KR20200094670A - 클리닝 시트 및 클리닝 기능 부가 반송 부재 - Google Patents
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Abstract
[과제] 기판 처리 장치 내에 반송하는 반송 부재에 적합하게 이용할 수 있는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 시트를 제공한다. 또한, 그와 같은 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 기능 부가 반송 부재를 제공한다.
[해결 수단] 본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서, 해당 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고, 해당 클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이다.
[해결 수단] 본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서, 해당 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고, 해당 클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이다.
Description
본 발명은, 클리닝 시트 및 클리닝 기능 부가 반송 부재에 관한 것이다.
반도체, 플랫 패널 디스플레이, 프린트 기판 등의 제조 장치나 검사 장치 등, 이물을 꺼리는 각종의 기판 처리 장치에서는, 반송 장치(대표적으로는, 척 테이블 등)와 기판을 물리적으로 접촉시키면서 반송한다. 그 때, 반송 장치에 이물이 부착되어 있으면, 후속의 기판을 차례차례로 오염시키기 때문에, 정기적으로 장치를 정지하여, 세정 처리할 필요가 있었다. 그 결과, 처리 장치의 가동률이 저하된다고 하는 문제나 장치의 세정 처리를 위해서 다대한 노력이 필요하다고 하는 문제가 있었다.
이와 같은 문제를 극복하기 위해, 판상 부재를 기판 처리 장치 내에 반송하는 것에 의해 반송 장치에 부착되어 있는 이물을 제거하는 방법(특허문헌 1 참조)이 제안되어 있다. 이 방법에 의하면, 기판 처리 장치를 정지시켜 세정 처리를 행할 필요가 없으므로, 처리 장치의 가동률이 저하된다고 하는 문제는 해소된다. 그러나, 이 방법에 의해서는, 반송 장치에 부착되어 있는 이물을 충분히 제거할 수 없다.
한편, 점착성 물질을 고착한 기판을 클리닝 부재로서 기판 처리 장치 내에 반송하는 것에 의해, 반송 장치에 부착된 이물을 제거하는 방법(특허문헌 2 참조)이 제안되어 있다. 이 방법은, 특허문헌 1에 기재된 방법에 비해, 이물의 제거성이 우수하다. 그러나, 특허문헌 2에 기재된 방법에 있어서는, 점착성 물질과 반송 장치의 접촉 부분이 지나치게 강하게 접착되어 떨어지지 않게 되는 문제가 생길 수 있다. 그 결과, 점착성 물질을 고착한 기판을 확실히 반송할 수 없다고 하는 문제나, 반송 장치를 파손시킨다고 하는 문제가 생길 수 있다.
상기와 같은 각종 문제 등을 해결하는 수단으로서, 본 출원인은, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드, 폴리에스터를 클리닝층으로서 채용한, 기판 처리 장치 내에 반송하는 반송 부재에 적합하게 이용할 수 있는 클리닝 시트를 보고하고 있다(특허문헌 3, 4).
클리닝 시트는, 이물을 제거하는 것을 목적으로 한 부재이기 때문에, 이물 확인을 위해서 가능한 한 투명성이 높은 것이 바람직하다. 그렇지만, 종래의 클리닝 시트에 있어서는, 클리닝층의 투명성이 낮기 때문에, 이물의 존재를 충분히 시인할 수 없다고 하는 문제가 있다.
또한, 근년, 반도체 디바이스의 다양화에 수반하여, 기판 처리 장치 내에 있어서, 고온 조건에서 반송 등을 행하지 않으면 안 되는 프로세스 영역을 설정하는 것이 요구되는 경우가 있다. 그러나, 상기와 같은 종래의 클리닝 시트는, 내열성이 충분하지 않고, 예를 들어, 200℃ 레벨의 고온 조건하에 있어서는, 클리닝층이 가열 변색되어 버려, 이물의 존재를 충분히 시인하는 것이 더욱 곤란하게 된다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 과제는, 기판 처리 장치 내에 반송하는 반송 부재에 적합하게 이용할 수 있는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 시트를 제공하는 것에 있다. 또한, 그와 같은 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 기능 부가 반송 부재를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서, 해당 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고,
해당 클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 상기 클리닝층의 두께가 1μm∼500μm이다.
하나의 실시형태에 있어서는, 본 발명의 클리닝 시트는, 점착제층을 포함한다.
하나의 실시형태에 있어서는, 본 발명의 클리닝 시트는, 지지체를 포함한다.
본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재는, 상기 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 장치 내에 반송하는 반송 부재에 적합하게 이용할 수 있는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다. 또한, 그와 같은 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수한 클리닝 기능 부가 반송 부재를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 클리닝 시트의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 클리닝 시트의 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 클리닝 시트의 또 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 클리닝 시트의 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 클리닝 시트의 또 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
≪≪1. 클리닝 시트≫≫
본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층을 구비한다. 본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층만으로 구성되어 있어도 되고, 다른 층을 갖고 있어도 된다.
본 발명의 클리닝 시트는, 바람직하게는, 내열성이 우수하여, 고온 환경하에 있어서도 충분히 사용 가능하다. 이와 같은 고온 환경으로서는, 바람직하게는 150℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 200℃ 이상이며, 더욱 바람직하게는 250℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 300℃ 이상이며, 특히 바람직하게는 350℃ 이상이다.
본 발명의 클리닝 시트는, 그것이 구비하는 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고, 바람직하게는 55% 이상이며, 보다 바람직하게는 60% 이상이고, 더욱 바람직하게는 65% 이상이며, 특히 바람직하게는 70% 이상이다. 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 상기 범위 내에 있으면, 투명성이 높기 때문에, 이물 시인성이 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
본 발명의 클리닝 시트는, 그것이 구비하는 클리닝층의, 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의, 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고, 바람직하게는 55% 이상이며, 보다 바람직하게는 60% 이상이고, 더욱 바람직하게는 65% 이상이며, 특히 바람직하게는 70% 이상이다. 클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율이 상기 범위 내에 있으면, 고온 환경하에 노출한 후에 있어서도 투명성이 높기 때문에, 고온 환경하에 노출한 후에 있어서도 이물 시인성이 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 클리닝 시트의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1에 있어서, 클리닝 시트(100)는, 클리닝층(10)과, 보호 필름(20)을 갖는다. 보호 필름(20)은, 클리닝층(10)의 보호 등을 목적으로 하여 구비될 수 있는 것이고, 목적에 따라 생략되어도 된다. 즉, 본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층(10)만으로 구성되어 있어도 된다.
도 2는, 본 발명의 클리닝 시트의 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2에 있어서, 클리닝 시트(100)는, 보호 필름(20)과, 클리닝층(10)과, 점착제층(30)을 갖는다. 보호 필름(20)은, 클리닝층(10)의 보호 등을 목적으로 하여 구비될 수 있는 것이고, 목적에 따라 생략되어도 된다.
도 3은, 본 발명의 클리닝 시트의 또 다른 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 3에 있어서, 클리닝 시트(100)는, 보호 필름(20)과, 클리닝층(10)과, 지지체(40)와, 점착제층(30)을 갖는다. 보호 필름(20)은, 클리닝층(10)의 보호 등을 목적으로 하여 구비될 수 있는 것이고, 목적에 따라 생략되어도 된다.
본 발명의 클리닝 시트의 두께는, 그 구성에 따라, 임의의 적절한 두께가 채용될 수 있다.
≪1-1. 클리닝층≫
클리닝층은, 400nm에 있어서의 투과율이 상기 범위 내에 있으면, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 재료로부터 구성될 수 있다.
클리닝층은, 바람직하게는 폴리벤즈옥사졸을 포함한다.
폴리벤즈옥사졸은, 내열성 및 절연성을 갖는 수지이며, 범프 보호막, 층간 절연막 등으로서 반도체 디바이스에 이용되고 있다. 이와 같이 내열성이 우수한 폴리벤즈옥사졸에 대해, 여러 가지 실험·검토를 행한 결과, 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 층이, 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 이물 제거 성능 및 투명성도 우수하다고 하는 예기치 않은 효과를 발현할 수 있음을 발견하여, 따라서, 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 층이, 고온 조건에서 반송 등을 행하지 않으면 안 되는 프로세스 영역이 설정된 기판 처리 장치 내에 반송하는 클리닝 시트에 바람직하게 이용할 수 있음이 판명되었다.
본 발명의 클리닝 시트는, 그것이 구비하는 클리닝층이 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 경우, 이물 제거 성능, 내열성, 및 투명성이 보다 우수하다. 이 때문에, 본 발명의 클리닝 시트는, 그것이 구비하는 클리닝층이 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 경우, 고온 조건에서 반송 등을 행하지 않으면 안 되는 프로세스 영역이 설정된 기판 처리 장치 내에 반송하는, 이물 제거 등을 목적으로 하는 반송 부재에 적합하게 이용할 수 있다.
클리닝층이 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 경우, 클리닝층 중의 폴리벤즈옥사졸의 함유 비율은, 바람직하게는 50중량%∼100중량%이고, 보다 바람직하게는 70중량%∼100중량%이며, 더욱 바람직하게는 90중량%∼100중량%이고, 특히 바람직하게는 95중량%∼100중량%이며, 가장 바람직하게는 98중량%∼100중량%이다. 클리닝층 중의 폴리벤즈옥사졸의 함유 비율이 상기 범위 내에 있으면, 이물 제거 성능, 내열성, 및 투명성이 보다 한층 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층 중에는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 그 외의 성분이 포함되어 있어도 된다. 이와 같은 그 외의 성분으로서는, 예를 들어, 폴리벤즈옥사졸 이외의 내열성 수지, 계면활성제, 가소제, 산화 방지제, 도전성 부여제, 자외선 흡수제, 광안정화제 등을 들 수 있다.
클리닝층의 두께는, 바람직하게는 1μm∼500μm이고, 보다 바람직하게는 3μm∼100μm이며, 더욱 바람직하게는 5μm∼50μm이다. 클리닝층의 두께가 상기 범위 내에 있는 것에 의해, 이물 제거 성능 및 투명성이 우수함과 함께, 기판 처리 장치 내로의 반송 성능도 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층은 실질적으로 점착력을 갖지 않는다. 즉, 예를 들어, 점착성 물질로부터 형성된 클리닝층이나, 점착 테이프를 고착함으로써 형성한 클리닝층은, 본 발명에 있어서의 클리닝층으로부터는 제외된다. 본 발명의 클리닝 시트가 실질적으로 점착력을 갖는 클리닝층을 구비하면, 해당 클리닝층과, 예를 들어, 기판 처리 장치 내의 반송 장치의 접촉 부분이 지나치게 강하게 접착되어 떨어지지 않게 될 우려가 있다. 그 결과, 기판을 확실히 반송할 수 없다고 하는 문제나, 반송 장치를 파손시킨다고 하는 문제가 생길 우려가 있다.
클리닝층은, 전술한 대로, 실질적으로 점착력을 갖지 않는다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한, JIS-Z-0237에서 규정되는 180° 박리 점착력 A가, 바람직하게는 0.20N/10mm 미만이고, 보다 바람직하게는 0.01∼0.10N/10mm이다. 클리닝층의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180° 박리 점착력 A가 이와 같은 범위 내에 있으면, 클리닝층은 실질적으로 점착력을 갖지 않아, 해당 클리닝층과, 예를 들어, 기판 처리 장치 내의 반송 장치의 접촉 부분의 점착성을 저감할 수 있고, 그 결과, 기판을 확실히 반송할 수 있음과 함께, 반송 장치가 파손되기 어려워질 수 있다.
클리닝층은, 400℃에 있어서의 열중량 감소가, 바람직하게는 5% 이하이고, 보다 바람직하게는 4% 이하이며, 더욱 바람직하게는 3% 이하이고, 특히 바람직하게는 2.5% 이하이며, 가장 바람직하게는 2% 이하이다. 클리닝층의 400℃에 있어서의 열중량 감소가 상기 범위 내에 있으면, 내열성이 보다 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층은, 500℃에 있어서의 열중량 감소가, 바람직하게는 10% 이하이고, 보다 바람직하게는 8% 이하이며, 더욱 바람직하게는 6% 이하이고, 특히 바람직하게는 4% 이하이며, 가장 바람직하게는 3% 이하이다. 클리닝층의 500℃에 있어서의 열중량 감소가 상기 범위 내에 있으면, 내열성이 보다 한층 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층의 400℃ 및 500℃에 있어서의 열중량 감소는, 예를 들어, 열분석계(TG-DTA) 「Thermo plus TG8120」(주식회사 리가쿠제)을 이용하여 측정할 수 있다.
클리닝층은, 열분해 온도가, 바람직하게는 380℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 400℃ 이상이며, 더욱 바람직하게는 430℃ 이상이고, 특히 바람직하게는 470℃ 이상이며, 가장 바람직하게는 500℃ 이상이다. 클리닝층의 열분해 온도가 상기 범위 내에 있으면, 내열성이 보다 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층의 열분해 온도는, 예를 들어, 열분석계(TG-DTA) 「Thermo plus TG8120」(주식회사 리가쿠제)을 이용하여 측정할 수 있다.
클리닝층은, 200℃에 있어서의 아웃가스 발생량이, 바람직하게는 300ppm 이하이고, 보다 바람직하게는 250ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 200ppm 이하이고, 특히 바람직하게는 150ppm 이하이며, 가장 바람직하게는 100ppm 이하이다. 클리닝층의 200℃에 있어서의 아웃가스 발생량이 상기 범위 내에 있으면, 내열성이 보다 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다. 또한, 클리닝층의 200℃에 있어서의 아웃가스 발생량이 상기 범위에 비해 지나치게 많으면, 발생한 아웃가스에 의한 주변에의 오염(예를 들어, 기판 처리 장치 내의 오염 등)이 일어나 버릴 우려가 있다.
클리닝층은, 300℃에 있어서의 아웃가스 발생량이, 바람직하게는 1000ppm 이하이고, 보다 바람직하게는 500ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 300ppm 이하이고, 특히 바람직하게는 100ppm 이하이며, 가장 바람직하게는 50ppm 이하이다. 클리닝층의 300℃에 있어서의 아웃가스 발생량이 상기 범위 내에 있으면, 내열성이 보다 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다. 또한, 클리닝층의 300℃에 있어서의 아웃가스 발생량이 상기 범위에 비해 지나치게 많으면, 발생한 아웃가스에 의한 주변에의 오염(예를 들어, 기판 처리 장치 내의 오염 등)이 일어나 버릴 우려가 있다.
클리닝층의 아웃가스 발생량은, 예를 들어, 소정량의 시료를 시료 컵에 넣고, 가열로형 파이롤라이저(예를 들어, 프런티어·래버러토리사제의 「PY2020iD」)로 200℃에서 10분간 또는 300℃에서 10분간 가열하고, 휘발된 성분은 일부를 액체 질소에 담근 컬럼 중에 트랩하고, 가열 종료한다. 그 후에, 컬럼을 액체 질소로부터 꺼내 전자 이온화법(EI법)으로 GC/MS(예를 들어, SHIMADZU제의 「GCMS-QP2020」)를 측정한다.
클리닝층은, 25℃에 있어서의 탄성률이, 바람직하게는 0.5GPa 이상이고, 보다 바람직하게는 0.7GPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 1.0GPa 이상이고, 특히 바람직하게는 1.3GPa 이상이며, 가장 바람직하게는 1.5GPa 이상이다. 클리닝층의 25℃에 있어서의 탄성률이 상기 범위 내에 있으면, 이물 제거 성능이 보다 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층은, 200℃에 있어서의 탄성률이, 바람직하게는 0.1GPa 이상이고, 보다 바람직하게는 0.3GPa 이상이며, 더욱 바람직하게는 0.5GPa 이상이고, 특히 바람직하게는 0.8GPa 이상이며, 가장 바람직하게는 1.0GPa 이상이다. 클리닝층의 200℃에 있어서의 탄성률이 상기 범위 내에 있으면, 고온 환경하에 있어서도 이물 제거 성능이 우수한 클리닝 시트를 제공할 수 있다.
클리닝층의 25℃ 및 200℃에 있어서의 탄성률은, 예를 들어, 「RSA G2」(TA 인스트루먼트제)를 이용하여 측정할 수 있다.
클리닝층은, 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 B가, 바람직하게는 10N/10mm 이상이고, 보다 바람직하게는 15N/10mm 이상이며, 더욱 바람직하게는 20N/10mm 이상이고, 특히 바람직하게는 25N/10mm 이상이며, 가장 바람직하게는 30N/10mm 이상이다. 클리닝층의 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 B가 상기 범위 내에 있으면, 예를 들어, 클리닝층과 더미 웨이퍼 등의 반송 부재의 밀착성이 높아져, 클리닝 중에 클리닝층이 더미 웨이퍼 등의 반송 부재로부터 박리되기 어려워진다.
클리닝층의 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 B는, 예를 들어, 더미 웨이퍼로서의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 클리닝층을 형성하고, JIS-Z-0237에 준하여 측정할 수 있다.
클리닝층은, 크로스컷법에 의한 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 클리닝층의 잔존수가, 바람직하게는 15/25 이상이고, 보다 바람직하게는 18/25 이상이며, 더욱 바람직하게는 20/25 이상이고, 특히 바람직하게는 23/25 이상이며, 가장 바람직하게는 25/25 이상이다. 클리닝층의 크로스컷법에 의한 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 클리닝층의 잔존수가 상기 범위 내에 있으면, 예를 들어, 클리닝층과, 더미 웨이퍼 등의 반송 부재의 밀착성이 보다 높아져, 클리닝 중에 클리닝층이 더미 웨이퍼 등의 반송 부재로부터 보다 박리되기 어려워진다.
클리닝층의 크로스컷법에 의한 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 클리닝층의 잔존수는, 예를 들어, 시험면에 커터 나이프를 이용하여 소지(素地)에 대한 6개의 평행한 절상(切傷)을 2mm 간격으로 만들고, 추가로 해당 절상에 직교하도록 마찬가지로 6개의 평행한 절상을 2mm 간격으로 만드는 것에 의해, 25개의 바둑판눈을 만들고, 바둑판눈 부분에 16N/20mm의 점착력을 갖는 테이프(예를 들어, 닛토 덴코 주식회사제의 「BT-315ST」)를 강하게 압착시키고, 테이프의 끝을 45°의 각도로 단번에 당겨 벗겨, 바둑판눈의 상태를 표준도와 비교하여 평가하는 것에 의해 측정할 수 있다.
≪1-2. 지지체≫
본 발명의 클리닝 시트는, 지지체를 구비하고 있어도 된다. 지지체는 단층이어도 다층체여도 된다.
지지체의 두께는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 이와 같은 두께로서는, 바람직하게는 500μm 이하이고, 보다 바람직하게는 1μm∼400μm이며, 더욱 바람직하게는 1μm∼300μm이고, 특히 바람직하게는 1μm∼200μm이며, 가장 바람직하게는 1μm∼100μm이다.
지지체는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 지지체를 채용할 수 있다. 이와 같은 지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱이나 엔지니어링 플라스틱이나 슈퍼 엔지니어링 플라스틱의 필름을 들 수 있다. 플라스틱이나 엔지니어링 플라스틱이나 슈퍼 엔지니어링 플라스틱의 구체예로서는, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸 셀룰로스, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리아마이드 등을 들 수 있다.
지지체의 재료의 분자량 등의 제 물성은, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다.
지지체의 성형 방법은, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다.
지지체의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어, 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제에 의한 코팅 처리 등이 실시되어 있어도 된다.
≪1-3. 점착제층≫
본 발명의 클리닝 시트는, 점착제층을 구비하고 있어도 된다. 이와 같은 점착제층의 재료로서는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 임의의 적절한 재료를 채용할 수 있다. 이와 같은 점착제층의 재료로서는, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 유레테인계 점착제 등을 채용할 수 있다.
점착제층은, 예를 들어, 더미 웨이퍼의 미러면에 첩부하기 위해서 설치된다. 이것에 의해, 반송 부재로서의 더미 웨이퍼에 본 발명의 클리닝 시트가 첩부되어, 본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재가 될 수 있다.
점착제층은, 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 C가, 바람직하게는 10N/10mm 이상이고, 보다 바람직하게는 15N/10mm 이상이며, 더욱 바람직하게는 20N/10mm 이상이고, 특히 바람직하게는 25N/10mm 이상이며, 가장 바람직하게는 30N/10mm 이상이다. 점착제층의 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 C가 상기 범위 내에 있으면, 예를 들어, 점착제층과 더미 웨이퍼의 밀착력이 높아져, 클리닝 중에 클리닝 시트가 더미 웨이퍼로부터 박리되기 어려워진다.
점착제층의 두께는, 바람직하게는 1μm∼200μm이고, 보다 바람직하게는 2μm∼100μm이며, 더욱 바람직하게는 3μm∼80μm이고, 특히 바람직하게는 4μm∼60μm이며, 가장 바람직하게는 5μm∼50μm이다.
≪1-4. 보호 필름≫
본 발명의 클리닝 시트는, 클리닝층이나 지지체나 점착제층 등을 보호하기 위해, 보호 필름을 가져도 된다. 보호 필름은, 적절한 단계에서 박리될 수 있다.
보호 필름은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 필름을 채용할 수 있다. 이와 같은 필름의 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리뷰타다이엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 폴리염화 바이닐, 염화 바이닐 공중합체, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리뷰틸렌 테레프탈레이트, 폴리유레테인, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산 에스터 공중합체, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 불소 수지 등을 들 수 있다.
보호 필름은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 박리 처리가 실시되어도 된다. 박리 처리는, 대표적으로는, 박리제에 의해 이루어진다. 박리제로서는, 예를 들어, 실리콘계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 불소계 박리제, 지방산 아마이드계 박리제, 실리카계 박리제 등을 들 수 있다.
보호 필름의 두께는, 바람직하게는 1μm∼100μm이다.
보호 필름의 형성 방법은, 목적에 따라 적절히 선택되고, 예를 들어, 사출 성형법, 압출 성형법, 블로 성형법 등에 의해 형성할 수 있다.
≪1-5. 클리닝 시트의 제조 방법≫
클리닝 시트의 제조 방법으로서는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 제조 방법을 채용할 수 있다. 이와 같은 제조 방법으로서는, 예를 들어, (1) 클리닝층의 바니시 용액을 지지체 상에 캐스팅하고, 스핀 코터 등으로 균일하게 성막한 후에, 가열함으로써, 지지체 상에 직접 클리닝층을 형성하는 방법, (2) 라벨 및 보강부의 구성 재료가 되는 점착 필름(라벨 지지체의 편면에 클리닝층, 다른 면에 통상의 점착제층을 설치한 것)을 세퍼레이터 상에 첩부하는 방법 등에 의해, 세퍼레이터와 점착 필름으로 이루어지는 적층체를 형성하고, 그 다음에, 이 적층체의 점착 필름만을 라벨 및/또는 보강부의 각 형상으로 동시에 또는 따로따로 타발하고, 불필요한 점착 필름을 세퍼레이터로부터 박리 제거하는 방법 등을 들 수 있다.
≪≪2. 클리닝 기능 부가 반송 부재≫≫
본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재는, 본 발명의 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는다.
도 4는, 본 발명의 클리닝 기능 부가 반송 부재의 하나의 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에 있어서, 클리닝 기능 부가 반송 부재(300)는, 클리닝 시트(100)와, 반송 부재(200)를 갖는다. 클리닝 시트(100)가 점착제층을 갖는 경우는, 바람직하게는, 클리닝 시트(100)의 반송 부재(200)측의 최외층이 점착제층이 된다.
반송 부재로서는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의의 적절한 반송 부재를 채용할 수 있다. 이와 같은 반송 부재로서는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼(예를 들어, 실리콘 웨이퍼), LCD, PDP 등의 플랫 패널 디스플레이용 기판, 컴팩트 디스크, MR 헤드 등을 들 수 있다. 이들 반송 부재 중에서도, 기판 처리 장치 내에 있어서의 웨이퍼의 반송 장치의 클리닝을 목적으로 하는 경우는, 대표적으로는, 반도체 웨이퍼(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)를 들 수 있다.
실시예
이하에, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 그들에 전혀 제한되는 것은 아니다. 한편, 이하의 설명에 있어서, 「부」 및 「%」는, 특별히 명기가 없는 한, 중량 기준이다.
<클리닝층의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180° 박리 점착력 A의 측정>
실리콘 웨이퍼의 미러면에 클리닝층을 형성하고, JIS-Z-0237에 준하여 측정했다.
<클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율의 측정>
분광 광도계 「V-670」(닛폰 분광제)을 이용하여 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율을 측정했다.
<클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율의 측정>
클리닝층을 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후에, 분광 광도계 「V-670」(닛폰 분광제)을 이용하여 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율을 측정했다.
<점착제층의 더미 웨이퍼의 미러면에 대한 JIS-Z-0237에서 규정되는 180도 박리 점착력 C>
더미 웨이퍼로서의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 점착제층을 형성하고, JIS-Z-0237에 준하여 측정했다.
<클리닝 성능 평가>
예를 들어, 이물 검사 장치(KLA Tencor제, SFS6200)(이하, 장치 A로 한다)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 미러면 상의 0.200μm 이상의 이물수를 측정하는 것에 의해 평가할 수 있다.
보다 상세하게는, 클리닝 기능 부가 반송 부재를, 클리닝 시트 제조용의 라이너 필름 박리 장치(닛토 세이키제, HR-300CW)(이하, 장치 B로 한다)에 반송하고, 클리닝 기능 부가 반송 부재의 반송 전후의 이물수를 측정함으로써 평가할 수 있다.
<반송성 평가>
예를 들어, 장치 B에 있어서, 클리닝 기능 부가 반송 부재를 척 테이블 상에 반송하여, 진공 흡착을 행하고, 진공을 해제한 후, 리프트 핀으로 클리닝 기능 부가 반송 부재를 척 테이블로부터 박리할 수 있는지 여부로 평가할 수 있다.
[제조예 1]: 폴리벤즈옥사졸의 바니시의 제조
교반 장치를 단 세퍼러블 플라스크에, 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)비스(2-아미노페놀): 36.6g, 피리딘: 27.7g, N-메틸-2-피롤리돈: 500g을 투입하고, 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)비스(2-아미노페놀)이 완전히 용해될 때까지 실온에서 교반했다. 그 후, 트라이메틸클로로실레인: 27.2g을 1분간에 걸쳐 적하하고, 60분간 실온에서 교반했다. 그 후, 4,4'-비스(클로로카보닐)다이페닐에터: 29.5g을 5분간에 걸쳐 천천히 첨가하고, 실온에서 5시간 교반했다.
얻어진 합성액을 2L의 이온 교환수에 적하하고, 얻어진 침전물을 100℃에서 24시간 건조하고, 건조 후의 침전물에 4배량의 N-메틸-2-피롤리돈을 가하고 재용해함으로써, 폴리벤즈옥사졸의 바니시를 얻었다.
[실시예 1]: 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 클리닝층(1a)를 구비하는 클리닝 기능 부가 반송 부재(1c)의 제조와 평가
제조예 1에서 얻어진 폴리벤즈옥사졸의 바니시를 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면 상에 스핀 코팅에 의해 도공하고, 150℃에서 30분간 가열하여, N-메틸-2-피롤리돈을 제거한 후, 진공하, 300℃에서 2시간 가열하여, 폴리벤즈옥사졸을 포함하는 클리닝층(1a)의 두께가 10μm인 클리닝 기능 부가 반송 부재(1c)를 얻었다.
각종 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
[비교예 1]: 폴리이미드를 포함하는 클리닝층(C1a)를 구비하는 클리닝 기능 부가 반송 부재(C1c)의 제조와 평가
폴리에터다이아민(하인츠만제, ED-2003): 32.2g, p-페닐렌다이아민: 9.4g을, N-메틸-2-피롤리돈: 286.3g 중에서 용해했다. 다음에, 3,3,4,4-바이페닐테트라카복실산 이무수물: 30g을 가하고, 70℃에서 6시간 교반하여, 폴리이미드의 바니시를 얻었다.
폴리이미드의 바니시를 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면 상에 스핀 코팅에 의해 도공하고, 150℃에서 30분간 가열하여, N-메틸-2-피롤리돈을 제거한 후, 진공하에서, 300℃에서 2시간 가열하여, 폴리이미드를 포함하는 클리닝층(C1a)의 두께가 10μm인 클리닝 기능 부가 반송 부재(C1c)를 얻었다.
각종 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
[비교예 2]: 아크릴 수지를 포함하는 클리닝층(C2a)를 구비하는 클리닝 시트(C2b)의 제조와 평가
아크릴산-2-에틸헥실: 75부, 아크릴산 메틸: 20부, 아크릴산: 5부로 이루어지는 모노머 혼합액으로부터 얻은 아크릴계 폴리머: 100부에 대해서, 폴리에틸렌 글라이콜 다이메타크릴레이트: 50부, 유레테인 아크릴레이트: 50부, 벤질 다이메틸 케탈: 3부, 및 다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트: 3부를 균일하게 혼합하여, 자외선 경화형의 점착제 용액으로 했다. 이 점착제 용액을 건조 후의 두께가 40μm가 되도록 세퍼레이터(폴리올레핀 필름)에 도포하고, 365nm의 자외광을 1000mJ/cm2 조사하여, 경화시켰다.
이상에 의해, 아크릴 수지를 포함하는 클리닝층(C2a)를 구비하는 클리닝 시트(C2b)를 얻었다.
각종 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
[비교예 3]: 클리닝 시트(C2b)와 반송 부재를 갖는 클리닝 기능 부가 반송 부재(C2c)의 제조와 평가
클리닝 시트(C2b)의 세퍼레이터와 반대측의 면을, 8인치 실리콘 웨이퍼의 미러면에 핸드 롤러로 첩부하고, 다음에, 세퍼레이터를 박리하여, 클리닝 기능 부가 반송 부재(C2c)를 작성했다.
각종 평가 결과를 표 1에 나타냈다.
본 발명의 클리닝 시트 및 클리닝 기능 부가 반송 부재는, 각종의 제조 장치나 검사 장치와 같은 기판 처리 장치의 클리닝에 적합하게 이용된다.
클리닝 시트 100
클리닝층 10
보호 필름 20
점착제층 30
지지체 40
클리닝 기능 부가 반송 부재 300
반송 부재 200
클리닝층 10
보호 필름 20
점착제층 30
지지체 40
클리닝 기능 부가 반송 부재 300
반송 부재 200
Claims (5)
- 클리닝층을 구비하는 클리닝 시트로서,
해당 클리닝층의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상이고,
해당 클리닝층의 200℃의 환경하에 3시간 노출한 후의 400nm에 있어서의 투과율이 50% 이상인,
클리닝 시트. - 제 1 항에 있어서,
상기 클리닝층의 두께가 1μm∼500μm인, 클리닝 시트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
점착제층을 포함하는, 클리닝 시트. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
지지체를 포함하는, 클리닝 시트. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 클리닝 시트와 반송 부재를 갖는, 클리닝 기능 부가 반송 부재.
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