TWI515051B - A cleaning sheet, a cleaning member having a cleaning function, a cleaning method for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A cleaning sheet, a cleaning member having a cleaning function, a cleaning method for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus Download PDF

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Description

清潔片、具清潔功能之搬送構件、基板處理裝置之清潔方法及基板處理裝置
本發明係關於一種清潔片及具清潔功能之搬送構件。更詳細而言，本發明係關於一種異物去除性能及搬送性能優異，且可效率尤其良好地去除具有規定粒徑之異物的清潔片及具清潔功能之搬送構件。又，本發明係關於一種使用此種清潔片及具清潔功能之搬送構件的基板處理裝置之清潔方法、以及使用此種清潔方法而進行清潔之基板處理裝置。
半導體、平板顯示器、印刷基板等製造裝置及檢査裝置等忌異物之各種基板處理裝置中，一面使各搬送系統與基板進行物理性接觸一面搬送。此時，若於基板及搬送系統中附著有異物，則會不斷地污染後續之基板，因此必需定期地停止裝置而進行洗淨處理。其結果為，存在處理裝置之工作率下降之問題及為進行裝置之洗淨處理而必需極大之勞力的問題。
為克服上述問題，提出有藉由搬送板狀構件而去除附著於基板背面之異物的方法(參照專利文獻1)。若利用此種方法，則由於無需使基板處理裝置停止以進行洗淨處理，故而處理裝置之工作率下降之問題消除。但是，該方法無法充分去除異物。
另一方面，提出有藉由將固著有黏著性物質之基板作為清潔構件而於基板處理裝置內搬送，從而將附著於該處理裝置內之異物清潔去除之方法(參照專利文獻2)。該方法除專利文獻1所記載之方法之優點以外，異物之去除性亦優異，因此處理裝置之工作率下降之問題及為進行裝置之洗淨處理而必需極大之勞力的問題均消除。但是，若利用專利文獻2所記載之方法，則有黏著性物質與裝置之接觸部分過於牢固地接著而無法分離之虞。其結果為有產生無法確實地搬送基板之問題、及使搬送裝置破損之問題之虞。
近年來，隨著半導體元件之微細化，不僅對晶圓表面，對背面之異物附著亦成為問題。其原因在於，於洗淨步驟中產生自晶圓背面至晶圓表面之異物之轉移，使製品良率下降。目前，半導體元件之配線間隔(設計規則)係65 nm成為主流，若附著與該配線間隔同等或其以上尺寸之異物，則變得容易產生斷線等不良。尤其，具有0.2~2.0 μm左右之粒徑之異物成為問題。但是，先前技術均在尤其有效率地去除具有規定粒徑之異物的方面不充分。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平11-87458號公報
專利文獻2：日本專利特開平10-154686號公報
本發明之目的在於提供一種異物去除性能及搬送性能優異，且可效率尤其良好地去除具有規定粒徑之異物的清潔片及具清潔功能之搬送構件。又，本發明之目的在於提供一種使用此種清潔片及具清潔功能之搬送構件的基板處理裝置之清潔方法。又，本發明之目的在於提供一種使用此種清潔方法進行清潔之基板處理裝置。
本發明之清潔片係
包括實質上不具有黏著力之清潔層者，
該清潔層具有平均表面粗糙度Ra為0.10 μm以上之凹凸形狀部分，並且
該清潔層對於矽晶圓之鏡面的以JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力為未達0.20 N/10 mm。
於較佳之實施形態中，本發明之清潔片於上述清潔層之單面包括黏著劑層。
於較佳之實施形態中，本發明之清潔片於上述清潔層之單面包括支持體。
於較佳之實施形態中，於上述支持體之與包括上述清潔層之面相反之面包括黏著劑層。
於本發明之另一實施形態中提供一種具清潔功能之搬送構件。本發明之具清潔功能之搬送構件包括搬送構件、設置於該搬送構件之至少單面的本發明之清潔層。
於較佳之實施形態中，本發明之具清潔功能之搬送構件的上述清潔層直接貼附於上述搬送構件上。
於較佳之實施形態中，本發明之具清潔功能之搬送構件的上述清潔層係經由黏著劑層而貼附於上述搬送構件上。
於本發明之另一實施形態中提供一種基板處理裝置之清潔方法。本發明之基板處理裝置之清潔方法係將本發明之清潔片、或者本發明之具清潔功能之搬送構件於基板處理裝置內搬送。
於本發明之另一實施形態中提供一種基板處理裝置。本發明之基板處理裝置係使用本發明之清潔方法進行清潔者。
依據本發明，可提供一種異物去除性能及搬送性能優異，且可效率尤其良好地去除具有規定粒徑之異物的清潔片及具清潔功能之搬送構件。又，依據本發明，可提供一種使用此種清潔片及具清潔功能之搬送構件的基板處理裝置之清潔方法。又，依據本發明，可提供一種使用此種清潔方法進行清潔之基板處理裝置。
上述效果係藉由以下方式而充分表現：採用包括實質上不具有黏著力之清潔層的清潔片來作為清潔片，將該清潔層之至少一部分之平均表面粗糙度Ra設計為規定值以上，且將該清潔層之對於矽晶圓之鏡面的剝離黏著力設計為未達規定值。
 《A.清潔片》
圖1係本發明之較佳實施形態之清潔片之概略剖面圖。該清潔片100包括清潔層10、黏著劑層20、及保護膜30。黏著劑層20及/或保護膜30可視目的而省略。即，清潔片可由清潔層單獨構成。圖2係本發明之另一較佳實施形態之清潔片之概略剖面圖。該清潔片100包括清潔層10、黏著劑層20、保護膜30及支持體40。黏著劑層20及/或保護膜30可視目的而省略。
本發明中，清潔層實質上不具有黏著力。即，例如由黏著性物質形成之清潔層、及藉由固著黏著帶而形成之清潔層被自本發明之清潔層中除外。若本發明之清潔片包括具有黏著力之清潔層，則有該清潔層與裝置之接觸部分過於牢固地接著而無法分離之虞。其結果為有產生無法確實地搬送基板之問題、及使搬送裝置破損之問題之虞。
本發明之清潔層具有平均表面粗糙度Ra為0.10 μm以上之凹凸形狀部分。藉由清潔層具有此種特定之表面形狀，不僅可極其有效率地去除具有規定粒徑(代表性而言為0.2~2.0 μm)之異物，並且可確實地搬送基板。
本發明之清潔層所具有之上述凹凸形狀部分之平均表面粗糙度Ra較好的是0.10~1.0 μm，更好的是0.10~0.80 μm，進而好的是0.15~0.60 μm，尤其好的是0.20~0.60 μm。藉由平均表面粗糙度Ra處於上述範圍，不僅可進一步極其有效率地去除具有規定粒徑(代表性而言為0.2~2.0 μm)之異物，並且可確實地搬送基板。
上述平均表面粗糙度Ra可使用觸針式表面粗糙度測定裝置(Veeco公司製造，Dectak8)來測定。測定速度為1 μm/秒，測定範圍為2.0 mm，只要使鑽石製觸針(前端部之曲率為2 μm)移動即可。
只要具有如上所述之平均表面粗糙度Ra，則上述凹凸形狀部分之凹凸形狀可採用任意適當之形狀。作為凹凸形狀之具體例，可列舉：溝槽形狀、條紋形狀、突起形狀、凹陷(小凹坑)形狀、如砂紙表面之粗澀之表面形狀。
本發明之清潔層之拉伸彈性模數於清潔層之使用溫度區域中，較好的是2000 MPa以下，更好的是0.5~2000 MPa，進而好的是1~1000 MPa。若拉伸彈性模數為上述範圍，則獲得異物去除性能與搬送性能之平衡優異之清潔層。再者，拉伸彈性模數係依據JIS K7127來測定。
本發明之清潔層如上所述，實質上不具有黏著力。具體而言，對於矽晶圓之鏡面的以JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力未達0.20 N/10 mm，較好的是0.01~0.10 N/10 mm。若為上述範圍，則清潔層實質上不具有黏著力，可避免該清潔層與裝置之接觸部分過於牢固地接著而無法分離之問題、其結果為無法確實地搬送基板之問題及使搬送裝置破損之問題、進而除塵性差之問題。
本發明之清潔層之厚度較好的是0.1~100 μm，更好的是0.5~50 μm，進而好的是1~50 μm。若為上述範圍，則獲得異物之去除性能與搬送性能之平衡優異之清潔層。
作為構成本發明之清潔層的材料，可根據目的及凹凸之形成方法來採用任意適當之材料。作為構成清潔層之材料之具體例，可列舉耐熱性樹脂、能量線硬化性樹脂。較好的是耐熱性樹脂。藉由採用耐熱性樹脂，則即便用於例如臭氧灰化機、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)裝置、氧化擴散爐、常壓CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置、減壓CVD裝置、電漿CVD裝置等在高溫下使用之裝置，亦可使用而於搬送時不產生處理裝置內之搬送不良及污染。
於本發明中，構成清潔層之材料可直接使用而形成清潔層，亦可溶解於任意適當之溶劑中來使用而形成清潔層。
作為上述耐熱性樹脂，較好的是不含污染基板處理裝置之物質的樹脂。作為此種樹脂，例如可列舉如半導體製造裝置中使用之耐熱性樹脂。作為具體例，可列舉聚醯亞胺、氟樹脂。較好的是聚醯亞胺。
較好的是上述聚醯亞胺可將聚醯胺酸進行醯亞胺化而獲得。該聚醯胺酸可使四羧酸二酐成分與二胺成分實質上以等莫耳比，於任意適當之有機溶劑中進行反應而獲得。
作為上述四羧酸二酐成分，例如可列舉：3,3',4,4'-聯苯基四甲酸二酐、2,2',3,3'-聯苯基四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐、2,2',3,3'-二苯甲酮四甲酸二酐、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、均苯四甲酸二酐、乙二醇雙偏苯三甲酸二酐。該等可單獨使用，亦可組合使用2種以上。
作為上述二胺成分，例如可列舉：具有至少兩個具胺結構之末端且具有聚醚結構之二胺化合物(以下有稱為PE二胺化合物之情形)、脂肪族二胺、芳香族二胺。就可獲得高耐熱性、低應力之低彈性模數聚醯亞胺樹脂之方面而言，PE二胺化合物較好。
作為PE二胺化合物，只要為具有聚醚結構且具有至少兩個具胺結構之末端的化合物，則可採用任意適當之化合物。例如可列舉：具有聚丙二醇結構之末端二胺、具有聚乙二醇結構之末端二胺、具有聚1,4-丁二醇結構之末端二胺、進而具有該等複數種結構之末端二胺等。更具體而言，較好的是由環氧乙烷、環氧丙烷、聚1,4-丁二醇、聚胺、或者該等之混合體製備之具有至少兩個具胺結構之末端的PE二胺化合物。
作為脂肪族二胺，例如可列舉：乙二胺、1,6-己二胺、1,8-二胺基癸烷、1,10-二胺基癸烷、1,12-二胺基十二烷、4,9-二氧雜-1,12-二胺基十二烷、1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(α,ω-雙胺基丙基四甲基二矽氧烷)等。作為脂肪族二胺之分子量，通常較好的是50~1000000，更好的是100~30000。
作為芳香族二胺，例如可列舉：4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯醚、間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基丙烷、3,3'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、4,4'-二胺基二苯甲酮等。
作為用於上述四羧酸二酐與二胺之反應之有機溶劑，例如可列舉N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺。為調整原材料等之溶解性，亦可併用非極性溶劑(例如甲苯或二甲苯)。
上述四羧酸二酐與二胺之反應溫度較好的是40℃以上，進而好的是50~150℃。若為此種反應溫度，則可防止凝膠化。其結果為，反應系統中並不殘留凝膠分，因此過濾時之堵塞等得以防止，自反應系統中之異物去除變得容易。進而，若為此種反應溫度，則均勻之反應得以實現，因此可防止所得樹脂之特性之不均。
上述聚醯胺酸之醯亞胺化代表性而言係藉由在惰性氣體環境(代表而言為真空或氮氣環境)下加熱處理而進行。加熱處理溫度較好的是150℃以上，進而好的是180~450℃。若為此種溫度，則可實質上完全去除樹脂中之揮發成分。又，藉由在惰性氣體環境下進行處理，可防止樹脂之氧化及劣化。
上述能量線硬化性樹脂代表性而言為包含黏著性物質、能量線硬化性物質及能量線硬化起始劑之組合物。
作為上述能量線硬化性樹脂中可含有之黏著性物質，係視目的而採用任意適當之黏著性物質。黏著性物質之重量平均分子量較好的是50~100萬，進而好的是60~90萬。再者，黏著劑性物質亦可為調配有交聯劑、黏著賦予劑、塑化劑、填充劑、抗老化劑等適當添加劑者。於一實施形態中，作為上述能量線硬化性樹脂中可含有之黏著性物質係使用感壓接著性聚合物。感壓接著性聚合物適宜用於在清潔層之凹凸形成時使用噴嘴法(後述)之情況。作為感壓接著性聚合物之代表例，可列舉以(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸系單體為主單體之丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物可單獨或組合使用。視需要，亦可於丙烯酸系聚合物之分子內導入不飽和雙鍵，以對該丙烯酸系聚合物自身賦予能量線硬化性。作為導入不飽和雙鍵之方法，例如可列舉：將丙烯酸系單體與分子內具有2個以上不飽和雙鍵之化合物進行共聚合之方法、使丙烯酸系聚合物與分子內具有2個以上不飽和雙鍵之化合物之官能基彼此進行反應之方法。
於另一實施形態中，作為上述能量線硬化性樹脂中可含有之黏著性物質，係使用調配橡膠系或丙烯酸系、乙烯基烷基醚系或聚矽氧系、聚酯系或聚醯胺系、胺基甲酸酯系或苯乙烯-二烯嵌段共聚物系、熔點為約200℃以下等之熱熔融性樹脂而改良蠕變特性之黏著劑(例如日本專利特開昭56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭56-13040號公報)等。該等係單獨或組合使用。
更具體而言，上述黏著劑較好的是：以天然橡膠或各種合成橡膠作為基底聚合物之橡膠系黏著劑；或者以使用丙烯酸系烷基酯之1種或2種以上之丙烯酸系共聚物作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑，該丙烯酸系烷基酯包含具有如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基、庚基或2-乙基己基、異辛基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等的碳數為20以下之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸等之酯。
作為上述丙烯酸系共聚物，係視目的而使用任意適當之丙烯酸系共聚物。該丙烯酸系共聚物可視需要而具有凝集力、耐熱性或交聯性等。例如可列舉：如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等的含羧基之單體；如馬來酸酐、衣康酸酐等的酸酐單體；如(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯、(甲基)丙烯酸羥基辛酯、(甲基)丙烯酸羥基癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等的含羥基之單體；如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等的含磺酸基之單體；如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等的(N-取代)醯胺系單體；如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等的(甲基)丙烯酸烷基胺基酯系單體；如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等的(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；如N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等的馬來醯亞胺系單體；如N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等的衣康醯亞胺系單體；如N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等的琥珀醯亞胺系單體；如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基啉、N-乙烯基羧酸醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等的乙烯基系單體；如丙烯腈、甲基丙烯腈等的氰基丙烯酸酯單體；如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等的含環氧基之丙烯酸系單體；如(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等的二醇系丙烯酸酯單體；如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯等的丙烯酸酯系單體；如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等的多官能單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯、乙烯醚等適當單體等之2種以上之共聚合。該等單體之調配比等係視目的而適當設定。
作為上述能量線硬化性物質，可採用藉由能量線(較好的是光，進而好的是紫外線)而與上述黏著性物質反應，可作為形成立體網狀結構時之交聯點(分支點)而發揮功能之任意適當之物質。作為能量線硬化性物質之代表例，可列舉分子內具有1個以上不飽和雙鍵之化合物(以下稱為聚合性不飽和化合物)。較好的是，聚合性不飽和化合物為不揮發性，且重量平均分子量為10,000以下，進而好的是5,000以下。若為此種分子量，則上述黏著性物質可效率良好地形成立體網狀結構。作為能量線硬化性物質之具體例，可列舉：苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯等。該等係單獨或組合使用。能量線硬化性物質相對於上述黏著性物質100重量份，較好的是以0.1~50重量份之比例使用。
又，能量線硬化性物質亦可使用能量線硬化性樹脂。作為能量線硬化性樹脂之具體例，可列舉：分子末端具有(甲基)丙烯醯基之酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸系樹脂(甲基)丙烯酸酯、分子末端具有烯丙基之硫醇-烯加成型樹脂及光陽離子聚合型樹脂、聚乙烯基肉桂酸酯等含肉桂醯基之聚合物、經重氮化之胺基酚醛樹脂及丙烯醯胺型聚合物等含感光性反應基之聚合物或者寡聚物等。進而，作為以能量線進行反應之聚合物，可列舉環氧化聚丁二烯、不飽和聚酯、聚甲基丙烯酸縮水甘油酯、聚丙烯醯胺、聚乙烯基矽氧烷等。該等係單獨或組合使用。能量線硬化性樹脂之重量平均分子量較好的是50~100萬，進而好的是60~90萬。
作為上述能量線硬化起始劑，可視目的而採用任意適當之硬化起始劑(聚合起始劑)。例如，於使用熱作為能量線之情形時係使用熱聚合起始劑，於使用光作為能量線之情形時係使用光聚合起始劑。作為熱聚合起始劑之具體例，可列舉過氧化苯甲醯、偶氮雙異丁腈。作為光聚合起始劑之具體例，可列舉：安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等安息香醚；苯甲醚甲醚等經取代之安息香醚；2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基-環己基-苯基酮等經取代之苯乙酮；苄基甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮；氯-9-氧硫、十二烷基-9-氧硫、二甲基-9-氧硫等氧雜蒽酮；二苯甲酮、米其勒酮等二苯甲酮；2-甲基-2-羥基苯丙酮等經取代之α-酮醇；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)-肟等光活性肟；苯甲醯；二苄基；α-羥基環己基苯基酮；2-羥基甲基苯基丙烷。能量線硬化起始劑相對於能量線硬化性物質100重量份，較好的是以0.1~10重量份之比例使用。
構成本發明之清潔層之材料，可視目的而進而含有任意適當之添加劑。作為添加劑之具體例，可列舉：界面活性劑、塑化劑、抗氧化劑、導電性賦予材、紫外線吸收劑、光穩定化劑。藉由調整所使用之添加劑之種類及/或量，可獲得具有符合目的之所望特性的清潔層。
本發明之清潔片亦可具備支持體。支持體之厚度可適當選擇，較好的是500 μm以下，更好的是1~300 μm，進而好的是1~100 μm。為提高與鄰接之層之密著性、保持性等，支持體之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學或物理處理，及利用底塗劑(例如上述黏著性物質)之塗佈處理。再者，支持體可為單層，亦可為多層體。
支持體係視目的而採用任意適當之支持體。例如可列舉工程塑膠及超級工程塑膠之膜。作為工程塑膠及超級工程塑膠之具體例，可列舉：聚醯亞胺、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙醯纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚醯胺。分子量等諸物性可視目的而適當選擇。又，支持體之成形方法係視目的而適當選擇。
本發明之清潔片可具備黏著劑層。作為此種黏著劑層之材料，可採用任意適當之材料。例如可使用包含丙烯酸系或橡膠系等通常之黏著劑者。其中，作為丙烯酸系黏著劑，較好的是使用以重量平均分子量為10萬以下之成分為10重量%以下之丙烯酸系聚合物為主劑之丙烯酸系黏著劑。上述丙烯酸系聚合物可藉由使以(甲基)丙烯酸烷基酯為主單體且視需要而添加有可共聚合之其他單體之單體混合物進行聚合反應而合成。
本發明之黏著劑層對於矽晶圓之鏡面的以JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力較好的是0.01~10 N/10 mm。更好的是0.05~5 N/10 mm。若黏著力過高，則於將清潔片自基板等上剝離去除時，有支持體膜破裂之虞。
本發明之黏著劑層之厚度較好的是1~100 μm，更好的是5~50 μm。
為保護清潔層或支持體，本發明之清潔片可具有保護膜。保護膜係於適當之階段剝離。保護膜係視目的而採用任意適當之膜。例如可列舉：包含聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等之塑膠膜或聚醯亞胺、氟樹脂膜。保護膜可視目的而以剝離劑等實施剝離處理。剝離劑例如可列舉聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、脂肪酸醯胺系、二氧化矽系。該保護膜之厚度較好的是1~100 μm。保護膜之形成方法係視目的而適當選擇，例如可利用射出成形法、擠出成形法、吹氣成形法而形成。
作為製造本發明之清潔片的方法，可於獲得本發明之清潔片之範圍中採用任意適當之製造方法。作為較佳製造方法之一例，可列舉藉由雷射加工而於任意適當之基材之表面之至少一部分形成凹凸，於該基材之表面上形成清潔層之方法。即，藉由於基板之表面設置凹凸，於該表面上形成清潔層，而將清潔層表面之平均表面粗糙度Ra控制為規定大小。
作為上述基材，可採用任意適當之基材。例如可列舉：半導體晶圓(例如矽晶圓)、LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)等平板顯示器用基板、光碟、MR頭(Magneto-Resistive head，磁電阻頭)等。
《B.具清潔功能之搬送構件》
本發明之具清潔功能之搬送構件包括：搬送構件、設置於該搬送構件之至少單面的本發明之清潔層。
作為上述搬送構件，可採用任意適當之搬送構件。例如可列舉半導體晶圓(例如矽晶圓)、LCD、PDP等平板顯示器用基板、光碟、MR頭等基材。
本發明之具清潔功能之搬送構件中，上述清潔層可直接貼附於上述搬送構件上，亦可經由黏著劑層而貼附於上述搬送構件上。
作為上述黏著劑層，可採用任意適當之黏著劑層。較好的是可採用上述A.清潔片之項目中所說明之黏著劑層。
《C.清潔方法》
本發明之清潔方法為基板處理裝置之清潔方法，係藉由將本發明之清潔片、或者本發明之具清潔功能之搬送構件於基板處理裝置內搬送，與其被洗淨部位接觸，而將附著於該被洗淨部位之異物簡便且確實地清潔去除。
利用上述清潔方法洗淨之基板處理裝置並無特別限定。作為基板處理裝置之具體例，除本說明書中已記載之裝置以外，可列舉電路形成用曝光照射裝置、抗蝕劑塗佈裝置、濺鍍裝置、離子注入裝置、乾式蝕刻裝置、探針儀等各種製造裝置或檢査裝置，進而可列舉臭氧灰化機、抗蝕劑塗佈機、氧化擴散爐、常壓CVD裝置、減壓CVD裝置、電漿CVD裝置等在高溫下使用之基板處理裝置等。
《C.基板處理裝置》
本發明之基板處理裝置係使用本發明之清潔方法而進行清潔者。本發明之基板處理裝置係將本發明之清潔片、或者本發明之具清潔功能之搬送構件於該基板處理裝置內搬送而經清潔者，因此可成為效率尤其良好地去除具有規定粒徑、尤其是0.2~2.0 μm粒徑之異物的基板處理裝置。
實施例
以下，藉由實施例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不限定於該等實施例。再者，只要未特別說明，則實施例中之份及%為重量(質量)基準。
(1)平均表面粗糙度Ra
平均表面粗糙度Ra係使用觸針式表面粗糙度測定裝置(Veeco公司製造，Dectak8)進行測定。測定速度為1 μm/秒，測定範圍為2.0 mm，使鑽石製觸針(前端部之曲率為2 μm)移動而測定。
(2)拉伸彈性模數
依據JIS K7127進行測定。具體而言，於規定之基材上形成清潔層後，剝離該清潔層，使用動態黏彈性測定裝置進行測定。
(3) 180°剝離黏著力
於矽晶圓之鏡面形成清潔層，依據JIS-Z-0237進行測定。
(4)清潔性能評價方法
藉由使用異物檢査裝置(KLA Tencor製造，SFS6200)(以下，稱為裝置A)，測定矽晶圓鏡面上之0.200 μm以上之異物數而進行評價。更詳細而言，係藉由將清潔構件於清潔片製造用襯膜剝離裝置(日東精機製造，HR-300CW)(以下稱為裝置B)中搬送，測定清潔構件之搬送前後之異物數而進行評價。具體方法如以下所述。
向裝置B中，首先使新品之矽晶圓鏡面朝下，以鏡面與搬送臂或夾盤接觸之方式自動搬送(面朝下搬送)。然後，使用裝置A測定附著於鏡面之異物數(將此時之異物數稱為「異物數1」)。其後，於裝置B中搬送本發明之清潔構件而進行清潔處理後，再度將新品晶圓進行面朝下搬送，使用裝置A測定此時附著之異物數(將此時之異物數稱為「異物數2」)。利用以下之式算出異物去除率作為清潔構件之清潔效果之參數。
異物去除率=[100-(異物數2)/(異物數1)×100]%
(5)搬送性
利用裝置B於夾盤上搬送，進行真空吸附，解除真空後，根據是否可利用起模頂桿將清潔構件自夾盤上剝離來進行評價。
[實施例1]
相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯75份、丙烯酸甲酯20份、及丙烯酸5份之單體混合液所獲得之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量70萬)100份，均勻地混合聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(新中村化學製造，商品名：NK酯4G)200份、聚異氰酸酯化合物(日本聚胺基甲酸酯工業製造，商品名：Coronate L)3份、以及作為光聚合起始劑之苯偶醯二甲基縮酮(汽巴精化(Ciba Specialty Chemicals)製造，商品名：Irgacure 651)3份，製備紫外線硬化型黏著劑溶液A。
另一方面，向具備溫度計、攪拌機、氮導入管及回流冷卻管之內容量為500 ml之3口燒瓶型反應器內，投入丙烯酸2-乙基己酯73份、丙烯酸正丁酯10份、N,N-二甲基丙烯醯胺15份、以及丙烯酸5份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮雙異丁腈0.15份、乙酸乙酯100份，調配成整體達200 g，一面導入氮氣約1小時一面進行攪拌，以氮氣置換內部之空氣。
其後，使內部之溫度為58℃，於該狀態下保持約4小時而進行聚合，獲得黏著劑聚合物溶液。於黏著劑聚合物溶液100份中均勻地混合聚異氰酸酯化合物(日本聚胺酯工業製造，商品名：Coronate L)3份，獲得黏著劑溶液B。
於單面包含聚丙烯膜(厚度30 μm、寬度250 mm)之分隔件之剝離處理面，塗佈上述黏著劑溶液B，以使乾燥後之厚度成為7 μm，於該黏著劑層上積層長條聚酯膜(厚度25 μm、寬度250 mm)，進而於該膜上塗佈紫外線硬化型黏著劑溶液A，以使乾燥後之厚度成為15 μm，設置作為清潔層之黏著劑層，於其表面貼合單面包含經非聚矽氧剝離劑處理之長鏈聚酯膜的保護膜(保護膜A)之剝離處理面，獲得(厚度25 μm、寬度250 mm)片材(1)。
該保護膜A之平均表面粗糙度Ra為0.12 μm。
向該片材(1)上，以累計光量1000 mJ/cm2照射中心波長365 nm之紫外線，獲得具有經紫外線硬化之清潔層的清潔片(1)。
剝離該清潔片(1)之保護膜A，測定對於矽晶圓(鏡面)之180°剝離黏著力(依據JIS-Z-0237進行測定)，結果為0.05 N/10 mm。該清潔層之紫外線硬化後之拉伸強度為460 MPa。
剝離該清潔片(1)之分隔件，以手壓輥貼附於8英吋之矽晶圓之鏡面，製作附背面保護材之晶圓(1)。
繼而，剝離附背面保護材之晶圓(1)之保護膜A，製成具清潔功能之搬送構件(1)。
具清潔功能之搬送構件(1)之清潔層之平均表面粗糙度Ra為0.11 μm。
以雷射式異物測定裝置測定新品之8英吋之矽晶圓之鏡面的0.200 μm以上之異物，結果為4個。
將該晶圓以鏡面為下側而於裝置A中搬送後，以雷射式異物測定裝置測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為5552個，於0.219~0.301 μm範圍內為6891個，於0.301~0.412 μm範圍內為4203個，於0.412~0.566 μm範圍內為3221個，於0.566~0.776 μm範圍內為3205個，於0.776~1.06 μm範圍內為1532個，於1.06~1.46 μm範圍內為698個，於1.46~1.60 μm範圍內為492個，於1.60 μm以上之範圍內為925個，整體為26719個(異物數1)。
將具清潔功能之搬送構件(1)於上述附著有26719個異物之裝置A中搬送10次，結果可無障礙地搬送。
其後，使新品之8英吋之矽晶圓之鏡面朝向下側而進行搬送，測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為2234個，於0.219~0.301 μm範圍內為2758個，於0.301~0.412 μm範圍內為1688個，於0.412~0.566 μm範圍內為1308個，於0.566~0.776 μm範圍內為1309個，於0.776~1.06 μm範圍內為620個，於1.06~1.46 μm範圍內為282個，於1.46~1.60 μm範圍內為198個，於1.60 μm以上之範圍內為371個，整體為10768個(異物數2)。
由異物數1、異物數2算出之異物去除率整體為60%。
將結果歸納於表1。
[實施例2]
於氮氣流下之環境中，向133 g之N,N-二甲基乙醯胺(DAMc)中，於70℃下混合聚醚二胺(Sun Technochemical製造，XTJ-510)14.8 g、4,4'-DPE(DDE)8.45 g、以及均苯四甲酸二酐(PMDA)10.0 g，使其反應而獲得聚醯胺酸溶液A。
冷卻後，將聚醯胺酸溶液A以旋塗機塗佈於8英吋之矽晶圓之蝕刻面上，於90℃下乾燥20分鐘，獲得附聚醯胺酸之搬送構件(2)。
將附聚醯胺酸之搬送構件(2)於氮氣環境下，於300℃下熱處理2小時，形成厚度30 μm之聚醯亞胺皮膜，獲得具清潔功能之搬送構件(2)。
具清潔功能之搬送構件(2)之清潔層之平均表面粗糙度Ra為0.54 μm。
將該具清潔功能之搬送構件(2)之清潔層自矽晶圓上剝離，測定對於矽晶圓(鏡面)之180°剝離黏著力(依據JIS-Z-0237進行測定)，結果為0.03 N/10 mm。
以雷射式異物測定裝置測定新品之8英吋之矽晶圓之鏡面的0.200 μm以上之異物，結果為5個。
將該晶圓以鏡面為下側而於裝置A中搬送後，以雷射式異物測定裝置測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為5551個，於0.219~0.301 μm範圍內為6890個，於0.301~0.412 μm範圍內為4202個，於0.412~0.566 μm範圍內為3220個，於0.566~0.776 μm範圍內為3204個，於0.776~1.06 μm範圍內為1531個，於1.06~1.46 μm範圍內為697個，於1.46~1.60 μm範圍內為491個，於1.60 μm以上之範圍內為924個，整體為26710個(異物數1)。
將具清潔功能之搬送構件(2)於上述附著有26710個異物之裝置A中搬送10次，結果可無障礙地搬送。
其後，使新品之8英吋之矽晶圓之鏡面朝向下側而進行搬送，測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為2187個，於0.219~0.301 μm範圍內為2708個，於0.301~0.412 μm範圍內為1677個，於0.412~0.566 μm範圍內為1273個，於0.566~0.776 μm範圍內為1256個，於0.776~1.06 μm範圍內為602個，於1.06~1.46 μm範圍內為274個，於1.46~1.60 μm範圍內為194個，於1.60 μm以上之範圍內為368個，整體為10539個(異物數2)。
由異物數1、異物數2算出之異物去除率整體為61%。
將結果歸納於表1。
[實施例3]
於8英吋之矽晶圓之鏡面整個面，將以SEMI規格所決定之ID識別用雷射標記形成於整個面，獲得如圖3之晶圓(3)。使用實施例2中記載之聚醯胺酸溶液A，以旋塗機塗佈於晶圓(3)之鏡面，於120℃下乾燥10分鐘，獲得附聚醯胺酸之搬送構件(3)。
將附聚醯胺酸之搬送構件(3)於氮氣環境下，於300℃下熱處理2小時，形成厚度8 μm之聚醯亞胺皮膜，獲得具清潔功能之搬送構件(3)。
具清潔功能之搬送構件(3)之清潔層之平均表面粗糙度Ra為0.34 μm。
將該具清潔功能之搬送構件(3)之清潔層自矽晶圓上剝離，測定對於矽晶圓(鏡面)之180°剝離黏著力(依據JIS-Z-0237進行測定)，結果為0.02 N/10 mm。
以雷射式異物測定裝置測定新品之8英吋之矽晶圓之鏡面的0.200 μm以上之異物，結果為2個。
將該晶圓以鏡面為下側而於裝置A中搬送後，以雷射式異物測定裝置測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為5548個，於0.219~0.301 μm範圍內為6887個，於0.301~0.412 μm範圍內為4199個，於0.412~0.566 μm範圍內為3217個，於0.566~0.776 μm範圍內為3201個，於0.776~1.06 μm範圍內為1528個，於1.06~1.46 μm範圍內為694個，於1.46~1.60 μm範圍內為488個，於1.60 μm以上之範圍內為921個，整體為26683個(異物數1)。
將具清潔功能之搬送構件(3)於上述附著有26683個異物之裝置A中搬送10次，結果可無障礙地搬送。
其後，使新品之8英吋之矽晶圓之鏡面朝向下側而進行搬送，測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為1755個，於0.219~0.301 μm範圍內為2184個，於0.301~0.412 μm範圍內為1309個，於0.412~0.566 μm範圍內為1003個，於0.566~0.776 μm範圍內為1020個，於0.776~1.06 μm範圍內為477個，於1.06~1.46 μm範圍內為218個，於1.46~1.60 μm範圍內為155個，於1.60 μm以上之範圍內為292個，整體為8413個(異物數2)。
由異物數1、異物數2算出之異物去除率整體為68%。
將結果歸納於表1。
[實施例4]
將實施例1中記載之黏著劑溶液A以旋塗機塗佈於200 mm晶圓之蝕刻面上，於90℃下乾燥20分鐘，獲得附黏著劑之搬送構件(4)。
將該附黏著劑之搬送構件(4)於氮氣環境(1000 ppm氧濃度)中，以累計光量1000 mJ/cm2照射中心波長365 nm之紫外線，獲得經紫外線硬化之具清潔功能之搬送構件(4)。
具清潔功能之搬送構件(4)之清潔層之平均表面粗糙度Ra為0.42 μm。
將該具清潔功能之搬送構件(4)之清潔層自矽晶圓上剝離，測定對於矽晶圓(鏡面)之180°剝離黏著力(依據JIS-Z-0237進行測定)，結果為0.03 N/10 mm。
以雷射式異物測定裝置測定新品之8英吋之矽晶圓之鏡面的0.200 μm以上之異物，結果為5個。
將該晶圓以鏡面為下側而於裝置A中搬送後，以雷射式異物測定裝置測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為5550個，於0.219~0.301 μm範圍內為6889個，於0.301~0.412 μm範圍內為4201個，於0.412~0.566 μm範圍內為3219個，於0.566~0.776 μm範圍內為3203個，於0.776~1.06 μm範圍內為1530個，於1.06~1.46 μm範圍內為696個，於1.46~1.60 μm範圍內為490個，於1.60 μm以上之範圍內為923個，整體為26701(異物數1)。
將具清潔功能之搬送構件(4)於上述附著有26701個異物之裝置A中搬送10次，結果可無障礙地搬送。
其後，使新品之8英吋之矽晶圓之鏡面朝向下側而進行搬送，測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為2550個，於0.219~0.301 μm範圍內為3100個，於0.301~0.412 μm範圍內為1889個，於0.412~0.566 μm範圍內為1408個，於0.566~0.776 μm範圍內為1373個，於0.776~1.06 μm範圍內為619個，於1.06~1.46 μm範圍內為273個，於1.46~1.60 μm範圍內為190個，於1.60 μm以上之範圍內為345個，整體為11747個(異物數2)。
由異物數1、異物數2算出之異物去除率整體為56%。
將結果歸納於表1。
[實施例5]
於8英吋之矽晶圓之鏡面，將以SEMI規格所決定之ID識別用雷射標記3 mm×3 mm形成為V凹口部分，獲得如圖4之晶圓(5)。使用實施例2中記載之聚醯胺酸溶液A，以旋塗機塗佈於晶圓(5)之鏡面，於120℃下乾燥10分鐘，獲得附聚醯胺酸之搬送構件(5)。
將附聚醯胺酸之搬送構件(5)於氮氣環境下，於300℃下熱處理2小時，形成厚度8 μm之聚醯亞胺皮膜，獲得具清潔功能之搬送構件(5)。
具清潔功能之搬送構件(5)之清潔層的圖4記載之雷射標記形成區域之平均表面粗糙度Ra為0.38 μm。其以外之區域之平均表面粗糙度Ra為0.005 μm。
將該具清潔功能之搬送構件(5)之清潔層自矽晶圓上剝離，測定對於矽晶圓(鏡面)之180°剝離黏著力(依據JIS-Z-0237進行測定)，結果為0.03 N/10 mm。
以雷射式異物測定裝置測定新品之8英吋之矽晶圓之鏡面的0.200 μm以上之異物，結果為2個。
將該晶圓以鏡面為下側而於裝置A中搬送後，以雷射式異物測定裝置測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為5199個，於0.219~0.301μm範圍內為6493個，於0.301~0.412 μm範圍內為3900個，於0.412~0.566 μm範圍內為2987個，於0.566~0.776 μm範圍內為2976個，於0.776~1.06 μm範圍內為1378個，於1.06~1.46 μm範圍內為584個，於1.46~1.60 μm範圍內為405個，於1.60 μm以上之範圍內為828個，整體為24753(異物數1)。
將具清潔功能之搬送構件(5)於上述附著有24753個異物之裝置A中搬送10次，結果可無障礙地搬送。
其後，使新品之8英吋之矽晶圓之鏡面朝向下側而進行搬送，測定0.200 μm以上之異物數，結果按尺寸而言，於0.200~0.219 μm範圍內為1136個，於0.219~0.301 μm範圍內為1487個，於0.301~0.412 μm範圍內為933個，於0.412~0.566 μm範圍內為712個，於0.566~0.776 μm範圍內為768個，於0.776~1.06 μm範圍內為372個，於1.06~1.46 μm範圍內為156個，於1.46~1.60 μm範圍內為114個，於1.60 μm以上之範圍內為243個，整體為5921個(異物數2)。
由異物數1、異物數2算出之異物去除率整體為76%。
將結果歸納於表1。
[比較例1]
於實施例1中，除代替保護膜A，而變更為單面包含經聚矽氧剝離劑處理之長鏈聚酯膜的保護膜(保護膜B)以外，以與實施例1相同之方式獲得具清潔功能之搬送構件(C1)。
該保護膜B之平均表面粗糙度Ra為0.009 μm。
具清潔功能之搬送構件(C1)之平均表面粗糙度Ra為0.012 μm。
將具清潔功能之搬送構件(C1)於裝置A中搬送10次，結果黏附3次。
[比較例2]
使用實施例2中記載之聚醯胺酸溶液A，以旋塗機塗佈於8英吋之矽晶圓之鏡面，於120℃下乾燥10分鐘，獲得附聚醯胺酸之搬送構件(C2)。
將附聚醯胺酸之搬送構件(C2)於氮氣環境下，於300℃下熱處理2小時，形成厚度8 μm之聚醯亞胺皮膜，獲得具清潔功能之搬送構件(C2)。
具清潔功能之搬送構件(C2)之平均表面粗糙度Ra為0.005 μm。
將具清潔功能之搬送構件(C2)於裝置A中搬送100次，結果黏附5次。
產業上之可利用性
本發明之清潔片及具清潔功能之搬送構件適宜用於如各種製造裝置或檢査裝置之基板處理裝置之清潔。
10．．．清潔層
20．．．黏著劑層
30．．．保護膜
40．．．支持體
100．．．清潔片
圖1係本發明之較佳實施形態之清潔片之概略剖面圖。
圖2係本發明之另一較佳實施形態之清潔片之概略剖面圖。
圖3係自實施例中所使用之晶圓(3)之上表面看到之概略圖。
圖4係自實施例中所使用之晶圓(5)之上表面看到之概略圖。
10．．．清潔層
20．．．黏著劑層
30．．．保護膜
100．．．清潔片

Claims (9)

  1. 一種清潔片，其係包括實質上不具有黏著力之清潔層者，該清潔層整面具有平均表面粗糙度Ra為0.10μm以上之凹凸形狀部分，並且該清潔層對於矽晶圓之鏡面的以JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力為未達0.20N/10mm。
  2. 如請求項1之清潔片，其中於上述清潔層之單面包括黏著劑層。
  3. 如請求項1之清潔片，其於上述清潔層之單面包括支持體。
  4. 如請求項3之清潔片，其中於上述支持體之與包括上述清潔層之面相反之面包括黏著劑層。
  5. 一種具清潔功能之搬送構件，其包括搬送構件、設置於該搬送構件之至少單面的如請求項1之清潔層。
  6. 如請求項5之具清潔功能之搬送構件，其中上述清潔層係直接貼附於上述搬送構件上。
  7. 如請求項5之具清潔功能之搬送構件，其中上述清潔層係經由黏著劑層而貼附於上述搬送構件上。
  8. 一種基板處理裝置之清潔方法，其係將如請求項1至4中任一項之清潔片、或者如請求項5至7中任一項之具清潔功能之搬送構件於基板處理裝置內搬送。
  9. 一種基板處理裝置，其係使用如請求項8之清潔方法進行清潔。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5875197B2 (ja) * 2011-09-05 2016-03-02 株式会社東芝 レチクルチャッククリーナー及びレチクルチャッククリーニング方法
JP6148850B2 (ja) * 2012-12-05 2017-06-14 日本特殊陶業株式会社 クリーニング用素材およびクリーニング方法
JP6100539B2 (ja) * 2013-01-25 2017-03-22 株式会社ニトムズ 有機質汚れ除去用粘着クリーナー
JP6110814B2 (ja) * 2013-06-04 2017-04-05 富士フイルム株式会社 エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
WO2014208500A1 (ja) * 2013-06-25 2014-12-31 株式会社ニトムズ 有機質汚れ除去用粘着クリーナー
JP6814528B2 (ja) * 2015-02-27 2021-01-20 株式会社ニトムズ 粘着クリーナー
JP7106312B2 (ja) * 2018-03-19 2022-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 支持フィルム、貼り付け方法、膜・電極接合体の製造方法および製造装置
JP7058545B2 (ja) * 2018-04-25 2022-04-22 東京エレクトロン株式会社 ガス供給管のクリーニング方法および処理システム
JP7270397B2 (ja) * 2019-01-30 2023-05-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121275A (ja) 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP7165066B2 (ja) 2019-01-30 2022-11-02 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP7165065B2 (ja) 2019-01-30 2022-11-02 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121270A (ja) 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121274A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
KR102206722B1 (ko) * 2019-06-20 2021-01-25 주식회사 미담솔루션 스테이지 클리닝 장치
JP7315439B2 (ja) * 2019-11-26 2023-07-26 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2022169945A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
US20240050993A1 (en) * 2022-08-09 2024-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Onsite cleaning system and method
CN117397592B (zh) * 2023-07-04 2024-04-23 黑龙江省农垦科学院 含有清理和消杀组件的肉牛养殖用饲料投送机构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154686A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH1187458A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き半導体製造装置
KR100786437B1 (ko) * 2000-06-06 2007-12-17 닛토덴코 가부시키가이샤 클리닝 시트, 이를 사용하는 반송 부재, 및 이들을 사용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법
US7718255B2 (en) * 2003-08-19 2010-05-18 Nitto Denko Corporation Cleaning sheets and method of cleaning with the same
JP2005286261A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Nitto Denko Corp クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
JP2007035684A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Nitto Denko Corp 基板処理装置の除塵部材
WO2007049462A1 (ja) * 2005-10-25 2007-05-03 Nitto Denko Corporation クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
WO2007123116A1 (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Nitto Denko Corporation クリーニング用粘着剤層、その製造方法、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材および異物のクリーニング方法
JP4970862B2 (ja) * 2006-07-11 2012-07-11 日東電工株式会社 クリーニング層の製造方法、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材およびクリーニング方法

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