JPH0395951A - 半導体製造装置クリーニング用基体 - Google Patents

半導体製造装置クリーニング用基体

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JPH0395951A JP1231649A JP23164989A JPH0395951A JP H0395951 A JPH0395951 A JP H0395951A JP 1231649 A JP1231649 A JP 1231649A JP 23164989 A JP23164989 A JP 23164989A JP H0395951 A JPH0395951 A JP H0395951A
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裕 鎌田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造装置のクリーニング用部材に関し、
特に詳細には主としてウェーハの搬送面をクリーニング
するクリーニング用基体に関する。
（従来の技術） 従来では、ウェーハを搬送するための搬送部Ｈの搬送面
上に付着したゴミを除去するには、例えばアルコール等
の有機溶媒を含んだ布を用いて直接搬送面を拭くことに
よりゴミを除去していた。
この方法では大きさが１００ミクロン程度（［１に見え
る程度）以上のゴミについては除去できる。
しかし、大きさが１００ミクロン程度以下のゴミを除去
することはできなかった。
他の方法としては、例えば清浄なウェーハの鏡面部分と
搬送面とを接触させることによりゴミを除去していた。
この方法では、わずかではあるが１０ミクロン以下のゴ
ミを除去することができる。
しかし、ゴミが付着したウェーハを使用した場合には、
搬送面が逆に〆ｑ染されることになる。また、この方法
は多数の清浄なウェーハを必要とする。
さらに搬送部材上に清浄なウェーハを搭載して搬送面が
清浄になるまで何度も搬送をくり返す工程を必要とし、
その分製造時間が増大していた。
方、最近の加工技術の進歩に伴って、半導体装置の加工
寸法は増々微細化される傾向にある。これに応じて、１
０ミクロン以下のゴミをできるだけ除去する必要がある
が、上記した従来の方法ではｆ分満足のいく程度までゴ
ミを除去することができなかった。
（発明が解決しようとする課題） 以上説明したように、従来用いられた搬送而のクリーニ
ング方法は大きさが１０ミクロン以下のゴミを十分に除
去することができないという問題があった。また、従来
の方法は清浄な多数のウ工−ハを必要とし、さらにウェ
ーハを搬送する王程を何度も必要とするため半導体装置
の製造時間が増大するという問題があった。
そこで本発明は、上記した問題に鑑みてなされたもので
あり、大きさが１０ミクロン以下のゴミでも効率良く除
去することのできる半導体製造装置クリーニング用基体
を提供することを〔］的とする。
［発明の構或］ （課題を解決するための手段） 本発明の請求項１記載の平導体装置クリーニング用基体
はウェーハと同様の形状を有する第一の層と、 微粒子吸着部材を用いて前記第一の層の少なくとも一方
の面上を覆うように形成された第二の層から構成されて
いることを特徴としており、請求項２記載の半導体製造
装置クリーニング用基体は請求項１記載の半導体製造装
置クリーニング用基体において前記第一の層はウェーハ
であるこトヲ特徴としており、請求項３記載の半導体製
造装置クリーニング用基体は請求項１記載の半導体製造
装置クリーニング用基体において前記第二の層は微粒子
吸着性を有する樹脂を用いて形成されていることを特徴
としており、請求項４記載の゛１ミ導体製造装置クリー
ニング用基体は請求項１記載の゛１（導体製造装置クリ
ーニング用基体において前記第二の層はシリコーン接着
剤を用いて形威されていることを特徴としており請求項
５記載の半導体製造装置クリーニング用基体は請求項１
記載の半導体製造装置クリーニング用基体において前記
第一の層は、少なくとも一種類以上の金属または高分子
材料、もしくは該金属および該高分子材料からなる複合
材料を用いて形威されていることを特徴としており請求
項６記載の半導体製造装置クリーニング用基体は請求項
１記載の半導体製造装置クリーニング用基体において前
記第一の層はアルミニウム板を用いて形成されているこ
とを特徴としており、請求項７記載の半導体製造装置ク
リーニング用基体は請求項１把載の半導体製造装置クリ
ニング用基体において前記第一の層はプラスチック板を
用いて形成されていることを特徴としており、請求項８
記載の半導体製造装置クリーニング用基体は微粒子吸着
部材を用いてウェーハと同様の形状に形威されたことを
特徴としている。
（作用） 本発明の半導体製造装置クリーニング用基体は、例えば
第一の層としてウェーハを、第二の層として微粒子吸着
部材を用いて形成されている。
そして第二の層を搬送面上に接するようにして搭載し、
搬送を行なうことにより搬送面上のゴミを効率良く除去
することができる。さらに、このクリーニング用基体は
ウェーハと同一の形状を有するように形威される。この
ためウェーハの搬送の場合と同様の搬送工程を用いて搬
送面のクリーニングを行なうことができる。
（実施例） 以下本発明の実施例を第１図〜第７図を用いて説明する
。
第１図は本実施例の半導体製造装置クリーニング用基体
、即ち、クリーニング用基体の断面図を示す。同図にお
いて、１．は第一の層であるウェーハ　２は第二の層で
ある微粒子吸着部材、即ち吸着剤である。吸着剤２はウ
ェーハｌを覆うように形成されている。上記ｔｉ戊を有
する本実施例のクリーニング用基体は、第２図に示すよ
うにスビンコートを用いて形成されている。同図におい
てウェーハ１をスピンチャック２１上に搭載した。ウ工
一ハ１の厚さは０．６２５ｍｍとした。次にスピンチャ
ック２ｌの回転数を１０００〜５０００ｒ　ｐ　ｍ　／
　ｓ　ｅ　ｃに保ちディスベンスノズル２４からウェー
ハ１上へ吸着剤２３をスピンコートした。
吸着剤２３は、熱硬化型接着剤であるＴＳ・２３０３３
（Ｓｔ接着剤１，東芝シリコーン社製）およびＴＳＥ３
２５０　（Ｓ　ｉ接着材２，東芝シリコーン社製）を用
いた。スピンコート時間は約３０〜６０秒とした。得ら
れた吸着剤２の厚さは約１ｍｍ以下とした。クリーニン
グ用基体３の形状は、搬送面で搬送されるウェーハと同
一の形状になるよう形威した。スピコート後、約３０分
間放置し乾燥させた。その後、プレート式ベーカーを用
いてクリーニング用基体を１５０〜１６０℃の温度で加
熱した。
尚、スピンコート法を用いずに、第３図に示すように、
コート用ローラー３０を用いてウェーハ而上に吸着剤２
３を形成してもよい。この場合、ウェーハ１上に吸着剤
２３を形威した後の乾燥、加熱処理は、上記説明したス
ピンコート法と同様に行なう。
上記製造工程を経て得られたクリーニング用基体３を用
いて、半導体製造装置の搬送面のゴミ除去能力を測定し
た。このゴミ除去方法は、通常ウェーハを搬送する面に
吸着剤２の面を接触させて行なった。
第７図は、従来のクリーニング用基体（ウェーハのみ）
と、本実施例のクリーニング用基体とのゴミ除去能力を
比較した図である。ゴミの個数の測定は搬送面上をダス
トカウンターＷＭ−Ｕ（’Ｊ京光学（株）製）を用いて
行なった。同図において、縦軸はゴミ除去の個数を示し
、横軸はクリーニング部材の種類を示す。尚、除去個数
は０．３μｍ以上の大きさのゴミを対象とした。同図に
よれば、アルコールを用いてクリーニングした場合、ゴ
ミ個数が３７２個増加してクリーニングどころか逆にｌ
タ染されることを示している。ウェーハを用いた場合は
、搬送面のゴミをわずが１０藺程度除去している。本実
施例のクリーニング用部材であるＳｉ接着剤１を用いた
場合では、搬送面上のゴミを約７０個除去でき、Ｓｔ接
着剤２を用いた場合ゴミを約２２０個除去できたことを
示している。
このように、本実施例のクリーニング用基体を用いれば
、従来と比べて約２２倍の除去効鬼が得られることがわ
かる。
尚、ダストカウンターの測定限界のために、０、３μｍ
未満の大きさのゴミについては測定できなかった。しか
し、０．３μｍ未満の大きさのゴミに対しても本実施例
のクリーニング用基体は除去能力があると推定できる。
上記実施例では、ウェーハ１上に吸着剤を形成した場合
を示した。ところでウェーハ１の両面に吸着剤を形成し
たクリーニング用基体を用いれば、搬送面上のゴミばか
りでなく半導体装置内の空気中のゴミを吸着して除去す
ることができる。第４図は本発明の他実施例であるクリ
ーニング用基体４０の断面図である。同図において、微
粒子吸着剤４１はウェーハ１の両面を覆うように形威さ
れている。本実施例のクリーニング用基体の形状は、第
１図の実施例で示したクリーニング用基体の形状と同一
となるように形成する。本実施例のクリニング用基体４
０の製造方法は、第５図に示すように、例えば、吸着剤
を溶融した溶融液５１の中にウェーハ１を所定時間保つ
ことにより形成する（ディヅブ方式）。
本実施例では、ウェーハ１の面上に吸着剤を形成したが
、ウェーハ１を用いずに吸着剤のみを用いてクリーニン
グ用基体を形成してもよい。第６図は本発明の他実施例
であるクリーニング用基体の断面図である。同図におい
てクリーニング用基体６０は微粒子吸着剤（第１図およ
び第４図の実施例における第二の層）のみで形成されて
いる。
このクリーニング用基体６０の形成方法としては、例え
ば型抜きを用いて形成する。
クリーニング用基体６０の形状は、第１図および第４図
の実施例と同一にする。
このように、本実施例のクリーニング用基体を用いれば
１０μｍ以下のゴミまでも効率良く除去することができ
る。
尚、本実施例では、第一の層としてウエーｌ＼を用いた
が、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、
ウェーハと同様の形状を有する金属、例えばアルミニウ
ム板、または高分子祠料、例えばプラスチック板を第一
の層として用いても同様の効果を得ることができる。ま
た、第二の層として天然ゴム、アクリル樹脂およびナイ
ロンとエポキシの共重合体を用いて、クリーニング用基
体を形成し、上記実施例と同様の実験を行なったところ
同様の効果が得られた。これにより第二の層は、微粒子
吸着性を有する樹脂であれば樹脂の種類に限定されない
ことを示している。
本実施例のクリーニング用基体は搬送部に搭載するため
ウェーハと同一の形状が最も好ましいが、他の形状であ
ってもよい。
さらに、本実施例のクリーニング用基体は数回の使用に
耐えることができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の半導体装置クリーニング
用基体は、運搬面と接触する面を、例えば微粒子吸着性
を有する部材を用いて形成している。このため０．３μ
ｍ以上のゴミを効率良く除去することができる。モして
ウ工−ノ＼のみを用いたクリーニングと比較すると約２
２倍のゴミ除去能力を有するので、クリーニング回数が
少なくてよい。また、このクリーニング用基体はウェー
ハと同一の形状をしているためウエーノ＼と同様に搬送
部材上に搭載して搬送できる。このため新たな設備を導
入することなく、容易に搬送面をクリニングすることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例であるクリーニング用基体の断面図、
第２図および第３図は第１図のクリーニング用基体の製
造方法を示す図、第４図は本発明の他実施例であるクリ
ーニング用基体の断面図、第５図は第４図のクリーニン
グ用基体の製造方法を示す図、第６図は本発明の他実施
例であるクリニング用基体の断面図、第７図は従来のク
リーニング用基体と本実施例のクリーニング用基体との
ゴミ除去能力の比較図である。 １・・・ウェーハ（第一の層）

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ウェーハと同様の形状を有する第一の層と、微粒
    子吸着部材を用いて前記第一の層の少なくとも一方の面
    上を覆うように形成された第二の層から構成されている ことを特徴とする半導体製造装置クリーニング用基体。
  2. （２）前記第一の層はウェーハである ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  3. （３）前記第二の層は微粒子吸着性を有する樹脂を用い
    て形成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  4. （４）前記第二の層はシリコーン接着剤を用いて形成さ
    れている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  5. （５）前記第一の層は、少なくとも一種類以上の金属ま
    たは高分子材料、もしくは該金属および該高分子材料か
    らなる複合材料を用いて形成されている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  6. （６）前記第一の層はアルミニウム板を用いて形成され
    ている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  7. （７）前記第一の層はプラスチック板を用いて形成され
    ている ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置クリー
    ニング用基体。
  8. （８）微粒子吸着部材を用いてウェーハと同様の形状に
    形成されている ことを特徴とする半導体製造装置クリーニング用基体。
JP23164989A 1989-09-08 1989-09-08 半導体製造装置クリーニング用基体 Expired - Lifetime JPH0612784B2 (ja)

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