CN112940607A - 清洁片及带清洁功能的输送构件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供清洁片及带清洁功能的输送构件。提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的清洁片。另外，提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的带清洁功能的输送构件。本发明的实施方式的清洁片具备清洁层，该清洁层在25℃下的弹性模量为200MPa～3000MPa、在25℃下的吸附力为‑1.5μN～‑0.3μN。其中，上述弹性模量及上述吸附力是利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下测定的。

Description

清洁片及带清洁功能的输送构件
技术领域
本发明涉及清洁片及带清洁功能的输送构件。
背景技术
对于半导体、平板显示器、印刷电路板等的制造装置、检查装置等厌恶异物的各种基板处理装置，一边使输送装置(代表性的为卡盘台等)与基板物理接触一边进行输送。此时，若异物附着于输送装置，则会陆续地污染后续的基板，因此必须定期地停止装置并进行清洗处理。其结果，存在处理装置的运转率降低的问题、因装置的清洗处理而需要大量的劳力的问题。
为了克服这样的问题，提出了通过将板状构件输送至基板处理装置内来去除附着于输送装置的异物的方法(参照专利文献1)。根据该方法，不必使基板处理装置停止来进行清洗处理，因此可消除处理装置的运转率降低的问题。但是，通过该方法，不能将附着于输送装置的异物充分去除。
另一方面，提出了通过将固着有粘合性物质的基板作为清洁构件输送至基板处理装置内来去除附着于输送装置的异物的方法(参照专利文献2)。该方法与专利文献1中记载的方法相比，异物的去除性优异。但是，对于专利文献2中记载的方法，会产生粘合性物质与输送装置的接触部分过强地粘接从而无法分离的问题。其结果，可产生不能可靠地对固着有粘合性物质的基板进行输送的问题、使输送装置破损的问题、以及会污染输送装置的问题。另一方面，若粘合性物质与输送装置的密合力变得过小，则会产生清洁构件的异物的去除性降低、得不到充分的清洁效果的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-87458号公报
专利文献2：日本特开平10-154686号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于，提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的清洁片。另外，还在于提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的带清洁功能的输送构件。
用于解决问题的方案
本发明的实施方式的清洁片具备清洁层，
该清洁层在25℃下的弹性模量为200MPa～3000MPa、在25℃下的吸附力为-1.5μN～-0.3μN。
其中，上述弹性模量及上述吸附力是利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下测定的。
一个实施方式中，上述清洁层包含具有软链段的改性聚苯并噁唑。
一个实施方式中，上述软链段具有由选自-(O-R)n-及-(O-COO-R)n-中的至少1种表示的重复骨架。
其中，R表示碳数2～18的亚烷基，n表示1～100的数。
一个实施方式中，上述清洁层中的前述改性聚苯并噁唑的含有比例为50重量％～100重量％。
一个实施方式中，上述清洁层的厚度为1μm～500μm。
一个实施方式中，本发明的清洁片包含粘合剂层。
一个实施方式中，本发明的清洁片包含支撑体。
本发明的实施方式的带清洁功能的输送构件具有上述清洁片和输送构件。
发明的效果
根据本发明，能够提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的清洁片。另外，能够提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的带清洁功能的输送构件。
附图说明
图1为示出本发明的清洁片的一个实施方式的示意截面图。
图2为示出本发明的清洁片的另一个实施方式的示意截面图。
图3为示出本发明的清洁片的又一个实施方式的示意截面图。
图4为示出本发明的带清洁功能的输送构件的一个实施方式的示意截面图。
附图标记说明
清洁片 100
清洁层 10
保护薄膜 20
粘合剂层 30
支撑体 40
带清洁功能的输送构件 300
输送构件 200
具体实施方式
<<<<1.清洁片>>>>
本发明的实施方式的清洁片具备清洁层。本发明的实施方式的清洁片可以仅由清洁层构成，也可以具有其他层。
图1为示出本发明的实施方式的清洁片的一个实施方式的示意截面图。在图1中，清洁片100具有清洁层10和保护薄膜20。保护薄膜20是出于保护清洁层10等目的而可具备的，可以根据目的而省略。即，本发明的清洁片可以仅由清洁层10构成。
图2为示出本发明的实施方式的清洁片的另一个实施方式的示意截面图。在图2中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10、和粘合剂层30。保护薄膜20是出于保护清洁层10等目的而可具备的，可以根据目的而省略。
图3为示出本发明的实施方式的清洁片的又一个实施方式的示意截面图。在图3中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10、支撑体40和粘合剂层30。保护薄膜20是出于保护清洁层10等目的而可具备的，可以根据目的而省略。
本发明的实施方式的清洁片的厚度可以根据其构成(特别是是否具有支撑体、粘合剂层，它们的厚度为何种程度等)而采用任意适当的厚度。
本发明的清洁片优选的是，耐热性优异，在高温环境下也可充分使用。作为这样的高温环境，优选为150℃以上、更优选为200℃以上、进一步优选为250℃以上、进一步优选为300℃以上、特别优选为350℃以上。
<<1-1.清洁层>>
清洁层的优选实施方式如下：在25℃下的弹性模量为200MPa～3000MPa、在25℃下的吸附力为-1.5μN～-0.3μN。此处，上述弹性模量及上述吸附力是利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下测定的。它们的测定方法的详细情况在后面叙述。
对于清洁层，在25℃下的弹性模量为200MPa～3000MPa、在25℃下的吸附力为-1.5μN～-0.3μN，由此可提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的清洁片。
清洁层在25℃下的弹性模量优选为200MPa～3000MPa、更优选为250MPa～2500MPa、进一步优选为300MPa～2000MPa、特别优选为400MPa～1500MPa。通过使清洁层在25℃下的弹性模量处于上述范围，从而可提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能更优异的清洁片。若清洁层在25℃下的弹性模量变低且超出上述范围，则有不能充分表现污染抑制性能的担心。若清洁层在25℃下的弹性模量变高且超出上述范围，则有不能充分表现异物去除性能的担心。
清洁层在25℃下的吸附力优选为-1.5μN～-0.3μN、更优选为-1.2μN～-0.3μN、特别优选为-0.7μN～-0.3μN。通过使清洁层在25℃下的吸附力处于上述范围，从而可提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能更优异的清洁片。若清洁层在25℃下的吸附力变低且超出上述范围，则有不能充分表现污染抑制性能的担心。若清洁层在25℃下的吸附力变高且超出上述范围，则有不能充分表现异物去除性能的担心。
从可充分表现本发明的效果的方面出发，清洁层优选包含具有软链段的改性聚苯并噁唑。
聚苯并噁唑为具有耐热性及绝缘性的树脂，作为凸块保护膜、层间绝缘膜等而用于半导体器件。本发明中进行了各种实验·研究，结果发现，包含在聚苯并噁唑中导入软链段而成的改性聚苯并噁唑的层可成为异物去除性能、污染抑制性能及输送性能优异的清洁片。
改性聚苯并噁唑所包含的软链段只要为可对聚合物赋予柔软性的被称为所谓“软链段”的链段，则在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的软链段。这样的软链段中，从可进一步表现本发明的效果的方面出发，优选为具有由选自-(O-R)n-及-(O-COO-R)n-中的至少1种表示的重复骨架的软链段。软链段中可包含的-(O-R)n-可以仅为1种，也可以为2种以上。软链段中可包含的-(O-COO-R)n-可以仅为1种，也可以为2种以上。
由选自-(O-R)n-及-(O-COO-R)n-中的至少1种表示的重复骨架中，R表示碳数2～18的亚烷基，n表示1～100的数。R优选为碳数2～12的亚烷基，更优选为碳数3～10的亚烷基，进一步优选为碳数3～6的亚烷基，特别优选为碳数3～4的亚烷基。n优选为5～90的数，更优选为10～70的数，特别优选为10～50的数。
本发明中的改性聚苯并噁唑可以优选使用具有由选自-(O-R)n-及-(O-COO-R)n-中的至少1种表示的重复骨架的化合物(S)来制造。作为这样的化合物(S)，优选在两末端具有与氯化物(-Cl)反应的官能团。作为这样的官能团，例如，可举出氨基、取代氨基、羟基等。
作为化合物(S)，例如，可举出H2N-R1-(O-R)n-R2-NH2、H2N-R1-(O-COO-R)n-R2-NH2、HO-R1-(O-R)n-R2-OH、O-R1-(O-COO-R)n-R2-OH等。此处，R1、R2各自独立，可以为单键，为碳数1～18(优选碳数2～12、更优选碳数3～10、进一步优选碳数3～6、特别优选碳数3～4)的亚烷基。需要说明的是，如上所述，-(O-R)n-可以仅为1种，也可以为2种以上，-(O-COO-R)n-可以仅为1种，也可以为2种以上。即，例如，若以H2N-R1-(O-R)n-R2-NH2为例进行说明，则-(O-R)n-可以由-(O-CH2-CH(CH3))x-(O-CH2-CH2)y-(O-CH2-CH(CH3))z-表示(x、y、z各自独立地为1～100的数)。
对于化合物(S)的分子量，从可进一步表现本发明的效果的方面出发，优选为300～3500，更优选为500～3000，进一步优选为600～2500，特别优选为800～2200。
从可进一步表现本发明的效果的方面出发，相对于为了制造具有软链段的改性聚苯并噁唑而使用的胺成分(例如，以实施例1为例时，为“4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)”和“JEFFAMINE D-2000”)的总量，化合物(S)的配混比例(有时称为“软链段比率”)以摩尔比例计，优选为2摩尔％～40摩尔％、更优选为3摩尔％～35摩尔％、进一步优选为5摩尔％～32摩尔％、特别优选为8摩尔％～31摩尔％、最优选为10摩尔％～30摩尔％。
作为使用化合物(S)制造改性聚苯并噁唑的方法，代表性的可举出：在安装有搅拌装置的可拆式烧瓶中投入4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)、软链段、吡啶、N-甲基-2-吡咯烷酮，在室温下进行搅拌直至各材料完全溶解。然后，用1分钟滴加三甲基氯硅烷，在室温下搅拌60分钟。然后，用5分钟缓慢添加4,4’-双(氯羰基)二苯基醚，在室温下搅拌5小时。将得到的合成液滴加至2L的离子交换水中，将得到的沉淀物在100℃下干燥24小时，向干燥后的沉淀物中加入4倍量的N-甲基-2-吡咯烷酮而使其再溶解，由此得到改性聚苯并噁唑的清漆。利用旋转涂布将得到的改性聚苯并噁唑的清漆涂布于硅晶圆的镜面上，在150℃下进行30分钟加热，将N-甲基-2-吡咯烷酮去除后，在真空下、在300℃进行2小时加热等。
清洁层中的改性聚苯并噁唑的含有比例优选为50重量％～100重量％、更优选为70重量％～100重量％、进一步优选为90重量％～100重量％、特别优选为95重量％～100重量％、最优选为98重量％～100重量％。清洁层中的改性聚苯并噁唑的含有比例处于上述范围内时，可提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能更优异的清洁片。
在清洁层中，在不损害本发明效果的范围内可以包含任意适当的其他成分。作为这样的其他成分，例如，可举出除聚苯并噁唑以外的耐热性树脂、表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予剂、紫外线吸收剂、光稳定化剂等。
清洁层的厚度优选为1μm～500μm、更优选为3μm～100μm、进一步优选为5μm～50μm。通过使清洁层的厚度处于上述范围内，从而可提供可以适合用于在基板处理装置内进行输送的输送构件的、异物去除性能、污染抑制性能及输送性能更优异的清洁片。
清洁层实质上不具有粘合力。即，例如，由粘合性物质形成的清洁层、通过使粘合带固着而形成的清洁层被从本发明中的清洁层中排除在外。本发明的清洁片若具备实质上具有粘合力的清洁层，则有该清洁层与例如基板处理装置内的输送装置的接触部分过强地粘接从而不分离的担心。其结果，有产生不能可靠地对基板进行输送的问题、使输送装置破损的问题的担心。
清洁层如上所述，实质上不具有粘合力。具体而言，相对于硅晶圆的镜面的、JIS-Z-0237中规定的180°剥离粘合力A优选不足0.20N/10mm，更优选为0.01～0.10N/10mm。清洁层相对于硅晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180°剥离粘合力A处于这样的范围内时，清洁层实质上不具有粘合力，该清洁层与例如基板处理装置内的输送装置的接触部分的粘合性能够降低，其结果，能可靠地对基板进行输送，并且输送装置可变得不易破损。
清洁层相对于仿真晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180度剥离粘合力B优选为10N/10mm以上、更优选为15N/10mm以上、进一步优选为20N/10mm以上、特别优选为25N/10mm以上、最优选为30N/10mm以上。清洁层的相对于仿真晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180度剥离粘合力B处于上述范围内时，例如，清洁层与仿真晶圆等输送构件的密合性变高，在清洁中清洁层变得不易从仿真晶圆等输送构件剥离。
清洁层的相对于仿真晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180度剥离粘合力B例如可以在作为仿真晶圆的硅晶圆的镜面形成清洁层并依据JIS-Z-0237进行测定。
对于清洁层而言，通过划格法得到的清洁层相对于仿真晶圆的镜面的残存数优选为15/25以上、更优选为18/25以上、进一步优选为20/25以上、特别优选为23/25以上、最优选为25/25以上。清洁层的通过划格法得到的清洁层相对于仿真晶圆的镜面的残存数处于上述范围内时，例如，清洁层与仿真晶圆等输送构件的密合性变得更高，在清洁中清洁层变得不易从仿真晶圆等输送构件剥离。
清洁层的通过划格法得到的清洁层相对于仿真晶圆的镜面的残存数例如可以如下来测定：用切割刀在试验面上以2mm间隔制作相对于基底的6根平行的切痕，进而以与该切痕正交的方式同样地以2mm间隔制作6根平行的切痕，由此制作25个棋盘格，将具有16N/20mm的粘合力的胶带(例如，日东电工株式会社制的“BT-315ST”)强力压接于棋盘格部分，以45°的角度一口气剥离胶带的端部，与标准图进行比较来评价棋盘格的状态，由此测定。
<<1-2.支撑体>>
本发明的清洁片可以具备支撑体。支撑体可以为单层也可以为多层体。
支撑体的厚度在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的厚度。作为这样的厚度，优选为500μm以下、更优选为1μm～400μm、进一步优选为1μm～300μm、特别优选为1μm～200μm、最优选为1μm～100μm。
支撑体在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的支撑体。作为这样的支撑体，例如，可举出塑料、工程塑料、超级工程塑料的薄膜。作为塑料、工程塑料、超级工程塑料的具体例，可举出聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺等。
支撑体的材料的分子量等各物性根据目的可适宜选择。
支撑体的成形方法根据目的可适宜选择。
为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，支撑体的表面可以实施惯用的表面处理、例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等化学处理或物理处理、基于底涂剂的涂布处理等。
<<1-3.粘合剂层>>
本发明的清洁片可以具备粘合剂层。作为这样的粘合剂层的材料，在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的材料。作为这样的粘合剂层的材料，例如，可采用丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂、橡胶系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂等。
粘合剂层是为了贴附于例如仿真晶圆的镜面而设置的。由此，本发明的清洁片被贴附于作为输送构件的仿真晶圆，可成为本发明的带清洁功能的输送构件。
粘合剂层相对于仿真晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180度剥离粘合力C优选为10N/10mm以上、更优选为15N/10mm以上、进一步优选为20N/10mm以上、特别优选为25N/10mm以上、最优选为30N/10mm以上。粘合剂层的相对于仿真晶圆的镜面的JIS-Z-0237中规定的180度剥离粘合力C处于上述范围内时，例如，粘合剂层与仿真晶圆的密合力变高，清洁中清洁片变得不易从仿真晶圆剥离。
粘合剂层的厚度优选为1μm～200μm、更优选为2μm～100μm、进一步优选为3μm～80μm、特别优选为4μm～60μm、最优选为5μm～50μm。
<<1-4.保护薄膜>>
对于本发明的清洁片，为了保护清洁层、支撑体、粘合剂层等，可以具有保护薄膜。保护薄膜在适当的阶段可剥离。
保护薄膜在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的薄膜。作为这样的薄膜的材料，例如，可举出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、氟树脂等。
保护薄膜在不损害本发明效果的范围内可实施任意适当的剥离处理。剥离处理代表性的是利用剥离剂来进行。作为剥离剂，例如，可举出有机硅系剥离剂、长链烷基系剥离剂、氟系剥离剂、脂肪酸酰胺系剥离剂、二氧化硅系剥离剂等。
保护薄膜的厚度优选为1μm～100μm。
保护薄膜的形成方法根据目的来适宜选择，例如，可以通过注射成形法、挤出成形法、吹塑成形法等来形成。
<<1-5.清洁片的制造方法>>
作为清洁片的制造方法，在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的制造方法。作为这样的制造方法，例如可举出：(1)将清洁层的清漆溶液流延于支撑体上，用旋转涂布机等均匀地进行成膜后，进行加热，由此在支撑体上直接形成清洁层的方法；(2)通过将作为标签及增强部的构成材料的粘合薄膜(在标签支撑体的单面设置清洁层、在另一面设置通常的粘合剂层者)贴附于隔离体上的方法等来形成包含隔离体和粘合薄膜的层叠体，接着，将该层叠体的仅粘合薄膜同时或分别冲裁成标签和/或增强部的各形状，将不需要的粘合薄膜从隔离体剥离去除的方法等。
<<<<2.带清洁功能的输送构件>>>>
本发明的带清洁功能的输送构件具有本发明的清洁片和输送构件。
图4为示出本发明的带清洁功能的输送构件的一个实施方式的示意截面图。图4中，带清洁功能的输送构件300具有清洁片100和输送构件200。清洁片100具有粘合剂层的情况下，优选清洁片100的输送构件200侧的最外层成为粘合剂层。
作为输送构件，在不损害本发明效果的范围内可采用任意适当的输送构件。作为这样的输送构件，例如，可举出半导体晶圆(例如，硅晶圆)、LCD、PDP等平板显示器用基板、光盘、MR头等。这些输送构件中，出于基板处理装置内的晶圆的输送装置的清洁的目的时，代表性的是可举出半导体晶圆(例如，硅晶圆)。
[实施例]
以下，举出实施例及比较例，更具体地对本发明进行说明。但是，本发明不受它们任何制限。需要说明的是，以下的说明中，“份”及“％”只要没有特别说明，则为重量基准。
<在25℃下的弹性模量的测定方法>
利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下进行测定。具体而言，可在下述条件下测定。
(测定装置及测定条件)
装置：Hysitron Inc.制Tribo Indenter
使用压头：Berkovich(三角锥型)
测定方法：单一压痕测定
压痕深度设定：100nm
频率：100Hz
振幅：2nm
测定气氛：氮气氛
试样尺寸：1cm×1cm
<在25℃下的吸附力的测定方法>
利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下进行测定。具体而言，将上述的弹性模量的测定中得到的载荷-位移曲线中的卸载曲线的最小载荷作为吸附力。
<污染性的评价方法>
使用粒子计数器(TOPCON CORPORATION制、WM-3)，测定硅晶圆的镜面上的异物数，由此来评价。
具体而言，如下地来进行。
首先，测定洁净的6英寸的硅晶圆的镜面上的异物数(Count-1)。接着，将该洁净的6英寸的硅晶圆的镜面贴合于清洁片，然后，进行剥离，测定剥离后的硅晶圆的镜面上的异物数(Count-2)。通过下式算出污染性。
污染性(％)＝(Count-2/Count-1)×100
<除尘性的评价方法>
使用粒子计数器(TOPCON CORPORATION制、WM-3)，测定硅晶圆的镜面上的异物数，由此来评价。
具体而言，如下地来进行。
首先，将洁净的6英寸的硅晶圆的镜面在大气中放置6小时，制成被污染的6英寸的硅晶圆，测定其镜面上的异物数(Count1)。接着，将该被污染的6英寸的硅晶圆的镜面贴合于清洁片，然后，进行剥离，测定剥离后的硅晶圆的镜面上的异物数(Count2)。通过下式算出污染性。
除尘性(％)＝[(Count1-Count2)/Count1]×100
<输送性评价>
使用DGP8760(Disco)，将带清洁功能的输送构件输送至卡盘台上，进行真空吸附，评价解除真空后是否能够用输送臂将带清洁功能的输送构件从卡盘台剥离。
○：能够剥离。
×：不能剥离。
[实施例1]
(改性聚苯并噁唑的清漆的制造)
在安装有搅拌装置的可拆式烧瓶中投入4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)：3.00g、H2N-CH(CH3)-(O-CH2-CH(CH3))n-NH2(商品名“JEFFAMINE D-2000”、HUNTSMAN制、分子量2000、n＝约33)：3.60g、吡啶：2.77g、N-甲基-2-吡咯烷酮：50g，在室温下进行搅拌直至4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)和JEFFAMINE D-2000完全溶解。然后，用1分钟滴加三甲基氯硅烷：2.72g，在室温下搅拌60分钟。然后，用5分钟缓慢添加4,4’-双(氯羰基)二苯基醚：29.5g，室温下搅拌5小时。
将得到的合成液滴加至2L的离子交换水中，将得到的沉淀物在100℃下干燥24小时，向干燥后的沉淀物中加入4倍量的N-甲基-2-吡咯烷酮进行再溶解，由此得到改性聚苯并噁唑(1)的清漆。
(具备清洁层的带清洁功能的输送构件的制造和评价)
利用旋转涂布将得到的改性聚苯并噁唑(1)的清漆涂布于8英寸硅晶圆的镜面上，在150℃下加热30分钟，将N-甲基-2-吡咯烷酮去除后，在真空下、于300℃加热2小时，得到具备厚度为5μm的清洁层(1)的带清洁功能的输送构件(1)。
将各种评价结果示于表1。
[实施例2]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为2.58g，使用H2N-CH(CH3)-CH2-(O-CH(CH3)-CH2)2-(O-CH2CH2CH2CH2)9-(O-CH2-CH(CH3))3-NH2(商品名“ELASTAMINE RT-1000”、HUNTSMAN制、分子量1000)：3.00g代替JEFFAMINE D-2000：3.60g，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(2)、及具备厚度为5μm的清洁层(2)的带清洁功能的输送构件(2)。
将各种评价结果示于表1。
[实施例3]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为3.25g，将JEFFAMINE D-2000的用量设为2.10g，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(3)、及具备厚度为5μm的清洁层(3)的带清洁功能的输送构件(3)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例1]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为3.66g，不使用JEFFAMINE D-2000，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(C1)、及具备厚度为5μm的清洁层(C1)的带清洁功能的输送构件(C1)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例2]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为2.50g，将JEFFAMINE D-2000的用量设为6.30g，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(C2)、及具备厚度为5μm的清洁层(C2)的带清洁功能的输送构件(C2)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例3]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为2.50g，使用H2N-CH(CH3)-CH2-(O-CH2-CH(CH3))x-(O-CH2CH2)y-(O-CH2-CH(CH3))zNH2(商品名“JEFFAMINE ED-2003”、HUNTSMAN制、分子量2000、y＝约39、x+z＝约6)：6.30g代替JEFFAMINE D-2000：3.60g，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(C3)、及具备厚度为5μm的清洁层(C3)的带清洁功能的输送构件(C3)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例4]
改性聚苯并噁唑的清漆的制造中，将4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)的用量设为3.24g，使用H2N-CH(CH3)-(O-CH2-CH(CH3))n-NH2(商品名“JEFFAMINE D-4000”、HUNTSMAN制、分子量4000、n＝约68)：4.80g代替JEFFAMINE D-2000：3.60g，除此以外，与实施例1同样地进行，得到改性聚苯并噁唑(C4)、及具备厚度为5μm的清洁层(C4)的带清洁功能的输送构件(C4)。
将各种评价结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002800665660000161
产业上的可利用性
本发明的清洁片及带清洁功能的输送构件适合用于各种制造装置、检查装置这样的基板处理装置的清洁。

Claims (8)

1.一种清洁片，其具备清洁层，
该清洁层在25℃下的弹性模量为200MPa～3000MPa、在25℃下的吸附力为-1.5μN～-0.3μN，
其中，所述弹性模量及所述吸附力是利用纳米压痕仪在频率100Hz、压痕深度100nm、测定样品尺寸1.0cm×1.0cm、振幅2nm下测定的。
2.根据权利要求1所述的清洁片，其中，所述清洁层包含具有软链段的改性聚苯并噁唑。
3.根据权利要求2所述的清洁片，其中，所述软链段具有由选自-(O-R)n-及-(O-COO-R)n-中的至少1种表示的重复骨架，
其中，R表示碳数2～18的亚烷基，n表示1～100的数。
4.根据权利要求2所述的清洁片，其中，所述清洁层中的所述聚苯并噁唑的含有比例为50重量％～100重量％。
5.根据权利要求1所述的清洁片，其中，所述清洁层的厚度为1μm～500μm。
6.根据权利要求1所述的清洁片，其中，包含粘合剂层。
7.根据权利要求1所述的清洁片，其中，包含支撑体。
8.一种带清洁功能的输送构件，其具有权利要求1～7中任一项所述的清洁片和输送构件。
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