TWI688631B

TWI688631B - 黏著片及半導體裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI688631B
Application number: TW104138521A
Authority: TW
Inventors: 佐藤明徳; 藤本泰史; 岡本直也; 山田忠知; 毛受利彰; 河崎仁彦
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2015-02-06
Filing date: 2016-02-01
Publication date: 2020-03-21
Also published as: TW201638258A

Abstract

黏著片(10)具備黏合黏著體的第一區域(11)、設置於前述第一區域(11)的外周的第二區域(12)；前述第一區域(11)的拉伸彈性率，係小於前述第二區域(12)的拉伸彈性率。黏著片(10)具有基材薄膜(13)、及被層積於前述基材薄膜(13)的黏著劑層(14)；前述黏著體，係複數半導體晶片(CP)；前述第一區域(11)，係於前述黏著片(10)的俯視中，設置於薄片中央部。

Description

黏著片及半導體裝置的製造方法

本發明係關於黏著片及半導體裝置的製造方法。

近年來，電子機器的小型化、輕量化、及高功能化有所進展。對於搭載於電子機器的半導體裝置，也被要求小型化、薄型化、及高密度化。半導體晶片係有安裝於接近其尺寸的封裝之狀況。此種封裝也有被稱為晶片級封裝(Chip Scale Package；CSP)之狀況。作為製造CSP的製程之一，可舉出晶圓級封裝(Wafer Level Package；WLP)。於WLP中，在藉由切割進行個體化之前，於晶片電路形成面形成外部電極等，最終切割包含晶片的封裝，來進行個體化。作為WLP，可舉出扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。於扇出型的WLP(以下有略記為FO-WLP之狀況)中，以成為比晶片尺寸還大的區域之方式以封止構件來覆蓋半導體晶片，形成半導體晶片封止體，不僅在半導體晶片的電路面，即使於封止構件的表面區域中也形成再配線層及外部電極。

例如，於文獻1(國際公開第2010/058646號)，記載有將從半導體晶圓個體化之複數半導體晶片，留下其電路形成面，使用模具構件包圍周圍而形成擴張晶圓，使再配線圖案延伸存在於半導體晶片外的區域所形成之半導體封裝的製造方法。於文獻1所記載之製造方法中，在以模具構件包圍被個體化之複數半導體晶片之前，改貼擴展用的黏晶膠帶，延展黏晶膠帶，擴大複數半導體晶片之間的距離。

然而，拉伸黏晶膠帶等之既存的黏著片，欲擴大複數半導體晶片彼此之間的間隔的話，黏著片被抓住的部分會大幅被拉伸，黏合複數半導體晶片的區域未被充分延展。

本發明的目的，係提供在抓住薄片拉伸時，所希望的區域容易延伸的黏著片，及提供使用該黏著片之半導體裝置的製造方法。

依據本發明的一樣態，可提供一種黏著片，具備：第一區域，係黏合黏著體；及第二區域，係設置於前述第一區域的外周；前述第一區域的拉伸彈性率，係小於前述第二區域的拉伸彈性率。

於拉伸黏著片的擴展工程中，可利用握持構件等抓住並拉伸設置於比第一區域更外周的第二區域。依據上述之本發明的一樣態相關的黏著片，第一區域的拉伸彈性率，係小於第二區域的拉伸彈性率。拉伸黏著片的話，相較於第一區域的延伸，第二區域的延伸變小。

所以，依據本發明的一樣態，可提供在抓住並拉伸黏著片的第二區域時，所希望之區域即第一區域容易延伸的黏著片。

於本發明的一樣態中，具有：基材薄膜；及黏著劑層，係被層積於前述基材薄膜；前述黏著體，係複數半導體晶片；前述第一區域，係於前述黏著片的俯視中，設置於薄片中央部為佳。

依據該樣態，可於對應第一區域的部位的黏著劑層，黏合複數半導體晶片。於黏著片的第一區域黏合複數半導體晶片，抓住並拉伸第二區域的話，所希望之區域，亦即黏合複數半導體晶片的第一區域容易延伸，所以，可大幅擴張複數半導體晶片彼此的間隔。

於本發明的一樣態中，於前述黏著片的俯視中，前述第一區域及前述第二區域，係分別形成為大略矩形狀；於前述第二區域的四隅設置有切口為佳。

依據該樣態，於第二區域的四隅設置有切口。

在擴展工程中，利用握持構件等抓住黏著片的第二區域，將黏著片沿著第一方向，及與第一方向正交的第二方向中任一方拉伸。例如，大略矩形狀的第二區域藉由四隅的切口被區隔成4個部分時，於擴展工程中，個別抓住各部分，以朝向薄片外側方向的力來拉伸。藉由拉伸，第二區域係以形成於其四隅的切口為邊際而分離。因此，第二區域係可抓住分離的各部分來拉伸，容易延伸於第一方向，及第二方向至少任一方。

所以，將黏著片往第一方向，及第二方向至少任一方拉伸的話，第二區域會以四隅的切口為邊際而分離成複數部分，所以，第一區域變更容易延伸。

進而，即使往第一方向與第二方向雙方拉伸，於以第二區域的四隅的切口為邊際而分離的各部分中，往第一方向拉伸的力與往第二方向拉伸的力也不會被合成。對於第二區域中分離之各部分，會施加往第一方向拉伸的力，或往第二方向拉伸的力。因此，個別容易控制對於第一區域施加於第一方向的力，與施加於第二方向的力。

再者，於本說明書中，在關於黏著片是大略矩形狀之狀況，並不限於嚴密的矩形之狀況。例如，大略矩形並不限定於正方形及長方形，作為邊角帶有圓弧的形狀，或角的一部分被切下的形狀亦可。

於本發明的一樣態中，於前述第二區域的四隅設置切口，進而於前述第二區域的四邊設置1或2以上的切口為佳。

依據該樣態，於第二區域的四邊設置有1或2以上的切口。

在擴展工程中，利用握持構件等抓住黏著片的第二區域，將黏著片沿著第一方向，及與第一方向正交的第二方向中任一方拉伸。例如，大略矩形狀的第二區域藉由四隅的切口被區隔成4個部分，藉由形成於該4個部分的各邊的切口，更區隔成複數部分時，於擴展工程中，個別抓住各部分，以朝向薄片外側方向的力來拉伸。藉由拉伸，第二區域係以形成於其四邊的切口為邊際，進而分離成複數部分。因此，第二區域係可抓住分離的各部分來拉伸，容易延伸於第一方向，及第二方向至少任一方。

所以，將黏著片往第一方向，及第二方向至少任一方拉伸的話，第二區域會以四邊的切口為邊際而分離成複數部分，所以，第一區域變更容易延伸。

進而，因為也藉由切口，分離第二區域的各邊，容易因應各邊的位置，調整拉伸的力。例如，減低邊中央部的拉伸力，增強邊之端部的拉伸力等，可因應第一區域的延伸程度，調整拉伸力。

於本發明的一樣態中，於前述黏著片的俯視中，前述第一區域，係形成為大略矩形狀；前述第二區域，係形成為大略圓形狀為佳。

依據該樣態，第一區域係形成為大略矩形狀；第二區域，係形成為大略圓形狀。

具有前述形狀的黏著片，係例如適用於使用具備環狀之環形框，與大略矩形狀之間隔台的間隔裝置之擴展工程中的使用。

具體來說，首先，以環狀的環形框保持黏著片之大略圓形狀的第二區域。接著，使支持面與第一區域大略相同形狀之平面形狀的間隔台，通過環形框的內側。使環形框下降，間隔台之支持面的高度相較於環形框的高度相對地變高的話，在環形框的內側露出之大略矩形狀的第一區域被間隔台抬高，黏著片的第一區域往與厚度方向正交，朝向外側的方向被擴張。

此時，相較於第一區域的延伸，第二區域的延伸比較小，故選擇性地拉伸彈性率小的第一區域會延伸，所以，第一區域比較容易延伸。

再者，於本說明書中，在關於黏著片是大略圓形狀之狀況，並不限於嚴密的圓形之狀況。例如，大略圓形不僅完美圓形，也包含橢圓形等的形狀。又，多角形中，角的數量多，各邊的長度比較短的形狀也包含於大略圓形。

又，於本說明書中，第一區域與間隔台的支持面是大略相同形狀之狀況，係代表嚴密來說不是相同形狀亦可。例如，間隔台的外形尺寸，只要比黏合複數半導體晶片的區域還大的話，形狀不同亦可。

於本發明的一樣態中，前述第一區域及前述第二區域，係於前述黏著片的俯視中，以朝向薄片內側而彎曲的4個圓弧來區隔為佳。

依據該樣態，第一區域與第二區域，以朝向薄片內側彎曲的4個圓弧來區隔。

具體來說，首先，以環狀的環形框保持黏著片之大略圓形狀的第二區域。接著，使支持面與第一區域大略相同形狀之平面形狀的間隔台，通過環形框的內側。第一區域係被間隔台抬高，黏著片的第一區域往與厚度方向正交，朝向外側的方向被擴張。此時，區隔第一區域與第二區域的圓弧藉由拉伸而變成接近直線的形狀。結果，擴張之狀態的第一區域，係成為接近矩形的形狀，所以，可更均等地延伸複數半導體晶片之間的間隔。

於本發明之一樣態中，更具有：補強構件，係黏合於對應前述黏著劑層之前述第二區域的部位；前述補強構件的拉伸彈性率，係大於前述基材薄膜的拉伸彈性率為佳。

依據該樣態，更具有補強構件，該補強構件係被黏合於對應黏著劑層之第二區域的部位。補強構件的拉伸彈性率，係大於基材薄膜的拉伸彈性率。利用於對應第二區域的部位，設置拉伸彈性率大的補強構件，第二區域的拉伸彈性率，係相較於由基材薄膜構成之第一區域的拉伸彈性率變更大。結果，可提供第一區域的拉伸彈性率小於第二區域的拉伸彈性率的黏著片。

於本發明的一樣態中，前述第二區域之前述黏著劑層，係含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑為佳。

依據該樣態，前述第二區域之黏著劑層，係含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑。第二區域之拉伸彈性率，係相較於第一區域的拉伸彈性率，多出含有硬化之能量線硬化型黏著劑的分量。結果，可提供第一區域的拉伸彈性率小於第二區域的拉伸彈性率的黏著片。

又，依據該樣態，於照射過能量線之區域的黏著劑層中能量線硬化型黏著劑會硬化，該照射區域的拉伸彈性率變大，形成第二區域。亦即，依據該樣態，可因應照射能量線的區域，形成第二區域。例如，可因應黏合於第一區域的黏著體的尺寸及數量、第二區域抓住的範圍等，形成第一區域、第二區域，所以，是可適用之製程的自由度高的黏著片。

於本發明的一樣態中，前述第一區域的拉伸彈性率，係30MPa以上1000MPa以下；前述第二區域的拉伸彈性率，係100MPa以上6000MPa以下為佳。

依據該樣態，第一區域的拉伸彈性率，係30MPa以上1000MPa以下；第二區域的拉伸彈性率，係100MPa以上6000MPa以下。第一區域的拉伸彈性率及第二區域的拉伸彈性率是前述範圍的話，可提供適合擴展工程之使用的黏著片。

依據本發明的一樣態，可提供一種半導體裝置的製造方法，具備：於前述本發明之黏著片的前述第一區域，黏合晶圓的工程；藉由切割來使黏合於前述黏著片的晶圓個體化，形成複數半導體晶片的工程；及保持前述黏著片的前述第二區域並拉伸前述黏著片，擴張黏合於前述第一區域的前述複數半導體晶片彼此之間隔的工程。

於該本發明的一樣態之半導體裝置的製造方法中，使用關於上述之本發明的一樣態的黏著片。

將黏合於黏著片的第一區域的晶圓藉由切割個體化，形成複數半導體晶片之後，利用保持第二區域並拉伸黏著片，可大幅擴張複數半導體晶片之間的間隔。

依據上述之本發明的一樣態之半導體裝置的製造方法，拾取藉由切割所形成之複數半導體晶片，不需經由擴張間隔而再次排列於支持構件上的工程，即可大幅擴張複數半導體晶片彼此的間隔。因此，上述之本發明的一樣態的黏著片，係具有WLP的製程的優良適合性，尤其扇出型的晶圓級封裝之製程的優良適合性。

依據本發明的一樣態，可提供一種半導體裝置的製造方法，具備：藉由切割來使黏合於第一黏著片的晶圓個體化，形成複數半導體晶片的工程；將前述複數半導體晶片，轉印至前述本發明之黏著片的前述第一區域的工程；剝離前述第一黏著片的工程；及保持前述黏著片的前述第二區域並拉伸前述黏著片，擴張黏合於前述第一區域的前述複數半導體晶片彼此之間隔的工程。

將在第一黏著片上藉由切割所形成之複數半導體晶片，轉印至本發明的黏著片的第一區域，並剝離第一黏著片之後，利用保持第二區域並拉伸黏著片，可大幅擴張複數半導體晶片之間的間隔。

於本發明的一樣態中，更具備拉伸前述黏著片，擴張前述複數半導體晶片彼此的間隔之後，留下前述複數半導體晶片的電路面，並以封止構件覆蓋的工程為佳。

依據該樣態，大幅擴張複數半導體晶片之間的間隔之外，可利用封止構件來覆蓋複數半導體晶片。而且，依據該樣態，不需將被個體化的半導體晶片，一個個從黏著片藉由取放(Pick and place)再次排列於其他黏著片或支持體，可利用封止構件來覆蓋。因此，依據該樣態，可簡略化WLP的製程的工程。

1‧‧‧半導體封裝

3‧‧‧封止體

3A‧‧‧面

5‧‧‧再配線

5A‧‧‧外部電極墊

6‧‧‧外部端子電極

10‧‧‧黏著片

10A‧‧‧黏著片

10B‧‧‧黏著片

10C‧‧‧黏著片

10D‧‧‧黏著片

11‧‧‧第一區域

11A‧‧‧第一區域

11B‧‧‧第一區域

11C‧‧‧第一區域

11D‧‧‧第一區域

12‧‧‧第二區域

12A‧‧‧第二區域

12B‧‧‧第二區域

12C‧‧‧第二區域

12D‧‧‧第二區域

13‧‧‧基材薄膜

13A‧‧‧第一面

13B‧‧‧第二面

14‧‧‧黏著劑層

14A‧‧‧黏著劑層

14B‧‧‧黏著劑層

15‧‧‧補強構件

16‧‧‧切口

17‧‧‧切口

18‧‧‧圓弧

30‧‧‧封止構件

41‧‧‧第一絕緣層

42‧‧‧第二絕緣層

50‧‧‧間隔裝置

60‧‧‧支持手段

61‧‧‧支持構件

61A‧‧‧溝

70‧‧‧間隔台

70A‧‧‧支持面

80‧‧‧線性電動機

100‧‧‧第一切割片

101‧‧‧第一區域

102‧‧‧第二區域

104‧‧‧黏著劑層

111‧‧‧頂點

112‧‧‧頂點

113‧‧‧頂點

114‧‧‧頂點

121‧‧‧頂點

122‧‧‧頂點

123‧‧‧頂點

124‧‧‧頂點

200‧‧‧第一轉印用片

203‧‧‧第二基材薄膜

204‧‧‧第二黏著劑層

300‧‧‧第二切割片

400‧‧‧第二轉印用片

401‧‧‧第一區域

402‧‧‧第二區域

CP‧‧‧半導體晶片

M1‧‧‧第一方向

M2‧‧‧第二方向

RF‧‧‧環形框

W‧‧‧半導體晶圓

W1‧‧‧電路面

W2‧‧‧電路

W3‧‧‧背面

W4‧‧‧內部端子電極

〔圖1A〕說明關於第一實施形態之黏著片的圖。

〔圖1B〕說明關於第一實施形態之黏著片的圖。

〔圖2〕說明關於第二實施形態之黏著片的製造方法的剖面圖。

〔圖3〕說明關於第三實施形態之黏著片的圖。

〔圖4〕說明關於第四實施形態之黏著片的圖。

〔圖5〕關於第四實施形態之間隔裝置的側視圖。

〔圖6〕說明關於第五實施形態之黏著片的圖。

〔圖7A〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖7B〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖7C〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖8A〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖8B〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖9〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖10A〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖10B〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖10C〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖11A〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖11B〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖11C〕說明關於第六實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖12A〕說明關於第七實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖12B〕說明關於第七實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖12C〕說明關於第七實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖13A〕說明關於第七實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔圖13B〕說明關於第七實施形態之半導體裝置的製造方法的剖面圖。

〔第一實施形態〕

以下，說明關於本發明之第一實施形態的黏著片。

〔黏著片〕

於圖1A，揭示關於本實施形態之黏著片10的俯視圖，於圖1B，揭示黏著片10的剖面圖。

如圖1A所示，本實施形態的黏著片10係具備第一區域11，與設置於該第一區域11之外周的第二區域12。於第一區域11，作為黏著體，黏合半導體晶片CP。圖1A之黏著片10係於俯視中，第一區域11及第二區域12分別形成為大略矩形狀。黏著片10之俯視的形狀，也可說是在設置於薄片中央部之大略矩形狀的第一區域11的外周側，設置有框狀的第二區域12。

又，如圖1B所示，黏著片10係具有基材薄膜13，與黏著劑層14。黏著劑層14係被層積於基材薄膜13。半導體晶片CP係被黏合於第一區域11之黏著劑層14。於對應黏著劑層14之第二區域12的位置，黏合有補強構件15。

再者，於圖1B中，黏著劑層14係區分揭示為第一區域11之黏著劑層14A與第二區域12之黏著劑層14B。

〔基材薄膜〕

基材薄膜13的材質並未特別限定。作為基材薄膜13的材質，例如可舉出聚氯乙烯樹脂、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二脂等)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯睛-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、及聚苯乙烯樹脂等。

基材薄膜13的拉伸彈性率，係30MPa以上1000MPa以下為佳。再者，本說明書之拉伸彈性率，係依據JIS K7161及JIS K7127，使用動態機械黏彈分析儀來進行測定。

〔黏著劑層〕

包含於黏著劑層14的黏著劑並未特別限定，可廣泛適用。作為包含於黏著劑層14的黏著劑，例如可舉出橡膠系、丙烯酸系、矽氧烷系、聚酯系、及胺甲酸乙酯系等。再者，黏著劑的種類係考慮用途及被黏合之黏著體的種類等來選擇。

〔補強構件〕

補強構件15的材質只要比基材薄膜13的拉伸彈性率還大，並未特別限定。

作為補強構件15的材質，例如可舉出聚氯乙烯樹脂、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二脂等)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯睛-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、及聚苯乙烯樹脂等。

補強構件15的拉伸彈性率，係100MPa以上6000MPa以下為佳。

於本實施形態的黏著片10中，第一區域11的拉伸彈性率，係小於第二區域12的拉伸彈性率。

在本實施形態的黏著片10中，利用於對應黏著劑層14之第二區域12的位置，黏合補強構件15，達成前述之第一區域11的拉伸彈性率與第二區域12的拉伸彈性率的關係。

第一區域11的拉伸彈性率，係30MPa以上1000MPa以下為佳。其中，第一區域11的拉伸彈性率係60MPa以上600MPa以下更佳，80MPa以上450MPa以下又更理想。

第二區域12的拉伸彈性率，係100MPa以上6000MPa以下為佳。其中，第二區域12的拉伸彈性率係450MPa以上4500MPa以下更佳，120MPa以上1200MPa以下又更理想。

第一區域及第二區域是層積構造的話，各區域的拉伸彈性率係在該層積狀態下測定。例如，本實施形態的黏著片10之第二區域12的拉伸彈性率，係在基材薄膜13、黏著劑層14及補強構件15的層積狀態下測定之值。

〔黏著片的製造方法〕

黏著片10的製造方法並未特別限定。

例如，黏著片10經由以下工程來製造。

首先，於基材薄膜13的第一面13A上塗布黏著劑，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成黏著劑層14。然後，於對應黏著劑層14之第二區域12的部位，黏合比基材薄膜13的拉伸彈性率還大的補強構件15。利用經由前述工程，可獲得更具有被黏合於對應黏著劑層14之第二區域12的部位之補強構件15的黏著片10。

於拉伸黏著片10的擴展工程中，可利用握持構件等抓住並拉伸設置於比第一區域11更外周的第二區域12。依據本實施形態，第一區域11的拉伸彈性率，係小於第二區域12的拉伸彈性率。拉伸黏著片10的話，相較於第一區域11的延伸，第二區域12的延伸變小。所以，依據本實施形態，可提供在抓住並拉伸黏著片的第二區域時，所希望之區域即第一區域容易延伸的黏著片10。

依據該樣態，可於對應第一區域11的部位的黏著劑層14，黏合複數半導體晶片CP。於黏著片10的第一區域11黏合複數半導體晶片CP，抓住並拉伸第二區域12的話，所希望之區域，亦即黏合複數半導體晶片CP的第一區域11容易延伸，所以，可大幅擴張複數半導體晶片CP彼此的間隔。

又，依據該樣態，更具有補強構件15，該補強構件15係被黏合於對應黏著劑層14之第二區域12的部位。補強構件15的拉伸彈性率，係大於基材薄膜13的拉伸彈性率。利用於對應第二區域12的部位，設置拉伸彈性率大的補強構件15，第二區域12的拉伸彈性率，係相較於由基材薄膜13構成之第一區域11的拉伸彈性率變更大。結果，可提供第一區域11的拉伸彈性率小於第二區域12的拉伸彈性率的黏著片10。

又，依據該樣態，第一區域11的拉伸彈性率，係30MPa以上1000MPa以下，第二區域12的拉伸彈性率，係100MPa以上6000MPa以下。第一區域11的拉伸彈性率及第二區域12的拉伸彈性率是前述範圍的話，可提供適合擴展工程之使用的黏著片10。

〔第二實施形態〕

以下，說明關於本發明之第二實施形態的黏著片的製造方法。

本實施形態的黏著片10A的製造方法經由以下工程來製造。

首先，於圖2所示之基材薄膜13的第一面13A上塗布能量線硬化型黏著劑，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成黏著劑層14。然後，對對應黏著劑層14的第二區域12A的部位，照射能量線。藉由能量線的照射，使第二區域12A之黏著劑層14B所包含的能量線硬化型黏著劑硬化。再者，第一區域11A之黏著劑層14A係未被照射能量線，故塗布的能量線硬化型黏著劑不會硬化。利用經由前述工程，可獲得於第二區域12A之黏著劑層14B，含有藉由能量線照射所硬化之能量線硬化型黏著劑的黏著片10A。

本實施形態的能量線硬化型黏著劑並未特別限定。因應應賦予形成之黏著劑層的硬化區域的性能，適當選擇能量線硬化型黏著劑即可。

於本說明書中，能量線係在電磁波或荷電粒子線中具有能量量子。作為能量線，例如可舉出紫外線及電子線等。即使在能量線中，也是容易處理的紫外線更佳。

作為能量線硬化型黏著劑，例如可舉出於丙烯酸系黏著劑，混合多官能能量線硬化樹脂的黏著劑。作為多功能能量線硬化樹脂，可舉出具有複數能量線聚合性之功能基的低分子化合物，例如聚氨酯丙烯酸酯寡聚合物(Urethane acrylate oligomer)等。又，也可使用包含於側鏈具有能量線聚合性之功能基的(甲基)丙烯酸酯共聚合物((Meth)Acrylic acid ester copolymer)的黏著劑。作為此種能量線聚合性功能基，(甲基)丙烯醯基((Meth)Acryloyl group)為佳。再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯共聚合物」是使用於表示「丙烯酸酯共聚合物」及「甲基丙烯酸酯共聚合物」的至少任一方時的表記，關於其他類似用語也相同。

於黏著劑層14，包含各種添加劑亦可。作為添加劑，例如可舉出聚合開始劑、矽烷偶合劑、帶電防止劑、賦予黏著劑、氧化防止劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、軟化劑、填充劑、及折射率調整劑等。再者，添加劑的種類係考慮用途及被黏合之黏著體的種類等來選擇。

依據本實施形態，第二區域12A之黏著劑層14B，係含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑。第二區域12A之拉伸彈性率，係相較於第一區域11A的拉伸彈性率，多出含有硬化之能量線硬化型黏著劑的分量。結果，可提供第一區域11A的拉伸彈性率小於第二區域12A的拉伸彈性率的黏著片10A。

又，依據該樣態，於照射過能量線之區域的黏著劑層14B中能量線硬化型黏著劑會硬化，該照射區域的拉伸彈性率變大，形成第二區域12A。亦即，依據該樣態，可因應照射能量線的區域，形成第二區域12A。例如，可因應黏合於第一區域11A的黏著體的尺寸及數量、第二區域12A抓住的範圍等，形成第一區域11A、第二區域12A，所以，本實施形態的黏著片10A是可適用之製程的自由度高的黏著片。

〔第三實施形態〕

以下，說明關於本發明之第三實施形態的黏著片。

於圖3，揭示關於本實施形態之黏著片10B的俯視圖。

如圖3所示，本實施形態的黏著片10B係於俯視中，第一區域11B及第二區域12B分別形成為大略矩形狀。黏著片10B之俯視的形狀，也可說是在大略矩形狀的第一區域11B的外周側，設置有框狀的第二區域12B。

本實施形態的黏著片10B係作為於圖1B所示之黏著劑層上，黏合補強構件的構造亦可。又，作為於圖2所示之第二區域之黏著劑層，含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑的構造亦可。

本實施形態的黏著片10B係於第二區域12B的四隅，設置有切口16。

形成於四隅的切口16係形成於連結第二區域12B的頂點121，與最接近該頂點121之第一區域11B的頂點111的直線上為佳。又，關於其他形成於四隅的切口16，也分別形成於連結第二區域12B的其他頂點122，與最接近該頂點122之第一區域11B的其他頂點112的直線上、連結頂點123，與最接近該頂點123之第一區域11B的頂點113的直線上、以及連結頂點124，與最接近該頂點124之第一區域11B的頂點114的直線上為佳。

又，形成於四隅之切口16的深度，係以從黏著劑層的表層，到達基材薄膜的背面為止之方式形成為佳。再者，如果可利用擴展工程，以切口16為邊際，分離第二區域12B的話，切口16不一定需要形成到從黏著劑層的表層到達基材薄膜的背面為止的深度為止。再者，黏著片10B係可藉由擴展工程，以切口16為邊際將第二區域12B分離成複數部分為佳。

又，本實施形態的黏著片10B係進而於第二區域12B的四邊，設置有1或2以上的切口17。

形成於四邊的切口17係以於與切口對象之邊的長度方向垂直的方向，從第二區域12B的外周，到達第一區域 11B與第二區域12B的邊際為止之方式形成為佳。

又，形成於四邊的切口17係等間隔地形成於切口對象之邊為佳。

又，形成於四邊之切口17的深度，係以從黏著劑層的表層，到達基材薄膜的背面為止之方式形成為佳。再者，如果可利用擴展工程，以切口17為邊際，分離第二區域12B的話，切口17不一定需要形成到從黏著劑層的表層到達基材薄膜的背面為止的深度為止。再者，黏著片10B係可藉由擴展工程，以切口17為邊際將第二區域12B分離成複數部分為佳。

再者，於圖3中，於第二區域12B的四邊，在各邊揭示3個切口17，但是，於各邊設置1個切口17亦可，設置兩個切口17亦可，或者設置4個以上的切口17亦可。

依據本實施形態，於第二區域12B的四隅，設置有切口16。又，依據該樣態，於第二區域12B的四邊設置有1或2以上的切口17。

在擴展工程中，利用握持構件等抓住黏著片10B的第二區域12B，將黏著片10B沿著第一方向M1，及與第一方向M1正交的第二方向M2中任一方拉伸。例如，如本實施形態，大略矩形狀的第二區域12B藉由四隅的切口16被區隔成4個部分，藉由形成於該4個部分的各邊的切口17，更區隔成複數部分時，於擴展工程中，個別抓住各部分，以朝向薄片外側方向的力來拉伸。藉由拉伸，第二區域12B係以形成於其四隅的切口16為邊際而分離。又，第二區域12B係以形成於其四邊的切口17為邊際而分離。

因此，將黏著片10B往第一方向M1，及第二方向M2至少任一方拉伸的話，第二區域12B會以四隅的切口16、四邊的切口17為邊際而分離，所以，第一區域11B變更容易延伸。

如本實施形態，在第二區域12B分離成複數部分時，於分離之各部分中，往第一方向M1拉伸的力與往第二方向M2拉伸的力不會合成，會施加往第一方向拉伸的力，或往第二方向拉伸的力。因此，個別容易控制對於第一區域11B施加於第一方向M1的力，與施加於第二方向M2的力。進而，因為也藉由切口17，分離第二區域12B的各邊，容易因應各邊的位置，調整拉伸的力。例如，減低邊中央部的拉伸力，增強邊之端部的拉伸力等，可因應第一區域11B的延伸程度，調整拉伸力。

〔第四實施形態〕

以下，說明關於本發明之第四實施形態的黏著片。

於圖4揭示黏著片的其他形態的圖。

本實施形態的黏著片10C，與第一實施形態的黏著片10，係於俯視中，第一區域及第二區域的形狀不同。關於其他地方，如果未特別說明的話，黏著片10C與黏著片10幾乎相同。

本實施形態的黏著片10C，係於俯視中，第一區域 11C係形成為大略矩形狀；第二區域12C係形成為大略圓形狀。本實施形態的黏著片10C係作為於圖1B所示之黏著劑層上，黏合補強構件的構造亦可。又，作為於圖2所示之第二區域之黏著劑層，含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑的構造亦可。

具有前述形狀的黏著片10C係例如適用於圖5所示之使用具備環狀之環形框RF，與大略矩形狀之間隔台70的間隔裝置50之擴展工程中的使用。

圖5所示之間隔裝置50係擴張複數半導體晶片CP的相互間隔的裝置。

間隔裝置50係具備支持手段60、間隔台70、線性電動機80。支持手段60係支持環形框RF。間隔台70係隔著黏著片10C支持複數半導體晶片CP。線性電動機80係使支持手段60及間隔台70相互移動，對黏著片10C賦予張力。

支持手段60係具有可收容環形框RF的溝61A。支持手段60係具備分別被線性電動機80的輸出軸80A支持之一對支持構件61。

間隔台70係俯視亦即從上方觀看的外形為四方形。間隔台70係具有與第一區域11C大略相同面積之平面形狀的支持面70A。

說明於前述之間隔裝置50中，擴張複數半導體晶片CP的相互間隔的步驟。

首先，於圖5中，如實線所示般，以環狀的環形框 RF保持黏著片10C之大略圓形狀的第二區域12C。將保持黏著片10C的環形框RF，插通於支持構件61的溝61A。

接著，驅動線性電動機80，使支持構件61下降，如圖5的點虛線所示，使間隔台70通過環形框RF的內側。使支持構件61下降，間隔台70的支持面70A的高度相較於環形框RF的高度相對地變高的話，在環形框RF內側中露出之大略矩形狀的第一區域11C藉由間隔台70的支持面70A被抬高。藉由該抬高，第一區域11C係往與厚度方向正交，朝向外側的方向被擴張。

此時，相較於第一區域11C的延伸，第二區域12C的延伸比較小，故選擇性地拉伸彈性率小的第一區域11C會延伸。因此，可大幅擴張被黏合於第一區域11C的複數半導體晶片CP的間隔。

〔第五實施形態〕

以下，說明關於本發明之第五實施形態的黏著片。

於圖6揭示黏著片的其他形態的圖。

本實施形態的黏著片10D，與第一實施形態的黏著片10，係於俯視中，第一區域及第二區域的形狀不同。關於其他地方，如果未特別說明的話，黏著片10D與黏著片10幾乎相同。

本實施形態的黏著片10D係於俯視中，第一區域11D及第二區域12D以朝向薄片內側彎曲的4個圓弧18區隔。本實施形態的黏著片10D係作為於圖1B所示之黏著劑層上，黏合補強構件的構造亦可。又，作為於圖2所示之第二區域之黏著劑層，含有因能量線照射而硬化的能量線硬化型黏著劑的構造亦可。

再者，4個圓弧18的長度以及角度的大小，係因應構成黏著片10D的基材薄膜之MD方向的延伸特性，及CD方向的延伸特性，適當設定為佳。

於本說明書中，所謂「MD方向」係使用來作為表示與賦予基材薄膜之原生組構的長邊方向(原生組構的製造時的送出方向)平行之方向的用語，所謂「CD方向」係使用來作為表示與MD方向正交之方向的用語，以下相同。於本說明書中，MD是Machine Direction的簡稱，CD是Cross Direction的簡稱。

依據本實施形態，第一區域11D與第二區域12D，以朝向薄片內側彎曲的4個圓弧18來區隔。

具有前述形狀的黏著片10D係適用於圖5所示之使用具備環狀之環形框RF，與大略矩形狀之間隔台70的間隔裝置50之擴展工程中的使用。

利用間隔裝置之環狀的環形框保持黏著片10D，使間隔台通過環形框的內側。第一區域11D係被間隔台抬高，黏著片10D的第一區域11D往與厚度方向正交，朝向外側的方向被擴張。

此時，區隔第一區域11D與第二區域12D的圓弧18藉由拉伸而變成接近直線的形狀。結果，擴張之狀態的第一區域11D係成為接近矩形的形狀，所以，可更均等地延伸複數半導體晶片CP之間的間隔。

〔第六實施形態〕

以下，說明關於本發明的第六實施形態之半導體裝置的製造方法。

在本實施形態中，將前述實施形態的黏著片，使用來作為切割時黏合半導體晶圓W的第一切割片100。

於圖7A，揭示有被黏合於第一切割片100的半導體晶圓W。

半導體晶圓W係具有電路面W1，於電路面W1，形成有電路W2。第一切割片100係被黏合於與半導體晶圓W之電路面W1相反側的背面W3。半導體晶圓W係被黏合於第一切割片100的第一區域101。

半導體晶圓W係例如作為矽晶圓亦可，作為鎵.砷等的化合物半導體晶圓亦可。作為於半導體晶圓W的電路面W1形成電路W2的方法，可舉出萬用的方法，例如，蝕刻法，及剝離法等。

半導體晶圓W係預先磨削成所定厚度，使背面W3露出並黏合於第一切割片100。作為磨削半導體晶圓W的方法，並未特別限定，例如可舉出使用研磨機等之公知的方法。在磨削半導體晶圓W時，為了保護電路W2，將表面保護片黏合於電路面W1。晶圓的背面磨削係藉由夾盤台等固定於半導體晶圓W的電路面W1側，亦即表面保護片側，藉由研磨機磨削未形成有電路W2的背面側。磨削後之半導體晶圓W的厚度，並未特別限定，通常是20μm以上500μm以下。

第一切割片100係被黏合於半導體晶圓W及第一環形框亦可。此時，於第一切割片100的第二區域102之黏著劑層104上，載置第一環形框及半導體晶圓W，並輕輕地按壓該等，予以固定。

〔切割工程〕

於圖7B，揭示有被第一切割片100保持的複數半導體晶片CP。

被第一切割片100保持的半導體晶圓W係藉由切割而個體化，形成複數半導體晶片CP。於切割，使用切割鋸刀等的切斷手段。切割時的切斷深度係設定為考量了半導體晶圓W的厚度，與黏著劑層104的厚度的合計，以及切割鋸刀的磨耗分量的深度。

又，在藉由切割而個體化之複數半導體晶片CP之間，形成因應切割鋸刀等之切換手段的厚度的間隔。在本實施形態中，將藉由切割所產生之半導體晶片CP之間的距離設為D。

〔擴展工程〕

於圖7C，揭示用以說明拉伸保持複數半導體晶片CP之第一切割片100的工程(有稱為擴展工程之狀況)的圖。

在擴展工程中，藉由切割將被黏合於第一區域101的半導體晶圓W，個體化成複數半導體晶片CP之後，抓住第二區域102拉伸第一切割片100，擴張被黏合於第一區域101的複數半導體晶片CP之間的間隔。於擴展工程中拉伸第一切割片100的方法並未特別限定。作為拉伸第一切割片100的方法，例如可舉出推頂環狀或圓狀的擴張機，拉伸第一切割片100的方法，及使用握持構件等，抓住並拉伸位於第一切割片100之外周部的第二區域102的方法等。

在本實施形態中，如圖7C所示，將擴展工程後之半導體晶片CP之間的距離設為D1。作為距離D1，例如設為200μm以上5000μm以下為佳。

〔轉印工程〕

於圖8A，揭示用以說明在擴展工程之後，將複數半導體晶片CP轉印至第一轉印用片200的工程(有稱為轉印工程之狀況)的圖。

拉伸第一切割片100而擴張複數半導體晶片CP之間的距離D1之後，於半導體晶片CP的電路面W1黏合第一轉印用片200。

第一轉印用片200係具有第二基材薄膜203，與第二黏著劑層204。第一轉印用片200係以第二黏著劑層204覆蓋電路面W1之方式黏合為佳。

第二基材薄膜203的材質並未特別限定。作為第二基材薄膜203的材質，例如可舉出聚氯乙烯樹脂、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二脂等)、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、丙烯睛-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚胺酯樹脂、及聚苯乙烯樹脂等。

包含於第二黏著劑層204的黏著劑並未特別限定，可廣泛適用。作為包含於第二黏著劑層204的黏著劑，例如可舉出橡膠系、丙烯酸系、矽氧烷系、聚酯系、及胺甲酸乙酯系等。再者，黏著劑的種類係考慮用途及被黏合之黏著體的種類等來選擇。

於圖8B，揭示剝離第一切割片100之後，被第一轉印用片200保持的複數半導體晶片CP。

黏合第一轉印用片200之後，剝離第一切割片100的話，複數半導體晶片CP的背面W3會露出。剝離第一切割片100之後，也維持利用擴展工程拉伸之複數半導體晶片CP之間的距離D1。

〔封止工程〕

於圖9，揭示用以說明使用封止構件30，封止複數半導體晶片CP的工程(有稱為封止工程之狀況)的圖。

封止工程係在擴展工程之後實施。藉由留下電路面W1，利用封止構件30覆蓋複數半導體晶片CP，形成封止體3。在複數半導體晶片CP之間也填充封止構件30。在本實施形態中，因為藉由第一轉印用片200覆蓋電路面 W1及電路W2，可防止因封止構件30而電路面W1被覆蓋之狀況。

藉由封止工程，可取得分別間隔所定距離之複數半導體晶片CP被埋入至封止構件的封止體3。於封止工程中，複數半導體晶片CP係在維持距離D1之狀態下，藉由封止構件30覆蓋為佳。

利用封止構件30覆蓋複數半導體晶片CP的方法並未特別限定。例如，採用於模具內，在以第一轉印用片200覆蓋電路面W1之狀態下收容複數半導體晶片CP，對模具內注入流動性的樹脂材料，並使樹脂材料硬化的方法亦可。

又，採用以覆蓋複數半導體晶片CP的背面W3之方式載置薄片狀的封止樹脂，並對封止樹脂進行加熱，藉此將複數半導體晶片CP埋入至封止樹脂的方法亦可。作為封止構件30的材質，例如可舉出環氧樹脂等。於作為封止構件30所用的環氧樹脂，例如包含酚樹脂、彈性材料、無機填充材、及硬化促進劑等亦可。

封止工程之後，剝離第一轉印用片200的話，與半導體晶片CP的電路面W1及封止體3的第一轉印用片200接觸之面3A會露出。

〔半導體封裝的製造工程〕

於圖10A、B、C及圖11A、B、C，揭示說明使用複數半導體晶片CP，製造半導體封裝的工程的圖。本實施形態係包含此種半導體封裝的製造工程為佳。

〔再配線層形成工程〕

於圖10A，揭示剝離第一轉印用片200之後的封止體3的剖面圖。在本實施形態中，更包含在剝離第一轉印用片200之後的封止體3，形成再配線層的再配線層形成工程為佳。於再配線層形成工程中，將與露出之複數半導體晶片CP的電路W2連接的再配線，形成於電路面W1上及封止體3的面3A上。再配線的形成時，首先，將絕緣層形成於封止體3。

於圖10B，揭示用以說明在半導體晶片CP的電路面W1及封止體3的面3A，形成第一絕緣層41的工程的剖面圖。將包含絕緣性樹脂的第一絕緣層41，以在電路面W1及面3A上，露出電路W2或電路W2的內部端子電極W4之方式形成。作為絕緣性樹脂，例如可舉出聚醯亞胺樹脂、聚苯噁唑樹脂、及矽氧烷樹脂等。內部端子電極W4的材質只要是導電性材料的話，並未限定，例如可舉出金、銀、銅及鋁等的金屬、以及合金等。

於圖10C，揭示用以說明形成與被封止體3封止的半導體晶片CP電性連接之再配線5的工程的剖面圖。在本實施形態中，第一絕緣層41的形成後接著形成再配線5。再配線5的材質只要是導電性材料的話，並未限定，例如可舉出金、銀、銅及鋁等的金屬、以及合金等。再配線5可藉由公知的方法形成。

於圖11A，揭示用以說明形成覆蓋再配線5之第二絕緣層42的工程的剖面圖。再配線5具有外部端子電極用的外部電極墊5A。於第二絕緣層42，設置開口等，使外部端子電極用的外部電極墊5A露出。在本實施形態中，外部電極墊5A係露出於封止體3之半導體晶片CP的區域(對應電路面W1的區域)內及區域外(對應封止構件30上之面3A的區域)。又，再配線5係以外部電極墊5A被配置成陣列狀之方式，形成於封止體3的面3A。在本實施形態中，因為具有在封止體3之半導體晶片CP的區域外，使外部電極墊5A露出的構造，所以可獲得扇出型的WLP。

〔與外部端子電極的連接工程〕

於圖11B，揭示用以說明使封止體3的外部電極墊5A連接外部端子電極6的工程的剖面圖。於從第二絕緣層42露出的外部電極墊5A，載置焊球等的外部端子電極6，藉由焊接等，電性連接外部端子電極6與外部電極墊5A。焊球的材質並未特別限定，例如可舉出含鉛焊錫及無鉛焊錫等。

〔第二切割工程〕

於圖11C，揭示用以說明使連接外部端子電極6之封止體3個體化的工程(有稱為第二切割工程之狀況)的剖面圖。在該第二切割工程中，將封止體3以半導體晶片 CP單位進行個體化。使封止體3個體化的方法並未特別限定。例如，可採用與切割前述之半導體晶圓W的方法相同的方法，使封止體3個體化。使封止體3個體化的工程係讓封止體3黏合於切割片等的黏著片來實施亦可。

利用使封止體3個體化，製造半導體晶片CP單位的半導體封裝1。如上所述，在扇出於半導體晶片CP的區域外的外部電極墊5A連接外部端子電極6的半導體封裝1，係製造作為扇出型的晶圓級封裝(FO-WLP)。

〔安裝工程〕

在本實施形態中，包含將個體化的半導體封裝1，安裝於印刷配線基板等的工程為佳。

依據本實施形態，將前述實施形態的黏著片，使用來作為切割時黏合半導體晶圓W的第一切割片100。

將黏合於第一切割片100的第一區域101的半導體晶圓W藉由切割進行個體化，形成複數半導體晶片CP之後，利用抓住第二區域並拉伸第一切割片100，可大幅擴張複數半導體晶片CP之間的間隔。

又，依據本實施形態，大幅擴張複數半導體晶片CP之間的間隔之外，可利用封止構件30來覆蓋複數半導體晶片CP。而且，依據本實施形態，不需將被個體化的半導體晶片，一個個從黏著片藉由取放來再次排列於其他黏著片或支持體，可利用封止構件來覆蓋。因此，依據本實施形態，可簡略化WLP的製程的工程。

〔第七實施形態〕

以下，說明關於本發明的第七實施形態之半導體裝置的製造方法。

第七實施形態係使用第二切割片300及第二轉印用片400，來代替第一切割片100及第一轉印用片200，在將前述實施形態的黏著片，使用來作為第二轉印用片400之處，與第六實施形態不同。第七實施形態係於其他處，與第六實施形態相同，故省略或簡略化說明。

於圖12A，揭示被黏合於第二切割片300(第一黏著片)的半導體晶圓W。

在本實施形態中，將半導體晶圓黏合於第二切割片300。該第二切割片300係使用前述實施形態的黏著片亦可，使用與前述實施形態的黏著片不同之薄片亦可。

〔切割工程〕

於圖12B，揭示有被第二切割片300保持的複數半導體晶片CP。

被第二切割片300保持的半導體晶圓W係藉由切割而個體化，形成複數半導體晶片CP。

〔轉印工程〕

於圖12C，揭示用以說明將藉由切割而個體化之複數半導體晶片CP轉印至第二轉印用片400的工程(有稱為轉印工程之狀況)的圖。

在本實施形態中，將前述實施形態的黏著片，使用來作為第二轉印用片400。

藉由切割來形成複數半導體晶片CP之後，於半導體晶片CP的電路面W1，貼合第二轉印用片400。複數半導體晶片CP係被黏合於第二轉印用片400的第一區域401。

於圖13A，揭示剝離第二切割片300之後，被第二轉印用片400保持的複數半導體晶片CP。複數半導體晶片CP係被轉印至第二轉印用片400的第一區域401。

黏合第二轉印用片400之後，剝離第二切割片300的話，複數半導體晶片CP的背面W3會露出。剝離第二切割片300之後，也維持藉由切割所產生之複數半導體晶片CP之間的距離D為佳。

〔擴展工程〕

於圖13B，揭示用以說明拉伸保持複數半導體晶片CP之第二轉印用片400的工程(有稱為擴展工程之狀況)的圖。

在擴展工程中，抓住第二區域402，拉伸第二轉印用片400，擴張被黏合於第一區域401的複數半導體晶片CP之間的間隔。

於擴展工程中拉伸第二轉印用片400的方法並未特別限定。作為拉伸第二轉印用片400的方法，例如可舉出推頂環狀或圓狀的擴張機，拉伸第二轉印用片400的方法，及使用握持構件等，抓住並拉伸位於第二轉印用片400之外周部的第二區域402的方法等。

在本實施形態中，如圖13B所示，將擴展工程後之半導體晶片CP之間的距離設為D1。作為距離D1，例如設為200μm以上5000μm以下為佳。

依據本實施形態，將前述實施形態的黏著片，使用來作為使藉由切割而個體化之複數半導體晶片CP轉印，擴張半導體晶片CP之間的間隔時所使用的第二轉印用片400。

在第二切割片300上，將藉由切割所形成之複數半導體晶片CP，轉印至第二轉印用片400的第一區域401，剝離第二切割片300。之後，利用保持第二區域402，拉伸第二轉印用片400，可大幅擴張複數半導體晶片CP之間的間隔。又，與第六實施形態相同，即使藉由本實施形態，也可簡略化WLP的製程的工程。

〔實施形態的變形〕

本發明並未被上述的實施形態有所限定。本發明係在在可達成本發明的目的的範圍，包含將上述的實施形態加以變形的樣態等。

例如，半導體晶圓W及半導體晶片CP之電路等，並未被限定圖示之排列及形狀等。半導體封裝1之與外部端子電極6的連接構造等，也未被限定於在前述的實施形態中所說明之樣態。

又，已說明將補強構件15，黏合於對應黏著劑層14之第二區域12的部位，但是，本發明並不限定於此種樣態。例如，補強構件15係黏合於與基材薄膜13的第一面13A相反側的第二面13B亦可。

又，補強構件15係分別黏合於黏著片10的黏著劑層14上，與第二面13B亦可。

又，在第三實施形態中，已說明在黏著片10B之第二區域12B的四邊，設置切口17，但是，本發明並不限定於此種樣態。例如，形成於四邊的切口17係從黏著片10B的中心朝向外周，沿著放射狀的方向形成亦可。

又，形成於四邊的切口17係增加切口對象之邊的中央部附近的切口數量，減少邊之端部附近的切口數量亦可。

又，形成於四邊的切口17係在構成黏著片10B的基材薄膜的MD方向與CD方向，變更形成切口17的位置、切口17的數量亦可。

在第六實施形態中，已說明將實施形態的黏著片10、10A~10D，使用來作為第一切割片100的範例，但是，本發明的黏著片並不限定於該等範例。又，在第七實施形態中，已說明將實施形態的黏著片10、10A~10D，使用來作為第二轉印用片400的範例，但是，本發明的黏著片並不限定於該等範例。將實施形態的黏著片10、10A~10D，採用於切割片及轉印用片雙方亦可。此時，轉印用片的黏著劑層的黏合力大於切割片的黏著劑層的黏合力為佳。