TW202128432A - 清潔片及具清潔功能之搬送構件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種清潔片，其適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。又，本發明提供一種具清潔功能之搬送構件，其具有此種清潔片與搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。 本發明之實施方式之清潔片具備清潔層，該清潔層於25℃下之彈性模數為200 MPa～3000 MPa，於25℃之吸附力為-1.5 μN～-0.3 μN。其中，上述彈性模數及上述吸附力係利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下測定。

Description

清潔片及具清潔功能之搬送構件
本發明係關於一種清潔片及具清潔功能之搬送構件。
就半導體、平板顯示器、印刷電路板等之製造裝置、檢查裝置等忌避異物之各種基板處理裝置而言，一邊使搬送裝置(代表裝置為工作盤等)與基板物理接觸一邊進行搬送。此時，若異物附著於搬送裝置，則會陸續地污染後續之基板，因此必須定期地使裝置停止並進行清洗處理。結果，存在處理裝置之運轉率降低之問題、因裝置之清洗處理而需要大量勞力之問題。
為了克服此種問題，提出了藉由將板狀構件搬送至基板處理裝置內來去除附著於搬送裝置之異物之方法(參照專利文獻1)。根據該方法，不必使基板處理裝置停止並進行清洗處理，因此可消除處理裝置之運轉率降低之問題。但，藉由該方法，無法將附著於搬送裝置之異物充分去除。
另一方面，提出一種方法，其係藉由將固著有黏著性物質之基板作為清潔構件搬送至基板處理裝置內，而去除附著於搬送裝置之異物(參照專利文獻2)。該方法與專利文獻1中記載之方法相比，異物之去除性優異。但，專利文獻2中記載之方法，會產生黏著性物質與搬送裝置之接觸部分過強地接著從而無法分離之問題。結果，可產生無法可靠地將固著有黏著性物質之基板進行搬送之問題、使搬送裝置破損之問題、以及會污染搬送裝置之問題。另一方面，若黏著性物質與搬送裝置之密接力變得過小，則會產生清潔構件之異物之去除性降低，得不到充分之清潔效果之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-87458號公報 [專利文獻2]日本專利特開平10-154686號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之課題在於提供一種清潔片，其適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。又，本發明之課題還在於提供一種具清潔功能之搬送構件，其具有此種清潔片與搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施方式之清潔片具備清潔層，且 該清潔層於25℃下之彈性模數為200 MPa～3000 MPa、於25℃之吸附力為-1.5 μN～-0.3 μN。 其中，上述彈性模數及上述吸附力係利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下測定。
一實施方式中，上述清潔層包含具有軟鏈段之改性聚苯并㗁唑。
一實施方式中，上述軟鏈段具有由選自-(O-R)n -及-(O-COO-R)n -中之至少1種表示之重複骨架。 其中，R表示碳數2～18之伸烷基，n表示1～100之數。
一實施方式中，上述清潔層中之上述改性聚苯并㗁唑之含有比率為50重量%～100重量%。
一實施方式中，上述清潔層之厚度為1 μm～500 μm。
一實施方式中，本發明之清潔片包含黏著劑層。
一實施方式中，本發明之清潔片包含支持體。
本發明之實施方式之具清潔功能之搬送構件具有上述清潔片與搬送構件。 發明之效果
根據本發明，能夠提供一種清潔片，其適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。又，能夠提供一種具清潔功能之搬送構件，其具有此種清潔片與搬送構件，且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異。
《《1.清潔片》》 本發明之實施方式之清潔片具備清潔層。本發明之實施方式之清潔片可僅由清潔層構成，亦可具有其他層。
圖1係示出本發明之實施方式之清潔片之一實施方式之概略剖視圖。於圖1中，清潔片100具有清潔層10與保護膜20。保護膜20係出於保護清潔層10等目的而可具備，故可根據目的而省略。即，本發明之清潔片可僅由清潔層10構成。
圖2係示出本發明之實施方式之清潔片之另一實施方式之概略剖視圖。於圖2中，清潔片100具有保護膜20、清潔層10、及黏著劑層30。保護膜20係出於保護清潔層10等目的而可具備，故可根據目的而省略。
圖3係示出本發明之實施方式之清潔片之又一實施方式之概略剖視圖。於圖3中，清潔片100具有保護膜20、清潔層10、支持體40、及黏著劑層30。保護膜20係出於保護清潔層10等目的而可具備，故可根據目的而省略。
本發明之實施方式之清潔片之厚度可根據其構成(尤其，是否具有支持體、黏著劑層，其等之厚度為何種程度等)而採用任意適當之厚度。
本發明之清潔片較佳為，耐熱性優異，於高溫環境下亦可充分使用。作為此種高溫環境，較佳為150℃以上，更佳為200℃以上，進而較佳為250℃以上，進而較佳為300℃以上，尤佳為350℃以上。
《1-1.清潔層》 清潔層之較佳實施方式係於25℃下之彈性模數為200 MPa～3000 MPa，於25℃之吸附力為-1.5 μN～-0.3 μN。此處，上述彈性模數及上述吸附力係利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下測定。其等之測定方法之詳細情況於下文敍述。
於清潔層中，於25℃下之彈性模數為200 MPa～3000 MPa，於25℃之吸附力為-1.5 μN～-0.3 μN，藉此可提供適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異之清潔片。
清潔層於25℃下之彈性模數較佳為200 MPa～3000 MPa，更佳為250 MPa～2500 MPa，進而較佳為300 MPa～2000 MPa，尤佳為400 MPa～1500 MPa。藉由使清潔層於25℃下之彈性模數處於上述範圍，從而可提供適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能更優異之清潔片。若清潔層於25℃下之彈性模數超出上述範圍而變低，則有無法充分表現污染抑制性能之虞。若清潔層於25℃下之彈性模數超出上述範圍而變高，則有無法充分表現異物去除性能之虞。
清潔層於25℃之吸附力較佳為-1.5 μN～-0.3 μN，更佳為-1.2 μN～-0.3 μN，尤佳為-0.7 μN～-0.3 μN。藉由使清潔層於25℃之吸附力處於上述範圍，從而可提供適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能更優異之清潔片。若清潔層於25℃之吸附力超出上述範圍而變低，則有無法充分表現污染抑制性能之虞。若清潔層於25℃之吸附力超出上述範圍而變高，則有無法充分表現異物去除性能之虞。
就可充分表現本發明之效果之方面而言，清潔層較佳為包含具有軟鏈段之改性聚苯并㗁唑。
聚苯并㗁唑為具有耐熱性及絕緣性之樹脂，作為凸塊保護膜、層間絕緣膜等而用於半導體器件。本發明中進行了各種實驗、研究，結果發現，包含於聚苯并㗁唑中導入軟鏈段而成之改性聚苯并㗁唑之層可成為異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能優異之清潔片。
改性聚苯并㗁唑所包含之軟鏈段只要為可對聚合物賦予柔軟性之被稱為所謂「軟鏈段」之鏈段，則於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之軟鏈段。此種軟鏈段中，就可進一步表現本發明之效果之方面而言，較佳為具有由選自-(O-R)n -及-(O-COO-R)n -中之至少1種表示之重複骨架之軟鏈段。軟鏈段中可包含之-(O-R)n -可僅為1種，亦可為2種以上。軟鏈段中可包含之-(O-COO-R)n -可僅為1種，亦可為2種以上。
由選自-(O-R)n -及-(O-COO-R)n -中之至少1種表示之重複骨架中，R表示碳數2～18之伸烷基，n表示1～100之數。R較佳為碳數2～12之伸烷基，更佳為碳數3～10之伸烷基，進而較佳為碳數3～6之伸烷基，尤佳為碳數3～4之伸烷基。n較佳為5～90之數，更佳為10～70之數，尤佳為10～50之數。
本發明中之改性聚苯并㗁唑較佳為可使用具有由選自-(O-R)n -及-(O-COO-R)n -中之至少1種表示之重複骨架之化合物(S)來製造。作為此種化合物(S)，較佳於兩末端具有與氯化物(-Cl)反應之官能基。作為此種官能基，例如可舉出胺基、取代胺基、羥基等。
作為化合物(S)，例如可舉出H2 N-R1 -(O-R)n -R2 -NH2 、H2 N-R1 -(O-COO-R)n -R2 -NH2 、HO-R1 -(O-R)n -R2 -OH、O-R1 -(O-COO-R)n -R2 -OH等。此處，R1 、R2 各自獨立，可為單鍵，且係碳數1～18(較佳為碳數2～12，更佳為碳數3～10，進而較佳為碳數3～6，尤佳為碳數3～4)之伸烷基。再者，如上所述，-(O-R)n -可僅為1種，亦可為2種以上，-(O-COO-R)n -可僅為1種，亦可為2種以上。即，例如若以H2 N-R1 -(O-R)n -R2 -NH2 為例進行說明，則-(O-R)n -可由-(O-CH2 -CH(CH3 ))x -(O-CH2 -CH2 )y -(O-CH2 -CH(CH3 ))z -表示(x、y、z各自獨立地為1～100之數)。
關於化合物(S)之分子量，就可進一步表現本發明之效果之方面而言，較佳為300～3500，更佳為500～3000，進而較佳為600～2500，尤佳為800～2200。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，相對於為了製造具有軟鏈段之改性聚苯并㗁唑而使用之胺成分(例如，以實施例1為例，為「4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)」與「JEFFAMINE D-2000」)之總量，化合物(S)之調配比率(有時稱為「軟鏈段比率」)以莫耳比率計，較佳為2莫耳%～40莫耳%，更佳為3莫耳%～35莫耳%，進而較佳為5莫耳%～32莫耳%，尤佳為8莫耳%～31莫耳%，最佳為10莫耳%～30莫耳%。
作為使用化合物(S)製造改性聚苯并㗁唑之方法，代表性之方法可舉出：於安裝有攪拌裝置之可拆式燒瓶中投入4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)、軟鏈段、吡啶、N-甲基-2-吡咯啶酮，於室溫下進行攪拌直至各材料完全溶解。然後，用1分鐘滴加三甲基氯矽烷，於室溫下攪拌60分鐘。然後，用5分鐘緩慢添加4,4'-雙(氯羰基)二苯基醚，於室溫下攪拌5小時。將得到之合成液滴加至2 L之離子交換水中，將得到之沈澱物於100℃乾燥24小時，向乾燥後之沈澱物中加入4倍量之N-甲基-2-吡咯啶酮而使其再溶解，藉此得到改性聚苯并㗁唑之清漆。利用旋轉塗佈將得到之改性聚苯并㗁唑之清漆塗佈於矽晶圓之鏡面上，於150℃進行30分鐘加熱，將N-甲基-2-吡咯啶酮去除後，於真空下、於300℃進行2小時加熱等。
清潔層中之改性聚苯并㗁唑之含有比率較佳為50重量%～100重量%，更佳為70重量%～100重量%，進而較佳為90重量%～100重量%，尤佳為95重量%～100重量%，最佳為98重量%～100重量%。清潔層中之改性聚苯并㗁唑之含有比率處於上述範圍內時，可提供適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能更優異之清潔片。
於清潔層中，於不損害本發明效果之範圍內可包含任意適當之其他成分。作為此種其他成分，例如可舉出除聚苯并㗁唑以外之耐熱性樹脂、界面活性劑、塑化劑、抗氧化劑、導電性賦予劑、紫外線吸收劑、光穩定化劑等。
清潔層之厚度較佳為1 μm～500 μm，更佳為3 μm～100 μm，進而較佳為5 μm～50 μm。藉由使清潔層之厚度處於上述範圍內，從而可提供適合用於在基板處理裝置內進行搬送之搬送構件且異物去除性能、污染抑制性能及搬送性能更優異之清潔片。
清潔層實質上不具有黏著力。即，例如由黏著性物質形成之清潔層、藉由使黏著帶固著而形成之清潔層被從本發明中之清潔層中排除在外。若本發明之清潔片具備實質上具有黏著力之清潔層，則有該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分過強地接著從而不分離之虞。結果，有產生無法可靠地將基板進行搬送之問題、使搬送裝置破損之問題之虞。
如上所述，清潔層實質上不具有黏著力。具體而言，相對於矽晶圓之鏡面的JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力A較佳為未達0.20 N/10mm，更佳為0.01～0.10 N/10mm。清潔層相對於矽晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力A處於此種範圍內時，清潔層實質上不具有黏著力，該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分之黏著性能夠降低，結果，能可靠地將基板進行搬送，並且搬送裝置可變得不易破損。
清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180度剝離黏著力B較佳為10 N/10mm以上，更佳為15 N/10mm以上，進而較佳為20 N/10mm以上，尤佳為25 N/10mm以上，最佳為30 N/10mm以上。清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180度剝離黏著力B處於上述範圍內時，例如，清潔層與虛設晶圓等搬送構件之密接性變高，於清潔中清潔層變得不易從虛設晶圓等搬送構件剝離。
清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180度剝離黏著力B例如可於作為虛設晶圓之矽晶圓之鏡面形成清潔層並依據JIS-Z-0237進行測定。
對於清潔層而言，藉由十字切割法得到之清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之殘存數較佳為15/25以上，更佳為18/25以上，進而較佳為20/25以上，尤佳為23/25以上，最佳為25/25以上。清潔層藉由十字切割法得到之清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之殘存數處於上述範圍內時，例如，清潔層與虛設晶圓等搬送構件之密接性變得更高，於清潔中清潔層變得不易從虛設晶圓等搬送構件剝離。
清潔層藉由十字切割法得到之清潔層相對於虛設晶圓之鏡面之殘存數例如可藉由如下操作來測定：用切割刀於試驗面上以2 mm間隔製作相對於基底之6條平行之切痕，進而以與該切痕正交之方式同樣地以2 mm間隔製作6條平行之切痕，藉此製作25個棋盤格，將具有16 N/20mm之黏著力之膠帶(例如，日東電工股份有限公司製之「BT-315ST」)強力壓接於棋盤格部分，以45°之角度瞬間剝離膠帶之端，與標準圖進行比較來評價棋盤格之狀態。
《1-2.支持體》 本發明之清潔片可具備支持體。支持體可為單層，亦可為多層體。
支持體之厚度於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為500 μm以下，更佳為1 μm～400 μm，進而較佳為1 μm～300 μm，尤佳為1 μm～200 μm，最佳為1 μm～100 μm。
支持體於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之支持體。作為此種支持體，例如，可舉出塑膠、工程塑膠、超級工程塑膠之膜。作為塑膠、工程塑膠、超級工程塑膠之具體例，可舉出聚醯亞胺、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙醯纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚醯胺等。
支持體之材料之分子量等各物性可根據目的適宜選擇。
支持體之成形方法可根據目的適宜選擇。
為了提高與鄰接之層之密接性、保持性等，支持體之表面可實施慣用之表面處理、例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學處理或物理處理、基於底塗劑之塗佈處理等。
《1-3.黏著劑層》 本發明之清潔片可具備黏著劑層。作為此種黏著劑層之材料，於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之材料。作為此種黏著劑層之材料，例如可採用丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑等。
黏著劑層係為了貼附於例如虛設晶圓之鏡面而設置。藉此，本發明之清潔片被貼附於作為搬送構件之虛設晶圓，可成為本發明之具清潔功能之搬送構件。
黏著劑層相對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180度剝離黏著力C較佳為10 N/10mm以上，更佳為15 N/10mm以上，進而較佳為20 N/10mm以上，尤佳為25 N/10mm以上，最佳為30 N/10mm以上。黏著劑層相對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180度剝離黏著力C處於上述範圍內時，例如，黏著劑層與虛設晶圓之密接力變高，清潔中清潔片變得不易從虛設晶圓剝離。
黏著劑層之厚度較佳為1 μm～200 μm，更佳為2 μm～100 μm，進而較佳為3 μm～80 μm，尤佳為4 μm～60 μm，最佳為5 μm～50 μm。
《1-4.保護膜》 為了保護清潔層、支持體、黏著劑層等，本發明之清潔片可具有保護膜。保護膜於適當之階段可剝離。
保護膜於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之膜。作為此種膜之材料，例如可舉出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、氟樹脂等。
保護膜於不損害本發明效果之範圍內可實施任意適當之剝離處理。代表性之剝離處理係利用剝離劑來進行。作為剝離劑，例如可舉出聚矽氧系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、脂肪酸醯胺系剝離劑、二氧化矽系剝離劑等。
保護膜之厚度較佳為1 μm～100 μm。
保護膜之形成方法根據目的來適宜選擇，例如可藉由射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法等來形成。
《1-5.清潔片之製造方法》 作為清潔片之製造方法，於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之製造方法。作為此種製造方法，例如可舉出：(1)將清潔層之清漆溶液流延於支持體上，用旋轉塗佈機等均勻地成膜後，進行加熱，藉此於支持體上直接形成清潔層之方法；(2)藉由將作為標籤及增強部之構成材料之黏著膜(於標籤支持體之單面設置清潔層且於另一面設置通常之黏著劑層者)貼附於隔離件上之方法等來形成包含隔離件與黏著膜之積層體，繼而，將該積層體之僅黏著膜同時或分別沖裁成標籤及/或增強部之各形狀，將不需要之黏著膜從隔離件剝離去除之方法等。
《《2.具清潔功能之搬送構件》》 本發明之具清潔功能之搬送構件具有本發明之清潔片與搬送構件。
圖4係示出本發明之具清潔功能之搬送構件之一實施方式之概略剖視圖。圖4中，具清潔功能之搬送構件300具有清潔片100與搬送構件200。清潔片100具有黏著劑層之情形時，較佳為清潔片100之搬送構件200側之最外層成為黏著劑層。
作為搬送構件，於不損害本發明效果之範圍內可採用任意適當之搬送構件。作為此種搬送構件，例如可舉出半導體晶圓(例如，矽晶圓)、LCD、PDP等平板顯示器用基板、光盤、MR頭等。該等搬送構件中，以基板處理裝置內之晶圓之搬送裝置之清潔為目的時，代表性搬送構件可舉出半導體晶圓(例如，矽晶圓)。 [實施例]
以下，舉出實施例及比較例，更具體地對本發明進行說明。但，本發明不受其等任何限制。再者，以下之說明中，「份」及「%」只要沒有特別說明，則為重量基準。
＜於25℃下之彈性模數之測定方法＞ 利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下進行測定。具體而言，可於下述條件下測定。 (測定裝置及測定條件) 裝置：Hysitron Inc.製Tribo Indenter 使用壓頭：Berkovich(三角錐型) 測定方法：單一壓痕測定 壓入深度設定：100 nm 頻率：100 Hz 振幅：2 nm 測定氣氛：氮氣氛圍 試樣尺寸：1 cm×1 cm
＜於25℃之吸附力之測定方法＞ 利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下進行測定。具體而言，將上述之彈性模數之測定中得到之載荷-位移曲線中之卸載曲線之最小載荷作為吸附力。
＜污染性之評價方法＞ 使用粒子計數器(TOPCON製之WM-3)，測定矽晶圓之鏡面上之異物數，藉此來評價。 具體而言，以如下方式來進行。 首先，測定潔淨之6英吋之矽晶圓之鏡面上之異物數(Count-1)。繼而，將該潔淨之6英吋之矽晶圓之鏡面貼合於清潔片，然後進行剝離，測定剝離後之矽晶圓之鏡面上之異物數(Count-2)。藉由下式算出污染性。 污染性(%)=(Count-2/Count-1)×100
＜除塵性之評價方法＞ 使用粒子計數器(TOPCON製之WM-3)，測定矽晶圓之鏡面上之異物數，藉此來評價。 具體而言，以如下方式來進行。 首先，將潔淨之6英吋之矽晶圓之鏡面於大氣中放置6小時，製成被污染之6英吋之矽晶圓，測定其鏡面上之異物數(Count1)。繼而，將該被污染之6英吋之矽晶圓之鏡面貼合於清潔片，然後進行剝離，測定剝離後之矽晶圓之鏡面上之異物數(Count2)。藉由下式算出污染性。 除塵性(%)=[(Count1-Count2)/Count1]×100
＜搬送性評價＞ 使用DGP8760(Disco)，將具清潔功能之搬送構件搬送至工作盤上，進行真空吸附，評價解除真空後能否用搬送臂將具清潔功能之搬送構件從工作盤剝離。 ○：能夠剝離。 ×：無法剝離。
[實施例1] (改性聚苯并㗁唑之清漆之製造) 於安裝有攪拌裝置之可拆式燒瓶中投入3.00 g之4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)、3.60 g之H2 N-CH(CH3 )-(O-CH2 -CH(CH3 ))n -NH2 (商品名「JEFFAMINE D-2000」、HUNTSMAN製、分子量2000、n=約33)、2.77 g之吡啶、50 g之N-甲基-2-吡咯啶酮，於室溫下進行攪拌直至4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)與JEFFAMINE D-2000完全溶解。然後，用1分鐘滴加2.72 g之三甲基氯矽烷，於室溫下攪拌60分鐘。然後，用5分鐘緩慢添加29.5 g之4,4'-雙(氯羰基)二苯基醚，室溫下攪拌5小時。 將得到之合成液滴加至2 L之離子交換水中，將得到之沈澱物於100℃乾燥24小時，向乾燥後之沈澱物中加入4倍量之N-甲基-2-吡咯啶酮進行再溶解，藉此得到改性聚苯并㗁唑(1)之清漆。 (具備清潔層之具清潔功能之搬送構件之製造與評價) 利用旋轉塗佈將得到之改性聚苯并㗁唑(1)之清漆塗佈於8英吋矽晶圓之鏡面上，於150℃加熱30分鐘，將N-甲基-2-吡咯啶酮去除後，於真空下，於300℃加熱2小時，得到具備厚度為5 μm之清潔層(1)之具清潔功能之搬送構件(1)。 將各種評價結果示於表1。
[實施例2] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為2.58 g，使用3.00 g之H2 N-CH(CH3 )-CH2 -(O-CH(CH3 )-CH2 )2 -(O-CH2 CH2 CH2 CH2 )9 -(O-CH2 -CH(CH3 ))3 -NH2 (商品名「ELASTAMINE RT-1000」、HUNTSMAN製、分子量1000)來代替3.60 g之JEFFAMINE D-2000，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(2)、及具備厚度為5 μm之清潔層(2)之具清潔功能之搬送構件(2)。 將各種評價結果示於表1。
[實施例3] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為3.25 g，將JEFFAMINE D-2000之用量設為2.10 g，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(3)、及具備厚度為5 μm之清潔層(3)之具清潔功能之搬送構件(3)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例1] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為3.66 g，不使用JEFFAMINE D-2000，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(C1)、及具備厚度為5 μm之清潔層(C1)之具清潔功能之搬送構件(C1)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例2] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為2.50 g，將JEFFAMINE D-2000之用量設為6.30 g，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(C2)、及具備厚度為5 μm之清潔層(C2)之具清潔功能之搬送構件(C2)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例3] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為2.50 g，使用6.30 g之H2 N-CH(CH3 )-CH2 -(O-CH2 -CH(CH3 ))x -(O-CH2 CH2 )y -(O-CH2 -CH(CH3 ))z NH2 (商品名「JEFFAMINE ED-2003」、HUNTSMAN製、分子量2000、y=約39、x+z=約6)來代替3.60 g之JEFFAMINE D-2000，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(C3)、及具備厚度為5 μm之清潔層(C3)之具清潔功能之搬送構件(C3)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例4] 改性聚苯并㗁唑之清漆之製造中，將4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)之用量設為3.24 g，使用4.80 g之H2 N-CH(CH3 )-(O-CH2 -CH(CH3 ))n -NH2 (商品名「JEFFAMINE D-4000」、HUNTSMAN製、分子量4000、n=約68)來代替3.60g之JEFFAMINE D-2000，除此以外，與實施例1同樣地進行，得到改性聚苯并㗁唑(C4)、及具備厚度為5 μm之清潔層(C4)之具清潔功能之搬送構件(C4)。 將各種評價結果示於表1。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
組成 [g] 調配物 分子量
4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚) 366.26 3.00 2.58 3.25 3.66 2.50 2.50 3.24
JEFFAMINE D-2000 2000 3.60 - 2.10 - 6.30 - -
JEFFAMINE D-4000 4000 - - - - - - 4.80
ELASTAMINE RT-1000 1000 - 3.00 - - - - -
JEFFAMINE ED-2003 2000 - - - - - 6.30 -
吡啶 79.1 2.77 2.77 2.77 2.77 2.77 2.77 2.77
三甲基氯矽烷 108.64 2.72 2.72 2.72 2.72 2.72 2.72 2.72
4,4'-雙(氯羰基)二苯基醚 295.12 2.95 2.95 2.95 2.95 2.95 2.95 2.95
N-甲基-2-吡咯啶酮    50 50 50 50 50 50 50
軟鏈段比率[mol%] 18 30 11 0 32 32 12
吸附力 [uN] -0.58 -0.47 -0.38 -0.24 -4.82 -0.82 -1.73
彈性模數 [Mpa] 653 1551 1386 4553 132 84 2249
污染性 count增加率 11% 38% 46% 38% 1782% 621% 421%
除塵性 count減少率 46% 62% 20% 0% 因污染而NG 因污染而NG 因污染而NG
搬送性    〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
[產業上之可利用性]
本發明之清潔片及具清潔功能之搬送構件適合用於各種製造裝置、如檢查裝置之基板處理裝置之清潔。
10:清潔層 20:保護膜 30:黏著劑層 40:支持體 100:清潔片 200:搬送構件 300:具清潔功能之搬送構件
圖1係示出本發明之清潔片之一實施方式之概略剖視圖。 圖2係示出本發明之清潔片之另一實施方式之概略剖視圖。 圖3係示出本發明之清潔片之又一實施方式之概略剖視圖。 圖4係示出本發明之具清潔功能之搬送構件之一實施方式之概略剖視圖。
10:清潔層
20:保護膜
30:黏著劑層
40:支持體
100:清潔片

Claims (8)

  1. 一種清潔片，其具備清潔層， 該清潔層於25℃下之彈性模數為200 MPa～3000 MPa，於25℃之吸附力為-1.5 μN～-0.3 μN， 其中，上述彈性模數及上述吸附力係利用奈米壓痕儀於頻率100 Hz、壓入深度100 nm、測定樣品尺寸1.0 cm×1.0 cm、振幅2 nm之條件下測定。
  2. 如請求項1之清潔片，其中上述清潔層包含具有軟鏈段之改性聚苯并㗁唑。
  3. 如請求項2之清潔片，其中上述軟鏈段具有由選自-(O-R)n -及-(O-COO-R)n -中之至少1種表示之重複骨架， 其中，R表示碳數2～18之伸烷基，n表示1～100之數。
  4. 如請求項2之清潔片，其中上述清潔層中之上述聚苯并㗁唑之含有比率為50重量%～100重量%。
  5. 如請求項1之清潔片，其中上述清潔層之厚度為1 μm～500 μm。
  6. 如請求項1之清潔片，其包含黏著劑層。
  7. 如請求項1之清潔片，其包含支持體。
  8. 一種具清潔功能之搬送構件，其具有如請求項1至7中任一項之清潔片與搬送構件。
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