DE69815564T2 - Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen - Google Patents

Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen

Info

Publication number
DE69815564T2
DE69815564T2 DE69815564T DE69815564T DE69815564T2 DE 69815564 T2 DE69815564 T2 DE 69815564T2 DE 69815564 T DE69815564 T DE 69815564T DE 69815564 T DE69815564 T DE 69815564T DE 69815564 T2 DE69815564 T2 DE 69815564T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
adhesive layer
wafer
expansion
film
expansion ability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69815564T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69815564D1 (de
Inventor
Shunsaku Node
Hideo Senoo
Takashi Sugino
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of DE69815564D1 publication Critical patent/DE69815564D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69815564T2 publication Critical patent/DE69815564T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/976—Temporary protective layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
    • Y10T428/218—Aperture containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24488—Differential nonuniformity at margin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Klebelage zum Waferaufbau und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils. Insbesondere befasst sich die vorliegende Erfindung mit einer Klebelage zum Waferaufbau und einem Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, bei dem ein Schritt des Expandierens bei der Herstellung von kleinen elektronischen Bauteilen, wie etwa Halbleiterchips, sicher durchgeführt werden kann.
  • Ein Halbleiterwafer beispielsweise aus Silizium oder Galliumarsenid wird mit einem großen Durchmesser hergestellt, geschnitten und in Elementarchips aufgetrennt (vereinzelt), und dem nachfolgenden Aufbauschritt unterzogen. In diesem Verfahren durchläuft der Halbleiterwafer die Schritte des Vereinzeln und des Expandierens, während er an eine Klebelage angeheftet ist und wird für die nachfolgenden Aufnahme- und Aufbauschritte transferiert.
  • Im Expansionsschritt wird die Klebelage gedehnt, so dass Chipabstände vergrößert werden. Das Ziel des Expansionsschritts, worin die Chipabstände ausgedehnt werden, ist es z. B., die - Chiperkennung beim Diebonden zu erleichtern und ein Brechen der Vorrichtung zu verhindern, welches dem gegenseitigen Anstoßen von benachbarten Chips im Schritt des Aufnehmens zugeschrieben wird.
  • Gegenwärtig wird der Expansionsschritt durch Ausdehnen der Klebelage unter Verwendung eines Expansionsapparates durchgeführt.
  • JP-A-02 265 258 offenbart einen Trennapparat für Chips integrierter Schaltungen. Ein Träger unterstützt eine periphere Kante eines dehnbaren folienähnlichen Grundmaterials. Ein Teilbereich der Fläche des Grundmaterials ist mit einem Klebematerial beschichtet, dessen Klebekraft bei ultravioletter Bestrahlung verringert wird.
  • In den meisten Expandierapparaten werden das Ausmaß der Ausdehnung und die Drehkraft während der Ausdehnung festgelegt, wodurch eine Anpassung in Abhängigkeit vom Typ der Klebelage und der Größe der Vorrichtung schwierig wird.
  • Entsprechend war es der Fall, dass, wenn die Klebelage weich ist, die Dehnungsspannung nicht zum Waferaufbauanteil weitergeleitet wurde, was nicht im Erreichen von zufriedenstellenden Chipabständen resultierte, und dass andererseits, wenn die Klebelage hart ist, das Drehmoment des Apparats nicht zufriedenstellend war oder dass die Klebelage zerrissen ist.
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick darauf gemacht, das obige Problem des Standes der Technik zu lösen.
  • Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine sichere Durchführung einer Expansion bei der Herstellung von elektronischen Bauteilen zu ermöglichen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Klebelage zum Waferaufbau, umfassend:
  • einen Waferaufbauteil umfassend eine expandierbare Folie und eine Klebeschicht zum Waferaufbau; und
  • einen Randteil außerhalb des Waferaufbauteils und zumindest innerhalb des Teils der Klebelage, auf den ein ringförmiger Rahmen appliziert werden kann,
  • dadurch gekennzeichnet, dass:
  • der Randteil eine Antiexpansionsfähigkeit besitzt, ausgedrückt durch die folgende Formel:
  • Antiexpansionsfähigkeit = Summe von [(Elastizitätsmodul jeder Schicht) · (Dicke der Schicht)],
  • welche größer ist als die des Waferaufbauteils.
  • In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit des Randteils mindestens das 1,3-fache derjenigen des Waferaufbauteils beträgt.
  • Beispielsweise umfasst die obige Klebelage zum Waferaufbau eine Klebelage umfassend eine expandierbare Folie und eine Klebeschicht zum Waferaufbau, wobei diese Klebelage einen Randteil besitzt, an den eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie laminiert ist.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Schritt des Expandierens einer Klebelage,
  • worin die obige Klebelage zum Waferaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung als die Klebelage verwendet wird.
  • In den begleitenden Zeichnungen:
  • Die Fig. 1 bis 5 zeigen Varianten der Klebelage zum Waferaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die vorliegende Erfindung wird ausführlich unten beschrieben, bezugnehmend auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Insbesondere hinweisend auf die Fig. 1 bis 5 besitzt die Klebelage zum Waferaufbau 10 gemäß der vorliegenden Erfindung eine grundlegende Struktur, bestehend aus jeglichen der verschiedenen konventionellen, im Allgemeinen verwendeten Klebelagen 1, umfassend einen Waferaufbauteil, zusammengesetzt aus einer expandierbaren Folie 1b und einer Klebeschicht zum Waferaufbau 1a. Die Klebelage zum Waferaufbau 10 gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Antiexpansionsfähigkeit eines Randteils der Klebelage 1 größer ist als die der Waferaufbauteile.
  • In der obigen Klebelage zum Waferaufbau 10 bezieht sich die Terminologie "Randteil" auf die Teile der Lage, welche zumindest innerhalb des durch den ringförmigen Rahmen festgelegten Teils liegen, und welche den Teil ausschließen, auf den Wafer 3 (angezeigt durch gestrichelte Linien in den Zeichnungen) gesetzt werden.
  • Die Terminologie "Antiexpansionsfähigkeit" bedeutet die Größenordnung der Spannungsübertragung von einer Seite zu einer benachbarten Seite. In der vorliegenden Erfindung wird die Antiexpansionsfähigkeit berechnet durch den Wert, der festgelegt wird durch die Formel:
  • Antiexpansionsfähigkeit = Summe von (Elastizitätsmodul jeder Schicht) · (Dicke der Schicht).
  • In der Klebelage zum Waferaufbau 10, beispielsweise wie in Fig. 1 strukturiert, ergibt sich die Antiexpansionsfähigkeit des Waferaufbauteils durch (Elastizitätsmodul der Klebeschicht zum Waferaufbau 1a) · (Dicke der Klebeschicht zum Waferaufbau 1a) + (Elastizitätsmodul der expandierbaren Folie 1b) · (Dicke der expandierbaren Folie 1b).
  • Andererseits ergibt sich die Antiexpansionsfähigkeit des Randteils durch (Elastizitätsmodul der Klebeschicht zum Waferaufbau 1a) · (Dicke der Klebeschicht zum Waferaufbau 1a) + (Elastizitätsmodul der expandierbaren Folie 1b) · (Dicke der expandierbaren Folie 1b) + (Elastizitätsmodul der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2) · (Dicke der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2) + (Elastizitätsmodul der Klebeschicht 5) · (Dicke der Klebeschicht 5).
  • In der vorliegenden Erfindung ist die Antiexpansionsfähigkeit des obigen Randteils größer als die des Waferaufbauteils. Es ist bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit des Randteils mindestens das 1,3-fache, insbesondere mindestens das 1,5-fache derjenigen des Waferaufbauteils beträgt.
  • Die obige Klebelage zum Waferaufbau 10 umfasst beispielsweise eine im Allgemeinen verwendete Klebelage 1, umfassend eine expandierbare Folie 1b und eine Klebeschicht zum Waferaufbau 1a, wobei diese Klebelage 1 einen Randteil besitzt, an den eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 laminiert ist.
  • Die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 kann auf dem Randteil der Klebeschicht 1a der Klebelage 1 angeordnet sein, wie in Fig. 1 gezeigt. Wenn die Klebeschicht 1a nur auf und um den Waferaufbauteil von einer Fläche der expandierbaren Folie 1b gebildet ist, kann bezugnehmend auf Fig. 2 die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 entweder direkt oder durch das Medium einer Klebeschicht 4 auf den Randteil der Fläche der expandierbaren Folie 1b laminiert werden. Weiterhin kann bezugnehmend auf Fig. 3 die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 entweder direkt oder durch das Medium einer Klebeschicht 4 auf eine andere Fläche (Rückseite der expandierbaren Folie 1b) der expandierbaren Folie 1b entgegengesetzt zu der Klebeschicht laminiert werden. Die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 kann auch sowohl auf den Randteilen der Fläche der Klebeschicht 1a oder der expandierbaren Folie 1b und den Randteil der Rückseite der expandierbaren Folie 1b angeordnet sein. Bezugnehmend auf die Fig. 4 und 5 kann die Klebelage zum Waferaufbau 10 gemäß der vorliegenden Erfindung weiterhin eine solche Struktur besitzen, dass ein den Randteil bildender Film, dessen Antiexpansionsfähigkeit größer ist als die der Klebelage, von einem Ende der Klebelage weitergeht, deren Oberfläche ein wenig größer ist als die des Waferaufbauteils.
  • Obwohl die expandierbare Folie 1b keinen besonderen Beschränkungen unterliegt, ist es bevorzugt, dass die expandierbare Folie hohe Wasser- und Wärmebeständigkeiten besitzt und aus einem synthetischen Harz zusammengesetzt ist.
  • Beispiele für geeignete expandierbare Folien 1b schließen Folien aus Polyethylen geringer Dichte (LDPE, "Low Density Polyethylene"), lineares Polyethylen geringer Dichte (LLDPE, Linear Low Density Polyethylene"), Ethylen/Propylen-Copolymer, Polypropylen, Polybuten, Polybutadien, Polymethylpenten, Ethylen/Vinylacetat-Copolymer, Ethylen/(Meth)acrylat- Copolymer, Ethylen/Methyl(meth)acrylat-Copolymer, Ethylen/Ethyl(Meth)- acrylat-Copolymer, Polyvinylchlorid, Vinylchlorid, Vinylacetat-Copolymer, Ethylen/Vinylchlorid/Vinylacetat-Copolymer, Polyurethane, Polyamide, Ionomere, Styrol/Butadien-Gummi und Produkte einer Hydrierung oder einer anderen Modifikation von Styrol/Butadien-Gummi. Diese expandierbaren Folien 1b können in Kombination verwendet werden. Außerdem kann eine Polymerfolie einer Verbindung mit einer Carboxylgruppe als eine Polymerstruktureinheit und ein Laminat dieser Folie und eine im Allgemeinen verwendete Polymerfolie Verwendung finden.
  • Die Dicke der obigen expandierbaren Folie 1b liegt im Allgemeinen im Bereich von 5 bis 500 um, bevorzugt von 10 bis 300 um. Es ist bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul der expandierbaren Folie 1b weniger als 1 · 10&sup9; N/m², insbesondere von 1 · 10&sup7; bis 1 · 10&sup9; N/m² beträgt. Somit ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit der expandierbaren Folie 1b weniger als 5 · 10&sup5; N/m, insbesondere von 1 · 10² bis 3 · 10&sup5; N/m beträgt.
  • Die Seite der expandierbaren Folie 1b, die mit einer anderen Schicht in Kontakt gebracht wird, kann mit einer Koronabehandlung versehen werden oder kann eine Grundierung oder eine andere darauf angebrachte Schicht zur Verbesserung der Adhärenz besitzen.
  • In der vorliegenden Erfindung kann die Klebeschicht zum Waferaufbau vor oder nach dem Trennungsschritt mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt werden. Wenn die Bestrahlung durchgeführt wird, muss die expandierbare Folie 1b durchsichtig sein.
  • Die Klebeschicht zum Waferaufbau 1a kann aus verschiedenen konventionellen Klebemitteln hergestellt werden. Diese Klebemittel sind nicht im Besonderen beschränkt und einige Beispiele davon schließen Klebemittel ein, basierend auf einem Gummi, einem Acryl-, einem Silikon- und einem Polyvinylether. Es können auch Klebemittel Verwendung finden, welche durch Bestrahlung vernetzbar sind, und Klebemittel, welche schäumen, wenn sie erhitzt werden. Weiterhin können Klebestoffe Verwendung finden, welche sowohl beim Trennen als auch beim Diebonden verwendbar sind.
  • Obwohl sie von den Eigenschaften der Materialien abhängt, liegt die Dicke der Klebeschicht 1a im Allgemeinen im Bereich von etwa 3 bis 100 um, bevorzugt von etwa 10 bis 50 um. Es ist bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul der Klebeschicht 1a im Bereich von 1 · 10³ bis 1 · 10&sup9; N/m², insbesondere von 1 · 10&sup4; bis 1 · 10&sup8; N/m² liegt. Somit ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit der Klebeschicht 1a im Bereich von 3 · 10&supmin;³ bis 1 · 10&sup5; N/m, insbesondere von 1 · 10&supmin;¹ bis 5 · 10³ N/m liegt.
  • Die Klebeschicht zum Waferaufbau 1a kann durch Erwärmen oder Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen vor dem Expansionsschritt vernetzt werden, wobei eine Veränderung des Elastizitätsmoduls vorkommt. Das Elastizitätsmodul trägt beim Expansionsschritt zur Antiexpansionsfähigkeit bei.
  • Als Materialien der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 können zusätzlich zu den oben dargelegten Polymeren Polyethylenterephthalat und Polybutylenterephthalat als Materialien der expandierbaren Folie erwähnt werden.
  • Obwohl sie von den Eigenschaften der Materialien abhängt, liegt die Dicke der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 im Allgemeinen im Bereich von etwa 5 bis 500 um, bevorzugt von etwa 10 bis 300 um. Es ist bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 im Bereich von 1 · 10&sup7; bis 1 · 10¹&sup0; N/m², insbesondere von 5 · 10&sup7; bis 5 · 10&sup9; N/m² liegt. Somit ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 im Bereich von 5 · 10¹ bis 5 · 10&sup6; N/m, insbesondere von 5 · 10² bis 1,5 · 10&sup6; N/m beträgt.
  • In der Struktur von Fig. 1 oder Fig. 4 ist die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 auf die Klebeschicht 1a der Klebelage 1 laminiert.
  • In der Struktur von Fig. 2, Fig. 3 oder Fig. 5 ist die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie direkt oder durch das Medium einer Klebeschicht 4 auf die expandierbare Folie 1b laminiert.
  • Das zum Verbinden der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 mit der expandierbaren Folie 1b verwendete Klebemittel ist nicht im Besonderen beschränkt und es können im Allgemeinen verwendete Klebemittel angewendet werden. Beispiele für geeignete Klebemittel schließen diejenigen ein, die auf einem Acryl, einem Gummi und einem Silikon basieren, und thermoplastische oder härtbare Klebemittel, wie diejenigen basierend auf einem Polyester, einem Polyamid, einem Ethylencopolymer, einem Epoxy und einem Urethan.
  • Obwohl sie von den Eigenschaften der Materialien abhängt, liegt die Dicke der Klebeschicht 4 im Allgemeinen im Bereich von etwa 3 bis 50 um, bevorzugt von etwa 5 bis 30 um. Es ist bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul der Klebeschicht 4 im Bereich von 1 · 10³ bis 1 · 10&sup9; N/m², insbesondere von 1 · 10&sup4; bis 1 · 10&sup8; N/m² liegt. Somit ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit der Klebeschicht 4 im Bereich von 3 · 10&supmin;³ bis 5 · 10&sup4; N/m, insbesondere von 5 · 10² bis 3 · 10³ N/m liegt.
  • Auch ohne die Verwendung der Klebeschicht 4 können die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 und die expandierbare Folie 1b aufeinander laminiert werden, z. B. mittels Heißkleben.
  • In der Struktur von Fig. 1 oder Fig. 2 ist es bevorzugt, dass eine Klebeschicht 5 auf die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 angeordnet ist. Die Klebeschicht 5 wird verwendet, um einen ringförmigen Rahmen zu fixieren. Der ringförmige Rahmen ist eine Haltevorrichtung zum Transport und zur Bearbeitung, welche den Wafer während des Trennungsschritts und des Bindungsschritts usw. unterstützt.
  • Obwohl sie von den Eigenschaften ihrer Materialien abhängt, liegt die Dicke der Klebeschicht 5 im Allgemeinen im Bereich von etwa 3 bis 50 um, bevorzugt von etwa 5 bis 30 um. Es ist bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul der Klebeschicht 5 im Bereich von 1 · 10³ bis 1 · 10&sup9; N/m², insbesondere von 1 · 10&sup4; bis 1 · 10&sup8; N/m² liegt. Somit ist es bevorzugt, dass die Antiexpansionsfähigkeit der Klebeschicht 5 im Bereich von 3 · 10&supmin;³ bis 5 · 10&supmin;&sup4; N/m, insbesondere von 5 · 10&supmin;² bis 3 · 10³ N/m liegt.
  • Es ist nicht notwendigerweise erforderlich, dass die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 in einer kreisförmig fortgesetzten Form gebildet wird. Die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 kann diskontinuierlich auf dem Randteil der Klebeschicht zum Waferaufbau 10 gebildet werden.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben werden. Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Schritt des Expandierens einer Klebelage,
  • worin die obige Klebelage zum Waferaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung als die Klebelage verwendet wird.
  • Im gewöhnlichen Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, nämlich im Verfahren einschließlich der Schritte des Klebens eines Wafers an eine Klebeschicht, Trennen des Wafers in Chips, Expandieren der Klebelage, auf der die Chips haften und dabei Vergrößern der Chipzwischenräume, Aufnehmen der Chips und Zusammenbauen der Chips in elektronische Bauteile, umfasst die Verbesserung insbesondere das Verstärken eines Randteils der Klebeschicht zum Waferaufbau vor dem Expansionsschritt mit einer die Expansionsfähigkeit steigernden Folie. Die oben Beschriebenen werden als die Klebelage und die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet.
  • Im Verfahren der vorliegenden Erfindung kann die obige Klebelage zum Waferaufbau 10 mit der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 oder die gewöhnlichen Klebelage 1, deren Randteil nicht verstärkt ist, als die Klebelage zum Waferaufbau verwendet werden.
  • Wenn die Klebelage zum Waferaufbau 10 mit der die Antiexpansionsfähigkeit steigernden Folie 2 verwendet wird, ist es normalerweise nicht notwendig, eine neue die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie 2 darauf zu befestigen. Der Grund ist der, dass vor dem Expansionsschritt der Randteil der Klebelage zum Waferaufbau durch die die Antiexpansionsfähigkeit verstärkende Folie verstärkt wird.
  • Wenn andererseits die gewöhnliche Klebelage 1 angewendet wird, deren Randteil nicht verstärkt ist, wird eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie an geeigneten Positionen bei jedem der Schritte vor dem Expansionsschritt befestigt. Das bedeutet, dass die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie auf den Randteil der Klebelage befestigt wird bei jedem der Stadien, die dem Befestigen des Wafers auf der Klebelage vorangehen oder nachfolgen, dem Trennen der Wafer in Chips vorangehen oder nachfolgen und der Expansion der Klebelage vorangehen.
    • Wirkung der Erfindung
  • Wie aus dem Vorhergehenden ersichtlich ist, bewirkt die vorliegende Erfindung, dass die Antiexpansionsfähigkeit des Randteils der Klebelage zum Waferaufbau 10 größer ist als die des Waferaufbauteils der Klebelage zum Waferaufbau 10, wobei eine Ausdehnung lediglich des Randteils der Lage zum Zeitpunkt der Expansion verhinderd wird. Als ein Ergebnis wird die Spannung auf dem Teil, der den Wafer darauf befestigt hat (nämlich einem Teil mit einer Vielzahl von daran befestigten Chips) übertragen, ohne gedämpft zu werden, so dass die Chipzwischenräume zufriedenstellend gedehnt werden, wobei eine Minimierung von Fehlfunktionen zum Zeitpunkt des Aufnehmens der Chips ermöglicht wird.
    • Beispiel
  • Die vorliegende Erfindung wird unten ausführlich veranschaulicht mit Bezugnahme auf die nachfolgenden Beispiele.
  • In den nachfolgenden Beispielen und dem Vergleichsbeispiel wurde der Chipzwischenraum auf die folgende Art und Weise bewertet.
    • Chipabstand
  • Ein Siliziumwafer von 15,24 cm (6 Inch) wurde in jedem der folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele auf die Klebeschicht der Klebelage zum Waferaufbau gesetzt, und die Klebelage zum Waferaufbau wurde mittels eines ringförmigen Rahmens fixiert. Der Wafer wurde durch das übliche Verfahren in IC-Chips mit 10 mm · 10 mm getrennt. Danach wurde eine 15 mm Expansion durch Verwendung des Expanders HS-1010, hergestellt bei Hugre Eletronics, durchgeführt, und die Chipabstände wurden unter Verwendung eines optischen Mikroskops gemessen. In den Beispielen 1, 2, 3 und 5 und den Vergleichsbeispielen 1, 2 und 3 wurde nach dem Trennen eine Ultraviolett- Bestrahlung (Quantität des Lichts: 220 mJ/cm²) durchgeführt, und danach wurden die Chipabstände gemessen.
    • Beispiel 1
  • Es wurde eine Trennungs/Diebonding-Lage als eine Klebelage verwendet, zusammengesetzt aus einer expandierbaren Folie aus einem Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer (Elastizitätsmodul: 1,00 · 10&sup8; N/m², Dicke: 80 um und Antiexpansionsfähigkeit: 8,0 · 10³ N/m) und einer härtbaren Klebeschicht, basierend auf einem Acrylpolymer, enthaltend Epoxyharz (Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup6; N/m², Dicke: 20 um und Antiexpansionsfähigkeit: 6,0 · 10¹ N/m). Vor der Verwendung wurde eine Trennmittelfolie (Polyethylenterephthalatfolie, Dicke: 38 um) auf die Klebeschicht geheftet, um die Klebeschicht zu schützen.
  • Eine weiche Polyvinylchloridfolie (Elastizitätsmodul: 1,80 · 10&sup8; N/m², Dicke: 70 um und Antiexpansionsfähigkeit. 1,26 · 10&sup4; N/m) wurde als die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet, und ein wieder abblätterndes Klebemittel (Acrylpolymer Vernetzungstyp, Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup5; N/m², Dicke: 10 um und Antiexpansionsfähigkeit: 3,0 N/m) wurde als ein ringförmiger Rahmen verwendet, der das Klebemittel fixiert. Die verwendete, die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie besaß einen Innendurchmesser von 165 mm und einen Außendurchmesser von 207 mm, welcher der gleiche war wie der Durchmesser der expandierbaren Folie.
  • Die Chipabstände der so erhaltenen Klebelage zum Waferaufbau wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Beispiel 2
  • Dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass die expandierbare Folie von Beispiel 1 ersetzt wurde durch eine geschichtete Folie (30 um/35 um/30 um, Elastizitätsmodul: 9,0 · 10&sup7; N/m² und Antiexpansionsfähigkeit: 8,6 · 10³ N/m) aus einem Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer, einem Elastomer (modifiziertes Styrol/Butadien-Gummi) und einem Ethylen/Methacrylsäure-Copolymer. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Beispiel 3
  • Dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass die expandierbare Folie von Beispiel 1 ersetzt wurde durch eine geschichtete Folie (30 um/40 um/30 um, Elastizitätsmodul: 5,6 · 10&sup7; N/m² und Antiexpansionsfähigkeit: 5,6 · 10³ N/m) aus einem Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer, einem Elastomer (Produkt der Hydrierung von Styrol/Butadien-Gummi) und einem Ethylen/Methylacrylsäure-Copolymer. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Beispiel 4
  • Es wurde eine Trennlage als eine Klebelage verwendet, zusammengesetzt aus einer expandierbaren Folie aus einem weichen Polyvinylchlorid (Elastizitätsmodul: 1,80 · 10&sup8; N/m², Dicke: 100 um und Antiexpansionsfähigkeit: 18,0 · 10³ N/m) und einer Klebeschicht, basierend auf einem abziehbaren Klebemittel (Acrylpolymer, Vernetzungstyp, Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup8; N/m², Dicke: 10 um und Antiexpansionsfähigkeit: 3,0 N/m). Vor der Verwendung wurde eine Trennmittelfolie (Polyethylenterephthalatfolie, Dicke: 38 um) auf die Klebetage geheftet, um die Klebelage zu schützen.
  • Eine weiche Polyvinylchloridfolie (Elastizitätsmodul: 1,80 · 10&sup8; N/m², Dicke: 70 um und Antiexpansionsfähigkeit: 12,6 · 10³ N/m) wurde als die die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet, und ein abziehbares Klebemittel (Acrlypolymer, Vernetzungstyp, Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup5; N/m², Dicke: 10 um und Antiexpansionsfähigkeit: 3,0 N/m) wurde als ein ringförmiger Rahmen verwendet, der das Klebemittel fixiert. Die verwendete, die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie besaß einen Innendurchmesser von 165 mm und einen Außendurchmesser von 207 mm, welcher gleich war wie der Durchmesser der expandierbaren Folie.
  • Die Chipabstände der so erhaltenen Klebelage zum Waferaufbau wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Beispiel 5
  • Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 2 wurde wiederholt, außer dass eine Folie aus einem Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer (Elastizitätsmodul: 1,35 · 10&sup8; N/m², Dicke: 80 um und Antiexpansionsfähigkeit: 10,8 · 10³ N/m) als eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde und ein abziehbares Klebemittel (Arcylpolymer, Vernetzungstyp, Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup5; N/m², Dicke: 10 um und Antiexpansionsfähigkeit: 3,0 N/m) als ein ringförmiger Rahmen verwendet wurde, der das Klebemittel fixiert. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Beispiel 6
  • Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 4 wurde wiederholt, außer dass eine Folie aus einem Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer (Elastizitätsmodul: 1,35 · 10&sup8; N/m², Dicke: 80 um und Antiexpansionsfähigkeit: 10,8 · 10³ N/m) als eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde, und ein abziehbares Klebemittel (Acrylpolymer, Vernetzungstyp, Elastizitätsmodul: 3,0 · 10&sup5; N/m², Dicke: 10 um und Antiexpansionsfähigkeit: 3,0 N/m) als ein ringförmiger Rahmen verwendet wurde, der das Klebemittel fixiert. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Vergleichsbeispiel 1
  • Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, außer dass keine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Vergleichsbeispiel 2
  • Dasselbe Verfahren wie in Beispiel 2 wurde wiederholt, außer dass keine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Vergleichsbeispiel 3
  • Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 3 wurde wiederholt, außer dass keine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
    • Vergleichsbeispiel 4
  • Das gleiche Verfahren wie in Beispiel 4 wurde wiederholt, außer dass keine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie verwendet wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben. Tabelle 1

Claims (4)

1. Klebelage zum Waferaufbau, umfassend:
ein Waferaufbauteil umfassend eine expandierbare Folie und eine Klebeschicht zum Waferaufbau; und
einen Randteil außerhalb des Waferaufbauteils und zumindest innerhalb des Teils der Klebelage, auf den ein ringförmiger Rahmen appliziert werden kann,
dadurch gekennzeichnet, dass:
der Randteil eine Antiexpansionsfähigkeit besitzt, ausgedrückt durch die folgende Formel:
Antiexpansionsfähigkeit = Summe von [(Elastizitätsmodul jeder Schicht) · (Dicke der Schicht)],
welche größer ist als die des Waferaufbauteils.
2. Klebelage zum Waferaufbau nach Anspruch 1, worin der Randteil eine Antiexpansionsfähigkeit besitzt, welche mindestens das 1,3-fache derjenigen des Waferaufbauteils beträgt.
3. Klebelage zum Waferaufbau nach Anspruch 1, worin eine die Antiexpansionsfähigkeit steigernde Folie auf den Randteil der Klebelage laminiert ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, umfassend einen Schritt des Expandierens einer Klebeblage, worin die Klebelage die Klebelage zum Waferaufbau nach einem der Ansprüche 1 bis 3 ist.
DE69815564T 1997-02-24 1998-02-24 Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen Expired - Fee Related DE69815564T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9039196A JPH10242084A (ja) 1997-02-24 1997-02-24 ウェハ貼着用粘着シートおよび電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69815564D1 DE69815564D1 (de) 2003-07-24
DE69815564T2 true DE69815564T2 (de) 2003-12-11

Family

ID=12546378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69815564T Expired - Fee Related DE69815564T2 (de) 1997-02-24 1998-02-24 Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6042922A (de)
EP (1) EP0860873B1 (de)
JP (1) JPH10242084A (de)
KR (1) KR100473994B1 (de)
DE (1) DE69815564T2 (de)
MY (1) MY120140A (de)
TW (1) TW375814B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004021775A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Tesa Ag Klebeband insbesondere zur Abdeckung von Fensterflanschen

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4540150B2 (ja) * 1998-09-30 2010-09-08 日東電工株式会社 熱剥離型粘着シート
JP2000114204A (ja) * 1998-10-01 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置
US6280822B1 (en) * 1999-01-11 2001-08-28 3M Innovative Properties Company Cube corner cavity based retroeflectors with transparent fill material
KR100689166B1 (ko) * 1999-07-06 2007-03-08 부라더 고교 가부시키가이샤 스탬프용 도장 부재 및 이를 이용한 스탬프 유닛
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
US6319754B1 (en) * 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
US6531238B1 (en) 2000-09-26 2003-03-11 Reliant Energy Power Systems, Inc. Mass transport for ternary reaction optimization in a proton exchange membrane fuel cell assembly and stack assembly
TWI232560B (en) * 2002-04-23 2005-05-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and its manufacture
JP3838637B2 (ja) * 2002-06-10 2006-10-25 日東電工株式会社 ガラス基板ダイシング用粘着シートおよびガラス基板ダイシング方法
US7399683B2 (en) 2002-06-18 2008-07-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI229435B (en) 2002-06-18 2005-03-11 Sanyo Electric Co Manufacture of semiconductor device
TWI227550B (en) * 2002-10-30 2005-02-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device manufacturing method
JP4401181B2 (ja) 2003-08-06 2010-01-20 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2005057644A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウェハ加工用テープおよびその製造方法
JP2005272724A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体用粘着テープ
TWI387631B (zh) * 2004-05-18 2013-03-01 Hitachi Chemical Co Ltd 黏著片與使用此黏著片之半導體裝置以及其製造方法
US20060068576A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Burdick William E Jr Lithography transfer for high density interconnect circuits
TWI324800B (en) * 2005-12-28 2010-05-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing semiconductor device
JP2007250598A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
KR100874953B1 (ko) * 2006-09-20 2008-12-19 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 고정 장치
JP2009054953A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2010232611A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP5442308B2 (ja) * 2009-04-22 2014-03-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2012079936A (ja) 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
TWI688631B (zh) * 2015-02-06 2020-03-21 日商琳得科股份有限公司 黏著片及半導體裝置的製造方法
JP6669674B2 (ja) * 2015-02-06 2020-03-18 リンテック株式会社 粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6844992B2 (ja) * 2016-11-24 2021-03-17 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6779576B2 (ja) * 2016-12-27 2020-11-04 株式会社ディスコ 粘着テープ、被加工物の加工方法、及び粘着テープ貼着装置
JP2018182063A (ja) * 2017-04-13 2018-11-15 株式会社ディスコ エキスパンドシート及びエキスパンド方法
US10861816B2 (en) * 2018-10-18 2020-12-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Electronic assemblies having a mesh bond material and methods of forming thereof
JPWO2020195808A1 (de) * 2019-03-26 2020-10-01

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02265258A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Fujitsu Ltd ダイシング装置
JPH05299504A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Nec Kansai Ltd ダイシング方法
JP3521099B2 (ja) * 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004021775A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Tesa Ag Klebeband insbesondere zur Abdeckung von Fensterflanschen

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980071601A (ko) 1998-10-26
EP0860873B1 (de) 2003-06-18
DE69815564D1 (de) 2003-07-24
KR100473994B1 (ko) 2005-06-27
EP0860873A1 (de) 1998-08-26
MY120140A (en) 2005-09-30
JPH10242084A (ja) 1998-09-11
US6042922A (en) 2000-03-28
TW375814B (en) 1999-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69815564T2 (de) Klebefolie zum Einsetzen von Wafern und Herstellungsverfahren von elektronischen Bauteilen
DE19805146B4 (de) Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung
DE69821400T2 (de) Basismaterial und mit einem solchen Klebeband
DE69914418T2 (de) Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
DE69918618T2 (de) Haftklebefolie zum Oberflächenschutz beim Schleifen der Rückseite eines Halbleiterplättchens und Verfahren zur Verwendung derselben
DE60127602T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips
DE19940390A1 (de) Selbstklebende doppelt beschichtete Klebefolie und Verfahren zu ihrer Verwendung
DE60119955T2 (de) Durch strahlung härtbare, thermisch ablösbare, druckempfindliche klebefolie sowie verfahren zur herstellung geschnittener teile unter verwendung dieser klebefolie
DE69732872T2 (de) Schicht zum Abtrennen von Halbleiterscheiben bzw. zum Kontaktverbinden und Verfahren zum Herstellen eines Halbeiterbauelements
DE69722498T2 (de) Basismaterial für Klebeband
DE69915537T2 (de) Druckempfindliche Klebefolie und Verfahren zu deren Verwendung
DE3586329T2 (de) Duenne klebefolie fuer die bearbeitung von halbleiterplaettchen.
DE60109951T2 (de) Durch energetische strahlung härtbare, thermisch entfernbare, druckempfindliche klebefolie sowie verfahren zum zerschneiden von teilen unter verwendung dieser folie
DE68920807T2 (de) Klebeband und seine Verwendung.
DE19957111B4 (de) Halbleitervorrichtung mit flacher Schutzklebstofffolie und Herstellungsverfahren dafür
DE102006054073B4 (de) Vereinzelungsvorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats
DE102005003872A1 (de) Verfahren zum Schutz eines Halbleiterwafers und Adhäsivfilm zum Schutz von Halbleiterwafer
EP1384255A2 (de) Verfahren zum rückseitenschleifen von wafern
DE102005024431B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen unter Verwendung einer Trägerplatte mit doppelseitig klebender Klebstofffolie
DE112020000935T5 (de) Klebefolie zum Rückseitenschleifen und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterwafern
DE60006035T2 (de) Verschmutzungsarme Klebefolien und Verfahren zur Entfernung von Resistmaterial
DE60315650T2 (de) Wärmehärtbare klebstoffzusammensetzung, gegenstand, halbleitervorrichtung und verfahren
DE69812021T2 (de) Aufwickelbarer Trockenresistfilm
JP2004119992A (ja) チップ体製造用粘着シート
DE69905985T2 (de) Verfahren zum Entschichten eines Resistmaterials

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee