KR20100028075A - 클리닝 부재 및 클리닝 방법 - Google Patents

클리닝 부재 및 클리닝 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000N/mm2인 클리닝(cleaning)층을 포함하는 클리닝 시트, 또는 반송 부재의 적어도 한 면에 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000N/mm2인 클리닝층을 갖는 클리닝 기능을 갖는 반송 부재, 특히 상기 클리닝층이 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층 또는 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는 상기 구성의 클리닝 시트 또는 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제공한다.

Description

클리닝 부재 및 클리닝 방법{CLEANING MEMBER AND CLEANING METHOD}
본 발명은 이물질을 기피하는 각종 기판 처리 장치의 클리닝(cleaning) 부재, 이를 사용한 상기 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 및 이 방법에 의해 클리닝된 상기 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이, 프린트 기판 등의 제조 장치나 검사 장치 등, 이물질을 기피하는 각종 기판 처리 장치에서는 각각의 반송 시스템과 기판을 물리적으로 접촉시키면서 반송한다. 이 때, 기판이나 반송 시스템에 이물질이 부착되어 있으면, 후속 기판을 잇달아 오염시키기 때문에, 정기적으로 장치를 정지시켜 세정 처리할 필요가 있었다. 이 때문에, 가동율이 저하되고 막대한 노동력이 필요하게 되는 문제점이 있었다.
이 문제를 극복하기 위해, 기판 처리 장치내에 클리닝 부재로서, 점착성 물질을 고착한 기판을 반송함으로써, 상기 장치내에 부착한 이물질을 클리닝 제거하는 방법이 제안되었다(일본특허공개공보 제1998-154686호(제2면 내지 제4면) 참조).
상기한 제안 방법은 장치를 정지시켜 세정 처리할 필요가 없어, 가동율의 저하나 막대한 노동력의 필요를 회피하는 유효한 방법이다. 그러나, 이 방법에서는 점착성 물질과 장치 접촉부가 너무 강하게 접착하여 벗겨내기 어려워, 기판을 확실하게 반송할 수 없는 경우가 있고, 그 결과, 장치내의 이물질을 확실하게 클리닝 제거할 수 없었다.
본 발명은 이러한 사정에 비추어, 각종 기판 처리 장치내에 확실하게 반송하여 장치내에 부착되어 있는 이물질을 간편하면서 확실하게 제거할 수 있는 클리닝 부재와, 이를 사용한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
이와 같이, 본 발명은 클리닝층의 10% 변형시 인장응력을 0.3 내지 3,000N/mm2의 범위로 설정함으로써, 기판 처리 장치내의 피세정 부위에 강하게 접착하는 등의 트러블이 발생하는 일 없이 반송하여 상기 장치내의 이물질을 간편하면서 확실하게 제거할 수 있는 클리닝 부재, 및 이를 사용한 클리닝 방법을 제공할 수 있다.
본 발명자들은 상기 목적에 대하여 예의 검토한 결과, 클리닝 부재를 구성하는 클리닝층을 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층 또는 내열성을 갖는 중합체 수지로 구성하여, 그 10% 변형시 인장응력을 특정 범위내로 설정했을 때에, 클리닝 부재를 각종 기판 처리 장치내에 장치 접촉부와 너무 강하게 접착하는 등의 지장을 초래하지 않고 확실하게 반송시킬 수 있으며, 이에 따라 장치내의 이물질을 간편하면서 확실하게 제거할 수 있다는 것을 알게 되었다.
본 발명은 이러한 발견을 기초로 하여 완성된 것이다. 즉, 본 발명은 하기와 같은 구성을 갖는다.
(1) 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000N/mm2인 클리닝층을 포함하는 클리닝 시트.
(2) 클리닝층이 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층을 포함하는, 상기 (1)에 따른 클리닝 시트.
(3) 클리닝층이 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는, 상기 (1)에 따른 클리닝 시트.
(4) 지지체를 추가로 포함하되, 지지체의 적어도 한 면에 클리닝층이 제공되는, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 따른 클리닝 시트.
(5) 지지체 및 점착제층을 추가로 포함하되, 지지체의 한 면에 클리닝층이 제공되며, 다른 면에 점착제층이 제공되는, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 따른 클리닝 시트.
(6) 반송 부재 및 상기 반송 부재의 적어도 한 면에 제공된 클리닝층을 포함하고, 클리닝층의 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000N/mm2인, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
(7) 클리닝층이 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층을 포함하는, 상기 (6)에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
(8) 클리닝층이 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는, 상기 (6)에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
(9) 반송 부재 및 점착제층을 포함하고, 반송 부재의 적어도 한 면에 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 따른 클리닝 시트가 점착제층을 통해 제공되는, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
(10) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 따른 클리닝 시트 또는 상기 (6) 내지 (9) 중 어느 하나에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 반송하여, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 따른 클리닝 시트 또는 상기 (6) 내지 (9) 중 어느 하나에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 피세정 부위에 접촉시키는 것을 포함하는 클리닝 방법.
(11) 상기 (10)에 따른 클리닝 방법에 의해 클리닝된 기판 처리 장치.
이와 같이, 본 발명은 클리닝층의 10% 변형시 인장응력을 0.3 내지 3,000N/mm2의 범위로 설정함으로써, 기판 처리 장치내의 피세정 부위에 강하게 접착하는 등의 트러블을 야기하지 않고 기판 처리 장치내에 반송되어 상기 장치내의 이물질을 간편하면서 확실하게 제거할 수 있는 클리닝 부재, 및 이를 사용한 클리닝 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 클리닝 부재에 있어서, 클리닝층은 그 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000N/mm2의 범위에 있는 것이 필요하며, 특히 바람직하게는 1 내지 1,000N/mm2의 범위, 보다 바람직하게는 5 내지 500N/mm2의 범위, 가장 바람직하게는 10 내지 100N/mm2의 범위에 있는 것이 필요하다.
이와 같은 범위로 설정함으로써, 반송 트러블이 발생하는 일 없이 이물질을 간편하면서 확실하게 제거할 수 있다. 10% 변형시 인장응력이 3,000N/mm2를 초과하면 반송 시스템의 부착 이물질을 제거하는 성능이 저하되고, 0.3N/mm2 미만이면 반송시에 장치내의 피세정 부위에 접착하여 반송 트러블을 야기하기 쉽다.
한편, 본 명세서에 있어서 "10% 변형시 인장응력"은 시험법 JIS K7127에 준하여 측정되는 값을 의미한다.
이러한 클리닝층은 그 재질 등에 관하여 특별히 한정되지 않지만, 대표적인 예로서, 자외선이나 열 등의 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층으로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 수지층은 가교 반응을 포함한 경화 반응에 의해 분자 구조가 3차원 망상 구조로 되어 그 변형시 인장응력이 커지기 때문에, 상기 반응을 적절히 제어함으로써 변형시 인장응력을 상기 범위내로 용이하게 설정할 수 있다.
또한, 상기 3차원 망상 구조 형성에 의해 그 접착력이 저하되지만, 변형시 인장응력을 상기 범위내로 설정하면, 그 접착력은 실리콘 웨이퍼(거울면)에 대한 180°박리 접착력으로 0.2N(20g)/10mm폭 이하, 바람직하게는 약 0.01 내지 약 0.1N/10mm폭이 된다. 접착력이 상기 범위보다 크게 되면, 반송시에 장치내의 피세정 부위에 접착하여 반송 트러블을 야기하기 쉽다.
활성 에너지원에 의해 경화된 수지층으로서는, 예컨대, 감압 접착성 중합체와, 분자내에 불포화 이중결합을 1개 또는 2개 이상 갖는 화합물(이하, 중합성 불포화 화합물이라 함) 및 중합개시제, 및 필요에 따라 가교제 등을 혼합하여 제조된 경화형 수지 조성물을, 활성 에너지원, 특히 자외선에 의해 경화시킨 것을 들 수 있다.
감압 접착성 중합체로서는, (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산 에스터를 주요 단량체로 한 아크릴계 중합체가 바람직하다.
아크릴계 중합체의 합성에 있어서, 공중합 단량체로서 분자내에 불포화 이중결합을 2개 이상 갖는 화합물을 사용하거나, 합성후의 아크릴계 중합체에 분자내에 불포화 이중결합을 갖는 화합물을 작용기 사이의 반응으로 결합시켜, 아크릴계 중합체의 분자내에 상기 불포화 이중결합을 도입할 수 있다. 이러한 도입으로, 아크릴계 중합체 자체도 활성 에너지원에 의한 중합 경화 반응에 관여시킬 수도 있다.
중합성 불포화 화합물로서는, 비휘발성이면서 중량평균분자량이 10,000 이하인 저분자량체인 것이 바람직하고, 특히, 경화시의 3차원 망상 구조를 효율적으로 형성하는 관점에서 중량평균분자량이 5,000 이하인 것이 특히 바람직하다.
이러한 중합성 화합물의 예로서는, 페녹시 폴리에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, ε-카프로락톤 (메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 올리고-에스터 (메트)아크릴레이트 등이 있고, 이들 중에서 1종 또는 2종 이상이 사용된다.
중합개시제로서는, 예컨대, 활성 에너지원으로서 열을 사용하는 경우, 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스아이소부티로나이트릴 등의 열중합개시제가 사용된다. 또한, 활성 에너지원으로서 광을 사용하는 경우에는, 벤조일, 벤조인 에틸 에테르, 다이벤질, 아이소프로필 벤조인 에테르, 벤조페논, 미힐러(Michler) 케톤 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 다이메틸티오크산톤, 아세토페논 다이에틸 케탈, 벤질 다이메틸 케탈, α-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로페인, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논 등의 광중합개시제가 사용된다.
본 발명에서의 클리닝층에는, 상기한 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층 이외에, 내열성을 갖는 중합체 수지를 사용하는 것도 바람직하다.
이러한 중합체 수지는, 내열성이 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 주쇄중에 갖는 폴리아믹산 수지를 가열 이미드화하여 수득되는 폴리이미드 수지가 바람직하게 사용된다.
<화학식 1로 표시되는 구조 단위>
Figure pat00001
상기 식에서,
n 및 m은 0 이상의 정수이고, 단, n 및 m 중 하나는 1 이상의 정수이다.
상기 폴리아믹산 수지는 테트라카복실산 이무수물 성분과 다이아민 성분을, 실질적으로 등몰비로 적절한 유기 용제중에서 반응시켜 얻을 수 있다.
상기 테트라카복실산 이무수물 성분으로서는, 예컨대, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물(6FDA), 비스(2,3-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(2,3-다이카복시페닐)설폰 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)설폰 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 에틸렌 글리콜 비스트라이멜리트산 이무수물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수 있으며, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, 상기 다이아민 성분으로서는, 화학식 1로 표시되는 구조를 갖는 다이아민, 예컨대, 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 지방족 다이아민이 사용되며, 이들 다이아민은 단독으로 사용할 수 있고, 다른 다이아민과 병용할 수도 있다.
<화학식 2로 표시되는 지방족 다이아민>
Figure pat00002
<화학식 3으로 표시되는 지방족 다이아민>
Figure pat00003
상기 식에서,
n 및 m은 0 이상의 정수이고, 단, n 및 m 중 하나는 1 이상의 정수이다.
상기 병용되는 다이아민으로서는, 예컨대, 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,3'-다이아미노다이페닐 에테르, m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 4,4'-다이아미노다이페닐프로페인, 3,3'-다이아미노다이페닐프로페인, 4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노다이페닐 설파이드, 3,3'-다이아미노다이페닐 설파이드, 4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3-다이아미노다이페닐설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)-2,2-다이메틸프로페인, 4,4'-다이아미노벤조페논, 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산 등의 다이아민을 들 수 있다.
상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민은, 실질적으로 등몰비로 적절한 유기 용매중에서 서로 반응시킬 수 있지만, 화학식 1로 표시되는 구조를 갖는 다이아민을 사용하는 경우, 100℃ 이상의 온도에서 반응시킴으로써 겔화를 방지할 수 있다.
그 미만의 온도에서 중합시킨 경우에는, 상기 다이아민의 사용량에 따라서는, 겔 성분이 반응 시스템내에 잔존하여, 막힘에 의해 여과에 의한 이물질의 제거가 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 반응이 불균일해짐으로써, 수지의 특성에 격차를 발생시키는 원인이 되는 경우가 있다.
또한, 상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 반응시키는 적절한 용제로서는, N,N-다이메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸폼아미드 등을 들 수 있지만, 필요에 따라, 원재료나 수지의 용해성을 조정하기 위해 톨루엔이나 자일렌 등의 비극성 용제를 적절히 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 폴리이미드 수지는 상기 방법에 의해 수득되는 폴리아믹산 수지를 가열 이미드화하여 수득할 수 있다.
가열 이미드화하는 방법에 있어서는, 상기 폴리아믹산의 용액에 톨루엔이나 자일렌 등의 물과의 공비 용제를 혼합한 후, 공비탈수법으로 용제중에서 이미드화시킬 수 있고, 또한 상기 혼합물을 기판상에 도포하여, 용제를 건조한 후, 열처리하여 이미드화시킬 수도 있다.
또한, 내열성을 갖는 중합체 수지로서는, 상기 폴리이미드 수지 외에, 예컨대, 페닐-T, 폴리퀴녹살린, 폴리벤조일렌 벤즈이미다졸 등의 래더(ladder) 중합체나, 폴리페닐렌, 폴리아미드, 폴리에스터 이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보다이이미드, 알아미드 등의 방향족 중합체 등을 들 수 있다.
이들 내열성을 갖는 중합체 수지 중에서도, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 및 폴리카보다이이미드는 400℃ 이상의 고온에 노출되어도 휘발성 가스나 분해 단량체를 생성시키지 않는 점에서, 클리닝층으로서 특히 바람직하다.
이러한 내열성을 갖는 중합체 수지를 이용하여 클리닝층을 구성한 본 발명의 클리닝 부재는, 이 클리닝 부재를, 예컨대, 오존 세정기, 레지스트 코터, 산화 확산로, 상압 CVD 장치, 감압 CVD 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 고온하에서 사용되는 기판 처리 장치에 사용하더라도, 반송시에 처리 장치내에서의 반송 불량이나 오염을 발생시키지 않고 사용할 수 있다는 이점이 있다.
이들 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는 클리닝층은, 후술하는 클리닝 부재의 각각의 태양에 따라, 이형지, 내열성 지지체(폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이나 폴리이미드 필름 등) 또는 반송 부재(통상적으로는 이형층을 통해)상에 스핀 코팅법, 스프레이법, 컴마 코팅법, 파운틴법, 그라비어법 등의 적절한 수법으로 도포하고, 용매의 건조 후, 고온으로 열처리하여 형성할 수 있다.
상기 열처리 온도는 200℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 수지의 산화 열화를 막기 위해, 질소분위기 또는 진공중 등의 불활성인 분위기하에서 처리하는 것이 바람직하다. 이러한 처리에 의해, 수지중에 남은 휘발 성분을 완전히 제거할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기와 같은 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층 또는 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는 클리닝층은, 이를 단독으로 시트상 또는 테이프상으로 성형하여, 클리닝 시트로 할 수 있다.
또한, 이 때, 지지체를 사용하고, 이 지지체의 적어도 한 면에 상기 클리닝층을 마련하여 클리닝 시트로 할 수 있다. 이 경우의 클리닝층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 보통 5 내지 100μm인 것이 바람직하다.
지지체는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸 셀룰로즈, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드 등의 플라스틱 필름을 들 수 있다. 지지체의 두께는 보통 10 내지 100μm인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 구성의 클리닝 시트를 그대로 클리닝 부재로서 사용하여, 이를 각종 기판 처리 장치내에 반송하여, 그 피세정 부위에 접촉시킴으로써 상기 부위에 부착한 이물질을 간편하면서 확실하게 클리닝 제거할 수 있다.
또한, 상기 구성의 클리닝 시트를 점착제층을 통해 반송 부재의 적어도 한 면에 접합시킴으로써, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재로 할 수 있다. 즉, 이 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 클리닝 부재로서 사용하여, 이를 상기와 마찬가지로 각종 기판 처리 장치내에 반송하여, 그 피세정 부위에 접촉시킴으로써 상기 부위에 부착한 이물질을 간편하면서 확실하게 클리닝 제거할 수 있다.
이러한 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 상기 구성의 클리닝 시트를, 아크릴계나 고무계 등의 통상의 점착제를 사용하여 반송 부재에 접합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 제조를 용이하게 하기 위해, 미리 지지체의 한 면에 상기 구성의 클리닝층을 가지며, 다른 면에 상기 통상의 점착제층을 갖는 클리닝 시트를 제작해 두고, 이를 상기 점착제층을 통해 반송 부재에 접합시키는 것이 바람직하다.
상기 구성의 클리닝 시트에 있어서, 지지체의 다른 면에 마련하는 점착제층은 그 두께가 보통 5 내지 100μm인 것이 바람직하다. 또한, 기판 처리 장치의 클리닝후에 반송 부재를 점착제층으로부터 벗겨내어 반송 부재를 재이용하는 경우, 점착제층의 점착력은 실리콘 웨이퍼(거울면)에 대한 180° 박리 점착력이 0.21 내지 0.98N/10mm폭, 바람직하게는 0.4 내지 0.98N/10mm폭인 것이 바람직하다.
이 범위내에 있으면, 반송중에 박리되는 일 없이 클리닝후에 용이하게 재박리할 수 있다.
상기한 바와 같이 반송 부재에 클리닝 시트를 접합시켜 제조하는 것 이외에, 본 발명에 있어서 클리닝 부재로서 사용하는 클리닝 기능을 갖는 반송 부재는 반송 부재의 적어도 한 면에, 상기 구성의 클리닝층을 직접 마련하여 제조할 수도 있다. 즉, 클리닝층을 구성하기 위한 상기한 경화형의 수지 조성물이나, 내열성을 갖는 중합체 수지를 도포하여, 활성 에너지원에 의해 경화시키거나, 건조후에 고온에서 열처리하는 등의 방법에 의해 클리닝층을 형성할 수도 있다.
본 발명의 클리닝 기능을 갖는 반송 부재에 있어서, 반송 부재로서는, 특별히 제한되지 않으며, 이물질 제거의 대상이 되는 기판 처리 장치의 종류에 따라, 각종 기판이 사용될 수 있다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼, LCD, PDP 등의 평판 디스플레이용 기판, 및 컴팩트 디스크, MR 헤드 등의 기판을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 클리닝이 실시되는 기판 처리 장치로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 회로 형성용 노광 조사 장치, 레지스트 도포 장치, 스퍼터링 장치, 이온 주입 장치, 드라이 에칭 장치, 웨이퍼 프로버 등의 각종 제조 장치나 검사 장치를 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 방법에 의해 클리닝된 상기 각 기판 처리 장치를 제공할 수 있는 것이다.
(실시예)
이어서, 본 발명을 실시예를 기재하여 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, "부"로 되어 있는 것은 중량부를 의미하는 것으로 한다.
실시예 1
아크릴산 2-에틸헥실 75부, 아크릴산 메틸 20부 및 아크릴산 5부로 이루어진 단량체 혼합물을 이용하여 합성한, 중량평균분자량이 700,000인 아크릴계 중합체 100부를, 중합성 불포화 화합물로서 폴리에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트 50부 및 우레탄 아크릴레이트 50부, 광중합개시제로서 벤질 다이메틸 케탈 3부, 및 가교제로서 다이페닐메테인 다이아이소시아네이트 3부와 균일하게 혼합하여, 자외선 경화형의 수지 용액을 조제하였다.
또한, 이 수지 용액으로부터 벤질 다이메틸 케탈 3부를 제외한 것 이외에는 상기와 동일하게 하여 비경화형 수지 용액을 조제하였다.
우선, 상기 비경화형 수지 용액을, 폭이 250mm이고 두께가 25μm인 폴리에스터 필름으로 이루어진 지지체의 한 면에, 건조후의 두께가 10μm가 되도록 도포하고, 건조하여 통상의 점착제층을 마련하고, 그 표면에 두께가 38μm인 폴리에스터계 박리 필름을 접합시켰다.
이어서, 이 지지체의 다른 한 면에, 상기 자외선 경화형의 수지 용액을, 건조후의 두께가 40μm가 되도록 도포하고, 건조하여 수지층을 마련하고, 그 표면에 상기와 같은 폴리에스터계 박리 필름을 접합시켰다.
이와 같이 지지체의 한 면에 수지층을, 다른 면에 통상의 점착제층을 마련하고, 여기에 중심파장 365nm의 자외선을 적산광량 1,000mJ/cm2로 조사하여, 상기 수지층을 중합 경화한 클리닝층을 형성하였다.
이와 같이 제작한 클리닝 시트에 대하여, 중합 경화한 수지층을 포함하는 클리닝층의 10% 변형시 인장응력을 측정한 결과, 25N/10mm2였다.
이 클리닝 시트의 통상의 점착제층측의 박리 필름을 벗겨내고, 클리닝 시트를 반송 부재인 8인치 실리콘 웨이퍼의 이면(거울면)에 핸드 롤러로 접합시켜 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 제작하였다.
이와는 별도로, 기판 처리 장치의 3개의 웨이퍼 스테이지를 떼어내고, 레이저식 이물질 측정장치에 의해 0.3μm 이상의 이물질을 측정한 결과, 8인치 웨이퍼 크기의 영역에서, 하나는 25,000개, 또 하나는 22,000개, 다른 하나는 23,000개였다.
다음에, 클리닝 부재로서 상기 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 이용하여 그 클리닝층측의 박리 필름을 벗겨내고, 상기 25,000개의 이물질이 부착해 있던 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판 처리 장치내에 반송한 결과, 지장 없이 반송할 수 있었다. 그 후, 웨이퍼 스테이지를 떼어내고, 레이저식 이물질 측정장치로 0.3μm 이상의 이물질을 측정한 결과, 8인치 웨이퍼 크기내에서 6,200개로, 클리닝전에 부착한 이물질수의 3/4 이상을 제거할 수 있었다.
비교예 1
중심파장 365nm의 자외선을 적산광량 5mJ/cm2로 조사한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 클리닝 시트를 제작하였다. 클리닝층의 10% 변형시 인장응력은 0.13N/10mm2였다.
이 클리닝 시트를 이용하여 실시예 1과 동일하게 하여 제작한 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를, 상기 22,000개의 이물질이 부착해 있던 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판 처리 장치내에 반송한 결과, 웨이퍼 스테이지에 고착되어 반송할 수 없게 되었다.
비교예 2
중심파장 365nm의 자외선을 적산광량 2,000mJ/cm2로 조사한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 클리닝 시트를 제작하였다. 클리닝층의 10% 변형시 인장응력은 3,500N/10mm2였다.
이 클리닝 시트를 이용하여 실시예 1과 동일하게 하여 제작한 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를, 상기 23,000개의 이물질이 부착해 있던 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판 처리 장치내에 반송한 결과, 8인치 웨이퍼 크기내에서 20,000개로, 클리닝전에 부착한 이물질을 거의 제거할 수 없었다.
본 발명은 이의 구체적인 태양을 참고하여 상세하게 기재되었으나, 당분야의 숙련자라면 본 발명의 진의 및 범주를 벗어나지 않고 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 알 것이다.
본 발명은 본원에서 그 전체가 참고로 인용되고 있는, 2003년 6월 26일자로 출원된 일본특허출원 제2003-182084호 및 2004년 4월 22일자로 출원된 일본특허출원 제2004-126304호에 기초한 것이다.

Claims (11)

10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000 N/mm2인 클리닝(cleaning)층을 포함하는 클리닝 시트.
제 1 항에 있어서,
클리닝층이 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층을 포함하는 클리닝 시트.
제 1 항에 있어서,
클리닝층이 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는 클리닝 시트.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지체를 추가로 포함하되,
지지체의 한 면 이상에 클리닝층이 제공되는 클리닝 시트.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지체 및 점착제층을 추가로 포함하되,
지지체의 한 면에 클리닝층이 제공되며, 다른 면에 점착제층이 제공되는 클리닝 시트.
반송부재 및 상기 반송 부재의 한 면 이상에 제공된 클리닝 층을 포함하고,
클리닝 층의 10% 변형시 인장응력이 0.3 내지 3,000 N/mm2인, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
제 6 항에 있어서,
클리닝층이 활성 에너지원에 의해 경화된 수지층을 포함하는, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
제 6 항에 있어서,
클리닝층이 내열성을 갖는 중합체 수지를 포함하는, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
반송 부재 및 점착제층을 포함하고,
반송 부재의 한 면 이상에 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 시트가 점착제층을 통해서 제공되는, 클리닝 기능을 갖는 반송 부재.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 시트, 또는 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 반송하는 단계, 및
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 시트 또는 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 클리닝 기능을 갖는 반송 부재를 피세정 부위와 접촉시키는 단계를 포함하는 클리닝 방법.
제 10 항에 따른 클리닝 방법에 의해 클리닝된 기판 처리 장치.
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