缺点是，当将输送件(例如基片)与形状比输送件形状大的清洁片层叠而生产的清洁件沿着输送件的轮廓切割清洁件时(以后这个方法称为“直接切割法”)，在切割过程中，从清洁层产生切割废料，并且这些废料附着在清洁件上。在先前已加工成输送件形状的标签用清洁片与输送件层叠形成清洁件的情况下，与直接切割法比较，可以抑制在加工标签过程中形成切割废料。然而，除了需要较多的加工工序外，还必需预先切割标签用清洁片，使清洁件的生产过程复杂，因而使工作效率降低。
在这些情况下，本发明的另一个目的是要提供一种制造清洁件的方法，该方法可以可靠地将清洁件输送通过基片处理设备的内部，可以可靠和简单地清除附着在基片处理设备内部的异物，并且在用直接切割法切割清洁片过程中，不产生切割废料。
本发明人进行了广泛的研究来达到上述目的。结果发现，通过利用在受到有效能量作用时，产生聚合固化作用的粘接剂来制造清洁层；并且在生产清洁件的过程中，在将清洁片切成输送件的形状后，进行清洁层的聚合和固化反应，可以生产出能简单和可靠地剥离异物的清洁件，而不会产生上述问题，该生产清洁件的过程包括使输送件(例如基片)与清洁片层叠，而清洁件是用直接切割法生产的。这样，就实现了本发明。
换句话说，本发明还提供了一种制造具有清洁功能的输送件的方法，它包括下列步骤：将清洁片与输送件层叠，在它们中间放入一个普通粘接剂层，使所述清洁片的形状比所述输送件的形状大；该清洁片具有设在基底材料的一个侧面上的，由受到有效能量作用时产生聚合固化的粘接剂制成的清洁层；和设在基底材料另一个侧面上的普通粘接剂层；然后沿着所述输送件的轮廓切割所述清洁片；其特征在于，在沿着所述输送件的轮廓切割所述清洁片以后，所述清洁层进行聚合固化反应。
利用根据本发明的制造清洁件的方法，必需使清洁层由在受到有效能量作用产生聚合固化的粘接剂制成，并在切割清洁片之后进行聚合固化。这是因为当在切割清洁片之前使清洁层进行聚合固化时，则会产生交联，形成较大的弹性模量，造成产生大量的切割废料，这些切割废料会附着在清洁件或设备上。为了防止在清洁片切割过程中，由清洁层产生切割废料，根据JIS K7127的试验方法确定，清洁层的拉伸模量应不大于1N/mm2，最好，不大于0.1N/mm2。通过预先确定清洁层的拉伸模量不大于上述特定的范围，则可防止在切割清洁片过程中，由清洁层产生切割废料，从而可以用直接切割法制造没有切割废料的清洁件。另外，由经过聚合固化的粘接剂制成的清洁层，可以在切割清洁片以后进行聚合固化，使它基本上没有胶粘性，这就可以形成能可靠地输送，不会牢固地与设备的接触区域粘接的清洁件。
在本发明中，由于有效能量使交联反应或固化加速，因此在切割清洁片后的清洁层的拉伸模量不小于10N/mm2，最好为10～2000N/mm2。当清洁层的拉伸模量超过2000N/mm2时，从输送系统中除去异物的能力降低。相反，当清洁层的拉伸模量小于10N/mm2时，则在输送过程中，清洁层粘接在设备的内部要清洁的区域上，使输送困难。
制造根据本发明的清洁件包括使用一块清洁片，该清洁片包括作为清洁层的、设在基底材料的一个侧面上的上述特殊的粘接剂层；和设在基底材料另一个侧面上的普通粘接剂层，所述的清洁层为未固化形式。
将利用下述示例进一步说明本发明，但本发明不是仅限于此。这里所用的术语“份”是指按重量计的份。
示例1
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、50份尿烷丙烯酸酯、3份苯基二甲基缩酮和3份二苯基甲烷二异氰酸盐。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液。
用中心波长为365nm的紫外线以总体剂量为1000mJ/cm2照射。进行固化的粘接剂的拉伸模量为49N/mm2。拉伸模量是利用根据JIS K7127的试验方法测量的。
为了形成普通的粘接剂层，除了上述粘接剂中没有苯基二甲基缩酮以外，将用与上述相同的方法得到的粘接剂溶液涂在厚度为38微米、宽度为250mm的聚酯可剥离薄膜的剥离表面上，使干燥的厚度达到10微米。接着，将上述紫外线固化的粘接剂溶液涂在厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜的剥离表面上，使干燥厚度达到40微米，在其上形成清洁层。再将两个聚酯可剥离薄膜互相层叠，使清洁层和普通粘接剂层彼此相对。
为了得到根据本发明的清洁片，利用中心波长为365纳米的紫外线，以总体剂量1000mJ/cm2照射所得到的清洁片。清洁层的表面基本上没有胶粘性。
在23℃的温度和60％的相对湿度下，利用三菱化学有限公司生产的MCP-UP450型表面电阻率量仪测量清洁层的表面电阻率。结果，读数大于9.99×1013Ω/□，使测量不能进行。
然后，从清洁片上剥离普通粘接剂层上的可剥离的薄膜。再将该清洁片粘接在20.32cm(8英寸)硅晶片的背面(镜面)上，形成具有清洁功能的输送清洁晶片。
再将两个晶片台架从基片处理设备上取下，并利用激光式异物分析仪测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的区域上，在两个晶片台架中的一个台架上，有18000个尺寸不小于0.3微米的异物；而在另一个台架上有17000个该种异物。
接着，从上述输送清洁晶片上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。再将该输送清洁晶片送入晶片台架上附着18000个异物的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地输送清洁晶片。然后，取下晶片台架，然后利用激光式异物分析仪来测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域上，有4000个尺寸不小于0.3微米的异物，这表明：在清洁前附着的3/4或更多的异物已被清除。
比较例1
除了苯基二甲基缩酮为0.05份以外，用与例1相同的方法制造的清洁片中的清洁层有胶粘性。然后测量清洁层的拉伸模量。结果为0.5N/mm2。
试图输送以与例1相同的方法由上述清洁片制成的输送清洁晶片通过基片处理设备内部。然而，该输送清洁晶片粘接在输送臂上，不能进行输送。
示例2
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份的丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、50份尿烷丙烯酸酯、3份苯基二甲基缩酮和3份二苯基甲烷二异氰酸盐。然后均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液。
为了形成普通的粘接剂层，除了上述粘接剂中没有苯基二甲基缩酮以外，将用与上述相同的方法得到的粘接剂溶液涂在厚度为25微米，宽度为250mm的聚酯可剥离薄膜的一个侧面上，使干燥的厚度达到10微米。再将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。将上述紫外线固化的粘接剂溶液涂在基底材料薄膜的另一个侧面上，使其干燥厚度达到40微米，形成一个粘接剂层作为清洁层。再将一块同样的可剥离薄膜粘接在清洁层的表面上。
然后，用中心波长为365纳米的紫外线光以1000mJ/cm2的总体剂量照射所得到的清洁片，得到根据本发明的清洁片。作为被紫外光固化的清洁片中的清洁层，该粘接剂层的拉伸模量为49N/mm2。拉伸模量是用根据JISK7127的试验方法测量的。
清洁层上的粘接剂层粘接在宽度为10mm的硅晶片的镜面上，并根据JIS Z0237，测量相对于硅晶片的180°剥离粘接力。结果为0.08N/10mm。
然后，从清洁片上剥离普通粘接剂层上的可剥离的薄膜。再将该清洁片粘接在20.32cm(8英寸)硅晶片的背面(镜面)上，形成具有清洁功能的输送清洁晶片。
再将两个晶片台架从基片处理设备上取下，并利用激光式异物分析仪测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的区域上，在两个晶片台架中的一个台架上，有25000个尺寸不小于0.3微米的异物；而在另一个台架上有22000个该种异物。
接着，从上述输送清洁晶片上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。再将该输送清洁晶片送入晶片台架上附着有25000个异物的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地输送清洁晶片。以后，取下晶片台架，然后利用激光式异物分析仪来测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域上，有6200个尺寸不小于0.3微米的异物，这表明，在清洁前附着的3/4或更多的异物已被清除。
比较例2
除了用中心波长为365纳米的紫外光以5mJ/cm2的总体剂量照射以外，用与例2相同的方法制造清洁片。然后，用与例2相同的方法，测量所制造的清洁片的清洁层的拉伸模量。结果为0.67N/mm2。再测量清洁层上的粘接剂层相对于硅晶片的粘接力。结果为0.33N/10mm。
试图输送以与例2相同的方法由上述清洁片制成的输送清洁晶片通过晶片台架上附着有22000个异物的基片处理设备内部。结果，输送清洁晶片固定在晶片台架上。因此，再也不能输送该输送清洁晶片。
示例3
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、50份尿烷丙烯酸酯、3份苯基二甲基缩酮和3份二苯基甲烷二异氰酸盐。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液。
为了形成普通的粘接剂层，除了上述粘接剂中没有苯基二甲基缩酮以外，将用与上述相同的方法得到的粘接剂溶液涂在厚度为25微米，宽度为250mm的聚酯可剥离薄膜的一个侧面上，使干燥的厚度达到10微米。再将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。将上述紫外线固化的粘接剂溶液涂在基底材料薄膜的另一个侧面上，使其干燥厚度达到40微米，形成一个粘接剂层作为清洁层。再将一块同样的可剥离薄膜粘接在清洁层的表面上。
然后，用中心波长为365纳米的紫外光以3000mJ/cm2的总体剂量照射所得到的清洁片，得到根据本发明的清洁片。清洁层的表面基本没有胶粘性。由紫外光固化的清洁层的拉伸模量为0.58N/mm2。拉伸模量的测量是根据JIS K7127的试验方法进行的。清洁层粘接在宽度为10mm的硅晶片的镜面上，并根据JIS Z0237测量相对于硅晶片的180°剥离粘接力。结果为0.0049N/10mm。这证实了清洁层基本上没有胶粘性。
在23℃的温度和60％的相对湿度下，利用三菱化学有限公司生产的MCP-UP450型表面电阻率量仪测量清洁层的表面电阻率。结果，读数大于9.99×1013Ω/□，使测量不能进行。这证实了清洁层基本上不导电。
然后，将普通粘接剂层上的可剥离的薄膜从清洁片上剥离。将该清洁片粘接在20.32cm(8英寸)的硅晶片的背面(镜面)上，形成具有清洁功能的输送清洁晶片1。
示例4
利用厚度为25微米、宽度为250mm的聚酯薄膜作为清洁层。在聚酯薄膜的一个侧面上，设置与在例3中所用的相同的普通粘接剂层，使其干燥厚度达到10微米。然后，将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在该普通粘接剂层的表面上，制成一个清洁片。
作为清洁层的聚酯薄膜的拉伸模量为200N/mm2。还测量聚酯薄膜相对于硅晶片的180°剥离粘接力。结果为0N/10mm。这证实了聚酯薄膜基本上没有胶粘性。
再测量聚酯薄膜的表面电阻率。然而，读数大于9.99×1013Ω/□，使测量不可能进行。从这些结果可证实，清洁层基本上不导电。
然后从清洁片上剥离可剥离的薄膜。再利用与例3相同的方法制造具有清洁功能的清洁晶片2。
接着，利用激光式异物分析仪测量三片新牌号的20.32cm(8英寸)硅晶片的镜面上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。结果发现，在第一片上有8个异物，在第二片上有12个异物，在第三片上有10个异物。然后，将这些晶片的镜面朝下，送入单独的基片处理设备的内部。接着利用激光式异物分析仪，测量每一个晶片的镜面上是否有异物存在。在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域内，发现在第一个硅晶片上有23788个尺寸不小于0.2微米的异物，在第二个硅晶片上有26008个该种异物，在第三个硅晶片上有28403个该种异物。
接着，从上述输送清洁晶片1上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。然后，将输送清洁晶片1送入有23788个异物附着在晶片台架上的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地输送。以后，在镜面朝下的情况下，将有7个尺寸不小于0.2微米的异物的新牌号的20.32cm(8英寸)硅晶片送入基片处理设备的内部。再利用激光式异物分析仪，测量每一个晶片上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)的晶片区域上，有6208个尺寸不小于0.2微米的异物。这表明清洁前附着的74％的异物被清除掉。
接着，将上述的输送清洁晶片2送入晶片台架上附着有26008个异物的基片处理设备内部。结果可以毫无困难地输送。以后，用上述相同的方法测量具有13个尺寸不小于0.2微米的异物的新牌号的20.32cm(8英寸)硅晶片。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域上，有7988个尺寸不小于0.2微米的异物。这表明，在清洁前附着的69％的异物被清除掉。
比较例3
除了用中心波长365纳米的紫外光以5mJ/cm2的总体剂量照射以外，用与例3相同的方法制造的清洁片中的清洁层有胶粘性。然后测量所制备的清洁片的清洁层的拉伸模量。结果为0.067N/mm2。再测量清洁层相对于硅晶片的粘接力。结果为0.33N/10mm。
试图输送由用与例3相同的方法制造的上述清洁片制成的输送清洁晶片3通过晶片台架上附着有28403个异物的基片处理设备的内部。结果，输送清洁晶片固定在晶片台架上。这样，不能再输送该输送清洁晶片。
示例5
在由包括30份2-乙基己基丙烯酸酯、70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为2800000)中，加入150份六硝酸丙烯酸酯(由NIPPON合成化学工业有限公司生产：商品名为UV1700B)、3份聚异氰酸酯化合物(由NIPPON PolyurethaneIndustry公司生产：商品名为Colonate L)和10份苯基二甲基缩酮(由CibaSperialty Chemicals公司生产：商品名为Irgacure 651)。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液A。再用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射该紫外线固化的粘接剂溶液，使它固化。清洁层表面基本没有胶粘性。经过紫外光固化的清洁层的拉伸模量为1440N/mm2。拉伸模量用根据JIS K7127的试验方法测量。
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(由SninnaKamura化学有限公司生产：商品名为NK Ester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(由SninnaKamura化学有限公司生产：商品名为U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon PolyurethameIndustry公司生产：商品名为Colonate L)。然后，均匀地搅拌混合物，得到压敏粘接剂溶液B。
再将压敏粘接剂溶液B涂在厚度为25微米、宽度为250mm的聚酯基底材料薄膜的一个侧面上，使其干燥厚度达到10微米，形成普通粘接剂层。将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。接着，将上述紫外线固化的粘接剂溶液A涂在基底材料薄膜的另一个侧面上，达到干燥厚度为10微米，形成清洁层。再将同样的可剥离薄膜粘接在清洁层的表面上。
然后，用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射所得出的清洁片，得到根据本发明的清洁片。将清洁层上的可剥离薄膜从清洁片剥离。再测量清洁层的表面自由能。结果为18.4mJ/m2。清洁层相对于水的接触角为105.1°。
随后，从清洁片上剥离普通粘接剂层上的可剥离的薄膜。再将该清洁片用手动滚子粘接在20.32cm(8英寸)硅晶片的背面(镜面)上，形成具有清洁功能的输送清洁晶片。
再将晶片台架从基片处理设备上取下，并利用激光式异物分析仪测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的区域上，有21000个尺寸不小于0.3微米的异物。
接着，从上述输送清洁晶片上，剥离清洁层上的可剥离的薄膜。再将该清洁晶片送入基片处理设备内部。结果，即使在连续输送100片清洁片后，清洁层也不牢固地与要清洁的位置粘接。这样，可以毫无困难地输送。
以后，从基片处理设备上取下晶片台架，并用激光式异物分析仪测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)的晶片区域上，有10000个尺寸不小于0.3微米的异物。这证明，在清洁前附着的一半异物被清除掉。
比较例5
作为清洁层的粘接剂，使用由下述方法制成的粘接剂溶液C，该方法包括：将100份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NK Ester4G)，100份聚乙二醇600二丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NK Ester A-600)和3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon Polyurethane Industry公司生产：商品名为Colonate L)加入至100份从包括30份2-乙基己基丙烯酸酯，70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为2800000)中；并将混合物搅拌均匀。然后，用与例5中相同的方法测量所得到的清洁层的拉伸模量。结果为0.1N/mm2。
用由与例5相同的方法制造的清洁层制造清洁片。再测量清洁层的表面自由能。结果为57.3MJ/m2。清洁层相对于水的接触角为49.4°。
试图将由上述利用与例5相同的方法制造的清洁片制造的输送清洁晶片，送入基片处理设备的内部。结果，在输送第一片的过程中，清洁晶片固定在晶片台架上，因此，不能再继续输送该输送清洁晶片。
示例6
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入100份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NK Ester 4G)、3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon PolyurethaneIndustry公司生产：商品名为Colonate L)，3份苯基二甲基缩酮(由CibaSpecialty化学有限公司生产：商品名为Irgacure 651)作为光聚合引发剂。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液A。
为了形成普通的粘接剂层，除了上述粘接剂溶液A中没有苯基二甲基缩酮以外，将用与上述相同的方法得到的粘接剂溶液涂在厚度为38微米、宽度为250mm的聚酯可剥离薄膜的一个侧面上，使干燥的厚度达到10微米。将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。接着，将上述紫外线固化的粘接剂溶液A涂在基底材料薄膜的另一侧面上，使干燥厚度达到10微米，形成粘接剂层作为清洁层。再将同样的可剥离薄膜粘接在该粘接剂层的表面上。
利用中心波长为365纳米的紫外光以2000mJ/cm2的总体剂量照射所得到的清洁片，得到根据本发明的清洁片。然后，从清洁片上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。再利用NEC生产的MHA-400型Vickers硬度仪测量清洁片的清洁层的Vickers硬度。结果为45。
由紫外光固化的清洁层的拉伸模量为147.2N/mm2。利用根据JIS K7127的试验方法测量拉伸模量。将清洁层粘接在宽度为10mm的硅晶片的镜面上，再根据JIS Z0237测量相对于硅晶片的180°剥离粘接力。结果为0.0049N/10mm。这样，证实了清洁层基本上没有胶粘性。
在23℃的温度和60％的相对湿度下，利用三菱化学有限公司生产的MCP-UP450型表面电阻率量仪测量清洁层的表面电阻率。结果，读数大于9.99×1013Ω/□，使测量不能进行。结果证实清洁层基本上不具有导电性。
然后，将可剥离的薄膜从清洁片上剥离。将该清洁片粘接在20.32cm(8英寸)的硅晶片的背面(镜面)上，形成具有清洁功能的输送清洁晶片。
再将两个晶片台架从基片处理设备上取下，并利用激光式异物分析仪测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的区域上，在两个晶片台架中的一个台架上，有25000个尺寸不小于0.3微米的异物；而在另一个台架上有23000个该种异物。
接着，从上述输送清洁晶片上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。再将该输送清洁晶片送入晶片台架上附着有25000个异物的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地进行输送清洁晶片的输送。以后，取下晶片台架，然后利用激光式异物分析仪来测量是否有尺寸不小于0.3微米的异物存在。结果发现，在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域上，有4800个尺寸不小于0.3微米的异物，这表明，在清洁前附着的4/5或更多的异物已被清除。
比较例6
除了作为清洁层的粘接剂利用由下述方法制造的粘接剂溶液B以外，利用与示例6相同的方法制造清洁片，该方法包括：将100份聚乙二醇600二丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NK EsterA-600)和3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon Polyurethane工业有限公司生产：商品名为Colonate L)、10份苯基二甲基缩酮(由Ciba Specialty化学有限公司生产：商品名为Irgacure 651)作为光聚合引发剂加入至100份从包括30份2-乙基己基丙烯酸酯、70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为2800000)中；并将混合物搅拌均匀。然后，利用上述同样的方法，测量所制造的清洁片的清洁层的Vickers硬度。结果为5。再测量清洁层的表面自由能。结果为34.6mJ/cm2。清洁层相对于水的接触角为82.3°。
试图将以与例6相同的方法制造的由上述清洁片制成的输送清洁晶片送入晶片台架上附着有23000个异物的基片处理设备内部。结果，在输送第一片的过程中，清洁晶片固定在晶片台架上。这样，就不能再输送该输送清洁晶片了。
示例7
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NKEster4G)、50份尿烷丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon PolyurethameIndustry公司生产：商品名为Colonate L)和3份苯基二甲基缩酮作为光聚合引发剂。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液A。
接着，将除了上述粘接剂溶液A没有苯基二甲基缩酮作为光聚合引发剂以外利用上述同样的方法得到的粘接剂溶液涂在厚度为38微米，宽度为250mm的聚酯可剥离薄膜的一个侧面上，使其干燥厚度达到10微米，形成普通粘接剂层。然后，将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。接着，将上述紫外线固化的粘接剂溶液A涂在基底材料薄膜的另一个侧面上，使干燥厚度达到10微米，形成作为清洁层的粘接剂层。再将同样的可剥离薄膜粘接在粘接剂层的表面上。
然后，用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射所得到的清洁片，得到根据本发明的清洁片。然后，从清洁片上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。被紫外光固化的清洁片的摩擦系数为1.7，其拉伸模量为50N/mm2。为了测量摩擦系数，使尺寸为50mm×50mm的不锈钢板在预先确定的方向上以300mm/min的速度和在垂直负荷9.8N作用下沿着清洁层的表面运动。利用万能拉伸试验机测量所产生的摩擦阻力。拉伸模量利用根据JIS K7127的试验方法测量。
再将普通粘接剂层上的可剥离薄膜从清洁片上剥离。利用手动滚子，将作为具有20.32cm(8英寸)硅晶片形状的触点插头清洁件的清洁片粘接在触点插头清洁器(由PASS INC.公司生产：商品名为Passchip)的背面(不清洁的表面)上，形成具有清洁功能的输送清洁件。
接着，从清洁件上剥离清洁层上可剥离的薄膜。然后，虚拟地将该清洁件输送通过晶片测头的内部，以清洁触点插头和卡盘工作台，该晶片测头为生产半导体的导电检查设备。结果，清洁层不会牢固地粘接在接触位置。这样，可以毫无困难地输送。
以后，在显微镜下观察该触点插头。结果证实，在清洁前附着在触点插头上的异物(例如氧化物)消失，这表明触点插头已被清洁了。另外，发现在清洁前在卡盘工作台上的尺寸大约为1mm的硅屑完全消失，这表明，卡盘工作台已被清洁。以后，实际地进行作为产品的晶片的输送和检查。结果，可以毫无问题地进行处理。
示例8
在由包括75份2-乙基己基丙烯酸酯、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为700000)中，加入50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为NK Ester 4G)、50份尿烷丙烯酸酯(由Sninnakamura化学有限公司生产：商品名为U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon Polyurethane工业有限公司生产：商品名为Colonate L)，3份苯基二甲基缩酮(由CibaSpecialty化学有限公司生产：Irgacure 651)作为光聚合引发剂。然后，均匀地搅拌混合物，得到紫外线固化的粘接剂溶液A。
另外，除了上述粘接剂没有苯基二甲基缩酮以外，用与上述相同的方法得到普通的压敏粘接剂溶液B。
接着，再将普通压敏粘接剂溶液A涂在厚度为25微米、宽度为250mm的聚酯基底材料薄膜的一个侧面上，使其干燥厚度达到10微米，形成普通粘接剂层。将厚度为38微米的聚酯可剥离薄膜粘接在普通粘接剂层的表面上。接着，将上述紫外线固化的粘接剂溶液A涂在基底材料薄膜的另一个侧面上，达到干燥厚度为30微米，形成粘接剂层作为清洁层。再将同样的可剥离薄膜粘接在粘接剂层的表面上形成清洁片A。
然后，测量紫外线固化的粘接剂A的拉伸模量(JIS K7127的试验方法)。结果，在经受由紫外光进行固化反应之前，其拉伸模量为0.1N/mm2。用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射的紫外线固化粘接剂A的拉伸模量为49N/mm2。
再利用一种直接切割式的带子粘着剂(由NITTO SEIKI INC.公司生产：商品名为NEL-DR8500II)，将所得到的清洁片A粘接在晶片上。在这个过程中，将清洁片A粘接在20.32cm(8英寸)硅晶片的背面(镜面)上，再利用直接切割法，切成晶片的形状。对25片清洁片连续进行这个操作。结果，在清洁片切割过程中，不产生切割废料。
以后，利用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射5片带有清洁片的晶片，制成具有清洁功能的输送清洁晶片A。
另外，利用激光式异物分析仪测量四片新牌号的20.32cm(8英寸)硅晶片的镜面上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。结果发现，在第一片上有8个尺寸不小于0.2微米的异物，在第二片上有11个该种异物，在第三片上有9个该种异物，在第四片上有5个该种异物。然后，将这些晶片的镜面朝下，送入单独的具有静电吸引机构的基片处理设备的内部，接着利用激光式异物分析仪，测量每一个晶片的镜面上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。结果，在20.32cm(8英寸)晶片的一个区域内，发现在第一片上有31254个尺寸不小于0.2微米的异物，在第二片上有29954个该种异物，在第三片上有28683个该种异物，在第四片上有27986个该种异物。
接着，从上述输送清洁晶片A上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。然后，将输送清洁晶片A送入有31254个异物附着在晶片台架上的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地输送。以后，在镜面朝下的情况下，将新牌号的20.32cm(8英寸)硅晶片送入基片处理设备的内部，再利用激光式的异物分析仪，测量每一个晶片上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。这个操作进行5次，结果列在表1中。
示例9
除了作为紫外线固化的粘接剂使用由下述方法制造的紫外线固化粘接剂溶液B以外，利用与例8相同的方法制造清洁片B。该方法包括：将100份多官能的尿烷丙烯酸酯(由Nippon Synthetic化学工业有限公司生产：商品名为UV 1700B)，3份聚异氰酸酯化合物(由Nippon Polyurethane Industry公司生产：商品名为Colonate L)和10份苯基二甲基缩酮(由Ciba Specialty化学有限公司生产：商品名为Irgacure 651)作为光聚合引发剂，加入由包括30份2-乙基己基丙烯酸酯，70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸的单体混合物中得到的100份丙烯酸聚合物(重量平均分子量为2800000)中，并将混合物搅拌均匀。然后测量紫外线固化粘接剂B的拉伸模量。结果，在固化前，其拉伸模量为0.01N/mm2。用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射的紫外线固化粘接剂B的拉伸模量为1440N/mm2。
用与例8相同的方法直接切割上述清洁片B，制成带有清洁片的25片晶片。结果，在清洁片切割过程中，不产生切割废料。将25片晶片中的5片晶片用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射，制成具有清洁功能的输送清洁晶片B。
接着，从上还输送清洁晶片B上剥离清洁层上的可剥离的薄膜。然后，将输送清洁晶片B送入有29954个异物附着在晶片台架上的基片处理设备内部。结果，可以毫无困难地输送。以后，在镜面朝下的情况下，将20.32cm(8英寸)硅晶片送入基片处理设备的内部，再利用激光式的异物分析仪，测量每一个晶片上是否有尺寸不小于0.2微米的异物存在。这个操作进行5次，结果示于表1中。
比较例8
除了清洁片C用下述方法制造以外，利用与例8相同的方法，通过直接切割法制造带有清洁片的晶片，该方法包括：在粘接在晶片上之前，用中心波长为365纳米的紫外光以1000mJ/cm2的总体剂量照射清洁片A。结果，在清洁片切割过程中，由清洁层产生大量的切割废料。这些切割废料大部分附着在带清洁片的晶片的边缘，晶片的背面和带子粘着剂上。因此，只得中止制造带清洁片的晶片C。
比较例9
除了作为清洁层的粘接剂，使用例8中所述的压敏粘接剂溶液A以外，利用与例8相同的方法制造清洁片D。清洁片D中的清洁层的拉伸模量为0.1N/mm2。
利用与例8相同的方法直接切割清洁片D，制成带有清洁片的晶片。结果，在清洁片切割过程中不产生切割废料，制造了25片带清洁片的晶片。再将输送清洁晶片D送至晶片台架上附着有27986个异物的基片处理设备内部。结果，在输送第一片的过程中，输送清洁晶片D粘接在晶片台架上。这样，不能再输送清洁晶片D了。
表1
Figure C0181068100251
工业适用性
如上所述，可以可靠地输送根据本发明的清洁片通过基片处理设备的内部，并可以简单和可靠地除去附着在设备内部的异物。
虽然，利用优选实施例说明了本发明，但应当理解，在不偏离下述的本发明的精神和范围的条件下，优选实施例的详细结构，零件的布局均可以改变。

Claims (26)

1.一种清洁片，其包括基本上没有胶粘性并具有根据JIS K7127确定的不小于0.98N/mm2的拉伸模量的清洁层。
2.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，还包括用于支承所述清洁层的基底材料。
3.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，还包括：
在一个侧面上支承清洁层的基底材料；和
设在所述基底材料另一个侧面上的粘接剂层。
4.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层相对于硅晶片镜面的180°剥离粘接力不大于0.20N/10mm。
5.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层不导电。
6.如权利要求5所述的清洁片，其特征在于，所述基本上没有胶粘性和不导电的清洁层由塑料材料或薄膜制成。
7.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层的表面自由能小于30mJ/m2。
8.如权利要求7所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层相对于水的接触角大于90°。
9.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层的摩擦系数不小于1.0。
10.如权利要求1所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层根据JISK7127确定的拉伸模量不大于2000N/mm2。
11.一种清洁片，其包括Vickers硬度不小于10的清洁层。
12.如权利要求11所述的清洁片，其特征在于，还包括用于支承所述清洁层的基底材料。
13.如权利要求11所述的清洁片，其特征在于，还包括：
在一个侧面上支承清洁层的基底材料；和
设在所述基底材料另一个侧面上的粘接剂层。
14.如权利要求1或11所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层包括粘接剂层并已经被有效能量固化。
15.如权利要求14所述的清洁片，其特征在于，所述清洁层是通过使包含每个分子具有一个或多个不饱和双键的至少一种化合物的压敏粘接剂聚合物和聚合引发剂在有效能量作用下经历聚合固化反应而得到的，因此清洁层的胶粘性基本上消失。
16.如权利要求15所述的清洁片，其特征在于，所述有效能量为紫外光。
17.一种具有清洁功能的输送件，它包括如权利要求15或13所述的上面带有所述粘接剂层的清洁片。
18.一种清洁基片处理设备的方法，它包括将清洁片和具有清洁功能的输送件中的任何一种送至基片处理设备内部的步骤，其中，所述清洁片包括基本上没有胶粘性并具有根据JIS K7127确定的不小于0.98N/mm2的拉伸模量的清洁层，并且所述具有清洁功能的输送件包括一清洁片，该清洁片包括具有不低于10的Vickers硬度的清洁层。
19.一种用于导电检查设备的清洁件，它包括：
用于清除附着在所述导电检查设备的导电检查触点插头上的异物的触点插头清洁器；和
如权利要求1所述的设在所述触点插头清洁器的一个侧面上的清洁片，用于清除附着在设备的与所述触点插头清洁器接触的接触区域上的异物。
20.一种用于导电检查设备的清洁件，它包括：
设在输送件的一个侧面上的触点插头清洁器，用于清除附着在所述导电检查设备的导电检查触点插头上的异物；和
如权利要求1所述的设在所述触点插头清洁器的一个侧面上的清洁片，用于清除附着在设备的与所述触点插头清洁器接触的接触区域上的异物。
21.如权利要求19或20所述的清洁件，其特征在于，所述清洁片包括设在基底材料的一个侧面上的粘接剂层和设在基底材料的另一个侧面上的清洁层；该清洁层用于除去附着在设备中与所述触点插头清洁器接触的接触区域上的异物。
22.一种用于清洁导电检查设备的方法，它包括将如权利要求19、20和21中任一项所述的清洁件送入所述导电检查设备内部的步骤。
23.一种制造具有清洁功能的输送件的方法，它包括下列步骤：
将清洁片与输送件层叠，在它们之间有一个粘接剂层，使所述清洁片的形状比所述输送件的形状大；该清洁片具有设在基底材料的一个侧面上的由当受到有效能量作用时产生聚合固化的粘接剂制成的清洁层，和设在基底材料另一个侧面上的粘接剂层，所述清洁层基本上没有胶粘性并具有根据JIS K7127确定的不小于0.98N/mm2的拉伸模量；和
沿着所述输送件的轮廓切割所述清洁片；
其特征在于，在沿着所述输送件的轮廓切割所述清洁片以后，所述清洁层进行聚合固化反应。
24.一种制造如权利要求23所述的具有清洁功能的输送件的方法，其特征在于，在切割清洁片时，所述清洁层根据JIS K7127确定的拉伸模量不大于1N/mm2。
25.一种制造如权利要求23所述的具有清洁功能的输送件的方法，其特征在于，在聚合固化之后，所述清洁层根据JIS K7127确定的拉伸模量不小于10N/mm2。
26.一种用在制造如权利要求23所述的具有清洁功能的输送件的方法中的清洁片，其特征在于，它包括：设在基底材料的一个侧面上的由当受到有效能量作用时产生聚合固化的粘接剂制成的清洁层，和设在基底材料另一个侧面上的粘接剂层；所述清洁层处在未固化状态。
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