DE60129687T2

DE60129687T2 - Reinigungselement

Info

Publication number: DE60129687T2
Application number: DE2001629687
Authority: DE
Inventors: Makoto Namikawa; Yoshio Terada; Jirou Nukaga; Eiji Toyoda
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-06-06
Filing date: 2001-05-08
Publication date: 2007-12-06
Anticipated expiration: 2021-05-09
Also published as: US7713356B2; DE60129687D1; CN100400185C; KR20030007880A; EP1782894A2; EP1286792B1; KR100786437B1; CN1433341A; US20030136430A1; MY135752A; EP1286792A1; EP1782894A3; WO2001094036A1; EP2266717A2; EP2266716A2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Reinigungselement zum Reinigen verschiedenartiger Zubehörteile wie für ein substratverarbeitendes Zubehör, das leicht durch Fremdkörper beschädigt werden kann, wie das Zubehör zur Herstellung oder Untersuchung von Halbleitern, Flachbildanzeigen, gedruckten Schaltkreisen.
Verschiedenartige substratverarbeitende Zubehörteile sind so ausgestattet, dass sie eine Reihe von Fördersystemen aufweisen und Substrate fördern, während sie es diesen ermöglichen, in physikalischen Kontakt miteinander zu treten. Während dieses Betriebs können, wenn Fremdkörper an diesen Substraten und Fördersystemen haften, die Substrate anschließend nacheinander kontaminiert werden. Daher ist es notwendig, das Zubehör regelmäßig zu Reinigungszwecken heraus zu nehmen. Dies bewirkt einen Abfall der Betriebseffizienz oder erfordert nachteiligerweise viel Arbeit. Um diese Probleme zu lösen, wurde ein Verfahren vorgeschlagen, das das Fördern eines Substrats mit einem daran befestigten Haftmaterial zur Reinigung von Fremdmaterialien. aus dem Inneren des substratverarbeitenden Zubehörs umfasst (wie in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung 10-154686).
Das Verfahren, das das Fördern eines Substrats mit einem daran befestigten Haftmaterial zur Reinigung von Fremdmaterialien aus des Inneren des substratverarbeitenden Zubehörs umfasst, ist ein wirksames Verfahren, um die vorgenannten Schwierigkeiten zu überwinden. Jedoch ist dieses Verfahren dahingehend nachteilig, dass das Haftmaterial und die Kontaktfläche des Zubehörs zu stark aneinander haften, um voneinander abgezogen werden, was es unmöglich macht, das vollständige Fördern des Substrats sicherzustellen.
EP 0 930 538 A offenbart ein Reinigungsband für fotografische Transportrollen. Das Reinigungsband umfasst einen Bandkörper, dessen wenigstens eine Seite mit einer Haftschicht und einem porösesen Sieb auf der Haftschicht ausgestattet ist.
JP 07 128368 A offenbart eine Kontaktstiftreinigungsbahn. Das Druckelement ist mit einer Reinigungsbahn ausgestattet, die eine Vielzahl von Schichten aus Polymerfilm enthält, die mit einem Haftmittel beschichtet sind.
WO 97/00534 A beschreibt ein Verfahren zur Entfernung einer Lackschicht, wobei eine Haftschicht, die auf einem mit Lack beschichteten Objekt gebildet wird, zusammen mit dem Lack abgezogen wird.
U.S. 6,055,392 A offenbart einen Reinigungstoner auf Rollen und die Oberfläche von Maschinen zur Handhabung von Geschäftsformularen.
JP 06 2740472 A beschreibt eine Reinigungsbahn für Druck- und Kopierzubehör. Es wird ein Silikongummi, in das ein Haftstoff eingemischt wird, auf wenigstens einer Seite eines Basismaterials zur Verfügung gestellt.
U.S. 5,415,889 A bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsmediums. Das offenbarte Verfahren umfasst einen Prozess, durch den eine Magnetschicht auf einem flexiblen Träger gebildet wird. Die Magnetschicht wird nach dem Reinigen des flexiblen Trägers durch das in Kontakt bringen von diesem mit einer rotierenden Reinigungswalze oder einem Reinigungselement gebildet.
Im Hinblick auf diese Umstände ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Reinigungselement zur Verfügung zu stellen, das leicht und sicher Fremdmaterialien entfernen kann, die an der Innenseite des Zubehörs haften.
Diese Aufgabe wird durch ein Reinigungselement gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen werden in den Unteransprüchen beansprucht.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden sich aus der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen ergeben.
In dem Reinigungselement gemäß der Erfindung muss die Reinigungsschicht der Reinigungsbahn (hiernach einschließlich der Formen einer einzelnen Reinigungsbahn, einer laminierten Bahn und einer Bahn, die auf Basismaterial laminiert ist) im Wesentlichen keine Klebkraft aufweisen und ein Zugmodul von nicht weniger als 0,98 N/mm², vorzugsweise 0,98 bis 4.900 N/mm², mehr bevorzugt 9,8 bis 3.000 N/mm², wie es entsprechend JIS K7127 bestimmt wird, aufweisen. Gemäß dieser Erfindung ist das Zugmodul der Reinigungsschicht so konstruiert, dass es in den oben definierten spezifischen Bereich fällt, was es möglich macht, Fremdmaterialien ohne jegliche Probleme beim Fördern zu entfernen. Wenn das Zugmodul der Reinigungsschicht unter 0,98 N/mm² fällt, dann wird die Reinigungsschicht haftend und kann somit an die Innenfläche des während des Förderns zu reinigenden Zubehörs haften, was Förderprobleme auslöst.
Die Reinigungsschicht zeigt eine Haftkraft beim Abziehen bei 180° von nicht mehr als 0,20 N/10 mm, vorzugsweise 0,01 bis 0,1 N/10 mm in Bezug auf einen Siliconwafer (Spiegeloberfläche). Wenn die Haftkraft der Reinigungsschicht beim Abziehen 0,20 N/10 mm überschreitet, dann haftet die Reinigungsschicht an der inneren Fläche des zu reinigenden Zubehörs, was Probleme beim Fördern auslöst.
Die Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn der Erfindung kann aus einer Schicht mit im Wesentlichen keiner Klebkraft und im Wesentlichen keiner elektrischen Leitfähigkeit hergestellt werden. In der Erfindung ist die Reinigungsbahn so konstruiert, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine Klebkraft und im Wesentlichen keine elektrische Leitfähigkeit aufweist, was es möglich macht, Fremdmaterialien durch eine elektrostatische Anziehung ohne das Auslösen irgendeines Problems bei der Förderung zu entfernen.
Die Reinigungsschicht zeigt vorzugsweise einen Oberflächenwiderstand von nicht niedriger als 1 × 10¹³ Ω/☐, mehr bevorzugt von nicht niedriger als 1 × 10¹⁴ Ω/☐. Durch das Konstruieren der Reinigungsbahn so, dass der Oberflächenwiderstand der Reinigungsschicht als nicht niedriger als solch ein spezifischer Wert festgelegt wird, um die Reinigungsschicht so isolierend wie möglich zu machen, kann eine elektrostatische Wirkung zum Einfangen und Adsorbieren von Fremdmaterialien ausgeübt werden. Dem entsprechend kann, wenn der Oberflächenwiderstand der Reinigungsschicht unter 1 × 10¹³ Ω/☐ fällt, die elektrostatische Wirkung des Einfangens und des Adsorbierens von Fremdmaterial beeinträchtigt werden.
Die Reinigungsschicht ist nicht sonderlich in ihrem Material und ihrer Struktur beschränkt, so lange sie im Wesentlichen keine Klebkraft und im Wesentlichen keine elektrische Leitfähigkeit aufweist. Beispiele solch eines Materials umfassen einen Film aus Plastik wie Polyethylen, Polyethylenterphthalat, Acetylcellulose, Polycarbonat, Polypropylen, Polyamid, Polyimid und Polycarbodimid sowie ein Material mit im Wesentlichen keiner Klebkraft, das durch das Härten eines härtbaren Klebstoffes erhalten wird.
Die Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn der Erfindung zeigt vorzugsweise eine freie Oberflächenenergie von weniger als 30 mJ/m², vorzugsweise 25–15 mJ/m². Der Begriff „freie Oberflächenenergie der Reinigungsschicht (Festkörper)", wie er hierin verwendet wird, soll einen Wert darstellen, der durch das Auflösen zweier Gleichungen als eine simultane lineare Gleichung bestimmt wird, die beide durch das Einsetzen von Messungen des Kontaktwinkels der Oberfläche der Reinigungsschicht in Bezug auf Wasser und Methyleniodid berechnet werden, und die freie Oberflächenenergie dieser Flüssigkeiten, die in der Messung des Kontaktwinkels verwendet werden (in der Literatur bekannt), wird in die Gleichung von Young und die folgende Gleichung (1) eingesetzt, die sich aus der erweiterten Gleichung von Fowkes ableitet.
worin θ einen Kontaktwinkel darstellt; y_L die freie Oberflächenenergie der in der Messung des Kontaktwinkels verwendeten Flüssigkeit darstellt; y_L ^d die Dispersionskraftkomponente in y_L darstellt; y_L ^P die polare Kraftkomponente in y_L darstellt; y_S ^d die Dispersionskraftkomponente in der freien Oberflächenenergie des Feststoffes darstellt und y_S ^P die polare Kraftkomponente der freien Oberflächenenergie des Feststoffes darstellt.
Die Reinigungsbahn wird vorzugsweise so konstruiert, dass die Oberfläche der Reinigungsschicht einen Kontaktwinkel von mehr als 90°, mehr bevorzugt von mehr als 100° in Bezug auf Wasser aufzeigt. In der Erfindung kann durch das Konstruieren der Reinigungsschicht derart, dass sie eine freie Oberflächenenergie und einen Kontaktwinkel in Bezug auf Wasser zeigt, die in den oben definierten Bereich fallen, eine Wirkung der sicheren Förderung der Reinigungsbahn ohne das Bewirken, dass die Reinigungsschicht fest an der zu reinigenden Position während des Förderns haftet, ausgeübt werden.
Die Reinigungsschicht des Reinigungselements hat eine Vickers-Härte von nicht weniger als 10, vorzugsweise 20–500. Der Begriff „Vickers-Härte", wie er hierin verwendet wird, ist dahingehend vorgesehen, einen Wert anzuzeigen, der durch das Teilen einer festgelegten Last, die auf einen Diamantkerbstempel gemäß JIS 22244 aufgetragen wird, durch die Oberfläche der resultierenden Kerbe erhalten wird. In der Erfindung kann durch das Konstruieren der Reinigungsbahn so, dass die Vickers-Härte der Reinigungsschicht nicht niedriger als der festgelegte Wert ist, eine Wirkung der Förderung der Reinigungsbahn ohne das Bewirken, dass die Reinigungsschicht in engen Kontakt mit der zu reinigenden Position während des Förderns kommt, ausgeübt werden.
Die Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn der Erfindung hat vorzugsweise eine freie Oberflächenenergie von weniger als 30 mJ/m², mehr bevorzugt 15–25 mJ/m². Die Reinigungsschicht hat einen Oberflächenkontaktwinkel von mehr als 90°, vorzugsweise von mehr als 100° in Bezug auf Wasser. In der Erfindung kann durch das Konstruieren der Reinigungsschicht so, dass sie eine freie Oberflächenenergie und einen Kontaktwinkel in Bezug auf Wasser zeigt, die in den oben definierten Bereich fallen, eine Wirkung der sicheren Förderung der Reinigungsbahn ohne das Bewirken, dass die Reinigungsschicht fest an der zu reinigenden Position während der Förderung haftet, ausgeübt werden.
Die vorgenannte Reinigungsschicht ist nicht sonderlich in ihrem Material, etc., beschränkt, so lange sie ein Zugmodul und vorzugsweise eine Vickers-Härte von nicht weniger als dem oben definierten Wert aufweist und im Wesentlichen keine Klebkraft hat. In der Praxis kann jedoch vorzugsweise ein Material verwendet werden, das eine beschleunigte Vernetzungsreaktion oder eine Härtung durch eine aktive Energie, wie ultraviolettes Licht und Wärme durchlaufen kann, um ein stärkeres Zugmodul aufzuzeigen.
Die vorgenannte Reinigungsschicht wird vorzugsweise aus einem Material hergestellt, das durch das Durchführen einer Poylmerisationshärtungsreaktion mit einem druckempfindlichen Haftpolymers erhalten wird, das wenigstens eine Verbindung mit einer oder mehreren ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül sowie einen Polymerisationsstarter enthält, mit einer aktiven Energie, so dass die Klebkraft davon im Wesentlichen verschwindet. Als solch ein druckempfindliches Haftpolymer kann ein Acrylpolymer verwendet werden, das als ein Hauptmonomer eine (Meth)acrylsäure und/oder einen (Meth)acrylsäureester enthält, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Acrylsäure, Acrylsäureester, Methacrylsäure und Methacrylsäureester besteht. Wenn die Synthese des Acrylsäurepolymers durch die Verwendung einer Verbindung mit zwei oder mehreren ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül oder das chemische Binden einer Verbindung mit ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül an Acrylsäure. Wenn die Synthese des Acrylsäurepolymers durch die Verwendung einer Verbindung mit zwei oder mehr ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül oder durch das chemische Binden einer Verbindung mit ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül an das so synthetisierte Acrylsäurepolymer durch die Reaktion von funktionellen Gruppen, so dass ungesättigte Doppelbindungen in das Molekül des Acrylsäurepolymers eingeführt werden, erreicht werden kann, dann kann das resultierende Polymer selbst an der Polymerisations-härtungsreaktion durch eine aktive Energie teilhaben.
Die Verbindung mit einer oder mehreren ungesättigten Doppelbindungen pro Molekül (hiernach als „polymerisierbare ungesättigte Verbindung" bezeichnet) ist vorzugsweise eine nicht flüchtige niedermolekulargewichtige Verbindung mit einem gewichtsdurchschnittlichen Molekulargewicht von nicht mehr als 10.000. Insbesondere hat die polymerisierbare ungesättigte Verbindung vorzugsweise ein Molekulargewicht von nicht mehr als 5.000, so dass die Haftschicht effizienter dreidimensional während des Härtens vernetzt werden kann.
Die polymerisierbare ungesättigte Verbindung ist auch vorzugsweise eine nicht flüchtige niedermolekulargewichtige Verbindung mit einem gewichtsdurchschnittlichen Molekulargewicht von nicht mehr als 10.000. Insbesondere hat die polymerisierbare ungesättigte Verbindung vorzugsweise ein Molekulargewicht von nicht mehr als 5.000, so dass die Reinigungsschicht während des Härtens effizienter dreidimensional vernetzt werden kann. Beispiele solch einer polymerisierbaren Verbindung umfassen Phenoxypolyethylenglycol(meth)acrylat, ε-Caprolacton(meth)acrylat, Polyethylenglycoldi(meth)acrylat, Polypropylenglycoldi(meth)acrylat, Tritmethylolpropantri(meth)acrylat, Dipentaerythritolhexa(meth)acrylat, Urethan(meth)acrylat, Epoxy(meth)acrylat und Oligoester(meth)acrylat. Diese polymerisierbaren Verbindungen können einzeln oder in Kombination von zwei oder mehreren davon verwendet werden.
Als der Polymerisationsstarter zum Einbringen in die Reinigungsschicht kann jegliches bekannte Material ohne irgendwelche Beschränkungen verwendet werden. Wenn Wärme als eine aktive Energie verwendet wird, dann kann ein Hitzepolymerisationsstarter wie Benzoylperoxid oder Azobisisobutyronitril verwendet werden. Wenn Licht als eine aktive Energie verwendet wird, dann kann ein Fotopolymerisationsstarter wie Benzoyl, Benzoinethylether, Dibenzyl, Isopropylbenzoinether, Benzophenon, Michler's Ketonchlorthioxanton, Dodecylthioxanthon, Dimehtylthioxanthon, Azetophenondiethyketal, Benzyldimethylketal, α-Hydroxycyclohexylphenylketon, 2-Hydroxydimethylphenylpropan und 2,2-Dimethoxy-2-acetophenon verwendet werden.
Die Dicke der Reinigungsschicht ist nicht sonderlich beschränkt. In der Praxis liegt sie jedoch normalerweise bei ungefähr 5 bis 100 µm.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Reinigungsbahn zur Verfügung, die die zuvor genannte spezifische Reinigungsschicht umfasst, die auf einer Seite eines Basismaterials zur Verfügung gestellt wird, sowie eine normale Haftschicht, die auf der anderen Seite bereit gestellt wird. Die Haftschicht zur Bereitstellung auf der anderen Seite des Basismaterials ist nicht sonderlich beschränkt in ihrem Material, so lange sie eine gewünschte Klebfunktion zeigt. Es kann ein üblicher Klebstoff (z. B. Acrylklebstoff, auf Gummi basierender Klebstoff) verwendet werden.
In dieser Anordnung kann die Reinigungsbahn an verschiedene Substrate mit einer üblichen Haftschicht geklebt werden, so dass sie in das Innere des Zubehörs als ein Förderelement mit einer Reinigungsfunktion gefördert werden kann, das mit der zu reinigenden Position in Kontakt kommt, was es möglich macht, das Zubehör zu reinigen.
In dem Fall, bei dem das Substrat von der Haftschicht nach dem Reinigen abgezogen wird, um das zuvor genannte Förderelement erneut als Substrat zu verwenden, kann die Haftschicht eine Haftkraft beim Abziehen bei 180°C von 0,01 bis 0,98 N/10 mm, insbesondere ungefähr 0,01 bis 0,5 N/10 mm in Bezug auf Siliciumwafer (Spiegeloberfläche) haben, was es möglich macht, zu verhindern, dass das Substrat von der Haftschicht abgezogen wird, und es leicht macht, das Substrat nach dem Reinigen abzuziehen.
Das Basismaterial, auf dem die Reinigungsschicht zur Verfügung gestellt wird, ist nicht sonderlich beschränkt. Als solch ein Basismaterial kann ein Film aus einem Plastikmaterial wie Polyethylen, Polyethylenterphthalat, Acetylcellulose, Polycarbonat, Polypropylen und Polyamid verwendet werden. Die Dicke des Basismaterials liegt normalerweise bei ungefähr 10 bis 100 µm.
Das Förderelement, auf dem die Reinigungsbahn klebt, ist nicht sonderlich beschränkt. In der Praxis wird jedoch ein Substrat wie ein Halbleiterwafer, ein Substrat für eine Flachbildanzeige (z. B. LCD, PDP) und ein Substrat für eine Kompaktdisk und einen MR-Kopf verwendet.
Die vorliegende Erfindung stellt zudem ein Element zur Reinigung verschiedener Leitfähigkeitsprüfzubehörteile, ein Verfahren zur Reinigung eines Leitfähigkeitsprüfzubehörteils unter Verwendung desselben sowie ein Element und ein Verfahren zur Reinigung eines Leitfähigkeitsprüfzubehörteils, das leicht durch Fremdmaterialien beschädigt wird, zur Verfügung.
Es können verschiedene Leitfähigkeitsprüfzubehörteile zur Verwendung bei der Herstellung von elektrischen Halbleiterprodukten durch das in Kontakt bringen der Prüfseite des Zubehörs (z. B. ein Kontaktstift der IC-Fassung) mit dem Ende der Produktseite (z. B. Ende des Halbleiters) verwendet werden. Während dieses Verfahrens wird die Prüfung des IC-Endes mit dem Kontaktstift wiederholt. Als ein Ergebnis schabt der Kontaktstift an das Material auf der IC-Endseite (z. B. Aluminium, Lötmaterial). Die resultierenden Fremdmaterialien werden an der Seite des Kontaktstifts gebunden. Zudem können Aluminium und Lötmittel, die so an der Seite des Kontaktstiftes gebunden sind, oxidiert werden, was Fehler durch Isolierung bewirkt. Im schlimmsten Fall kann die zu untersuchende elektrische Leitfähigkeit reduziert werden. Um diese Fremdmaterialien von dem Kontaktstift zu entfernen, wird ein Polyethylenterphthalatfilm, der mit Aluminiumoxidteilchen oder einem Element mit Schleifkörnern beschichtet ist, die in ein auf Gummi basierendes Harz wie Silicon eingebracht sind (hiernach als „Kontaktstifreiniger" bezeichnet), verwendet. Jedoch kann bei dem derzeitigen Trend zur Verringerung der Dicke von Wafern und der Erhöhung der Länge von Wafern in dem Verfahren zur Herstellung von Halbleitern der Wafer stärker durch Fremdmaterialien am Prüfstisch (Einspanntisch) und Aufspannfehlern beschädigt werden. Daher müssen einige Gegenmaßnahmen getroffen werden, um Fremdmaterialien vom Einspanntisch zu entfernen. Bis jetzt ist es notwendig, dass der Betrieb des Leitfähigkeitsprüfzubehörteils regelmäßig unterbrochen wird, um den Spanntisch zu reinigen, wodurch Fremdmaterialien entfernt werden. Dieses bewirkt einen Verlust der Betriebseffizienz oder erfordert viel Arbeit, was von Nachteil ist.
Unter diesen Umständen ist es eine andere Aufgabe der Erfindung, ein Reinigungselement und ein Reinigungsverfahren zur Verfügung zu stellen, das den Kontaktstift in Leitfähigkeitsprüfzubehör reinigen sowie die Menge an Fremdmaterialien verringern kann, die an dem Spanntisch und Förderarm haften.
Die Erfinder haben ausgiebige Untersuchungen durchgeführt, um die zuvor genannte Aufgabe zu lösen. Als ein Ergebnis wurde herausgefunden, dass durch das Fördern eines Reinigungselements, das ein Bauteil zum Entfernen von Fremdmaterialien umfasst, die an dem Leitfähigkeitsprüfkontaktstift in einem Leitfähigkeitsprüfzubehör (hiernach als „Kontaktstiftreiniger" bezeichnet) gebunden sind, und eine Reinigungsschicht umfasst, die auf einer Seite des Kontaktstiftreinigers zur Entfernung von Fremdmaterialien zur Verfügung gestellt wird, die an der Kontaktfläche des Zubehörs haften, mit der der Kontaktstiftreiniger in Kontakt kommt (Spanntisch), dann der Kontaktstift gereinigt werden kann, während Fremdmaterialien entfernt werden, die an dem Spanntisch in dem Prüfzubehör haften. Es wurde auch herausgefunden, dass durch das Festlegen des Reibungskoeffizienten der Reinigungsschicht auf nicht weniger als einen spezifischen Wert die Reinigungsbahn sicher durch das Innere des Prüfzubehörs gefördert werden kann, während auf einfache Weise die Menge an Fremdmaterial verringert wird. So wurde die vorliegende Erfindung ausgearbeitet.
Mit anderen Worten stellt die vorliegende Erfindung auch ein Reinigungselement für Leitfähigkeitsprüfzubehör zur Verfügung, das ein Element zum Entfernen von Fremdmaterialien enthält, die an einen Kontaktstift zur Leitfähigkeitsprüfung in einem Leitfähigkeitsprüfzubehör haften (hiernach als „Kontaktstiftreiniger" bezeichnet) sowie eine Reinigungsschicht, die auf der einen Seite des Kontaktstiftreinigers zum Entfernen von Fremdmaterialien, die an der Kontaktfläche des Zubehörs haften, mit der der Kontaktstiftreiniger in Kontakt kommt, zur Verfügung gestellt wird.
Die vorliegende Erfindung stellt zudem ein Reinigungselement für Leitfähigkeitsprüfzubehör zur Verfügung, umfassend ein Bauteil, das auf einer Seite eines Förderelements zum Entfernen von Fremdmaterialien zur Verfügung gestellt wird, die an dem Leitfähigkeitsprüfkontaktstift des Leitfähigkeitsprüfzubehörs haften (hiernach als „Kontaktstiftreiniger" bezeichnet) sowie die zuvor genannte Reinigungsbahn auf der anderen Seite zum Entfernen von Fremdmaterialien umfasst, die an der Kontaktfläche des Zubehörs haften, mit der der Kontaktstiftreiniger in Kontakt kommt.
Die Reinigungsschicht in dem Reinigungselement der Erfindung ist nicht sonderlich beschränkt, so lange sie sicher durch das Innere des Inspektionszubehörs gefördert werden kann sowie einfach die Menge an Fremdmaterial verringern kann. In der Praxis ist jedoch der Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht vorzugsweise nicht geringer als 1,0, mehr bevorzugt liegt er bei 1,2 bis 1,8 vom Standpunkt der staubentfernenden Eigenschaften und der Fördereigenschaften. Wenn der Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht unter 1,0 fällt, dann besteht die Gefahr, dass Fremdmaterialien auf dem Spanntisch nicht sicher an die Reinigungsschicht gebunden werden können. Im Gegensatz dazu kann, wenn der Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht den oben definierten Bereich überschreitet, dann die Gefahr bestehen, dass die Reinigungsbahn dahingehend versagt, gefördert zu werden. In der vorliegenden Erfindung wird der Reibungskoeffizient (µ) der Reinigungsschicht durch das Messen des Reibungskoeffizienten (F) bestimmt, der sich ergibt, wenn eine Edelstahlplatte (eine 50 mm × 50 mm flache Platte) entlang der Oberfläche der Reinigungsschicht mittels einer Universaltestmaschine gleitet und dann diese Messung und die Vertikallast (W), die auf die Stahlplatte während dieses Verfahrens aufgetragen wurde, in die folgende Gleichung (2) eingesetzt wird. Das Ergebnis stellt den dynamischen Reibungskoeffizienten dar: µ = F/W (2)worin µ den dynamischen Reibungskoeffizienten darstellt, F den Reibungswiderstand (N) darstellt und W die Vertikallast (N) darstellt, die auf die Stahlplatte aufgetragen wurde.
Die Reinigungsschicht zeigt ein Zugmodul von nicht mehr als 2.000 N/mm², vorzugsweise mehr als 1 N/mm². Wenn das Zugmodul der Reinigungsschicht 2.000 N/mm² überschreitet, dann besteht die Sorge, dass Fremdmaterialien auf dem Spanntisch nicht sicher an die Reinigungsschicht gebunden werden können. Im Gegensatz dazu besteht, wenn das Zugmodul der Reinigungsschicht unter 1 N/mm² fällt, dann die Sorge, dass die Reinigungsschicht dahingehend versagt, gefördert zu werden. In der Erfindung hat durch das Festlegen des Reibungskoeffizienten und des Zugmoduls der Reinigungsschicht in dem oben definierten Bereich die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine Klebkraft während des Förderns der Reinigungsbahn oder Ähnlichem, was es möglich macht, eine Wirkung des Förderns auf die Reinigungsbahn auszuüben, ohne dass die Reinigungsschicht fest an die zu reinigende Position haftet.
Der Kontaktstiftreiniger, der in der Erfindung zu verwenden ist, ist nicht sonderlich beschränkt in seinem Material, seiner Form und anderen Faktoren. Es kann ein großer Bereich an Materialien verwendet werden. Zum Beispiel kann ein Film aus einem Plastik wie Polyethylen, Polyethylenterphthalat, Acetylcellulose, Polycarbonat, Polypropylen, Polyamid, Polyimid und Polycarbodimid, ein auf Gummi basierendes Harz wie Silikon oder ein Substrat (Stütze) wie ein Vliesgewebe, das mit einem Schleifkorn wie Aluminiumoxid-, Siliciumcarbid- und Chromoxidteilchen beschichtet ist, verwendet werden, aber die vorliegende Erfindung sollte nicht als darauf beschränkt ausgelegt werden. Die Form des Kontaktstiftreinigers kann abhängig von der Form des Sockels und dem zu reinigenden ICs wie eines Siliciumwafers oder eines IC-Chips und der Art des Zubehörs geeignet bestimmt werden.
In dieser Anordnung kann die Reinigungsbahn in das Innere des Zubehörs gefördert werden, während sie an dem Kontaktstiftreiniger zum Reinigen des Kontaktstiftes auf der nicht reinigenden Seite davon haftet oder an dem Förderelement wie verschiedene Substrate mit Reinigungsfunktion mit einer üblichen Haftschicht zur Bildung eines Förderelements, so dass es mit dem Spanntisch zum Reinigen in Kontakt kommt.
In der Praxis wird ein Halbleiterwafer, ein Substrat für eine Flachbildanzeige wie ein LCD und PDP, ein Substrat für eine Kompaktdisk und einen MR-Kopf verwendet.
Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung eines Förderelements mit einer Reinigungsfunktion für verschiedene substratverarbeitende Zubehörteile zur Verfügung, z. B. ein Verfahren zur Herstellung eines Förderelements mit einer Reinigungsfunktion, das leicht durch Fremdmaterialien beschädigt werden kann, wie Zubehör zur Herstellung oder zum Prüfen eines Halbleiters, einer Flachbildanzeige, einer bedruckten Leiterplatte, etc.
Das vorgenannte Verfahren zur Herstellung eines Förderelements mit einer Reinigungsfunktion (hiernach als „Reinigungselement" bezeichnet) ist dahingehend nachteilig, dass wenn ein Reinigungselement, das durch das Laminieren eines Förderelements als Substrat mit einer Reinigungsbahn mit einer Form größer als der des Förderelements auf der Reinigungsbahn entlang des Profils des Förderelements zugeschnitten wird (hiernach wird dieses Verfahren als „direktes Schneidverfahren" bezeichnet werden), dann die Schneidabfälle aus der Reinigungsschicht während des Schneidens produziert werden und an das Reinigungselement zu dessen Nachteil binden. In dem Fall, bei dem die Reinigungsbahn zum Kleben, die zuvor in die Form des Förderelements verarbeitet wurde, auf ein Förderelement laminiert wird, um ein Reinigungselement herzustellen, kann die Herstellung von Schneidabfällen während des Bearbeitens des Aufklebers im Vergleich zum direkten Schneidverfahren vermieden werden. Jedoch muss das Schneiden der Bahn für den Aufkleber zuvor durchgeführt werden, was zu der Zahl der erforderlichen Arbeitsschritte beiträgt, was das Verfahren zur Herstellung eines Reinigungselements verkompliziert und somit die Arbeitseffizienz verschlechtert.
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Reinigungselements zur Verfügung gestellt, das sicher durch das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs durchgeführt werden kann, das sicher und einfach Fremdmaterialien entfernen kann, die an das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs haften, und das keine Schneidabfälle während des Schneidens der Bahn wie beim direkten Schneidverfahren produziert.
Die Erfinder haben ausgiebige Untersuchungen durchgeführt, um die vorgenannte Aufgabe zu lösen. Als ein Ergebnis wurde herausgefunden, dass durch das Herstellen einer Reinigungsschicht aus einem Haftmittel, das eine Polymerisationshärtung durchläuft, wenn darauf durch eine aktive Energie einwirkt, und durch das Durchführen der Polymerisationshärtungsreaktion der Reinigungsschicht nach dem Zuschneiden der Reinigungsbahn in die Form des Förderelements in dem Verfahren zur Herstellung eines Reinigungselements, das das Laminieren eines Förderelements als Substrats mit einer Reinigungsbahn umfasst, wobei die Herstellung des Reinigungselements durch ein direktes Schneidverfahren erreicht wird, ein Reinigungselement, das einfach und sicher Fremdmaterialien abziehen kann, hergestellt werden kann, ohne dass die vorgenannten Probleme ausgelöst werden.
Es wird ein Verfahren für die Herstellung eines Förderelements mit einer Reinigungsfunktion zur Verfügung gestellt, das das Laminieren einer Reinigungsbahn mit einer Reinigungsschicht, die aus einem Haftmittel hergestellt wird, das eine Polymerisationshärtung durchläuft, wenn darauf mit einer aktiven Energie eingewirkt wird, die auf einer Seite eines Basismaterials zur Verfügung gestellt wird, sowie mit einer normalen Haftschicht, die auf der anderen Seite zur Verfügung gestellt wird, mit einem Förderelement mit einer normalen Haftschicht, die dazwischen so angeordnet ist, dass die Form der Reinigungsbahn größer als die des Förderelements ist und dann das Schneiden der Reinigungsbahn entlang des Profils des Förderelements umfasst, wobei die Reinigungsschicht eine Polymerisationshärtungsreaktion nach dem Schneiden der Reinigungsbahn entlang des Profils des Förderelements durchläuft.
In dem Verfahren zur Herstellung eines Reinigungselements ist es notwendig, dass die Reinigungsschicht aus einem Haftmittel hergestellt wird, das eine Polymerisationshärtung mit einer aktiven Energie durchläuft, und dass die Polymerisationshärtung nach dem Schneiden der Bahn durchgeführt wird. Dies ist so, weil wenn die Reinigungsschicht vor dem Schneiden der Bahn eine Polymerisationshärtung durchläuft, sie eine Vernetzung durchläuft, um ein höheres Elastizitätsmodul aufzuweisen, was die Herstellung einer großen Menge an Schneidabfällen bewirkt, die an dem Reinigungselement oder dem Zubehör haften. Um die Herstellung von Schneidabfällen aus der Reinigungsschicht während des Schneidens der Bahn zu vermeiden, ist es bevorzugt, dass das Zugmodul der Reinigungsschicht nicht größer als 1 N/mm², vorzugsweise nicht größer als 0,1 N/mm² ist, wie es durch ein Testverfahren gemäß JIS K7127 bestimmt wird. Durch das Festlegen des Zugmoduls der Reinigungsschicht auf nicht höher als den oben genannten spezifischen Bereich kann die Herstellung von Schneidabfällen aus der Reinigungsschicht während des Schneidens der Bahn verhindert werden, was es möglich macht, ein Reinigungselement herzustellen, das frei von Schneidabfällen durch ein direktes Schneidverfahren ist. Zudem kann eine Reinigungsschicht, die aus einem Haftmittel hergestellt wird, das eine Polymerisationshärtung durchläuft, eine Polymerisationshärtung durchlaufen, nachdem das Schneiden der Bahn erfolgt ist, damit diese im Wesentlichen keine Klebkraft aufweist, was es möglich macht, ein Reinigungselement zur Verfügung zu stellen, das sicher ohne festes Anhaften an die Kontaktfläche des Zubehörs gefördert wird.
Die Reinigungsschicht nach dem Schneiden der Bahn zeigt ein Zugmodul bedingt durch die Beschleunigung der Vernetzungsreaktion oder der Härtung durch eine aktive Energie von nicht weniger als 10 N/m², vorzugsweise von 10 bis 2.000 N/mm². Wenn das Zugmodul der Reinigungsschicht 2.000 N/mm² überschreitet, dann verschlechtert sich die Fähigkeit zur Entfernung von Fremdmaterialien aus dem Fördersystem. Im Gegensatz dazu haftet, wenn das Zugmodul der Reinigungsschicht unter 10 N/mm² fällt, die Reinigungsschicht an die innere Fläche des zu reinigenden Zubehörs während des Förderns, was Probleme beim Fördern auslöst.
Die Herstellung des Reinigungselements gemäß der Erfindung involviert die Verwendung einer Reinigungsbahn, die die vorgenannte spezifische Haftschicht umfasst, die als eine Reinigungsschicht auf einer Seite eines Basismaterials zur Verfügung gestellt wird, und eine normale Haftschicht hat, die auf der anderen Seite zur Verfügung gestellt wird, wobei die Reinigungsschicht in einer ungehärteten Form vorliegt.
Die vorliegende Erfindung wird zusätzlich in den folgenden Beispielen beschrieben werden, aber die vorliegende Erfindung sollte nicht als auf diese beschränkt interpretiert werden. Der Begriff „Teile", wie er hiernach verwendet wird, ist dahingehend vorgesehen, Gewichtsanteile zu bedeuten.
Beispiel 1
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure enthält, wurden 50 Anteile Polyethylenglycoldimethacrylat, 50 Anteile Urethanacrylat, 3 Anteile Benzyldimethylketal und 3 Anteile Diphenylmethandiisocyanat gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich verrührt, um eine Lösung aus einem im ultravioletten Bereich härtenden Klebstoff zu erhalten.
Der Klebstoff, der mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt worden war, um eine Härtung zu durchlaufen, zeigte ein Zugmodul von 49 N/mm². Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JIS K7127 durchgeführt.
Getrennt davon wurde eine Haftlösung, die in der gleichen Weise wie oben erwähnt erhalten wurde, außer dass das vorgenannte Haftmittel frei von Benzyldimethylketal war, auf die Abziehoberfläche eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 38 µm und einer Breite von 250 mm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Anschließend wurde die zuvor genannte im ultravioletten Bereich härtende Haftlösung auf die Abziehoberfläche eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 38 µm bis zu einer Trockendicke von 40 µm aufgetragen, um darauf eine Reinigungsschicht zur Verfügung zu stellen. Die zwei abziehbaren Polyesterfilme wurden dann miteinander so in einer Anordnung laminiert, dass die Reinigungsschicht und die normale Haftschicht gegenüber lagen.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der Erfindung zu erhalten. Die Oberfläche der Reinigungsschicht hatte im Wesentlichen keine Klebkraft.
Die Reinigungsschicht wurde auf Oberflächenwiderstand bei einer Temperatur von 23°C und bei einer relativen Feuchte von 60 % mittels einer Oberflächenwiderstandsmessvorrichtung vom Typ MCP-UP450 von der Mitsubishi Chemical Corporation gemessen. Als ein Ergebnis war die Auslesung größer als 9,99 × 10¹³ Ω/☐, was die Messung unmöglich macht.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsschicht auf der normalen Haftschichtseite davon abgezogen. Die Reinigungsschicht wurde dann auf die Rückseite (Spiegeloberfläche) eines 8 Inch Siliciumwafers geklebt, um einen fördernden Reinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Getrennt davon wurden 2 Waferstufen aus einem Substratverarbeitungszubehör entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht weniger als 0,3 µm mittels einer Fremdmaterialanalysevorrichtung vom Lasertyp gemessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht mehr als 0,3 µm auf einer Fläche mit einer 8 Inch Wafergröße in einer Anzahl von 18.000 auf der einen der zwei Waferstufen und 17.000 auf der anderen gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer auf der Reinigungsseite davon abgezogen. Der fördernde Reinigungswafer wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit einer Waferstufe mit 18.000 Fremdmaterialien daran gebunden gefördert. Als ein Ergebnis wurde das Fördern des fördernden Reinigungswafers ohne Probleme durchgeführt. Danach wurde die Waferstufe entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mittels einer Fremdmaterialanalysevorrichtung vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis lagen Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm auf einer Fläche einer 8 Inch Wafergröße in einer Anzahl von 4.000 vor, was zeigt, dass ¾ oder mehr der Fremdmaterialien, die zuvor daran hafteten, entfernt worden waren.
Vergleichendes Beispiel 1
Die Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn, die in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt wurde, außer dass die Menge an Benzyldimethylketal 0,05 Anteile betrug, hatte eine Klebkraft. Die Reinigungsschicht wurde dann auf ihr Zugmodul hin vermessen. Die Ergebnisse waren 0,5 N/mm².
Es wurde versucht, einen fördernden Reinigungswafer, der aus der vorgenannten Reinigungsbahn in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt worden war, durch das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs zu führen. Jedoch haftete der Förderreinigungswafer an dem Förderarm und konnte somit nicht gefördert werden.
Beispiel 2
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure enthält, wurden 50 Anteile Polyethylenglycoldimethacrylat, 50 Anteile Urethanacrylat, 3 Anteile Benzyldimethylketal und 3 Anteile Diphenylmethandiisocyanat gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich verrührt, um eine Lösung aus einem im ultravioletten Bereich härtenden Haftmittel zu erhalten.
Getrennt davon wurde eine Haftlösung, die in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, erhalten wurde, außer dass das vorgenannte Haftmittel frei von Benzyldimethylketal war, auf eine Seite eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 25 µm und einer Breite von 250 mm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht geklebt. Die zuvor genannte im ultravioletten Bereich härtende Haftlösung wurde dann auf die andere Seite des Basismaterialfilms in einer Trockendicke von 40 µm aufgetragen, um eine Haftschicht als eine Reinigungsschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlicher abziehbarer Film wurde dann auf die Oberfläche der Reinigungsschicht geklebt.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der vorliegenden Erfindung zu erhalten. Die Haftschicht als eine Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn, die durch ultraviolettes Licht gehärtet worden war, hatte ein Zugmodul von 49 N/mm². Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JIS K7127 durchgeführt.
Die Haftschicht auf der Seite mit der Reinigungsschicht wurde an die Spiegelseite eines Siliconwafers in einer Breite von 10 mm aufgeklebt und dann wurde die Haftkraft beim Abziehen bei 180°C in Bezug auf den Siliciumwafer gemäß JIS Z0237 gemessen. Das Ergebnis war 0,08 N/mm.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn auf der Seite der Haftschicht davon abgezogen. Die Reinigungsbahn wurde dann auf die Rückseite (Spiegeloberfläche) eines 8 Inch Siliciumwafers geklebt, um einen fördernden Reinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Getrennt davon wurden 2 Waferstufen aus einem substratverarbeitenden Zubehör entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mittels einer Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm auf einer Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 25.000 auf einer der zwei Waferstufen und 22.000 auf der anderen gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der fördernde Reinigungswafer wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit einer Waferstufe mit 25.000 Fremdmaterialien daran haftend gefördert. Als ein Ergebnis wurde das Fördern des fördernden Reinigungswafers ohne jegliche Probleme durchgeführt. Danach wurde die Waferstufe entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mittels einer Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm in einer Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 6.200 gefunden, was zeigt, dass ¾ oder mehr der Fremdmaterialien, die zuvor angehaftet hatten, entfernt worden waren.
Vergleichendes Beispiel 2
Eine Reinigungsbahn wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer dass sie mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 in einer integrierten Dosis von 5 mJ/cm² bestrahlt wurde. Die so hergestellte Reinigungsbahn wurde dann auf das Zugmodul der Reinigungsschicht in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 vermessen. Das Ergebnis war 0,67 N/mm². Die Haftschicht der Reinigungsschicht wurde dann auf Haftung in Bezug auf Siliciumwafer vermessen. Das Ergebnis war 0,33 N/10 mm.
Es wurde versucht, einen Förderreinigungswafer zu fördern, der aus der zuvor genannten Reinigungsbahn in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 hergestellt worden war, durch das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit einer Waferstufe mit 22.000 Fremdmaterialien, die daran hafteten. Als ein Ergebnis wurde der Förderreinigungswafer an der Waferstufe fixiert. Somit konnte der Förderreinigungswafer nicht länger gefördert werden.
Beispiel 3
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure enthält, wurden 50 Anteile Polyethylenglycoldimethacrylat, 50 Anteile Urethanacrylat, 3 Anteile Benzyldimethylketal und 3 Anteile Diphenylmethandiisocyanat gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich verrührt, um eine Lösung aus einem im ultravioletten Bereich härtenden Haftmittel zu erhalten.
Getrennt davon wurde eine Haftmittellösung, die in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, erhalten wurde, außer dass das vorgenannte Haftmittel frei von Benzyldimethylketal war, auf eine Seite eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 25 µm und einer Breite von 250 mm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen wurde, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht geklebt. Die zuvor genannte im ultravioletten Bereich härtende Haftlösung wurde auf die andere Seite des Basismaterialfilms in einer Trockendicke von 40 µm aufgetragen, um eine Haftschicht als eine Reinigungsschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlich abziehbarer Film wurde auf die Oberfläche der Reinigungsschicht aufgeklebt.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 3.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der vorliegenden Erfindung zu erhalten. Die Oberfläche der Reinigungsschicht hatte im Wesentlichen keine Klebkraft. Die Reinigungsschicht, die durch ultraviolettes Licht gehärtet worden war, zeigte ein Zugmodul von 0,58 N/mm². Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JIS K7127 durchgeführt. Die Reinigungsschicht wurde auf die Spiegeloberfläche eines Siliconwafers mit einer Breite von 10 mm aufgeklebt und dann auf eine Haftkraft beim Abziehen bei 180°C in Bezug auf den Siliciumwafer gemäß JIS Z0237 vermessen. Das Ergebnis war 0,0049 N/mm. Es wurde somit bestätigt, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine Klebkraft hat.
Die Reinigungsschicht wurde auf Oberflächenwidestand bei einer Temperatur von 23°C und einer relativen Feuchte von 60 % mittels einer Vorrichtung zum Messen des Oberflächenwiderstandes vom Typ MCP-UP450, die von der Mitsubishi Chemical Corporation hergestellt wird, vermessen. Als ein Ergebnis war das Ergebnis größer als 9,99 × 10³ Ω/☐, was die Messung unmöglich machte. Es wurde somit bestätigt, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine elektrische Leitfähigkeit hat.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn auf der Seite der normalen Haftschicht davon abgezogen. Die Reinigungsschicht wurde dann auf die Rückseite (Spiegeloberfläche) eines 8 Inch Siliciumwafers geklebt, um einen Förderreinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion (1) herzustellen.
Beispiel 4
Ein Polyesterfilm mit einer Dicke von 25 µm und einer Breite von 250 mm wurde als eine Reinigungsschicht verwendet. Die gleiche normale Haftschicht, wie sie in Beispiel 3 verwendet wurde, wurde auf der einen Seite des Polyesterfilms in einer Trockendicke von 10 µm zur Verfügung gestellt. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht geklebt, um eine Reinigungsbahn herzustellen.
Der Polyesterfilm als eine Reinigungsschicht zeigte ein Zugmodul von 200 N/mm2. Der Polyesterfilm wurde auch auf Haftkraft bei 180°C in Bezug auf den Siliciumwafer vermessen. Das Ergebnis war 0 N/10 mm. Es wurde somit bestätigt, dass der Polyesterfilm im Wesentlichen keine Klebkraft hat.
Der Polyesterfilm wurde auf Oberflächenwiderstand hin vermessen. Jedoch war das Ergebnis größer als 9,99 × 10³ Ω/☐, was die Messung unmöglich machte. Mit diesen Ergebnissen wurde bestätigt, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsschicht abgezogen. Ein Reinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion (2) wurde dann in der gleichen Weise wie in Beispiel 3 hergestellt.
Getrennt davon wurden 3 Bahnen von brandneuen 8 Inch Siliciumwafern auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe nicht kleiner als 0,2 µm auf der Spiegeloberfläche davon durch eine Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien in einer Anzahl von 8 auf der ersten Bahn, 12 auf der zweiten Bahn und 10 auf der dritten Bahn gefunden. Diese Wafer wurden dann in das Innere von getrennten substratverarbeitenden Zubehörteilen mit deren nach unten zeigenden Spiegeloberfläche gefördert. Danach wurden diese Wafer jeweils auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien an der Spiegeloberfläche davon mittels einer Analysevorrichtung zur Bestimmung von Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm wurden auf der Fläche eines 8 Inch Wafer in einer Anzahl von 23.788 auf dem ersten Siliciumwafer, 26.008 auf dem zweiten Siliciumwafer und 28.403 auf dem dritten Siliciumwafer gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer (1) auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der Förderreinigungswafer (1) wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Waferstufe mit 23.788 Fremdmaterialien daran haftend gefördert. Als ein Ergebnis konnte das Fördern ohne jegliche Probleme durchgeführt werden. Danach wurde der brandneue 8 Inch Siliciumwafer mit 7 Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm darauf in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Spiegeloberfläche nach unten zeigend gefördert. Diese Wafer wurden dann jeweils auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm mittels einer Analysevorrichtung zur Messung von Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm auf einer 8 Inch Waferfläche in einer Anzahl von 6.205 gefunden, was zeigt, dass 74 % der Fremdmaterialien, die vor dem Reinigen daran gebunden waren, entfernt wurden.
Anschließend wurde der zuvor genannte Förderreinigungswafer (2) dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit einer Waferstufe mit 26.008 Fremdmaterialien daran haftend gefördert. Als ein Ergebnis wurde das Fördern ohne jegliche Probleme durchgeführt. Danach wurde ein brandneuer 8 Inch Siliciumwafer mit 18 Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm darauf einer Messung in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, ausgesetzt. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm auf einer 8 Inch Waferfläche in einer Anzahl von 7.988 gefunden, was zeigt, dass 69 % der Fremdmaterialien, die vor dem Reinigen daran gebunden waren, entfernt wurden.
Vergleichendes Beispiel 3
Die Reinigungsschicht in einer Reinigungsbahn, die in der gleichen Weise wie in Beispiel 3 hergestellt wurde, außer dass sie mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 5 J/cm² bestrahlt worden war, hatte eine Klebkraft. Die so hergestellte Reinigungsbahn wurde dann auf das Zugmodul der Reinigungsschicht hin vermessen. Das Ergebnis war 0,067 N/mm². Die Reinigungsschicht wurde dann auf Haftung in Bezug auf Siliciumwafer vermessen. Das Ergebnis war 0,33 N/10 mm.
Es wurde versucht, einen Förderreinigungswafer (3), der aus der zuvor genannten Reinigungsbahn in der gleichen Weise wie in Beispiel 3 hergestellt worden war, durch das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit einer Waferstufe mit 28.403 Fremdmaterialien daran haftend zu fördern. Als ein Ergebnis wurde der Förderreinigungswafer an der Waferstufe fixiert. So konnte der Förderreinigungswafer nicht länger befördert werden.
Beispiel 5
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 2.800.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 30 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 70 Anteile Methylacrylat und 10 Anteile Acrylsäure enthält, wurden 150 Anteile Dipentaerythritolhexaacrylat (Markenname: UV 1700, hergestellt von der Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), 3 Anteile einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L., hergestellt von der Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und 10 Anteile Benzyldimethylketal (Irgacure 651, hergestellt von der Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) hinzu gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich verrührt, um eine im ultravioletten Bereich Lösung härtende Haftlösung A zu erhalten. Die im ultravioletten Bereich härtende Haftlösung wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Härtung zu durchlaufen. Die Oberfläche der Reinigungsschicht hatte im Wesentlichen keine Klebkraft. Die Reinigungsschicht, die mit ultraviolettem Licht gehärtet worden war, zeigte ein Zugmodul von 1,440 N/mm². Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JIS K7127 durchgeführt.
Getrennt davon wurden zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), erhalten aus einem Monomergemisch, umfassend 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure, 50 Anteile eines Polyethylenglycols 200 Dimethacrylat (Markenname: NK Ester 4G, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 50 Anteile Urethanacrylat (Markenname: U-N-01, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.) und 3 Anteile einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L, hergestellt von der Nippon Polyurethan Industry Co., Ltd.) gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich gerührt, um eine druckempfindliche Haftlösung B herzustellen.
Die druckempfindliche Haftlösung B wurde dann auf eine Seite eines Basismaterialfilms aus Polyester mit einer Dicke von 0,25 µm und einer Breite von 250 mm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht geklebt. Anschließend wurde die zuvor genannte durch ultraviolettes Licht härtende Haftlösung A auf die andere Seite des Basismaterialfilms in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine Reinigungsschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlich abziehbarer Film wurde dann auf die Oberfläche der Reinigungsschicht aufgeklebt.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der vorliegenden Erfindung zu erhalten. Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsschicht auf der Seite der Reinigungschicht davon abgezogen. Die Reinigungsschicht wurde dann auf die freie Oberflächenenergie hin vermessen. Das Ergebnis war 18,4 mJ/m² Die Reinigungsschicht zeigte einen Kontaktwinkel von 105,1 Grad in Bezug auf Wasser.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn auf der Seite der normalen Haftschicht davon abgezogen. Die Reinigungsbahn wurde dann auf die Rückseite (Spiegeloberfläche) eines 8 Inch Siliciumwafers mit einem Handroller aufgeklebt, um einen Förderreinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Getrennt davon wurde die Waferstufe aus dem substratverarbeitenden Zubehör entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mit einer Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm auf der Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 21.000 gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem Reinigungswafer auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der Reinigungswafer wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs gefördert. Als ein Ergebnis haftete die Reinigungsschicht sogar nach 100 Mal kontinuierlichem Fördern nicht fest an die zu reinigende Position. Somit konnte eine Förderung ohne jegliche Probleme durchgeführt werden.
Danach wurde die Waferstufe aus dem substratverarbeitenden Zubehör entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm durch eine Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm auf der Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 10.000 gefunden, was zeigt, dass die Hälfte der Fremdmaterialien, die vor dem Reinigen daran gebunden waren, entfernt worden waren.
Vergleichendes Beispiel 5
Als ein Haftmittel für die Reinigungsschicht wurde eine Haftlösung C verwendet, die durch ein Verfahren hergestellt wurde, das die Zugabe von 100 Anteilen eines Polyethylenglycol 200 dimethacrylats (Markenname: NK Ester 4G, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 100 Anteilen eines Polyethylenglycol 600 diacrylats (Markenname: NK Ester A-600, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.) und 3 Anteilen einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L, hergestellt von der Nippon Polyurethan Industry Co., Ltd.) zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 2.800.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 30 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 70 Anteile Methylacrylat und 10 Anteile Acrylsäure enthält, und dann das einheitliche Rühren der Mischung umfasst. Die so erhaltene Reinigungsschicht wurde dann auf das Zugmodul in der gleichen Weise wie in Beispiel 5 vermessen. Das Ergebnis war 0,1 N/mm².
Eine Reinigungsbahn wurde aus der Reinigungsschicht in der gleichen Weise wie in Beispiel 5 hergestellt. Die Reinigungsschicht wurde dann auf die freie Oberflächenenergie hin vermessen. Das Ergebnis war 57,3 mJ/m². Die Reinigungsschicht zeigte einen Kontaktwinkel von 49,4 Grad in Bezug auf Wasser.
Sie wurde getrocknet, um einen Förderreinigungswafer, der aus der zuvor genannten Reinigungsbahn in der gleichen Weise wie in Beispiel 5 hergestellt wurde, in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs zu fördern. Als ein Ergebnis wurde der Reinigungswafer an die Waferstufe während des Förderns der ersten Bahn fixiert. Daher konnte der Förderreinigungswafer nicht länger gefördert werden.
Beispiel 6
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure umfasst, wurden 100 Anteile eines Polyethylenglycol 200 dimethacrylats (Markenname: NK Ester 4G, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 3 Anteile einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L., hergestellt von der Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und 3 Anteile eines Benzyldimethylketals (Irgacure 651, hergestellt von der Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) als ein Fotopolymerisationsstarter hinzu gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich gerührt, um eine im ultravioletten Bereich härtende Haftlösung A herzustellen.
Getrennt wurde eine Haftlösung, die in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, erhalten wurde, außer dass die vorgenannte Haftlösung A frei von Benzyldimethylketal als ein Fotopolymerisationsstarter war, auf eine Seite eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 38 μm und einer Breite von 250 μm in einer Trockendicke von 10 μm aufgetragen, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 μm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht aufgeklebt. Anschließend wurde die zuvor genannte in ultraviolettem Licht härtende Haftlösung A auf die andere Seite des Basismaterials in einer Trockendicke von 10 μm aufgetragen, um eine Haftschicht als eine Reinigungsschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlicher abziehbarer Film wurde dann auf die Oberfläche der Haftschicht aufgeklebt.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 2.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der Erfindung zu erhalten. Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Die Reinigungsbahn wurde dann auf die Vickers-Härte der Reinigungsschicht hin mittels einer Messvorrichtung für die Vickers-Härte vom Typ MHA-400, die durch NEC hergestellt wird, vermessen. Das Ergebnis war 45.
Die Reinigungsschicht, die mit ultraviolettem Licht gehärtet worden war, zeigte ein Zugmodul von 147,2 N/mm². Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JS K7127 durchgeführt. Die Reinigungsschicht wurde auf die Spiegeloberfläche eines Siliciumwafers in einer Breite von 10 mm geklebt und dann auf die Haftkraft beim Abziehen bei 180°C in Bezug auf Siliciumwafer gemäß JIS Z0237 vermessen. Das Ergebnis war 0,0049 N/10 mm. Es wurde somit bestätigt, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine Klebkraft hatte.
Die Reinigungsschicht wurde auf den Oberflächenwiderstand bei einer Temperatur von 23°C und einer relativen Feuchte von 60 % mittels einer Messvorrichtung zur Messung des Oberflächenwiderstandes vom Typ MCP-UP450, die von der Mitsubishi Chemical Corporation hergestellt wird, vermessen. Als ein Ergebnis war die Auslesung größer als 9,99 × 10¹³ Ω/☐, was die Messung unmöglich macht. Mit diesen Ergebnissen wurde bestätigt, dass die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine elektrische Leitfähigkeit hat.
Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn abgezogen. Die Reinigungsbahn wurde dann auf die Rückseite (Spiegeloberfläche) eines 8 Inch Siliciumwafers aufgeklebt, um einen Förderreinigungswafer mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Getrennt davon wurden zwei Waferstufen aus einem substratverarbeitenden Zubehör entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mittels einer Analysevorrichtung zur Messung von Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm auf einer Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 25.000 auf einer der zwei Waferstufen und 23.000 auf der anderen gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der Förderreinigungswafer wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Waferstufe mit 25.000 Fremdmaterialien daran gebunden gefördert. Als ein Ergebnis wurde die Förderung des Förderreinigungswafers ohne jegliche Probleme durchgeführt. Danach wurde die Waferstufe entfernt und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm mittels einer Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,3 µm in einer Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 4.800 gefunden, was zeigt, dass 4/5 oder mehr der Fremdmaterialien, die vor dem Reinigen daran gebunden waren, entfernt werden konnten.
Vergleichendes Beispiel 6
Eine Reinigungsbahn wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt, außer dass als ein Haftmittel für die Reinigungsschicht eine Haftmittellösung B verwendet wurde, die durch ein Verfahren hergestellt wurde, das die Zugabe von 100 Anteilen eines Polyethylenglycol 600 diacrylats (Markenname: NK Ester A-600, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 3 Anteilen einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L, hergestellt von der Nippon Polyurethan Industry Co., Ltd.) und 10 Anteilen eines Benzyldimethylketals (Markenname: Irgacure 651, hergestellt von der Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) als ein Fotopolymerisationsstarter zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 2.800.000), erhalten aus einer Monomermischung, die 30 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 70 Anteile Methylacrylat und 10 Anteile Acrylsäure enthält, und dann das einheitliche Rühren der Mischung umfasst. Die so hergestellte Reinigungsbahn wurde dann auf die Vickers-Härte der Reinigungsschicht in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, vermessen. Das Ergebnis war 5. Die Reinigungsschicht wurde auf die freie Oberflächenenergie hin vermessen. Das Ergebnis war 34,6 mJ/m². Die Reinigungsschicht zeigte einen Kontaktwinkel von 82,3 Grad in Bezug auf Wasser.
Sie wurde getrocknet, um einen Förderreinigungswafer, der aus der zuvor genannten Reinigungsbahn in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt wurde, in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Waferstufe mit 23.000 Fremdmaterialien daran gebunden zu fördern. Als ein Ergebnis wurde der Reinigungswafer an der Waferstufe während des Förderns der ersten Bahn fixiert. Somit konnte der Förderreinigungswafer nicht länger gefördert werden.
Beispiel 7
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, umfassend aus 75 Anteilen 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteilen Methylacrylat und 5 Anteilen Acrylsäure, wurden 50 Anteile eines Polyethylenglycol 200 dimethacrylats (Markenname: NK Ester 4G, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 50 Anteile eines Urethanacrylats (Markenname: U-N-01, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 3 Anteile einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L., hergestellt von der Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und 3 Anteile Benzyldimethylketal als ein Fotopolymerisationsstarter gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich gerührt, um eine im ultravioletten Licht härtende Haftlösung A zu erhalten.
Getrennt davon wurde eine Haftlösung, die in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, erhalten wurde, außer dass die zuvor genannte Haftlösung A frei von Benzyldimethylketal als ein Fotopolymerisationsstarter war, auf eine Seite eines abziehbaren Polyesterfilms mit einer Dicke von 38 µm und einer Breite von 250 µm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine normale Haftschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht aufgeklebt. Anschließend wurde die zuvor genannte im ultraviolettem Licht härtende Haftlösung A auf die andere Seite des Basismaterials in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine Haftschicht als eine Reinigungsschicht darauf zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlicher abziehbarer Film wurde dann auf die Oberfläche der Haftschicht aufgeklebt.
Die resultierende Bahn wurde dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um eine Reinigungsbahn gemäß der vorliegenden Erfindung zu erhalten. Der abziehbare Film wurde dann von der Reinigungsbahn auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Die Reinigungsschicht, die mit ultraviolettem Licht gehärtet worden war, zeigte einen Reibungskoeffizienten von 1,7 und ein Zugmodul von 50 N/mm². Für die Messung des Reibungskoeffizienten wurde eine Edelstahlplatte mit einer Größe von 50 mm × 50 mm entlang der Oberfläche der Reinigungsschicht in einer festgelegten Richtung bei einer Geschwindigkeit von 300 mm/Min. bei einer Vertikallast von 9,8 N gezogen. Der resultierende Reibungswiderstand wurde dann mit einer universellen Zugtestvorrichtung gemessen. Die Messung des Zugmoduls wurde durch ein Testverfahren gemäß JS K7127 durchgeführt.
Der abziehbare Film wurde von der Reinigungsbahn auf der Seite der normalen Haftschicht davon abgezogen. Die Reinigungsbahn wurde dann auf die Rückseite (nicht reinigende Oberfläche) eines Kontaktstiftreinigers (Markenname: Passchip, hergestellt von der PASS INC.) als ein Kontaktstiftreinigungselement mit der Form eines 8 Inch Siliciumwafers mit einem Handroller zur Herstellung eines Förderreinigungselements zur Reinigungsfunktion geklebt.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem Reinigungselement auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Das Reinigungselement wurde dann als Dummy durch das Innere einer Wafersonde geführt, die ein Leitfähigkeitsprüfzubehör zur Herstellung von Halbleitern zur Reinigung des Kontaktstiftes und des Spanntisches ist. Als ein Ergebnis haftete die Reinigungsschicht nicht fest an der Kontaktposition. Daher konnte das Fördern ohne jegliche Probleme durchgeführt werden.
Danach wurde der Kontaktstift unter dem Mikroskop beobachtet. Als ein Ergebnis wurde bestätigt, dass Fremdmaterialien wie Oxid, die an dem Kontaktstift vor dem Reinigen gebunden waren, verschwanden, was zeigt, dass der Kontaktstift gereinigt worden war. Zudem wurde herausgefunden, dass Siliciumschatten mit einer Größe von ungefähr 1 mm, die auf dem Spanntisch vor dem Reinigen gefunden wurden, vollständig verschwunden sind, was zeigt, dass der Spanntisch gereinigt wurde. Danach wurden Wafer als Produkte gefördert und auf einer tatsächlichen Basis geprüft. Als ein Ergebnis wurde eine Verarbeitung ohne jegliche Probleme durchgeführt.
Beispiel 8
Zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 700.000), das aus einer Monomermischung erhalten wurde, die 75 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 20 Anteile Methylacrylat und 5 Anteile Acrylsäure enthält, wurden 50 Anteile eines Polyethylenglycol 200 dimethacrylats (Markenname: NK Ester 4G, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 50 Anteile Urethanacrylat (Markenname: U-N-01, hergestellt von der Sninnakamura Chemical Co., Ltd.), 3 Anteile einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L., hergestellt von der Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und 3 Anteile eines Benzyldimethylketals (Irgacure 651, hergestellt von der Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) als ein Fotopolymerisationsstarter hinzu gegeben. Die Mischung wurde dann einheitlich gerührt, um eine im ultravioletten Licht härtende Haftlösung A herzustellen.
Getrennt davon wurde eine normale druckempfindliche Haftlösung A in der gleichen Weise, wie es oben erwähnt wird, hergestellt, außer dass das vorgenannte Haftmittel frei von Benzyldimethylketal war.
Die normale druckempfindliche Haftlösung A wurde auf eine Seite eines auf Basismaterialfilms aus Polyester mit einer Dicke von 25 µm und einer Breite von 250 µm in einer Trockendicke von 10 µm aufgetragen, um eine normale Haftschicht zur Verfügung zu stellen. Ein abziehbarer Polyesterfilm mit einer Dicke von 38 µm wurde dann auf die Oberfläche der normalen Haftschicht geklebt. Die zuvor genannte in ultraviolettem Licht härtende Haftlösung A wurde auf die andere Seite des Basismaterialflims in einer Trockendicke von 30 µm aufgetragen, um eine Haftschicht als eine Reinigungsschicht zur Verfügung zu stellen. Ein ähnlicher abziehbarer Film wurde auf die Oberfläche der Haftschicht geklebt, um eine Reinigungsschicht A herzustellen.
Das im ultraviolettem Licht härtende Haftmittel A wurde dann auf sein Zugmodul hin vermessen (Testverfahren JS K712). Als ein Ergebnis zeigte es ein Zugmodul von 0,1 N/mm² bevor es eine Härtungsreaktion durch ultraviolettes Licht durchlief. Das in ultraviolettem Licht härtende Haftmittel A, das mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt worden war, zeigte ein Zugmodul von 49 N/mm².
Eine so erhaltene Reinigungsbahn A wurde dann auf einen Wafer durch einen Klebesticker vom direkt geschnittenen Typ geklebt (NEL-DR8500II, hergestellt von der NITTO SEIKI INC.). Während dieses Verfahrens wurde die Bahn A auf die Rückseite (Spiegelseite) eines 8 Inch Siliciumwafers geklebt und dann in die Form des Wafers durch direktes Schneiden geschnitten. Dieser Vorgang wurde kontinuierlich für 25 Bahnen durchgeführt. Als ein Ergebnis wurden keine Schneidabfälle während des Zuschneidens der Bahnen hergestellt.
Danach wurden 5 Bahnen der Wafer mit der Bahn mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 mm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um einen Förderreinigungswafer A mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Getrennt wurden jeweils 4 Bahnen von brandneuen 8 Inch Siliciumwafern auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm auf der Spiegelseite davon durch eine Analysevorrichtung auf Fremdmaterialien vom Lasertyp hin vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm in einer Anzahl von 8 auf der ersten Bahn, 11 auf der zweiten Bahn, 9 auf der dritten Bahn und 5 auf der vierten Bahn gefunden. Diese Wafer wurden in das Innere von getrennten substratverarbeitenden Zubehörvorrichtungen mit einem elektrostatischen Anziehungsmechanismus mit deren Spiegeloberfläche nach unten zeigend gefördert und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm durch eine Analysevorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Als ein Ergebnis wurden Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm auf der Fläche eines 8 Inch Wafers in einer Anzahl von 31.254 auf der ersten Bahn, 29,954 auf der zweiten Bahn, 28.683 auf der dritten Bahn und 27.986 auf der vierten Bahn gefunden.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer A auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der Förderreinigungswafer A wurde dann auf die Innenseite des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Waferstufe mit 31.254 Fremdmaterialien daran gebunden gefördert. Als ein Ergebnis wurde das Fördern ohne jegliche Probleme durchgeführt. Danach wurde ein brandneuer 8 Inch Siliciumwafer in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit seiner Spiegeloberfläche nach unten zeigend gefördert und auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm durch eine Analyse vorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Dieser Vorgang wurde 5 Mal durchgeführt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
Beispiel 9
Eine Reinigungsbahn B wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 hergestellt, außer dass als ein in ultraviolettem Licht härtender Klebstoff eine in ultraviolettem Licht härtende Haftmittellösung B verwendet wurde, die durch ein Verfahren hergestellt wurde, das die Zugabe von 100 Anteilen eines polyfunktionellen Urethanacrylats (Markenname: UV 1700B, hergestellt von der Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), 3 Anteilen einer Polyisocyanatverbindung (Markenname: Colonate L, hergestellt von der Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und 10 Anteilen eines Benzyldimethylketals (Markenname: Irgacure 651, hergestellt von der Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) als Fotopolymerisationsstarter zu 100 Anteilen eines Acrylsäurepolymers (gewichtsdurchschnittliches Molekulargewicht: 2.800.000), das aus einer Monomermischung enthalten wurde, umfassend 30 Anteile 2-Ethylhexylacrylat, 70 Anteile Methylacrylat und 10 Anteile Acrylsäure, und dann das einheitlich Rühren der Mischung umfasst. Das in ultraviolettem Licht härtende Haftmittel B wurde dann auf sein Zugmodul hin vermessen. Als ein Ergebnis zeigte es ein Zugmodul von 0,01 N/mm² bevor es die Härtung durchlief. Das in ultraviolettem Licht härtende Haftmittel B, das mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt worden war, zeigte ein Zugmodul von 1.440 N/mm².
Die zuvor genannte Reinigungsbahn B wurde dann einem direkten Schneidverfahren in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 ausgesetzt, um 25 Bahnen von Wafern mit einer Bahn herzustellen. Als ein Ergebnis wurden keine Schnittabfälle während des Schneidens der Bahn hergestellt. Fünf von 25 Waferbahnen wurden dann mit ultraviolettem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm bei einer integrierten Dosis von 1.000 mJ/cm² bestrahlt, um einen Förderreinigungswafer B mit einer Reinigungsfunktion herzustellen.
Anschließend wurde der abziehbare Film von dem zuvor genannten Förderreinigungswafer B auf der Seite der Reinigungsschicht davon abgezogen. Der Förderreinigungswafer B wurde dann in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit der Waferstufe mit 29.954 Fremdmaterialien daran gebunden gefördert. Als ein Ergebnis wurde das Fördern ohne jegliche Probleme durchgeführt. Danach wurde ein 8 Inch Siliciumwafer in das Innere des substratverarbeitenden Zubehörs mit seiner Spiegelfläche nach unten zeigend gefördert und dann auf das Vorhandensein von Fremdmaterialien mit einer Größe von nicht kleiner als 0,2 µm mittels einer Messvorrichtung für Fremdmaterialien vom Lasertyp vermessen. Dieser Vorgang wurde 5 Mal wiederholt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
Vergleichendes Beispiel 8
Ein Wafer mit Bahn wurde durch ein direktes Schneidverfahren in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 hergestellt, außer dass eine Reinigungsbahn C durch ein Verfahren hergestellt wurde, das das Bestrahlen der Reinigungsbahn A mit ultraviolttem Licht mit einer zentralen Wellenlänge von 365 nm in einer integrierten Dosis von 1000 mJ/cm² vor dem Aufkleben auf den Wafer umfasst. Als ein Ergebnis wurde eine große Menge an Schneidabfällen von der Reinigungsschicht während des Schneidens der Bahn produziert. Diese Schneidrückstände wurden dann sehr an die Kante des Wafers mit Bahn, die Rückseite des Wafers und den Klebestreifen gebunden. Dementsprechend wurde die Herstellung des Wafers C mit Bahn ausgesetzt.
Vergleichendes Beispiel 9
Eine Reinigungsbahn D wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 hergestellt, außer dass als ein Haftmittel für die Reinigungsschicht die druckempfindliche Haftlösung A verwendet wurde, die in Beispiel 8 beschrieben wird. Die Reinigungsschicht in der Reinigungsbahn D zeigte a Zugmodul von 0,1 N/mm².
Die Reinigungsbahn D wurde dann einem direkten Schneiden in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 ausgesetzt, um einen Wafer mit einer Bahn herzustellen. Als ein Ergebnis wurden keine Schneidabfälle während des Schneidens der Bahn hergestellt. Es wurden 25 Wafer mit Bahnen hergestellt. Es wurde dann versucht, den Förderreinigungswafer D in das Innere der substratverarbeitenden Zubehörvorrichtung mit einer Waferstufe mit 27.986 Fremdmaterialien daran gebunden zu fördern. Als Ein Ergebnis haftete der Reinigungswafer D an der Waferstufe während des Förderns der ersten Bahn. Somit konnte der Reinigungswafer D nicht weiter gefördert werden.
Gewerbliche Anwendbarkeit
Wie es oben erwähnt wird, kann die Reinigungsbahn gemäß der Erfindung sicher durch das Innere einer substratverarbeitenden Zubehörvorrichtung gefördert werden und kann einfach und sicher Fremdmaterialien entfernen, die an dem Inneren des Zubehörs haften.

Claims

Ein Reinigungselement, umfassend ein Förderelement, ausgewählt aus einem Halbleiterwafer, einem Substrat für eine Flachbildanzeige, einem Substrat für eine Kompaktdisk und einem MR-Kopf, und eine Reinigungsbahn, umfassend eine Reinigungsschicht mit im Wesentlichen keiner Klebkraft und im Wesentlichen keiner elektrischen Leitfähigkeit und mit einem Zugmodul von wenigstens 0,98 N/mm², wie es entsprechend JIS K7127 bestimmt wird, und die aus einem Plastikfilm hergestellt wird; ein Basismaterial zum Stützen der Reinigungsschicht auf einer Seite davon; und eine Haftschicht, die auf der anderen Seite des Basismaterials bereitgestellt wird, wobei die Haftschicht das Förderelement an dem Basismaterial so befestigt, dass eine äußere Oberfläche des Förderelements eine äußere Oberfläche des Reinigungselements gegenüber der Reinigungsschicht enthält; und wobei die äußere Oberfläche des Förderelements im Wesentlichen keine Klebkraft aufweist, so dass die Reinigungsschicht und die äußere Oberfläche des Reinigungselements gegenüber der Reinigungsschicht beide im Wesentlichen keine Klebkraft aufweisen, und wobei die Reinigungsbahn entlang des Profils des Förderelements geschnitten ist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht eine Haftkraft beim Abziehen bei 180° von 0,20 N/10 mm oder niedriger in Bezug auf eine Spiegeloberfläche eines Siliciumwafers aufweist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht eine freie Oberflächenenergie von weniger als 30 mJ/m² aufweist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht einen Kontaktwinkel von mehr als 90° in Bezug auf Wasser aufweist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht eine Vickers-Härte von wenigstens 10 aufweist.
Das Reinigungselement gemäß einem der Ansprüche 1 und 5, wobei die Reinigungsschicht eine Haftschicht enthält und mit einer aktiven Energie gehärtet wurde.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 6, wobei die Reinigungsschicht durch das Durchführen einer Polymerisationshärtungsreaktion mit einem druckempfindlichen Haftpolymer, das wenigstens eine Verbindung mit einer oder mehreren ungesättigten Doppelbindung(en) pro Molekül enthält, sowie einem Polymerisationsstarter, mit einer aktiven Energie hergestellt wird, so dass die Klebrigkeit im Wesentlichen verschwindet.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 7, wobei die aktive Energie ultraviolettes Licht ist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, umfassend: einen Kontaktpinreiniger, der auf einer Seite des Förderelements bereitgestellt wird, zum Entfernen von Fremdmaterialien, die an einem Leitfähigkeitsprüfkontaktpin des Leitfähigkeitsprüfzubehörs haften; und die Reinigungsbahn, wie sie in Anspruch 1 definiert wird, die auf der anderen Seite des Förderelements zur Entfernung von Fremdmaterialien bereitgestellt wird, die an einer Kontaktfläche eines Zubehörs haften, mit dem der Kontaktpinreiniger in Kontakt kommt.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht einen Reibungskoeffizienten von wenigstens 1,0 aufweist.
Das Reinigungselement gemäß Anspruch 1, wobei die Reinigungsschicht im Wesentlichen keine Klebkraft aufweist und ein Zugmodul von 2000 N/mm² oder niedriger aufweist, wie es entsprechend JIS K7127 bestimmt wird.