TWI805892B - 清潔片及具清潔功能之搬送構件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種適合用於向基板處理裝置內搬送之搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的清潔片。另外，提供一種具有此種清潔片及搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的具清潔功能之搬送構件。本發明之清潔片具備清潔層，該清潔層之400 nm下之透過率為50%以上，該清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的400 nm下之透過率為50%以上。

Description

清潔片及具清潔功能之搬送構件
本發明關於一種清潔片及具清潔功能之搬送構件。
半導體、平板顯示器、印刷基板等之製造裝置、檢查裝置等忌諱異物之各種基板處理裝置中，一邊使搬送裝置(代表性為卡盤台等)與基板物理接觸一邊搬送。此時，若異物附著於搬送裝置，則相繼污染後續的基板，因此需要定期停止裝置，進行清洗處理。其結果，存在處理裝置之運轉率降低之問題、由於裝置之清洗處理而需要大量勞力之問題。
為了克服上述問題，提出了藉由向基板處理裝置內搬送板狀構件而將附著於搬送裝置之異物去除的方法(參照專利文獻1)。根據該方法，無需停止基板處理裝置來進行清洗處理，因此消除了處理裝置之運轉率降低之問題。然而，藉由該方法，無法充分去除附著於搬送裝置之異物。
另一方面，提出了將固著有黏著性物質之基板作為清潔構件向基板處理裝置內搬送，藉此去除附著於搬送裝置之異物的方法(參照專利文獻2)。該方法與專利文獻1中記載之方法相比，異物之去除性優異。然而，專利文獻2中記載之方法中，可能會產生黏著性物質與搬送裝置之接觸部分接著過強而無法分離之問題。其結果，可能產生無法確實地搬送固著有黏著性物質的基板之問題、使搬送裝置破損之問題。
作為解決如上文所述之各種問題等的手段，本申請人報導了一種清潔片，其採用丙烯酸系聚合物、聚醯亞胺、聚酯作為清潔層，適合用於向基板處理裝置內搬送之搬送構件(專利文獻3、4)。
清潔片係以去除異物為目的之構件，因此，為了確認異物，較佳為透明性儘可能高。然而，先前之清潔片中由於清潔層之透明性低，因此存在無法充分辨識異物之存在的問題。
另外，近年來，隨著半導體器件之多樣化，有時要求於基板處理裝置內設定必須於高溫條件下進行搬送等的製程區域。然而，如上所述之現有之清潔片之耐熱性不充分，例如於200℃程度之高溫條件下，清潔層會加熱變色，存在充分辨識異物之存在變得更困難的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-87458號公報 [專利文獻2]日本特開平10-154686號公報 [專利文獻3]日本特開2007-307521號公報 [專利文獻4]日本特開2010-259970號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之課題在於，提供一種適合用於向基板處理裝置內搬送之搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的清潔片。另外，提供一種具有此種清潔片及搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的具清潔功能之搬送構件。 [解決問題之技術手段]
本發明之清潔片具備清潔層，該清潔層之400 nm下之透過率為50%以上， 該清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的400 nm之透過率為50%以上。
一個實施方式中，上述清潔層之厚度為1 μm～500 μm。
一個實施方式中，本發明之清潔片包含黏著劑層。
一個實施方式中，本發明之清潔片包含支持體。
本發明之具清潔功能之搬送構件具有上述清潔片及搬送構件。 [發明之效果]
根據本發明，可以提供適合用於向基板處理裝置內搬送之搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的清潔片。另外，可以提供具有此種清潔片及搬送構件、且異物去除性能及透明性優異的具清潔功能之搬送構件。
≪≪1.清潔片≫≫ 本發明之清潔片具備清潔層。本發明之清潔片可以僅由清潔層構成，亦可以具有其他層。
本發明之清潔片較佳為耐熱性優異、高溫環境下亦能充分使用。作為上述高溫環境，較佳為150℃以上，更佳為200℃以上，進一步更佳為250℃以上，進一步更佳為300℃以上，尤佳為350℃以上。
對於本發明之清潔片，其具備之清潔層之400 nm下之透過率為50%以上，較佳為55%以上，更佳為60%以上，進一步更佳為65%以上，尤佳為70%以上。清潔層之400 nm下之透過率於上述範圍內時，透明性高，因此可以提供異物辨識性優異的清潔片。
對於本發明之清潔片，其具備之清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的、400 nm下之透過率為50%以上，較佳為55%以上，更佳為60%以上，進一步更佳為65%以上，尤佳為70%以上。清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的400 nm下之透過率於上述範圍內時，即使暴露於高溫環境下之後透明性亦高，因此可以提供即使暴露於高溫環境下之後異物辨識性亦優異的清潔片。
圖1係示出本發明之清潔片之一個實施方式的概略剖面圖。圖1中，清潔片100具有清潔層10及保護薄膜20。可以以清潔層10之保護等為目的而具備保護薄膜20，亦可以根據目的省略。即，本發明之清潔片可以僅由清潔層10構成。
圖2係示出本發明之清潔片之另一個實施方式的概略剖面圖。圖2中，清潔片100具有保護薄膜20、清潔層10及黏著劑層30。可以以清潔層10之保護等為目的而具備保護薄膜20，亦可以根據目的而省略。
圖3係示出本發明之清潔片之又一實施方式的概略剖面圖。圖3中，清潔片100具有保護薄膜20、清潔層10、支持體40及黏著劑層30。可以以清潔層10之保護等為目的而具備保護薄膜20，亦可以根據目的而省略。
本發明之清潔片之厚度根據其構成可以採用任意適當的厚度。
≪1-1.清潔層≫ 清潔層之400℃下之熱失重於上述範圍內時，於不損害本發明之效果之範圍內，可以由任意適當的材料構成。
清潔層較佳為包含聚苯并㗁唑。
聚苯并㗁唑為具有耐熱性及絕緣性之樹脂，作為凸塊保護膜、層間絕緣膜等被用於半導體裝置。對於此種耐熱性優異的聚苯并㗁唑，進行了各種實驗、研究，結果發現包含聚苯并㗁唑之層不僅耐熱性優異，而且能夠表現出異物去除性能及透明性亦優異這樣預料不到的效果，因此，判明了包含聚苯并㗁唑之層能夠較佳地用於向設定有必須於高溫條件下進行搬送等之製程區域之基板處理裝置內搬送的清潔片。
本發明之清潔片於其具備之清潔層包含聚苯并㗁唑之情形時，異物去除性能、耐熱性及透明性更優異。因此，本發明之清潔片於其具備之清潔層包含聚苯并㗁唑之情形時，適合用於向設定有必須於高溫條件下進行搬送等之製程區域之基板處理裝置內搬送、且以異物去除等為目的之搬送構件。
清潔層包含聚苯并㗁唑之情形時，清潔層中之聚苯并㗁唑之含有比例較佳為50重量%～100重量%，更佳為70重量%～100重量%，進一步更佳為90重量%～100重量%，尤佳為95重量%～100重量%，最佳為98重量%～100重量%。清潔層中之聚苯并㗁唑之含有比例於上述範圍內時，能夠提供異物去除性能、耐熱性及透明性更優異的清潔片。
清潔層中可以於不損害本發明之效果之範圍內包含任意適當的其他成分。作為上述其他成分，例如可以舉出聚苯并㗁唑以外之耐熱性樹脂、表面活性劑、塑化劑、抗氧化劑、導電性賦予劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等。
清潔層之厚度較佳為1 μm～500 μm，更佳為3 μm～100 μm，進一步更佳為5 μm～50 μm。藉由使清潔層之厚度處於上述範圍內，能夠提供異物去除性能及透明性優異、並且向基板處理裝置內之搬送性能亦優異的清潔片。
清潔層實質上不具有黏著力。即，例如由黏著性物質形成之清潔層、藉由固著黏著帶而形成之清潔層被從本發明中之清潔層中排除。本發明之清潔片具備實質上具有黏著力之清潔層時，該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分可能變得接著過強而無法分離。其結果，有可能產生無法確實地搬送基板之問題、使搬送裝置破損之問題。
如上所述，清潔層實質上不具有黏著力。具體而言，對矽晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力A較佳為小於0.20 N/10 mm，更佳為0.01～0.10 N/10 mm。清潔層對矽晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力A於上述範圍內時，清潔層實質上不具有黏著力，能夠降低該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分的黏著性，其結果，能夠確實地搬送基板，並且搬送裝置能夠變得不易破損。
清潔層之400℃下之熱失重較佳為5%以下，更佳為4%以下，進一步更佳為3%以下，尤佳為2.5%以下，最佳為2%以下。清潔層於400℃下之熱失重於上述範圍內時，可以提供耐熱性更優異的清潔片。
清潔層之500℃下之熱失重較佳為10%以下，更佳為8%以下，進一步更佳為6%以下，尤佳為4%以下，最佳為3%以下。清潔層之500℃下之熱失重為上述範圍內時，能夠提供耐熱性更優異的清潔片。
清潔層之400℃及500℃下之熱失重例如可以使用熱分析計(TG-DTA)「Thermo plus TG8120」(Rigaku Corporation製)測定。
清潔層之熱分解溫度較佳為380℃以上，更佳為400℃以上，進一步更佳為430℃以上，尤佳為470℃以上，最佳為500℃以上。清潔層之熱分解溫度為上述範圍內時，能夠提供耐熱性更優異的清潔片。
清潔層之熱分解溫度例如可以使用熱分析計(TG-DTA)「Thermo plus TG8120」(Rigaku Corporation製)測定。
清潔層之200℃下之釋氣產生量較佳為300 ppm以下，更佳為250 ppm以下，進一步更佳為200 ppm以下，尤佳為150 ppm以下，最佳為100 ppm以下。清潔層之200℃下之釋氣產生量為上述範圍內時，能夠提供耐熱性更優異的清潔片。另外，清潔層之200℃下之釋氣產生量與上述範圍相比過多時，有可能因產生之釋氣對周邊造成污染(例如基板處理裝置內之污染等)。
清潔層之300℃下之釋氣產生量較佳為1000 ppm以下，更佳為500 ppm以下，進一步更佳為300 ppm以下，尤佳為100 ppm以下，最佳為50 ppm以下。清潔層之300℃下之釋氣產生量為上述範圍內時，能夠提供耐熱性更優異的清潔片。另外，清潔層之300℃下之釋氣產生量與上述範圍相比過多時，有可能因產生之釋氣對周邊造成污染(例如基板處理裝置內之污染等)。
清潔層之釋氣產生量例如如下測定：將規定量之試樣放入試樣杯，用加熱爐型熱解器(例如Frontier Laboratories Ltd.製之「PY2020iD」)，以200℃加熱10分鐘或以300℃加熱10分鐘，將揮發之成分捕獲至一部分浸漬於液氮之柱中，結束加熱。之後，從液氮中取出柱，利用電子電離法(EI法)測定GC/MS(例如SHIMADZU製之「GCMS-QP2020」)。
清潔層之25℃下之彈性模量較佳為0.5 GPa以上，更佳為0.7 GPa以上，進一步更佳為1.0 GPa以上，尤佳為1.3 GPa以上，最佳為1.5 GPa以上。清潔層之25℃下之彈性模量為上述範圍內時，能夠提供異物去除性能更優異的清潔片。
清潔層之200℃下之彈性模量較佳為0.1 GPa以上，更佳為0.3 GPa以上，進一步更佳為0.5 GPa以上，尤佳為0.8 GPa以上，最佳為1.0 GPa以上。清潔層之200℃下之彈性模量為上述範圍內時，能夠提供於高溫環境下異物去除性能亦優異的清潔片。
清潔層之25℃及200℃下之彈性模量例如可以使用「RSA G2」(TA Instruments製)測定。
清潔層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力B較佳為10 N/10 mm以上，更佳為15 N/10 mm以上，進一步更佳為20 N/10 mm以上，尤佳為25 N/10 mm以上，最佳為30 N/10 mm以上。清潔層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力B為上述範圍內時，例如清潔層與虛設晶圓等搬送構件之密接性變高，於清潔中清潔層不易從虛設晶圓等搬送構件剝離。
清潔層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力B例如可以如下測定：於作為虛設晶圓之矽晶圓之鏡面形成清潔層，根據JIS-Z-0237進行測定。
清潔層之基於交叉切割法得到的、清潔層對虛設晶圓之鏡面的殘留數較佳為15/25以上，更佳為18/25以上，進一步更佳為20/25以上，尤佳為23/25以上，最佳為25/25以上。清潔層之基於交叉切割法得到的、清潔層對虛設晶圓之鏡面的殘留數為上述範圍內時，例如清潔層與虛設晶圓等搬送構件之密接性變得更高，於清潔中清潔層變得更不易從虛設晶圓等搬送構件剝離。
清潔層之基於交叉切割法得到的、清潔層對虛設晶圓之鏡面的殘留數例如可以如下測定：於試驗面上用切割刀對坯料以2 mm間隔作出6條平行的切痕，再以與該切痕垂直之方式同樣以2 mm間隔作出6條平行的切痕，藉此製作25個棋盤格，將具有16 N/20 mm之黏著力之膠帶(例如日東電工株式會社製之「BT-315ST」)強力壓接於棋盤格部分，以45°之角度一口氣剝離膠帶之端部，將棋盤格之狀態與標準圖進行比較來評價，從而測定。
≪1-2.支持體≫ 本發明之清潔片可以具備支持體。支持體可以為單層，亦可以為多層體。
支持體之厚度於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的厚度。作為此種厚度，較佳為500 μm以下，更佳為1 μm～400 μm，進一步更佳為1 μm～300 μm，尤佳為1 μm～200 μm，最佳為1 μm～100 μm。
支持體於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的支持體。作為此種支持體，例如可以舉出塑膠、工程塑膠、超級工程塑膠之薄膜。作為塑膠、工程塑膠、超級工程塑膠之具體例，可以舉出聚醯亞胺、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚醯胺等。
支持體之材料之分子量等各物性可以根據目的適當選擇。
支持體之成形方法可以根據目的適當選擇。
對於支持體之表面，為了提高與鄰接層之密接性、保持性等，可以實施慣用之表面處理、例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射處理等化學或物理處理、基於底塗劑之塗佈處理等。
≪1-3.黏著劑層≫ 本發明之清潔片可以具備黏著劑層。作為此種黏著劑層之材料，於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的材料。作為此種黏著劑層之材料，例如可以採用丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑等。
黏著劑層係例如為了黏貼於虛設晶圓之鏡面上而設置。藉此，本發明之清潔片被黏貼於作為搬送構件之虛設晶圓上，可以形成本發明之具清潔功能之搬送構件。
黏著劑層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力C較佳為10 N/10 mm以上，更佳為15 N/10 mm以上，進一步更佳為20 N/10 mm以上，尤佳為25 N/10 mm以上，最佳為30 N/10 mm以上。黏著劑層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力C為上述範圍內時，例如黏著劑層與虛設晶圓之密接力變高，於清潔中清潔片變得不易從虛設晶圓剝離。
黏著劑層之厚度較佳為1 μm～200 μm，更佳為2 μm～100 μm，進一步更佳為3 μm～80 μm，尤佳為4 μm～60 μm，最佳為5 μm～50 μm。
≪1-4.保護薄膜≫ 對於本發明之清潔片，為了保護清潔層、支持體、黏著劑層等，可以具有保護薄膜。保護薄膜可以於適當的階段被剝離。
保護薄膜於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的薄膜。作為此種薄膜之材料，例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚胺酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、氟樹脂等。
保護薄膜於不損害本發明之效果之範圍內可以實施任意適當的剝離處理。剝離處理代表性地藉由剝離劑進行。作為剝離劑，例如可以舉出聚矽氧系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、脂肪酸醯胺系剝離劑、二氧化矽系剝離劑等。
保護薄膜之厚度較佳為1 μm～100 μm。
保護薄膜之形成方法根據目的而適當選擇，例如可以藉由射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法等形成。
≪1-5.清潔片之製造方法≫ 作為清潔片之製造方法，於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的製造方法。作為此種製造方法，例如可以舉出如下方法：(1)將清潔層之清漆溶液流延至支持體上，用旋塗機等均勻地成膜後，進行加熱，藉此在支持體上直接形成清潔層的方法；(2)藉由將作為標籤及加強部之構成材料之黏著薄膜(於標籤支持體之一面設置有清潔層、另一面設置有通常的黏著劑層之薄膜)貼附於隔離膜上的方法等形成包含隔離膜及黏著薄膜之積層體，繼而，僅將該積層體之黏著薄膜同時或分別沖裁成標籤及/或加強部之各形狀，將多餘的黏著薄膜從隔離膜剝離去除的方法等。
≪≪2.具清潔功能之搬送構件≫≫ 本發明之具清潔功能之搬送構件具有本發明之清潔片及搬送構件。
圖4係示出本發明之具清潔功能之搬送構件之一個實施方式的概略剖面圖。圖4中，具清潔功能之搬送構件300具有清潔片100及搬送構件200。清潔片100具有黏著劑層時，較佳為清潔片100之搬送構件200側之最外層成為黏著劑層。
作為搬送構件，於不損害本發明之效果之範圍內可以採用任意適當的搬送構件。作為此種搬送構件，例如可以舉出半導體晶圓(例如矽晶圓)、LCD、PDP等平板顯示器用基板、光碟、MR頭等。該等搬送構件中，以基板處理裝置內的晶圓的搬送裝置之清潔為目的時，代表性地可以舉出半導體晶圓(例如矽晶圓)。 [實施例]
以下，舉出實施例及比較例，更具體地說明本發明。然而，本發明不受該等示例的任何限制。再者，以下之說明中，「份」及「%」只要沒有明確記載，則為重量基準。
＜清潔層對矽晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180°剝離黏著力A的測定＞ 於矽晶圓之鏡面形成清潔層，根據JIS-Z-0237進行測定。
＜清潔層之400 nm下之透過率的測定＞ 使用分光光度計「V-670」(日本分光製)，測定清潔層之400 nm下之透過率。
＜清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的400 nm下之透過率的測定＞ 將清潔層暴露於200℃之環境下3小時後，使用分光光度計「V-670」(日本分光製)，測定清潔層之400 nm下之透過率。
＜黏著劑層對虛設晶圓之鏡面的、由JIS-Z-0237規定之180度剝離黏著力C＞ 於作為虛設晶圓之矽晶圓之鏡面形成黏著劑層，根據JIS-Z-0237進行測定。
＜清潔性能評價＞ 例如，可以使用異物檢查裝置(KLA Tencor製、SFS6200)(以下記為裝置A)，測定矽晶圓之鏡面上的0.200 μm以上的異物數，藉此進行評價。 更詳細而言，可以將具清潔功能之搬送構件搬送至清潔片製造用之襯墊薄膜剝離裝置(日東精機製、HR-300CW)(以下記為裝置B)，測定具清潔功能之搬送構件之搬送前後之異物數，藉此進行評價。
＜搬送性評價＞ 例如可以如下進行評價：於裝置B中，將具清潔功能之搬送構件搬送至卡盤台上，進行真空吸附，解除真空後，依據能否利用升降銷將具清潔功能之搬送構件從卡盤台剝離來評價。
[製造例1]：聚苯并㗁唑之清漆之製造 向安裝有攪拌裝置之可分離式燒瓶中投入4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)：36.6 g、吡啶：27.7 g、N-甲基-2-吡咯啶酮：500 g，於室溫下攪拌直至4,4'-(六氟異亞丙基)雙(2-胺基苯酚)完全溶解。之後，用1分鐘滴加三甲基氯矽烷：27.2 g，於室溫下攪拌60分鐘。之後，用5分鐘緩慢添加4,4'-雙(氯羰基)二苯基醚：29.5 g，於室溫下攪拌5小時。 將得到的合成液滴加至2 L之離子交換水中，將得到的沈澱物於100℃下乾燥24小時，於乾燥後之沈澱物中加入4倍量之N-甲基-2-吡咯啶酮，進行再溶解，藉此得到聚苯并㗁唑之清漆。
[實施例1]：具備包含聚苯并㗁唑之清潔層(1a)的具清潔功能之搬送構件(1c)之製造及評價 藉由旋轉塗佈將製造例1中得到的聚苯并㗁唑之清漆塗覆於8英吋矽晶圓之鏡面上，於150℃下加熱30分鐘，去除N-甲基-2-吡咯啶酮後，於真空下、300℃下加熱2小時，得到包含聚苯并㗁唑之清潔層(1a)之厚度為10 μm的具清潔功能之搬送構件(1c)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例1]：具備包含聚醯亞胺之清潔層(C1a)的具清潔功能之搬送構件(C1c)之製造及評價 將聚醚二胺(Huntsman製、ED-2003)：32.2 g、對苯二胺：9.4 g於N-甲基-2-吡咯啶酮：286.3 g中溶解。繼而，加入3,3,4,4-聯苯四羧酸二酐：30 g，於70℃下攪拌6小時，得到聚醯亞胺之清漆。 藉由旋轉塗佈將聚醯亞胺之清漆塗覆於8英吋矽晶圓之鏡面上，於150℃下加熱30分鐘，去除N-甲基-2-吡咯啶酮後，於真空下、300℃下加熱2小時，得到包含聚醯亞胺之清潔層(C1a)之厚度為10 μm的具清潔功能之搬送構件(C1c)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例2]：具備包含丙烯酸樹脂之清潔層(C2a)的清潔片(C2b)之製造及評價 相對於由包含丙烯酸-2-乙基己酯：75份、丙烯酸甲酯：20份、丙烯酸：5份之單體混合液得到的丙烯酸系聚合物：100份，均勻混合聚乙二醇二甲基丙烯酸酯：50份、丙烯酸胺基甲酸酯：50份、苯偶醯二甲基縮酮：3份、及二苯基甲烷二異氰酸酯：3份，製成紫外線固化型黏著劑溶液。以乾燥後之厚度成為40 μm之方式將該黏著劑溶液塗佈於隔離膜(聚烯烴薄膜)上，以1000 mJ/cm2 照射365 nm的紫外光，使其固化。 藉由以上製程，得到具備包含丙烯酸樹脂之清潔層(C2a)的清潔片(C2b)。 將各種評價結果示於表1。
[比較例3]：具有清潔片(C2b)及搬送構件的具清潔功能之搬送構件(C2c)之製造及評價 用手壓輥將清潔片(C2b)之與隔離膜相反側之面貼附於8英吋矽晶圓之鏡面，繼而，剝離隔離膜，製作具清潔功能之搬送構件(C2c)。 將各種評價結果示於表1。
[表1]
   清潔層 清潔層400 nm透過率(%)
材料 厚度 (μm) 黏著力A (N/10 mm) 加熱前 200℃×3小時後
實施例1 聚苯并㗁唑 10 0.01 73 73
比較例1 聚醯亞胺 10 0.01 0 0
比較例2 丙烯酸樹脂 40 0.08 76 35
比較例3
[產業上之可利用性]
本發明之清潔片及具清潔功能之搬送構件適合用於各種製造裝置、檢查裝置之類的基板處理裝置之清潔。
10:清潔層 20:保護薄膜 30:黏著劑層 40:支持體 100:清潔片 200:搬送構件 300:具清潔功能之搬送構件
圖1係示出本發明之清潔片之一個實施方式的概略剖面圖。 圖2係示出本發明之清潔片之另一個實施方式的概略剖面圖。 圖3係示出本發明之清潔片之又一個實施方式的概略剖面圖。 圖4係示出本發明之具清潔功能之搬送構件之一個實施方式的概略剖面圖。
10:清潔層
20:保護薄膜
30:黏著劑層
40:支持體
100:清潔片

Claims (6)

  1. 一種清潔片，其具備清潔層，該清潔層包含聚苯并
    Figure 109101072-A0305-02-0021-1
    唑，該清潔層中之該聚苯并
    Figure 109101072-A0305-02-0021-2
    唑之含有比例為50重量%~100重量%，該清潔層之400nm下之透過率為50%以上，該清潔層於200℃之環境下暴露3小時後的400nm下之透過率為50%以上。
  2. 如請求項1之清潔片，其中，上述清潔層之厚度為1μm~500μm。
  3. 如請求項1之清潔片，其包含黏著劑層。
  4. 如請求項2之清潔片，其包含黏著劑層。
  5. 如請求項1至4中任一項之清潔片，其包含支持體。
  6. 一種具清潔功能之搬送構件，其具有如請求項1至5中任一項之清潔片、以及搬送構件。
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