JPS6199336A - 電子素子の製造方法 - Google Patents

電子素子の製造方法

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Publication number
JPS6199336A
JPS6199336A JP22040384A JP22040384A JPS6199336A JP S6199336 A JPS6199336 A JP S6199336A JP 22040384 A JP22040384 A JP 22040384A JP 22040384 A JP22040384 A JP 22040384A JP S6199336 A JPS6199336 A JP S6199336A
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JP
Japan
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foreign matter
cleaned
paint
film
washed
Prior art date
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Pending
Application number
JP22040384A
Other languages
English (en)
Inventor
Saburo Nobutoki
信時 三郎
Takaaki Kumochi
雲内 高明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP22040384A priority Critical patent/JPS6199336A/ja
Publication of JPS6199336A publication Critical patent/JPS6199336A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は電子素子の製造方法に係シ、特に薄膜構造を有
する電子素子の製造過程における表面清浄法の改良に関
するものである。
〔発明の背景〕
通常、薄膜構造を有する電子素子には、2種類の薄膜界
面に阻止形構造、例えばヘテロ接合を形成しているもの
がある。この薄膜界面の形成に当っては、界面の清浄度
がその電気的特性を決定したシ、製造歩留シを左右させ
る場合が多い。この清浄度は物理化学的に表面吸着に類
するものと、異物の局在的付着によるも′のとに大別し
、本発明は後者に関するものである。
一般に異物として例えば塵埃等の微細な異物の付着は、
薄膜形成の全ての工程で起シ得るが、素子特性に致命的
な影響を与えるものは界面部分に存在するものでアシ、
例えば部分的な阻止形構造の破壊を起すことがある。こ
のような界面異物を排除するため、全ての工程の無塵化
がなされる一方、一旦付着した異物を除去することも有
効で、界面特性に汚染を4えない表面洗浄法が用いられ
ておシ、例えば超高純度水、フレオン、イソプロピルア
ルコールなどによる超音波洗浄および蒸気浴洗浄などが
知られている(「塗料便覧」参照)。
しかしながら、このような方法によると、異物が極めて
微細で、径が数μmないし1/10μm台程度の場合は
除去率が低下してしすう。このため、、強力な洗浄液の
噴射、ブラシによる擦動、超音波洗浄法の改良が行なわ
れているが、不十分である。
また異物除去のために被清浄面に粘着テープを押し付け
、異物を粘着除去する方法が知られているが、粘着テー
プは取扱いが簡易ではあるが、テープ基材への塗布、保
存の都合上各種の配合材が含有されておシ、被清浄面に
押し付けた場合、異物の粘着除去と同時忙これらの配合
剤が被清浄面に転写嘔れ、却って汚してしまうことがあ
り、好ましくない。
また、有機高分子膜を被洗浄面上に形成した後これを除
去して同時に異物を除去する法は本出願人によって提案
されている(q#開昭52−130810号公報)。し
かしながら、該提案の基本概念のみでは、高分子膜除去
の際に膜がひきちぎれたシ、膜内で塗料構成物の分離に
よると思われる現象に1      よる被洗浄面の新
たな汚染がみいだされ好ましくない。さらに、塩化ビニ
ール系重合体の下地への密着力を電離性放射線で制御し
て同一目的に供することは特開昭55−80476号公
報にあきらかである。しかしながら、本発明tri該提
案とは異なる方法によシ密着力が適性で良好な剥離特性
を有せしむる方法に関するものでおる。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、前述した従来の問題に艦みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、微小な異物
を容易かつ確実に除去することができる電子素子の製造
方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明による1子素子
の製造方法は、薄膜を積層形成する被洗浄体表面に、塩
化ビニール系樹脂塗料を塗布した網状体を配置し、塗料
塗膜乾燥後、網状体とともに塗料塗膜を引き剥すことに
よ〕、被洗浄体表面に付着していた汚損異物、微細異物
を該塗料塗膜にとシ込まれた状態でかつ該塗料塗膜の残
渣も同時に残すことなく完全に除去するようにしたもの
      ′)である。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図ないし第5図は本発明による電子素子の製造方法
の一例を説明するための断面工程図である。まず、第1
図に示すようK例えば薄膜あるいは透明ガラス基板等の
被洗浄体1上の薄膜形成面となる被洗浄面2に微細な異
物3が付着されている場合、第2図(a)、 (b)に
平面図、その■−…′断面図で示すように中空の円筒な
いしコニカルリングの一端に網状体4を設けたリング状
治具5の網状体4を塩化ビニール系樹脂材を主成分とす
る塗料6に浸漬しく第3図参照)、乾燥しないうちに第
4図に示すように微細異物3が付着している被洗浄面2
上に押捺し、その状態で乾燥させる。この場合、リング
状治具5および網状体4は塗料Bに溶解、浸蝕されない
材質、例えばステンレス材等から形成することが必要で
ある。またこの場合、塩化ビニール系樹脂材を主成分と
する塗料6に塩化ビニール酢酸ビニール共重合体のメチ
ルエチルケトンまたはメチルイソブチルケトン等のケト
ン溶液を使用する場合には網状体4を塩化ビニIJデン
で形成すると侵蝕されることなく、良好であった。次に
被洗浄面2上に押捺てれた塗料6は、リング状治具網状
体4に網目開孔があるため、容易に乾燥し、乾燥後は塗
膜に網状体4が埋め込まれたようになってリング状治具
5と一体となる。その後、第5図に示すようにリング状
治具5を被仇浄体1から矢印A方向に引き剥すことによ
って、被洗浄面2上に付着していた汚損異物、微細異物
3専が塗膜6′に食い込んだ状態で剥されるとともに、
この塗膜6′はその一部が被洗浄面2上に残存するよう
なこともなく、容易かつ確実に除去てれて極めて消・浄
な被洗浄面2が得られる。また、塗料6に浸漬させるリ
ング状治具5の形状をコニカル状に開口端を大とするこ
とにより、塗料6の乾燥速度を速めることができ、かつ
歩留シを向上させることができる。なお、塗布材料とし
て塩化ビニール酢酸ビニール共重合体溶液をあげたが、
要は、塗布後に乾燥した塗膜が容易に一体の腹として引
き離すことができ基板面に残存物質が実質的に存在しな
いようにできる塗料であれば差し支えなく、残存物質の
許容度、被洗浄面の性状によシ、ポリウレタン系塗料、
ポリアクリレート系塗料を選定することも可能であシ、
広義には剥離性塗料と総称できる塗料が発明実施の対象
たシうる。
〔発明の効果〕
以上説明したよう忙本発明によれば、被洗浄体の洗浄面
に付着した汚損異物、微細異物を、塗膜の一部の残存お
よび洗浄面の損傷を伴なうことなく容易かつ完全に除去
して極めて清浄な被清浄面が得られるので、品質、信頼
性の高い薄[1造が生産性良く得られるなどの極めて優
れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図は本発明による電子素子の製造方法
の一例を説明するための図である。 1・・・拳被洗浄体、2・争・・被洗浄面、3・・・会
異物、4・・・1網状体、5・・・・リング状治具、6
・11−・塗料、6′ ・・・・塗膜。 1lI1図 第3図 第2図 (G) (b) 第4図 第S図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基板上に電気的特性の異なる薄膜を複数積層形成して
    なる電子素子の製造方法において、前記薄膜を形成する
    のに先立つて、前記基板の被洗浄面に剥離性樹脂塗料を
    予め塗布した網状体を配置するか、もしくは前記基板の
    被洗浄面に先ず網状体を配置し網状体を含んで被洗浄面
    に剥離性塗料を塗布し、該塗料乾燥後、該網状体ととも
    に該塗料塗膜を引き剥すことを特徴とした電子素子の製
    造方法。
JP22040384A 1984-10-22 1984-10-22 電子素子の製造方法 Pending JPS6199336A (ja)

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