CN101297395A - 清洁片材，附有清洁功能的输送构件及基板处理装置的清洁方法 - Google Patents

清洁片材，附有清洁功能的输送构件及基板处理装置的清洁方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种附有清洁功能的输送构件，其异物除去性能及输送性能优异，且可特别有效地除去具有特定粒径的异物。本发明的附有清洁功能的输送构件具有输送构件(50)、及在该输送构件的至少一面所设置的清洁层(20)。清洁层的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下，且具有最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状。优选对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的150％以上。

Description

清洁片材，附有清洁功能的输送构件及基板处理装置的清洁方法
技术领域
本发明涉及一种清洁片材及附有清洁功能的输送构件。更详细而言，本发明涉及一种异物除去性能及输送性能优异，且可特别有效地除去具有特定粒径的异物的清洁片材及附有清洁功能的输送构件。又，本发明涉及一种使用上述清洁片材及附有清洁功能的输送构件的基板处理装置的清洁方法。
背景技术
在半导体、平板显示器、印刷基板等的制造装置或检查装置等排斥异物的各种基板处理装置中，一面使各输送体系与基板进行物理性接触，一面进行输送。此时，若在基板或输送体系上附着有异物，则会逐个污染后继的基板，故必须定期性地停止装置进行清洗处理。其结果是存在所谓处理装置的运转率下降的问题及所谓为了清洗处理装置而必需极大劳动力的问题。
为了克服上述问题，提出有一种通过输送板状构件而除去附着在基板背面的异物的方法(参照专利文献1)。因若利用上述方法，则无须使基板处理装置停止而进行清洗处理，故可解决所谓处理装置的运转率下降的问题。但是，该方法并不能充分地除去异物。
另一方面，提出有一种通过将固着有胶粘性物质的基板作为清洁构件输送至基板处理装置内，而清洁除去附着在该处理装置内的异物的方法(参照专利文献2)。因该方法除了揭示在专利文献1中的方法的优点外，在异物的除去性方面也优异，故所谓处理装置的运转率下降的问题或者所谓为了清洗处理装置而必需极大劳动力的问题皆可解决。但是，若利用在专利文献2中所揭示的方法，则胶粘性物质与装置的接触部分可能粘接过强而无法分离。其结果是可能产生所谓无法可靠地输送基板的问题，或者损坏输送装置的问题。
近年来，随着半导体设备的小型化，出现了异物不仅附着在晶片表面，而且也附着在背面的问题。其原因在于，在清洗工序中异物自晶片背面转移至晶片表面，从而使成品率下降。现在，已开始半导体元件的配线宽度为65nm的大量生产，若附着有与该配线宽度相同或者其以上尺寸的异物，则容易产生断线等不良。尤其是具有0.1～2.0μm左右的粒径的异物将成为问题。但是，以往技术中的任一者对特别有效地除去具有特定粒径的异物而言均不充分。
专利文献1：日本专利特开平11-87458号公报(第2～3页)
专利文献2：日本专利特开平10-154686号公报(第2～4页)
发明内容
本发明是用于解决上述以往的课题的发明，其目的在于提供一种异物除去性能及输送性能优异，且特别有效地除去具有特定粒径的异物的清洁片材及附有清洁功能的输送构件(以下，有时也将其合称为清洁构件)。本发明的其它目的在于提供一种使用上述清洁构件的基板处理装置的清洁方法。
本发明者们精心研究的结果发现，通过在清洁层上实行特定的表面粗糙化，并在清洁层表面上形成特定的凹凸，可达成上述目的，从而完成本发明。
本发明的清洁片材包括：具有算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下，且最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状的清洁层。
在优选实施方式中，上述凹凸形状是槽构造。
在优选实施方式中，对应每1mm2上述清洁层的平面的实质表面积是对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的150％以上。
在优选实施方式中，上述清洁层的拉伸弹性模量为0.98MPa～4900MPa。
根据本发明的其它态样，可提供一种附有清洁功能的输送构件。该附有清洁功能的输送构件包括输送构件、及在该输送构件的至少一面所设置的上述清洁层。
在优选实施方式中，上述清洁层可直接贴附在上述输送构件上。在其它实施方式中，上述清洁层可经由感压粘接剂层而贴附在上述输送构件上。
根据本发明的进一步其它态样，可提供一种基板处理装置的清洁方法。该方法包括将上述清洁片材、或者上述附有清洁功能的输送构件输送至基板处理装置内。
如上所述，根据本发明，可通过使用具有特定表面粗糙度的清洁层，而获得不仅输送性能及异物除去性能优异，且可特别有效地除去具有特定粒径的异物的清洁构件。
附图说明
图1是本发明的优选实施方式的清洁片材的概略剖面图。
图2是说明喷嘴法的概念图。
图3是本发明的优选实施方式的附有清洁功能的输送构件的概略剖面图。
10-支承体，20-清洁层，30-剥离衬垫，40-粘接剂层，50-输送构件，100-清洁片材，200-附有清洁功能的输送构件。
具体实施方式
A.清洁片材
图1是本发明的优选实施方式的清洁片材的概略剖面图。该清洁片材100具有支承体10、清洁层20及剥离衬垫30。支承体10及/或剥离衬垫30也可根据目的而省略。即，清洁片材也可单独以清洁层构成。
清洁层20的表面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下，且具有最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状。通过具有上述算术平均粗糙度及最大高度，清洁层20具有与平滑表面相比显著大的表面积，且具有凹凸的尺寸(深度)小的表面形状。可通过清洁层具有上述特定表面形状，而极其有效地除去具有特定粒径(具有代表性的为0.1～2.0μm)的异物。算术平均粗糙度Ra优选为0.04μm以下，更优选为0.03μm以下。另一方面，算术平均粗糙度Ra的下限优选为0.0002μm，更优选为0.0004μm，进一步优选为0.002μm，尤其优选为0.004μm。最大高度Rz优选为0.8μm以下，更优选为0.7μm以下。另一方面，最大高度Rz的下限优选为0.1μm，更优选为0.2μm，尤其优选为0.3μm。算术平均粗糙度及最大高度中的任一者均由JIS B0601所规定。算术平均粗糙度及最大高度例如可按以下工序进行测定：在触针式表面粗糙度测定装置(Tencor公司制造，商品名P-11)中，使用前端部的曲率为2μm的金刚石制触针，在针刺入力为5mg、测定速率为1μm/秒(测定长度为100μm)、采样周期为200Hz的条件下读取数据。截断(cut off)值设为25～80μm而算出算术平均粗糙度。
对应每1mm2上述清洁层的平面的实质表面积，相对于对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积，优选为150％以上，更优选为160％以上，最优选为170％以上。另一方面，对应每1mm2上述清洁层的平面的实质表面积，相对于对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积，优选为220％以下，更优选为200％以下。可通过具有上述表面粗糙度，而极其有效地除去具有特定粒径(具有代表性的为0.1μm以上，优选为0.1～2.0μm)的异物。
只要具有上述表面形状(表面粗糙度)，作为清洁层20的凹凸形状，可采用任意的适当形状。作为凹凸形状的具体例，可列举槽形状、条纹形状、突起形状、凹痕(dimple)形状、如砂纸表面的粗糙表面形状。优选为槽形状。其原因在于，虽然理论上并不明确，但异物除去性能优异。
上述清洁层的拉伸弹性模量在清洁构件的使用温度区域中，优选为0.5MPa以上，更优选为1～1000MPa。若拉伸弹性模量在上述范围内，则可获得在异物除去性能与输送性能的平衡方面优异的清洁构件。在一实施方式中，拉伸弹性模量为0.98～4900MPa。在上述情况下，在平板显示器用基板处理装置的清洁中可获得显著效果。另外，拉伸弹性模量可基于JISK7127进行测定。
上述清洁层，相对于例如硅片的镜面的180度剥离胶粘力，优选为0.2N/10mm以下宽度，更优选为0.01～0.10N/10mm宽度。若为上述范围，则清洁层具有良好的异物除去性能及输送性能。180度剥离胶粘力可基于JIS Z0237进行测定。
上述清洁层的厚度优选为0.1～2mm，更优选为0.2～1mm。若为上述厚度，则清洁层单独也可获得可输送且可除去异物的自我支承性。又，在清洁片材具有支承体的情形的清洁层厚度优选为1～100μm，更优选为5～100μm，进一步优选为5～50μm，尤其优选为10～50μm。若为上述范围，则可获得在异物的除去性能及输送性能的平衡方面优异的清洁构件。
粘接，就构成清洁层20的材料加以说明。作为构成清洁层的材料，视目的及凹凸的形成方法，可采用任意的适当材料。作为构成清洁层的材料的具体例，可列举耐热性树脂、能量线固化性树脂。
作为上述耐热性树脂，优选为不含污染基板处理装置的物质的树脂。作为上述树脂，例如可列举如用于半导体制造装置的耐热性树脂。作为具体例，可列举聚酰亚胺、氟树脂。优选为聚酰亚胺。其原因在于，以喷嘴法(下述)形成凹凸的情况下的操作性优异。
优选为，上述聚酰亚胺可将在主链中具有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的聚酰胺酸进行酰亚胺化而获得。该聚酰胺酸可使四羧酸二酐成分与二胺成分，以实质上等摩尔比，在任意的适当有机溶剂中进行反应而获得。
作为上述四羧酸二酐成分，例如可列举3，3′，4，4′-联苯四羧酸二酐、2，2′，3，3′-联苯四羧酸二酐、3，3′，4，4′-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2′，3，3′-二苯甲酮四羧酸二酐、4，4′-氧化二邻苯二甲酸二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)磺酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)磺酸二酐、苯均四酸二酐、乙二醇双偏苯三酸二酐。这些可单独使用，也可组合2种以上而使用。
作为上述二胺成分，可列举具有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的二胺。作为具体例，可列举以下述化学式所表示的脂肪族二胺。上述脂肪族二胺可单独使用，也可与其它二胺并用。作为可并用的二胺，例如可列举4，4′-二氨基二苯醚、3，4′-二氨基二苯醚、3，3′-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4′二氨基二苯基丙烷、3，3′-二氨基二苯基丙烷、4，4′-二氨基二苯基甲烷、3，3′-二氨基二苯基甲烷、4，4′-二氨基二苯基硫醚、3，3′-二氨基二苯基硫醚、4，4′-二氨基二苯砜、3，3′-二氨基二苯砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、己二胺、1，8-二氨基辛烷、1，12-二氨基十二烷、4，4′-二氨基二苯甲酮、1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷。
[化1]
Figure A20068003999600081
(m1、m2为0以上的整数，n为1以上的整数，R为单键或者有机基团)
Figure A20068003999600082
(m1、m2为0以上的整数，n为1以上的整数，R为单键或者有机基团)
作为上述二胺成分的其它具体例，可列举具有2个具有胺结构的末端，并具有聚醚结构的二胺化合物(以下，称为PE二胺化合物)。PE二胺化合物就获得高耐热性、低应力的低弹性模量聚酰亚胺树脂方面而言优选。PE二胺化合物只要具有聚醚结构，且具有2个具有胺结构的末端，就可采用任意的适当化合物。例如可列举具有聚丙二醇结构的末端二胺、具有聚乙二醇结构的末端二胺、具有聚丁二醇结构的末端二胺、或者具有这些多种结构的末端二胺等。其中，优选为由环氧乙烷、环氧丙烷、聚丁二醇、或者由这些混合物与聚胺所制备的PE二胺化合物。
在与上述四羧酸二酐反应时，优选作为二胺成分，与上述PE二胺化合物一并使用不具有聚醚结构的其它二胺化合物。作为不具有该聚醚结构的其它二胺化合物，例如可列举脂肪族二胺、芳香族二胺。作为脂肪族二胺，例如可列举乙二胺、己二胺、1，8-二氨基辛烷、1，10-二氨基癸烷、1，12-二氨基十二烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基十二烷、1，3-双(3-氨丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(α，ω-双氨基丙基四甲基二硅氧烷)、聚氧丙二胺等。脂肪族二胺的分子量，具有代表性的为50～1,000,000，优选为100～30,000。作为芳香族二胺，例如可列举4，4′-二氨基二苯醚、3，4′-二氨基二苯醚、3，3′-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4′-二氨基二苯基丙烷、3，3′-二氨基二苯基甲烷、4，4′二氨基二苯基硫醚、3，3′-二氨基二苯基硫醚、4，4′-二氨基二苯砜、3，3′二氨基二苯砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、4，4′-二氨基二苯甲酮等。
作为在上述四羧酸二酐与二胺的反应中所使用的有机溶剂，例如可列举N，N-二甲基乙酰胺，N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N-二甲基甲酰胺。为了调整原材料等的溶解性，也可并用非极性溶剂(例如甲苯、二甲苯)。
上述四羧酸二酐与二胺的反应温度优选为未满100℃，更优选为50～90℃。但是，在使用含有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的二胺的情况下，优选为100℃以上，更优选为110～150℃。因若为上述反应温度，则可防止凝胶化，不会在反应系统中残留凝胶成分，故可防止过滤时的堵塞等，而容易自反应体系中除去异物。另外，若为上述反应温度，则可实质上完全除去树脂中的挥发成分。又，可通过在惰性环境下进行处理，而防止树脂的氧化或劣化。
上述聚酰胺酸的酰亚胺化，可通过在代表性的惰性环境(具有代表性的为真空或者氮气环境)下进行加热处理而实行。加热处理温度优选为150℃以上，更优选为180～450℃。若为上述温度，则可实质上完全除去树脂中的挥发成分。又，可通过在惰性环境下进行处理，而防止树脂的氧化或劣化。
代表性的上述能量线固化性树脂有：含有胶粘性物质、能量线固化性物质及能量线固化引发剂的组合物。
作为上述胶粘性物质，根据目的可采用任意的适当胶粘性物质。胶粘性物质的重均分子量优选为50～100万，更优选为60～90万。另外，胶粘剂性物质也可为配合有交联剂、胶粘性赋予剂、增塑剂、填充剂、抗老化剂等适当添加剂的物质。
在一实施方式中，作为胶粘性物质，可使用感压粘接性聚合物。感压粘接性聚合物可适用于使用喷嘴法(下述)形成清洁层的凹凸的情况。作为感压粘接性聚合物的代表例，可列举将(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸类单体作为主单体的丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物可单独或者组合使用。视需要，也可在丙烯酸类聚合物的分子内引入不饱和双键，向该丙烯酸类聚合物本身赋予能量线固化性。作为引入不饱和双键的方法，例如可列举：将丙烯酸类单体与在分子内具有2个以上不饱和双键的化合物进行共聚合的方法；使丙烯酸类聚合物与在分子内具有2个以上不饱和双键的化合物的官能基彼此反应的方法。
在其它实施方式中，作为胶粘性物质，可使用将橡胶类或丙烯酸类、乙烯基烷基醚类或硅酮类、聚酯类或聚酰胺类、氨基甲酸酯类或苯乙烯·二烯嵌段共聚物类、熔点约为200℃以下等的热熔融性树脂进行配合而改良蠕变特性的胶粘剂(例如日本专利特开昭56-61468号公报、特开昭61-174857号公报、特开昭63-17981号公报、特开昭56-13040号公报)等。这些可单独或者组合使用。这些胶粘剂可适用于平板显示器基板处理装置的清洁构件。
更具体而言，上述胶粘剂优选为将天然橡胶或各种合成橡胶作为基础聚合物的橡胶类胶粘剂；或者，将使用1种或2种以上丙烯酸类烷基酯的丙烯酸类共聚物作为基础聚合物的丙烯酸类胶粘剂，上述丙烯酸类烷基酯包括具有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基、庚基或2-乙基己基、异辛基、异癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基类的碳数为20以下的烷基的丙烯酸或者甲基丙烯酸等的酯。
作为上述丙烯酸类共聚物，根据目的可使用任意的适当丙烯酸类共聚物。该丙烯酸类共聚物视需要也可具有凝聚力或耐热性或交联性等。例如可列举丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸类的含有羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐之类的酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟基十二烷基酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)-甲酯之类的含有羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰基氧基萘磺酸之类的含有磺酸基的单体；(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺之类的(N-取代)酰胺类单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯之类的(甲基)丙烯酸烷基氨基类单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯之类的(甲基)丙烯酸烷氧基烷基类单体；N-环己基马来酸酐缩亚胺、N-异丙基马来酸酐缩亚胺、N-十二烷基马来酸酐缩亚胺、N-苯基马来酸酐缩亚胺之类的马来酸酐缩亚胺类单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-十二烷基衣康酰亚胺之类的衣康酰亚胺类单体；N-(甲基)丙烯酰基氧基亚甲基丁二酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基丁二酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基丁二酰亚胺之类的丁二酰亚胺类单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺之类的乙烯基类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈之类的丙烯酸氰基酯单体；(甲基)丙烯酸环氧丙酯之类的含有环氧基的丙烯酸类单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇之类的二醇类烯丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酸氟酯、(甲基)丙烯酸硅酮酯、丙烯酸2-甲氧基乙基酯之类的丙烯酸酯类单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸环氧酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯之类的多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯、乙烯醚等适当单体；等的2种以上的共聚物。这些单体的配合比等，可根据目的而适当设定。
作为上述能量线固化性物质，可采用通过能量线(优选为光，更优选为紫外线)与上述胶粘性物质进行反应，作为形成三维网络状构造时的交联点(分支点)而发挥功能的任意的适当物质。作为能量线固化性物质的代表例，可列举在分子内具有1个以上不饱和双键的化合物(以下，称为聚合性不饱和化合物)。优选为，聚合性不饱和化合物具有非挥发性，且重均分子量为10,000以下，更优选为5,000以下。若为上述分子量，则上述胶粘性物质可有效地形成三维网络状构造。作为能量线固化性物质的具体例，可列举苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸ε-己内酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环氧酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯等。这些可单独或者组合使用。能量线固化性物质相对于100重量份上述胶粘性物质，优选为以0.1～50重量份比例使用。
又，作为能量线固化性物质，也可使用能量线固化性树脂。作为能量线固化性树脂的具体例，可列举在分子末端具有(甲基)丙烯酰基的酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环氧酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸类树脂(甲基)丙烯酸酯；在分子末端具有烯丙基的硫醇-烯加成型树脂或者光阳离子聚合型树脂、聚乙烯基肉桂酸酯等含有肉桂酰基的聚合物；重氮化的氨基酚醛清漆树脂或者丙烯酰胺型聚合物等，含有感旋光性反应基的聚合物或者寡聚物等。另外，作为以能量线进行反应的聚合物，可列举环氧化聚丁二烯、不饱和聚酯、聚甲基丙烯酸环氧丙酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯基硅氧烷等。这些可单独或者组合使用。能量线固化性树脂的重均分子量优选为50～100万，更优选为60～90万。作为上述能量线固化引发剂，可根据目的采用任意的适当固化引发剂(聚合引发剂)。例如，在使用热作为能量线的情况下，可使用热聚合引发剂，在使用光作为能量线的情况下，可使用光聚合引发剂。作为热聚合引发剂的具体例，可列举过氧化苯甲酰、偶氮二异丁腈等。作为光聚合引发剂的具体例，可列举苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等苯偶姻醚；茴香酰甲基醚等取代苯偶姻醚；2，2-二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羟基-环己基-苯基酮等取代苯乙酮；苄基甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮；氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮等呫吨酮；二苯甲酮、米蚩酮等二苯基酮；2-甲基-2-羟基苯丙酮等取代α-酮醇；2-萘磺酰氯等的芳香族磺酰氯；1-苯基-1，1-丙烷二酮-2-(邻乙氧基羰基)-肟等光活性肟；苯甲酰；二苄基；α-羟基环己基苯基酮；2-羟基甲基苯基丙烷。能量线固化引发剂相对于100重量份能量线固化性物质，优选为以0.1～10重量份比例使用。
构成上述清洁层的材料可根据目的进一步含有任意的适当添加剂。作为添加剂的具体例，可列举表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予材、紫外线吸收剂、光稳定化剂。可通过调整所使用的添加剂的种类及/或量，而获得具有满足目的的所期望特性的清洁层。例如，添加剂的添加量相对于100重量份上述胶粘性物质，优选为0.01～100重量份，更优选为0.1～10重量份。
作为上述能量线，可根据目的采用任意的适当能量线。作为具体例，可列举紫外线、电子束、放射线、热等。优选为紫外线。紫外线的波长可根据目的而适当选择，优选为中心波长为320～400nm。作为紫外线产生源，可列举高压水银灯、中压水银灯、氙-汞灯、深紫外线灯等。紫外线累计光量可根据目的适当设定。具体而言，紫外线累计光量优选为100～8000mJ/cm2，更优选为500～5000mJ/cm2。
上述能量线可照射在清洁层形成用材料(能量线固化性树脂)的全体，也可选择性地照射在特定位置。照射部分与非照射部分的面积比可根据目的而适当设定。例如，在重视装置内输送性的情况下，可通过相对提高照射部分的面积比，而提高装置内输送性。相反，相较于装置内输送性而更重视异物捕集性的情况下，可通过提高非照射部分的面积比，而提高异物捕集性。可通过调整面积比，而获得具有异物捕集性能及输送性能所期望的平衡的清洁层。作为选择性地实施能量线照射的方法，可根据目的采用任意的适当方法。例如可列举：使用能量线遮光性材料而制作特定图案的掩模，透过该掩模进行能量线照射的方法；使用对清洁层侧的隔板预先部分性地实施能量线遮光印刷的工序，透过该清洁层侧的隔板，实施能量线照射的方法。又，阻挡能量线的图案可根据目的而适当设定。作为具体例，可列举格子状、水滴状、方格状、嵌镶状。
作为上述清洁层的凹凸形状的形成方法，例如可列举：将上述清洁层形成用材料自喷嘴中吐出而形成的方法(以下，仅称为喷嘴法)；使用剥离衬垫而形成的方法(以下，称为转印法)。
图2是说明喷嘴法的概念图。如图2所示，喷嘴法包括：在旋转的支承体10(或者下述输送构件)上，一面使喷嘴沿该支承体的半径方向扫描，一面自该喷嘴吐出清洁层形成用组合物。可通过适当调整喷嘴与支承体的间隔、喷嘴的扫描速度及/或吐出量，而形成所期望的凹凸形状。喷嘴与支承体的间隔为所期望的涂布厚度的±5％(例如，在设定的涂布厚度为60μm的情况下为57～63μm)。若间隔过宽，则存在最大高度Rz变得过大，有效除去具有特定粒径的异物的能力不充分的情况。若间隔过窄，则算术平均粗糙度Ra及最大高度Rz均变得过大，该情况下，有效除去具有特定粒径的异物效果的能力也不充分的情形较多。扫描速度可根据支承体的旋转速度而适当设定。例如，在支承体的旋转速度为60rpm情况下，扫描速度优选为0.8～1.2mm/秒。吐出量优选为1.7～2.5ml/秒。例如，在使用聚酰亚胺形成清洁层的情况下，可将聚酰亚胺溶液导入喷嘴。聚酰亚胺溶液的浓度可根据目的或清洁层所期望的厚度等而适当设定。具体而言，该浓度为20～40重量％(固体成分浓度)。作为在溶液中所使用的溶剂，例如可列举二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、甲基异丁基酮、环戊酮。
转印法是使用剥离衬垫形成凹凸的方法。如图1所示，在直到清洁构件供给实际使用为止期间，可在清洁层20的支承体10的相反侧的面(即，清洁层的异物捕集面)上配置剥离衬垫30。代表性的剥离衬垫是经剥离处理的塑料薄膜。可通过配置剥离衬垫，而防止异物在清洗处理前附着在清洁层，其结果可防止清洁构件的清洁性能下降。可通过配置具有特定凹凸表面的剥离衬垫，而在清洁层20上形成凹凸。视需要，也可在配置剥离衬垫后进行特定的挤压。剥离衬垫表面的凹凸形状为在清洁层上可形成如上述所期望的凹凸的形状即可。具有代表性的为剥离衬垫表面具有与清洁层所期望的算术平均粗糙度Ra及最大高度Rz同等的算术平均粗糙度Ra及最大高度Rz。剥离衬垫表面的凹凸可在形成剥离衬垫的剥离面时(即，剥离处理塑料薄膜时)形成。另外，作为剥离处理的具体例，可列举利用长链烷基类、氟类、脂肪酰胺类等剥离剂的表面处理。又，作为构成塑料薄膜的材料的具体例，可列举聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；聚氨酯；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物等烯烃类共聚物；离聚物树脂；聚乙烯；聚碳酸酯；聚酰亚胺等耐热性树脂。剥离衬垫厚度具有代表性的为5～100μm。另外，也可并用喷嘴法与转印法。该情况下，具有代表性的为在以喷嘴法形成清洁层后，使用剥离衬垫而可进一步调整凹凸形状。
上述支承体10以可进行输送的方式支承清洁片材100。支承体10的厚度可适当选择，优选为500μm以下，更优选为3～300μm，最优选为5～250μm。支承体的表面，为了提高与相邻层的粘附性、保持性等，也可实施常用的表面处理，例如，铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或者物理处理，利用底涂剂(例如，上述胶粘性物质)的涂布处理。另外，支承体可为单层，也可为多层体。
支承体10可根据目的而采用任意的适当支承体。例如可列举工程塑料或者超工程塑料的薄膜。作为工程塑料及超工程塑料的具体例，可列举聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺。分子量等各物性可根据目的而适当选择。又，支承体的成形方法可根据目的而适当选择。
上述清洁片材也可具有保护薄膜。代表性的保护薄膜是在形成清洁层时，或者将清洁层与输送构件进行贴合(压接)时，以保护清洁层为目的而使用。又，因保护薄膜是用于辅助形成清洁构件，故可在适当阶段进行剥离。保護薄膜可根据目的而採用任意的适当薄膜。例如可列举由聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，聚氯乙烯，氯乙烯共聚物，聚对苯二甲乙二醇酯，聚对苯二甲酸丁二醇酯，聚氨酯，乙烯·乙酸乙烯酯共聚物，离聚物树脂，乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物，聚苯乙烯，聚碳酸酯等所组成的塑料薄膜或聚酰亚胺、氟树脂薄膜。保护薄膜也可根据目的而以剥离剂等实施剥离处理。剥离剂，例如可列举硅酮类、长链烷基类、氟类、脂肪酰胺类、二氧化硅类。该保护薄膜的厚度优选为1～100μm。保护薄膜的形成方法可根据目的而适当选择，可通过例如注塑成形法、挤出成形法、吹塑成形法而形成。
B.附有清洁功能的输送构件
本发明的清洁片材可作为清洁片材而单独使用，也可作为设置在任意适当输送构件上的清洁片材(即，作为本发明的附有清洁功能的输送构件的清洁片材)而使用。以下，对本发明的优选实施方式的附有清洁功能的输送构件加以说明。
图3(a)及(b)是本发明的优选实施方式的附有清洁功能的输送构件的概略剖面图。在一实施方式中，如图3(a)所示，附有清洁功能的输送构件200具有输送构件50、及输送构件50的至少一面(图示例为单面)上的清洁层20。即，在该实施方式中，清洁层20直接贴附在输送构件50。例如以上述喷嘴法形成清洁层的情况下，清洁层可直接形成在输送构件。在其它实施方式中，如图3(b)所示，清洁片材100的支承体10经由粘接剂层40贴合在输送构件50。图示例中，在清洁层20的支承体10的相反侧的表面上配置有剥离衬垫30。优选为，剥离衬垫30是如上所述，为以转印法在清洁层20上形成凹凸用。即，在支承体10的表面上以适当方法形成清洁层，且使用剥离衬垫形成凹凸。在支承体10上以喷嘴法形成清洁层的情况下，剥离衬垫也可仅用于防止表面污染。虽未图示，但也可经由粘接剂层将输送构件贴合在清洁层上。通过在装置内输送上述附有清洁功能的输送构件，使其接触被清洗部位并进行移动，可不产生由上述装置内所附着的异物引起的输送故障地简便且确实地进行清洁除去。
对于上述粘接剂层而言，相对于例如硅片的镜面的180度剥离胶粘力，优选为0.01～10N/10mm宽度，更优选为0.05～5N/10mm宽度。若胶粘力过高，则在剥离除去时，清洁层等可能会裂开。又，粘接剂层的厚度可根据目的而适当设定。优选为1～100μm，更优选为5～30μm。
关于粘接剂层的材料构成并无特别限定，例如可使用包含丙烯酸类或者橡胶类等通常的粘接剂(优选为感压粘接剂)的材料。优选为丙烯酸类的粘接剂。丙烯酸类粘接剂的主成分可根据目的而适当选择。例如，可通过使在(甲基)丙烯酸烷基酯单体中视需要添加可共聚合的其它单体的混合物(混合比可根据目的而适当设计)进行聚合反应而获得。另外，粘接剂层也可根据目的而含有添加剂。粘接剂层的主成分的重均分子量可根据目的而适当选择，优选为10万～130万。可通过具有这些范围，而具有所期望的胶粘性。又，粘接剂层的主成分的含有率可根据目的而适当选择。优选为粘接剂层整体的90重量％以上。
作为上述输送构件50，根据成为异物除去对象的基板处理装置的种类，可使用任意的适当基板。作为具体例，可列举半导体晶片(例如，硅片)、LCD、PDP等的平面显示器用基板、微型光盘、MR磁头等的基板。
C.清洁方法
本发明的优选实施方式的清洁方法，可通过将上述附有清洁功能的输送构件输送至所期望的基板处理装置内，使其接触该被清洗部位，而简便且确实地清洁除去附着在该被清洗部位的异物。
利用上述清洁方法所清洗的基板处理装置，并无特别限定。作为基板处理装置的具体例，除本说明书中已揭示的装置之外，可列举电路形成用的曝光照射装置、抗蚀剂涂布装置、溅射装置、离子注入装置、干式蚀刻装置、晶片探针等各种制造装置及检查装置，另外，臭氧灰化器(Ozoneasher)、抗蚀剂涂布机、氧化扩散炉、常压CVD装置、减压CVD装置、等离子CVD装置等在高温下所使用的基板处理装置等。
以下，根据实施例更具体地说明本发明，但本发明并非由这些实施例所限定。实施例中的测定及评价方法如下所述。又，实施例中的“份”为重量基准。
(1)算术平均粗糙度Ra及最大高度Rz
基于JIS B0601进行测定。具体而言，在触针式表面粗糙度测定装置(Tencor公司制造，商品名P-11)中，使用前端部的曲率为2μm的金刚石制触针，以针刺入力为5mg，测定速率为1μm/秒(测定长度为100μm)，采样周期为200Hz的条件读取数据。截断值设为25～80μm而算出算术平均粗糙度。
(2)对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积
使用超深度彩色3D形状测定显微镜(KEYENCE公司制造，VK-9500)进行测定。样品使用在8英寸的硅片上、玻璃上或者薄膜上形成清洁层的样品。测定位置为距离中心10mm、50mm及90mm的位置，测定面积为1mm×1mm，将上述3处的平均值作为其表面积。参考硅片的表面积是对应每1mm2测定平面为1.0002mm2。
(3)拉伸弹性模量
基于JIS K7127进行测定。具体而言，在特定基材上形成清洁层后，将该清洁层剥离，使用动态粘弹性测定装置进行测定。
(4)剥离胶粘力
在硅片的镜面上形成清洁层，基于JIS Z0237进行测定。
(5)清洁性能评价方法
通过使用异物检查装置(KLA Tencor制，SFS6200)(以下，作为装置A)，测定硅片镜面上的0.200μm以上的异物数而进行评价。更详细而言，将清洁构件输送至清洁片材制造用的衬垫薄膜剥离装置(日东精机制，HR-300CW)(以下，作为装置B)，通过测定清洁构件的输送前后的异物数而进行评价。具体方法如下所述。
首先使新制硅片镜面朝下，以镜面与输送臂或卡盘台接触的方式自动输送至装置B(面朝下输送)。使用装置A测定镜面上所附着的异物数(此时的异物数作为“异物数1”)。其后，将本发明的清洁构件输送至装置B上进行输送清洁处理后，再次面朝下输送新制晶片，使用装置A测定此时所附着的异物数(此时的异物数作为“异物数2”)。作为清洁构件的清洁效果的参数，通过下式算出异物除去率。
异物除去率＝[100-(异物数2)/(异物数1)×100]％
(6)输送性
通过装置B输送至卡盘台上，进行真空吸着，解除真空后，以是否可通过起模顶杆(lift pin)自卡盘台上剥离清洁构件而进行评价。
(实施例1)
相对于100份由75份丙烯酸-2-乙基己酯、20份丙烯酸甲酯、及5份丙烯酸所构成的单体的混合液而获得的丙烯酸类聚合物(重均分子量70万)，均匀混合200份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化学公司制造，商品名：NK Ester 4G)，3份聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制造，商品名：CORONATE L)及3份苄基甲基缩酮(Ciba Speciality Chemicals公司制造，光聚合引发剂，商品名：Irgacure-651)，制成清洁层形成用组合物A(紫外线固化型的胶粘剂溶液)。
将上述组合物A，使用圆形涂布机，以下述条件涂布在硅片的镜面上。此处，所谓圆涂布是指揭示在日本专利特开2001-310155号公报的装置，将该公报的揭示作为参考而引用在本说明书。
喷嘴移动速度：1.0mm/秒
台旋转数：60rpm
涂布方向：自中心至晶片端部
吐出量：2.1ml/秒
间隙：63μm
将涂布有上述胶粘剂溶液A的硅片，在150℃下用加热板(ASAP公司制造，HB-01)干燥10分钟后，在其表面上贴合保护薄膜(用非硅酮剥离剂进行处理的长链聚酯薄膜：厚度为25μm)。接着，在该硅片上，自保护薄膜侧照射累计光量为1000mJ/cm2的中心波长为365mm的紫外线，自胶粘剂溶液的涂布层形成清洁层。最后，剥离保护薄膜，获得附有清洁功能的输送构件A。该输送构件A的清洁层厚度为16.4μm、Ra为0.04μm、Rz为0.82μm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的174％。另外，清洁层的拉伸弹性模量为1.5MPa，相对于硅片的镜面的180°剥离胶粘力为0.05N/10mm。
使用装置A测定经颗粒管理的新制8英寸硅片的镜面上的0.200μm以上的异物数，为2个。将该晶片面朝下输送至装置B上，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为8742个(异物数1)。又，将附有清洁功能的输送构件A输送至装置B进行清洁处理时，可无障碍地输送。将新制硅片面朝下输送至进行上述清洁处理的装置B上后，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为1924个(异物数2)。由异物数1、异物数2所算出的异物除去率，以全体计为78.0％。
(实施例2)
将亚乙基-1，2-双偏苯三酸酯、30.0g四羧酸二酐(TMEG)、65.8g以下述化学式所表示的二胺(宇部兴产ATBN1300X16，胺当量为900，丙烯腈含量为18％)、及15.0g的2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)，在氮气流下，在258g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中，在120℃下，以固体成分浓度成为30wt％的方式进行混合，并使其反应。将其冷却，获得粘度为750cp的聚酰胺酸溶液B。
[化2]
(m1、m2为0以上的整数，n为1以上的整数，R为单键或者有机基团)
除使用上述溶液B以外，与实施例1同样地操作，获得具有聚酰胺酸涂布层的硅片。将该硅片，在氮气环境下，以300℃热处理2小时，形成包含聚酰亚胺的清洁层。如此进行操作，获得附有清洁功能的输送构件B。该输送构件B的清洁层的厚度为15.2μm，Ra为0.03μm，Rz为0.80μm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的193％。另外，清洁层的拉伸弹性模量为420MPa，相对于硅片的镜面的180°的剥离胶粘力为0.03N/10mm。
使用装置A测定经颗粒管理的新制8英寸硅片的镜面上的0.200μm以上的异物数，为3个。将该晶片面朝下输送至装置B，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为9684个(异物数1)。又，将附有清洁功能的输送构件B输送至装置B进行清洁处理时，可无障碍地输送。将新制硅片面朝下输送至进行上述清洁处理的装置B上后，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为1462个(异物数2)。由异物数1、异物数2所算出的异物除去率，以全体计为84.9％。
(比较例1)
除如下所述设置涂布条件以外，与实施例2同样操作，获得附有清洁功能的输送构件C。该输送构件C的清洁层厚度为14.7μm，Ra为0.78μm，Rz为1.54μm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的121％。
喷嘴移动速度：1.5mm/秒
台转数：60rpm
涂布方向：自中心至晶片端部
吐出量：2.1ml/秒
间隙：50μm
使用装置A测定经颗粒管理的新制8英寸硅片的镜面上的0.200μm以上的异物数，为3个。将该晶片面朝下输送至装置B，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为11035个(异物数1)。又，将附有清洁功能的输送构件C输送至装置B，进行清洁处理时，可无障碍地输送。将新制硅片面朝下输送至进行上述清洁处理的装置B后，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为8350个(异物数2)。由异物数1、异物数2所算出的异物除去率，以全体计为24.3％。
(实施例3)
相对于100份由75份丙烯酸-2-乙基己酯、20份丙烯酸甲酯、及5份丙烯酸所构成的单体的混合液而获得的丙烯酸类聚合物(重均分子量70万)，均匀混合50份氨基甲酸酯丙烯酸酯、3份苄基甲基缩酮、及3份二苯基甲烷二异氰酸酯，制成清洁层形成用组合物。将该组合物以在聚酯类剥离衬垫(厚度：38μm，剥离处理面的算术平均粗糙度Ra为0.4μm，最大高度Rz为0.92μm)的剥离处理面上固化后的厚度(即，得到的清洁层的厚度)成为35μm的方式进行涂布，制作层叠体。
另一方面，将除了自上述清洁层形成用组合物中除去苄基甲基缩酮以外，与上述同样操作而获得的胶粘剂溶液，在宽度为250mm、厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯制支承体的一侧，以干燥后的厚度成为20μm的方式进行涂布干燥而设置粘接剂层，在其表面上贴附聚酯类剥离衬垫(厚度：38μm)。
在上述支承体的另一侧，贴附上述层叠体的清洁层形成用组合物涂布层。接着，照射累计光量为1000mJ/cm2的中心波长为365mm的紫外线而自涂布层侧形成清洁层，获得本发明的清洁片材。剥离隔离衬垫的清洁层的Ra为0.37μm，Rz为0.78μm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的182％。此外，另外与上述制作方法同样操作，制作测定用试料而算出清洁层的拉伸弹性模量，清洁层的拉伸弹性模量为90MPa。
剥离上述所获得的清洁片材的粘接剂层侧的剥离衬垫，并用硬辊贴附在8英寸的硅片的镜面上，获得附有清洁功能的输送构件D。
另一方面，取出2个基板处理装置的晶片载物台，使用装置A测定在8英寸硅片的镜面上的0.300μm以上的异物数，为20300个。剥离上述输送构件D的清洁层侧的剥离衬垫，输送至具有附着有20300个异物的晶片载物台的基板处理装置内，进行清洁处理。将该清洁处理重复3次时，3次均可无障碍地输送。其后，将晶片载物台取出，测定8英寸硅片的镜面上的0.300μm以上的异物数，为6050个，可除去在清洁处理前所附着的异物的2/3以上。
(比较例2)
除不进行紫外线照射以外，与实施例3同样操作，制作附有清洁功能的输送构件E。使输送构件E输送至上述基板处理装置内时，输送构件固定在晶片载物台而不能输送。
(比较例3)
除在表面粗糙度Ra为0.02μm、Rz为0.08μm的剥离衬垫上形成清洁层以外，与实施例1同样操作，制作附有清洁功能的输送构件F。该输送构件的清洁层的Ra为0.02μm，Rz为0.07μm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的116％。将输送构件F在上述基板处理装置内进行输送、清洁处理。将该清洁处理重复3次时，3次均可无障碍地输送。但是，利用清洁处理的异物除去率为32.8％，无法充分除去异物。
(实施例4)
将44.27g的聚氧丙二胺(三井化学Fine制，XTJ-510)及25.34g的4，4′-二氨基二苯醚，溶解在398.44g的N-甲基-2-吡咯烷酮中。接着，添加30.00g的苯均四酸二酐，使其反应。将其冷却获得聚酰胺酸溶液G。
除使用上述聚酰胺酸溶液G以外，与实施例1同样操作，获得具有聚酰胺酸涂布层的硅片。将该硅片在氮气环境下以300℃热处理2小时，形成包含聚酰亚胺的清洁层。如此进行操作，获得附有清洁功能的输送构件G。该输送构件G的清洁层的厚度为11.4μm，Ra为40nm，Rz为60nm，对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的172％。另外，清洁层的拉伸弹性模量为200MPa，相对于硅片的镜面的180°剥离胶粘力为0.04N/10mm。
使用装置A测定经颗粒管理的新制8英寸硅片的镜面上的0.200μm以上的异物数，为1个。将该晶片面朝下输送至装置B，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为14230个(异物数1)。又，将附有清洁功能的输送构件G输送至装置B，进行清洁处理时，可无障碍地输送。将新制硅片面朝下输送至在进行上述清洁处理的装置B上后，使用装置A测定0.200μm以上的异物数，为2613个(异物数2)。由异物数1、异物数2算出的异物除去率，以全体计为81.6％。
如自实施例及比较例的结果可知，可通过以特定的表面粗糙度形成清洁层，而尤其改善除去具有0.2μm以上粒径的异物的性能。
(产业上的可利用性)
本发明的附有清洁功能的输送构件可适用于清洁如各种制造装置及检查装置的基板处理装置。

Claims (8)

1.一种清洁片材，其中，
包含：算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下且具有最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状的清洁层。
2.根据权利要求1所述的清洁片材，其中，
上述凹凸形状为槽构造。
3.根据权利要求1或2所述的清洁片材，其中，
对应每1mm2上述清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的150％以上。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的清洁片材，其中，
上述清洁层的拉伸弹性模量为0.98MPa～4900MPa。
5.一种附有清洁功能的输送构件，其中
包含：输送构件、设置在该输送构件的至少一面的权利要求1～4中任意一项所述的清洁层。
6.根据权利要求5所述的附有清洁功能的输送构件，其中，
上述清洁层直接贴附在上述输送构件。
7.根据权利要求5所述的附有清洁功能的输送构件，其中，
上述清洁层隔着感压粘接剂层贴附在上述输送构件。
8.一种基板处理装置的清洁方法，其中，
包括：将权利要求1～4中任意一项所述的清洁片材或权利要求5～7中任意一项所述的附有清洁功能的输送构件输送至基板处理装置内的步骤。
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