JPS61245536A - 電子素子の製造方法 - Google Patents

電子素子の製造方法

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JPS61245536A
JPS61245536A JP8630185A JP8630185A JPS61245536A JP S61245536 A JPS61245536 A JP S61245536A JP 8630185 A JP8630185 A JP 8630185A JP 8630185 A JP8630185 A JP 8630185A JP S61245536 A JPS61245536 A JP S61245536A
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JP
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film
resin
resin coating
paint
foreign matter
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JP8630185A
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Saburo Nobutoki
信時 三郎
Takaaki Kumochi
雲内 高明
Akira Fujita
藤田 昭
Kikuo Sato
佐藤 菊男
Katsue Takeda
武田 勝栄
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0014Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子素子の製造方法に係夛、特に薄膜構造を有
する電子素子の製造過程における表面部材の洗浄法に関
するものである。
〔発明の背景〕
通常、薄膜積層構造を有し、薄膜に大きい電界が与えら
れるような電子素子には、例えば整流接合性を有する光
電変換素子あるいは薄膜蓄電池等がある。これらの薄膜
積層構造はスパッタリング。
真空蒸着、 CVD等の薄膜形成プロセスによって順次
積層形成される過程、特に2種類の薄膜界面に異物粒子
が付着すると、該素子が局部的に絶縁破壊、整流性異常
あるいは整流性破壊を起し、全体としての素子機能を害
することがある。例えば整流性接触界面を有する光導電
膜を用いた撮像管において、光導電膜の整流界面に異物
が付着した状態で次層を形成すると、完成した撮像管に
おける当該欠陥部は異物による整流性破壊のために暗電
流が過大に流れ、再生画面に輝点傷を発生させることに
なる。通常、透明硝子基板上に酸化インジウム、酸化錫
あるいはその複合体薄膜を形成し、この上にSeを主成
分とする光導電膜を形成、あるいはさらにそれら両者の
間に酸化ゲルマニウム。
酸化セリウム、弗化リチウムあるいはそれらの複合膜を
中間層として形成した光導電膜は、Ss系先光導電膜P
層としだへテロNP接合が形成され千いる。この場合、
どの層が厳密にN形半導体であるかを定義することは不
要であるが、透明導電膜と中間層の界面および中間層と
光導電膜の界面のいずれも含めて一流性接合界面と総称
することとする。実質的茜地からみると、透明導電膜は
、光導電膜蒸着とは異なるプロセスの蒸着法、スノ(ツ
タリング法、 CVD法あるいはPVD法によ膜形成さ
れることが多く、次工程とは分離されている場合が多い
。このために膜形成後の異物付着の機会。
確率が大であり、またスパッタリング法はそれ自体異物
を発生しやすい。
したがって次工程による被膜形成に先だって表面を清浄
にすることが必要かつ有効である。
従来では、液体中で超音波照射を行ない、蒸気浴から引
き上げ乾燥する方法あるいは付着した洗浄液を遠心力に
よシ液滴を振シ切り乾燥する方法(「塗料便覧」参照)
を行なっていたが、洗浄液中に異物が浮遊することは原
理的に避けがたく、いかに洗浄液のp過清浄化を行なっ
ても洗浄液中の浮遊物は皆無とはならず、これが再度洗
浄面に付着したシあるいは極微細異物粒子は超音波照射
ブラシング等の外力では離脱しない程度の引力によシ基
板面に付着しておシ、ある限度以上の清浄化は不可能と
されていた。この限界は明確ではないが、粒径が約0.
1μmオーダないしそれ以下のものとみなされる。
このような基板面上の異物を除去するには、樹脂溶液を
被洗浄面に塗布し、乾燥後剥離して、その過程で乾燥し
た樹脂膜に異物を埋設せしめ、樹脂剥離とともに除去す
る方法が本願出願人により提案されている(特開昭52
−130810号公報)が、電子素子が例えは撮像管の
撮像面の如く小形で洗浄すべき面とその周辺の洗浄不要
部分の面との面積差が小で、かつ洗浄しない部位も少な
くとも汚損は許されない場合には樹脂溶液の塗布および
その乾燥樹脂膜の剥離を高い生産性をもって行なうこと
ができなかった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、微小な異物
を容易かつ確実に除去して電子素子の品質および生産性
を向上させることができる電子素子の製造方法を提供す
ることにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明による電子素子
の製造方法は、薄膜を形成する被洗浄体表面に樹脂塗料
を塗布し、次いでとの樹脂塗膜の周縁部にかかるように
糸状体の一部を埋設し、乾燥によシ樹脂塗膜に糸状体が
固定された後に核糸状体を引張シ、樹脂塗膜を引き剥す
ことによシ、被洗浄体表面に付着していた汚損物質、微
細異物を該塗膜に取シ込んだ状態でかつ同時に該塗膜の
残渣も残すことなく完全に除去できるとともに該塗膜の
ひきちぎれ残存部を発生することなく容易に剥離するこ
とができる。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図(a)〜(e)は、本発明による電子素子の製造
方法を撮像管用阻止形光導電膜形成方法に適用した一実
施例を説明するための要部断面工程図である。これらの
図において、まず同図(a)に示すように透光性ガラス
基板1上に酸化インジウム、酸化錫またはそれらの混合
物を主成分とする透明導電膜2を形成する。この透明導
電膜2の形成は公知=4− のスパッタリング法、 CVD法、 PVD法あるいは
真空蒸着法のいずれによるものであっても良い。この場
合、この透明導電膜2の被膜形成後にしばしば透明導電
膜2の形成材料に起因する微細粒子ないしは物品のハン
ドリングあるいは放置の過程でこの透明導電膜2上に微
細な異物3が付着する。
このように被洗浄面としての透明導電膜2上に微細な異
物3が付着している場合、同図(b)に示すようにこの
透明導電膜2上に塩化ビニール系樹脂材を主成分とする
例えば塩化ビニール酢酸ビニール共重合体溶液などの樹
脂塗料4を塗布する。この場合、樹脂塗料4は流動性が
大きいため異物3を包み込むようにして流れる。次に同
図(0)および第2図に示すようにこの塗布された樹脂
塗料4の縁辺部4aにかかるように糸状体として例えば
絹糸5の一部を埋設させ、その後この樹脂塗料4を乾燥
させて同図(由に示すように樹脂塗膜6を形成する。し
かる後、その絹糸5の樹脂塗膜・6に埋没していない部
分を同図(e)に示すように矢印入方向に引張ることに
よシ樹脂塗膜6は引き剥され、同時に透明導電膜2上に
付着した異物3はこの樹脂塗膜6にくるみとられた状態
で除去することができる。この場合、樹脂塗膜6の縁辺
部6aには樹脂塗膜6の引きちぎれによる残存物あるい
はその他のしみ等に類するような異常は何等全く認めら
れなかった。
このような方法において、樹脂塗膜6を剥離する絹糸5
は当然無視し得る原価負担であシ、そのまま廃棄してし
まえるものであシ、剥離用治具の再使用のための繁雑さ
および経費を要せず、極めて経済的に清浄な面を得るこ
とができた。また、絹糸5の他にもテトロン、ナイロン
等の長繊維系の糸が作業部周辺の発塵原因とならず有効
であシ、勿論木綿糸あるいはその他の短繊維糸でも樹脂
塗膜6の引き剥し自体は良好にできる。さらにこれらの
糸質を問わず、使用糸を、使用に先だって被膜形成樹脂
と同質の樹脂塗料を塗布して被覆しておくことは発塵お
よび糸の形状制御のために有効である。これらの糸は通
常撚糸加工に基づく「撚シぐせ」あるいはボビンに巻い
てあったことに基づく「巻きぐせ」をもっておシ、第1
図(a)の工程で絹糸5の操作性を損なうことが多い、
これを防止する見地から前記樹脂被覆によシ癖を矯正な
いしは取シ扱いに便利な直線状またはくの字状等の成形
を行なうと良好な効果が得られる。また、絹糸5につい
ては、第1図に示したように単体として取シ扱う以外に
第3図に示すように表面に被洗浄体としての透明導電膜
2を形成した多数個の透光性ガラス板la、lb、 1
cを一列に配置し、それぞれに樹脂塗料を塗布し、これ
に連続した糸5′を埋没し、乾燥して樹脂塗M6を形成
した後、この糸5′を引張り樹脂塗膜6を引き剥す方法
は多数個製作に極めて有効である。この場合、取シ扱い
便宜上告透光性ガラス基板1a、1b、1c相互間に糸
5′の弛みをもたせfcシ、糸5′を同図の如く全線に
わたって埋没し11あるいは両端部のみを埋没したシす
るなどの変形が適宜適用できるので、極めて便利である
。壕だ、樹脂塗料4としては被洗浄面2に対して接着性
が低く、かつ樹脂塗膜6が乾燥形成する過程で樹脂塗料
4構成物の相分離によると考えられる被洗浄面の汚損が
起らず、また樹脂塗膜6が引き剥しに耐える程度の可塑
性および強度を有するフィルムとな夛得るような性質を
有することが必要である。その見地から樹脂塗料4を構
成する樹脂としては塩化ビニール酢酸ビニール共重合体
であることが最も望ましい。また、樹脂塗料4の配合剤
としての可塑剤については、低分子可塑剤は相分離によ
シ透明導電膜2に一部が沈着し膜剥離後残存してしまう
ことがあるので不適である。またポリエステル系、ポリ
エチレングリコール系、ポリエチレンオキサイド系、ポ
リウレタン系、アクリルレジン系などの高分子可塑剤は
、樹脂塗膜6の耐久性の必要度が低いので必ずしも不可
欠ではないが、透明導電膜2の性状によっては樹脂塗膜
6の接着力が過大となシ剥れにくくなる場合もあシ、樹
脂塗膜6の引き剥し時にこの樹脂塗[6が破壊されてし
まう場合があるので、この場合は5ないし40%程度の
付与が望ましい場合がある。また、安定剤、消泡剤1着
色剤等の他の配合剤の添加は上記汚損の原因となるし、
8一 本作業の目的からみて必要度も低いので配合しない。上
記可塑剤の添加に代用しうる方法としては、本作業はそ
の目的から見て樹脂塗膜6は必らずしも完全に乾燥して
い々い時点で引き剥しても良いので、溶剤として比較的
揮発性の低い成分を混合しておくと良い。これによって
樹脂塗膜6に残存した低揮発性溶剤が事実上可塑剤の効
果を発揮し、引き剥しに耐える樹脂塗膜6を得ることが
できる。
したがって前述した樹脂塗料4の組成の一例として、固
形物塩化ビニール酢酸ビニール共重合体10〜25wt
%をメチルエチルケトン溶液に溶解した塗料、前記同様
の固形物をメチルイソブチルケトン溶液に溶解した塗料
、前記両者の塗料の混合塗料、あるいは前記混合塗料の
溶剤のうち、1〜20wt%をシクロヘキサノン、ジイ
ソブチルケトン。
メチルセロノルプアセテート等、常温における蒸気圧が
数msHg程度の低蒸気圧成分と置換した塗料等が好適
である。
第4図(a)〜(d)は本発明の他の実施例を説明する
ための要部断面工程図である。これらの図において、ま
ず同図(a)に示すように透光性ガラス基板1上に被洗
浄面として例えば透明導電膜2を形成する。この場合も
この透明導電膜2上に微細な異物3が付着されている。
このような段階で透光性ガラス基板1の周辺部に、上面
から見るとリング状をなし、断面がほぼ半円状をなすよ
うに樹脂塗料を例えば吐出法等により塗布し、リング状
にめぐらせた土手状樹脂リング7を形成する。この場合
このリング用樹脂塗料としては、適切な作業性を得るた
めにメチルエチルケトン、メチルインブチルケトン単体
またはその混合溶剤あるいはトルエン添加溶剤が好まし
く、また乾燥後の膜強度、剥離力の確保、および残存物
等をなくすことを目的として無可塑ないし高分子可塑剤
または高沸点溶剤を可塑剤として添加した糸が望ましい
。次にこの樹脂りング7が乾燥ないし生乾燥時に同図缶
)に示すように絹糸5を横たえ、その後、同図(e)に
示すように透明導電膜2の全面に樹脂塗料4を塗布し乾
燥させて同図(d)に示すように樹脂塗膜6を形成する
。その後の工程は第1図(e)と同一となる。
この場合、樹脂リングTは透明導電膜2の全周縁に形成
されるので、絹糸5の枕とな夛、絹糸5の引張りタイミ
ングの裕度が大となる。
第5図(a)〜(c)は本発明のさらに他の実施例を示
す要部断面工程図である。これらの図において、まず同
図(a)に示すように透光性ガラス板1上に被洗浄面と
して例えば透明導電膜2を形成する。この場合もこの透
明導電膜2上に微細な異物3が付着されている。このよ
うな段階で同図(b)に示すようにこの透明導電膜2上
に樹脂塗料4を塗布し、同図(c)に示すように乾燥し
て樹脂塗膜6を形成する。次にとの樹脂塗膜6の縁辺部
にかかるように絹糸5を横たえてその縁辺部に前述した
樹脂塗料4と同系統の樹脂塗料8を塗布して乾燥し、絹
糸5を固定する。その後前述した実施例と同様に絹糸5
を引張シ、樹脂塗膜6を引き剥すことによシ、透明導電
膜2の表面を清浄化することができる。
この場合、絹糸5の固定に使用する樹脂塗料8は他の樹
脂塗料4に比較して高乾燥性溶剤に溶解し′ たもので
ある仁とが望ましい。これはすでに形成されている樹脂
塗膜6が後に塗布された樹脂塗膜8中の溶剤に侵される
ことを最小限とするためである。その見地から、絹糸5
の固定用樹脂塗料8は樹脂塗膜6を形成するものとは異
なる系統の樹脂、溶剤を使用し、一旦形成されている樹
脂塗膜6を侵さないように配慮することも可能である。
更に、絹糸5の固定用樹脂塗料8の選定に当っては、一
旦形成されている樹脂塗膜6上に形成されるため、塗膜
6を侵さないように配慮しかつ、塗料8が塗膜6の上だ
けでなく、透光性ガラス基板1の表面に接触することが
決してないようにさえすれば、前述の塗料中の組成によ
る透明導電膜2土への残存物についての配慮は不要とな
ることは当然である。また、塗料8が塗膜6の表面と透
光性ガラス基板10表面に同時に塗布され被膜を形成す
る第5図(a)に示したような場合には塗料8の塗布液
組成および乾燥条件等についての配慮は前述の如く必要
である。
なお、樹脂塗料4の選定に当っては前述したような透明
導電膜2面への残存物に対する配慮は必要である。
以上説明したような各実施例による透光性ガラス基板1
上の透明導電膜2の表面洗浄方法によれば、この後に中
間物質層を介しであるいは介さす゛に形成される5s−
As−Teを主成分とする光導電面部における微細な異
物等の付着による欠陥発生率が激減し、暗電流を低減さ
せ、電気的特性の良好な高品質の撮像管を簡単な工程で
低コストで得ることができる。
なお、前述した実施例においては、単−系を用いた被膜
剥離法について説明したが、複数本の糸。
綱状糸、あるいはメツシュ状構体を使用しても同様な効
果が得られることは言うまでもない。
また、前述した実施例においては、電子素子の製造方法
を撮像管の光電変換部形成に適用した場合によシ説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体
素子のへテロ接合部、絶縁薄膜部等の形成において0.
2〜0.5μm径程度以下の微粒子が存在する表面の清
浄に適用しても前述と同様の効果が得られることは言う
までもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、被洗浄体の洗浄面
に付着している汚損物質、微細異物等を、塗膜の一部残
存および洗浄面の損傷を伴なうことなく、容易かつ確実
、完全に除去し、極めて清浄な被清浄面が得られるので
、品質、信頼性の高い薄膜構造が生産性良く得られるな
どの極めて優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(e)および第2図は本発明による電子
素子の製造方法を撮像管の撮儂面形成方法に適用した一
実施例を説明するための図、第3図ないし第5図は本発
明の他の実施例を説明するための図である。 1.1a、lb、lc・・・・透光性ガラス基板、2・
・・・透明導電膜、3・・・・異物、4・・・・樹脂塗
料、4a・・・・縁辺部、5・・・・絹糸、5′・・・
・連続した糸、6・・拳・樹脂塗膜、6a・・・・縁辺
部、7・・・・樹脂リング、8・・・・樹脂塗料。 第1図 ¥4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  被洗浄体の表面に樹脂塗料を塗布し樹脂塗膜を形成す
    る工程と、前記樹脂塗膜の縁辺部に糸状体の一部を埋没
    する工程と、前記樹脂塗膜の乾燥後前記糸状体を引張り
    剥離する工程とを含むことを特徴とする電子素子の製造
    方法。
JP8630185A 1985-04-24 1985-04-24 電子素子の製造方法 Pending JPS61245536A (ja)

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