TWI481450B - 具有清潔功能之搬送構件及基板處理設備之清潔方法 - Google Patents

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TWI481450B
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Description

具有清潔功能之搬送構件及基板處理設備之清潔方法
本發明係有關一種清潔各種基板處理設備之片材，該設備容易受到異物的影響，例如半導體、平板顯示器、印刷電路板等製造或檢驗用裝置；關於一種使用此種清潔片材清潔基板處理設備之方法以及經由使用該清潔方法清潔之基板處理設備。
於各種基板處理設備，多種搬送系統及基材係彼此實體接觸而搬送。在此程序中，當基材或搬送系統有異物附著時，則隨後基材將循序受污染。使得基板處理設備的操作經常需要停機清潔，造成操作效率下降或耗費更多勞力成本。
為了解決此等問題，曾經提出一種方法，包含將一具有沾黏性材料固定於其上之基材搬送入基板處理設備，來由基板處理設備內部去除異物(專利參考文獻1)；以及一種方法包含搬送一平坦構件來由基材背面去除異物(專利參考文獻2)。此等方法可免除基板處理設備停機清潔的需要，不會造成操作效率的下降，也無需過多勞力成本。特別前一方法之異物去除能力較優異。
前述所提出之方法中，特別是前者之方法，其異物去除能力較為優異，亦即該方法涉及使用沾黏材料，一般實施方式係將可離型保護膜層合於清潔層表面上，以防清潔層污染或獲得更佳操控性。有多種此等保護膜。至於具有絕佳離型性之保護膜，廣泛使用例如經以聚矽氧為主之離型性提供劑處理之聚酯薄膜。
但包含此種保護膜之清潔構件之缺點為作為離型性提供劑之聚矽氧化合物移動且轉印至清潔層。當清潔構件之保護膜撕離而搬送入基板處理設備，以基板處理設備內部去除異物時，清潔層之離型性提供劑附著於裝置的接觸部分或任何接觸區，造成裝置污染。結果產物晶圓受污染，造成裝置品質的低劣，因而導致出現缺陷。
前者之方法也有缺點，其在於當搬送裝置內部加熱至100℃或於高度真空(10-9 托耳)時，沾黏材料產生大量揮發性氣體，污染裝置內部或降低真空度，偶爾造成難以簡單方便去除異物。
特別基板處理設備大部分係於內部維持於高度真空下操作，例如基板處理設備於電漿蝕刻裝置、濺鍍裝置、乾蝕刻裝置、反應性離子蝕刻裝置、CVD裝置等操作。因此當此等裝置藉前一方法清潔時，真空度降低。
[專利參考文獻1]
JP-A-10-154686(第2至4頁)
[專利參考文獻2]
JP-A-11-87458(第2至3頁)
本發明之目的係提供一種清潔構件，其當搬送入基板處理設備內部來由裝置內部去除異物時，極少因聚矽氧的移動及轉印至清潔層而造成基板處理設備的污染。
此等情況下，本發明之另一目的係提供一種具有清潔功能之搬送構件，其極少因搬送構件造成基板處理設備的真空度下降，且當搬送入基板處理設備來由裝置內部去除異物時，可進行簡單且牢靠之異物去除。
申請人先研究有關當保護膜由清潔層撕離時附著於清潔層之聚矽氧量是否超過前述目標。之後，申請人了解使用一種清潔構件其吸引聚矽氧量以聚二甲基矽氧烷當量表示為0.005克/平方米或以下，可免除裝置被聚矽氧污染。此項資訊被提出作為一項發明(日本專利申請案2001-386708)。
但隨後發明人研究顯示即使使用前文提出之清潔構件，仍然無法確實避免偶爾因聚矽氧移動且轉印至清潔層所造成的裝置污染。發明人進一步研究來消除該現象的起因。結果了解多種聚矽氧可能移動且轉印至清潔層，當聚矽氧附著量(以聚二甲基矽氧烷當量表示)單純藉尋常分析方法限制時，偶爾無法確切避免裝置受到聚矽氧的污染。
發明人基於此項資訊進行更徹底之實驗研究。結果了解當已經移動且轉印至清潔層的聚矽氧種類係藉飛行時間式二次離子質譜術(time-of-flight secondary ion mass spectrometry)分析，來測定衍生自聚矽氧之特定離子碎片相對強度，且該相對強度係限於特定值或特定值以下時，可確實防止裝置受到聚矽氧污染，因此可進一步防止裝置性質受產物晶圓污染的劣化。如此完成本發明。
本案申請人早已了解如前述之高度真空基板處理設備中真空度的降低係因搬運構件清潔層所含之脂肪族成分或芳香族成分、溶劑成分作為污染物、以及增塑劑成分如反丁烯二酸酯所致。因此具有氣體氣化程度限於特定值或以下之清潔構件被提出申請為發明(日本專利申請案2000-349972)。
但發明人隨後研究顯示即使使用前文提出之清潔構件，於清潔構件搬送入高度真空基板處理設備以供由裝置去除異物時，仍然因清潔構件造成高度真空基板處理設備的真空度降低，偶爾甚至造成該基板處理設備無法使用。
高度真空基板處理設備之真空度降低的起因進一步對該起因做研究。結果了解高度真空基板處理設備之真空度降低的起因非僅限於前文提出之脂肪族成分或芳香族成分、溶劑成分及增塑劑成分，高度真空基板處理設備之真空度降低也係歸因於高度真空氣化的水含量。
基於此項了解，發明人經由加熱清潔層等，降低其常態水分吸收率、或縮小清潔層厚度等，俾減少其絕對水含量，來儘可能減少於高度真空將氣化的水含量。結果發現此等辦法可抑制當清潔構件搬送於高度真空時可能出現的高度真空基板處理設備之真空度降低。也發現藉下述辦法，經由限制真空艙於預定溫度之真空度(該真空度於清潔構件置於其中時已經暫時下降)幾乎返回原先數值所需時間，可確切發揮此種抑制效果，可抑制於實際高度真空基板處理設備的真空度的降低，因此單純確實由基板處理設備內部去除異物。如此完成本發明。
換言之，本發明具有下列組成。
(1)一種清潔片材，包含一清潔層以及一可離型保護膜層合於該清潔層上，其中當保護膜由清潔層撕離時，於清潔層之CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之離子碎片之相對強度，根據飛行時間式二次離子質譜術，於陽離子之例相對於C2 H3 + ，或於陰離子之例相對於O- 之相對強度個別為0.1或0.1以下。
(2)根據如上第(1)項之清潔片材，其中該清潔層實質不具有黏著強度。
(3)根據如上第(1)或(2)項之清潔片材，其進一步包含一支承體，其中該清潔層係設置於該支承體上。
(4)根據如上第(3)項之清潔片材，其進一步包含一黏著層設置於該黏著層之對側，其中該支承體具有清潔層設置於其一側。
(5)一種具有清潔功能之搬送構件，包含一搬送構件以及一種如上第(4)項定義之清潔片材透過黏著層而積層於該搬送構件上。
(6)根據如上第(1)、(2)及(4)項中任一項之清潔片材，其中該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
(7)根據如上第(5)項之搬送構件，其中該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
(8)一種具有清潔功能之搬送構件，包含一搬送構件以及一清潔層設置於該搬送構件之至少一側上，其中當保護膜由清潔層撕離時，於清潔層之CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之離子碎片之相對強度，根據飛行時間式二次離子質譜術，於陽離子之例相對於C2 H3 + 、或於陰離子之例相對於O- 之相對強度個別為0.1或0.1以下。
(9)根據如上第(8)項之搬送構件，其中該清潔層實質不具有黏著強度。
(10)根據如上第(8)或(9)項之搬送構件，其中該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
(11)一種具有清潔功能之搬送構件，包含一搬送構件以及一清潔層設置於該搬送構件之至少一側上，其中於放置搬送構件於艙室後，於50℃溫度，艙室的真空度(該真空度於搬送構件置於其中時已經暫時由3×10-10 托耳下降)返回1×10-9 托耳所需時間為100分鐘或100分鐘以下。
(12)根據如上第(11)項之具有清潔功能之搬送構件，其中該清潔層實質不具有黏著強度。
(13)根據如上第(11)或(12)項之具有清潔功能之搬送構件，其中該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
(14)根據如上第(11)或(12)項之具有清潔功能之搬送構件，其進一步包含一支承體，其中該支承體具有清潔層設置於其一側，以及黏著層設置於其另一側，以及該清潔層係透過該黏著層而設置於搬送構件上。
(15)一種清潔基板處理設備之方法，包含搬送如上第(1)項定義之清潔片材或如上第(5)、(8)及(11)項中任一項定義之具有清潔功能之搬送構件至一基板處理設備內部。
(16)一種基板處理設備，其係藉如上第(15)項定義之清潔方法清潔。
前述含矽離子碎片係以如下化學式表示：
(1)CH3 Si+ ：
CH3 -Si+
(2)C3 H9 Si+ ：
(3)C5 H15 Si2 O+ ：
(4)C5 H15 Si3 O3 + ：
(5)C7 H21 Si3 O2 + ：
(6)CH3 SiO- ：
(7)CH3 SiO2 - ：
本發明之具體實施例將說明其細節如後。
本發明之清潔片材包含清潔層及可離型保護膜層合於該清潔層上，其中當相關保護膜由清潔層撕離時，於清潔層之特定離子碎片之相對強度根據飛行時間式二次離子質譜術，各自為規定數值或以下。
此外，本發明之具有清潔功能之搬送構件包含一搬送構件以及一清潔層設置於該搬送構件之至少一側上，其中根據飛行時間式二次離子質譜術，清潔層之特定離子碎片之相對強度各自為特定值或以下。
此外，搬送基板較佳係作為搬送構件。
詳言之，前述離子碎片指示CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 。本發明之特徵在於根據飛行時間式二次離子質譜術，此等離子於陽離子之例相對於C2 H3 + 、或於陰離子之例相對於O- 之相對強度各自為0.1或以下，且較佳為0.01或以下。
前述限制可確實防止於基板處理設備清潔期間基板處理設備受到已經移動且轉印之聚矽氧所污染，如此大為防止因裝置性質劣化所造成的缺陷。
相反地，當保護膜由清潔層撕離時，於清潔層發展出前述特定離子碎片之相對強度超過0.1之清潔片材有嚴重問題，當該清潔片材被搬送入基板處理設備內部時，已經移動且轉印至清潔層表面之聚矽氧污染裝置，因而污染產物晶圓，造成裝置品質的低劣，經常導致缺陷的發生及良率的降低。
用於此處「飛行時間式二次離子質譜術」一詞表示一種方法，該方法允許離子束(一次離子)於高度真空以高速撞擊固體試樣表面，引發濺鍍，濺鍍由試樣表面成分彈射出，因此帶正電荷離子或帶負電荷離子(二次離子)於電場作用下於單一方向飛行，然後於遠離該處距離預定距離之位置可偵測得。濺鍍期間，依據試樣表面組成而定，可產生有各種質量之二次離子。離子質量愈小，則離子飛行速率愈高。
相反地，離子質量愈大，則離子飛行速率愈低。因此經由測定產生至偵測得二次離子所需時間(飛行時間)，可求出如此產生之二次離子質量。
於相關技術質譜術，有機化合物於游離期間完全崩解，因此缺乏得自質譜之化學結構資料。相反地，前述分析方法需要小劑量一次離子束，讓其可游離有機化合物，同時維持化學結構，因此可由質譜測定有機化合物之結構式。此外，因唯有於固體試樣表面最外部產生的二次離子才飛入真空，故可獲得試樣最外表面(深度約數埃)之相關資料。
此外，此種涉及偵測離子之分析方法比涉及偵測電子或光之分析方法更敏感，可偵測以約為ppm濃度微量存在於試樣表面之成分。經由藉一次離子束掃描試樣表面，可測定試樣表面之離子影像(映射)。
發明人將其注意力集中於飛行時間式二次離子質譜術，發現當藉此種飛行時間式二次離子質譜術測得於清潔層表面之特定離子碎片相對強度限於前述特定值或以下時，可確切防止裝置被聚矽氧污染。
本發明中前述相對強度之測定係以下述方式進行。
以清潔片材為例，清潔層之欲撕離保護層表面或以具有清潔功能之搬送構件為例，其上設置清潔層之表面，使用型號TRIFT II飛行時間式二次離子質譜儀(ULVAC-PHI公司製造)接受飛行時間式二次離子質譜術測定，測定條件為使用69 Ga+作為一次離子，加速電壓為15千伏特，測量面積為100平方微米，電子槍用於帶電修正。個別離子碎片之相對強度對陽離子而言係相對於C2 H3 + ，或對陰離子而言係相對於O- 測定。
為了限制本發明如前文定義之清潔層特定離子碎片之相對強度，以清潔片材為例，作為欲層合至清潔層之保護膜，可使用具有較低前述離子含量之薄膜，更無庸待言降低清潔層本身之前述離子含量。換言之，作為本發明之保護膜，使用已經以聚矽氧為主之離型劑接受離型性提供處理之保護膜，或已經使用以有限量以聚矽氧為主之離型劑接受離型性提供處理之保護膜，俾降低前述離子含量。
換言之，作為本發明之保護膜其用於清潔片材，可使用尚未接受以聚矽氧為主之離型劑進行離型性提供處理之保護膜，或已經接受以有限量之以聚矽氧為主之離型劑進行離型性提供處理之保護膜，或接受其它條件限制處理之保護膜。
本發明中至於此種保護膜，較佳使用以聚烯為主之薄膜，例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯，該等以聚烯為主之薄膜即使未接受離型性提供處理仍然可離型。此外可使用一種已經以任一種離型劑處理之薄膜，該等離型劑例如為以聚矽氧為主之離型劑、以長鏈烷基為主之離型劑、以氟為主之離型劑、以脂肪酸醯胺為主之離型劑及以矽氧為主之離型劑。使用以聚矽氧為主之離型劑等處理時，離型劑用量經調整，來限制移動且轉印至清潔層上之前述特定離子碎片之相對強度限制於前文界定之範圍內。
較佳保護膜厚度通常為10微米至100微米。使用前述離型劑處理之薄膜例如包括樹脂等製成之薄膜，樹脂例如為聚氯乙烯、聚氯乙烯共聚物、聚伸乙基對苯二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯。
本發明之具有清潔功能之搬送構件包含一搬送構件以及一清潔層提供於該搬送構件之至少一側上，其中於50℃溫度艙室之真空度(當搬送構件置於其中時已經暫時由3×10-10 托耳下降)返回1×10-9 托耳所需時間，亦即於前述預定溫度，真空艙之真空度(當搬送構件被置於其中時已經暫時降低)幾乎返回原先數值所需時間為該搬送構件置於艙室後之100分鐘或以下且較佳為50分鐘或以下。
當使用此種具有清潔功能之搬送構件時，當其運送入基板處理設備時造成高度真空基板處理設備真空度的極端降低可獲得抑制，可避免裝置操作停機等缺點，因此可簡化製造過程，且可確切由處理裝置內部去除異物。
但當具有清潔功能之搬送構件，其中幾乎達到原始真空度所需時間為搬送構件置於艙室後超過100分鐘，當此種具有清潔功能之搬送構件被運送入高度真空之基板處理裝置內部時，清潔層等所含之水含量氣化而降低裝置內真空度。結果裝置需耗費大量時間才能回復初始真空度。於最惡劣情況下，可能出現裝置操作需要停機等問題。
為了測定裝置實質回復原始真空度所需時間，使用電氣科學工業公司(DENSHIKAGAKU KOGYO INC.)製造的型號EMD-WA1000S溫度程式化解吸附質譜儀，對作為試樣之具有清潔功能之搬送構件進行測定。關於測量條件，艙內溫維持於50℃。試樣大小為1平方厘米。艙內初真空度為3×10-10 托耳。於此等條件下，測定裝置回復10-9 托耳所需時間做為真空回復時間。
本發明之具有清潔功能之搬送構件組成材料並無特殊限制，只要配置讓真空回復時間限於前文界定範圍即可。通常，較佳使用可降低揮發性成分含量之材料，揮發性成分例如為脂肪族成分、芳香族成分、溶劑成分及清潔層所含增塑劑成分，以及可將清潔層常態水分吸收降低特別降至1%重量比或以下之材料。
為了獲得前述常態水分吸收，前述搬送構件較佳係於不會危害其性質之條件下接受熱除濕處理，例如使用之條件為於40℃至200℃，較佳50℃至150℃，更佳50℃至100℃經歷1至120分鐘時間，較佳1至60分鐘時間。此外為了降低絕對水含量，清潔層厚度較佳縮小，更佳縮小至1至30微米，只要不危害清潔層性質即可。
本發明中，清潔層並無特殊限制，但較佳係由根據JIS K7127測定時具有拉伸模量10 Mpa或以上更佳10至2,000 Mpa之材料製成。當材料之拉伸模量為10 Mpa或以上時，標籤切割期間清潔層的擠塑或誤割等可獲得抑制，因此於前置切割處理可獲得具有清潔功能之無污染物之標籤片材。
此外，結果所得標籤片材不會沾黏至裝置之接觸部分，於搬送入裝置時不會造成搬送困擾。相反地，當材料之拉伸模量為2,000 Mpa或以上時，結果所得標籤片材相當容易由搬送系統移動異物。
清潔層材料並無特殊限制，但較佳係由可藉激化能源如紫外光及熱聚合硬化之樹脂層製成。原因在於前述聚合硬化，造成樹脂分子結構之三度空間網路化，結果導致樹脂之沾黏性實質上喪失。結果可獲得一種清潔構件其當搬送入裝置時會牢固沾黏至裝置的接觸部分，如此可確切搬送通過基板處理設備內部。
「實質不具黏著強度」一詞用於此處表示並無任何壓力敏感之沾黏來表示黏著功能，假設沾黏的要旨為可對抗滑動之摩擦。當沾黏材料之彈性模量例如根據達葵特標準(Dahlquist’s standard)為1 Mpa或以下時出現此種壓力敏感沾黏。
前述聚合硬化樹脂層包括藉激化能源特別藉紫外光硬化一種可硬化樹脂組成物獲得，該組成物包含每分子有一或多個不飽和雙鍵之感壓聚合物(後文稱做「可聚合不飽和化合物」)，聚合引發劑以及選擇性之交聯劑等。
感壓聚合物例如包括由(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯作為主要單體獲得之丙烯酸系聚合物。為了合成此種丙烯酸系聚合物，可使用每分子有兩個或兩個以上不飽和雙鍵之化合物作為可共聚合單體，或可化學鍵結至如此合成之丙烯酸系聚合物，經由官能基間之反應來將不飽和雙鍵導入丙烯酸系聚合物分子。不飽和雙鍵的導入，允許丙烯酸系聚合物本身參與聚合物硬化反應。
此處使用之可聚合不飽和化合物較佳為非揮發性，且具有重量平均分子量為10,000或以下。特別可聚合不飽和化合物較佳具有分子量為5,000或以下，因此當硬化時可進行有效三度空間網路化作用。
前述可聚合化合物例如包括苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯及寡酯(甲基)丙烯酸酯。可使用一或多種此等可聚合化合物。
此處使用之聚合引發劑並無特殊限制，可由寬廣範圍的聚合引發劑中選用。
例如當使用熱作為激化能源時，可使用熱聚合引發劑，例如過氧化苯甲醯及偶氮貳異丁腈。當使用光作為激化能源時，可使用光聚合引發劑，例如苯甲醯、安息香乙醚、二苄基、異丙基安息香醚、二苯甲酮、麥克氏(Michler’s)酮氯硫雜蒽酮、十二基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、苯乙酮二乙基縮酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基甲酮、2-羥基甲基苯基丙烷及2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。
此外，本發明也可使用耐熱高等聚合物樹脂作為清潔層。至於耐熱聚合物樹脂，並無特殊限制，只要可提供耐熱性即可，耐熱聚合物樹脂例如包括聚醯亞胺樹脂、該聚醯亞胺樹脂係經由將具有下式(1)表示之結構單元於其主鏈之多胺基酸樹脂經由熱醯亞胺化反應獲得。
(n及m各自表示0或0以上之整數，但n或m之任一者為不小於1之整數。)
前述多胺基酸樹脂可經由四羧酸二酐成分與二胺成分以實質等莫耳比於適當有機溶劑反應獲得。
前述四羧酸二酐成分例如包括，3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-氧基二苯胺甲酸二酐、2,2-貳(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-貳(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、貳(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、貳(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、貳(2,3-二羧基苯基)碸二酐、貳(3,4-二羧基苯基)碸二酐、均苯四酸二酐、乙二醇貳偏苯三酸二酐等。此等化合物可個別使用，或組合兩種或兩種以上使用。
至於前述二胺成分，可使用具有式(1)表示之結構式之二胺，例如為下式(2)或下式(3)表示之脂肪族二胺。此種二胺可單獨使用，或組合其它多種二胺使用。欲組合使用之二胺例如包括4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、間-伸苯基二胺、對-伸苯基二胺、4,4’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二胺基二苯基丙烷、4,4’-二胺基二苯基硫化物、3,3’-二胺基二苯基硫化物、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、1,4-貳(4-胺基苯氧基)苯、1,3-貳(4-胺基苯氧基)苯、1,3-貳(3-胺基苯氧基)苯、1,3-貳(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、六亞甲基二胺、1,8-二胺基辛烷、1,12-二胺基十二烷、4,4’-二胺基二苯甲酮、1,3-貳(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。
(m、n表示0或0以上之整數。)
(m、n表示0或0以上之整數。)
此種四羧酸二酐與二胺可以實質上等莫耳比例於適當有機溶劑反應。特別當二胺具有式(1)表示之結構式時，經由採用100℃或以上之反應溫度可防止凝膠之生成。當聚合係於比該溫度更低之溫度進行時，某些情況下發生困難，依據二胺用量而定，由於矽酮內剩餘之凝膠造成過濾器的阻塞，造成藉過濾去除異物變困難。
此外，因反應係非均質進行，因此此種凝膠偶爾造成結果所得樹脂性質之起伏波動。
用於前述四羧酸二酐與前述二胺反應之適當溶劑包括N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、及N,N-二甲基甲醯胺。此等溶劑可適當混合非極性溶劑如甲苯或二甲苯使用，俾調節進料溶解度及所得樹脂溶解度。
本發明使用之聚醯亞胺樹脂可經由藉前述方法製備之多胺基酸樹脂之熱醯亞胺反應製備。至於熱醯亞胺方法，可採用一種方法其中醯亞胺化係於溶劑藉共沸蒸餾脫水處理進行，共沸蒸餾溶劑與水例如甲苯、二甲苯等係於前述多胺基酸溶液混合；或採用另一種方法，其中多胺基酸塗覆於基板上，接著進行溶劑乾燥及加熱處理來獲得醯亞胺化反應。
至於聚醯亞胺樹脂以外之材料，也可使用梯階聚合物如苯基-T、聚喹啉、聚伸苯甲醯基、苯并咪唑等；以及芳香族聚合物例如聚苯烯、聚醯胺、聚酯醯亞胺、聚苯并咪唑、聚甲二醯亞胺、芳醯胺等作為清潔層。
特別聚醯亞胺類、聚醯胺類及聚甲胺醯亞胺類適合用作為清潔層，原因在於此等材料即使暴露於高於400℃之高溫也不會產生任何揮發性氣體或分解單體。當含有此種耐熱材料之清潔構件用於於高溫操作裝置時，該清潔構件可使用，而不會於處理裝置內部運送期間造成運送不良或污染等問題；高溫操作裝置例如臭氧灰化器、光阻塗覆器、氧化擴散爐、周圍壓力CVD裝置、減壓CVD裝置及電漿CVD裝置等。
製成包含此種耐熱樹脂之清潔層之方法並無特殊限制。清潔層可藉例如旋塗法或噴塗法直接塗覆於適當搬送構件上的可離型層上；或清潔層可首先藉停頓塗覆法或凹版塗覆法形成於PET薄膜或聚醯亞胺薄膜上，然後轉印至或層合至於適當搬送構件上之可離型層上。溶劑乾燥後處理清潔構件之高溫較佳至少為200℃。為了防止樹脂的氧化劣化分解，處理較佳係於惰性氣氛如氮氣或真空進行。經由此種處理，可完美消除樹脂內剩餘之揮發性成分。樹脂厚度並無特殊限制，通常為5至100微米(較佳為10至50微米)。
前述清潔層當以180度角由矽晶圓(鏡面)撕離時(根據JIS Z0237測定)，具有黏著強度為0.2牛頓/10毫米寬或以下，較佳由0.01至0.1牛頓/10毫米寬或以下。當清潔層具有極少或無黏著強度時，結果所得清潔構件無法沾黏至裝置之接觸部分，因此於搬送期間不會造成搬送困擾。
本發明中，經由將此種清潔層單獨成形為片狀或帶狀，或提供清潔層於適當支承體上，然後將前述可離型保護膜層合於清潔層上，可製備本發明之清潔片材。經由將前述保護膜撕離，或使用黏著劑而沾黏於搬送構件，將此清潔片材搬送入前述基板處理設備內部，讓清潔層接觸裝置的接觸部分，則附著於接觸部分之異物可簡單確切地去除。
本發明之特佳具體例為一種清潔片材包含一清潔層提供於支承體之一側上，前述可離型保護膜層合於清潔層上，以及黏著層提供於支承體之另一側上。
於此種配置，支承體厚度通常為10微米至100微米，清潔層厚度通常為5微米至100微米，黏著層厚度通常為5微米至100微米(較佳為10微米至50微米)。
此種清潔片材係經由設置於支承體另一側之黏著層，層合於搬送構件上，來製備具有清潔功能之搬送構件。如前文說明，將保護膜由清潔層撕離，經由運送此搬送構件至各種基板處理設備內部，讓清潔層接觸接觸部分，附著於接觸部分之異物可簡單確實地被去除。
本發明中，此種清潔層單純被成形為片材或帶材。清潔層設置於具有適當黏著劑之搬送構件之至少一側上。另外，前述清潔層設置於支承體上。然後清潔層經由支承體而設置於搬送構件之至少一側上。
更佳，前述清潔層係設置於支承體之一側上，而黏著層係設置於支承體之另一側上。前述清潔層係經由前述黏著層可設置於搬送構件之至少一側上。如此可製造所需具有清潔功能之搬送構件。
於清潔層包含耐熱樹脂之情況下，此種樹脂藉旋塗法、噴塗法等直接展開與搬送構件如矽晶圓上，然後乾燥來形成清潔層。另外，前述樹脂藉停頓塗覆法、噴泉法、凹版印刷法等展開於支承體上，然後乾燥來形成清潔層。塗覆材料經由支承體而層合於前述搬送構件上。
另外，唯有清潔層被轉運至搬送構件，以獲得所需具有清潔功能之搬送構件。
塗覆或乾燥期間之加熱溫度較佳為200℃或以上。此外，較佳於惰性氣氛(例如氮氣或真空)下處理，以防樹脂的氧化與劣化分解。如此可完全去除殘留於樹脂之揮發性成分。
根據此種具有清潔功能之搬送構件，包括清潔層整體真空回復時間限於前文定義之範圍。於此種配置，具有清潔功能之搬送構件可被運送入各種基板處理設備內部，特別高度真空基板處理設備內部，而不會如同相關技術，造成此種基板處理設備內部之真空度極端減低，因而造成裝置操作上的困擾。因此經由允許搬送構件之清潔層接觸接觸部分，附著於接觸部分之異物可簡單確實地被去除。
支承清潔層之支承體並無特殊限制。此處可採用之支承體例如包括以聚烯烴為主之材料膜例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯；以及下列材料製成之塑膠膜，包括聚氯乙烯、聚氯乙烯共聚物、聚伸乙基對苯二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯等。
此等材料中特佳為以聚烯為主之薄膜及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜，原因在於其具有低吸濕性。此等支承體可單獨使用或組合兩種或兩種以上使用。此外，此等支承體可於一側或兩側接受表面處理，例如電暈處理。
設置於支承體之另一側之黏著層之材料並無特殊限制，可由尋常黏著劑如丙烯酸系黏著劑及以橡膠為主之黏著劑製成。此等黏著劑中，以包含丙烯酸系聚合物之黏著劑較佳用作為丙烯酸系黏著劑，該丙烯酸系聚合物具有重量平均分子量為100,000或以下之成分之含量比例為10%重量比或以下作為主要成分。
前述丙烯酸系聚合物之合成方法係經由將包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要成分以及選擇性包含其它可共聚合單體之單體混合物接受聚合反應而合成。
黏著層厚度較佳為5微米至100微米，特別為5微米至20微米，俾降低其絕對水含量。
黏著層當以180度角由矽晶圓(鏡面)撕離時，具有黏著強度為0.01至10牛頓/10毫米寬，較佳為0.05至5牛頓/10毫米寬或以下。
當黏著層之黏著強度過高時，有搬送構件透過支承體撕離清潔層時，支承體可能被撕裂。
本發明中，保護層可層合於清潔層及黏著層來保護此等各層。
此處可使用之保護膜例如包括塑膠膜如聚氯乙烯膜、氯乙烯聚合物膜、聚伸乙基對苯二甲酸酯膜、聚伸丁基對苯二甲酸酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、離子交聯聚合物樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、及聚碳酸酯膜使用離型性提供劑處理，離型性提供劑例如為以聚矽氧為主之、以長鏈烷基為主之、以氟為主之、以脂肪族醯胺為主之、及以矽氧為主之離型性提供劑。
由以聚烯烴為主之樹脂製成之薄膜如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、及聚甲基戊烯薄膜本身可用作為保護膜，原因在於其無需任何離型性提供劑而可維持可離型。
由此等材料製成之保護膜厚度較佳由約10微米至100微米。
根據本發明用於具有清潔功能之搬送構件並無特殊限制。依據由其上欲去除異物之基材加工裝置種類而定，可使用多種基材。基材特例包括半導體晶圓、平板顯示器如LCD及基材PDP以及光碟及MR頭用之基材。
因本發明之具有清潔功能之搬送構件係設計成可防止真空度的降低，因此欲使用此種搬送構件清潔之基板處理設備較佳為高真空度基板處理設備。
但本發明之具有清潔功能之搬送構件可應用至其它多種基板處理設備。此等基板處理設備特例包括曝光裝置、光阻裝置、顯影裝置、灰化裝置、乾蝕刻裝置、離子注入裝置、PVD裝置、CVD裝置、外觀偵測裝置及晶圓探測器。
本發明也提供經由運送本發明之具有清潔功能之搬送構件清潔所得前述多種基板處理設備。
(實施例)
於下列實施例將進一步說明本發明，但本發明絕非囿限於此。此處使用「份數」一詞係表示「份數重量比」。
(實施例1)
由75份丙烯酸2-乙基己酯，20份丙烯酸甲酯及5份丙烯酸之單體混合物，獲得100份丙烯酸系聚合物A(重量平均分子量：700,000)均勻混合200份聚乙二醇200二甲基丙烯酸醇(商品名：NK酯(NK Ester)4G，新內村化學公司(Shin-nakamura Chemical Corporation)製造)，3份多異氰酸酯化合物(商品名：可洛奈(Colonate)L，日本聚胺基甲酸酯工業公司(NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.,LTD.)製造)及2份苄基二甲基縮酮(商品名：伊佳庫(Irgacure)651，汽巴特用化學品公司(Ciba Specialty Chemicals,Inc.)製造)作為光聚合引發劑，來製備紫外光硬化樹脂組成物A。
另外，裝配有溫度計、攪拌器、氮氣進氣管及回流冷凝器之500毫升三頸瓶反應器內，饋進73份丙烯酸2-乙基己酯、10份丙烯酸正丁酯、15份N,N-二甲基丙烯醯胺、5份丙烯酸、0.15份2,2’-偶氮二異丁腈作為聚合引發劑，及100份乙酸乙酯來調整至200克。然後氮氣導入反應器內，伴以攪拌約1小時來藉氮氣置換反應器內部空氣。
隨後反應器內部維持於58℃溫度經歷約4小時，引發聚合反應，結果製造黏著性聚合物溶液。然後100份聚合物溶液均勻混合3份多異氰酸酯化合物(商品名：可洛奈L，日本聚胺基甲酸酯工業公司製造)來製備黏著溶液A。
前述黏著溶液A展開於隔件A上，然後乾燥，隔件A係由連續長度之聚酯薄膜製成(商品名：MRF50N100，三菱聚酯薄膜公司(MITSUBISHI POLYESTER FILM CORPORATION)製造；厚：50微米；寬：250毫米)，隔件一側已經使用以聚矽氧為主之離型性提供劑處理；該黏著溶液A係展開於隔件A之經聚矽氧處理表面上之乾厚度15微米，然後乾燥。然後連續長度之聚酯薄膜(厚：25微米；寬：250毫米)層合於黏著層作為支承體上。然後前述紫外光硬化樹脂組成物A展開於支承體上至30微米厚度，提供樹脂層於其上。同時，由連續長度之雙軸拉伸聚丙烯薄膜製成之可離型保護膜A(商品名：土雷芬(Torayfan) BO2500，東麗工業公司(Toray Industries,Inc.)製造；厚：30微米；寬：250毫米)層合於樹脂層表面上來提供層合片材A。
然後層合片材以具有中心波長365奈米，積分劑量1,000毫焦耳/平方厘米之紫外光照射，來製備包含聚合硬化樹脂層製造之清潔層之清潔片材A。清潔片材A根據JIS Z0237，當保護膜A以相對於矽晶圓(鏡面)為180度角由清潔層撕離時測量清潔片材A之撕離黏著強度。結果發現清潔片材A之撕離黏著強度為0.06牛頓/10毫米。清潔層之拉伸強度(根據JIS K7127)測定之拉伸強度(為440 Mpa)。
於前述清潔層之特定離子碎片之相對強度(於陽離子之例係相對於C2 H3 + ，或於陰離子之例相對於O- )係使用屋凡菲公司製造之型號TRIFT II飛行時間式二次離子質譜儀測定。
結果發現CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之相對強度分別為0.002、0.0012、0.00072、0.00013、0.00014、0.00003、0.000012及0.003。
隔件A由其黏著層側撕離清潔片材A。然後將清潔片材使用手動滾輪沾黏至8吋矽晶圓之鏡面，來製備具有清潔功能之搬送構件A。前述黏著層相對於矽晶圓(鏡面)之180度撕離黏著強度為1.5牛頓/10毫米寬。
使用雷射表面偵測器，三片嶄新8吋矽晶圓測量其鏡面上是否存在有尺寸為0.2微米或以上的異物。結果發現其中三片矽晶圓具有此種大小之異物5、10及3塊。將此矽晶圓運送至光阻曝光裝置，光阻曝光裝置具有分開之真空抽取機構，矽晶圓之鏡面面向下，然後藉雷射表面偵測器偵測其鏡面。
結果發現其中三片矽晶圓分別具有1,523、1,498及1671塊尺寸為0.2微米或以上之異物存在於8吋晶圓尺寸面積。
保護膜A由具有清潔功能之搬送構件A之清潔層該側撕離。然後具有清潔功能之搬送構件A運送至光阻曝光裝置，其中有晶圓平台已經附著1,523塊異物。結果可毫無困擾地進行運送。此種程序重複5次。隨後嶄新8吋矽晶圓以及鏡面向下運送。然後使用雷射表面偵測器偵測矽晶圓之鏡面是否存在有尺寸為0.2微米或以上之異物。結果發現90%最初異物含量已經被去除。
隨後處理產物晶圓。結果產物晶圓未受聚矽氧污染，顯示可製備產物晶圓而無問題。
(實施例2)
欲用作為清潔層樹脂之多胺基酸溶液B之製法係經由30.0克伸乙基-1,2-貳苯偏三酸酯四羧酸二酐(後文縮寫為TMEG)與65.8克式(2)表示之二胺(胺當量：900，丙烯腈含量：18%)及15.0克2,2’-貳[4-(4-苯氧基)苯基]丙烷(後文縮寫為BAPP)於110克N-甲基-2-吡咯啶酮(後文縮寫為NMP)，於氮氣流下混合及反應，然後冷卻而製備。
多胺基酸溶液B藉旋塗法塗覆於8吋矽晶圓上，於乾燥後獲得30微米厚度，塗層於90℃乾燥10分鐘。產物於氮氣下，於300℃加熱處理2小時，獲得具有清潔功能之搬送構件B。此外多胺基酸B藉噴泉方法塗覆於聚醯亞胺薄膜上，乾燥後獲得30微米厚度，塗層於90℃乾燥10分鐘。本產物於氮氣氣氛，於300℃加熱處理2小時，獲得具有清潔樹脂層之片材B。
以180度由矽晶圓(鏡面)撕離片材B清潔層側之黏著力(遵照JIS Z0237)測得為0.02牛頓/10毫米。拉伸強度(拉伸模量係遵照測試方法JIS K7127測定)為200 Mpa。
此外，前述清潔層特定離子碎片之相對強度(正離子相對於C2 H3 + ，負離子相對於O- )係使用飛行時間式二次離子質譜儀(型號TRIFT II，屋凡菲公司製造)測定。
結果如後：
CH3 Si+ ：0.01、C3 H9 Si+ ：0.005、C5 H15 Si3 O+ ：0.003、C5 H15 Si3 O3 + ：0.001、C7 H21 Si3 O2 + ：0.001、CH3 SiO- ：0.005、CH3 SiO2 - ：0.001及Si+ ：0.02
層合於具有清潔功能之搬送構件B之清潔層側之保護膜A，由搬送構件B撕離。然後具有清潔功能之搬送構件B搬送至由前述晶圓平台之光阻曝光單元，該晶圓已經附著1671塊異物。結果可順利運送而無問題。此程序重複5次。隨後一片嶄新8吋矽晶圓以鏡面向下運送。使用雷射異物偵測裝置測定矽晶圓是否存在有0.2微米或以上之異物。結果發現92%之異物初始含量已經被去除。
隨後加工處理產物晶圓，產物晶圓不會被聚矽氧污染，證實可無任何問題製造產物晶圓。
(比較例1)
層合片材C係以實施例1之相同方式製備，但提供於清潔層之可離型保護膜A係由可離型保護膜B替代，可離型保護膜B係由連續長度之聚酯薄膜製成(商品名：MRF25N100，三菱聚酯薄膜公司製造；厚：25微米；寬：250毫米)，其一側已經使用以聚矽氧為主之離型性提供劑處理。然後層合片材C以實施例1之相同方式使用紫外光照射，來製備清潔片材C。然後清潔片材C以實施例1之相同方式處理，來製備具有清潔功能之搬送構件C。
保護膜B由清潔片材C之其清潔層側撕離。然後以前述方式測定清潔層特定離子碎片之相對強度(陽離子之例係相對於C2 H3 + ，或陰離子之例係相對於O- )。
結果，CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之相對強度分別為0.93、0.15、1.2、0.35、0.37、0.0064、0.0033及2.9。
隨後保護膜B由具有清潔功能之搬送構件C之清潔層該側撕離。然後具有清潔功能之搬送構件C運送至光阻曝光裝置，其中有晶圓平台已經附著1,498塊異物。結果可毫無困擾地進行運送。此種程序重複5次。隨後嶄新8吋矽晶圓以及鏡面向下運送。然後使用雷射表面偵測器偵測矽晶圓之鏡面是否存在有尺寸為0.2微米或以上之異物。結果發現70%最初異物含量已經被去除。
但當產物晶圓經處理後，因裝置被聚矽氧污染，故產物晶圓受污染。結果由於裝置性質的劣化造成缺陷。為了由裝置去除聚矽氧污染物需要耗費大量人力將裝置的操作停機，開啟裝置以及清潔裝置。
(實施例3)
保護膜由以實施例1之相同方式製備之清潔片材A之黏著層側撕離。然後清潔片材A沾黏至8吋矽晶圓之鏡面，來製備具有清潔功能之搬送構件A。前述黏著層相對於矽晶圓(鏡面)之180度撕離黏著強度為1.5牛頓/10毫米寬。
保護膜由具有清潔功能之搬送構件A之清潔層該側撕離。然後使用電氣科學工業公司製造的型號EMD-WA1000S溫度程式解吸附質譜儀，測定真空回復時間。結果為50分鐘。
使用雷射表面偵測器，測定三片8吋矽晶圓是否存在有尺寸0.2微米或以上之異物於其鏡面上。結果發現三片矽晶圓分別有10、3及5塊此種尺寸之異物於其鏡面上。
隨後，此等晶圓以其鏡面向下運送入個別濺鍍裝置，濺鍍裝置具有靜電抽取機構，真空度為10-9 托耳。使用雷射表面偵測器再度測定矽晶圓之鏡面是否存在有異物。
發現此等矽晶圓於8吋晶圓面積分別存在有15,553、16,643及14,961塊尺寸0.2微米或以上之異物。
隨後將保護膜由具有清潔功能之搬送構件A之清潔層側上撕離。然後具有清潔功能之搬送構件A運送至由晶圓平台之濺鍍裝置，該晶圓已經附著有15,553塊異物。結果可於真空度維持於10-9 托耳之裝置進行運送而無問題。此程序重複5次。隨後嶄新8吋矽晶圓以及鏡面向下運送。然後使用雷射表面偵測器偵測矽晶圓之鏡面上是否存在有尺寸0.2微米或以上之異物。結果發現90%初始含量之異物已經被去除。
如此，於具有清潔功能的搬送構件A運送入裝置期間，濺鍍裝置之真空度未顯示任何下降。如此於裝置操作時，此種裝置可被清潔而無任何問題。
(實施例4)
實施例1製備之黏著溶液A展開於如實施例1使用之相同保護膜(MRF50N100)之經聚矽氧處理表面上至乾厚度15微米。然後連續長度聚酯膜(厚：50微米；寬：250毫米)層合於作為支承體之黏著層上。然後如實施例1製備之紫外光硬化樹脂組成物A展開於薄膜上至30微米乾厚度，來提供樹脂層。如上使用之相同保護膜隨後層合於樹脂層表面上，其經聚矽氧處理側向內，來製備層合片材B。
然後層合片材以實施例2之相同方式處理來製備清潔片材B及具有清潔功能之搬送構件B。隨後，保護膜由具有清潔功能之搬送構件B之清潔層上撕離。然後具有清潔功能之搬送構件B於90℃接受加熱處理10分鐘。然後測定具有清潔功能之搬送構件B之真空回復時間。結果為30分鐘。
然後，保護膜由具有清潔功能之搬送構件B之清潔層側撕離。具有清潔功能之搬送構件B輸送入濺鍍裝置，裝置內由晶圓平台其上已經附著16,643塊異物。
結果，可以裝置真空度維持於10-9 托耳進行運送而毫無問題。此程序重複5次。隨後嶄新8吋矽晶圓以其鏡面向下運送。使用雷射表面偵測器測定矽晶圓之鏡面上是否有尺寸0.2微米或以上之異物。結果發現93%初始含量之異物皆已經被去除。
如此於運送具有清潔功能之搬送構件B進入裝置期間，濺鍍裝置之真空度未見任何下降。如此此種裝置可於裝置操作中接受清潔而無問題。
(比較例2)
實施例1製備之黏著溶液A展開於如實施例1使用之相同保護膜(MRF50N100)之經聚矽氧塗覆面上，至乾厚度30微米。然後連續長度聚酯膜(厚：50微米；寬：250毫米)層合於黏著層作為支承體上。實施例1製備之紫外光硬化樹脂組成物A展開於聚酯膜上至乾膜厚度60微米來提供樹脂層。同時前述相同保護膜層合於樹脂層表面上，其經聚矽氧處理側面向內來製備層合片材C。
然後層合片材C以實施例2之相同方式處理，來製備清潔片材C及具有清潔功能之搬送構件C。
具有清潔功能之搬送構件C之真空回復時間係以實施例2之相同方式測定。結果為120分鐘。
隨後，保護膜由具有清潔功能之搬送構件C之清潔層該側撕離。具有清潔功能之搬送構件C運送至濺鍍裝置，其中有晶圓平台附著有14,961塊異物。結果當第一片搬送構件C輸送入裝置時，裝置之真空度由10-9 托耳降至10-1 托耳。因此暫停藉第二片以及隨後各片搬送構件C清潔。前述具有清潔功能之搬送構件C當運送入濺鍍裝置時，造成濺鍍裝置真空度之嚴重下降，促成裝置無法操作，因此不可能清潔該裝置。
如前文說明，本發明之配置為當運送入基板處理設備，俾由基板處理設備內部去除異物期間，當由清潔層撕離可離型保護膜時，發展出之清潔層特定離子碎片之相對強度(於陽離子之例係相對於C2 H3 + ，或於陰離子之例係相對於O- )，藉飛行時間式二次離子質譜術測定為0.1或以下，因此可用作為高度有用之清潔構件，極少因聚矽氧由保護膜移動且轉印至清潔層而造成裝置的污染。
根據本發明，於具有清潔功能之搬送構件運送至基板處理設備內部來由其內部去除異物期間，真空回復時間限於特定值或以下，如此提供一種高度有用之具有清潔功能之搬送構件，其於運送入裝置時極少造成裝置真空度的降低，如此可簡單確切由裝置內部去除異物。
雖然已經詳細參照其特定具體實施例說明本發明，但熟諳技藝人士顯然易知，可未悖離本發明之精髓及範圍做出多種變化及修改。
本案係基於日本專利申請案2003-108584，申請日2003年4月14日，及日本專利申請案2003-139768，申請日2003年5月19日，其全部揭示以引用方式併入此處。

Claims (9)

  1. 一種具有清潔功能之搬送構件，包含一搬送構件以及一清潔層設置於該搬送構件之至少一側上，該清潔層係一以激化能源聚合硬化之樹脂層，其中，於清潔層之CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之離子碎片之相對強度，根據飛行時間式二次離子質譜術，於陽離子之例相對於C2 H3 + 、或於陰離子之例相對於O- 之相對強度個別為0.1或0.1以下，其中，在放置搬送構件於艙室後，在搬送構件於50℃溫度下置於其中時已經暫時由3×10-10 托耳下降的艙室的真空度，回復至1×10-9 托耳所需時間為100分鐘或100分鐘以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之搬送構件，其中，該清潔層實質不具有黏著強度。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之搬送構件，其中，該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項之搬送構件，其中，於清潔層之CH3 Si+ 、C3 H9 Si+ 、C5 H15 Si2 O+ 、C5 H15 Si3 O3 + 、C7 H21 Si3 O2 + 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 及Si+ 之離子碎片之相對強度，根據飛行時間式二次離子質譜術，於陽離子之例相對於C2 H3 + 、或於陰離子之例相對於O- 之相對強度個別為0.01或0.01以下。
  5. 如申請專利範圍第4項之搬送構件，其中，該清潔層實質不具有黏著強度。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之搬送構件，其中，該清潔層包含一種耐熱聚合物樹脂。
  7. 如申請專利範圍第4或5項之搬送構件，其進一步包含一支承體，其中，該支承體具有清潔層設置於其一側，以及黏著層設置於其另一側，以及該清潔層係透過該黏著層而設置於搬送構件上。
  8. 一種基板處理設備之清潔方法，包含搬送申請專利範圍第1或4項之具有清潔功能之搬送構件至一基板處理設備內部。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其係使用於清潔基板處理設備。
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