JPH0612784B2 - 半導体製造装置クリーニング用基体 - Google Patents

半導体製造装置クリーニング用基体

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JPH0612784B2
JPH0612784B2 JP23164989A JP23164989A JPH0612784B2 JP H0612784 B2 JPH0612784 B2 JP H0612784B2 JP 23164989 A JP23164989 A JP 23164989A JP 23164989 A JP23164989 A JP 23164989A JP H0612784 B2 JPH0612784 B2 JP H0612784B2
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wafer
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裕 鎌田
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造装置のクリーニング用部材に関し、
特に詳細には主としてウェーハの搬送面をクリーニング
するクリーニング用基体に関する。
（従来の技術） 従来では、ウェーハを搬送するための搬送部材の搬送面
上に付着したゴミを除去するには、例えばアルコール等
の有機溶媒を含んだ布を用いて直接搬送面を拭くことに
よりゴミを除去していた。この方法では大きさが１００
ミクロン程度（目に見える程度）以上のゴミについては
除去できる。しかし、大きさが１００ミクロン程度以下
のゴミを除去することはできなかった。
他の方法としては、例えば清掃なウェーハの鏡面部分と
搬送面とを接触させることによりゴミを除去していた。
この方法では、わずかではあるが１０ミクロン以下のゴ
ミを除去することができる。しかし、ゴミが付着したウ
ェーハを使用した場合には、搬送面が逆に汚染されるこ
とになる。また、この方法は多数の清浄なウェーハを必
要とする。さらに搬送部材上に清浄なウェーハを搭載し
て搬送面が清浄になるまで何度も搬送をくり返す工程を
必要とし、その分製造時間が増大していた。一方、最近
の加工技術の進歩に伴って、半導体装置の加工寸法は増
々微細化される傾向にある。これに応じて、１０ミクロ
ン以下のゴミをできるだけ除去する必要があるが、上記
した従来の方法では十分満足のいく程度までゴミを除去
することができなかった。
（発明が解決しようとする課題） 以上説明したように、従来用いられた搬送面のクリーニ
ング方法は大きさが１０ミクロン以下のゴミを十分に除
去することができないという問題があった。また、従来
の方法は清浄な多数のウェーハを必要とし、さらにウェ
ーハを搬送する工程を何度も必要とするため半導体装置
の製造時間が増大するという問題があった。
そこで本発明は、上記した問題に鑑みてなされたもので
あり、大きさが１０ミクロン以下のゴミでも効率良く除
去することのできる半導体製造装置クリーニング用基体
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の請求項１記載の半導体装置クリーニング用基体
はウェーハと同様の形状を有する第一の層と、 微粒子吸着部材を用いて前記第一の層の少なくとも一方
の面上を覆うように形成された第二の層から構成されて
いることを特徴としており、請求項２記載の半導体製造
装置クリーニング用基体は請求項１記載の半導体製造装
置クリーニング用基体において前記第一の層はウェーハ
であることを特徴としており、請求項３記載の半導体製
造装置クリーニング用基体は請求項１記載の半導体製造
装置クリーニング用基体において前記第二の層は微粒子
吸着性を有する樹脂を用いて形成されていることを特徴
としており、請求項４記載の半導体製造装置クリーニン
グ用基体は請求項１記載の半導体製造装置クリーニング
用基体において前記第二の層はシリコーン接着剤を用い
て形成されていることを特徴としており請求項５記載の
半導体製造装置クリーニング用基体は請求項１記載の半
導体製造装置クリーニング用基体において前記第一の層
は、少なくとも一種類以上の金属または高分子材料、も
しくは該金属および該高分子材料からなる複合材料を用
いて形成されていることを特徴としており請求項６記載
の半導体製造装置クリーニング用基体は請求項１記載の
半導体製造装置クリーニング用基体において前記第一の
層はアルミニウム板を用いて形成されていることを特徴
としており、請求項７記載の半導体製造装置クリーニン
グ用基体は請求項１記載の半導体製造装置クリーニング
用基体において前記第一の層はプラスチック板を用いて
形成されていることを特徴としており、請求項８記載の
半導体製造装置クリーニング用基体は微粒子吸着部材を
用いてウェーハと同様の形状に形成されたことを特徴と
している。
（作用） 本発明の半導体製造装置クリーニング用基体は、例えば
第一の層としてウェーハを、第二の層として微粒子吸着
部材を用いて形成されている。そして第二の層を搬送面
上に接するようにして搭載し、搬送を行なうことにより
搬送面上のゴミを効率良く除去することができる。さら
に、このクリーニング用基体はウェーハと同一の形状を
有するように形成される。このためウェーハの搬送の場
合と同様の搬送工程を用いて搬送面のクリーニングを行
なうことができる。
（実施例） 以下本発明の実施例を第１図〜第７図を用いて説明す
る。
第１図は本実施例の半導体製造装置クリーニング用基
体、即ち、クリーニング用基体の断面図を示す。同図に
おいて、１は第一の層であるウェーハ、２は第二の層で
ある微粒子吸着部材、即ち吸着剤である。吸着剤２はウ
ェーハ１を覆うように形成されている。上記構成を有す
る本実施例のクリーニング用基体は、第２図に示すよう
にスピンコートを用いて形成されている。同図において
ウェーハ１をスピンチャック２１上に搭載した。ウェー
ハ１の厚さは０．６２５ｍｍとした。次にスピンチャッ
ク２１の回転数を１０００〜５０００ｒｐｍ／ｓｅｃに
保ちディスペンスノズル２４からウェーハ１上へ吸着剤
２３をスピンコートした。吸着剤２３は、熱硬化型接着
剤であるＴＳＥ３０３３（Ｓｉ吸着剤１，東芝シリコー
ン社製）およびＴＳＥ３２５０（Ｓｉ接着材，東芝シリ
コーン社製）を用いた。スピンコート時間は約３０〜６
０秒とした。得られた吸着剤２の厚さは約１ｍｍ以下と
した。クリーニング用基体３の形状は、搬送面で搬送さ
れるウェーハと同一の形状になるよう形成した。スピコ
ート後、約３０分間放置し乾燥させた。その後、プレー
ト式ベーカーを用いてクリーニング用基体を１５０〜１
６０℃の温度で加熱した。
尚、スピンコート法を用いずに、第３図に示すように、
コート用ローラー３０を用いてウェーハ面上に吸着剤２
３を形成してもよい。この場合、ウェーハ１上に吸着剤
２３を形成した後の乾燥、加熱処理は、上記説明したス
ピンコート法と同様に行なう。
上記製造工程を経て得られたクリーニング用基体３を用
いて、半導体製造装置の搬送面のゴミ除去能力を測定し
た。このゴミ除去方法は、通常ウェーハを搬送する面に
吸着剤２の面を接触させて行なった。
第７図は、従来のクリーニング用基体（ウェーハのみ）
と、本実施例のクリーニング用基体とのゴミ除去能力を
比較した図である。ゴミの個数の測定は搬送面上をダス
トカウンターＷＭ−II（東京光学（株）製）を用いて行
なった。同図において、縦軸はゴミ除去の個数を示し、
横軸はクリーニング部材の種類を示す。尚、除去個数は
０．３μｍ以上の大きさのゴミを対象とした。同図のよ
れば、アルコールを用いてクリーニングした場合、ゴミ
個数が３７２個増加してクリーニングどころか逆に汚染
されることを示している。ウェーハを用いた場合は、搬
送面のゴミをわずか１０個程度除去している。本実施例
のクリーニング用部材であるＳｉ接着剤１を用いた場合
では、搬送面上のゴミを約７０個除去でき、Ｓｉ接着剤
２を用いた場合ゴミを約２２０個除去できたことを示し
ている。
このように、本実施例のクリーニング用基体を用いれ
ば、従来と比べて約２２倍の除去効果が得られることが
わかる。
尚、ダストカウンターの測定限界のために、０．３μｍ
未満の大きさのゴミについては測定できなかった。しか
し、０．３μｍ未満の大きさのゴミに対しても本実施例
のクリーニング用基体は除去能力があると推定できる。
上記実施例では、ウェーハ１上に吸着剤を形成した場合
を示した。ところでウェーハ１両面に吸着剤を形成した
クリーニング用基体を用いれば、搬送面上のゴミばかり
でなう半導体装置内の空気中のゴミを吸着して除去する
ことができる。第４図は本発明の他実施例であるクリー
ニング用基体４０の断面図である。同図において、微粒
子吸着剤４１はウェーハ１の両面を覆うように形成され
ている。本実施例のクリーニング用基体の形状は、第１
図の実施例で示したクリーニング用基体の形状と同一と
なるように形成する。本実施例のクリーニング用基体４
０の製造方法は、第５図に示すように、例えば、吸着剤
を溶融した溶融液５１の中にウェーハ１を所定時間保つ
ことにより形成する（ディップ方式）。
本実施例では、ウェーハ１の面上に吸着剤を形成した
が、ウェーハ１を用いずに吸着剤のみを用いてクリーニ
ング用基体を形成してもよい。第６図は本発明の他実施
例であるクリーニング用基体の断面図である。同図にお
いてクリーニング用基体６０は微粒子吸着剤（第１図お
よび第４図の実施例における第二の層）のみで形成され
ている。このクリーニング用基体６０の形成方法として
は、例えば型抜きを用いて形成する。
クリーニング用基体６０の形状は、第１図および第４図
の実施例と同一にする。
このように、本実施例のクリーニング用基体を用いれば
１０μｍ以下のゴミまでも効率良く除去することができ
る。
尚、本実施例では、第一の層としてウェーハを用いた
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、
ウェーハと同様の形状を有する金属、例えばアルミニウ
ム板、または高分子材料、例えばプラスチック板を第一
の層として用いても同様の効果を得ることができる。ま
た、第二の層として天然ゴム、アクリル樹脂およびナイ
ロンとエポキシの共重合体を用いて、クリーニング用基
体を形成し、上記実施例と同様の実験を行なったところ
同様の効果が得られた。これにより第二の層は、微粒子
吸着性を有する樹脂であれば樹脂の種類に限定されない
ことを示している。
本実施例のクリーニング用基体は搬送部に搭載するため
ウェーハと同一の形状が最も好ましいが、他の形状であ
ってもよい。
さらに、本実施例のクリーニング用基体は数回の使用に
耐えることができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の半導体装置クリーニング
用基体は、運搬面と接触する面を、例えば微粒子吸着性
を有する部材を用いて形成している。このため０．３μ
ｍ以上のゴミを効率良く除去することができる。そして
ウェーハのみを用いたクリーニングと比較すると約２２
倍のゴミ除去能力を有するので、クリーニング回数が少
なくてよい。また、このクリーニング用基体はウェーハ
と同一の形状をしているためウェーハと同様に搬送部材
上に搭載して搬送できる。このため新たな設備を導入す
ることなく、容易に搬送面をクリーニングすることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例であるクリーニング用基体の断面図、
第２図および第３図は第１図のクリーニング用基体の製
造方法を示す図、第４図は本発明の他実施例であるクリ
ーニング用基体の断面図、第５図は第４図のクリーニン
グ用基体の製造方法を示す図、第６図は本発明の他実施
例であるクリーニング用基体の断面図、第７図は従来の
クリーニング用基体と本実施例のクリーニング用基体と
のゴミ除去能力の比較図である。 １……ウェーハ（第一の層） ２，４１…………微粒子吸着剤（第二の層） ３，４０，６０……クリーニング用基体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ウェーハと同様の形状を有する第一の層
    と、 微粒子吸着部材を用いて前記第一の層の少なくとも一方
    の面上を覆うように形成された第二の層から構成されて
    いる ことを特徴とする半導体製造装置クリーニング用基体。
  2. 【請求項２】前記第一の層はウェーハである ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  3. 【請求項３】前記第二の層は微粒子吸着性を有する樹脂
    を用いて形成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  4. 【請求項４】前記第二の層はシリコーン接着剤を用いて
    形成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  5. 【請求項５】前記第一の層は、少なくとも一種類以上の
    金属または高分子材料、もしくは該金属および該高分子
    材料からなる複合材料を用いて形成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニグ用基体。
  6. 【請求項６】前記第一の層はアルミニウム板を用いて形
    成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  7. 【請求項７】前記第一の層はプラスチック板を用いて形
    成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  8. 【請求項８】微粒子吸着部材を用いてウェーハと同様の
    形状に形成されている ことを特徴とする半導体製造装置クリーニング用基体。
JP23164989A 1989-09-08 1989-09-08 半導体製造装置クリーニング用基体 Expired - Lifetime JPH0612784B2 (ja)

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