JPH03101866A - 被膜形成装置 - Google Patents
被膜形成装置Info
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- JPH03101866A JPH03101866A JP23814289A JP23814289A JPH03101866A JP H03101866 A JPH03101866 A JP H03101866A JP 23814289 A JP23814289 A JP 23814289A JP 23814289 A JP23814289 A JP 23814289A JP H03101866 A JPH03101866 A JP H03101866A
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はガラス板や半導体ウェハー等の表面に各種被膜
を形成する装置に関する。
を形成する装置に関する。
（従来の技術）
液晶基板として用いるガラス板にはガラス中のナトリウ
ムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり、ガラス板の
屈折率を調整するため、ガラス板表面に所定の性質を有
する被膜を形成している。
ムが液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり、ガラス板の
屈折率を調整するため、ガラス板表面に所定の性質を有
する被膜を形成している。
斯る被膜を形成するには、被処理物の表面に被膜形成用
の液体を滴下し、これをスピンナーによって均一に拡げ
、次いで加熱することで被膜とするようにしている。
の液体を滴下し、これをスピンナーによって均一に拡げ
、次いで加熱することで被膜とするようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の装置において、スピンナーによって被膜
形成用の液体を被処理物表面に塗布する場合、被処理物
の外端部まで拡がった塗布液の一部が被ＩＡ理物の裏面
まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
形成用の液体を被処理物表面に塗布する場合、被処理物
の外端部まで拡がった塗布液の一部が被ＩＡ理物の裏面
まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
斯る不利を解消するため、従来にあってはスピンナー装
置と同一箇所において、被処理物の裏面に洗浄液を吹き
付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去するようにして
いる。
置と同一箇所において、被処理物の裏面に洗浄液を吹き
付け、裏面まで廻り込んだ塗布液を除去するようにして
いる。
しかしながら、被処理物の裏面を洗浄液によって裏面に
廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側から
塗布７夜が廻り込んでしまう。
廻り込んだ塗布液を除去しても、またすぐに表面側から
塗布７夜が廻り込んでしまう。
（課題を解決するための手段〉
上記課題を解決すべく本発明は、被処理物の表面に被膜
となる液体を均一に塗布するスピンナーの下流側に減圧
乾燥装置を配置し、この減圧乾燥装置の下流側に被処理
物の裏面を洗浄するスピンナーを配置し、更にこのスピ
ンナーの下流側にホットプレートを配置した。
となる液体を均一に塗布するスピンナーの下流側に減圧
乾燥装置を配置し、この減圧乾燥装置の下流側に被処理
物の裏面を洗浄するスピンナーを配置し、更にこのスピ
ンナーの下流側にホットプレートを配置した。
（作用）
被処理物の表面に塗布した液体がある程度乾燥した後に
、裏面洗浄を行うので、塗布した液体が再び裏面に廻り
込むことがない。
、裏面洗浄を行うので、塗布した液体が再び裏面に廻り
込むことがない。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る被膜形成装置の平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図である。
第１図のＡ−Ａ線断面図である。
被膜形威装置はガラス板や半導体ウエハー等の被処理物
Ｗの搬送ラインの一部を構威し、被処理物Ｗの投入部１
の下流側に塗布用スピンナ−２を配置し、この塗布用ス
ピンナ−２の下流側に減圧乾燥装置３を配置し、この減
圧乾燥装置３の下流側に被処理物Ｗの裏面洗浄用スピン
ナ−４を配置し、更に裏面洗浄用スビンナ−４の下流側
にホツトプレート５を配置し、投入部１からホットプレ
ート５に至るまでは搬送装置６によって被処理物Ｗを搬
送し、ホットプレート５の部分においては搬送装置７に
よって被処理物Ｗを搬送するようにしている。
Ｗの搬送ラインの一部を構威し、被処理物Ｗの投入部１
の下流側に塗布用スピンナ−２を配置し、この塗布用ス
ピンナ−２の下流側に減圧乾燥装置３を配置し、この減
圧乾燥装置３の下流側に被処理物Ｗの裏面洗浄用スピン
ナ−４を配置し、更に裏面洗浄用スビンナ−４の下流側
にホツトプレート５を配置し、投入部１からホットプレ
ート５に至るまでは搬送装置６によって被処理物Ｗを搬
送し、ホットプレート５の部分においては搬送装置７に
よって被処理物Ｗを搬送するようにしている。
また、前記塗布用スビンナ−２はカップ状をなすケーシ
ング２０の中央に筒部２１を設け、この筒部２１に下方
からモータによって回転せしめられるチャック２２を挿
入し、このチャック２２の上方にはチャック２２に吸着
保持された被処理物Ｗの表面に被膜形成用の液体を滴下
するノズル２３を臨ませている。
ング２０の中央に筒部２１を設け、この筒部２１に下方
からモータによって回転せしめられるチャック２２を挿
入し、このチャック２２の上方にはチャック２２に吸着
保持された被処理物Ｗの表面に被膜形成用の液体を滴下
するノズル２３を臨ませている。
また、前記洗浄用スピンナ−４はケーシング４０の中央
にチャック４２を挿入する筒部４１を設けるとともに、
この筒部４１の上部に洗浄７夜噴出ノズル４３を対向し
て一対設けている。
にチャック４２を挿入する筒部４１を設けるとともに、
この筒部４１の上部に洗浄７夜噴出ノズル４３を対向し
て一対設けている。
一方、ホットプレート５は搬送方向に沿って３台配置さ
れ、各ホットプレート５は搬送方向と直交する方向に３
分割され、各分割体５０・・・間に陣間５１を形成し、
この隙間５１に薄板状バー５２を臨ませ、この薄板状バ
ー５２をガイドロツド５３に沿って移動するシリンダユ
ニット５４に取り付けている。而してシリンダユニット
５４に伸長勅をなさしめることで薄板状バー５２の上端
がホットプレート５の陣間５１から突出してホットプレ
ート５上の被処理物Ｗを持ち上げ、この状態でガイドロ
ッド５３に沿ってシリンダユニット５４とともに薄板状
バー５２を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット５
４を圧縮し薄板状バー５２の上端をホットプレート５上
面より下げることで、被処理物Ｗを下流側のホットプレ
ート５に移し換える。このようなクランク勤を繰り返す
ことで順次下流側のホットプレートに移し換える。
れ、各ホットプレート５は搬送方向と直交する方向に３
分割され、各分割体５０・・・間に陣間５１を形成し、
この隙間５１に薄板状バー５２を臨ませ、この薄板状バ
ー５２をガイドロツド５３に沿って移動するシリンダユ
ニット５４に取り付けている。而してシリンダユニット
５４に伸長勅をなさしめることで薄板状バー５２の上端
がホットプレート５の陣間５１から突出してホットプレ
ート５上の被処理物Ｗを持ち上げ、この状態でガイドロ
ッド５３に沿ってシリンダユニット５４とともに薄板状
バー５２を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット５
４を圧縮し薄板状バー５２の上端をホットプレート５上
面より下げることで、被処理物Ｗを下流側のホットプレ
ート５に移し換える。このようなクランク勤を繰り返す
ことで順次下流側のホットプレートに移し換える。
更に前記搬送装置６は被膜形成装置の一側に沿ってレー
ル６０を設け、このレール６０に夫々独立して動作し得
る移動体６１・・・を係合し、この移動体６１から被膜
形成装置の上方に昇降自在な水平バー６２を延出し、こ
の水平バー６２に支持爪６３を取付けている。
ル６０を設け、このレール６０に夫々独立して動作し得
る移動体６１・・・を係合し、この移動体６１から被膜
形成装置の上方に昇降自在な水平バー６２を延出し、こ
の水平バー６２に支持爪６３を取付けている。
以上において被処理物Ｗの表面に被膜を形成する方法を
以下に述べる。
以下に述べる。
先ず投入部１まで搬送されてきた被処理物Ｗを搬送装置
６を用いて塗布用スビンナ−２のチャック２２上に移載
する。この場合、被処理物Ｗはその前後端下面を一対の
水平バー６２．６２の支持爪６３にて係止された状態で
移される。
６を用いて塗布用スビンナ−２のチャック２２上に移載
する。この場合、被処理物Ｗはその前後端下面を一対の
水平バー６２．６２の支持爪６３にて係止された状態で
移される。
この後ノズル２３からチャック２２上に保持されている
被処理物Ｗ表面の中央に被膜形成用の７夜体を滴下し、
被処理物Ｗ表面に液体を均一に拡げる。この時、被処理
物Ｗの外端部下而には被膜形戒用の液体の一部が廻り込
んでいるがそのまま減圧乾燥装置３に搬送して乾燥せし
める。
被処理物Ｗ表面の中央に被膜形成用の７夜体を滴下し、
被処理物Ｗ表面に液体を均一に拡げる。この時、被処理
物Ｗの外端部下而には被膜形戒用の液体の一部が廻り込
んでいるがそのまま減圧乾燥装置３に搬送して乾燥せし
める。
次いで所定時間経過したら搬送装置６によって被処理物
Ｗを洗浄用スピンナ−４のチャック４２上に移載し、チ
ャック４２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せし
めるとともに下面にノズル４３から洗浄液を噴出し、下
面に廻り込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。
Ｗを洗浄用スピンナ−４のチャック４２上に移載し、チ
ャック４２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せし
めるとともに下面にノズル４３から洗浄液を噴出し、下
面に廻り込んである程度固まった塗布液を洗い落とす。
この後、被処理物Ｗをホットプレート５上に送り出し、
加熱によって被処理物Ｗ表面に被膜を形成する。
加熱によって被処理物Ｗ表面に被膜を形成する。
（発明の効果）
以上に説明した如く本発明によれば、被処理物の表面に
均一に被膜形成用の液体を塗布した後、当該塗布液のう
ち被処理物の裏面に廻り込んだ塗布液を洗い落とすこと
なく乾燥せしめ、この後当該廻り込んだ塗布液を洗い落
とすようにしたので確実に被処理物の裏面を洗浄できる
。
均一に被膜形成用の液体を塗布した後、当該塗布液のう
ち被処理物の裏面に廻り込んだ塗布液を洗い落とすこと
なく乾燥せしめ、この後当該廻り込んだ塗布液を洗い落
とすようにしたので確実に被処理物の裏面を洗浄できる
。
第１図は本発明に係る被膜形成装置の正面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図である。 尚、図面中２は塗布用スピンナ− ３は減圧乾燥装置、
４は洗浄用スピンナ− ５はホットプレート、６，７は
搬送装置、２２．４２はチャック、Ｗは被処理物である
。
第１図のＡ−Ａ線断面図である。 尚、図面中２は塗布用スピンナ− ３は減圧乾燥装置、
４は洗浄用スピンナ− ５はホットプレート、６，７は
搬送装置、２２．４２はチャック、Ｗは被処理物である
。
Claims (1)
- ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物表面に被膜を形
成する装置において、この装置は被処理物の搬送ライン
に沿って、上流側から下流側に向って、被膜となる液体
を被処理物表面に均一に拡げる塗布用スピンナー、減圧
乾燥装置、被処理物の裏面洗浄用スピンナー及びホット
プレートを順次配置したことを特徴とする被膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238142A JP2756596B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 被膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238142A JP2756596B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 被膜形成装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08224925A Division JP3135846B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101866A true JPH03101866A (ja) | 1991-04-26 |
| JP2756596B2 JP2756596B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17025812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1238142A Expired - Lifetime JP2756596B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 被膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756596B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08252506A (ja) * | 1996-03-08 | 1996-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | シリカ系被膜形成用基板処理装置 |
| US6120834A (en) * | 1996-02-29 | 2000-09-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for forming film and method for forming film |
| US6139639A (en) * | 1994-12-28 | 2000-10-31 | Toray Industries, Inc. | Coating machine having a timer for continuously forming a coating of uniform thickness on a substrate |
| WO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクスの製造方法 |
| CN108692526A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空干燥及溶剂回收装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0167735U (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | ||
| JPH0275376A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1238142A patent/JP2756596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0167735U (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | ||
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| WO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクスの製造方法 |
| JPWO2004088418A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2006-07-06 | Hoya株式会社 | マスクブランクスの製造方法 |
| CN108692526A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空干燥及溶剂回收装置 |
| WO2019223197A1 (zh) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空干燥及溶剂回收装置 |
| US11033850B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-06-15 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Vacuum drying and solvent recovery device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2756596B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100313 Year of fee payment: 12 |