JP2007311699A - クリーニングシートの製造方法、クリーニング機能付搬送部材の製造方法、および基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】異物除去性能および搬送性能に優れ、かつ、クリーニング層中のシリコーン系化合物に起因する汚染を抑制できるクリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供すること。また、このようなクリーニングシートまたはクリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のクリーニングシートの製造方法は、クリーニング層の特定のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニングシートの製造方法であって、該特定のフラグメントイオンの少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、異物除去性能および搬送性能に優れ、かつ、クリーニング層中のシリコーン系化合物に起因する汚染を抑制できるクリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材の製造方法に関する。また、本発明は、このようなクリーニングシートまたはクリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法に関する。

半導体、フラットパネルディスプレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、異物を嫌う各種の基板処理装置では、各搬送系と基板とを物理的に接触させながら搬送する。その際、基板や搬送系に異物が付着していると、後続の基板をつぎつぎと汚染するため、定期的に装置を停止し、洗浄処理する必要があった。その結果、処理装置の稼動率が低下するという問題や装置の洗浄処理のために多大な労力が必要となるという問題があった。

このような問題を克服するため、板状部材を搬送することにより基板裏面に付着する異物を除去する方法（特許文献１参照）が提案されている。このような方法によれば、基板処理装置を停止させて洗浄処理を行う必要がないので、処理装置の稼動率が低下するという問題は解消される。しかし、この方法では、異物を十分に除去することはできない。

一方、粘着性物質を固着した基板をクリーニング部材として基板処理装置内に搬送することにより、当該処理装置内に付着した異物をクリーニング除去する方法（特許文献２参照）が提案されている。この方法は、特許文献１に記載の方法の利点に加えて異物の除去性にも優れるので、処理装置の稼動率が低下するという問題や装置の洗浄処理のために多大な労力が必要となるという問題はいずれも解消される。

粘着性物質を固着した基板をクリーニング部材として用いる方法においては、該粘着性物質を備えるクリーニング層の汚染防止などのため、また取り扱い性を良くするため、通常、クリーニング層の表面に離型性を有する保護フィルムを貼り合わせている。この保護フィルムとしては、任意の適切なフィルムが採用し得るが、特に離型性に優れるものとして、ポリエステルフィルムなどにシリコーン系の離型処理剤で離型処理したものが一般に用いられている。

ところが、このような保護フィルムを貼り合わせたクリーニング層では、離型処理剤としてのシリコーン系化合物がクリーニング層に移行および／または転写してしまう。このため、クリーニング層からの保護フィルムの剥離後にクリーニング部材を基板処理装置内に搬送して異物を除去しようとすると、上記移行および／または転写したシリコーン系化合物が基板処理装置内の接触部位などに付着し、処理基板の汚染源となり、デバイス特性の低下やパターン異常による不良が多発するという問題が生じる。

クリーニング層中のシリコーン系化合物に起因する汚染が抑制できるレベルの指標として、クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下であるようにすることが報告されている（特許文献３参照）。しかし、シリコーン系の離型処理剤で離型処理した保護フィルムを貼り合わせたクリーニング層では、上記のように離型処理剤としてのシリコーン系化合物がクリーニング層に移行および／または転写してしまい、保護フィルムの剥離後においてクリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えてしまうという問題が生じる。
特開平１１−８７４５８号公報 特開平１０−１５４６８６号公報 特開２００４−３３０１８４号公報

本発明の課題は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層から、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下であるクリーニング層とするための技術手段を見出すことにより、異物除去性能および搬送性能に優れ、かつ、クリーニング層中のシリコーン系化合物に起因する汚染を抑制できるクリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供することにある。また、このようなクリーニングシートまたはクリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供することにある。

本発明者らは鋭意検討した結果、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行うことによって、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明のクリーニングシートの製造方法は、
クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニングシートの製造方法であって、
ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。

好ましい実施形態においては、上記クリーニングシートが備えるクリーニング層は、実質的に粘着力を有しない。

本発明のクリーニング機能付搬送部材の製造方法は、
搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に、クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニング機能付搬送部材の製造方法であって、
ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。

好ましい実施形態においては、上記クリーニング機能付搬送部材が備えるクリーニング層は、実質的に粘着力を有しない。

本発明の別の局面によれば、基板処理装置のクリーニング方法が提供される。この方法は、上記のクリーニングシートあるいはクリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内に搬送することを含む。

本発明によれば、異物除去性能および搬送性能に優れ、かつ、クリーニング層中のシリコーン系化合物に起因する汚染を抑制できるクリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、このようなクリーニングシートまたはクリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供することができる。このような効果は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行うことによって発現することが可能となる。

Ａ．クリーニングシート
図１は、本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニングシートの概略断面図である。このクリーニングシート１００は、支持体１０と、クリーニング層２０とを有する。支持体１０は、目的に応じて省略してもよい。すなわち、クリーニングシートは、クリーニング層単独で構成されてもよい。

上記クリーニングシートは、代表的には、予め保護フィルムが貼り合わせられ、使用時など適切な段階で剥離される。保護フィルムは、代表的にはクリーニング層の形成時や、クリーニング層と搬送部材を貼り合わせる（圧着する）際、クリーニング層の保護を目的として使用される。

保護フィルムは目的に応じて任意の適切なフィルムが採用される。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネートなどからなるプラスチックフィルムやポリイミド、フッ素樹脂フィルムが挙げられる。保護フィルムは、目的に応じて離型処理剤などで離型処理が施されていることが好ましい。離型処理剤は、例えば、シリコーン系化合物、長鎖アルキル系化合物、フッ素系化合物、脂肪酸アミド系化合物、シリカ系化合物を挙げることができる。シリコーン系化合物が特に好ましい。

保護フィルムの厚さは、好ましくは１〜１００μｍである。保護フィルムの形成方法は目的に応じて適宜選択され、例えば、射出成形法、押出成形法、ブロー成形法により形成することができる。

本発明の製造方法で得られるクリーニングシートは、クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える。

本発明において、「飛行時間型２次イオン質量分析」とは、高真空中で高速のイオンビーム（１次イオン）を固体試料表面にぶつけてスパッタリング現象により表面の構成成分をはじき飛ばし、発生する正または負の電荷を帯びたイオン（２次イオン）を電場により一方向に飛ばし、一定距離離れた位置で検出する方法であり、スパッタリング時には試料表面の組成に応じて様々な質量を持つ２次イオンが発生し、軽いイオンほど早く、反対に重いイオンほど遅い速度で飛んでいくため、２次イオンが発生してから検出されるまでの時間（飛行時間）を測定することにより、発生した２次イオンの質量を計算することができる。

従来の質量分析では、イオン化の際に有機化合物が完全にバラバラになり、質量スペクトルから得られる化学構造の情報は乏しくなる。これに対し、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」では、１次イオンの照射量が少なくてよく、有機化合物は化学構造を保った状態でイオン化し、質量スペクトルから有機化合物の構造を知ることができる。また、固体試料表面の最も外側で発生した２次イオンのみが真空中へ飛び出すため、試料の最表面（深さ数オングストローム程度）の情報を得ることができる。さらに、このようにイオンを検出する方法は、電子や光を検出する方法に比べ、感度が良く、表面に存在するｐｐｍオーダーの微量成分を検出でき、また１次イオンビームを走査することで試料表面のイオン像（マッピング）を測定できる。

本発明の製造方法で得られるクリーニングシートが備えるクリーニング層において、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度が０．１以下であることにより、クリーニング層中に存在するシリコーン系化合物に起因するが装置汚染の問題を効果的に防止することが可能となる。上記特定のフラグメントイオンの相対強度は、好ましくは０．０７以下、より好ましくは０．０５以下である。

なお、本発明において、上記のＳｉ元素含有の各フラグメントイオンは、それぞれ、下記の化学構造式で表されるものである。

本発明の製造方法で得られるクリーニングシートが備えるクリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下であるようにするために、本発明の製造方法は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。

本発明において、クリーニング層に行うプラズマ処理は、シリコーン系化合物を除去できる処理であれば、任意の適切なプラズマ処理を採用し得る。プラズマ種としては、例えば、窒素、酸素、アルゴン、水素などを使用することができる。

本発明においては、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度が０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行うことによって、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度を０．１以下とすることが可能となり、クリーニング層中に存在するシリコーン系化合物に起因するが装置汚染の問題を効果的に防止することが可能となる。

クリーニング層２０は、その表面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ以下であり、かつ、最大高さＲｚが１．０μｍ以下である凹凸形状を有する。このような算術平均粗さおよび最大高さを有することで、クリーニング層２０は、平滑表面に比べて顕著に大きい表面積を有し、かつ、凹凸の大きさ（深さ）が小さい表面形状を有する。クリーニング層がこのような特定の表面形状を有することにより、所定の粒子径（代表的には、０．２〜２．０μｍ）を有する異物をきわめて効率的に除去することができる。算術平均粗さＲａは、好ましくは０．０４μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以下である。一方、算術平均粗さＲａの下限は、好ましくは０．００２μｍ、さらに好ましくは０．００４μｍである。最大高さＲｚは、好ましくは０．８μｍ以下、さらに好ましくは０．７μｍ以下である。一方、最大高さＲｚの下限は、好ましくは０．１μｍ、さらに好ましくは０．２μｍ、特に好ましくは０．３μｍである。算術平均粗さおよび最大高さはいずれも、ＪＩＳ Ｂ０６０１に規定されている。算術平均粗さおよび最大高さは、例えば、以下の手順で測定される：触針式表面粗さ測定装置（Ｔｅｎｃｏｒ社製、商品名Ｐ−１１）において、先端部の曲率が２μｍのダイヤモンド製触針を用い、針押し付け力５ｍｇ、測定スピード１μｍ／秒（測定長さ１００μｍ）、サンプリング周期２００Ｈｚでデータを取り込む。算術平均粗さは、カットオフ値２５〜８０μｍとして算出する。

上記クリーニング層の平面１ｍｍ^２あたりの実質表面積は、シリコンウェハミラー面の平面１ｍｍ^２あたりの実質表面積に対して、好ましくは１５０％以上、さらに好ましくは１６０％以上、最も好ましくは１７０％以上である。一方、上記クリーニング層の平面１ｍｍ^２あたりの実質表面積は、シリコンウェハミラー面の平面１ｍｍ^２あたりの実質表面積に対して、好ましくは２２０％以下、さらに好ましくは２００％以下である。このような表面粗さを有することにより、所定の粒子径（代表的には０．２μｍ以上、好ましくは０．２〜２．０μｍ）を有する異物をきわめて効率的に除去することができる。平面１ｍｍ^２あたりの実質表面積は、例えば、以下の手順で測定される：超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＶＫ−９５００）を用い、サンプルは８インチのシリコンウェハ上、ガラス上またはフィルム上にクリーニング層を形成したものを用い、測定位置は中心から１０ｍｍ、５０ｍｍおよび９０ｍｍの位置、測定面積は１ｍｍ×１ｍｍで、３箇所の平均値をその表面積とした。

上記のような表面形状（表面粗さ）を有する限りにおいて、クリーニング層２０の凹凸形状としては、任意の適切な形状が採用され得る。凹凸形状の具体例としては、溝形状、ストライプ形状、突起形状、窪み（ディンプル）形状、紙やすり表面のようなざらついた表面形状が挙げられる。溝形状が好ましい。理論的には明らかではないが、異物除去性能に優れるからである。

上記クリーニング層の引張弾性率は、クリーニング部材の使用温度領域において好ましくは０．５ＭＰａ以上、さらに好ましくは１〜１０００ＭＰａである。引張弾性率がこのような範囲であれば、異物除去性能と搬送性能のバランスに優れたクリーニング部材が得られる。１つの実施形態においては、引張弾性率は、０．９８〜４９００ＭＰａである。このような場合には、フラットパネルディスプレイ用基板処理装置のクリーニングにおいて顕著な効果が得られる。なお、引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準じて測定される。

上記クリーニング層は、例えばシリコンウェハのミラー面に対する１８０度引き剥がし粘着力が、好ましくは０．２Ｎ／１０ｍｍ幅以下、さらに好ましくは０．０１〜０．１０Ｎ／１０ｍｍ幅である。このような範囲であれば、クリーニング層は、良好な異物除去性能および搬送性能を有する。１８０度引き剥がし粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて測定される。

上記クリーニング層の厚みは、好ましくは０．１〜２ｍｍ、さらに好ましくは０．２〜１ｍｍである。このような厚みであれば、クリーニング層単独でも搬送可能でかつ異物除去可能となるような自己支持性が得られる。また、クリーニングシートが支持体を有する場合のクリーニング層の厚みは、好ましくは５〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍである。このような範囲であれば、異物の除去性能と搬送性能のバランスに優れたクリーニング部材が得られる。

上記クリーニングシートが備えるクリーニング層は、好ましくは、実質的に粘着力を有しない。ここで、実質的に粘着性を有しないとは、粘着の本質を滑りに対する抵抗である摩擦としたとき、粘着性の機能を代表する感圧性タックがないことを意味する。この感圧性タックは、たとえばＤａｈｌｑｕｉｓｔの基準にしたがうと、粘着性物質の弾性率が１ＭＰａまでの範囲で発現するものである。

次に、クリーニング層２０を構成する材料について説明する。クリーニング層を構成する材料としては、目的や凹凸の形成方法に応じて任意の適切な材料が採用され得る。クリーニング層を構成する材料の具体例としては、耐熱性樹脂、エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。クリーニング層は任意の適切な方法によって形成すれば良い。例えば、基材上に樹脂をコーティングする方法、樹脂層を別途形成してから基材上に貼着する方法などが挙げられる。

上記耐熱性樹脂としては、基板処理装置を汚染する物質を含まない樹脂が好ましい。このような樹脂としては、例えば、半導体製造装置に使用されるような耐熱性樹脂が挙げられる。具体例としては、ポリイミド、フッ素樹脂が挙げられる。ポリイミドが好ましい。凹凸を形成する場合における操作性に優れるからである。

好ましくは、上記ポリイミドは、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体骨格を主鎖中に有するポリアミック酸をイミド化して得ることができる。当該ポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを実質的に等モル比にて任意の適切な有機溶媒中で反応させて得ることができる。

上記テトラカルボン酸二無水物成分としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記ジアミン成分としては、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体骨格を有するジアミンが挙げられる。具体例としては、下記化学式で表される脂肪族ジアミンが挙げられる。このような脂肪族ジアミンは、単独で用いてもよく、他のジアミンと併用してもよい。併用されるジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１２−ジアミノドデカン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが挙げられる。

上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応に用いられる有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。原材料等の溶解性を調整するために、非極性溶媒（例えば、トルエンや、キシレン）を併用してもよい。

上記テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応温度は、特にブタジエン−アクリロニトリル共重合体骨格含むジアミンを用いる場合には、好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１１０〜１５０℃である。このような反応温度であれば、ゲル化が防止できる。その結果、反応系中にゲル分が残留することがないので、ろ過時の目詰まり等が防止され、反応系からの異物の除去が容易となる。さらに、このような反応温度であれば、均一な反応が実現されるので、得られる樹脂の特性のばらつきを防止できる。

上記ポリアミック酸のイミド化は、代表的には不活性雰囲気（代表的には、真空または窒素雰囲気）下で加熱処理することにより行われる。加熱処理温度は、好ましくは１５０℃以上、さらに好ましくは１８０〜４５０℃である。このような温度であれば、樹脂中の揮発成分を実質的に完全に除去することができる。また、不活性雰囲気で処理することにより、樹脂の酸化や劣化を防止することができる。

上記エネルギー線硬化性樹脂は、代表的には、粘着性物質、エネルギー線硬化性物質およびエネルギー線硬化開始剤を含む組成物である。

上記粘着性物質としては、目的に応じて任意の適切な粘着性物質が採用される。粘着性物質の重量平均分子量は、好ましくは５０〜１００万、さらに好ましくは６０〜９０万である。なお、粘着剤性物質は、架橋剤、粘着付与剤、可塑剤、充点剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を配合したものであってもよい。
１つの実施形態においては、粘着性物質として、感圧接着性ポリマーが用いられる。感圧接着性ポリマーは、クリーニング層の凹凸形成にノズル法（後述）を用いる場合に好適に用いられる。感圧接着性ポリマーの代表例としては、（メタ）アクリル酸および／または（メタ）アクリル酸エステルなどのアクリル系モノマーを主モノマーとしたアクリル系ポリマーが挙げられる。アクリル系ポリマーは、単独でまたは組み合わせて用いられる。必要に応じて、アクリル系ポリマーの分子内に不飽和二重結合を導入して、このアクリル系ポリマー自体にエネルギー線硬化性を付与してもよい。不飽和二重結合を導入する方法としては、例えば、アクリル系モノマーと分子内に不飽和二重結合を２個以上有する化合物とを共重合する方法、アクリル系ポリマーと分子内に不飽和二重結合を２個以上有する化合物の官能基同士を反応させる方法が挙げられる。

別の実施形態においては、粘着性物質として、ゴム系やアクリル系、ビニルアルキルエーテル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリアミド系、ウレタン系やスチレン・ジエンブロック共重合体系、融点が約２００℃以下等の熱溶融性樹脂を配合してクリープ特性を改良した粘着剤(例えば特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報)などが用いられる。これらは、単独でまたは組み合わせて用いられる。これらの粘着剤は、フラットパネルディスプレイ基板処理装置のクリーニング部材に好適に用いられる。

より具体的には、上記粘着剤は、好ましくは、天然ゴムや各種の合成ゴムをベースポリマーとするゴム系粘着剤；あるいは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基やヘキシル基、ヘプチル基や２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基の如き炭素数が２０以下のアルキル基を有するアクリル酸やメタクリル酸等のエステルからなるアクリル酸系アルキルエステルの１種又は２種以上を用いたアクリル系共重合体をベースポリマーとするアクリル系粘着剤である。

上記アクリル系共重合体としては、目的に応じて任意の適切なアクリル系共重合体が用いられる。当該アクリル系共重合体は、必要に応じて、凝集力や耐熱性や架橋性等を有してもよい。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシルエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イコタン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸の如きカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イコタン酸の如き酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルメタアクリレートの如きヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドの如き（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルの如き（メタ）アクリル酸アルキリアミノ系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルの如き（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドの如きマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドの如きイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドの如きスクシンイミド系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ブニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、スチレン、α−メチルスチレン、Ｎ−ビニルカプロラクタムの如きビニル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルの如きシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルの如きエポキシ基含有アクリル系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールの如きグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレート、２−メトキシエチルアクリレートの如きアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートの如き多官能モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレン、ビニルエーテル等の適宜なモノマー；等の２種以上の共重合が挙げられる。これらのモノマーの配合比等は、目的に応じて適宜設定される。

上記エネルギー線硬化性物質としては、エネルギー線（好ましくは光、さらに好ましくは紫外線）によって上記粘着性物質と反応し、三次元網目構造を形成する際の架橋点（分岐点）として機能し得る任意の適切な物質が採用され得る。エネルギー線硬化性物質の代表例としては、分子内に不飽和二重結合を１個以上有する化合物（以下、重合性不飽和化合物という）が挙げられる。好ましくは、重合性不飽和化合物は、不揮発性で、かつ重量平均分子量が１０，０００以下、さらに好ましくは５，０００以下である。このような分子量であれば、上記粘着性物質が効率よく三次元網目構造を形成し得る。エネルギー線硬化性物質の具体例としては、フェノキシポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリレ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ─ト、ポリエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、ポリプロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、トリメチロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─ト、ジペンタエリスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─ト、ウレタン（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）アクリレ─ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─ト、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート，１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートなどが挙げられる。これらは、単独でまたは組み合わせて用いられる。エネルギー線硬化性物質は、上記粘着性物質1００重量部に対して、好ましくは０．１〜５０重量部の割合で用いられる。

また、エネルギー線硬化性物質としてエネルギー線硬化性樹脂を用いてもよい。エネルギー線硬化性樹脂の具体例としては、分子末端に（メタ）アクリロイル基を有するエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、メラミン（メタ）アクリレート、アクリル樹脂（メタ）アクリレート、分子末端にアリル基を有するチオール−エン付加型樹脂や光カチオン重合型樹脂、ポリビニルシンナマートなどのシンナモイル基含有ポリマー、ジアゾ化したアミノノボラック樹脂やアクリルアミド型ポリマーなど、感光性反応基含有ポリマーあるいはオリゴマーなどが挙げられる。さらに、エネルギー線で反応するポリマーとしては、エポキシ化ポリブタジエン、不飽和ポリエステル、ポリグリシジルメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリビニルシロキサン等が挙げられる。これらは単独で、または組み合わせて用いられる。エネルギー線硬化性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは５０〜１００万、さらに好ましくは６０〜９０万である。

上記エネルギー線硬化開始剤としては、目的に応じて任意の適切な硬化開始剤（重合開始剤）が採用され得る。例えば、エネルギー線として熱を用いる場合には熱重合開始剤が用いられ、エネルギー線として光を用いる場合には光重合開始剤が用いられる。熱重合開始剤の具体例としては、ベンゾイルパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリルが挙げられる。光重合開始剤の具体例としては、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどのベンゾインエーテル；アニソールメチルエーテルなどの置換ベンゾインエーテル；２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシーシクロヘキシルーフェニルケトンなどの置換アセトフェノン；ベンジルメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタールなどのケタール；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、シメチルチオキサントンなどのキサントン；ベンゾフェノン、ミヒラーズケトンなどのベンゾフェノン；２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノンなどの置換アルファーケトール；２−ナフタレンスルフォニルクロライドなどの芳香族スルフォニルクロライド；１−フェニル−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）−オキシムなどの光活性オキシム；ベンゾイル；シベンジル；α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン；２−ヒドロキシメチルフェニルプロパンが挙げられる。エネルギー線硬化開始剤は、エネルギー線硬化性物質1００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部の割合で用いられる。

上記クリーニング層を構成する材料は、目的に応じて任意の適切な添加剤をさらに含有し得る。添加剤の具体例としては、界面活性剤、可塑剤、酸化防止剤、導電性付与材、紫外線吸収剤、光安定化剤が挙げられる。用いる添加剤の種類および／または量を調整することにより、目的に応じた所望の特性を有するクリーニング層が得られ得る。例えば、添加剤の添加量は、上記粘着性物質１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１００重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部である。

上記エネルギー線としては、目的に応じて任意の適切なエネルギー線が採用され得る。具体例としては、紫外線、電子線、放射線、熱等が挙げられる。好ましくは、紫外線である。紫外線の波長は、目的に応じて適宜選択され、好ましくは、中心波長が３２０〜４００ｎｍである。紫外線発生源としては、高圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、ディープＵＶランプ等が挙げられる。紫外線積算光量は目的に応じて適宜設定される。具体的には、紫外線積算光量は、好ましくは１００〜８０００ｍＪ/ｃｍ²であり、さらに好ましくは５００〜５０００ｍＪ/ｃｍ²である。

上記エネルギー線は、クリーニング層形成用材料（エネルギー線硬化性樹脂）全体に照射してもよく、所定の位置に選択的に照射してもよい。照射部分と非商社部分の面積比は、目的に応じて適宜設定され得る。例えば、装置内搬送性を重視する場合は、照射部分の面積比を相対的に高くすることで、装置内搬送性を高めればよい。逆に装置内搬送性よりも異物捕集性を重視する場合は、非照射部分の面積比を相対的に高くすることで、異物捕集性を高めればよい。面積比を調整することにより、異物捕集性能および搬送性能が所望のバランスを有するクリーニング層を得ることができる。選択的にエネルギー線照射を施す方法としては、目的に応じて任意の適切な方法が採用される。例えば、エネルギー線遮光性材料を用いて所定のパターンのマスクを作製し、そのマスクを介してエネルギー線照射を行う方法；クリーニング層側のセパレータに予め部分的にエネルギー線遮光印刷を施したものを使用し、該クリーニング層側のセパレータを介してエネルギー線照射を施す方法が挙げられる。また、エネルギー線を遮光するパターンは、目的に応じて適宜設定され得る。具体例としては、格子状、水玉状、市松状、モザイク状が挙げられる。

上記クリーニング層の凹凸形状の形成方法としては、任意の適切な方法が採用し得る。例えば、上記のクリーニング層形成用材料をノズルから吐出して形成する方法、剥離ライナーを用いて転写して形成する方法などが挙げられる。

上記支持体１０は、クリーニングシート１００を搬送可能に支持する。支持体１０の厚さは適宜選択でき、好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは３〜３００μｍ、最も好ましくは５〜２５０μｍである。支持体の表面は、隣接する層との密着性，保持性などを高めるために、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的または物理的処理，下塗剤（例えば、上記粘着性物質）によるコーティング処理が施されていてもよい。なお、支持体は単層であっても多層体であってもよい。

支持体１０は、目的に応じて任意の適切な支持体が採用される。例えば、エンジニアリングプラスチックやスーパーエンジニアリングプラスチックのフィルムが挙げられる。エンジニアリングプラスチックおよびスーパーエンジニアリングプラスチックの具体例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、アセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリアミドが挙げられる。分子量などの諸物性は、目的に応じて適宜選択され得る。また、支持体の成形方法は目的に応じて適宜選択される。

Ｂ．クリーニング機能付搬送部材
図２は、本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング機能付搬送部材の概略断面図である。図２に示すように、クリーニング機能付搬送部材２００は、搬送部材５０と、搬送部材５０の少なくとも片面（図示例では片面）にクリーニング層２０とを有する。すなわち、この実施形態においては、クリーニング層２０が搬送部材５０上に直接形成されている。このようなクリーニング機能付搬送部材を装置内で搬送し、被洗浄部位に接触・移動させることにより、上記装置内に付着する異物による搬送トラブルを生じることなく簡便かつ確実にクリーニング除去することができる。

上記搬送部材５０としては、異物除去の対象となる基板処理装置の種類に応じて任意の適切な基板が用いられる。具体例としては、半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）、ＬＣＤ、ＰＤＰなどのフラットパネルディスプレイ用基板、コンパクトディスク、ＭＲヘッドなどの基板が挙げられる。

上記クリーニング機能付搬送部材におけるクリーニング層２０については、上記Ａ項におけるクリーニング層の説明が援用できる。

上記クリーニング機能付き搬送部材は、搬送部材上にクリーニングシートを貼り合わせて製造しても良いし、搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を直接設けて製造しても良い。すなわち、クリーニング層の材料としての上記Ａ項で説明した硬化型の樹脂組成物や、耐熱性を有する高分子樹脂を塗布し、活性エネルギー源により硬化させたり、乾燥後に高温で熱処理させたりするなどの方法にて、クリーニング層を形成してもよい。このクリーニング層の形成後または形成過程で、好ましくは、このクリーニング層上に上記Ａ項で説明した保護フィルムを貼り合わせる。

本発明の製造方法で得られるクリーニング機能付搬送部材は、搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に、クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える。

本発明の製造方法で得られるクリーニング機能付搬送部材が備えるクリーニング層において、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度が０．１以下であることにより、クリーニング層中に存在するシリコーン系化合物に起因するが装置汚染の問題を効果的に防止することが可能となる。上記特定のフラグメントイオンの相対強度は、好ましくは０．０７以下、より好ましくは０．０５以下である。

本発明の製造方法で得られるクリーニング機能付搬送部材が備えるクリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下であるようにするために、本発明の製造方法は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。

本発明において、クリーニング層に行うプラズマ処理は、シリコーン系化合物を除去できる処理であれば、任意の適切なプラズマ処理を採用し得る。プラズマ種としては、例えば、窒素、酸素、アルゴン、水素などを使用することができる。

本発明においては、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度が０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行うことによって、上記「飛行時間型２次イオン質量分析」による上記特定のフラグメントイオンの相対強度を０．１以下とすることが可能となり、クリーニング層中に存在するシリコーン系化合物に起因するが装置汚染の問題を効果的に防止することが可能となる。

Ｃ．クリーニング方法
本発明の好ましい実施形態によるクリーニング方法は、本発明の製造方法で得られる上記クリーニングシートまたはクリーニング機能付搬送部材を所望の基板処理装置内に搬送して、その被洗浄部位に接触させることにより、当該被洗浄部位に付着した異物を簡便かつ確実にクリーニング除去することができる。

上記クリーニング方法により洗浄される基板処理装置は、特に限定されない。基板処理装置の具体例としては、本明細書ですでに記載した装置に加えて、回路形成用の露光照射装置、レジスト塗布装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ドライエッチング装置、ウェハプローバなどの各種の製造装置や検査装置、さらに、オゾンアッシャー、レジストコーター、酸化拡散炉、常圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置などの高温下で使用される基板処理装置などが挙げられる。

以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。また、実施例における「部」は重量基準である。

〈引張弾性率〉
ＪＩＳ Ｋ７１２７に準じて測定した。具体的には、所定の基材上にクリーニング層を形成した後、当該クリーニング層を剥離し、動的粘弾性測定装置を用いて測定した。

〈フラグメントイオンの相対強度測定〉
クリーニング層表面を飛行時間型２次イオン質量分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ製の「ＴＲＩＦＴII」）を用い、測定条件として、１次イオンを^６９Ｇａ^＋、加速電圧を１５ｋＶ、測定面積を１００μｍ角とし、帯電補正用電子銃を用い、各フラグメントイオンについて得られたイオン強度から、相対強度として、正イオンについてはＣ_２Ｈ_３
^＋ 比、負イオンについてはＯ⁻比として求めた。

アクリル酸２−エチルへキシル７５部、アクリル酸メチル２０部、アクリル酸５部のモノマー混合物から得たアクリル系ポリマーＡ（重量平均分子量７０万）１００部に、ポリエチレングリコール２００ジメタクリレート（新中村化学社製の商品名「ＮＫエステル４Ｇ」）２００部、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業社製の商品名「コロネートＬ」）３部、エポキシ系化合物（三菱瓦斯化学社製の商品名「テトラッドＣ」）２部、光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール（チバ・スペシャリティケミカルズ社製の商品名「イルガキュアー６５１）３部を、均一に混合し、紫外線硬化型の樹脂組成物Ａとした。

これとは別に、温度計、攫拝機、窒素導入管、還流冷却管を備えた、内容量が５００ｍｌの３つ口フラスコ型反応器内に、アクリル酸２−エチルへキシル７３部、アクリル酸ｎ−ブチル１０部、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド１５部、アクリル酸５部、重合開始剤として２，２´−アゾビスイソブチロニトリル０．１５部、酢酸エチル１００部を、全体が２００ｇになるように配合して投入し、窒素ガスを約１時間導入しながら撹拌し、内部の空気を窒素で置換した。

その後、内部の温度を５８℃にし、この状態で約４時間保持して重合を行い、粘着剤ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液１００部に、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業社製の商品名「コロネートＬ」）３部を、均一に混合し、粘着剤溶液Ａを調製した。

片面がシリコーン系離型処理剤により離型処理された長尺ポリエステルフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム社製の商品名「ＭＲＦ５０Ｎ１００」、厚さ５０μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレータＡのシリコーン剥離処理面に、上記の粘着剤溶液Ａを乾燥後の厚さが１５μｍとなるように塗布し、乾燥したのち、その粘着剤層上に支持体として長尺ポリエステルフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム社製の商品名「Ｎ１００Ｃ２５」、厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層した。

さらに、そのフィルム上に上記の紫外線硬化型の樹脂組成物Ａを、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように塗布、乾燥して、樹脂層を設けるとともに、その表面に、片面がシリコーン系離型処理剤により離型処理された長尺ポリエステルフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム社製の商品名「ＭＲＦ２５Ｎ１００」、厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）からなる離型性を有する保護フィルムＡを貼り合わせて、積層シートＡとした。

この積層シートＡに対して、中心波長３６５ｎｍの紫外線を積算光量１，０００ｍＪ／ｃｍ^２で照射して、重合硬化した樹脂層からなるクリーニング層を有するクリーニングシートＡを作製した。

このクリーニングシートＡのクリーニング層側の保護フィルムＡを剥がし、シリコンウェハ（ミラー面）に対する１８０°引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて測定）を調べた結果、０．０６Ｎ／１０ｍｍであった。また、このクリーニング層の引張り強さ（引張弾性率：試験法ＪＩＳ
Ｋ７１２７に準じて測定）は４４０ＭＰａであった。

さらに、上記クリーニング層の特定フラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）を、飛行時間型２次イオン質量分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社製の「ＴＲＩＦＴII」）を用いて、測定した。その結果は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋：０．９３、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋：０．１５、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋：１．２、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋：０．３５、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋：０．３７、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻：０．００６４、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻：０．００３３、Ｓｉ^＋：２．９であった。

このクリーニングシートＡの粘着剤層側のセパレータＡを剥がし、ハンドローラで８インチシリコンウェハのミラー面に貼り付け、クリーニング機能付き搬送部材Ａを作製した。

レーザー表面検査装置にて、新品の８インチシリコンウェハ２枚のミラー面の０．２μｍ以上の異物を測定したところ、それぞれ、５個、８個であった。これらのシリコンウェハを、別々の真空吸着機構を有するレジスト露光装置（ＡＳＭＬ社製）に、ミラー面を下側に向けて搬送したのち、レーザー表面検査装置によりミラー面を測定したところ、８インチウェハサイズのエリア内で、０．２μｍ以上の異物は、それぞれ、１，２０８個、１，６６９個であった。

上記のクリーニング機能付き搬送部材Ａを、そのクリーニング層側の保護フィルムＡを剥がして、そのクリーニング層面をプラズマ処理装置（ヒラノ光音社製、型式：ＮＤＫ１０１ＭＢ）にて、窒素雰囲気下、圧力１５Ｐａ、出力７００Ｗ、電力密度０．７８Ｗ／ｃｍ^２、処理時間１０分、入力エネルギー４７０Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ^２で処理をした。

次に、上記クリーニング層の特定フラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）を、飛行時間型２次イオン質量分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社製の「ＴＲＩＦＴII」）を用いて、測定した。その結果は、ＣＨ_３Ｓｉ^＋：０．００１、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋：０．００１、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋：０．００００９、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋：０．００００２、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋：０．００００８、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻：０．００００１、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻：０．００００１１、Ｓｉ^＋：０．００００９であった。

上記の１，２０８個の異物が付着していたウェハステージを持つレジスト露光装置に、上記プラズマ処理を行ったクリーニング機能付き搬送部材Ａを、搬送したところ、支障なく搬送できた。この操作を５回繰り返した。その後に、新品の８インチシリコンウェハを、ミラー面を下側に向けて搬送し、レーザー異物検査装置で０．２μｍ以上の異物を測定した。その結果、初期に対して９０％の異物を除去できていた。また、その後、製品ウェハの処理を行ったが、製品ウェハはシリコーン汚染されることなく、なんの問題もなく作製できることが判明した。
〔比較例１〕

上記の１，６６９個の異物が付着していたウェハステージを持つレジスト露光装置に、クリーニング機能付き搬送部材Ａを、そのクリーニング層側の保護フィルムＡを剥がして、プラズマ処理を行わずに搬送したところ、支障なく搬送できた。この操作を５回繰り返した。その後に、新品の８インチシリコンウェハを、ミラー面を下側に向けて搬送し、レーザー異物検査装置で０．２μｍ以上の異物を測定した。その結果、初期に対して７０％の異物を除去できていた。
ところが、その後、製品ウェハを処理したところ、装置がシリコーンにより汚染されていたため、揮発したシリコーンが粒状に凝集し、意図しないマスクとなり、パターン異常が多発した。このため、装置のシリコーン汚染を除去するため、装置を稼動停止させ、清掃するなど、多大な労力が必要となった。

本発明の製造方法により得られるクリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材は、各種の製造装置や検査装置のような基板処理装置のクリーニングに好適に用いられる。

本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニングシートの概略断面図である。 本発明の好ましい実施形態により得られるクリーニング機能付搬送部材の概略断面図である。

符号の説明

１０ 支持体
２０ クリーニング層
５０ 搬送部材
１００ クリーニングシート
２００ クリーニング機能付搬送部材

Claims (5)

1. クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニングシートの製造方法であって、
   ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む、クリーニングシートの製造方法。
2. 前記クリーニングシートが備えるクリーニング層は、実質的に粘着力を有しない、請求項１に記載の製造方法。
3. 搬送部材と、該搬送部材の少なくとも片面に、クリーニング層のＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニング機能付搬送部材の製造方法であって、
   ＣＨ_３Ｓｉ^＋、Ｃ_３Ｈ_９Ｓｉ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_２Ｏ^＋、Ｃ_５Ｈ_１５Ｓｉ_３Ｏ_３ ^＋、Ｃ_７Ｈ_２１Ｓｉ_３Ｏ_２ ^＋、ＣＨ_３ＳｉＯ⁻、ＣＨ_３ＳｉＯ_２ ⁻、Ｓｉ^＋の少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３ ^＋比、負イオンはＯ⁻比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む、クリーニング機能付搬送部材の製造方法。
4. 前記クリーニング機能付搬送部材が備えるクリーニング層は、実質的に粘着力を有しない、請求項３に記載の製造方法。
5. 請求項１または２に記載の製造方法により得られるクリーニングシートあるいは請求項３または４に記載の製造方法により得られるクリーニング機能付搬送部材を基板処理装置内に搬送することを含む、基板処理装置のクリーニング方法。
   

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