CN102413951B - 清洁片、带清洁功能的搬送构件、基板处理装置的清洁方法及基板处理装置 - Google Patents

清洁片、带清洁功能的搬送构件、基板处理装置的清洁方法及基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。本发明的清洁片具备实质上不具有粘合力的清洁层，该清洁层具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分，并且该清洁层对硅晶圆的镜面的以JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力为小于0.20N/10mm。本发明的带有清洁功能的搬送构件具备搬送构件、设置在该搬送构件的至少单面的本发明的清洁层。

Description

清洁片、带清洁功能的搬送构件、基板处理装置的清洁方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种清洁片及带有清洁功能的搬送构件。更详细而言，本发明涉及一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。另外，本发明涉及一种使用这种清洁片以及带有清洁功能的搬送构件的基板处理装置的清洁方法、以及使用这种清洁方法而进行清洁的基板处理装置。
背景技术
半导体、平板显示器、印刷基板等制造装置及检查装置等忌异物的各种基板处理装置中，一边使各搬送系统与基板进行物理性接触一边搬送。此时，若在基板及搬送系统中附着有异物，则会不断地污染后续的基板，因此必需定期地停止装置而进行清洗处理。其结果为，存在处理装置的工作率下降的问题及为了进行装置的清洗处理而需要极大的劳力的问题。
为克服上述问题，提出了通过搬送板状构件来去除附着在基板背面的异物的方法(参照专利文献1)。若利用这种方法，则由于无需使基板处理装置停止以进行清洗处理，故而处理装置的工作率下降的问题得以消除。但是，该方法无法充分去除异物。
另一方面，提出了通过将固着有粘合性物质的基板作为清洁构件而在基板处理装置内搬送，从而将附着在该处理装置内的异物清洁去除的方法(参照专利文献2)。该方法除专利文献1所记载的方法的优点以外，异物的去除性也优异，因此处理装置的工作率下降的问题及为进行装置的清洗处理而必需极大的劳力的问题均得以消除。但是，若利用专利文献2所记载的方法，则有粘合性物质与装置的接触部分过于牢固地粘接而无法分离之虞。其结果为有可能产生无法确实地搬送基板的问题、及使搬送装置破损的问题。
近年来，随着半导体组件的微细化，不仅在晶圆表面的异物附着成为问题，在背面的异物附着也成为问题。其原因在于，在清洗步骤中产生从晶圆背面至晶圆表面的异物的转移，使制品良率下降。目前，对于半导体组件的布线间隔(设计规格)而言，65nm成为主流，若附着有与该布线间隔同等或其以上尺寸的异物，则变得容易产生断线等不良。尤其是具有0.2～2.0μm左右的粒径的异物成为问题。但是，现有技术在特别有效率地去除具有规定粒径的异物的方面均不充分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-87458号公报
专利文献2：日本特开平10-154686号公报
发明内容
发明所欲解决的问题
本发明的目的在于提供一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。另外，本发明的目的在于提供一种使用这种清洁片及带有清洁功能的搬送构件的基板处理装置的清洁方法。另外，本发明的目的在于提供一种使用这种清洁方法进行清洁的基板处理装置。
解决问题的技术手段
本发明的清洁片是具备实质上不具有粘合力的清洁层的清洁片，
该清洁层具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分，并且
该清洁层对硅晶圆的镜面的剥离粘合力为小于0.20N/10mm，所述剥离粘合力为JIS-Z-0237中规定的180°的剥离粘合力。
在优选的实施方式中，本发明的清洁片在上述清洁层的单面具备粘合剂层。
在优选的实施方式中，本发明的清洁片在上述清洁层的单面具备支持体。
在优选的实施方式中，在上述支持体的与具备上述清洁层的面相反一侧的面上具备粘合剂层。
在本发明的另一实施方式中提供一种带有清洁功能的搬送构件。本发明的带有清洁功能的搬送构件具备搬送构件、设置于该搬送构件的至少单面的本发明的清洁层。
在优选的实施方式中，本发明的带有清洁功能的搬送构件的上述清洁层直接贴附在上述搬送构件上。
在优选的实施方式中，本发明的带有清洁功能的搬送构件的上述清洁层借助粘合剂层贴附在上述搬送构件上。
在本发明的另一实施方式中提供一种基板处理装置的清洁方法。本发明的基板处理装置的清洁方法中，将本发明的清洁片、或者本发明的带有清洁功能的搬送构件在基板处理装置内搬送。
在本发明的另一实施方式中提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置使用本发明的清洁方法进行清洁。
发明的效果
依据本发明，可提供一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。另外，依据本发明，可提供一种使用这种清洁片及带有清洁功能的搬送构件的基板处理装置的清洁方法。另外，依据本发明，可提供一种使用这种清洁方法进行清洁的基板处理装置。
上述效果通过以下方式而充分表现：采用具备实质上不具有粘合力的清洁层的清洁片来作为清洁片，将该清洁层的至少一部分的平均表面粗糙度Ra设计为规定值以上，且将该清洁层的对硅晶圆的镜面的剥离粘合力设计为小于规定值。
附图说明
图1是本发明的优选实施方式的清洁片的示意剖面图。
图2是本发明的另一优选实施方式的清洁片的示意剖面图。
图3是从实施例中所使用的晶圆(3)的上表面看到的示意图。
图4是从实施例中所使用的晶圆(5)的上表面看到的示意图。
附图标记说明
10清洁层
20粘合剂层
30保护膜
40支持体
100清洁片
具体实施方式
《A.清洁片》
图1是本发明的优选实施方式的清洁片的示意剖面图。该清洁片100具备清洁层10、粘合剂层20、及保护膜30。粘合剂层20及/或保护膜30可根据目的而省略。即，清洁片可由清洁层单独构成。图2是本发明的另一优选实施方式的清洁片的示意剖面图。该清洁片100具备清洁层10、粘合剂层20、保护膜30及支持体40。粘合剂层20及/或保护膜30可根据目的而省略。
本发明中，清洁层实质上不具有粘合力。即，例如由粘合性物质形成的清洁层、及利用固着粘合带而形成的清洁层，从本发明的清洁层中被排除。若本发明的清洁片具备具有粘合力的清洁层，则有该清洁层与装置的接触部分过于牢固地粘接而无法分离之虞。其结果为有可能产生无法确实地搬送基板的问题、及使搬送装置破损的问题。
本发明的清洁层具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分。通过清洁层具有这种特定的表面形状，不仅可极其有效率地去除具有规定粒径(代表性而言为0.2～2.0μm)的异物，并且可确实地搬送基板。
本发明的清洁层所具有的上述凹凸形状部分的平均表面粗糙度Ra优选为0.10～1.0μm，更优选为0.10～0.80μm，进一步优选为0.15～0.60μm，特别优选为0.20～0.60μm。通过平均表面粗糙度Ra处于上述范围，不仅可进一步极其有效率地去除具有规定粒径(代表性而言为0.2～2.0μm)的异物，并且可确实地搬送基板。
上述平均表面粗糙度Ra可使用触针式表面粗糙度测定装置(Veeco公司制造，Dectak8)来测定。测定速度为1μm/秒，测定范围为2.0mm，只要使金刚石制触针(前端部的曲率为2μm)移动即可。
只要具有如上所述的平均表面粗糙度Ra，则作为上述凹凸形状部分的凹凸形状，可采用任意适当的形状。作为凹凸形状的具体例，可列举：沟槽形状、条纹形状、突起形状、凹陷(小凹坑)形状、如砂纸表面的粗涩的表面形状。
本发明的清洁层的拉伸弹性模量在清洁层的使用温度区域中，优选为2000MPa以下，更优选为0.5～2000MPa，进一步优选为1～1000MPa。若拉伸弹性模量为上述范围，则获得异物去除性能与搬送性能的平衡优异的清洁层。此外，拉伸弹性模量依据JISK7127来测定。
本发明的清洁层如上所述，实质上不具有粘合力。具体而言，对硅晶圆的镜面的剥离粘合力小于0.20N/10mm，优选为0.01～0.10N/10mm，所述剥离粘合力是JIS-Z-0237中规定的180°的剥离粘合力。若为上述范围，则清洁层实质上不具有粘合力，可避免该清洁层与装置的接触部分过于牢固地粘接而无法分离的问题、其结果是，可以避免无法确实地搬送基板的问题及使搬送装置破损的问题、以及除尘性差的问题。
本发明的清洁层的厚度优选为0.1～100μm，更优选为0.5～50μm，进一步优选为1～50μm。若为上述范围，则获得异物的去除性能与搬送性能的平衡优异的清洁层。
作为构成本发明的清洁层的材料，可根据目的及凹凸的形成方法来采用任意适当的材料。作为构成清洁层的材料的具体例，可列举耐热性树脂、能量线固化性树脂。优选为耐热性树脂。通过采用耐热性树脂，则即便用于例如臭氧灰化机、PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)装置、氧化扩散炉、常压CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)装置、减压CVD装置、等离子CVD装置等在高温下使用的装置时，也可使用，且在搬送时不会产生处理装置内的搬送不良及污染。
在本发明中，构成清洁层的材料可直接使用而形成清洁层，也可溶解在任意适当的溶剂中来使用而形成清洁层。
作为上述耐热性树脂，优选不含污染基板处理装置的物质的树脂。作为这种树脂，例如可列举如半导体制造装置中使用的耐热性树脂。作为具体例，可列举聚酰亚胺、氟树脂。优选为聚酰亚胺。
优选为上述聚酰亚胺可将聚酰胺酸进行酰亚胺化而获得。该聚酰胺酸可使四羧酸二酐成分与二胺成分实质上以等摩尔比，在任意适当的有机溶剂中进行反应而获得。
作为上述四羧酸二酐成分，例如可列举：3，3′，4，4′-联苯基四甲酸二酐、2，2′，3，3′-联苯基四甲酸二酐、3，3′，4，4′-二苯甲酮四甲酸二酐、2，2′，3，3′-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4′-氧双邻苯二甲酸二酐、2，2-双(2，3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、双(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(2，3-二羧基苯基)砜二酐、双(3，4-二羧基苯基)砜二酐、均苯四甲酸二酐、乙二醇双偏苯三甲酸二酐。这些可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为上述二胺成分，例如可列举：具有至少两个含有胺结构的末端且具有聚醚结构的二胺化合物(以下有时称为PE二胺化合物)、脂肪族二胺、芳香族二胺。就可获得高耐热性、低应力的低弹性模量聚酰亚胺树脂的方面而言，优选PE二胺化合物。
作为PE二胺化合物，只要为具有聚醚结构且具有至少两个含有胺结构的末端的化合物，则可采用任意适当的化合物。例如可列举：具有聚丙二醇结构的末端二胺、具有聚乙二醇结构的末端二胺、具有聚1，4-丁二醇结构的末端二胺、以及具有上述多种结构的末端二胺等。更具体而言，优选由环氧乙烷、环氧丙烷、聚1，4-丁二醇、聚胺、或者这些的混合物来制备的具有至少两个含有胺结构的末端的PE二胺化合物。
作为脂肪族二胺，例如可列举：乙二胺、1，6-己二胺、1，8-二氨基癸烷、1，10-二氨基癸烷、1，12-二氨基十二烷、4，9-二氧杂-1，12-二氨基十二烷、1，3-双(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(α，ω-双氨基丙基四甲基二硅氧烷)等。作为脂肪族二胺的分子量，通常优选为50～1000000，更优选为100～30000。
作为芳香族二胺，例如可列举：4，4′-二氨基二苯醚、3，4′-二氨基二苯醚、3，3′-二氨基二苯醚、间苯二胺、对苯二胺、4，4′-二氨基二苯基丙烷、3，3′-二氨基二苯基甲烷、4，4′-二氨基二苯基硫醚、3，3′-二氨基二苯基硫醚、4，4′-二氨基二苯基砜、3，3′-二氨基二苯基砜、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，3-双(4-氨基苯氧基)-2，2-二甲基丙烷、4，4′-二氨基二苯甲酮等。
作为用于上述四羧酸二酐与二胺的反应的有机溶剂，例如可列举N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺。为了调整原材料等的溶解性，也可并用非极性溶剂(例如甲苯或二甲苯)。
上述四羧酸二酐与二胺的反应温度优选为40℃以上，进一步优选为50～150℃。若为这种反应温度，则可防止凝胶化。其结果为，反应系统中并不残留凝胶分，因此过滤时的堵塞等得以防止，从反应系统中去除异物变得容易。进而，若为这种反应温度，则均匀的反应得以实现，因此可防止所得树脂的特性的不均。
上述聚酰胺酸的酰亚胺化代表性而言，通过在惰性气体环境(代表而言为真空或氮气环境)下加热处理而进行。加热处理温度优选为150℃以上，进一步优选为180～450℃。若为这种温度，则可实质上完全去除树脂中的挥发成分。另外，通过在惰性气体环境下进行处理，可防止树脂的氧化及劣化。
上述能量线固化性树脂代表性而言，是包含粘合性物质、能量线固化性物质及能量线固化引发剂的组合物。
作为上述能量线固化性树脂中可含有的粘合性物质，可根据目的而采用任意适当的粘合性物质。粘合性物质的重均分子量优选为50～100万，进一步优选为60～90万。此外，粘合剂性物质也可为调配有交联剂、增粘剂、塑化剂、填充剂、抗老化剂等适当添加剂。在一个实施方式中，作为上述能量线固化性树脂中可含有的粘合性物质，使用压敏粘接性聚合物。压敏粘接性聚合物适宜用于在清洁层的凹凸形成时使用喷嘴法(后述)的情况。作为压敏粘接性聚合物的代表例，可列举以(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸系单体为主单体的丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物可单独或组合使用。根据需要，也可在丙烯酸系聚合物的分子内导入不饱和双键，用于对该丙烯酸系聚合物本身赋予能量线固化性。作为导入不饱和双键的方法，例如可列举：将丙烯酸系单体与分子内具有2个以上不饱和双键的化合物进行共聚合的方法、使丙烯酸系聚合物与分子内具有2个以上不饱和双键的化合物的官能团彼此进行反应的方法。
在另一实施方式中，作为上述能量线固化性树脂中可含有的粘合性物质，可使用调配橡胶系或丙烯酸系、乙烯基烷基醚系或聚硅酮系、聚酯系或聚酰胺系、氨基甲酸酯系或苯乙烯-二烯嵌段共聚物系、熔点为约200℃以下等的热熔融性树脂而改良了蠕变特性的粘合剂(例如日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报)等。这些可单独或组合使用。
更具体而言，上述粘合剂优选为：以天然橡胶或各种合成橡胶作为基底聚合物的橡胶系粘合剂；或者以使用1种或2种以上的丙烯酸系烷基酯的丙烯酸系共聚物作为基底聚合物的丙烯酸系粘合剂，所述丙烯酸系烷基酯包含具有如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基、庚基或2-乙基己基、异辛基、异癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基等碳数为20以下的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸等的酯。
作为上述丙烯酸系共聚物，可根据目的而使用任意适当的丙烯酸系共聚物。该丙烯酸系共聚物可视需要而具有凝聚力、耐热性或交联性等。例如可列举：如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、丁烯酸等之类的含羧基的单体；如马来酸酐、衣康酸酐等之类的酸酐单体；如(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)-甲酯等之类的含羟基的单体；如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺基的单体；如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等之类的(N-取代)酰胺系单体；如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等之类的(甲基)丙烯酸烷基氨基酯系单体；如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等之类的(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等之类的马来酰亚胺系单体；如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等之类的衣康酰亚胺系单体；如N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等之类的琥珀酰亚胺系单体；如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等之类的乙烯基系单体；如丙烯腈、甲基丙烯腈等之类的氰基丙烯酸酯单体；如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等之类的含环氧基的丙烯酸系单体；如(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等之类的二醇系丙烯酸酯单体；如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚硅酮(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯等之类的丙烯酸酯系单体；如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等之类的多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯、乙烯醚等适当单体等的2种以上的共聚合。这些单体的调配比等可以根据目的而适当设定。
作为上述能量线固化性物质，可采用能利用能量线(优选为光，进一步优选为紫外线)而与上述粘合性物质反应而作为形成三维网状结构时的交联点(分支点)而发挥功能的任意适当的物质。作为能量线固化性物质的代表例，可列举分子内具有1个以上不饱和双键的化合物(以下称为聚合性不饱和化合物)。优选聚合性不饱和化合物为不挥发性，且重均分子量为10000以下，进一步优选为5000以下。若为这样的分子量，则上述粘合性物质可效率良好地形成三维网状结构。作为能量线固化性物质的具体例，可列举：苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯等。这些可以单独或组合使用。能量线固化性物质相对于上述粘合性物质100重量份，优选为以0.1～50重量份的比例使用。
另外，作为能量线固化性物质也可使用能量线固化性树脂。作为能量线固化性树脂的具体例，可列举：分子末端具有(甲基)丙烯酰基的酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸树脂(甲基)丙烯酸酯、分子末端具有烯丙基的硫醇-烯加成型树脂及光阳离子聚合型树脂、聚乙烯基肉桂酸酯等含肉桂酰基的聚合物、经重氮化了的氨基酚醛清漆树脂及丙烯酰胺型聚合物等含感光性反应基的聚合物或者寡聚物等。进而，作为以能量线进行反应的聚合物，可列举环氧化聚丁二烯、不饱和聚酯、聚甲基丙烯酸缩水甘油酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯基硅氧烷等。这些可以单独或组合使用。能量线固化性树脂的重均分子量优选为50～100万，进一步优选为60～90万。
作为上述能量线固化引发剂，可根据目的而采用任意适当的固化引发剂(聚合引发剂)。例如，在使用热作为能量线的情况下，使用热聚合引发剂，在使用光作为能量线的情况下，使用光聚合引发剂。作为热聚合引发剂的具体例，可列举过氧化苯甲酰、偶氮双异丁腈。作为光聚合引发剂的具体例，可列举：安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等安息香醚；苯甲醚甲醚等经取代的安息香醚；2，2-二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羟基-环己基-苯基酮等经取代的苯乙酮；苄基甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮；氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮等氧杂蒽酮；二苯甲酮、米其勒酮等二苯甲酮；2-甲基-2-羟基苯丙酮等经取代的α-酮醇；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯；1-苯基-1，1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)-肟等光活性肟；苯甲酰；二苄基；α-羟基环己基苯基酮；2-羟基甲基苯基丙烷。能量线固化引发剂相对于能量线固化性物质100重量份，优选为以0.1～10重量份的比例使用。
构成本发明的清洁层的材料，可根据目的还含有任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例，可列举：表面活性剂、塑化剂、抗氧化剂、导电性赋予材、紫外线吸收剂、光稳定化剂。通过调整所使用的添加剂的种类及/或量，可获得具有符合目的的所需特性的清洁层。
本发明的清洁片也可具备支持体。支持体的厚度可适当选择，优选为500μm以下，更优选为1～300μm，进一步优选为1～100μm。为提高与邻接的层的密着性、保持性等，支持体的表面可实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧曝露、火焰曝露、高压电击曝露、离子化辐射处理等化学或物理处理，及利用底涂剂(例如上述粘合性物质)的涂布处理。此外，支持体可为单层，也可为多层体。
支持体可以根据目的而采用任意适当的支持体。例如可列举工程塑料及超级工程塑料的膜。作为工程塑料及超级工程塑料的具体例，可列举：聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺。分子量等诸物性可根据目的而适当选择。另外，支持体的成形方法可根据目的而适当选择。
本发明的清洁片可具备粘合剂层。作为这种粘合剂层的材料，可采用任意适当的材料。例如可使用包含丙烯酸系或橡胶系等通常的粘合剂的材料。其中，作为丙烯酸系粘合剂，优选使用以重均分子量为10万以下的成分为10重量％以下的丙烯酸系聚合物为主剂的丙烯酸系粘合剂。上述丙烯酸系聚合物可通过使以(甲基)丙烯酸烷基酯为主单体，并且根据需要而添加有可共聚合的其它单体的单体混合物进行聚合反应而合成。
本发明的粘合剂层对硅晶圆的镜面的剥离粘合力优选为0.01～10N/10mm，更优选0.05～5N/10mm，所述剥离粘合力是在JIS-Z-0237中规定的180°的剥离粘合力。若粘合力过高，则在将清洁片自基板等上剥离去除时，有支持体膜破裂之虞。
本发明的粘合剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为5～50μm。
为保护清洁层或支持体，本发明的清洁片可具有保护膜。保护膜在适当的阶段剥离。保护膜可视目的而采用任意适当的膜。例如可列举包含聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚氨基甲酸酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离子聚合物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等的塑料膜，或聚酰亚胺、氟树脂膜。保护膜可根据目的而以剥离剂等实施剥离处理。剥离剂例如可列举聚硅酮系、长链烷基系、氟系、脂肪酸酰胺系、二氧化硅系。该保护膜的厚度优选为1～100μm。保护膜的形成方法可视目的而适当选择，例如可利用注射模塑成形法、挤出成形法、吹胀成形法而形成。
作为制造本发明的清洁片的方法，可在获得本发明的清洁片的范围内采用任意适当的制造方法。作为优选制造方法的一例，可列举利用激光加工而在任意适当的基材的表面的至少一部分形成凹凸，在该基材的表面上形成清洁层的方法。即，通过在基板的表面设置凹凸，在该表面上形成清洁层，而将清洁层表面的平均表面粗糙度Ra控制为规定大小。
作为上述基材，可采用任意适当的基材。例如可列举：半导体晶圆(例如硅晶圆)、LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)、PDP(PlasmaDisplayPanel，等离子显示面板)等平板显示器用基板、光盘、MR头(Magneto-Resistivehead，磁电阻头)等。
《B.带有清洁功能的搬送构件》
本发明的带有清洁功能的搬送构件具备：搬送构件、设置在该搬送构件的至少单面的本发明的清洁层。
作为上述搬送构件，可采用任意适当的搬送构件。例如可列举半导体晶圆(例如硅晶圆)、LCD、PDP等平板显示器用基板、光盘、MR头等基材。
本发明的带有清洁功能的搬送构件中，上述清洁层可直接贴附在上述搬送构件上，也可借助粘合剂层而贴附在上述搬送构件上。
作为上述粘合剂层，可采用任意适当的粘合剂层。优选为可采用上述A.清洁片的项目中所说明的粘合剂层。
《C.清洁方法》
本发明的清洁方法为基板处理装置的清洁方法，其通过将本发明的清洁片、或者本发明的带有清洁功能的搬送构件在基板处理装置内搬送，与其被清洗部位接触，由此将附着在该被清洗部位的异物简便且确实地清洁去除。
利用上述清洁方法清洗的基板处理装置并无特别限定。作为基板处理装置的具体例，除本说明书中已记载的装置以外，可列举电路形成用曝光照射装置、抗蚀剂涂布装置、溅射镀装置、离子注入装置、干式蚀刻装置、探针仪等各种制造装置或检查装置，进而可列举臭氧灰化机、抗蚀剂涂布机、氧化扩散炉、常压CVD装置、减压CVD装置、等离子CVD装置等在高温下使用的基板处理装置等。
《C.基板处理装置》
本发明的基板处理装置是使用本发明的清洁方法而进行清洁的装置。本发明的基板处理装置是将本发明的清洁片、或者本发明的带有清洁功能的搬送构件在该基板处理装置内搬送而被清洁了的装置，因此能够成为效率尤其良好地去除具有规定粒径、尤其是0.2～2.0μm粒径的异物的基板处理装置。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于这些实施例。需要说明的是，只要未特别说明，则实施例中的份及％为重量(质量)基准。
(1)平均表面粗糙度Ra
平均表面粗糙度Ra使用触针式表面粗糙度测定装置(Veeco公司制造，Dectak8)进行测定。测定速度为1μm/秒，测定范围为2.0mm，使金刚石制触针(前端部的曲率为2μm)移动而测定。
(2)拉伸弹性模量
依据JISK7127进行测定。具体而言，在规定的基材上形成清洁层后，剥离该清洁层，使用动态粘弹性测定装置进行测定。
(3)180°剥离粘合力
在硅晶圆的镜面形成清洁层，依据JIS-Z-0237进行测定。
(4)清洁性能评价方法
通过使用异物检查装置(KLATencor制造，SFS6200)(以下，称为装置A)，测定硅晶圆镜面上的0.200μm以上的异物数而进行评价。更详细而言，通过将清洁构件在清洁片制造用衬膜剥离装置(日东精机制造，HR-300CW)(以下称为装置B)中搬送，测定清洁构件的搬送前后的异物数而进行评价。具体方法如以下所述。
向装置B中，首先使新品的硅晶圆镜面朝下，以镜面与搬送臂或夹盘接触的方式自动搬送(面朝下搬送)。然后，使用装置A测定附着在镜面的异物数(将此时的异物数称为“异物数1”)。其后，在装置B中搬送本发明的清洁构件而进行清洁处理后，再度将新品晶圆进行面朝下搬送，使用装置A测定此时附着的异物数(将此时的异物数称为“异物数2”)。利用以下的式算出异物去除率作为清洁构件的清洁效果的参数。
异物去除率＝[100-(异物数2)/(异物数1)×100]％
(5)搬送性
利用装置B在夹盘上搬送，进行真空吸附，解除真空后，根据是否可利用起模顶针将清洁构件从夹盘上剥离来进行评价。
[实施例1]
相对于由包含丙烯酸-2-乙基己酯75份、丙烯酸甲酯20份、及丙烯酸5份的单体混合液所获得的丙烯酸系聚合物(重均分子量70万)100份，均匀地混合聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(新中村化学制造，商品名：NK酯4G)200份、聚异氰酸酯化合物(日本聚氨酯工业制造，商品名：CoronateL)3份、以及作为光聚合引发剂的苯偶酰二甲基缩酮(汽巴精化(CibaSpecialtyChemicals)制造，商品名：Irgacure651)3份，制备紫外线固化型粘合剂溶液A。
另一方面，向具备温度计、搅拌机、氮导入管及回流冷却管的内容量为500ml的3口烧瓶型反应器内，投入丙烯酸2-乙基己酯73份、丙烯酸正丁酯10份、N，N-二甲基丙烯酰胺15份、以及丙烯酸5份、作为聚合引发剂的2，2′-偶氮双异丁腈0.15份、乙酸乙酯100份，调配成整体达200g，一边导入氮气约1小时，一边进行搅拌，以氮气置换内部的空气。
其后，使内部的温度达到58℃，在该状态下保持约4小时而进行聚合，获得粘合剂聚合物溶液。在粘合剂聚合物溶液100份中均匀地混合聚异氰酸酯化合物(日本聚胺酯工业制造，商品名：CoronateL)3份，获得粘合剂溶液B。
在单面为由聚丙烯膜(厚度30μm、宽度250mm)构成的分隔件的剥离处理面上，涂布上述粘合剂溶液B，以使干燥后的厚度成为7μm，在该粘合剂层上层叠长条聚酯膜(厚度25μm、宽度250mm)，进而在该膜上涂布紫外线固化型粘合剂溶液A，以使干燥后的厚度成为15μm，设置作为清洁层的粘合剂层，在其表面贴合单面为由经非聚硅酮剥离剂处理的长链聚酯膜构成的保护膜(保护膜A)(厚度25μm、宽度250mm)的剥离处理面，获得片材(1)。
该保护膜A的平均表面粗糙度Ra为0.12μm。
向该片材(1)上，以累计光量1000mJ/cm2照射中心波长365nm的紫外线，获得具有经紫外线固化的清洁层的清洁片(1)。
剥离该清洁片(1)的保护膜A，测定对硅晶圆(镜面)的180°剥离粘合力(依据JIS-Z-0237进行测定)，结果为0.05N/10mm。该清洁层的紫外线固化后的拉伸强度为460MPa。
剥离该清洁片(1)的分隔件，以手压辊贴附在8英寸的硅晶圆的镜面上，制作带有背面保护材的晶圆(1)。
继而，剥离带有背面保护材的晶圆(1)的保护膜A，制成带有清洁功能的搬送构件(1)。
带有清洁功能的搬送构件(1)的清洁层的平均表面粗糙度Ra为0.11μm。
以激光式异物测定装置测定新品的8英寸的硅晶圆的镜面的0.200μm以上的异物，结果为4个。
将该晶圆以镜面为下侧而在装置A中搬送后，以激光式异物测定装置测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为5552个，在0.219～0.301μm范围内为6891个，在0.301～0.412μm范围内为4203个，在0.412～0.566μm范围内为3221个，在0.566～0.776μm范围内为3205个，在0.776～1.06μm范围内为1532个，在1.06～1.46μm范围内为698个，在1.46～1.60μm范围内为492个，在1.60μm以上的范围内为925个，整体为26719个(异物数1)。
将带有清洁功能的搬送构件(1)在上述附着有26719个异物的装置A中搬送10次，结果可无障碍地搬送。
其后，使新品的8英寸的硅晶圆的镜面朝向下侧而进行搬送，测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为2234个，在0.219～0.301μm范围内为2758个，在0.301～0.412μm范围内为1688个，在0.412～0.566μm范围内为1308个，在0.566～0.776μm范围内为1309个，在0.776～1.06μm范围内为620个，在1.06～1.46μm范围内为282个，在1.46～1.60μm范围内为198个，在1.60μm以上的范围内为371个，整体为10768个(异物数2)。
由异物数1、异物数2算出的异物去除率整体为60％。
将结果归纳在表1。
[实施例2]
在氮气流下的环境中，在70℃下向133g的N，N-二甲基乙酰胺(DAMc)中混合聚醚二胺(SunTechnochemical制造，XTJ-510)14.8g、4，4′-DPE(DDE)8.45g、以及均苯四甲酸二酐(PMDA)10.0g，使其反应而获得聚酰胺酸溶液A。
冷却后，将聚酰胺酸溶液A以旋涂机涂布在8英寸的硅晶圆的蚀刻面上，在90℃下干燥20分钟，获得带有聚酰胺酸的搬送构件(2)。
将附聚酰胺酸的搬送构件(2)在氮气环境下，在300℃下热处理2小时，形成厚度30μm的聚酰亚胺被膜，获得带有清洁功能的搬送构件(2)。
带有清洁功能的搬送构件(2)的清洁层的平均表面粗糙度Ra为0.54μm。
将该带有清洁功能的搬送构件(2)的清洁层从硅晶圆上剥离，测定对硅晶圆(镜面)的180°剥离粘合力(依据JIS-Z-0237进行测定)，结果为0.03N/10mm。
以激光式异物测定装置测定新品的8英寸的硅晶圆的镜面的0.200μm以上的异物，结果为5个。
将该晶圆以镜面为下侧而在装置A中搬送后，以激光式异物测定装置测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为5551个，在0.219～0.301μm范围内为6890个，在0.301～0.412μm范围内为4202个，在0.412～0.566μm范围内为3220个，在0.566～0.776μm范围内为3204个，在0.776～1.06μm范围内为1531个，在1.06～1.46μm范围内为697个，在1.46～1.60μm范围内为491个，在1.60μm以上的范围内为924个，整体为26710个(异物数1)。
将带有清洁功能的搬送构件(2)在上述附着有26710个异物的装置A中搬送10次，结果可无障碍地搬送。
其后，使新品的8英寸的硅晶圆的镜面朝向下侧而进行搬送，测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为2187个，在0.219～0.301μm范围内为2708个，在0.301～0.412μm范围内为1677个，在0.412～0.566μm范围内为1273个，在0.566～0.776μm范围内为1256个，在0.776～1.06μm范围内为602个，在1.06～1.46μm范围内为274个，在1.46～1.60μm范围内为194个，在1.60μm以上的范围内为368个，整体为10539个(异物数2)。
由异物数1、异物数2算出的异物去除率，整体为61％。
将结果归纳在表1。
[实施例3]
在8英寸的硅晶圆的镜面整个面上，将以SEMI规格所规定的用于ID识别的激光标记形成于整个面，获得如图3的晶圆(3)。使用实施例2中记载的聚酰胺酸溶液A，以旋涂机涂布于晶圆(3)的镜面上，在120℃下干燥10分钟，获得带有聚酰胺酸的搬送构件(3)。
将带有聚酰胺酸的搬送构件(3)在氮气环境下，在300℃下热处理2小时，形成厚度8μm的聚酰亚胺被膜，获得带有清洁功能的搬送构件(3)。
带有清洁功能的搬送构件(3)的清洁层的平均表面粗糙度Ra为0.34μm。
将该带有清洁功能的搬送构件(3)的清洁层从硅晶圆上剥离，测定对硅晶圆(镜面)的180°剥离粘合力(依据JIS-Z-0237进行测定)，结果为0.02N/10mm。
以激光式异物测定装置测定新品的8英寸的硅晶圆的镜面的0.200μm以上的异物，结果为2个。
将该晶圆以镜面为下侧而在装置A中搬送后，以激光式异物测定装置测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为5548个，在0.219～0.301μm范围内为6887个，在0.301～0.412μm范围内为4199个，在0.412～0.566μm范围内为3217个，在0.566～0.776μm范围内为3201个，在0.776～1.06μm范围内为1528个，在1.06～1.46μm范围内为694个，在1.46～1.60μm范围内为488个，在1.60μm以上的范围内为921个，整体为26683个(异物数1)。
将带有清洁功能的搬送构件(3)在上述附着有26683个异物的装置A中搬送10次，结果可无障碍地搬送。
其后，使新品的8英寸的硅晶圆的镜面朝向下侧而进行搬送，测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为1755个，在0.219～0.301μm范围内为2184个，在0.301～0.412μm范围内为1309个，在0.412～0.566μm范围内为1003个，在0.566～0.776μm范围内为1020个，在0.776～1.06μm范围内为477个，在1.06～1.46μm范围内为218个，在1.46～1.60μm范围内为155个，在1.60μm以上的范围内为292个，整体为8413个(异物数2)。
由异物数1、异物数2算出的异物去除率整体为68％。
将结果归纳在表1。
[实施例4]
将实施例1中记载的粘合剂溶液A以旋涂机涂布在200mm晶圆的蚀刻面上，在90℃下干燥20分钟，获得附粘合剂的搬送构件(4)。
将该附粘合剂的搬送构件(4)在氮气环境(1000ppm氧浓度)中，以累计光量1000mJ/cm2照射中心波长365nm的紫外线，获得经紫外线固化的带有清洁功能的搬送构件(4)。
带有清洁功能的搬送构件(4)的清洁层的平均表面粗糙度Ra为0.42μm。
将该带有清洁功能的搬送构件(4)的清洁层从硅晶圆上剥离，测定对硅晶圆(镜面)的180°剥离粘合力(依据JIS-Z-0237进行测定)，结果为0.03N/10mm。
以激光式异物测定装置测定新品的8英寸的硅晶圆的镜面的0.200μm以上的异物，结果为5个。
将该晶圆以镜面为下侧而在装置A中搬送后，以激光式异物测定装置测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为5550个，在0.219～0.301μm范围内为6889个，在0.301～0.412μm范围内为4201个，在0.412～0.566μm范围内为3219个，在0.566～0.776μm范围内为3203个，在0.776～1.06μm范围内为1530个，在1.06～1.46μm范围内为696个，在1.46～1.60μm范围内为490个，在1.60μm以上的范围内为923个，整体为26701(异物数1)。
将带有清洁功能的搬送构件(4)在上述附着有26701个异物的装置A中搬送10次，结果可无障碍地搬送。
其后，使新品的8英寸的硅晶圆的镜面朝向下侧而进行搬送，测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为2550个，在0.219～0.301μm范围内为3100个，在0.301～0.412μm范围内为1889个，在0.412～0.566μm范围内为1408个，在0.566～0.776μm范围内为1373个，在0.776～1.06μm范围内为619个，在1.06～1.46μm范围内为273个，在1.46～1.60μm范围内为190个，在1.60μm以上的范围内为345个，整体为11747个(异物数2)。
由异物数1、异物数2算出的异物去除率整体为56％。
将结果归纳在表1。
[实施例5]
在8英寸的硅晶圆的镜面上，将以SEMI规格所规定的用于ID识别的激光标记3mm×3mm形成为V凹坑部分，获得如图4的晶圆(5)。使用实施例2中记载的聚酰胺酸溶液A，以旋涂机涂布在晶圆(5)的镜面，在120℃下干燥10分钟，获得附聚酰胺酸的搬送构件(5)。
将带有聚酰胺酸的搬送构件(5)在氮气环境下，在300℃下热处理2小时，形成厚度8μm的聚酰亚胺被膜，获得带有清洁功能的搬送构件(5)。
带有清洁功能的搬送构件(5)的清洁层的图4记载的激光标记形成区域的平均表面粗糙度Ra为0.38μm。其以外的区域的平均表面粗糙度Ra为0.005μm。
将该带有清洁功能的搬送构件(5)的清洁层从硅晶圆上剥离，测定对硅晶圆(镜面)的180°剥离粘合力(依据JIS-Z-0237进行测定)，结果为0.03N/10mm。
以激光式异物测定装置测定新品的8英寸的硅晶圆的镜面的0.200μm以上的异物，结果为2个。
将该晶圆以镜面为下侧而在装置A中搬送后，以激光式异物测定装置测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为5199个，在0.219～0.301μm范围内为6493个，在0.301～0.412μm范围内为3900个，在0.412～0.566μm范围内为2987个，在0.566～0.776μm范围内为2976个，在0.776～1.06μm范围内为1378个，在1.06～1.46μm范围内为584个，在1.46～1.60μm范围内为405个，在1.60μm以上的范围内为828个，整体为24753(异物数1)。
将带有清洁功能的搬送构件(5)在上述附着有24753个异物的装置A中搬送10次，结果可无障碍地搬送。
其后，使新品的8英寸的硅晶圆的镜面朝向下侧而进行搬送，测定0.200μm以上的异物数，结果按尺寸而言，在0.200～0.219μm范围内为1136个，在0.219～0.301μm范围内为1487个，在0.301～0.412μm范围内为933个，在0.412～0.566μm范围内为712个，在0.566～0.776μm范围内为768个，在0.776～1.06μm范围内为372个，在1.06～1.46μm范围内为156个，在1.46～1.60μm范围内为114个，在1.60μm以上的范围内为243个，整体为5921个(异物数2)。
由异物数1、异物数2算出的异物去除率整体为76％。
将结果归纳在表1。
[比较例1]
在实施例1中，除代替保护膜A，将其变更为单面为由经聚硅酮剥离剂处理的长链聚酯膜构成的保护膜(保护膜B)以外，以与实施例1相同的方式获得带有清洁功能的搬送构件(C1)。
该保护膜B的平均表面粗糙度Ra为0.009μm。
带有清洁功能的搬送构件(C1)的平均表面粗糙度Ra为0.012μm。
将带有清洁功能的搬送构件(C1)在装置A中搬送10次，结果3次发生粘附。
[比较例2]
使用实施例2中记载的聚酰胺酸溶液A，以旋涂机涂布在8英寸的硅晶圆的镜面，在120℃下干燥10分钟，获得带有聚酰胺酸的搬送构件(C2)。
将附聚酰胺酸的搬送构件(C2)在氮气环境下，在300℃下热处理2小时，形成厚度8μm的聚酰亚胺被膜，获得带有清洁功能的搬送构件(C2)。
带有清洁功能的搬送构件(C2)的平均表面粗糙度Ra为0.005μm。
将带有清洁功能的搬送构件(C2)在装置A中搬送100次，结果5次发生粘附。
[表1]
产业上的可利用性
本发明的清洁片及带有清洁功能的搬送构件适宜用于如各种制造装置或检查装置的基板处理装置的清洁。

Claims (9)

1.一种清洁片，其为具备实质上不具有粘合力的清洁层的清洁片，
该清洁层整面具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分，并且
该清洁层对硅晶圆的镜面的剥离粘合力未达0.20N/10mm，所述剥离粘合力为JIS-Z-0237中规定的180°的剥离粘合力。
2.如权利要求1所述的清洁片，其中，在所述清洁层的单面具备粘合剂层。
3.如权利要求1所述的清洁片，其在所述清洁层的单面具备支持体。
4.如权利要求3所述的清洁片，其中，在所述支持体的与具备所述清洁层的面相反的面具备粘合剂层。
5.一种带有清洁功能的搬送构件，其具备搬送构件、以及设置在该搬送构件的至少单面的权利要求1所述的清洁层。
6.如权利要求5所述的带有清洁功能的搬送构件，其中，所述清洁层直接贴附在所述搬送构件上。
7.如权利要求5所述的带有清洁功能的搬送构件，其中，所述清洁层借助粘合剂层而贴附在所述搬送构件上。
8.一种基板处理装置的清洁方法，其将权利要求1至4中任一项所述的清洁片、或者权利要求5至7中任一项所述的带有清洁功能的搬送构件在基板处理装置内搬送。
9.一种基板处理装置，其使用权利要求8所述的清洁方法进行清洁。
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