JPS63277776A - 銀導体化膜の剥離方法 - Google Patents
銀導体化膜の剥離方法Info
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- JPS63277776A JPS63277776A JP11122487A JP11122487A JPS63277776A JP S63277776 A JPS63277776 A JP S63277776A JP 11122487 A JP11122487 A JP 11122487A JP 11122487 A JP11122487 A JP 11122487A JP S63277776 A JPS63277776 A JP S63277776A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスクマスタリングプロセスにおける銀導
体化膜の剥離方法に関する。
体化膜の剥離方法に関する。
本発明は光ディスクマスタリングプロセスの銀導体化膜
エツチング工程に関し、乾式の酸素プラズマ洗浄やDe
e P U V 洗浄等を行うことにより湿式の銀エ
ッチング工程を廃し、作業の安全性向上、スタンパ品質
の向上、設備の削減を図るものである。
エツチング工程に関し、乾式の酸素プラズマ洗浄やDe
e P U V 洗浄等を行うことにより湿式の銀エ
ッチング工程を廃し、作業の安全性向上、スタンパ品質
の向上、設備の削減を図るものである。
従来銀導体化膜のエツチングは、第2図(α)(b)(
c)に示されているように銀導体化膜上に付着している
レジストをはくりした後シアン系もしくはアンモニア系
のエツチング液にて行なわれている。
c)に示されているように銀導体化膜上に付着している
レジストをはくりした後シアン系もしくはアンモニア系
のエツチング液にて行なわれている。
しかし、前述の従来技術では銀エツチング液が危険有害
物であり、処理設備の整備・作業者の安全確保という問
題点を有する。またエツチング液の成分・処理能力の管
理を誤まると、(力銀エツチング残り、(イ)銀導体化
膜の下地のニッケル面の腐食、(?)レジスト剥離ムラ
によって生ずる銀導体化膜上のレジスト剥離残りが、銀
エツチング後スタンパ表面に付着残留する現象、の3点
が発生し、スタンパの記録情報の電気信号的特性の低下
につながる。
物であり、処理設備の整備・作業者の安全確保という問
題点を有する。またエツチング液の成分・処理能力の管
理を誤まると、(力銀エツチング残り、(イ)銀導体化
膜の下地のニッケル面の腐食、(?)レジスト剥離ムラ
によって生ずる銀導体化膜上のレジスト剥離残りが、銀
エツチング後スタンパ表面に付着残留する現象、の3点
が発生し、スタンパの記録情報の電気信号的特性の低下
につながる。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは、危険有害物処理設備の合理化およびスタン
パの記録情報の電気信号的特性の低下防止を図る銀導体
化膜の剥離方法を提供することにある。
るところは、危険有害物処理設備の合理化およびスタン
パの記録情報の電気信号的特性の低下防止を図る銀導体
化膜の剥離方法を提供することにある。
本発明の銀導体化膜の剥離方法は、光ディスクマスタリ
ングプロセスの銀導体化膜エツチング工程において、銀
導体化膜を酸化させた後、酸化銀を除去することを特徴
とする。詳しくは、(α)銀導体化膜を酸素プラズマ洗
浄にて酸化銀粉末にする工程と <b) その酸゛化銀粉末を純水洗浄+ワイプにより
除去する工程とからなることを特徴とする。
ングプロセスの銀導体化膜エツチング工程において、銀
導体化膜を酸化させた後、酸化銀を除去することを特徴
とする。詳しくは、(α)銀導体化膜を酸素プラズマ洗
浄にて酸化銀粉末にする工程と <b) その酸゛化銀粉末を純水洗浄+ワイプにより
除去する工程とからなることを特徴とする。
第1図は本発明の実施例を工程順に示す図である。tず
(α)図のようにレジスト剥離後のニッケル・スタンパ
5には、情報記録面側に銀導体化膜2が一層存在してい
る。この銀導体化膜の表面には、レジスト剥離の際、銀
導体化膜との界面近傍に存在していたレジストが局所的
に除去されないために剥離残りのレジスト↑が残留して
いる。
(α)図のようにレジスト剥離後のニッケル・スタンパ
5には、情報記録面側に銀導体化膜2が一層存在してい
る。この銀導体化膜の表面には、レジスト剥離の際、銀
導体化膜との界面近傍に存在していたレジストが局所的
に除去されないために剥離残りのレジスト↑が残留して
いる。
次いで(b)′図に示すように、銀導体化膜付ニッケル
・スタンパを、酸素プラズマ洗浄装置にて酸素プラズマ
洗浄する。プラズマ条件は、パワー3oow、酸素圧α
8 Torr、時間10分程度である。すると銀導体化
膜上のレジストは、酸素プラズマ4にて分解され銀導体
化膜上から離脱する、また銀導体化膜2は酸素プラズマ
4にて酸化し、黒色粉末状の酸化銀5となる。
・スタンパを、酸素プラズマ洗浄装置にて酸素プラズマ
洗浄する。プラズマ条件は、パワー3oow、酸素圧α
8 Torr、時間10分程度である。すると銀導体化
膜上のレジストは、酸素プラズマ4にて分解され銀導体
化膜上から離脱する、また銀導体化膜2は酸素プラズマ
4にて酸化し、黒色粉末状の酸化銀5となる。
次に(c)図に示すように、純水中7にてスタンパ表面
から酸化銀粉末を除去する。その方法として豚毛など柔
軟な毛先なもつへケ、クリーンルーム用ゴム手袋など薄
ゴム片によるワイプ6と超音波との併用があげられる。
から酸化銀粉末を除去する。その方法として豚毛など柔
軟な毛先なもつへケ、クリーンルーム用ゴム手袋など薄
ゴム片によるワイプ6と超音波との併用があげられる。
しかしクリーンルーム用クロスを使用した場合、クロス
に硬い異物が付着しているとニッケルスタンパにキズが
つく怖れがあるため使用しない、ワイプはトラックに沿
うよう円弧状に行ない、スタンパ中心から放射状には行
なわない0円弧状に行なうことにより、ビット・グルー
プ間の酸化銀粉末は確実に除去される0次いで別の純水
槽中にて超音波洗浄を行い、さらに乾燥すると(d)図
のようにニッケル・スタンパができあがる。この時点で
酸化銀粉末が残留しているならば、スタンパ保護膜、例
えばシリテクトをコートまたは、スプレィして乾燥した
後、剥せば酸化銀粉末は完全にニッケル・スタンパ表面
から除去できる。
に硬い異物が付着しているとニッケルスタンパにキズが
つく怖れがあるため使用しない、ワイプはトラックに沿
うよう円弧状に行ない、スタンパ中心から放射状には行
なわない0円弧状に行なうことにより、ビット・グルー
プ間の酸化銀粉末は確実に除去される0次いで別の純水
槽中にて超音波洗浄を行い、さらに乾燥すると(d)図
のようにニッケル・スタンパができあがる。この時点で
酸化銀粉末が残留しているならば、スタンパ保護膜、例
えばシリテクトをコートまたは、スプレィして乾燥した
後、剥せば酸化銀粉末は完全にニッケル・スタンパ表面
から除去できる。
上述の如く本発明の銀導体化膜の剥離方法によれば、湿
式の銀エツチングの処理設備、排液処理設備の合理化、
およびスタンパの記録情報の電気信号的特性の低下防止
を図ることができる。
式の銀エツチングの処理設備、排液処理設備の合理化、
およびスタンパの記録情報の電気信号的特性の低下防止
を図ることができる。
第1図は、本発明の銀導体化膜の剥離方法の工程図であ
る。 第2図は、従来の銀導体化膜の剥離方法の工程図である
。 1・・・・・・剥離残9のレジスト 2・・・・・・銀導体化膜 3・・・・・・ニッケルスタンパ 4…・・・酸素プラズマ 5・・・・・・酸化銀粉体層 6・・・・・・ワイプ 7・・・・・・純 水 8・・・・・・銀エツチング液 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 (C) 第 l 圀 Cβ2 (b) とC) 伴 2 図
る。 第2図は、従来の銀導体化膜の剥離方法の工程図である
。 1・・・・・・剥離残9のレジスト 2・・・・・・銀導体化膜 3・・・・・・ニッケルスタンパ 4…・・・酸素プラズマ 5・・・・・・酸化銀粉体層 6・・・・・・ワイプ 7・・・・・・純 水 8・・・・・・銀エツチング液 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 (C) 第 l 圀 Cβ2 (b) とC) 伴 2 図
Claims (1)
- 光ディスクマスタリングプロセスの銀導体化膜エッチン
グ工程において、銀導体化膜を酸化させた後、酸化銀を
除去することを特徴とする銀導体化膜の剥離方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11122487A JPS63277776A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 銀導体化膜の剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11122487A JPS63277776A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 銀導体化膜の剥離方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63277776A true JPS63277776A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=14555686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11122487A Pending JPS63277776A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 銀導体化膜の剥離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63277776A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8110343B2 (en) * | 2001-07-18 | 2012-02-07 | Sony Corporation | Manufacturing method for optical recording and reproducing medium stamper |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP11122487A patent/JPS63277776A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8110343B2 (en) * | 2001-07-18 | 2012-02-07 | Sony Corporation | Manufacturing method for optical recording and reproducing medium stamper |
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