JPH0945640A - 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、その装置、および半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置 - Google Patents
半導体ウェーハの枚葉化処理方法、その装置、および半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置Info
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- JPH0945640A JPH0945640A JP21951495A JP21951495A JPH0945640A JP H0945640 A JPH0945640 A JP H0945640A JP 21951495 A JP21951495 A JP 21951495A JP 21951495 A JP21951495 A JP 21951495A JP H0945640 A JPH0945640 A JP H0945640A
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- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤソー切断ウェーハについて生産性を高
めた枚葉化処理装置を提供する。ワイヤソー切断ウェー
ハの処理での廃液量を低減する。短時間にスラリ除去を
行う。枚葉化処理装置を自動化する。 【解決手段】 ワイヤソーで切断した半導体ウェーハブ
ロック２１をブロック状態のまま予備洗浄し、一定の研
削油等を除去する。へら２２を連結部に打ち当ててカー
ボンベッド２３から１枚ずつウェーハを剥離し、さらに
カーボン断片を取り除く。ウェーハ２４は１枚ずつ、ブ
レード２６，２７でその表裏面をかくらんするし、砥粒
・油等の付着物を物理的に除去する。洗剤を噴霧したブ
ラッシングで表裏面からその他の有機物等を除き、洗剤
洗浄および温純水洗浄を施す。洗浄後は乾燥し、カセッ
トに収容して以後の面取り工程等に供する。
めた枚葉化処理装置を提供する。ワイヤソー切断ウェー
ハの処理での廃液量を低減する。短時間にスラリ除去を
行う。枚葉化処理装置を自動化する。 【解決手段】 ワイヤソーで切断した半導体ウェーハブ
ロック２１をブロック状態のまま予備洗浄し、一定の研
削油等を除去する。へら２２を連結部に打ち当ててカー
ボンベッド２３から１枚ずつウェーハを剥離し、さらに
カーボン断片を取り除く。ウェーハ２４は１枚ずつ、ブ
レード２６，２７でその表裏面をかくらんするし、砥粒
・油等の付着物を物理的に除去する。洗剤を噴霧したブ
ラッシングで表裏面からその他の有機物等を除き、洗剤
洗浄および温純水洗浄を施す。洗浄後は乾燥し、カセッ
トに収容して以後の面取り工程等に供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ワイヤソーで切
断された半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、そ
の装置、ならびに、枚葉化処理に使用される半導体ウェ
ーハの分離装置、さらには、分離された半導体ウェーハ
表面から付着物を除去する半導体ウェーハ表面付着物の
除去装置に関する。
断された半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、そ
の装置、ならびに、枚葉化処理に使用される半導体ウェ
ーハの分離装置、さらには、分離された半導体ウェーハ
表面から付着物を除去する半導体ウェーハ表面付着物の
除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ブロック切断された半導体インゴットを
半導体ウェーハに切断するには、ワイヤソーを用いる方
法が知られていた。この場合、切断された半導体ウェー
ハはベッド材に一部が連結されていた。そこで、この半
導体ウェーハをベッド材から剥離し、以下の工程（例え
ば面取り・ラップ等）に送ることとなる。このワイヤソ
ー切断を含む半導体ウェーハの枚葉化処理は、従来は、
以下のようにして行っていた。すなわち、ワイヤソー切
断後の半導体ウェーハは、ベッド材に一部が連結されて
いるが、このベッド材から１枚ずつ剥がすのが困難であ
るため、まず、連結された状態で半導体ウェーハを洗浄
液中に浸漬させていた。その後、作業者が１枚ずつ剥が
していた。
半導体ウェーハに切断するには、ワイヤソーを用いる方
法が知られていた。この場合、切断された半導体ウェー
ハはベッド材に一部が連結されていた。そこで、この半
導体ウェーハをベッド材から剥離し、以下の工程（例え
ば面取り・ラップ等）に送ることとなる。このワイヤソ
ー切断を含む半導体ウェーハの枚葉化処理は、従来は、
以下のようにして行っていた。すなわち、ワイヤソー切
断後の半導体ウェーハは、ベッド材に一部が連結されて
いるが、このベッド材から１枚ずつ剥がすのが困難であ
るため、まず、連結された状態で半導体ウェーハを洗浄
液中に浸漬させていた。その後、作業者が１枚ずつ剥が
していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来方法では、以下の課題を生じていた。第１に、
ワイヤソー切断後のブロック状態で洗浄液槽に投入する
ため、作業性が悪い。第２に、その洗浄液槽で油成分を
含むスラリを回収するため、洗浄液をリサイクルできな
い。すなわち、廃液の量が多い。第３に、スラリ除去に
長時間を要する。第４に、以上の結果、全体として自動
化に不適である。
うな従来方法では、以下の課題を生じていた。第１に、
ワイヤソー切断後のブロック状態で洗浄液槽に投入する
ため、作業性が悪い。第２に、その洗浄液槽で油成分を
含むスラリを回収するため、洗浄液をリサイクルできな
い。すなわち、廃液の量が多い。第３に、スラリ除去に
長時間を要する。第４に、以上の結果、全体として自動
化に不適である。
【０００４】
【発明の目的】そこで、この発明は、生産性を高めた枚
葉化処理を提供することを、その目的としている。ま
た、廃液量を低減することを、その目的としている。ま
た、短時間にスラリ除去を行うことを、その目的として
いる。さらに、枚葉化処理装置を自動化することを、そ
の目的としている。
葉化処理を提供することを、その目的としている。ま
た、廃液量を低減することを、その目的としている。ま
た、短時間にスラリ除去を行うことを、その目的として
いる。さらに、枚葉化処理装置を自動化することを、そ
の目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ブロックにベッド材を接着し、ワイヤソーで
切断することにより、ベッド材に複数の半導体ウェーハ
の一部が連結された状態に加工するワイヤソー工程と、
各半導体ウェーハをベッド材から分離する工程と、スク
レーパでこれらの半導体ウェーハの表裏面からスラリ付
着物を除去する工程と、各半導体ウェーハの表裏面を洗
剤で洗浄する工程とを備えた半導体ウェーハの枚葉化処
理方法である。
は、半導体ブロックにベッド材を接着し、ワイヤソーで
切断することにより、ベッド材に複数の半導体ウェーハ
の一部が連結された状態に加工するワイヤソー工程と、
各半導体ウェーハをベッド材から分離する工程と、スク
レーパでこれらの半導体ウェーハの表裏面からスラリ付
着物を除去する工程と、各半導体ウェーハの表裏面を洗
剤で洗浄する工程とを備えた半導体ウェーハの枚葉化処
理方法である。
【０００６】請求項２に記載の発明は、ベッド材を固着
した半導体ブロックをワイヤソーで切断することにより
複数の半導体ウェーハの一部がベッド材に固着された状
態とした半導体ブロックにあって、各半導体ウェーハを
ベッド材から分離する分離手段と、この半導体ウェーハ
の表裏面から付着物を物理的に除去する除去手段と、こ
の半導体ウェーハの表裏面を洗浄する洗浄手段と、を備
えた半導体ウェーハの枚葉化処理装置である。
した半導体ブロックをワイヤソーで切断することにより
複数の半導体ウェーハの一部がベッド材に固着された状
態とした半導体ブロックにあって、各半導体ウェーハを
ベッド材から分離する分離手段と、この半導体ウェーハ
の表裏面から付着物を物理的に除去する除去手段と、こ
の半導体ウェーハの表裏面を洗浄する洗浄手段と、を備
えた半導体ウェーハの枚葉化処理装置である。
【０００７】請求項３に記載の発明は、複数の半導体ウ
ェーハの一部がベッド材に固着された状態の半導体ブロ
ックにあって、各半導体ウェーハをベッド材から分離す
る半導体ウェーハの分離装置であって、上記固着された
状態の半導体ウェーハを保持する保持手段と、保持手段
に保持された半導体ウェーハのベッド材との連結部に打
ち込まれるくさび状部材と、を備えた半導体ウェーハの
分離装置である。
ェーハの一部がベッド材に固着された状態の半導体ブロ
ックにあって、各半導体ウェーハをベッド材から分離す
る半導体ウェーハの分離装置であって、上記固着された
状態の半導体ウェーハを保持する保持手段と、保持手段
に保持された半導体ウェーハのベッド材との連結部に打
ち込まれるくさび状部材と、を備えた半導体ウェーハの
分離装置である。
【０００８】請求項４に記載の発明は、ワイヤソーで切
断された半導体ウェーハの表面の付着物を物理的に除去
する半導体ウェーハ表面付着物の除去装置であって、上
記半導体ウェーハの表面に接触して付着物を除去するブ
レードを備えた半導体ウェーハ表面付着物の除去装置で
ある。
断された半導体ウェーハの表面の付着物を物理的に除去
する半導体ウェーハ表面付着物の除去装置であって、上
記半導体ウェーハの表面に接触して付着物を除去するブ
レードを備えた半導体ウェーハ表面付着物の除去装置で
ある。
【０００９】
【作用】請求項１，２に記載の発明では、半導体ブロッ
クにベッド材を接着し、ワイヤソーで切断する。この結
果、この半導体ブロックは、ベッド材に複数枚の半導体
ウェーハの一部が連結された状態に加工される。そし
て、これらの半導体ウェーハをベッド材から分離する。
次に、例えばスクレーパを用いてこれらの半導体ウェー
ハの表裏面からスラリ付着物を物理的に除去する。そし
て、分離した各半導体ウェーハの表裏面を洗剤で洗浄す
る。この後、各半導体ウェーハは面取り等の工程に供さ
れる。
クにベッド材を接着し、ワイヤソーで切断する。この結
果、この半導体ブロックは、ベッド材に複数枚の半導体
ウェーハの一部が連結された状態に加工される。そし
て、これらの半導体ウェーハをベッド材から分離する。
次に、例えばスクレーパを用いてこれらの半導体ウェー
ハの表裏面からスラリ付着物を物理的に除去する。そし
て、分離した各半導体ウェーハの表裏面を洗剤で洗浄す
る。この後、各半導体ウェーハは面取り等の工程に供さ
れる。
【００１０】請求項３に記載の発明では、半導体ブロッ
クは例えばワイヤソーで切断されて複数の半導体ウェー
ハの一部がベッド材に固着された状態となっている。こ
の状態の半導体ブロックにあって、この固着された状態
の半導体ウェーハを例えば吸着パッドで吸着して保持す
る。そして、保持された半導体ウェーハのベッド材との
連結部にくさび部材を打ち込むことで、半導体ウェーハ
をベッド材から分離する。
クは例えばワイヤソーで切断されて複数の半導体ウェー
ハの一部がベッド材に固着された状態となっている。こ
の状態の半導体ブロックにあって、この固着された状態
の半導体ウェーハを例えば吸着パッドで吸着して保持す
る。そして、保持された半導体ウェーハのベッド材との
連結部にくさび部材を打ち込むことで、半導体ウェーハ
をベッド材から分離する。
【００１１】請求項４に記載の発明では、ワイヤソーで
切断された半導体ウェーハの表面にブレードを接触させ
てこれから付着物であるスラリ等を物理的に除去する。
この場合、各半導体ウェーハはベッド材から分離してあ
るものとする。
切断された半導体ウェーハの表面にブレードを接触させ
てこれから付着物であるスラリ等を物理的に除去する。
この場合、各半導体ウェーハはベッド材から分離してあ
るものとする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施例を図面を参
照して説明する。図１〜図７はこの発明に係る半導体ウ
ェーハの枚葉化処理装置の一実施例を示している。ま
ず、図１に示すように、この枚葉化処理装置は、例えば
ＣＺ法で引き上げられたシリコンインゴットをワイヤソ
ーで切断した半導体ウェーハブロック（インゴットをブ
ロック切断してオリエンテーションフラットＯＦを形成
したものにカーボンベッドを接着しワイヤソー切断した
もの）の予備洗浄ステージ１１、その枚葉剥離ステージ
１２、カーボン剥離ステージ１３、スクレーパステージ
１４，１５、ブラシステージ１６，１７、スクレーパス
テージ１８、洗剤洗浄ステージ１９、温純水洗浄ステー
ジ２０で構成されている。
照して説明する。図１〜図７はこの発明に係る半導体ウ
ェーハの枚葉化処理装置の一実施例を示している。ま
ず、図１に示すように、この枚葉化処理装置は、例えば
ＣＺ法で引き上げられたシリコンインゴットをワイヤソ
ーで切断した半導体ウェーハブロック（インゴットをブ
ロック切断してオリエンテーションフラットＯＦを形成
したものにカーボンベッドを接着しワイヤソー切断した
もの）の予備洗浄ステージ１１、その枚葉剥離ステージ
１２、カーボン剥離ステージ１３、スクレーパステージ
１４，１５、ブラシステージ１６，１７、スクレーパス
テージ１８、洗剤洗浄ステージ１９、温純水洗浄ステー
ジ２０で構成されている。
【００１３】予備洗浄ステージ１１は、ワイヤソー切断
後の半導体ウェーハブロック２１に予備的な洗浄を施す
ものである。例えば、洗剤を圧縮空気でスプレーして半
導体ウェーハブロック２１に吹き付ける。また、枚葉剥
離ステージ１２では、図６に示すへら（くさび状部材）
２２を用いてカーボンベッド２３から半導体ウェーハ２
４を１枚ずつ剥離している。さらに、カーボン剥離ステ
ージ１３では、上記へら２２で剥離された半導体ウェー
ハ２４の一部に付着したカーボン破片を半導体ウェーハ
２４から除去している。なお、このステージではヒータ
と排気装置を使用している。
後の半導体ウェーハブロック２１に予備的な洗浄を施す
ものである。例えば、洗剤を圧縮空気でスプレーして半
導体ウェーハブロック２１に吹き付ける。また、枚葉剥
離ステージ１２では、図６に示すへら（くさび状部材）
２２を用いてカーボンベッド２３から半導体ウェーハ２
４を１枚ずつ剥離している。さらに、カーボン剥離ステ
ージ１３では、上記へら２２で剥離された半導体ウェー
ハ２４の一部に付着したカーボン破片を半導体ウェーハ
２４から除去している。なお、このステージではヒータ
と排気装置を使用している。
【００１４】スクレーパステージ１４，１５は１枚ずつ
送られる半導体ウェーハ２４の表裏両面に沈着したスラ
リ等を掻き落とすもので、図７に示すように、一対のゴ
ム製のブレード２６，２７で構成されている。また、ブ
ラシステージ１６，１７は、半導体ウェーハ２４の表裏
面をブラッシングするものであり、この後スクレーパス
テージ１８で付着物が完全に掻き落とされる。洗剤洗浄
ステージ１９は洗剤を満たした洗浄液槽に半導体ウェー
ハ２４を投入して、さらに超音波を印加することで半導
体ウェーハ２４の表裏両面を洗浄する。さらに、温純水
洗浄ステージ２０では洗剤洗浄後の半導体ウェーハ２４
を超音波印加の下に温純水で洗浄するものである。な
お、洗剤洗浄ステージ１９、温純水洗浄ステージ２０で
使用された洗浄液はそれぞれフィルタ等を介して循環し
て使用される。
送られる半導体ウェーハ２４の表裏両面に沈着したスラ
リ等を掻き落とすもので、図７に示すように、一対のゴ
ム製のブレード２６，２７で構成されている。また、ブ
ラシステージ１６，１７は、半導体ウェーハ２４の表裏
面をブラッシングするものであり、この後スクレーパス
テージ１８で付着物が完全に掻き落とされる。洗剤洗浄
ステージ１９は洗剤を満たした洗浄液槽に半導体ウェー
ハ２４を投入して、さらに超音波を印加することで半導
体ウェーハ２４の表裏両面を洗浄する。さらに、温純水
洗浄ステージ２０では洗剤洗浄後の半導体ウェーハ２４
を超音波印加の下に温純水で洗浄するものである。な
お、洗剤洗浄ステージ１９、温純水洗浄ステージ２０で
使用された洗浄液はそれぞれフィルタ等を介して循環し
て使用される。
【００１５】図２にはこの装置の概略の構成を示してい
る。図２において、３１はカーボン切り欠き機構、３２
は真空チャック部、３３は半導体ウェーハ装着部、３４
はカーボン剥離機構、３５はウェーハ挿入部、３６はス
クレーパ、３７は油スプレー、３８はローラ薬液スプレ
ー、５０はドライブユニット、５１はウェーハ搬送ロボ
ット、５２はコンベア部、５３はウェーハカセットを示
している。カーボン切り欠き機構３１は、カーボンベッ
ド２３から半導体ウェーハ２４を１枚ずつ分離するへら
２２を含んでおり、上記枚葉剥離ステージ１２を構成し
ている。真空チャック部３２は、カーボンベッド２３か
ら剥離する際の半導体ウェーハ２４を真空吸着する部分
である。また、カーボン剥離機構３４（上記カーボン剥
離ステージ１３を構成する）は、１枚ずつ分離された半
導体ウェーハ２４の一部に付着したカーボン破片を剥離
・除去するものである。スクレーパ３６は上記スクレー
パステージ１４，１５を構成するものである。油スプレ
ー３７では、半導体ウェーハ２４表面に沈着したスラリ
等を掻き落とし易くするため、新しい油をスプレーして
いる。ローラ薬液スプレー３８は洗浄液のスプレーであ
る。
る。図２において、３１はカーボン切り欠き機構、３２
は真空チャック部、３３は半導体ウェーハ装着部、３４
はカーボン剥離機構、３５はウェーハ挿入部、３６はス
クレーパ、３７は油スプレー、３８はローラ薬液スプレ
ー、５０はドライブユニット、５１はウェーハ搬送ロボ
ット、５２はコンベア部、５３はウェーハカセットを示
している。カーボン切り欠き機構３１は、カーボンベッ
ド２３から半導体ウェーハ２４を１枚ずつ分離するへら
２２を含んでおり、上記枚葉剥離ステージ１２を構成し
ている。真空チャック部３２は、カーボンベッド２３か
ら剥離する際の半導体ウェーハ２４を真空吸着する部分
である。また、カーボン剥離機構３４（上記カーボン剥
離ステージ１３を構成する）は、１枚ずつ分離された半
導体ウェーハ２４の一部に付着したカーボン破片を剥離
・除去するものである。スクレーパ３６は上記スクレー
パステージ１４，１５を構成するものである。油スプレ
ー３７では、半導体ウェーハ２４表面に沈着したスラリ
等を掻き落とし易くするため、新しい油をスプレーして
いる。ローラ薬液スプレー３８は洗浄液のスプレーであ
る。
【００１６】図３、図４はブロック切断、ブロック外径
研削、オリフラ加工等が施され、さらに、これにカーボ
ンベッド２３を接着した半導体ブロック５５を示してい
る。この半導体ブロックをワイヤソーで切断すると、各
半導体ウェーハ２４は、図５のように、基端側がカーボ
ンベッド２３に連結され、先端側で半導体ウェーハ２４
同士が研削油等により接着された状態となる。
研削、オリフラ加工等が施され、さらに、これにカーボ
ンベッド２３を接着した半導体ブロック５５を示してい
る。この半導体ブロックをワイヤソーで切断すると、各
半導体ウェーハ２４は、図５のように、基端側がカーボ
ンベッド２３に連結され、先端側で半導体ウェーハ２４
同士が研削油等により接着された状態となる。
【００１７】また、図６にはカーボン切り欠き機構３１
の詳細を示している。この機構では、ワイヤソー切断後
の半導体ウェーハブロック２１で半導体ウェーハ２４の
ベッド側を真空吸着パッド５６（保持手段）で吸着して
保持する。そして、へら２２を図示のようにカーボンベ
ッド２３の連結部に当てて所定の外力を加えることで、
半導体ウェーハ２４をベッド２３から１枚ずつ剥離す
る。
の詳細を示している。この機構では、ワイヤソー切断後
の半導体ウェーハブロック２１で半導体ウェーハ２４の
ベッド側を真空吸着パッド５６（保持手段）で吸着して
保持する。そして、へら２２を図示のようにカーボンベ
ッド２３の連結部に当てて所定の外力を加えることで、
半導体ウェーハ２４をベッド２３から１枚ずつ剥離す
る。
【００１８】以上の構成に係る半導体ウェーハの枚葉化
処理装置では、ワイヤソーで切断した半導体ウェーハブ
ロック２１は、まず、ブロック状態のまま予備洗浄ステ
ージ１１に移され、この予備洗浄で一定の研削油等が除
去される。次に、枚葉剥離ステージ１２で半導体ウェー
ハ２４は枚葉毎に剥離され、さらにカーボン剥離ステー
ジ１３でこの半導体ウェーハ２４からカーボン断片も取
り除かれる。このようにして枚葉化された半導体ウェー
ハ２４は１枚ずつスクレーパステージ１４，１５に送ら
れ、一対のブレード２６，２７によりその表裏面に沈着
したスラリ等が除去される。ブレード２６，２７でウェ
ーハ２４の表裏面をかくらんすることで砥粒・油等の付
着物を物理的に除去するものである。さらに、洗剤を噴
霧したブラッシングで表裏面からその他の付着物（有機
物等）を除き、以後洗浄工程１９，２０で洗浄が施され
る。洗剤洗浄および温純水洗浄である。洗浄後は乾燥さ
れ、カセットに収容されて以後の面取りなどの工程に供
される。
処理装置では、ワイヤソーで切断した半導体ウェーハブ
ロック２１は、まず、ブロック状態のまま予備洗浄ステ
ージ１１に移され、この予備洗浄で一定の研削油等が除
去される。次に、枚葉剥離ステージ１２で半導体ウェー
ハ２４は枚葉毎に剥離され、さらにカーボン剥離ステー
ジ１３でこの半導体ウェーハ２４からカーボン断片も取
り除かれる。このようにして枚葉化された半導体ウェー
ハ２４は１枚ずつスクレーパステージ１４，１５に送ら
れ、一対のブレード２６，２７によりその表裏面に沈着
したスラリ等が除去される。ブレード２６，２７でウェ
ーハ２４の表裏面をかくらんすることで砥粒・油等の付
着物を物理的に除去するものである。さらに、洗剤を噴
霧したブラッシングで表裏面からその他の付着物（有機
物等）を除き、以後洗浄工程１９，２０で洗浄が施され
る。洗剤洗浄および温純水洗浄である。洗浄後は乾燥さ
れ、カセットに収容されて以後の面取りなどの工程に供
される。
【００１９】そして、上記予備洗浄工程での洗浄液はタ
ンク、ポンプを介してサーキュレートされている。ま
た、スクレーパ工程ではウェーハに油を噴霧するがこの
油を含んで回収したスラリは、廃液として所定処理がな
される。このスラリ廃液は他工程の回収液と混合される
ことはない。また、その後のブラシ工程、およびスクレ
ーパ工程での回収液は、次の洗剤洗浄工程での回収液と
ともに、フィルタ・タンクで回収・濾過されて再使用さ
れている。温純水洗浄工程で使用される温純水も同様に
サーキュレートされて再使用に供されている。
ンク、ポンプを介してサーキュレートされている。ま
た、スクレーパ工程ではウェーハに油を噴霧するがこの
油を含んで回収したスラリは、廃液として所定処理がな
される。このスラリ廃液は他工程の回収液と混合される
ことはない。また、その後のブラシ工程、およびスクレ
ーパ工程での回収液は、次の洗剤洗浄工程での回収液と
ともに、フィルタ・タンクで回収・濾過されて再使用さ
れている。温純水洗浄工程で使用される温純水も同様に
サーキュレートされて再使用に供されている。
【００２０】このように、ブレード２６，２７で半導体
ウェーハ２４の表裏面を機械的にかくらんする（表面を
あらす）ようにしたため、そのウェーハ表面層に沈着・
固着されたスラリ・有機物等を含む付着物を完全に除去
することができる。したがって、その後の洗浄工程での
洗浄時間を短縮することができる。
ウェーハ２４の表裏面を機械的にかくらんする（表面を
あらす）ようにしたため、そのウェーハ表面層に沈着・
固着されたスラリ・有機物等を含む付着物を完全に除去
することができる。したがって、その後の洗浄工程での
洗浄時間を短縮することができる。
【００２１】
【発明の効果】この発明では、枚葉化処理の生産性が高
められる。廃液量が低減される。短時間にスラリ等を除
去できる。枚葉化処理装置を自動化することができる。
められる。廃液量が低減される。短時間にスラリ等を除
去できる。枚葉化処理装置を自動化することができる。
【図１】この発明の一実施例に係る枚葉化処理を示す工
程模式図である。
程模式図である。
【図２】この発明の一実施例に係る枚葉化処理装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】この発明の一実施例に係るワイヤソー切断され
た半導体ブロックを示す正面図である。
た半導体ブロックを示す正面図である。
【図４】この発明の一実施例に係るワイヤソー切断され
た半導体ブロックを示す側面図である。
た半導体ブロックを示す側面図である。
【図５】この発明の一実施例に係るワイヤソー切断され
た半導体ウェーハブロックでの半導体ウェーハの密着状
態を示す模式図である。
た半導体ウェーハブロックでの半導体ウェーハの密着状
態を示す模式図である。
【図６】この発明の一実施例に係るウェーハ剥離工程を
説明するための斜視図である。
説明するための斜視図である。
【図７】この発明の一実施例に係るスクレーパ工程を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
１２ 枚葉剥離ステージ、 １４，１５ スクレーパステージ、 １９ 洗剤洗浄ステージ、 ２１ 半導体ウェーハブロック、 ２２ へら（くさび状部材，分離手段）、 ２３ カーボンベッド、 ２４ 半導体ウェーハ、 ２６，２７ ブレード（除去手段）、 ５６ 吸着パッド（保持手段）。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ブロックにベッド材を接着し、ワ
イヤソーで切断することにより、ベッド材に複数の半導
体ウェーハの一部が連結された状態に加工するワイヤソ
ー工程と、 各半導体ウェーハをベッド材から分離する工程と、 スクレーパでこれらの半導体ウェーハの表裏面からスラ
リ付着物を除去する工程と、 各半導体ウェーハの表裏面を洗剤で洗浄する工程とを備
えた半導体ウェーハの枚葉化処理方法。 - 【請求項２】 ベッド材を固着した半導体ブロックをワ
イヤソーで切断することにより複数の半導体ウェーハの
一部がベッド材に固着された状態とした半導体ブロック
にあって、各半導体ウェーハをベッド材から分離する分
離手段と、 この半導体ウェーハの表裏面から付着物を物理的に除去
する除去手段と、 この半導体ウェーハの表裏面を洗浄する洗浄手段と、を
備えた半導体ウェーハの枚葉化処理装置。 - 【請求項３】 複数の半導体ウェーハの一部がベッド材
に固着された状態の半導体ブロックにあって、各半導体
ウェーハをベッド材から分離する半導体ウェーハの分離
装置であって、 上記固着された状態の半導体ウェーハを保持する保持手
段と、 保持手段に保持された半導体ウェーハのベッド材との連
結部に打ち込まれるくさび状部材と、を備えた半導体ウ
ェーハの分離装置。 - 【請求項４】 ワイヤソーで切断された半導体ウェーハ
の表面の付着物を物理的に除去する半導体ウェーハ表面
付着物の除去装置であって、 上記半導体ウェーハの表面に接触して付着物を除去する
ブレードを備えた半導体ウェーハ表面付着物の除去装
置。
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|---|---|---|---|
| JP21951495A JP3402345B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP21951495A JP3402345B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置 |
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|---|---|
| JPH0945640A true JPH0945640A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3402345B2 JP3402345B2 (ja) | 2003-05-06 |
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ID=16736665
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|---|---|---|---|
| JP21951495A Expired - Fee Related JP3402345B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3402345B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| JP2009054792A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Siltronic Ag | シリコンウェハの洗浄方法 |
| WO2012172910A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 株式会社新菱 | ウエハの製造方法および製造装置 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP21951495A patent/JP3402345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| JP2009054792A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Siltronic Ag | シリコンウェハの洗浄方法 |
| WO2012172910A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 株式会社新菱 | ウエハの製造方法および製造装置 |
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| Publication number | Publication date |
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