CN111498434A - 清洁片及带清洁功能的输送构件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种清洁片及带清洁功能的输送构件。提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、异物去除性能及透明性优异的清洁片。另外，提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及透明性优异的带清洁功能的输送构件。本发明的清洁片具备清洁层，该清洁层的400nm下的透过率为50％以上，该清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的400nm下的透过率为50％以上。

Description

清洁片及带清洁功能的输送构件
技术领域
本发明涉及清洁片及带清洁功能的输送构件。
背景技术
对于半导体、平板显示器、印刷电路板等制造装置、检查装置等忌讳异物的各种基板处理装置，一边使输送装置(代表性为卡盘台等)与基板物理接触一边输送。此时，若异物附着在输送装置上，则相继污染后续的基板，因此需要定期停止装置，进行清洗处理。其结果，存在处理装置的运转率降低这样的问题、由于装置的清洗处理而需要大量的劳力的问题。
为了克服这样的问题，提出了通过向基板处理装置内输送板状构件而将附着在输送装置上的异物去除的方法(参照专利文献1)。根据该方法，不需要停止基板处理装置来进行清洗处理，因此消除了处理装置的运转率降低的问题。但是，通过该方法，不能充分去除附着在输送装置上的异物。
另一方面，提出了将固着有粘合性物质的基板作为清洁构件向基板处理装置内输送，由此去除附着在输送装置上的异物的方法(参照专利文献2)。该方法与专利文献1记载的方法相比，异物的去除性优异。但是，专利文献2记载的方法中，可能会产生粘合性物质与输送装置的接触部分粘接过强而不能分离的问题。其结果，可能产生无法可靠地输送固着有粘合性物质的基板的问题、使输送装置破损的问题。
作为解决上述那样的各种问题等的手段，本申请人报道了一种清洁片，其采用丙烯酸系聚合物、聚酰亚胺、聚酯作为清洁层，能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件(专利文献3、4)。
清洁片是以去除异物为目的的构件，因此，为了确认异物，优选透明性尽可能高。然而，以往的清洁片中由于清洁层的透明性低，因此存在无法充分辨识异物的存在的问题。
另外，近年来，随着半导体器件的多样化，有时要求在基板处理装置内设定必须在高温条件下进行输送等的工艺区域。但是，如上所述的以往的清洁片的耐热性不充分，例如在200℃水平的高温条件下，清洁层会加热变色，存在充分辨识异物的存在变得更困难的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-87458号公报
专利文献2：日本特开平10-154686号公报
专利文献3：日本特开2007-307521号公报
专利文献4：日本特开2010-259970号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于，提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、且异物去除性能及透明性优异的清洁片。另外，提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及透明性优异的带清洁功能的输送构件。
用于解决问题的方案
本发明的清洁片具备清洁层，该清洁层的400nm下的透过率为50％以上，该清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的400nm的透过率为50％以上。
一个实施方式中，上述清洁层的厚度为1μm～500μm。
一个实施方式中，本发明的清洁片包含粘合剂层。
一个实施方式中，本发明的清洁片包含支撑体。
本发明的带清洁功能的输送构件具有上述清洁片和输送构件。
发明的效果
根据本发明，可以提供能够适合用于向基板处理装置内输送的输送构件、且异物去除性能及透明性优异的清洁片。另外，可以提供具有这种清洁片和输送构件的、异物去除性能及透明性优异的带清洁功能的输送构件。
附图说明
图1为示出本发明的清洁片的一个实施方式的概略截面图。
图2为示出本发明的清洁片的另一个实施方式的概略截面图。
图3为示出本发明的清洁片的又一个实施方式的概略截面图。
图4为示出本发明的带清洁功能的输送构件的一个实施方式的概略截面图。
附图标记说明
清洁片 100
清洁层 10
保护薄膜 20
粘合剂层 30
支撑体 40
带清洁功能的输送构件 300
输送构件 200
具体实施方式
《《1.清洁片》》
本发明的清洁片具备清洁层。本发明的清洁片可以仅由清洁层构成，也可以具有其他层。
本发明的清洁片优选耐热性优异、高温环境下也能充分使用。作为这样的高温环境，优选为150℃以上、更优选为200℃以上、进一步优选为250℃以上、进一步优选为300℃以上、特别优选为350℃以上。
对于本发明的清洁片，其具备的清洁层的400nm下的透过率为50％以上、优选为55％以上、更优选为60％以上、进一步优选为65％以上、特别优选为70％以上。清洁层的400nm下的透过率在上述范围内时，透明性高，因此可以提供异物辨识性优异的清洁片。
对于本发明的清洁片，其具备的清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的、400nm下的透过率为50％以上、优选为55％以上、更优选为60％以上、进一步优选为65％以上、特别优选为70％以上。清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的400nm下的透过率在上述范围内时，即使暴露在高温环境下之后透明性也高，因此可以提供即使暴露在高温环境下之后异物辨识性也优异的清洁片。
图1为示出本发明的清洁片的一个实施方式的概略截面图。图1中，清洁片100具有清洁层10和保护薄膜20。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的省略。即，本发明的清洁片可以仅由清洁层10构成。
图2为示出本发明的清洁片的另一个实施方式的概略截面图。图2中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10和粘合剂层30。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的而省略。
图3为示出本发明的清洁片的又一实施方式的概略截面图。图3中，清洁片100具有保护薄膜20、清洁层10、支撑体40和粘合剂层30。可以以清洁层10的保护等为目的而具备保护薄膜20，也可以根据目的而省略。
本发明的清洁片的厚度根据其构成可以采用任意适当的厚度。
《1-1.清洁层》
对于清洁层，400℃下的热失重在上述范围内时，在不损害本发明的效果的范围内，可以由任意适当的材料构成。
清洁层优选包含聚苯并噁唑。
聚苯并噁唑为具有耐热性及绝缘性的树脂，作为凸块保护膜、层间绝缘膜等被用于半导体装置。对于这种耐热性优异的聚苯并噁唑，进行了各种实验/研究，结果发现包含聚苯并噁唑的层不仅耐热性优异，而且能够表现出异物去除性能和透明性也优异这样预料不到的效果，因此，判明了包含聚苯并噁唑的层能够优选地利用于向设定有必须在高温条件下进行输送等的工艺区域的基板处理装置内输送的清洁片。
本发明的清洁片在其具备的清洁层包含聚苯并噁唑的情况下，异物去除性能、耐热性及透明性更优异。因此，本发明的清洁片在其具备的清洁层包含聚苯并噁唑的情况下，能够适合用于向设定有必须在高温条件下进行输送等的工艺区域的基板处理装置内输送的、以异物去除等为目的的输送构件。
清洁层包含聚苯并噁唑的情况下，清洁层中的聚苯并噁唑的含有比例优选为50重量％～100重量％、更优选为70重量％～100重量％、进一步优选为90重量％～100重量％、特别优选为95重量％～100重量％、最优选为98重量％～100重量％。清洁层中的聚苯并噁唑的含有比例在上述范围内时，能够提供异物去除性能、耐热性及透明性更优异的清洁片。
清洁层中可以在不损害本发明的效果的范围内包含任意适当的其他成分。作为这样的其他成分，例如可以举出聚苯并噁唑以外的耐热性树脂、表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予剂、紫外线吸收剂、光稳定剂等。
清洁层的厚度优选为1μm～500μm、更优选为3μm～100μm、进一步优选为5μm～50μm。通过使清洁层的厚度处于上述范围内，能够提供异物去除性能及透明性优异、并且向基板处理装置内的输送性能也优异的清洁片。
清洁层实质上不具有粘合力。即，例如由粘合性物质形成的清洁层、通过固着粘合带而形成的清洁层被从本发明中的清洁层中排除。本发明的清洁片具备实质上具有粘合力的清洁层时，有该清洁层与例如基板处理装置内的输送装置的接触部分变得粘接过强而不会分离的担心。其结果，有产生无法可靠地输送基板的问题、使输送装置破损的问题的担心。
清洁层如上所述，实质上不具有粘合力。具体而言，对硅晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力A优选小于0.20N/10mm，更优选为0.01～0.10N/10mm。清洁层对硅晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力A在这样的范围内时，清洁层实质上不具有粘合力，能够降低该清洁层与例如基板处理装置内的输送装置的接触部分的粘合性，其结果，能够可靠地输送基板，并且输送装置能够变得不易破损。
对于清洁层，400℃下的热失重优选为5％以下、更优选为4％以下、进一步优选为3％以下、特别优选为2.5％以下、最优选为2％以下。清洁层在400℃下的热失重在上述范围内时，可以提供耐热性更优异的清洁片。
对于清洁层，500℃下的热失重优选为10％以下、更优选为8％以下、进一步优选为6％以下、特别优选为4％以下、最优选为3％以下。清洁层的500℃下的热失重为上述范围内时，能够提供耐热性更优异的清洁片。
清洁层的400℃及500℃下的热失重例如可以使用热分析计(TG-DTA)“Thermoplus TG8120”(Rigaku Corporation制)测定。
对于清洁层，热分解温度优选为380℃以上、更优选为400℃以上、进一步优选为430℃以上、特别优选为470℃以上、最优选为500℃以上。清洁层的热分解温度为上述范围内时，能够提供耐热性更优异的清洁片。
清洁层的热分解温度例如可以使用热分析计(TG-DTA)“Thermo plus TG8120”(Rigaku Corporation制)测定。
对于清洁层，200℃下的排气产生量优选为300ppm以下、更优选为250ppm以下、进一步优选为200ppm以下、特别优选为150ppm以下、最优选为100ppm以下。清洁层的200℃下的排气产生量为上述范围内时，能够提供耐热性更优异的清洁片。另外，清洁层的200℃下的排气产生量与上述范围相比过多时，有因产生的排气引起对周边的污染(例如基板处理装置内的污染等)的担心。
对于清洁层，300℃下的排气产生量优选为1000ppm以下、更优选为500ppm以下、进一步优选为300ppm以下、特别优选为100ppm以下、最优选为50ppm以下。清洁层的300℃下的排气产生量为上述范围内时，能够提供耐热性更优异的清洁片。另外，清洁层的300℃下的排气产生量与上述范围相比过多时，有因产生的排气引起对周边的污染(例如基板处理装置内的污染等)的担心。
清洁层的排气产生量例如如下测定：将规定量的试样放入试样杯，用加热炉型裂解炉(例如Frontier Laboratories Ltd.制的“PY2020iD”)，以200℃加热10分钟或以300℃加热10分钟，将挥发的成分捕获到一部分浸渍于液氮的柱中，结束加热。之后，从液氮中取出柱，利用电子电离法(EI法)测定GC/MS(例如SHIMADZU制的“GCMS-QP2020”)。
对于清洁层，25℃下的弹性模量优选为0.5GPa以上、更优选为0.7GPa以上、进一步优选为1.0GPa以上、特别优选为1.3GPa以上、最优选为1.5GPa以上。清洁层的25℃下的弹性模量为上述范围内时，能够提供异物去除性能更优异的清洁片。
对于清洁层，200℃下的弹性模量优选为0.1GPa以上、更优选为0.3GPa以上、进一步优选为0.5GPa以上、特别优选为0.8GPa以上、最优选为1.0GPa以上。清洁层的200℃下的弹性模量为上述范围内时，能够提供在高温环境下异物去除性能也优异的清洁片。
清洁层的25℃及200℃下的弹性模量例如可以使用“RSA G2”(TA Instruments制)测定。
清洁层对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力B优选为10N/10mm以上、更优选为15N/10mm以上、进一步优选为20N/10mm以上、特别优选为25N/10mm以上、最优选为30N/10mm以上。清洁层对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力B为上述范围内时，例如清洁层与仿真晶圆等输送构件的密合性变高，在清洁中清洁层不易从仿真晶圆等输送构件剥离。
清洁层对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力B例如可以如下测定：在作为仿真晶圆的硅晶圆的镜面形成清洁层，根据JIS-Z-0237进行测定。
对于清洁层，基于交叉切割法得到的、清洁层对仿真晶圆的镜面的残留数优选为15/25以上、更优选为18/25以上、进一步优选为20/25以上、特别优选为23/25以上、最优选为25/25以上。清洁层的基于交叉切割法得到的、清洁层对仿真晶圆的镜面的残留数为上述范围内时，例如清洁层与仿真晶圆等输送构件的密合性变得更高，在清洁中清洁层变得更不易从仿真晶圆等输送构件剥离。
清洁层的基于交叉切割法得到的、清洁层对仿真晶圆的镜面的残留数例如可以如下测定：在试验面上用切割刀对坯料以2mm间隔作出6条平行的切痕，再以与该切痕垂直的方式同样以2mm的间隔作出6条平行的切痕，由此制作25个棋盘格，将具有16N/20mm的粘合力的胶带(例如日东电工株式会社制的“BT-315ST”)强力压接于棋盘格部分，以45°的角度一口气剥离胶带的端部，将棋盘格的状态与标准图进行比较来评价，从而测定。
《1-2.支撑体》
本发明的清洁片可以具备支撑体。支撑体可以为单层，也可以为多层体。
支撑体的厚度在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的厚度。作为这种厚度，优选为500μm以下、更优选为1μm～400μm、进一步优选为1μm～300μm、特别优选为1μm～200μm、最优选为1μm～100μm。
支撑体在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的支撑体。作为这种支撑体，例如可以举出塑料、工程塑料、超级工程塑料的薄膜。作为塑料、工程塑料、超级工程塑料的具体例，可以举出聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺等。
支撑体的材料的分子量等各物性可以根据目的适宜选择。
支撑体的成形方法可以根据目的适宜选择。
对于支撑体的表面，为了提高与邻接层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表面处理、例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理、基于底涂剂的涂布处理等。
《1-3.粘合剂层》
本发明的清洁片可以具备粘合剂层。作为这种粘合剂层的材料，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的材料。作为这种粘合剂层的材料，例如可以采用丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂、橡胶系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂等。
粘合剂层是例如为了粘贴在仿真晶圆的镜面上而设置的。由此，本发明的清洁片被粘贴到作为输送构件的仿真晶圆上，可以形成本发明的带清洁功能的输送构件。
对于粘合剂层，对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力C优选为10N/10mm以上、更优选为15N/10mm以上、进一步优选为20N/10mm以上、特别优选为25N/10mm以上、最优选为30N/10mm以上。粘合剂层对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力C为上述范围内时，例如粘合剂层与仿真晶圆的密合力变高，在清洁中清洁片变得不易从仿真晶圆剥离。
粘合剂层的厚度优选为1μm～200μm、更优选为2μm～100μm、进一步优选为3μm～80μm、特别优选为4μm～60μm、最优选为5μm～50μm。
《1-4.保护薄膜》
对于本发明的清洁片，为了保护清洁层、支撑体、粘合剂层等，可以具有保护薄膜。保护薄膜可以在适当的阶段被剥离。
保护薄膜在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的薄膜。作为这种薄膜的材料，例如可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、氟树脂等。
保护薄膜在不损害本发明的效果的范围内可以实施任意适当的剥离处理。剥离处理代表性地通过剥离剂进行。作为剥离剂，例如可以举出有机硅系剥离剂、长链烷基系剥离剂、氟系剥离剂、脂肪酸酰胺系剥离剂、二氧化硅系剥离剂等。
保护薄膜的厚度优选为1μm～100μm。
保护薄膜的形成方法根据目的而适当选择，例如可以通过注射成型法、挤出成型法、吹塑成型法等形成。
《1-5.清洁片的制造方法》
作为清洁片的制造方法，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的制造方法。作为这种制造方法，例如可以举出如下方法：(1)将清洁层的清漆溶液流延到支撑体上，用旋涂机等均匀地成膜后，进行加热，由此在支撑体上直接形成清洁层的方法；(2)通过将作为标签及加强部的构成材料的粘合薄膜(在标签支撑体的一面设置有清洁层、另一面设置有通常的粘合剂层的薄膜)贴附在隔离膜上的方法等形成包含隔离膜和粘合薄膜的层叠体，接着，仅将该层叠体的粘合薄膜同时或分别冲裁成标签和/或加强部的各形状，将不需要的粘合薄膜从隔离膜剥离去除的方法等。
《《2.带清洁功能的输送构件》》
本发明的带清洁功能的输送构件具有本发明的清洁片和输送构件。
图4为示出本发明的带清洁功能的输送构件的一个实施方式的概略截面图。图4中，带清洁功能的输送构件300具有清洁片100和输送构件200。清洁片100具有粘合剂层时，优选清洁片100的输送构件200侧的最外层成为粘合剂层。
作为输送构件，在不损害本发明的效果的范围内可以采用任意适当的输送构件。作为这种输送构件，例如可以举出半导体晶圆(例如硅晶圆)、LCD、PDP等平板显示器用基板、光盘、MR头等。这些输送构件中，以基板处理装置内的晶圆的输送装置的清洁为目的时，代表性地可以举出半导体晶圆(例如硅晶圆)。
实施例
以下，举出实施例及比较例，更具体地说明本发明。但是，本发明不受这些例子的任何限制。需要说明的是，以下的说明中，“份”及“％”只要没有明确记载，就为重量基准。
<清洁层对硅晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力A的测定>
在硅晶圆的镜面形成清洁层，根据JIS-Z-0237进行测定。
<清洁层的400nm下的透过率的测定>
使用分光光度计“V-670”(日本分光制)，测定清洁层的400nm下的透过率。
<清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的400nm下的透过率的测定>
将清洁层暴露在200℃的环境下3小时后，使用分光光度计“V-670”(日本分光制)，测定清洁层的400nm下的透过率。
<粘合剂层对仿真晶圆的镜面的、由JIS-Z-0237规定的180度剥离粘合力C>
在作为仿真晶圆的硅晶圆的镜面形成粘合剂层，根据JIS-Z-0237进行测定。
<清洁性能评价>
例如，可以使用异物检查装置(KLA Tencor制、SFS6200)(以下记为装置A)，测定硅晶圆的镜面上的0.200μm以上的异物数，由此进行评价。
更详细而言，可以将带清洁功能的输送构件输送至清洁片制造用的衬垫薄膜剥离装置(日东精机制、HR-300CW)(以下记为装置B)，测定带清洁功能的输送构件的输送前后的异物数，由此进行评价。
<输送性评价>
例如可以如下进行评价：在装置B中，将带清洁功能的输送构件输送到卡盘台上，进行真空吸附，解除真空后，通过能否利用升降销将带清洁功能的输送构件从卡盘台剥离来评价。
[制造例1]：聚苯并噁唑的清漆的制造
在安装有搅拌装置的可拆式烧瓶中投入4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)：36.6g、吡啶：27.7g、N-甲基-2-吡咯烷酮：500g，在室温下搅拌直至4,4’-(六氟异亚丙基)双(2-氨基苯酚)完全溶解。之后，用1分钟滴加三甲基氯硅烷：27.2g，在室温下搅拌60分钟。之后，用5分钟缓慢添加4,4’-双(氯羰基)二苯基醚：29.5g，在室温下搅拌5小时。
将得到的合成液滴加到2L的离子交换水中，将得到的沉淀物在100℃下干燥24小时，在干燥后的沉淀物中加入4倍量的N-甲基-2-吡咯烷酮，进行再溶解，由此得到聚苯并噁唑的清漆。
[实施例1]：具备包含聚苯并噁唑的清洁层(1a)的带清洁功能的输送构件(1c)的制造和评价
通过旋转涂布将制造例1中得到的聚苯并噁唑的清漆涂覆在8英寸硅晶圆的镜面上，在150℃下加热30分钟，去除N-甲基-2-吡咯烷酮后，在真空下、300℃下加热2小时，得到包含聚苯并噁唑的清洁层(1a)的厚度为10μm的带清洁功能的输送构件(1c)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例1]：具备包含聚酰亚胺的清洁层(C1a)的带清洁功能的输送构件(C1c)的制造和评价
将聚醚二胺(Huntsman制、ED-2003)：32.2g、对苯二胺：9.4g在N-甲基-2-吡咯烷酮：286.3g中溶解。接着，加入3,3,4,4-联苯四羧酸二酐：30g，在70℃下搅拌6小时，得到聚酰亚胺的清漆。
通过旋转涂布将聚酰亚胺的清漆涂覆在8英寸硅晶圆的镜面上，在150℃下加热30分钟，去除N-甲基-2-吡咯烷酮后，在真空下、300℃下加热2小时，得到包含聚酰亚胺的清洁层(C1a)的厚度为10μm的带清洁功能的输送构件(C1c)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例2]：具备包含丙烯酸类树脂的清洁层(C2a)的清洁片(C2b)的制造和评价
相对于由包含丙烯酸-2-乙基己酯：75份、丙烯酸甲酯：20份、丙烯酸：5份的单体混合液得到的丙烯酸系聚合物：100份，均匀混合聚乙二醇二甲基丙烯酸酯：50份、氨基甲酸酯丙烯酸酯：50份、苯偶酰二甲基缩酮：3份、及二苯基甲烷二异氰酸酯：3份，制成紫外线固化型的粘合剂溶液。将该粘合剂溶液涂布到隔离膜(聚烯烃薄膜)上，使得干燥后的厚度成为40μm，以1000mJ/cm2照射365nm的紫外光，使其固化。
通过以上，得到具备包含丙烯酸类树脂的清洁层(C2a)的清洁片(C2b)。
将各种评价结果示于表1。
[比较例3]：具有清洁片(C2b)和输送构件的带清洁功能的输送构件(C2c)的制造和评价
用手压辊将清洁片(C2b)的与隔离膜相反侧的面贴附于8英寸硅晶圆的镜面，接着，剥离隔离膜，制作带清洁功能的输送构件(C2c)。
将各种评价结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002378225940000141
产业上的可利用性
本发明的清洁片及带清洁功能的输送构件能够适合用于各种制造装置、检查装置之类的基板处理装置的清洁。

Claims (5)

1.一种清洁片，其具备清洁层，
该清洁层的400nm下的透过率为50％以上，
该清洁层在200℃的环境下暴露3小时后的400nm下的透过率为50％以上。
2.根据权利要求1所述的清洁片，其中，所述清洁层的厚度为1μm～500μm。
3.根据权利要求1或2所述的清洁片，其包含粘合剂层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洁片，其包含支撑体。
5.一种带清洁功能的输送构件，其具有权利要求1～4中任一项所述的清洁片、以及输送构件。
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