KR20120004469A - 클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치 - Google Patents

클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120004469A
KR20120004469A KR1020117025053A KR20117025053A KR20120004469A KR 20120004469 A KR20120004469 A KR 20120004469A KR 1020117025053 A KR1020117025053 A KR 1020117025053A KR 20117025053 A KR20117025053 A KR 20117025053A KR 20120004469 A KR20120004469 A KR 20120004469A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
layer
range
meth
conveyance member
Prior art date
Application number
KR1020117025053A
Other languages
English (en)
Inventor
다이스케 우엔다
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20120004469A publication Critical patent/KR20120004469A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/14—Wipes; Absorbent members, e.g. swabs or sponges
    • B08B1/143—Wipes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

본 발명은 이물 제거 성능 및 반송 성능이 우수하고, 또 정해진 입자 직경을 갖는 이물을 특히 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 시트, 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 클리닝 시트는 실질적으로 점착력을 갖지 않는 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서, 그 클리닝층은 평균 표면 거칠기(Ra)가 0.10 ㎛ 이상인 요철 형상 부분을 가지며, 그 클리닝층은 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대해 JIS-Z-0237이 규정한 180˚ 박리 점착력이 0.20 N/10 ㎜ 미만이다. 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 반송 부재와, 그 반송 부재의 한 면 이상에 형성된 본 발명의 클리닝층을 구비한다.

Description

클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치{CLEANING SHEET, CONVEYANCE MEMBER WITH CLEANING FUNCTION, CLEANING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 이물 제거 성능 및 반송 성능이 우수하고, 또 정해진 입자 직경을 갖는 이물을 특히 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 이용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 그와 같은 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어진 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 플랫 패널 디스플레이, 프린트 기판 등의 제조 장치나 검사 장치 등, 이물을 꺼리는 각종 기판 처리 장치에서는, 각 반송계와 기판을 물리적으로 접촉시키면서 반송한다. 그 때, 기판이나 반송계에 이물이 부착되어 있으면, 후속 기판이 잇달아 오염되기 때문에, 정기적으로 장치를 정지하고, 세정 처리를 해야 하였다. 그 결과, 처리 장치의 가동률이 저하된다고 하는 문제나 장치의 세정 처리를 위해 많은 노력이 요구된다고 하는 문제가 있었다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 판형 부재를 반송함으로써 기판 이면에 부착되는 이물을 제거하는 방법(특허문헌 1 참조)이 제안되어 있다. 이러한 방법에 의하면, 기판 처리 장치를 정지시켜 세정 처리를 할 필요가 없기 때문에, 처리 장치의 가동률이 저하된다고 하는 문제는 해소된다. 그러나, 이 방법으로는, 이물을 충분히 제거할 수는 없다.
한편, 점착성 물질이 고착된 기판을 클리닝 부재로서 기판 처리 장치 내로 반송함으로써, 그 처리 장치 내에 부착된 이물을 클리닝 제거하는 방법(특허문헌 2 참조)이 제안되어 있다. 이 방법은 특허문헌 1에 기재된 방법의 이점에 추가로 이물 제거성도 우수하기 때문에, 처리 장치의 가동률이 저하된다고 하는 문제나 장치의 세정 처리를 위해 많은 노력이 요구된다는 문제는 모두 해소된다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에 의하면, 점착성 물질과 장치의 접촉 부분이 너무 강하게 접착되어 떨어지지 않을 우려가 있다. 그 결과, 기판을 확실하게 반송할 수 없다고 하는 문제나, 반송 장치를 파손시킨다고 하는 문제가 생길 우려가 있다.
최근, 반도체 디바이스의 미세화에 따라, 웨이퍼 표면뿐만 아니라 이면에 대한 이물의 부착도 문제가 되고 있다. 세정 공정에서 웨이퍼 이면으로부터 웨이퍼 표면으로 이물이 이동하여, 제품 수율을 저하시키기 때문이다. 현재, 반도체 소자의 배선 간격(디자인 룰)은 65 ㎚가 주류이고, 그 배선 간격과 동등 또는 그 이상의 사이즈의 이물이 부착되면, 단선 등의 불량이 일어나기 쉬워진다. 특히, 0.2 ㎛∼2.0 ㎛ 정도의 입자 직경을 갖는 이물이 문제가 된다. 그러나, 종래의 기술은 모두, 정해진 입자 직경을 갖는 이물을 특히 효율적으로 제거하기에는 불충분하다.
일본 특허 공개 평11-87458호 공보 일본 특허 공개 평10-154686호 공보
본 발명의 목적은 이물 제거 성능 및 반송 성능이 우수하고, 정해진 입자 직경을 갖는 이물을 특히 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 그와 같은 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 이용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 그와 같은 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어진 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 클리닝 시트는,
실질적으로 점착력을 갖지 않는 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서,
그 클리닝층은 평균 표면 거칠기(Ra)가 0.10 ㎛ 이상인 요철 형상 부분을 가지며,
그 클리닝층은 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대해 JIS-Z-0237이 규정한 180˚ 박리 점착력이 0.20 N/10 ㎜ 미만이다.
바람직한 실시형태에 있어서, 본 발명의 클리닝 시트는 상기 클리닝층의 한 면에 점착제층을 구비한다.
바람직한 실시형태에 있어서, 본 발명의 클리닝 시트는 상기 클리닝층의 한 면에 지지체를 구비한다.
바람직한 실시형태에 있어서, 상기 지지체의 상기 클리닝층이 구비된 면과 반대의 면에 점착제층을 구비한다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제공한다. 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 반송 부재와, 그 반송 부재의 적어도 한 면에 형성된 본 발명의 클리닝층을 구비한다.
바람직한 실시형태에 있어서, 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 상기 클리닝층이 상기 반송 부재에 직접 접착되어 있다.
바람직한 실시형태에 있어서, 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 상기 클리닝층이 점착제층을 사이에 두고 상기 반송 부재에 접착되어 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치의 클리닝 방법은 본 발명의 클리닝 시트, 또는 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 기판 처리 장치 내로 반송한다.
본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 본 발명의 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어지는 것이다.
본 발명에 의하면, 이물 제거 성능 및 반송 성능이 우수하고, 또 정해진 입자 직경을 갖는 이물을 특히 효율적으로 제거할 수 있는 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 그와 같은 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 이용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 그와 같은 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어진 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
이러한 효과는 클리닝 시트로서, 실질적으로 점착력을 갖지 않는 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트를 채용하고, 그 클리닝층의 적어도 일부분의 평균 표면 거칠기(Ra)를 정해진 값 이상으로 설계하며, 또 그 클리닝층의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 박리 점착력을 정해진 값 미만으로 설계함으로써, 충분히 발현된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 의한 클리닝 시트의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 의한 클리닝 시트의 개략 단면도이다.
도 3은 실시예에서 이용하는 웨이퍼 (3)을 그 상면에서 본 개략도이다.
도 4는 실시예에서 이용하는 웨이퍼 (5)를 그 상면에서 본 개략도이다.
《A. 클리닝 시트》
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 의한 클리닝 시트의 개략 단면도이다. 이 클리닝 시트(100)는 클리닝층(10)과, 점착제층(20)과, 보호 필름(30)을 갖는다. 점착제층(20) 및/또는 보호 필름(30)은 목적에 따라 생략하여도 된다. 즉, 클리닝 시트는 클리닝층 단독으로 구성되어도 된다. 도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 의한 클리닝 시트의 개략 단면도이다. 이 클리닝 시트(100)는 클리닝층(10)과, 점착제층(20)과, 보호 필름(30)과, 지지체(40)를 갖는다. 점착제층(20) 및/또는 보호 필름(30)은 목적에 따라 생략하여도 된다.
본 발명에서, 클리닝층은 실질적으로 점착력을 갖지 않는다. 즉, 예컨대 점착성 물질로 형성된 클리닝층이나, 점착 테이프를 고착함으로써 형성된 클리닝층은 본 발명에서의 클리닝층에서는 제외된다. 본 발명의 클리닝 시트가 점착력을 갖는 클리닝층을 구비하면, 그 클리닝층과 장치의 접촉 부분이 너무 강하게 접착되어 떨어지지 않을 우려가 있다. 그 결과, 기판을 확실하게 반송할 수 없다고 하는 문제나, 반송 장치를 파손시킨다고 하는 문제가 생길 우려가 있다.
본 발명에서의 클리닝층은 평균 표면 거칠기(Ra)가 0.10 ㎛ 이상인 요철 형상 부분을 갖고 있다. 클리닝층이 이러한 특정한 표면 형상을 가짐으로써, 정해진 입자 직경(대표적으로는 0.2 ㎛∼2.0 ㎛)을 갖는 이물을 매우 효율적으로 제거하면서, 기판을 확실하게 반송할 수 있다.
본 발명에서의 클리닝층이 갖는 상기 요철 형상 부분의 평균 표면 거칠기(Ra)는 바람직하게는 0.10 ㎛∼1.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.10 ㎛∼0.80 ㎛, 더 바람직하게는 0.15 ㎛∼0.60 ㎛, 특히 바람직하게는 0.20 ㎛∼0.60 ㎛이다. 평균 표면 거칠기(Ra)가 이러한 범위에 있음으로써, 정해진 입자 직경(대표적으로는 0.2 ㎛∼2.0 ㎛)을 갖는 이물을 매우 효율적으로 제거하면서, 기판을 확실하게 반송할 수 있다.
상기 평균 표면 거칠기(Ra)는 촉침식 표면 거칠기 측정 장치(Veeco사 제조, Dectak 8)를 이용하여 측정할 수 있다. 측정 스피드는 1 ㎛/초, 측정 범위는 2.0 ㎜이며, 다이아몬드제의 촉침(선단부의 곡률은 2 ㎛)을 움직이게 하면 좋다.
상기와 같은 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는다면, 상기 요철 형상 부분의 요철 형상으로서는, 임의의 적절한 형상이 채용될 수 있다. 요철 형상의 구체예로서는, 홈 형상, 스트라이프 형상, 돌기 형상, 오목(딤플) 형상, 사포 표면과 같은 까칠한 표면 형상을 들 수 있다.
본 발명에서의 클리닝층의 인장 탄성률은 클리닝층의 사용 온도 영역에서, 바람직하게는 2000 MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.5 MPa∼2000 MPa, 더 바람직하게는 1 MPa∼1000 MPa이다. 인장 탄성률이 이러한 범위이면, 이물 제거 성능과 반송 성능의 밸런스가 우수한 클리닝층을 얻을 수 있다. 또한, 인장 탄성률은 JIS K7127에 준하여 측정된다.
본 발명에서의 클리닝층은 전술한 바와 같이, 실질적으로 점착력을 갖지 않는다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대해 JIS-Z-0237이 규정한 180˚ 박리 점착력이 0.20 N/10 ㎜ 미만이고, 바람직하게는 0.01∼0.10 N/10 ㎜이다. 이러한 범위이면, 클리닝층은 실질적으로 점착력을 갖지 않고, 그 클리닝층과 장치의 접촉 부분이 너무 강하게 접착되어 떨어지지 않는다고 하는 문제나, 그 결과, 기판을 확실하게 반송할 수 없다고 하는 문제나 반송 장치를 파손시킨다고 하는 문제, 또한 제진성이 뒤떨어진다고 하는 문제를 피할 수 있다.
본 발명에서의 클리닝층의 두께는 바람직하게는 0.1 ㎛∼100 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛∼50 ㎛, 더 바람직하게는 1 ㎛∼50 ㎛이다. 이러한 범위이면, 이물의 제거 성능과 반송 성능의 밸런스가 우수한 클리닝층를 얻을 수 있다.
본 발명에서의 클리닝층을 구성하는 재료로서는, 목적이나 요철의 형성 방법에 따라 임의의 적절한 재료가 채용될 수 있다. 클리닝층을 구성하는 재료의 구체예로서는, 내열성 수지, 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다. 바람직하게는 내열성 수지이다. 내열성 수지를 채용함으로써, 예컨대 오존 애셔, PVD 장치, 산화 확산로(爐), 상압 CVD 장치, 감압 CVD 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 고온 하에서 사용되는 장치에 이용하여도, 반송 시에 처리 장치 내에서의 반송 불량이나 오염을 발생시키지 않고 사용할 수 있다.
본 발명에서는, 클리닝층을 구성하는 재료는 그대로 이용하여 클리닝층을 형성하여도 좋고, 임의의 적절한 용제에 용해되어 클리닝층을 형성하여도 좋다.
상기 내열성 수지로서는, 기판 처리 장치를 오염시키는 물질을 포함하지 않는 수지가 바람직하다. 이러한 수지로서는, 예컨대 반도체 제조 장치에 사용되는 내열성 수지를 들 수 있다. 구체예로서는, 폴리이미드, 불소 수지를 들 수 있다. 폴리이미드가 바람직하다.
바람직하게는, 상기 폴리이미드는 폴리아믹산을 이미드화하여 얻을 수 있다. 그 폴리아믹산은 테트라카르복실산 이무수물 성분과 디아민 성분을 실질적으로 등몰비로 임의의 적절한 유기 용매중에 반응시켜 얻을 수 있다.
상기 테트라카르복실산 이무수물 성분으로서는, 예컨대 3,3', 4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2', 3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3', 4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2', 3,3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물(6 FDA), 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 에틸렌 글리콜 비스트리멜리트산 이무수물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다.
상기 디아민 성분으로서는, 예컨대 아민 구조를 갖는 말단을 2개 이상 가지며, 폴리에테르 구조를 갖는 디아민 화합물(이하, PE 디아민 화합물로 칭하는 경우가 있음), 지방족 디아민, 방향족 디아민을 들 수 있다. PE 디아민 화합물은 고내열성, 저응력의 저탄성률 폴리이미드 수지를 얻을 수 있는 점에서 바람직하다.
PE 디아민 화합물로서는, 폴리에테르 구조를 가지며, 아민 구조를 갖는 말단을 2개 이상 갖는 화합물이라면, 임의의 적절한 화합물을 채용할 수 있다. 예컨대, 폴리프로필렌 글리콜 구조를 갖는 말단 디아민, 폴리에틸렌 글리콜 구조를 갖는 말단 디아민, 폴리테트라메틸렌 글리콜 구조를 갖는 말단 디아민, 또한 이들 복수의 구조를 갖는 말단 디아민 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 폴리테트라메틸렌 글리콜, 폴리아민, 또는 이들의 혼합체로부터 조제되는 아민 구조를 갖는 말단을 2개 이상 갖는 PE 디아민 화합물이 바람직하다.
지방족 디아민으로서는, 예컨대 에틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 1,8-, 1,10-디아미노데칸, 1,12-디아미노도데칸, 4,9-디옥사-1,12-디아미노도데칸, 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산(α,ω-비스아미노프로필테트라메틸디실록산) 등을 들 수 있다. 지방족 디아민의 분자량으로서는, 통상 50∼1000000이 바람직하고, 100∼30000이 보다 바람직하다.
방향족 디아민으로서는, 예컨대 4,4'-디아미노디페닐 에테르, 3,4'-디아미노디페닐 에테르, 3,3'-디아미노디페닐 에테르, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐 프로판, 3,3'-디아미노디페닐 메탄, 4,4'-디아미노디페닐 술피드, 3,3'-디아미노디페닐 술피드, 4,4'-디아미노디페닐 술폰, 3,3'-디아미노디페닐 술폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-2,2-디메틸프로판, 4,4'-디아미노벤조페논 등을 들 수 있다.
상기 테트라카르복실산 이무수물과 디아민과의 반응에 이용되는 유기 용매로서는, 예컨대 N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드를 들 수 있다. 원재료 등의 용해성을 조정하기 위해, 비극성 용매(예컨대, 톨루엔이나, 크실렌)를 병용하여도 좋다.
상기 테트라카르복실산 이무수물과 디아민과의 반응 온도는 바람직하게는 40℃ 이상, 더 바람직하게는 50℃∼150℃이다. 이러한 반응 온도이면, 겔화를 방지할 수 있다. 그 결과, 반응계 내에 겔분이 잔류하는 경우가 없기 때문에, 여과 시의 막힘 등이 방지되어, 반응계로부터의 이물 제거가 용이해진다. 또한, 이러한 반응 온도이면, 균일한 반응이 실현되기 때문에, 얻어지는 수지 특성의 변동을 방지할 수 있다.
상기 폴리아믹산의 이미드화는 대표적으로는 비활성 분위기(대표적으로는 진공 또는 질소 분위기)하에서 가열 처리함으로써 이루어진다. 가열 처리 온도는 바람직하게는 150℃ 이상, 더 바람직하게는 180℃∼450℃이다. 이러한 온도이면, 수지 내 휘발 성분을 실질적으로 완전히 제거할 수 있다. 또한, 비활성 분위기에서 처리함으로써, 수지의 산화나 열화를 방지할 수 있다.
상기 에너지선 경화성 수지는 대표적으로는 점착성 물질, 에너지선 경화성물질 및 에너지선 경화 개시제를 포함하는 조성물이다.
상기 에너지선 경화성 수지에 포함될 수 있는 점착성 물질로서는, 목적에 따라 임의의 적절한 점착성 물질이 채용된다. 점착성 물질의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 50∼100만, 더 바람직하게는 60∼90만이다. 또한, 점착제성 물질은 가교제, 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제 등의 적절한 첨가제를 배합한 것이어도 좋다. 일 실시형태에서는, 상기 에너지선 경화성 수지에 포함될 수 있는 점착성 물질로서, 감압 접착성 폴리머가 이용된다. 감압 접착성 폴리머는 클리닝층의 요철 형성에 노즐법(후술)을 이용하는 경우에 적합하게 이용된다. 감압 접착성 폴리머의 대표예로서는, (메타)아크릴산 및/또는 (메타)아크릴산 에스테르 등의 아크릴계 모노머를 주(主)모노머로 한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다. 아크릴계 폴리머는 단독으로 또는 조합하여 이용된다. 필요에 따라, 아크릴계 폴리머의 분자 내에 불포화 이중 결합을 도입하여, 이 아크릴계 폴리머 자체에 에너지선 경화성을 부여하여도 좋다. 불포화 이중 결합을 도입하는 방법으로서는, 예컨대 아크릴계 모노머와 분자 내에 불포화 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 공중합하는 방법, 아크릴계 폴리머와 분자 내에 불포화 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물의 관능기끼리 반응시키는 방법을 들 수 있다.
다른 실시형태에서는, 상기 에너지선 경화성 수지에 포함될 수 있는 점착성 물질로서, 고무계나 아크릴계, 비닐 알킬 에테르계나 실리콘계, 폴리에스테르계나 폴리아미드계, 우레탄계나 스티렌·디엔 블록 공중합체계, 융점이 약 200℃ 이하 등의 열용융성 수지를 배합하여 크립 특성을 개량한 점착제(예컨대, 일본 특허 공개 소56-61468호 공보, 일본 특허 공개 소61-174857호 공보, 일본 특허 공개 소63-17981호 공보, 일본 특허 공개 소56-13040호 공보) 등이 이용된다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 이용된다.
보다 구체적으로는, 상기 점착제는 바람직하게는 천연고무나 각종 합성고무를 베이스 폴리머로 하는 고무계 점착제; 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 아밀기나 헥실기, 헵틸기나 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기와 같은 탄소수가 20 이하인 알킬기를 갖는 아크릴산이나 메타크릴산 등의 에스테르로 이루어지는 아크릴산계 알킬 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 이용한 아크릴계 공중합체를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제이다.
상기 아크릴계 공중합체로서는, 목적에 따라 임의의 적절한 아크릴계 공중합체가 이용된다. 그 아크릴계 공중합체는 필요에 따라 응집력이나 내열성이나 가교성 등을 가져도 좋다. 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복실에틸 아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산과 같은 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산과 같은 산무수물 모노머; (메타)아크릴산 히드록시에틸, (메타)아크릴산 히드록시에틸, (메타)아크릴산 히드록시프로필, (메타)아크릴산 히드록시부틸, (메타)아크릴산 히드록시헥실, (메타)아크릴산 히드록시옥틸, (메타)아크릴산 히드록시데실, (메타)아크릴산 히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸 메타아크릴레이트와 같은 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산과 같은 술폰산기 함유 모노머; (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸 (메타)아크릴아미드, N-부틸 (메타)아크릴아미드, N-메틸올 (메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판 (메타)아크릴아미드와 같은(N-치환)아미드계 모노머; (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 t-부틸아미노에틸과 같은 (메타)아크릴산 알킬아미노계 모노머; (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸과 같은 (메타)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드와 같은 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드와 같은 이타콘이미드계 모노머; N-(메타)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메타)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메타)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드와 같은 숙신이미드계 모노머; 초산 비닐, 프로피온산 비닐, N-비닐피롤리든, 메틸비닐피롤리든, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산 아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐과 같은 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴과 같은 시아노아크릴레이트 모노머; (메타)아크릴산 글리시딜과 같은 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메타)아크릴산 폴리에틸렌 글리콜, (메타)아크릴산 폴리프로필렌 글리콜, (메타)아크릴산 메톡시에틸렌 글리콜, (메타)아크릴산 메톡시폴리프로필렌 글리콜과 같은 글리콜계 아크릴에스테르모노머; (메타)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, 불소(메타)아크릴레이트, 실리콘(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸 아크릴레이트와 같은 아크릴산 에스테르계 모노머; 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트와 같은 다관능 모노머; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌, 비닐 에테르 등의 적절한 모노머; 등의 2종 이상의 공중합을 들 수 있다. 이들 모노머의 배합비 등은 목적에 따라서 적절히 설정된다.
상기 에너지선 경화성 물질로서는, 에너지선(바람직하게는 광, 더 바람직하게는 자외선)에 의해 상기 점착성 물질과 반응하여, 3차원 메시 구조를 형성할 때의 가교점(분기점)으로서 기능할 수 있는 임의의 적절한 물질이 채용될 수 있다. 에너지선 경화성 물질의 대표예로서는, 분자 내에 불포화 이중 결합을 1개 이상 갖는 화합물(이하, 중합성 불포화 화합물이라고 함)을 들 수 있다. 바람직하게는, 중합성 불포화 화합물은 비휘발성이며, 또 중량 평균 분자량이 10,000 이하, 더 바람직하게는 5,000 이하이다. 이러한 분자량이면, 상기 점착성 물질이 효율적으로 3차원 메시 구조를 형성할 수 있다. 에너지선 경화성 물질의 구체예로서는, 페녹시폴리에틸렌 글리콜 (메타)아크릴레이트, ε-카프로락톤 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 올리고에스테르 (메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 1,4-부틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 조합하여 이용된다. 에너지선 경화성 물질은 상기 점착성 물질 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼50 중량부의 비율로 이용된다.
또한, 에너지선 경화성 물질로서 에너지선 경화성 수지를 이용하여도 좋다. 에너지선 경화성 수지의 구체예로서는, 분자 말단에 (메타)아크릴로일기를 갖는 에스테르 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 멜라민 (메타)아크릴레이트, 아크릴산 수지 (메타)아크릴레이트, 분자 말단에 알릴기를 갖는 티올-엔 부가형 수지나 광 양이온 중합형 수지, 폴리비닐 신나메이트 등의 신나모일기 함유 폴리머, 디아조화한 아미노노볼락 수지나 아크릴아미드형 폴리머 등, 감광성 반응기 함유 폴리머 또는 올리고머 등을 들 수 있다. 또한, 에너지선으로 반응하는 폴리머로서는, 에폭시화 폴리부타디엔, 불포화 폴리에스테르, 폴리글리시딜 메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐실록산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 조합하여 이용된다. 에너지선 경화성 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 50∼100만, 더 바람직하게는 60∼90만이다.
상기 에너지선 경화 개시제로서는, 목적에 따라 임의의 적절한 경화 개시제(중합 개시제)가 채용될 수 있다. 예컨대, 에너지선으로서 열을 이용하는 경우에는 열중합 개시제가 이용되고, 에너지선으로서 광을 이용하는 경우에는 광중합 개시제가 이용된다. 열중합 개시제의 구체예로서는, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴을 들 수 있다. 광중합 개시제의 구체예로서는, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 벤조인 에테르; 아니솔 메틸 에테르 등의 치환 벤조인 에테르; 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1-히드록시-시클로헥실-페닐 케톤 등의 치환 아세토페논; 벤질 메틸 케탈, 아세토페논 디에틸 케탈 등의 케탈; 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤 등의 크산톤: 벤조페논, 미힐러 케톤 등의 벤조페논; 2-메틸-2-히드록시프로피오페논 등의 치환 알파 케톨; 2-나프탈렌 술포닐 클로라이드 등의 방향족 술포닐 클로라이드; 1-페닐-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)-옥심 등의 광활성 옥심; 벤조일; 디벤질;α-히드록시시클로헥실페닐 케톤; 2-히드록시메틸페닐 프로판을 들 수 있다. 에너지선 경화 개시제는 에너지선 경화성 물질 100 중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼10 중량부의 비율로 이용된다.
본 발명에서의 클리닝층을 구성하는 재료는 목적에 따라 임의의 적절한 첨가제를 더 함유할 수 있다. 첨가제의 구체예로서는, 계면 활성제, 가소제, 산화 방지제, 도전성 부여재, 자외선 흡수제, 광 안정화제를 들 수 있다. 이용하는 첨가제의 종류 및/또는 양을 조정함으로써, 목적에 따른 원하는 특성을 갖는 클리닝층을 얻을 수 있다.
본 발명의 클리닝 시트는 지지체를 구비하고 있어도 좋다. 지지체의 두께는 적절하게 선택할 수 있고, 바람직하게는 500 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1 ㎛∼300 ㎛, 더 바람직하게는 1∼100 ㎛이다. 지지체의 표면은 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용적 표면 처리, 예컨대 크롬산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전격 노출, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예컨대, 상기 점착성 물질)에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한 지지체는 단층이어도 좋고 다층체여도 좋다.
지지체는 목적에 따라 임의의 적절한 지지체가 채용된다. 예컨대, 엔지니어링 플라스틱이나 수퍼 엔지니어링 플라스틱의 필름을 들 수 있다. 엔지니어링 플라스틱 및 수퍼 엔지니어링 플라스틱의 구체예로서는, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸 셀룰로오스, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리아미드를 들 수 있다. 분자량 등의 여러 물성은 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 또한, 지지체의 성형 방법은 목적에 따라 적절하게 선택된다.
본 발명의 클리닝 시트는 점착제층을 구비하고 있어도 좋다. 이러한 점착제층의 재료로서는 임의의 적절한 재료를 채용할 수 있다. 예컨대, 아크릴계나 고무계 등 통상의 점착제로 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 아크릴계의 점착제로서, 중량 평균 분자량이 10만 이하의 성분이 10 중량% 이하인 아크릴계 폴리머를 주제(主劑)로 한 아크릴계 점착제가 바람직하게 이용된다. 상기한 아크릴계 폴리머는 (메타)아크릴산 알킬 에스테르를 주모노머로서 필요에 따라 공중합 가능한 다른 모노머를 가한 모노머 혼합물을 중합 반응시킴으로써 합성될 수 있다.
본 발명에서의 점착제층은 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대해 JIS-Z-0237이 규정한 180˚ 박리 점착력이 바람직하게는 0.01∼10 N/10 ㎜이고, 보다 바람직하게는 0.05∼5 N/10 ㎜이다. 점착력이 너무 높으면, 클리닝 시트를 기판 등으로부터 박리 제거할 때에, 지지체 필름이 찢어질 우려가 있다.
본 발명에서의 점착제층의 두께는 바람직하게는 1 ㎛∼100 ㎛이며, 보다 바람직하게는 5 ㎛∼50 ㎛이다.
본 발명의 클리닝 시트는 클리닝층이나 지지체를 보호하기 위해, 보호 필름을 가져도 좋다. 보호 필름은 적절한 단계에서 박리된다. 보호 필름은 목적에 따라 임의의 적절한 필름이 채용된다. 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄, 에틸렌 초산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트 등으로 이루어지는 플라스틱 필름이나 폴리이미드, 불소 수지 필름을 들 수 있다. 보호 필름은 목적에 따라 박리제 등으로 박리 처리가 실시되어도 좋다. 박리제는 예컨대 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 지방산 아미드계, 실리카계를 들 수 있다. 이 보호 필름의 두께는 바람직하게는 1 ㎛∼100 ㎛이다. 보호 필름의 형성 방법은 목적에 따라 적절하게 선택되고, 예컨대 사출 성형법, 압출 성형법, 블로우 성형법에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 클리닝 시트를 제조하는 방법으로서는, 본 발명의 클리닝 시트가 얻어지는 범위에서, 임의의 적절한 제조 방법을 채용할 수 있다. 바람직한 제조 방법의 일례로서, 임의의 적절한 기재의 표면의 적어도 일부에 레이저 가공에 의해 요철을 형성하고, 그 기재의 표면 위에 클리닝층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 즉, 기판 표면에 요철을 형성하고, 그 표면 위에 클리닝층을 형성함으로써, 클리닝층 표면의 평균 표면 거칠기(Ra)를 정해진 크기로 제어한다.
상기 기재로서는, 임의의 적절한 기재를 채용할 수 있다. 예컨대, 반도체 웨이퍼 (예컨대, 실리콘 웨이퍼), LCD, PDP 등의 플랫 패널 디스플레이용 기판, 콤팩트디스크, MR 헤드 등을 들 수 있다.
《B. 클리닝 기능을 갖는 반송 부재》
본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 반송 부재와, 그 반송 부재의 적어도 한 면에 형성된 본 발명의 클리닝층을 구비한다.
상기 반송 부재로서는, 임의의 적절한 반송 부재를 채용할 수 있다. 예컨대, 반도체 웨이퍼 (예컨대, 실리콘 웨이퍼), LCD, PDP 등의 플랫 패널 디스플레이용 기판, 콤팩트 디스크, MR 헤드 등의 기재를 들 수 있다.
본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재에 있어서, 상기 클리닝층은 상기 반송 부재에 직접 접착되어 있어도 좋고, 점착제층을 사이에 두고 상기 반송 부재에 접착되어 있어도 좋다.
상기 점착제층으로서는, 임의의 적절한 점착제층을 채용할 수 있다. 바람직하게는, 전술한 A. 클리닝 시트의 항목에서 설명한 점착제층을 채용할 수 있다.
《C. 클리닝 방법》
본 발명의 클리닝 방법은 기판 처리 장치의 클리닝 방법으로서, 본 발명의 클리닝 시트, 또는 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 기판 처리 장치 내로 반송하여, 그 피세정 부위에 접촉시킴으로써, 그 피세정 부위에 부착된 이물을 간편하고 확실하게 클리닝 제거한다.
상기 클리닝 방법에 의해 세정되는 기판 처리 장치는 특별히 한정되지 않는다. 기판 처리 장치의 구체예로서는, 본 명세서에서 이미 기재한 장치에 추가로, 회로 형성용 노광 조사 장치, 레지스트 도포 장치, 스퍼터링 장치, 이온 주입 장치, 드라이 에칭 장치, 웨이퍼 프로버 등의 각종 제조 장치나 검사 장치, 또한 오존 애셔, 레지스트 코터, 산화 확산로, 상압 CVD 장치, 감압 CVD 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 고온 하에서 사용되는 기판 처리 장치 등을 들 수 있다.
《D. 기판 처리 장치》
본 발명의 기판 처리 장치는 본 발명의 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어진 것이다. 본 발명의 기판 처리 장치는 본 발명의 클리닝 시트, 또는 본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 그 기판 처리 장치 내로 반송하여 클리닝된 것이기 때문에, 정해진 입자 직경, 특히 0.2 ㎛∼2.0 ㎛의 입자 직경을 갖는 이물이 특히 효율적으로 제거된 기판 처리 장치일 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에는 한정되지 않는다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 실시예에서의 부(部) 및 %는 중량(질량) 기준이다.
(1) 평균 표면 거칠기(Ra)
평균 표면 거칠기(Ra)는 촉침식 표면 거칠기 측정 장치(Veeco사 제조, Dectak 8)를 이용하여 측정하였다. 측정 스피드는 1 ㎛/초, 측정 범위는 2.0 ㎜이며, 다이아몬드제의 촉침(선단부의 곡률은 2 ㎛)을 움직여 측정하였다.
(2) 인장 탄성률
JIS K7127에 준하여 측정하였다. 구체적으로는, 정해진 기재 위에 클리닝층을 형성한 후, 그 클리닝층을 박리해서, 동적 점탄성 측정 장치를 이용하여 측정하였다.
(3) 180˚ 박리 점착력
실리콘 웨이퍼의 미러면에 클리닝층을 형성하고, JIS-Z-0237에 준하여 측정하였다.
(4) 클리닝 성능 평가 방법
이물 검사 장치(KLA Tencor사 제조, SFS6200)(이하, 장치 A라 함)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼 미러면 위에서 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정함으로써 평가하였다. 보다 상세하게는, 클리닝 부재를 클리닝 시트 제조용 라이너 필름 박리 장치(Nitto Seiki사 제조, HR-300CW)(이하, 장치 B로 함)에 반송하여, 클리닝 부재의 반송 전후의 이물 수를 측정함으로써 평가하였다. 구체적인 방법은 이하와 같다.
장치 B에, 먼저 신품 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하향으로 하여 미러면이 반송 아암이나 척 테이블에 접촉하도록 자동 반송하였다(페이스다운 반송). 그리고 미러면에 부착된 이물 수를, 장치 A를 이용하여 측정하였다(이때의 이물 수를 「이물 수 1」로 함). 그 후, 장치 B에 본 발명의 클리닝 부재를 반송하여 클리닝 처리를 실시한 후, 재차 신품 웨이퍼를 페이스다운 반송하여, 그 때 부착된 이물 수를 장치 A를 이용하여 측정하였다(이때의 이물 수를「이물 수 2」로 함). 클리닝 부재의 클리닝 효과의 파라미터로서 이물 제거율을 이하의 식에 따라 산출하였다.
이물 제거율=[100-(이물 수 2)/(이물 수 1)×100]%
(5) 반송성
장치 B에 의해 척 테이블 위로 반송하고, 진공 흡착을 행하여, 진공을 해제한 후, 리프트핀으로써 클리닝 부재를 척 테이블로부터 박리할 수 있는지의 여부로 평가하였다.
〔실시예 1〕
아크릴산-2-에틸헥실 75부, 아크릴산 메틸 20부, 및 아크릴산 5부로 이루어지는 모노머 혼합액으로부터 얻은 아크릴 폴리머(중량 평균 분자량 70만) 100부에 대하여, 폴리에틸렌 글리콜 200 디메타크릴레이트(Shin-Nakamura Chemical사 제조, 상품명: NK ester 4G) 200부, 폴리이소시아네이트 화합물(Nippon Polyurethane Industry사 제조, 상품명: COLONATE L) 3부, 및 광중합 개시제로서 벤질 디메틸 케탈(Ciba Speciality Chemicals사 제조, 상품명: IRGACURE 651) 3부를 균일하게 혼합하여, 자외선 경화형의 점착제 용액 A를 조제하였다.
한편, 온도계, 교반기, 질소 도입관, 및 환류 냉각관을 구비한, 내용량이 500 ㎖인 3구 플라스크형 반응기 내에, 아크릴산 2-에틸헥실 73부, 아크릴산 n-부틸 10부, N,N-디메틸아크릴아미드 15부, 및 아크릴산 5부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.15부, 초산 에틸 100부를, 전체가 200 g이 되도록 배합하여 투입하고, 질소 가스를 약 1시간 도입하면서 교반하여, 내부의 공기를 질소로 치환하였다.
그 후, 내부의 온도를 58℃로 하고, 이 상태로 약 4시간 유지하여 중합해서, 점착제 폴리머 용액을 얻었다. 점착제 폴리머 용액 100부에 폴리이소시아네이트 화합물(Nippon Polyurethane Industry 제조, 상품명: COLONATE L) 3부를 균일하게 혼합하여, 점착제 용액 B를 얻었다.
한 면이 폴리프로필렌 필름(두께 30 ㎛, 폭 250 ㎜)으로 이루어지는 세퍼레이터의 박리 처리면에, 상기 점착제 용액 B를 건조 후의 두께가 7 ㎛가 되도록 도포하고, 그 점착제층 위에 긴 폴리에스테르 필름(두께 25 ㎛, 폭 250 ㎜)을 적층하며, 그 필름 위에 자외선 경화형 점착제 용액 A를, 건조 후의 두께가 15 ㎛가 되도록 더 도포하고, 클리닝층으로서의 점착제층을 형성하며, 그 표면에, 한 면이 비실리콘 박리제에 의해 처리된 장쇄 폴리에스테르 필름으로 이루어지는 보호 필름(보호 필름 A)의 박리 처리면을 접합시켜(두께 25 ㎛, 폭 250 ㎜) 시트 (1)을 얻었다.
이 보호 필름 A의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.12 ㎛였다.
이 시트 (1)에, 중심 파장 365 ㎚의 자외선을 적산 광량 1000 mJ/㎠으로 조사하여, 자외선 경화된 클리닝층을 갖는 클리닝 시트 (1)을 얻었다.
이 클리닝 시트 (1)의 보호 필름 A를 박리하고, 실리콘 웨이퍼 (미러면)에 대한 180˚ 박리 점착력(JIS-Z-0237에 준하여 측정)을 측정한 바, 0.05 N/10 ㎜였다. 이 클리닝층의 자외선 경화 후의 인장 강도는 460 MPa였다.
이 클리닝 시트 (1)의 세퍼레이터를 박리하고, 8인치의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 핸드 롤러로 접착하여, 이면 보호재를 갖는 웨이퍼 (1)을 제작하였다.
다음에, 이면 보호재를 갖는 웨이퍼 (1)의 보호 필름 A를 박리하여, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (1)을 작성하였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (1)의 클리닝층의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.11 ㎛였다.
레이저식 이물 측정 장치로 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에서 0.200 ㎛ 이상의 이물을 측정한 바 4개였다.
이 웨이퍼를, 미러면을 하측으로 하여 장치 A에 반송한 후, 레이저식 이물 측정 장치로 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 5552개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 6891개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 4203개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 3221개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 3205개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 1532개, 1.06 ㎛-1.46㎛ 범위에서 698개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 492개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 925개, 전체 26719개(이물 수 1)였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (1)을 상기한 26719개의 이물이 부착되어 있던 장치 A에 10회 반송한 바, 지장없이 반송할 수 있었다.
그 후에, 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하측으로 하여 반송하고, 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 2234개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 2758개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 1688개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 1308개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 1309개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 620개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 282개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 198개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 371개, 전체 10768개(이물 수 2)였다.
이물 수 1, 이물 수 2로부터 산출한 이물 제거율은 전체 60%였다.
결과를 표 1에 정리하였다.
〔실시예 2〕
질소 기류 하의 분위기에서, 133 g의 N,N-디메틸아세트아미드(DAMc)중에, 폴리에테르 디아민(Suntechno Chemical사 제조, XTJ-510) 14.8 g, 4,4'-DPE(DDE) 8.45 g, 및 피로멜리트산 이무수물(PMDA) 10.0 g을 70℃에서 혼합하고, 반응시켜 폴리아믹산 용액 A를 얻었다.
냉각한 후, 폴리아믹산 용액 A를 스핀 코터로 8인치의 실리콘 웨이퍼의 에칭면 위에 도포하고, 90℃에서 20분 건조하여, 폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (2)를 얻었다.
폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (2)를 질소 분위기 하, 300℃에서 2시간 열처리하여, 두께 30 ㎛의 폴리이미드 피막을 형성하고, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (2)를 얻었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (2)의 클리닝층의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.54 ㎛였다.
이 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (2)의 클리닝층을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, 실리콘 웨이퍼 (미러면)에 대한 180˚ 박리 점착력(JIS-Z-0237에 준하여 측정)을 측정한 바, 0.03 N/10 ㎜였다.
레이저식 이물 측정 장치로 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에서 0.200 ㎛ 이상의 이물을 측정한 바 5개였다.
이 웨이퍼를, 미러면을 하측으로 하여 장치 A에 반송한 후, 레이저식 이물 측정 장치로 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 5551개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 6890개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 4202개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 3220개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 3204개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 1531개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 697개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 491개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 924개, 전체 26710개(이물 수 1)였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (2)를 상기한 26710개의 이물이 부착되어 있던 장치 A에 10회 반송한 바, 지장없이 반송할 수 있었다.
그 후에, 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하측을 향해 반송하고, 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 2187개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 2708개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 1677개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 1273개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 1256개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 602개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 274개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 194개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 368개, 전체 10539개(이물 수 2)였다.
이물 수 1, 이물 수 2로부터 산출한 이물 제거율은 전체 61%였다.
결과를 표 1에 정리하였다.
〔실시예 3〕
8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면 전체면에 SEMI 규격이 정한 ID 인식용 레이저 마크를 전체면에 형성하고, 도 3과 같은 웨이퍼 (3)을 얻었다. 실시예 2에 기재된 폴리아믹산 용액 A를 이용하여, 스핀코터로 웨이퍼 (3)의 미러면에 도포하고, 120℃에서 10분 건조하여, 폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (3)을 얻었다.
폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (3)을 질소 분위기 하, 300℃에서 2시간 열처리하여, 두께 8 ㎛의 폴리이미드 피막을 형성하고, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (3)을 얻었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (3)의 클리닝층의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.34 ㎛였다.
이 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (3)의 클리닝층을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, 실리콘 웨이퍼 (미러면)에 대한 180˚ 박리 점착력(JIS-Z-0237에 준하여 측정)을 측정한 바, 0.02 N/10 ㎜였다.
레이저식 이물 측정 장치로 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에서 0.200 ㎛ 이상의 이물을 측정한 바 2개였다.
이 웨이퍼를, 미러면을 하측으로 하여 장치 A에 반송한 후, 레이저식 이물 측정 장치로 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 5548개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 6887개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 4199개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 3217개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 3201개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 1528개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 694개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 488개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 921개, 전체 26683개(이물 수 1)였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (3)을 상기한 26683개의 이물이 부착되어 있던 장치 A에 10회 반송한 바, 지장없이 반송할 수 있었다.
그 후에, 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하측을 향해 반송하고, 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 1755개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 2184개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 1309개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 1003개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 1020개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 477개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 218개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 155개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 292개, 전체 8413개(이물 수 2)였다.
이물 수 1, 이물 수 2로부터 산출한 이물 제거율은 전체 68%였다.
결과를 표 1에 정리하였다.
〔실시예 4〕
실시예 1에 기재된 점착제 용액 A를 스핀코터로 200 ㎜ 웨이퍼의 에칭면 위에 도포하고, 90℃에서 20분 건조하여, 점착제를 갖는 반송 부재 (4)를 얻었다.
이 점착제를 갖는 반송 부재 (4)를 질소 분위기(1000 ppm 산소 농도) 속에서 중심 파장 365 ㎚의 자외선을 적산 광량 1000 mJ/㎠로 조사하여, 자외선 경화한 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (4)를 얻었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (4)의 클리닝층의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.42 ㎛였다.
이 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (4)의 클리닝층을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, 실리콘 웨이퍼 (미러면)에 대한 180˚ 박리 점착력(JIS-Z-0237에 준하여 측정)을 측정한 바, 0.03 N/10 ㎜였다.
레이저식 이물 측정 장치로 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에서 0.200 ㎛ 이상의 이물을 측정한 바 5개였다.
이 웨이퍼를, 미러면을 하측으로 하여 장치 A에 반송한 후, 레이저식 이물 측정 장치로 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 5550개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 6889개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 4201개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 3219개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 3203개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 1530개, 1.06-1.46 ㎛ 범위에서 696개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 490개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 923개, 전체 26701(이물 수 1)이었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (4)를 상기한 26701개의 이물이 부착되어 있던 장치 A에 10회 반송한 바, 지장없이 반송할 수 있었다.
그 후에, 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하측으로 향해 반송하고, 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 2550개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 3100개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 1889개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 1408개, 0.566-0.776㎛ 범위에서 1373개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 619개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 273개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 190개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 345개, 전체 11747개(이물 수 2)였다.
이물 수 1, 이물 수 2로부터 산출한 이물 제거율은 전체 56%였다.
결과를 표 1에 정리하였다.
〔실시예 5〕
8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에 SEMI 규격이 정한 ID 인식용 레이저 마크 3 ㎜×3 ㎜를 V 노치 부분으로 형성하고, 도 4와 같은 웨이퍼 (5)를 얻었다. 실시예 2에 기재된 폴리아믹산 용액 A를 이용하여, 스핀 코터로 웨이퍼 (5)의 미러면에 도포하고, 120℃에서 10분 건조하여, 폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (5)를 얻었다.
폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (5)를 질소 분위기 하, 300℃에서 2시간 열처리하여, 두께 8 ㎛의 폴리이미드 피막을 형성하고, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (5)를 얻었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (5)의 클리닝층 중, 도 4에 기재한 레이저 마크 형성 영역의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.38 ㎛였다. 그 이외 영역의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.005 ㎛였다.
이 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (5)의 클리닝층을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, 실리콘 웨이퍼 (미러면)에 대한 180˚ 박리 점착력(JIS-Z-0237에 준하여 측정)을 측정한 바, 0.03 N/10 ㎜였다.
레이저식 이물 측정 장치로 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에서 0.200 ㎛ 이상의 이물을 측정한 바 2개였다.
이 웨이퍼를, 미러면을 하측으로 하여 장치 A에 반송한 후, 레이저식 이물 측정 장치로 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 5199개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 6493개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 3900개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 2987개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 2976개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 1378개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 584개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 405개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 828개, 전체 24753(이물 수 1)이었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (5)를 상기한 24753개의 이물이 부착되어 있던 장치 A에 10회 반송한 바, 지장없이 반송할 수 있었다.
그 후에, 신품 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면을 하측으로 하여 반송하고, 0.200 ㎛ 이상의 이물 수를 측정한 바, 사이즈별로 0.200 ㎛-0.219 ㎛ 범위에서 1136개, 0.219 ㎛-0.301 ㎛ 범위에서 1487개, 0.301 ㎛-0.412 ㎛ 범위에서 933개, 0.412 ㎛-0.566 ㎛ 범위에서 712개, 0.566 ㎛-0.776 ㎛ 범위에서 768개, 0.776 ㎛-1.06 ㎛ 범위에서 372개, 1.06 ㎛-1.46 ㎛ 범위에서 156개, 1.46 ㎛-1.60 ㎛ 범위에서 114개, 1.60 ㎛ 이상의 범위에서 243개, 전체 5921개(이물 수 2)였다.
이물 수 1, 이물 수 2로부터 산출한 이물 제거율은 전체 76%였다.
결과를 표 1에 정리하였다.
〔비교예 1〕
실시예 1에 있어서, 보호 필름 A 대신에, 한 면이 실리콘 박리제로 처리된 장쇄 폴리에스테르 필름으로 이루어지는 보호 필름(보호 필름 B)으로 변경한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C1)을 얻었다.
이 보호 필름 B의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.009 ㎛였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C1)의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.012 ㎛였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C1)을 장치 A에 10회 반송한 바, 3회 접착되어 버렸다.
〔비교예 2〕
실시예 2에 기재된 폴리아믹산 용액 A를 이용하여, 스핀코터로 8인치의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 도포하고, 120℃에서 10분 건조하여, 폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (C2)를 얻었다.
폴리아믹산을 갖는 반송 부재 (C2)를 질소 분위기 하, 300℃에서 2시간 열처리하여, 두께 8 ㎛의 폴리이미드 피막을 형성하고, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C2)를 얻었다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C2)의 평균 표면 거칠기(Ra)는 0.005 ㎛였다.
클리닝 기능을 갖는 반송 부재 (C2)를 장치 A에 100회 반송한 바, 5회 접착되어 버렸다.
Figure pct00001
본 발명의 클리닝 시트 및 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 각종 제조 장치나 검사 장치와 같은 기판 처리 장치의 클리닝에 적합하게 이용된다.
10: 클리닝층
20: 점착제층
30: 보호 필름
40: 지지체
100: 클리닝 시트

Claims (9)

  1. 실질적으로 점착력을 갖지 않는 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트에 있어서,
    그 클리닝층은 평균 표면 거칠기(Ra)가 0.10 ㎛ 이상인 요철 형상 부분을 가지며,
    그 클리닝층은 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대해 JIS-Z-0237이 규정한 180˚ 박리 점착력이 0.20 N/10 ㎜ 미만인 것인 클리닝 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 클리닝층의 한 면에 점착제층을 구비하는 클리닝 시트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 클리닝층의 한 면에 지지체를 구비하는 클리닝 시트.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지지체의 상기 클리닝층이 구비된 면과 반대의 면에 점착제층을 구비하는 클리닝 시트.
  5. 반송 부재와,
    그 반송 부재의 적어도 한 면에 형성되는 제1항에 기재된 클리닝층
    을 구비하는 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
  6. 제5항에 있어서, 상기 클리닝층은 상기 반송 부재에 직접 접착되어 있는 것인 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
  7. 제5항에 있어서, 상기 클리닝층은 점착제층을 사이에 두고 상기 반송 부재에 접착되어 있는 것인 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 시트, 또는 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 기판 처리 장치 내에 반송하는 기판 처리 장치의 클리닝 방법.
  9. 제8항에 기재된 클리닝 방법을 이용하여 클리닝이 이루어진 기판 처리 장치.
KR1020117025053A 2009-04-30 2010-04-13 클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치 KR20120004469A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009110618A JP5167195B2 (ja) 2009-04-30 2009-04-30 クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材、基板処理装置のクリーニング方法、および基板処理装置
JPJP-P-2009-110618 2009-04-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120004469A true KR20120004469A (ko) 2012-01-12

Family

ID=43032062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117025053A KR20120004469A (ko) 2009-04-30 2010-04-13 클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120042902A1 (ko)
JP (1) JP5167195B2 (ko)
KR (1) KR20120004469A (ko)
CN (1) CN102413951B (ko)
TW (1) TWI515051B (ko)
WO (1) WO2010125909A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145101A (ko) * 2019-06-20 2020-12-30 주식회사 미담솔루션 스테이지 클리닝 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103782365B (zh) * 2011-09-05 2016-10-05 株式会社东芝 掩模版吸盘洁净器及掩模版吸盘清洁方法
JP6148850B2 (ja) * 2012-12-05 2017-06-14 日本特殊陶業株式会社 クリーニング用素材およびクリーニング方法
JP6100539B2 (ja) * 2013-01-25 2017-03-22 株式会社ニトムズ 有機質汚れ除去用粘着クリーナー
JP6110814B2 (ja) * 2013-06-04 2017-04-05 富士フイルム株式会社 エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
EP3015044B1 (en) * 2013-06-25 2019-08-07 Kabushiki Kaisha Nitoms Sticky cleaner for removing organic dirt
JP6814528B2 (ja) * 2015-02-27 2021-01-20 株式会社ニトムズ 粘着クリーナー
JP7106312B2 (ja) * 2018-03-19 2022-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 支持フィルム、貼り付け方法、膜・電極接合体の製造方法および製造装置
JP7058545B2 (ja) * 2018-04-25 2022-04-22 東京エレクトロン株式会社 ガス供給管のクリーニング方法および処理システム
JP7270397B2 (ja) * 2019-01-30 2023-05-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121270A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP7165066B2 (ja) 2019-01-30 2022-11-02 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP7165065B2 (ja) 2019-01-30 2022-11-02 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121274A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2020121275A (ja) 2019-01-30 2020-08-13 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
US11638938B2 (en) 2019-06-10 2023-05-02 Kla Corporation In situ process chamber chuck cleaning by cleaning substrate
JP7315439B2 (ja) * 2019-11-26 2023-07-26 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2022169945A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
US20240050993A1 (en) * 2022-08-09 2024-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Onsite cleaning system and method
CN116686730B (zh) * 2023-07-04 2023-12-01 黑龙江省农垦科学院 一种肉牛养殖用饲料投送机构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154686A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JPH1187458A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き半導体製造装置
WO2001094036A1 (en) * 2000-06-06 2001-12-13 Nitto Denko Corporation Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
US7718255B2 (en) * 2003-08-19 2010-05-18 Nitto Denko Corporation Cleaning sheets and method of cleaning with the same
JP2005286261A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Nitto Denko Corp クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
JP2007035684A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Nitto Denko Corp 基板処理装置の除塵部材
CN101297395A (zh) * 2005-10-25 2008-10-29 日东电工株式会社 清洁片材，附有清洁功能的输送构件及基板处理装置的清洁方法
JP4970862B2 (ja) * 2006-07-11 2012-07-11 日東電工株式会社 クリーニング層の製造方法、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材およびクリーニング方法
WO2007123116A1 (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Nitto Denko Corporation クリーニング用粘着剤層、その製造方法、クリーニングシート、クリーニング機能付き搬送部材および異物のクリーニング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145101A (ko) * 2019-06-20 2020-12-30 주식회사 미담솔루션 스테이지 클리닝 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20120042902A1 (en) 2012-02-23
CN102413951B (zh) 2016-07-06
CN102413951A (zh) 2012-04-11
JP2010259970A (ja) 2010-11-18
JP5167195B2 (ja) 2013-03-21
TW201103652A (en) 2011-02-01
WO2010125909A1 (ja) 2010-11-04
TWI515051B (zh) 2016-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120004469A (ko) 클리닝 시트, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 기판 처리 장치
KR20080053937A (ko) 클리닝 시트, 클리닝 기능 탑재 반송 부재 및 기판 처리장치의 클리닝 방법
KR100767890B1 (ko) 전자부품용 가열박리형 점착 시트, 전자부품의 가공방법및 전자부품
KR20100028075A (ko) 클리닝 부재 및 클리닝 방법
JP4919337B2 (ja) クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
US20060105164A1 (en) Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
JP4557229B2 (ja) クリーニング機能付搬送部材の製造方法
JP7315439B2 (ja) クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
US20050244632A1 (en) Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them
JP5297182B2 (ja) クリーニング機能付搬送部材およびその製造方法
JP2006019616A (ja) クリーニング機能付き搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
JP7165065B2 (ja) クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP7165066B2 (ja) クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2007103639A (ja) クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
JP7270397B2 (ja) クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
TWI399802B (zh) A cleaning function panel and a cleaning method for a substrate processing apparatus using the same
JP3701881B2 (ja) クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP2007311699A (ja) クリーニングシートの製造方法、クリーニング機能付搬送部材の製造方法、および基板処理装置のクリーニング方法
JP4130830B2 (ja) クリーニング機能付き搬送部材とこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP2022169945A (ja) クリーニングシートおよびクリーニング機能付搬送部材
JP2006130429A (ja) クリーニング機能付き搬送部材の製造方法
JP2006066578A (ja) クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
JP2007130539A (ja) クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材および基板処理装置のクリーニング方法
JP2006303337A (ja) クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
JP2006222371A (ja) クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application