TWI399802B

TWI399802B - A cleaning function panel and a cleaning method for a substrate processing apparatus using the same

Info

Publication number: TWI399802B
Application number: TW98126795A
Authority: TW
Inventors: Akihisa Murata; Hiroyuki Kondo
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2008-08-29
Filing date: 2009-08-10
Publication date: 2013-06-21
Also published as: JP5148413B2; JP2010056357A; TW201013763A; WO2010023807A1

Description

具清潔功能之面板及使用其之基板處理裝置之清潔方法

本發明係關於具清潔功能之面板及使用其之基板處理裝置之清潔方法。

在一面使各搬送系統與基板物理性的接觸一面搬送之基板處理裝置等中，若基板或搬送系統上附著有異物，則會依次污染後續之基板。因此，必需定期地停止裝置，進行清洗處理，如此就存在運轉率降低與需要極大勞力之問題。此對於平板顯示器等若附著異物其品質將受到非常嚴重之影響之製品而言，將成為特別嚴重之問題。為解決該等問題，有人提出有藉由在基板處理裝置內，搬送固定有黏著性物質之基板，以去除基板處理裝置內所附著之異物之方法(例如日本特開平10-154686號公報)。

但，於清潔層使用黏著性物質時，若其黏著性過高，將存在黏著性物質與搬送系統之接觸部強力接著而無法剝離，造成搬送不良之問題。其對於特別是如基板吸附用平臺等，在與基板之密著性較高之處成為問題。又，該問題隨基板面積之增大而變大。

[專利文獻1]日本特開平10-154686號公報

本發明係鑒於上述之先前技術之問題點，其目的係提供一種同時具備異物之捕集性與良好的搬送性之具清潔功能之面板及使用其之基板處理裝置之清潔方法。

本發明者們係針對上述之問題進行專心研究，結果發現：藉由使用在表面上局部附著有具有特定之黏著力之清潔構件之具清潔功能之面板之複數片組合，可同時具備異物之捕集性與良好的搬送性。

但，已知在例如具備真空吸盤方式之基板吸附平臺之基板處理裝置中，清潔構件之少許凹凸會對吸附造成影響，有異物之捕集及搬送之順暢度不足之情形。

因此，本發明者們進一步研究之結果，藉由在支持體之無貼附有清潔構件之部份貼附非黏著性或微黏著性構件，可使基板吸附平臺進行良好的吸附，終完成本發明。藉此，可實現多種多樣之基板處理裝置同時具備異物之捕集性與良好的搬送性。

即，本發明係提供一種清潔方法，其特徵在於：其係基板處理裝置之清潔方法，且係使具清潔功能之面板通過該基板處理裝置者；該具清潔功能之面板包含：支持體；清潔構件，其係局部貼附在該支持體之至少一表面上，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為0.10N/20mm以上；及非黏著性或微黏著性構件，其係貼附在貼附有該清潔構件之表面之其餘部份上。

又，本發明作為其他態樣，係提供一種具清潔功能之面板，其具備：支持體；清潔構件，其係局部貼附在該支持體之至少一表面上，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為0.10N/20mm以上；及非黏著性或微黏著性構件，係貼附在貼附有該清潔構件之表面之其餘部份上。

在本發明之一較佳態樣中，上述非黏著性或微黏著性構件之厚度係上述清潔構件之厚度的90%~110%。

在本發明之一較佳態樣中，上述清潔構件及上述非黏著性或微黏著性構件，於上述具清潔功能之面板通過上述基板處理裝置之行進方向上，遍及該具清潔功能之面板之前端至後端而貼附於上述支持體之表面上。

在本發明之一較佳態樣中，上述非黏著性或微黏著性構件之黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為上述清潔構件之上述黏著力之1/2以下。

在本發明之一較佳態樣中，其係以上述清潔構件之通過路徑之組合涵蓋所欲清潔之整個區域的方式，使複數片之上述具清潔功能之面板通過上述基板處理裝置。

在本發明之一較佳態樣中，上述基板處理裝置具備基板吸附用平臺。

如上所述，若根據本發明之清潔方法，可提供一種同時具備異物之捕集性與良好的搬送性之具清潔功能之面板及使用其之基板處理裝置之清潔方法。

以下，一面參照圖式一面就本發明作詳細之說明。各圖單就說明本發明而使用，圖面之各構件之尺寸及其比率並非與實際物體一致，且本發明並不限定於此。又，圖中所示之要素亦並非本發明之必須之要素。

[用語]

本說明書中，「處理裝置」係指包含製造裝置及檢查裝置。

本說明書中，「使通過基板處理裝置」係指不僅通過基板處理裝置之整體，亦指通過基板處理裝置之一部份。

本說明書中，所謂「黏著力」係指以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件所測定之黏著力。

[具清潔功能之面板之整體結構]

一面參照圖1及圖5，一面說明具清潔功能之面板之整體構成。圖1係顯示本發明之具清潔功能之面板之一較佳態樣之概略的剖面圖。圖5係顯示具清潔功能之面板之一較佳組合態樣及本發明之清潔方法之一態樣的概略圖。

具清潔功能之面板100係包含：支持體1；局部貼附在該支持體1之一表面上之清潔構件2；在貼附有該清潔構件2之表面之其餘部份上所貼附之非黏著性或微黏著性構件3。

在清潔構件2之與支持體1成相反側之面、及非黏著性或微黏著性構件3之與支持體1成相反側之面，遍及全面貼附有覆蓋片材4。

在圖1中，僅在支持體1之一表面上貼附有清潔構件2及非黏著性或微黏著性構件3，但清潔構件2及非黏著性或微黏著性構件3亦可貼附於支持體1之另一表面上。

上述清潔構件2之黏著力係0.10N/20mm以上。清潔構件2之黏著力在所欲捕集之異物之尺寸較大時，設定為高，以使其擔保異物之捕集性。另一方面，清潔構件2之面積較大時，則設定為低，以擔保良好之搬送性。因而，清潔構件2之黏著力係根據兩者之平衡而設定。上述清潔構件2之黏著力係以0.50N/20mm~3N/20mm為較佳。

上述清潔構件2及上述非黏著性或微黏著性構件3，較佳的是如圖5所示，在上述具清潔功能之面板100通過上述基板處理裝置之行進方向上，遍及該具清潔功能之面板100之前端至後端而貼附於上述支持體1之表面上。

上述清潔構件2及上述非黏著性或微黏著性構件3之形態係以具有一定厚度之長方形(帶狀)為佳。

本發明之具清潔功能之面板100中，清潔構件2之面積與非黏著性或微黏著性構件3之面積之比，可根據清潔構件2之黏著力、成為清潔對象之基板處理裝置之構造、成為清潔對象之部位而適當選擇。例如，如使用完成脫模處理之搬送滾子等，以對黏著性物質之黏著性較低的部位作為對象時，只要將清潔構件2之面積與非黏著性或微黏著性構件3之面積之比設為約50:50~約99:1即可。相反地，如使用金屬製搬送滾子及具吸附功能之吸附平臺等，以對黏著性物質之黏著性較高的部位作為對象時，只要將清潔構件2之面積與非黏著性或微黏著性構件3之面積之比設為約1:99~約50:50即可。

具清潔功能之面板100中，清潔構件2之數目及非黏著性或微黏著性構件3之數目並無特別之限制，但通常具清潔功能之面板主面之面積越大，其等數目越多為較佳。

且，鄰接之清潔構件2與非黏著性或微黏著性構件3之間隙寬度係以10mm以內為較佳，5mm以內更佳，以使具清潔功能之面板100之表面之凹凸儘量減少。

若鄰接之清潔構件2與非黏著性或微黏著性構件3之間隙之寬度較寬，則在真空吸盤方式之基板吸附平臺中，可能存在具清潔功能之面板100之吸著不充分的問題。

上述非黏著性或微黏著性構件3之厚度為上述清潔構件2之厚度的90%~110%較佳，95%~105%更佳，以使具清潔功能之面板100之表面之凹凸儘量減少。

本說明書中，所謂「清潔構件之厚度」及「非黏著性或微黏著性構件之厚度」係指使用時之「厚度」。因而，換而言之，如後述之態樣，若清潔構件2及/或非黏著性或微黏著性構件3包含分離片之情形時，兩者之厚度分別係指除去分離片後之厚度。

清潔構件之厚度及非黏著性或微黏著性構件之厚度通常分別係500μm以下，3~300μm程度為較佳，5~250μm程度更佳。

[支持體]

作為支持體1並無特別限定，使用在作為對象之裝置中通常所搬送之基板(例玻璃基板、塑膠基板、陶瓷基板)等即可。

支持體1之大小及形狀，只要可通過作為對象之處理裝置(即適用該具清潔功能之面板100之基板處理裝置)，則無特定限制，但較佳的是與適用本發明之具清潔功能之面板100之基板處理裝置所處理之基板為同一大小及形狀。例如，基板係平板顯示器面板時，該形狀為長方形之平板。

支持體1之厚度亦是與適用本發明之具清潔功能之面板100之基板處理裝置所處理之基板為大致相同之厚度，或者由該厚度減去清潔構件2之厚度所得之厚度為較佳。支持體1之厚度根據適用本發明之基板處理裝置而有所差別，但通常為50mm以下、2~40mm程度為較佳、5~20mm程度為最佳。

[清潔構件]

一面參照圖2，一面說明清潔構件2。圖2係顯示清潔構件2之一較佳態樣之概略之剖面圖。

清潔構件2包含：清潔構件用支持基材21；設置於該清潔構件用支持基材21之與支持體1成相反側之表面上，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為0.10N/20mm以上之清潔層22；設置於該清潔構件用支持基材21之支持體1側之表面上之清潔構件用接著層23。

清潔構件2係利用清潔構件用接著層23接著於支持體1上。

又，在清潔層22之與清潔構件用支持基材21成相反側之面上，貼附有清潔構件用分離片24。清潔構件用分離片24係用以保護清潔層22之黏著面者，在具清潔功能之面板100之使用時予以去除。

前述清潔構件2亦可係不具有清潔構件用支持基材21之「無基材」者，但由後述之具清潔功能之面板100之再利用容易度來看，宜如前所述具有基材。

作為上述清潔構件用支持基材21，例如可列舉：聚乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、乙醯纖維素薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚丙烯薄膜、或聚醯胺薄膜等之塑膠薄膜，但不限於此。該清潔構件用支持基材21可係單層亦可係多層體。該清潔構件用支持基材21之厚度可適當選擇，但通常在500μm以下，3~300μm程度較佳，5~250μm程度最佳。該清潔構件用支持基材21之表面亦可實施慣用之表面處理(例如鉻酸處理、臭氧曝露、火焰曝露、高壓電擊曝露、離子化放射線處理等化學性或物理性處理)及後述之黏著性物質等之塗劑之塗層處理，以提高與鄰接層之密著性及保持性等。

清潔層22係由黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)調整為0.10N/20mm以上之黏著劑所構成。

作為該黏著劑，例如可使用橡膠系、丙烯酸系、乙烯基烷基醚系、矽酮系、聚酯系、聚醯胺系、胺基甲酸酯系及苯乙烯-二烯嵌段共聚物系之黏著劑，及其他公知之黏著劑(例如日本特開昭56-61468號公報、日本特開昭61-174857號公報、日本特開昭63-17981號公報或是日本特開昭56-13040號公報等所記載之接著劑)之1種或是2種以上。且，該黏著劑亦可含有交聯劑、交聯促進劑、黏著賦予劑、可塑劑、充點劑及抗老化劑等適當之添加劑。

清潔層22之黏著力(即，清潔構件2之黏著力)係如上所述，所欲捕集之異物之尺寸較大時，設定為高黏著力以擔保其異物之捕集性。另一方面，清潔層22之面積較大時，設定為低黏著力以擔保其良好的搬送性。因而，清潔層22之黏著力係根據兩者之平衡而設定。

清潔層22之黏著力之調整可根據黏著劑成份之種類及量的選擇，除此之外添加紫外線硬化性化合物及紫外線聚合起始劑進行紫外線照射處理，或是添加熱膨脹性微小球進行加熱處理等適當之方法而實施。

作為上述黏著劑，宜使用天然橡膠或各種合成橡膠作為基礎聚合物之橡膠系黏著劑；或分別具有碳數在20以下之烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、及二十烷基)的丙烯酸及甲基丙烯酸等之酯，即丙烯酸系烷酯中之1種或2種以上的丙烯酸系共聚物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑等。

且，上述丙烯酸系共聚物視必要，以滿足凝聚力、耐熱性及交聯性等改質等為目的，例如，可與選擇自如下之單體成分之1種或2種以上共聚合，即：含羧基單體(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸)；酸酐單體(例如無水馬來酸、無水衣康酸)；含羥基單體(例如(甲基)丙烯酸羥甲酯、(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥十二烷酯、甲基丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯)；含磺酸基單體(例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧萘磺酸)；(N-取代)醯胺系單體(例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺)；(甲基)丙烯酸烷基胺基系單體(例如(甲基)丙烯酸胺甲酯、(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯)；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基系單體(例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯)；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、馬來醯亞胺系單體(例如N-苯基馬來醯亞胺)；衣康醯亞胺系單體(例如N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺)；琥珀醯亞胺系單體(例如N-(甲基)丙烯醯氧亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯-6-氧六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯-8-氧八亞甲基琥珀醯亞胺)；乙烯系單體(例如醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺)；氰基丙烯酸酯單體(例如丙烯腈、甲基丙烯腈)；含環氧基丙烯酸系單體(例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)；二醇系丙烯酸酯單體(例如(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯)；丙烯酸酯系單體(例如(甲基)丙烯酸四氫呋喃酯、(甲基)丙烯酸氟酯、(甲基)丙烯酸矽酮酯、2-甲氧基乙基丙烯酸酯)；多官能單體(例如二(甲基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、丙烯酸環氧酯、聚丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯)；烯烴系單體(例如異戊二烯、丁二烯、異丁烯)；及乙烯醚等。

作為上述交聯劑，並無特別限制，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑等。其中，尤以甲苯撐二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等之脂環族異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族異氰酸酯等之異氰酸酯系交聯劑等為較佳。

作為上述交聯促進劑，並無特定限制，例如可列舉：二丁基錫氧化物、二丁基錫二硬脂酸酯等之錫系催化劑等。

作為上述紫外線硬化性化合物，只要是利用紫外線可硬化者則無特定限制，可單獨1種或是2種以上組合使用。

作為紫外線硬化性化合物之具體例，例如可列舉：三丙烯酸三羥甲基丙烷酯、四丙烯酸四羥甲基甲烷酯、五丙烯酸季戊四醇一羥酯、二丙烯酸1,4-丁二醇酯、二丙烯酸1,6-己二醇酯、及二丙烯酸聚乙二醇酯等。

作為上述紫外線硬化性化合物亦可使用紫外線硬化性樹脂，如，分子末端具有(甲基)丙烯醯基之酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸樹脂(甲基)丙烯酸酯、分子末端具有烯丙基之硫醇-烯加成型樹脂、光陽離子聚合型樹脂、聚肉桂酸乙烯酯等之含肉桂醯基之聚合物、二偶氮化胺基酚醛樹脂、及丙烯醯胺型聚合物等之含感光性反應基聚合物或寡聚合物等。

再者，作為紫外線硬化性化合物，亦可使用以紫外線反應之聚合物(如，環氧化聚丁二烯、不飽和聚酯、聚甲基丙烯酸縮水甘油酯、聚丙烯醯胺、聚乙烯矽氧烷等)。

作為上述紫外線聚合起始劑，可適當選擇公知之聚合起始劑。紫外線聚合起始劑之量係相對於紫外線硬化性化合物100重量份為0.1~10重量份程度，1~5重量份程度為較佳。且，紫外線聚合起始劑與紫外線聚合促進劑可並用。作為該紫外線聚合促進劑無特定限制，可使用p-二甲酯胺基安息香酸異胺基酯、p-二甲酯胺基安息香酸乙酯等公知之紫外線聚合促進劑。

又，可使用熱聚合起始劑等適當之添加劑，以使在紫外線硬化前後得到適當之彈性率。該熱聚合起始劑無特定限制，可使用過氧化苯醯、偶氮二異丁腈等公知之熱聚合起始劑。

作為上述熱膨脹性微小球，例如可使用藉由團聚法(coacervation)或界面聚合法等將適當之物質內包於殼形成物質內之熱膨脹性微小球，該適當之物質係異丁烷、丙烷及戊烷等易氣化、顯示熱膨脹性者。所用之熱膨脹性微小球宜使用熱膨脹性微小球之體積膨脹倍率為5倍以上，較佳為10倍以上者。

作為上述殼形成物質，只要是熱熔融性物質或因熱膨脹而破壞之物質則無特定限制，如，氯化亞乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯丁縮醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯及聚碸等。

清潔層22之厚度(乾燥後)無特定限制，通常為5~200μm左右。

作為清潔構件用接著層23之材質，只要能滿足對清潔構件用支持基材21之充分的黏著，其材質等並無特別限制，可使用通常的黏著劑(如，丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等感壓接著劑)、或紫外線硬化性硬化型感壓接著劑或熱剝脫模感壓接著劑。從再利用清潔構件用支持基板21之觀點來看，以紫外線硬化性硬化型感壓接著劑或熱剝脫模感壓接著劑為較佳。清潔構件用接著層23之厚度(乾燥後)通常為10~50μm。

清潔構件用分離片24係可使用藉由如矽酮系樹脂、長鏈烷基丙烯酸酯樹脂、氟系樹脂等為代表之脫模劑進行表面塗層後之塑膠薄膜或紙等構成之基材，或聚乙烯、聚丙烯等無極性聚合物構成之黏著性小的基材等。

又，清潔構件用分離片24之厚度通常為10~300μm，20~100μm為較佳。

[非黏著性或微黏著性構件]

用圖3及圖4說明非黏著性或微黏著性構件3。圖3係顯示使用本發明之具清潔功能之面板的非黏著性構件之一態樣中，非黏著性構件3a之一態樣的概略剖面圖，圖4係顯示使用本發明之具清潔功能之面板的微黏著性構件之一態樣中，微黏著性構件3b之一態樣的概略剖面圖。圖3之非黏著性構件3a及圖4之微黏著性構件3b係包括在圖1之非黏著性或微黏著性構件3中。

在圖3中，非黏著性構件3a包含：非黏著性構件用支持基材3a1；及設置於該非黏著性構件用支持基材3a1之支持體1側之表面上之非黏著性構件用接著層3a3。

非黏著性構件3a係藉由非黏著性構件用接著層3a3接著於支持體1。

作為上述非黏著性構件用支持基材3a1，係使用與上述清潔構件用支持基材21所例示者同樣者，但不限定於其。

上述非黏著性構件用支持基材3a1之厚度，係以使清潔構件2之厚度與非黏著性構件3a之厚度大致相同之方式而決定，通常為500μm以下，3~300μm程度為較佳，5~250μm程度為最佳。

作為上述非黏著性構件用接著層3a3之材質，可列舉與上述清潔構件用接著層23所例示者同樣著，但不限定於其。

上述非黏著性構件用接著層3a3之厚度(乾燥後)，通常與上述清潔構件用接著層23之厚度大致相同，具體而言通常為10~50μm。

在圖4中，微黏著性構件3b包含：微黏著性構件用支持基材3b1；設置於該微黏著性構件用支持基材3b1之與支持體1成相反側之表面上，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為上述清潔構件2之上述黏著力之1/2以下之微黏著層3b2；及設置於該微黏著性構件用支持基材3b1之支持體1側之表面上之微黏著性構件用接著層3b3。

微黏著性構件3b係藉由微黏著性構件用接著層3b3接著於支持體1。又，在微黏著層3b2之與微黏著性構件用接著層3b3成相反側之面，貼附有微黏著性構件用分離片3b4。微黏著性構件用分離片3b4係用以保護微黏著層3b2之微黏著面，在具清潔功能之面板100之使用時予以去除。

上述微黏著性構件3b雖可為無微黏著性構件用支持基材3b1之「無基材」者，但如後述，由具清潔功能之面板100之再利用容易度，如上所述具有基材者為較佳。

作為上述微黏著性構件用支持基材3b1，係使用與上述清潔構件用支持基材21所例示者同樣者，但不限定於其。

上述微黏著性構件用支持基材3b1之厚度，係以使清潔構件2之厚度與非黏著性構件3a之厚度大致相同之方式而決定，通常為500μm以下，3~300μm程度為較佳，5~250μm程度為最佳。

作為上述微黏著層3b2之材質，可列舉與上述清潔層22所例示者相同者，但不限定於其。

上述微黏著層3b2之黏著力係上述清潔構件2之上述黏著力之1/2以下，1/3以下為較佳。在本發明中，上述微黏著層3b2之黏著力並無下限，即使黏著力為0N/20mm亦能達成本發明之目的。上述微黏著層3b2之黏著力係以具清潔功能之面板100之全面的合計黏著力達理想之強度的方式而予以設定。

上述微黏著層3b2之黏著力之調整，可用與上述清潔層22之黏著力之調整同樣的方法加以實施。

上述微黏著層3b2之厚度(乾燥後)並無特定限制，但通常為5~200μm程度。

作為上述微黏著性構件用接著層3b3之材質，可列舉與上述清潔構件用接著層23所例示者相同者，但不限制於其。

上述微黏著性構件用接著層3b3之厚度(乾燥後)，通常與上述清潔構件用接著層23之厚度大致相同，具體而言通常為10~50μm。

作為上述微黏著性構件用分離片3b4，可列舉與上述清潔構件用分離片24所例示者相同者，但不限制於其。

又，上述微黏著性構件用分離片3b4通常為10~300μm，20~100μm為較佳。

[覆蓋片材]

覆蓋片材4係用以將上述清潔構件2及微黏著性構件3b之分離片(清潔構件用分離片24、微黏著性構件用分離片3b4)一起剝離者，只要是可剝離分離片之膠帶(如感壓黏著膠帶)，並無特定限制。覆蓋片材4在本發明之具清潔功能之面板的使用時，與分離片一同去除。

[清潔方法]

可利用把本發明之具清潔功能之面板100與作為該基板處理裝置之處理對象的基板同樣地通過欲清潔之基板處理裝置，實施該基板處理裝置之清潔。

具清潔功能之面板100在基板處理裝置內進行搬送，藉由一面接觸被清潔部位一面使之移動，可使附著於上述裝置內之異物無搬送問題地簡便且確實地清潔去除。

本發明之具清潔功能之面板及本發明之清潔方法，即使是具備基板吸附用平臺(如真空鑄造方式之基板吸附用平臺)之基板處理裝置亦恰好適用。

較好的是，清潔構件2之通過路徑之編配以覆蓋欲清潔之整體區域的方式，使複數片之上述具清潔功能之面板100通過上述基板處理裝置。

具體而言，如圖5所示，使清潔構件2之位置不同之複數片之上述具清潔功能之面板100之組合(100a、100b、100c)，依序如按a、b、c之順序沿白色(開放的)箭頭之方向在清潔對象區域移動，以使清潔構件2之通過路徑之編配覆蓋欲清潔之整體區域。因而可使清潔對象全區域毫無遺漏地進行清潔。在圖5中，左端圖係具清潔功能之面板100之俯視圖，中間的圖係具清潔功能之面板之側視圖，右端圖係顯示藉由具清潔功能之面板100清潔搬送滾子之方法之概略圖。

具清潔功能之面板100之使用後，各接著層之接著材料為通常之感壓接著劑時，藉由物理性地剝下清潔構件及非黏著性或微黏著性構件；各接著層之接著材料為紫外線硬化性感壓接著劑時，藉由實施紫外線照射；為熱剝脫模感壓接著劑時藉由進行加熱，可去除清潔構件及非黏著性或微黏著性構件，將支持體再利用在具清潔功能之面板100之生產上。

又，清潔構件及非黏著性或微黏著性構件為無基材時，用溶劑使其等溶解後去除，可將支持體再利用在具清潔功能之面板100之生產上。

[實施例]

以下，根據實施例說明本發明，但本發明並不限定於此。且，以下所謂的份指的是重量份。

(實施例1)

相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯70份、丙烯酸乙酯30份及丙烯酸羥乙酯5份的單體混合液所得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量50萬)100份，將含有異氰酸酯系交聯劑(二苯基甲烷二異氰酸酯)3份、錫系交聯促進劑(二正辛基錫月桂酸鹽)0.02份之甲苯溶液(以下稱為甲苯溶液A)，以乾燥後之厚度為10μm之方式將其塗布在厚度50μm之聚酯薄膜的單面(清潔層)，在其表面貼附厚度38μm之聚酯系分離片。

其次，相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯70份、丙烯酸乙酯30份及丙烯酸羥乙酯5份的單體混合液所得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量50萬)100份，將含有異氰酸酯系交聯劑(二苯基甲烷二異氰酸酯)2份、錫系交聯促進劑(二正辛基錫月桂酸鹽)0.02份之甲苯溶液(以下稱為甲苯溶液B)，以乾燥後之厚度為30μm之方式將其塗布在聚酯薄膜的另一面(清潔構件用接著層)，在該表面貼附厚度50μm之聚酯系分離片，作成清潔構件。經測定該清潔構件之清潔層黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°)，結果為1.50N/20mm。

其次，將上述甲苯溶液B以乾燥後厚度為40μm的方式塗布在厚度50μm的聚酯薄膜的一面，在該表面上貼附厚度38μm的聚酯系分離片，作成非黏著構件。

接著，在厚度5mm、長度300mm、寬度200mm的玻璃板上，如圖5所示以清潔構件之位置不重複的方式貼合寬度20mm的清潔構件及非黏著性構件，製作5片具清潔功能之搬送構件。

另一方面，卸下玻璃基板處理裝置之吸附平臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在300mm×200mm之區域內有22000個。

接著，剝離前述所得之5片具清潔功能之搬送構件之清潔層側之分離片，令其依序在具上述之附著有22000個異物之平臺的基板處理裝置內搬送，結果可順利進行搬送。其後，卸下晶圓臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，其結果在區域內為1100個，可除去清潔前所附著之異物數的3/4以上。

(實施例2)

相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯75份、丙烯酸甲酯20份及丙烯酸5份的單體混合液得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量70萬)100份，均等地混合胺基甲酸酯丙烯酸酯50份、苄基甲基縮酮3份、及二苯基甲烷二異氰酸酯3份，作為紫外線硬化型之黏著劑溶液C。將該紫外線硬化型之黏著劑溶液C以乾燥後厚度為30μm的方式塗布在厚度75μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，並進行乾燥、紫外線照射(1000mJ/cm² )，在其表面上貼附厚度38μm的聚酯系分離片(清潔層)。其後，在聚酯薄膜之另一面，以乾燥後厚度為20μm之方式塗布實施例1之甲苯溶液B(清潔構件用接著劑)，在其表面上貼附厚度50μm的聚酯系分離片，作成清潔構件。經測定該清潔構件之黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°)，其結果為0.65N/20mm。

其次，將實施例1之甲苯溶液B以乾燥後厚度為50μm的方式塗布在厚度75μm之聚酯薄膜之一面上，在該表面上貼附厚38μm之聚酯系分離片，作成非黏著構件。

接著，在厚度5mm、長度300mm、寬度200mm之玻璃板上，以清潔構件之位置不重複的方式依照實施例1貼附寬度50mm的清潔構件及非黏著性構件，製作成2片具清潔功能之搬送構件。

另一方面，卸下玻璃基板處理裝置之吸附平臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，其結果在300mm×200mm之區域內有29000個。

接著，剝離在上述所得到的2片具清潔功能之搬送構件之清潔層側的分離片，使其依序在持有上述之附著有29000個異物之平臺搬送於基板處理裝置內，結果可順利進行搬送。其後，卸下晶圓臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在區域內係2200個，可除去清潔前所附著之異物數的3/4以上。

(實施例3)

相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯70份、丙烯酸乙酯30份及丙烯酸羥乙酯5份的單體混合液所得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量50萬)100份，將含有異氰酸酯系交聯劑(二苯基甲烷二異氰酸酯)3份、錫系交聯促進劑(二正辛基錫月桂酸鹽)0.02份之實施例1之甲苯溶液A，以乾燥後之厚度為10μm之方式將其塗布在厚度50μm之聚酯薄膜的一面，使其形成清潔層，在其表面貼附厚度38μm之聚酯系分離片。其後，將實施例1之甲苯溶液B以乾燥後厚度為30μm的方式塗布在聚酯薄膜之另一面(清潔構件用接著劑)，在其表面上貼附厚50μm的聚酯系分離片，作成清潔構件。經測定該清潔構件之清潔層黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°進行測定)，結果為1.50N/20mm。

其次，將甲苯溶液B以乾燥後厚度為10μm的方式塗布在厚25μm的聚酯薄膜之一面上(微黏著構件用接著劑)，於其表面貼合厚度50μm的聚酯系分離片。之後，相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯50份、丙烯酸乙酯50份及丙烯酸羥乙酯5份的單體混合液所得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量45萬)100份，將含有熱膨脹性微小球(松本微球F50D)30份、異氰酸酯系交聯劑(二苯基甲烷二異氰酸酯)3份、錫系交聯促進劑(二正辛基錫月桂酸鹽)0.02份之甲苯溶液D，以膨脹加熱處理後之厚度為55μm的方式塗布於該聚酯薄膜之另一面、並乾燥(微黏著層(未膨脹處理))，在該表面貼附厚50μm之聚酯系分離片。再者，進行加熱處理(120℃×5分)以使微黏著層膨脹，而製作成微黏著構件。經測定該微黏著構件之微黏著層黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°進行測定)，其結果為0.02N/20mm。

接著，在厚度5mm、長度300mm、寬度200mm之玻璃板上，如圖5所示以清潔構件之位置不重複的方式貼合寬度20mm的清潔構件及微黏著構件，製作5片具清潔功能之搬送構件。

另一方面，卸下玻璃基板處理裝置之吸附平臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在300mm×200mm之區域內有28000個。

接著，剝離前述所得之5片具清潔功能之搬送構件之清潔層側之分離片，令其依序在具上述之附著有22000個異物之平臺的基板處理裝置內搬送，結果可順利進行搬送。其後，卸下晶圓臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在區域內係1500個，可除去清潔前所附著之異物數的3/4以上。

(實施例4)

相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯75份、丙烯酸甲基20份及丙烯酸5份的單體混合液得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量70萬)100份，均等地混合胺基甲酸酯丙烯酸酯30份、苄基甲基縮酮3份、及二苯基甲烷二異氰酸酯3份，作為紫外線硬化型之黏著劑溶液E。將該紫外線硬化型之黏著劑溶液E以乾燥後厚度為30μm的方式塗布在厚度75μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，並進行乾燥、紫外線照射(1000mJ/cm² )，在其表面上貼附厚38μm的聚酯系分離片(清潔層)。其後，在該聚酯薄膜之另一面，以乾燥後厚度為20μm之方式塗布實施例1之甲苯溶液B(清潔構件用接著劑)，在其表面上貼附厚50μm的聚酯系分離片，作成微黏著構件。經測定該微黏著構件之微黏著層黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°)，結果為0.90N/20mm。

其次，相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯75份、丙烯酸甲基20份及丙烯酸5份的單體混合液得到之丙烯酸系聚合物(重量平均分子量70萬)100份，均等地混合胺基甲酸酯丙烯酸酯200份、苄基甲基縮酮3份、及二苯基甲烷二異氰酸酯3份，作為紫外線硬化型之黏著劑溶液F。將該紫外線硬化型之黏著劑溶液F以乾燥後厚度為35μm的方式塗布在厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，並進行乾燥、紫外線照射(1000mJ/cm² )，在該表面上貼附厚38μm的聚酯系分離片(微黏著層)。其後，在該聚酯薄膜之另一面，以乾燥後厚度為40μm之方式塗布實施例1之甲苯溶液B(微黏著構件用接著劑)，在該表面上貼附厚50μm的聚酯系分離片，作成微黏著構件。經測定該微黏著構件之微黏著層黏著力(以試驗法JIS Z0237為標準，相對矽鏡面晶圓，剝離速度：300mm/分，剝離角度：90°)，結果為0.06N/20mm。

接著，在厚度5mm、長度300mm、寬度200mm之玻璃板上，以清潔構件之位置不重複的方式依照實施例1貼合寬度50mm的清潔構件及微黏著構件，製作2片具清潔功能之搬送構件。

另一方面，卸下玻璃基板處理裝置之吸附平臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在300mm×200mm之區域內有27000個。

接著，剝離上述所得到的2片具清潔功能之搬送構件之分離片，令其依序在具上述之附著有27000個異物之平臺的基板處理裝置內搬送，結果可順利進行搬送。其後，卸下晶圓臺，用雷射式異物測定裝置測定0.3μm以上之異物，結果在區域內係2100個，可除去清潔前所附著之異物數的3/4以上。

(比較例1)

在玻璃板全面上貼附實施例1之清潔構件，製作具清潔層之搬送構件。其次，在具上述吸附平臺之基板處理裝置內搬送，結果固定於晶圓臺，無法進行搬送。

(比較例2)

在玻璃板全面上貼附實施例2之清潔構件，製作具清潔層之搬送構件。其次，在具上述吸附平臺之基板處理裝置內搬送，結果固定於晶圓臺，無法進行搬送。

[產業上之可利用性]

本發明可利用於基板處理裝置之清潔。

1．．．支持體

2．．．清潔構件

3．．．非黏著性或微黏著性構件

3a．．．非黏著性構件

3b．．．微黏著性構件

3a1．．．非黏著性構件用支持基材

3a3．．．非黏著性構件用接著層

3b1．．．微黏著性構件用支持基材

3b2．．．微黏著層

3b3．．．微黏著性構件用接著層

3b4．．．微黏著性構件用分離片

4．．．覆蓋片材

5．．．搬送滾子

21．．．清潔構件用支持基材

22．．．清潔層

23．．．清潔構件用接著層

24．．．清潔構件用分離片

100．．．具清潔功能之面板

圖1係顯示本發明之具清潔功能之面板之一較佳態樣之概略的剖面圖。

圖2係顯示清潔構件之一較佳態樣之概略之剖面圖。

圖3係顯示本發明之具清潔功能之面板的非黏著性構件之一態樣之概略的剖面圖。

圖4係顯示本發明之具清潔功能之面板的微黏著性構件之一態樣之概略的剖面圖。

圖5係顯示具清潔功能之面板之一較佳組合態樣及本發明之清潔方法之一態樣的概略圖。

1．．．支持體

2．．．清潔構件

3．．．非黏附性或微黏附性構件

4．．．覆蓋片材

100．．．具清潔功能之面板

Claims

一種基板處理裝置之清潔方法，其特徵在於：其係使具清潔功能之面板通過該基板處理裝置者；上述具清潔功能之面板包含：支持體；清潔構件，其係局部貼附在該支持體之至少一表面上，並藉由黏著劑而形成，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300 mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為0.10 N/20 mm以上；及非黏著性或微黏著性構件，其係貼附在貼附有該清潔構件之表面之其餘部份上，且其厚度相對於上述清潔構件之厚度為90%~110%，並藉由黏著劑而形成者。
如請求項1之清潔方法，其中上述清潔構件及上述非黏著性或微黏著性構件係在上述具清潔功能之面板通過上述基板處理裝置之行進方向上，遍及該具清潔功能之面板之前端至後端而貼附在上述支持體之表面上。
如請求項1之清潔方法，其中上述非黏著性或微黏著性構件之黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300 mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為上述清潔構件之上述黏著力之1/2以下。
如請求項1之清潔方法，其中以上述清潔構件之通過路徑之組合涵蓋所欲清潔之整個區域的方式，使複數片之上述具清潔功能之面板通過上述基板處理裝置。
如請求項1之清潔方法，其中上述基板處理裝置具備基板吸附用平臺。
一種具清潔功能之面板，其包含：支持體；清潔構件，其係局部貼附在該支持體之至少一表面上，並藉由黏著劑而形成，且黏著力(該黏著力係以試驗法JIS Z0237為標準，對矽鏡面晶圓以剝離速度：300 mm/分、剝離角度：90°之條件進行測定)為0.10 N/20 mm以上；及非黏著性或微黏著性構件，其係貼附在貼附有該清潔構件之表面之其餘部份上，且其厚度相對於上述清潔構件之厚度為90%~110%，並藉由黏著劑而形成者。