JP2000114204A - ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 - Google Patents
ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置Info
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程と時間で、半導体素子を損なうこ
となく確実にダイボンドを行い生産性の向上を図ること
ができるダイボンド方法を提供する。 【解決手段】 両面に熱硬化性粘着層４３が被着された
ウエハシート２に半導体ウエハ１の裏面を接着してダイ
シングし、ウエハシート２をエキスパンドして分割溝４
１を拡幅した状態で半導体素子３をダイパッド３０上に
離隔位置決めし、圧縮空気通路５及び切り刃６を備えた
ダイボンドヘッド４を下降させて切り刃６で拡幅分割溝
のウエハシート２を切断して１素子化すると共に、圧縮
空気通路５から圧縮空気を噴出させて半導体素子３を押
圧しダイパッド３０面上にウエハシート２の熱硬化性粘
着層４３を接着する。
となく確実にダイボンドを行い生産性の向上を図ること
ができるダイボンド方法を提供する。 【解決手段】 両面に熱硬化性粘着層４３が被着された
ウエハシート２に半導体ウエハ１の裏面を接着してダイ
シングし、ウエハシート２をエキスパンドして分割溝４
１を拡幅した状態で半導体素子３をダイパッド３０上に
離隔位置決めし、圧縮空気通路５及び切り刃６を備えた
ダイボンドヘッド４を下降させて切り刃６で拡幅分割溝
のウエハシート２を切断して１素子化すると共に、圧縮
空気通路５から圧縮空気を噴出させて半導体素子３を押
圧しダイパッド３０面上にウエハシート２の熱硬化性粘
着層４３を接着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハシート及
びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造
装置に関し、特に、両面に熱硬化性粘着層を被着したウ
エハシートに裏面が接着された半導体ウエハを用いて、
１素子化とダイボンドとをほぼ同時に行って生産性の向
上を図ったウエハシート及びこれを用いた半導体装置の
製造方法並びに半導体製造装置に関する。
びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造
装置に関し、特に、両面に熱硬化性粘着層を被着したウ
エハシートに裏面が接着された半導体ウエハを用いて、
１素子化とダイボンドとをほぼ同時に行って生産性の向
上を図ったウエハシート及びこれを用いた半導体装置の
製造方法並びに半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の一つにボンディ
ング工程がある。この工程には、ウエハから一個ずつ分
離された半導体素子（ダイ）をダイパッド面上に接合す
るダイボンディング工程と、半導体素子３上に形成され
た電極（パッド）とインナーリード間を金属細線で電気
的に接続するワイヤボンディング工程とからなる。この
ボンディング工程のうち、ワイヤボンディングの自動化
が進むにつれて、ダイボンダの周辺作業である半導体素
子の供給の合理化が相対的に見て重要な課題となった。
その結果、ここ数年来各メーカで採用されているダイレ
クトピックアップ方式のダイ供給などが考え出され普及
している。図１０は、従来のダイレクトピックアップ方
式ダイボンド装置の概要を示す図であり、図１０（ａ）
はその斜視図、図１０（ｂ）は要部断面図である。図示
のように、ウエハシート２に接着された半導体素子３の
位置検出をしながら、良品素子だけを突き上げピン３８
で突き上げて吸着コレット３９で取り上げ、リードフレ
ーム２９のダイパッド３０上に移送しボンディングす
る。ここで、良品素子の検出の仕方として、不良素子の
表面に付けたインクマークの検出により良品素子を選別
する方法、良品素子のマップをフロッピーディスク（以
下、Ｆ／Ｄと言う。図示せず。）に記憶させ、その位置
情報により良品素子を選別する方法がある。
ング工程がある。この工程には、ウエハから一個ずつ分
離された半導体素子（ダイ）をダイパッド面上に接合す
るダイボンディング工程と、半導体素子３上に形成され
た電極（パッド）とインナーリード間を金属細線で電気
的に接続するワイヤボンディング工程とからなる。この
ボンディング工程のうち、ワイヤボンディングの自動化
が進むにつれて、ダイボンダの周辺作業である半導体素
子の供給の合理化が相対的に見て重要な課題となった。
その結果、ここ数年来各メーカで採用されているダイレ
クトピックアップ方式のダイ供給などが考え出され普及
している。図１０は、従来のダイレクトピックアップ方
式ダイボンド装置の概要を示す図であり、図１０（ａ）
はその斜視図、図１０（ｂ）は要部断面図である。図示
のように、ウエハシート２に接着された半導体素子３の
位置検出をしながら、良品素子だけを突き上げピン３８
で突き上げて吸着コレット３９で取り上げ、リードフレ
ーム２９のダイパッド３０上に移送しボンディングす
る。ここで、良品素子の検出の仕方として、不良素子の
表面に付けたインクマークの検出により良品素子を選別
する方法、良品素子のマップをフロッピーディスク（以
下、Ｆ／Ｄと言う。図示せず。）に記憶させ、その位置
情報により良品素子を選別する方法がある。
【０００３】ところが、両者共に、選別された半導体素
子３を突き上げピン３８で突き上げると共に吸着コレッ
ト３９で取り上げて離れた位置にある所定のダイパッド
３０上に移送してダイボンドするため、突き上げ時、吸
着時或いはダイボンド時等において半導体素子３に傷や
欠けを生じさせたりすることがあるのみならず、ボンデ
ィング工程全体の時間が長くなりスループットが低下す
るという問題もあった。 このような従来装置の問題点
を解決するため、例えば、半導体ウエハの表面に粘着テ
ープを貼付けて裏面からダイシングした後、ダイボンデ
ィング治具を用いて、個々に分離された半導体素子の表
面を粘着テープ越しに押圧して裏面をリードフレームの
素子搭載部に接着するという、一つの工程で粘着テープ
を剥がすと共に半導体素子の裏面を素子搭載部に接着す
る技術が特開平６−２０４２６７号公報に開示されてい
る。
子３を突き上げピン３８で突き上げると共に吸着コレッ
ト３９で取り上げて離れた位置にある所定のダイパッド
３０上に移送してダイボンドするため、突き上げ時、吸
着時或いはダイボンド時等において半導体素子３に傷や
欠けを生じさせたりすることがあるのみならず、ボンデ
ィング工程全体の時間が長くなりスループットが低下す
るという問題もあった。 このような従来装置の問題点
を解決するため、例えば、半導体ウエハの表面に粘着テ
ープを貼付けて裏面からダイシングした後、ダイボンデ
ィング治具を用いて、個々に分離された半導体素子の表
面を粘着テープ越しに押圧して裏面をリードフレームの
素子搭載部に接着するという、一つの工程で粘着テープ
を剥がすと共に半導体素子の裏面を素子搭載部に接着す
る技術が特開平６−２０４２６７号公報に開示されてい
る。
【０００４】しかし、上記のようなダイボンド方法にお
いては、半導体ウエハの表面に粘着テープを貼付けてい
るとはいえ、集積回路が形成されている半導体素子の表
面をダイボンディング治具により粘着テープ越しに押圧
するため、どうしても衝撃による集積回路へのダメージ
を生じる危険は残る。更に、半導体ウエハの表面に粘着
テープを貼付するため、ウエハ表面に設けられた電極表
面にも粘着材が付着して表面が汚染され、そのままで金
属細線をワイヤボンディングすると接合の信頼性が損な
われる恐れもある。この問題を解決するためには、電極
表面を清浄化する新たなプロセスが必要になると思われ
る。
いては、半導体ウエハの表面に粘着テープを貼付けてい
るとはいえ、集積回路が形成されている半導体素子の表
面をダイボンディング治具により粘着テープ越しに押圧
するため、どうしても衝撃による集積回路へのダメージ
を生じる危険は残る。更に、半導体ウエハの表面に粘着
テープを貼付するため、ウエハ表面に設けられた電極表
面にも粘着材が付着して表面が汚染され、そのままで金
属細線をワイヤボンディングすると接合の信頼性が損な
われる恐れもある。この問題を解決するためには、電極
表面を清浄化する新たなプロセスが必要になると思われ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな従来のダイボンド方法の問題点を解決するためにな
されたものであり、少ない工程で、半導体素子を損なう
ことなく確実にダイボンドを行い生産性の向上ができる
ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並
びに半導体製造装置を得ることを目的としている。
うな従来のダイボンド方法の問題点を解決するためにな
されたものであり、少ない工程で、半導体素子を損なう
ことなく確実にダイボンドを行い生産性の向上ができる
ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並
びに半導体製造装置を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るウエハシ
ートは、ダイシング前に半導体ウエハの裏面が接着され
るウエハシートを、伸縮性樹脂シートの両面に熱硬化性
粘着層を被着し構成したものである。また、伸縮性樹脂
シートを軟質塩化ビニールとしたものである。また、上
記伸縮性樹脂シートをポリイミド変性エポキシ樹脂に銀
フィラー４０ｗｔ％を含む構成としたものである。ま
た、伸縮性樹脂シートを導電性シートとし、その両面に
導電性の熱硬化性粘着層を被着し構成したものである。
更に、伸縮性樹脂シートに多数の貫通穴を設けたもので
ある。
ートは、ダイシング前に半導体ウエハの裏面が接着され
るウエハシートを、伸縮性樹脂シートの両面に熱硬化性
粘着層を被着し構成したものである。また、伸縮性樹脂
シートを軟質塩化ビニールとしたものである。また、上
記伸縮性樹脂シートをポリイミド変性エポキシ樹脂に銀
フィラー４０ｗｔ％を含む構成としたものである。ま
た、伸縮性樹脂シートを導電性シートとし、その両面に
導電性の熱硬化性粘着層を被着し構成したものである。
更に、伸縮性樹脂シートに多数の貫通穴を設けたもので
ある。
【０００７】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体ウエハの裏面に、伸縮性樹脂シートの両面
に熱硬化性粘着層が被着されたウエハシートの一方の面
を接着し、上記半導体ウエハをスルーカットダイシング
して複数の半導体素子に分割する工程と、分割された半
導体素子が接着されているウエハシートを引き伸ばして
各半導体素子間の分割溝を広げる工程と、半導体素子の
内の所要の素子をダイボンドすべきリードフレームのダ
イパッド上に離隔位置決めする工程と、ダイパッド上に
離隔位置決めされた半導体素子の周囲の拡幅分割溝のウ
エハシートを切断して半導体素子と一体に分離し、分離
された半導体素子が接着されているウエハシートの他方
の粘着面を上記ダイパッド面上に押圧する工程を含むよ
うにしたものである。更に、分離された半導体素子を圧
縮空気圧により押圧して、当該半導体素子が接着されて
いるウエハシートの他方の粘着面を上記ダイパッド面上
に押圧するようにしたものである。
法は、半導体ウエハの裏面に、伸縮性樹脂シートの両面
に熱硬化性粘着層が被着されたウエハシートの一方の面
を接着し、上記半導体ウエハをスルーカットダイシング
して複数の半導体素子に分割する工程と、分割された半
導体素子が接着されているウエハシートを引き伸ばして
各半導体素子間の分割溝を広げる工程と、半導体素子の
内の所要の素子をダイボンドすべきリードフレームのダ
イパッド上に離隔位置決めする工程と、ダイパッド上に
離隔位置決めされた半導体素子の周囲の拡幅分割溝のウ
エハシートを切断して半導体素子と一体に分離し、分離
された半導体素子が接着されているウエハシートの他方
の粘着面を上記ダイパッド面上に押圧する工程を含むよ
うにしたものである。更に、分離された半導体素子を圧
縮空気圧により押圧して、当該半導体素子が接着されて
いるウエハシートの他方の粘着面を上記ダイパッド面上
に押圧するようにしたものである。
【０００８】また、この発明に係る半導体製造装置は、
半導体素子が相互に分割状態で接着されているウエハシ
ートを保持したウエハシート保持体がリードフレームと
離隔して載置されるステージ部、ステージ部のダイボン
ド位置上に上下動可能に配置され、ダイボンド時に所定
の隙間をもって半導体素子を覆う凹部及びこの凹部の底
部に開口された圧縮空気通路並びに半導体素子間の拡幅
分割溝のウエハシートを切断する切り刃をその先端部に
有するダイボンドヘッドとダイボンドヘッドを駆動する
駆動部とを備えたダイボンド手段、半導体素子のダイボ
ンド時に圧縮空気通路に圧縮空気を供給する圧縮空気供
給手段を備えた構成としたものである。また、切り刃
を、ダイボンドすべき半導体素子の周囲の拡幅分割溝の
側面と所定の隙間をもって挿入可能に配置し上記ダイボ
ンドヘッドの先端部へ着脱可能にしたものである。ま
た、ステージ部をＸ、Ｙ軸方向に移動させて上記相互に
分割された半導体素子の内の所要の素子をダイボンドす
べきリードフレームのダイパッド上に移動しセットする
Ｘ−Ｙ軸方向移動手段、ステージ部に載置されたウエハ
シート保持体を回動して所要の半導体素子のセット位置
における傾き角度を回動修正する素子回動手段を備える
構成としたものである。
半導体素子が相互に分割状態で接着されているウエハシ
ートを保持したウエハシート保持体がリードフレームと
離隔して載置されるステージ部、ステージ部のダイボン
ド位置上に上下動可能に配置され、ダイボンド時に所定
の隙間をもって半導体素子を覆う凹部及びこの凹部の底
部に開口された圧縮空気通路並びに半導体素子間の拡幅
分割溝のウエハシートを切断する切り刃をその先端部に
有するダイボンドヘッドとダイボンドヘッドを駆動する
駆動部とを備えたダイボンド手段、半導体素子のダイボ
ンド時に圧縮空気通路に圧縮空気を供給する圧縮空気供
給手段を備えた構成としたものである。また、切り刃
を、ダイボンドすべき半導体素子の周囲の拡幅分割溝の
側面と所定の隙間をもって挿入可能に配置し上記ダイボ
ンドヘッドの先端部へ着脱可能にしたものである。ま
た、ステージ部をＸ、Ｙ軸方向に移動させて上記相互に
分割された半導体素子の内の所要の素子をダイボンドす
べきリードフレームのダイパッド上に移動しセットする
Ｘ−Ｙ軸方向移動手段、ステージ部に載置されたウエハ
シート保持体を回動して所要の半導体素子のセット位置
における傾き角度を回動修正する素子回動手段を備える
構成としたものである。
【０００９】更に、ダイボンドヘッドの圧縮空気通路が
ダイボンドすべき半導体素子表面中心の鉛直線上に配置
されており、鉛直線上で半導体素子表面へ向けて放射光
を発するようにダイボンドヘッドに配置された半導体レ
ーザ、半導体レーザの放射光による半導体素子表面上の
照射点を認識し、照射点を零点とする半導体素子の正常
位置からのＸ、Ｙ軸方向へのずれ値及び正常位置からの
傾き角度に関する位置情報信号を発信する素子位置認識
手段、素子位置認識手段の位置情報信号を受けて、Ｘ−
Ｙ軸方向移動手段又は素子回動手段にそれぞれＸ、Ｙ軸
方向のずれ値又は傾き角度の修正情報信号を発信し、半
導体素子の位置が修正されたときは、ダイボンド手段及
び圧縮空気供給手段に所定の動作をすべき動作命令信号
を発信するダイボンドコントローラを備える構成とした
ものである。
ダイボンドすべき半導体素子表面中心の鉛直線上に配置
されており、鉛直線上で半導体素子表面へ向けて放射光
を発するようにダイボンドヘッドに配置された半導体レ
ーザ、半導体レーザの放射光による半導体素子表面上の
照射点を認識し、照射点を零点とする半導体素子の正常
位置からのＸ、Ｙ軸方向へのずれ値及び正常位置からの
傾き角度に関する位置情報信号を発信する素子位置認識
手段、素子位置認識手段の位置情報信号を受けて、Ｘ−
Ｙ軸方向移動手段又は素子回動手段にそれぞれＸ、Ｙ軸
方向のずれ値又は傾き角度の修正情報信号を発信し、半
導体素子の位置が修正されたときは、ダイボンド手段及
び圧縮空気供給手段に所定の動作をすべき動作命令信号
を発信するダイボンドコントローラを備える構成とした
ものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施の形態１を図面に基づいて説明する。図１（ａ）〜
（ｆ）は、この発明の実施の形態１のダイボンド工程ま
での製造工程を工程順に示した図であり、以下の工程か
ら成る。 ア．ウエハシート接着工程（図１（ａ））；８０〜１２
０μｍ程度の厚さの軟質塩化ビニールテープの両面に熱
硬化性粘着層４３を被着して成るウエハシート２の一方
の面に、半導体ウエハ１の裏面を接着する。軟質塩化ビ
ニールテープは安価な伸縮性に富む材料であり、エキス
パンド工程に適している。なお、この場合の半導体ウエ
ハ１に形成されている集積回路はウエハテストにおいて
良否の判定がされ、良品素子のマップはＦ／Ｄ（図示せ
ず。）に記憶されている。 イ．ウエハダイシング工程（図１（ｂ））；ダイシング
ソーを用いて半導体ウエハ１を個々の素子の境界に沿っ
てダイシングによる分割溝４１を形成し、ウエハシート
２を残して完全に切断（以下、スルーカットという。）
し半導体素子３に分離する。 ウ．エキスパンド工程（図１（ｃ））；ウエハシート２
を引き伸ばして支持リング（図示せず。）に締め付け、
バンドで固定してウエハシート保持体（いずれも図示せ
ず。）を作成する。これにより、半導体素子３相互間の
分割溝４１を、例えば１．５〜２．０ｍｍ程度に広げて
拡幅分割溝４２を形成する。
実施の形態１を図面に基づいて説明する。図１（ａ）〜
（ｆ）は、この発明の実施の形態１のダイボンド工程ま
での製造工程を工程順に示した図であり、以下の工程か
ら成る。 ア．ウエハシート接着工程（図１（ａ））；８０〜１２
０μｍ程度の厚さの軟質塩化ビニールテープの両面に熱
硬化性粘着層４３を被着して成るウエハシート２の一方
の面に、半導体ウエハ１の裏面を接着する。軟質塩化ビ
ニールテープは安価な伸縮性に富む材料であり、エキス
パンド工程に適している。なお、この場合の半導体ウエ
ハ１に形成されている集積回路はウエハテストにおいて
良否の判定がされ、良品素子のマップはＦ／Ｄ（図示せ
ず。）に記憶されている。 イ．ウエハダイシング工程（図１（ｂ））；ダイシング
ソーを用いて半導体ウエハ１を個々の素子の境界に沿っ
てダイシングによる分割溝４１を形成し、ウエハシート
２を残して完全に切断（以下、スルーカットという。）
し半導体素子３に分離する。 ウ．エキスパンド工程（図１（ｃ））；ウエハシート２
を引き伸ばして支持リング（図示せず。）に締め付け、
バンドで固定してウエハシート保持体（いずれも図示せ
ず。）を作成する。これにより、半導体素子３相互間の
分割溝４１を、例えば１．５〜２．０ｍｍ程度に広げて
拡幅分割溝４２を形成する。
【００１１】エ．位置決め工程（図１（ｄ））；ウエハ
シート保持体をダイボンド装置の移動台板のステージ部
（いずれも図示せず。）上にセットし、ウエハシート２
とリードフレーム２９との間の距離を、例えば約２〜３
ｍｍとした状態で、半導体レーザ１２、ＣＣＤカメラ１
３、Ｘ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段（いずれも
図示せず。）を用いてダイボンドすべき半導体素子３を
ダイパッド３０上に離隔位置決めする。なお、この場
合、ダイパッド３０はその下部に設けられているヒート
ブロック３４により５０℃〜８０℃程度に予熱されてい
る。 オ．１素子化工程（図１（ｅ））；ダイボンドヘッド４
を下降させてその凹部７内で半導体素子３を覆い、先端
部に設けられた切り刃６を上記分離された半導体素子３
相互間の拡幅分割溝４２に入れてウエハシート２を切断
し１素子化する。この時、凹部７内壁は半導体素子３に
は一切接触せず、切り刃６の先端はリードフレーム３０
に達しない。 カ．ダイボンド工程（図１（ｆ））；ダイボンドすべき
半導体素子３を１素子化するのと殆ど同じタイミングで
ダイボンドヘッド４の圧縮空気通路５から圧縮空気を噴
出させ、半導体素子３の表面を押圧して裏面に接着され
ているウエハシート２の他方の粘着面をダイパッド３０
上に接着し、ヒートブロック３４を、例えば１５０〜２
５０°Ｃに加熱して熱硬化性粘着層４３を加熱硬化させ
る。なお、圧縮空気通路５内外の矢印は圧縮空気の流れ
の方向を示す。
シート保持体をダイボンド装置の移動台板のステージ部
（いずれも図示せず。）上にセットし、ウエハシート２
とリードフレーム２９との間の距離を、例えば約２〜３
ｍｍとした状態で、半導体レーザ１２、ＣＣＤカメラ１
３、Ｘ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段（いずれも
図示せず。）を用いてダイボンドすべき半導体素子３を
ダイパッド３０上に離隔位置決めする。なお、この場
合、ダイパッド３０はその下部に設けられているヒート
ブロック３４により５０℃〜８０℃程度に予熱されてい
る。 オ．１素子化工程（図１（ｅ））；ダイボンドヘッド４
を下降させてその凹部７内で半導体素子３を覆い、先端
部に設けられた切り刃６を上記分離された半導体素子３
相互間の拡幅分割溝４２に入れてウエハシート２を切断
し１素子化する。この時、凹部７内壁は半導体素子３に
は一切接触せず、切り刃６の先端はリードフレーム３０
に達しない。 カ．ダイボンド工程（図１（ｆ））；ダイボンドすべき
半導体素子３を１素子化するのと殆ど同じタイミングで
ダイボンドヘッド４の圧縮空気通路５から圧縮空気を噴
出させ、半導体素子３の表面を押圧して裏面に接着され
ているウエハシート２の他方の粘着面をダイパッド３０
上に接着し、ヒートブロック３４を、例えば１５０〜２
５０°Ｃに加熱して熱硬化性粘着層４３を加熱硬化させ
る。なお、圧縮空気通路５内外の矢印は圧縮空気の流れ
の方向を示す。
【００１２】以上のように、１素子化と素子のダイボン
ドとを殆ど同時に、かつ確実に行えるので、ダイボンド
工程までに要する工程が少なくなり生産性が向上する。
また、半導体素子３をリードフレーム２９から離隔した
状態でウエハシート２を切断して１素子化し、圧縮空気
を噴出させて半導体素子３をダイパッド３０面上に押圧
しダイボンドするので、半導体素子３に機械的な力は一
切加わらず、傷や欠けを生じることがない。また、切り
刃６によりリードフレーム２９が切断されることもな
い。
ドとを殆ど同時に、かつ確実に行えるので、ダイボンド
工程までに要する工程が少なくなり生産性が向上する。
また、半導体素子３をリードフレーム２９から離隔した
状態でウエハシート２を切断して１素子化し、圧縮空気
を噴出させて半導体素子３をダイパッド３０面上に押圧
しダイボンドするので、半導体素子３に機械的な力は一
切加わらず、傷や欠けを生じることがない。また、切り
刃６によりリードフレーム２９が切断されることもな
い。
【００１３】図２は、上記エキスパンド工程により作成
されたウエハシート保持体の平面図であり、図３は、そ
のIII-III 方向に見た断面図である。図示のようにウエ
ハシート保持体１５は、分離された半導体素子３が接着
されたウエハシート２が支持リング１６の外側に引き伸
ばされ、支持リング１６の外側面に設けた溝にバンド１
７で締め付け固定された構成となっている。そして、固
定ローラ１８ａ，１８ｂ、可動ローラ１９、及びリード
フレーム２９とは図２，３に示す相互位置関係となるよ
うに、ダイボンド装置の移動台板のステージ部２２ａ上
にセットされ、以後の工程（位置決め工程、１素子化工
程、ダイボンド工程）が進められる。
されたウエハシート保持体の平面図であり、図３は、そ
のIII-III 方向に見た断面図である。図示のようにウエ
ハシート保持体１５は、分離された半導体素子３が接着
されたウエハシート２が支持リング１６の外側に引き伸
ばされ、支持リング１６の外側面に設けた溝にバンド１
７で締め付け固定された構成となっている。そして、固
定ローラ１８ａ，１８ｂ、可動ローラ１９、及びリード
フレーム２９とは図２，３に示す相互位置関係となるよ
うに、ダイボンド装置の移動台板のステージ部２２ａ上
にセットされ、以後の工程（位置決め工程、１素子化工
程、ダイボンド工程）が進められる。
【００１４】次に、上記製造工程エ〜カを行うダイボン
ド装置の構成について説明する。図４は、この発明のダ
イボンド装置の構成の概要を示す斜視図である。図示の
ように、ウエハシート保持体１５が載置されるステージ
部２２ａを有する移動台板２２は、その固定部２２ｂが
Ｙ軸方向に移動できるＹ軸動テーブル２３上に固定さ
れ、Ｙ軸動テーブル２３は、Ｘ軸方向に移動可能なＸ軸
動テーブル２５のガイド上を移動できるように取り付け
られ、Ｘ軸動テーブル２５は、固定台板２７のガイド上
を移動できるように取り付けられている。そして、移動
台板２２及びＹ軸動テーブル２３はＸ軸動テーブル２５
に取り付けられたボールネジ軸付きＹ軸移動用モータ２
４により、Ｘ軸動テーブル２５は固定台板２７に取り付
けられたボールネジ軸付きＸ軸移動用モータ２６によ
り、それぞれＹ軸又はＸ軸方向に移動できるようになっ
ている。ここで、Ｙ軸動テーブル２３、Ｙ軸移動用モー
タ２４、Ｘ軸動テーブル２５、Ｘ軸移動用モータ２６及
び固定台板２７によりＸ−Ｙ軸方向移動手段２８が構成
され、本手段により半導体素子３はダイボンド位置に移
動される。移動台板２２のステージ部２２ａには、載置
されるウエハシート保持体１５の所定位置への位置決め
用兼ウエハシート保持体１５の外周回動用としてテフロ
ン製の固定ローラ１８ａ，１８ｂ及び可動ローラ１９が
相互に１２０度ピッチでウエハシート保持体１５の外周
に接して回転できるように取り付けられており、固定ロ
ーラ１８ｂに連結されたローラ駆動用モータ２０により
ウエハシート保持体１５の外周は回動される。可動ロー
ラ１９は、ウエハシート保持体収納ケース３３からウエ
ハシート保持体１５がステージ部２２ａへ供給される際
には、その通過の支障とならないように一時的に退避
し、通過後は回復してウエハシート保持体１５の外周を
軽く押圧して接するようになっている（図示せず）。な
お、ステージ部２２ａのウエハシート保持体１５が載置
される部分には、ウエハシート２の粘着材が接着して回
動を阻害しないように予めテフロンコーティングが施さ
れている。ここで、固定ローラ１８ａ，１８ｂ、可動ロ
ーラ１９、及びローラ駆動用モータ２０により素子回動
手段２１が構成され、本手段によりウエハシート保持体
１５が回動されて半導体素子３の傾きが修正される。
ド装置の構成について説明する。図４は、この発明のダ
イボンド装置の構成の概要を示す斜視図である。図示の
ように、ウエハシート保持体１５が載置されるステージ
部２２ａを有する移動台板２２は、その固定部２２ｂが
Ｙ軸方向に移動できるＹ軸動テーブル２３上に固定さ
れ、Ｙ軸動テーブル２３は、Ｘ軸方向に移動可能なＸ軸
動テーブル２５のガイド上を移動できるように取り付け
られ、Ｘ軸動テーブル２５は、固定台板２７のガイド上
を移動できるように取り付けられている。そして、移動
台板２２及びＹ軸動テーブル２３はＸ軸動テーブル２５
に取り付けられたボールネジ軸付きＹ軸移動用モータ２
４により、Ｘ軸動テーブル２５は固定台板２７に取り付
けられたボールネジ軸付きＸ軸移動用モータ２６によ
り、それぞれＹ軸又はＸ軸方向に移動できるようになっ
ている。ここで、Ｙ軸動テーブル２３、Ｙ軸移動用モー
タ２４、Ｘ軸動テーブル２５、Ｘ軸移動用モータ２６及
び固定台板２７によりＸ−Ｙ軸方向移動手段２８が構成
され、本手段により半導体素子３はダイボンド位置に移
動される。移動台板２２のステージ部２２ａには、載置
されるウエハシート保持体１５の所定位置への位置決め
用兼ウエハシート保持体１５の外周回動用としてテフロ
ン製の固定ローラ１８ａ，１８ｂ及び可動ローラ１９が
相互に１２０度ピッチでウエハシート保持体１５の外周
に接して回転できるように取り付けられており、固定ロ
ーラ１８ｂに連結されたローラ駆動用モータ２０により
ウエハシート保持体１５の外周は回動される。可動ロー
ラ１９は、ウエハシート保持体収納ケース３３からウエ
ハシート保持体１５がステージ部２２ａへ供給される際
には、その通過の支障とならないように一時的に退避
し、通過後は回復してウエハシート保持体１５の外周を
軽く押圧して接するようになっている（図示せず）。な
お、ステージ部２２ａのウエハシート保持体１５が載置
される部分には、ウエハシート２の粘着材が接着して回
動を阻害しないように予めテフロンコーティングが施さ
れている。ここで、固定ローラ１８ａ，１８ｂ、可動ロ
ーラ１９、及びローラ駆動用モータ２０により素子回動
手段２１が構成され、本手段によりウエハシート保持体
１５が回動されて半導体素子３の傾きが修正される。
【００１５】ウエハシート保持体１５のダイボンド位置
上には、図１に示すように、その鉛直線上を上下動する
ダイボンドヘッド４が配置されており、ダイボンドヘッ
ド４には、ダイボンドすべき半導体素子３を所定の隙間
をもって覆う凹部７（図４では図示せず）及びこの凹部
７の底部に開口された圧縮空気通路５を有し、その先端
部にダイボンドすべき半導体素子３の周囲の拡幅分割溝
４２のウエハシート２を切断する切り刃６が設けられ、
ダイボンドヘッド４は駆動装置（図示せず）により上下
動される。圧縮空気通路５と圧縮空気発生装置９との間
はフレキシブルチューブ１０で接続されており、ダイボ
ンド時に圧縮空気が導入される。ダイボンドヘッド４と
上記駆動装置とでダイボンド手段８が構成され、圧縮空
気発生装置９とフレキシブルチューブ１０とで圧縮空気
供給手段１１が構成される。予めＦ／Ｄ３２に書き込ま
れた良品素子の位置情報に基づきダイボンドすべき半導
体素子３がダイボンド位置にセットされると、半導体レ
ーザ１２が動作し放射光が当該半導体素子３表面のＦ点
に照射される。この照射光はＣＣＤカメラ１３でキャッ
チされ、照射位置Ｆ点を基準とした当該半導体素子３の
セット位置情報信号がＣＣＤカメラ１３からダイボンド
コントローラ３１に発信される。半導体レーザ１２とＣ
ＣＤカメラ１３とで素子位置認識手段が構成される。ダ
イボンドコントローラ３１は、受信したセット位置情報
信号に基づき当該半導体素子３のセット位置の適性の可
否を判断し、不適性であればローラ駆動用モータ２０、
Ｙ軸移動用モータ２４或いはＸ軸移動用モータ２６に修
正情報信号を発信して当該半導体素子３のセット位置を
修正し、ダイボンド手段８及び圧縮空気供給手段１１に
動作命令信号を発信してダイボンド作業が遂行される。
なお、ダイボンドコントローラ３１への入／出線の矢印
は、情報の流れる方向を示す。
上には、図１に示すように、その鉛直線上を上下動する
ダイボンドヘッド４が配置されており、ダイボンドヘッ
ド４には、ダイボンドすべき半導体素子３を所定の隙間
をもって覆う凹部７（図４では図示せず）及びこの凹部
７の底部に開口された圧縮空気通路５を有し、その先端
部にダイボンドすべき半導体素子３の周囲の拡幅分割溝
４２のウエハシート２を切断する切り刃６が設けられ、
ダイボンドヘッド４は駆動装置（図示せず）により上下
動される。圧縮空気通路５と圧縮空気発生装置９との間
はフレキシブルチューブ１０で接続されており、ダイボ
ンド時に圧縮空気が導入される。ダイボンドヘッド４と
上記駆動装置とでダイボンド手段８が構成され、圧縮空
気発生装置９とフレキシブルチューブ１０とで圧縮空気
供給手段１１が構成される。予めＦ／Ｄ３２に書き込ま
れた良品素子の位置情報に基づきダイボンドすべき半導
体素子３がダイボンド位置にセットされると、半導体レ
ーザ１２が動作し放射光が当該半導体素子３表面のＦ点
に照射される。この照射光はＣＣＤカメラ１３でキャッ
チされ、照射位置Ｆ点を基準とした当該半導体素子３の
セット位置情報信号がＣＣＤカメラ１３からダイボンド
コントローラ３１に発信される。半導体レーザ１２とＣ
ＣＤカメラ１３とで素子位置認識手段が構成される。ダ
イボンドコントローラ３１は、受信したセット位置情報
信号に基づき当該半導体素子３のセット位置の適性の可
否を判断し、不適性であればローラ駆動用モータ２０、
Ｙ軸移動用モータ２４或いはＸ軸移動用モータ２６に修
正情報信号を発信して当該半導体素子３のセット位置を
修正し、ダイボンド手段８及び圧縮空気供給手段１１に
動作命令信号を発信してダイボンド作業が遂行される。
なお、ダイボンドコントローラ３１への入／出線の矢印
は、情報の流れる方向を示す。
【００１６】次に、上記ダイボンド装置によるダイボン
ド方法につき詳細に説明する。図５は、上記ダイボンド
装置の動作手順を示すフローチャートであり、図６は、
ダイボンドすべき半導体素子の不適性な位置を修正する
手順を示す図である。まず、Ｆ／Ｄ３２に書き込まれた
良品素子マップ情報を基にダイボンドすべき半導体素子
３をダイボンド位置にセットするように、ウエハシート
保持体１５をＸ，Ｙ軸方向へ移動すべき素子仮セット命
令信号がダイボンドコントローラ３１から出され（Ｓ
１）、この素子仮セット命令信号を受信したＹ軸移動用
モータ２４及びＸ軸移動用モータ２６は、素子仮セット
命令信号に従いＹ軸動テーブル２３及びＸ軸動テーブル
２５を移動させて、移動台板２２のステージ部２２ａに
搭載されているウエハシート保持体１５に支持された半
導体素子３をダイボンド位置へ仮セットする（Ｓ２）。
そうすると、半導体レーザ１２から放射光がダイボンド
中心点に放射され、上記半導体素子３表面のＦ点を照射
光が照らす。ＣＣＤカメラ１３はＦ点の照射光をキャッ
チし、Ｆ点を零点とする二つのコーナの座標位置情報Ｐ
1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）をダイボンド
コントローラ３１へ発信する（Ｓ３、図６（ａ））。ダ
イボンドコントローラ３１は、受信した座標位置情報Ｐ
1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）を基にその半
導体素子３の稜線Ｌの勾配Ｍを１式で算出してＸ軸に対
する傾斜角Θを２式で算出し、次いでＹ軸に対する傾斜
角Ａを３式で算出して、正勾配の場合は左回りに、負勾
配の場合は右回りに、ウエハシート保持体１５を角度Ａ
だけ回動するようローラ駆動用モータ２０に角度修正情
報信号を発信する（Ｓ４）。 Ｍ＝（ｙ1 −ｙ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ） ・・・・（１） Θ＝ｔａｎ-1｜（ｙ1 −ｙ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ）｜ ・・・・（２） Ａ＝９０−Θ ・・・・（３） 角度修正情報信号を受信したローラ駆動用モータ２０
は、情報信号に従い固定ローラ１８ｂを介して角度Ａだ
け所要の方向にウエハシート保持体１５を回動させて半
導体素子３の傾きを修正する（Ｓ５）。そして、ＣＣＤ
カメラ１３は上記二つのコーナの修正された座標位置情
報Ｐ1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）を上記と
同様にして読取りダイボンドコントローラ３１へ発信す
る（Ｓ６）。 ダイボンドコントローラ３１は、受信し
た修正座標位置情報Ｐ1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ
2 ，ｙ2 ）を基に上記半導体素子３のＹ軸に対する傾斜
角Ａが裕度内にあるか否かをチェックし、裕度内になけ
れば再び上記と同様に修正動作を行い、裕度内にあれば
次のステップへ進む（Ｓ７）。
ド方法につき詳細に説明する。図５は、上記ダイボンド
装置の動作手順を示すフローチャートであり、図６は、
ダイボンドすべき半導体素子の不適性な位置を修正する
手順を示す図である。まず、Ｆ／Ｄ３２に書き込まれた
良品素子マップ情報を基にダイボンドすべき半導体素子
３をダイボンド位置にセットするように、ウエハシート
保持体１５をＸ，Ｙ軸方向へ移動すべき素子仮セット命
令信号がダイボンドコントローラ３１から出され（Ｓ
１）、この素子仮セット命令信号を受信したＹ軸移動用
モータ２４及びＸ軸移動用モータ２６は、素子仮セット
命令信号に従いＹ軸動テーブル２３及びＸ軸動テーブル
２５を移動させて、移動台板２２のステージ部２２ａに
搭載されているウエハシート保持体１５に支持された半
導体素子３をダイボンド位置へ仮セットする（Ｓ２）。
そうすると、半導体レーザ１２から放射光がダイボンド
中心点に放射され、上記半導体素子３表面のＦ点を照射
光が照らす。ＣＣＤカメラ１３はＦ点の照射光をキャッ
チし、Ｆ点を零点とする二つのコーナの座標位置情報Ｐ
1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）をダイボンド
コントローラ３１へ発信する（Ｓ３、図６（ａ））。ダ
イボンドコントローラ３１は、受信した座標位置情報Ｐ
1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）を基にその半
導体素子３の稜線Ｌの勾配Ｍを１式で算出してＸ軸に対
する傾斜角Θを２式で算出し、次いでＹ軸に対する傾斜
角Ａを３式で算出して、正勾配の場合は左回りに、負勾
配の場合は右回りに、ウエハシート保持体１５を角度Ａ
だけ回動するようローラ駆動用モータ２０に角度修正情
報信号を発信する（Ｓ４）。 Ｍ＝（ｙ1 −ｙ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ） ・・・・（１） Θ＝ｔａｎ-1｜（ｙ1 −ｙ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ）｜ ・・・・（２） Ａ＝９０−Θ ・・・・（３） 角度修正情報信号を受信したローラ駆動用モータ２０
は、情報信号に従い固定ローラ１８ｂを介して角度Ａだ
け所要の方向にウエハシート保持体１５を回動させて半
導体素子３の傾きを修正する（Ｓ５）。そして、ＣＣＤ
カメラ１３は上記二つのコーナの修正された座標位置情
報Ｐ1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ2 ，ｙ2 ）を上記と
同様にして読取りダイボンドコントローラ３１へ発信す
る（Ｓ６）。 ダイボンドコントローラ３１は、受信し
た修正座標位置情報Ｐ1 （ｘ1 ，ｙ1 ）及びＰ2 （ｘ
2 ，ｙ2 ）を基に上記半導体素子３のＹ軸に対する傾斜
角Ａが裕度内にあるか否かをチェックし、裕度内になけ
れば再び上記と同様に修正動作を行い、裕度内にあれば
次のステップへ進む（Ｓ７）。
【００１７】次に、ＣＣＤカメラ１３は上記Ｆ点を零点
とするコーナの座標位置情報Ｐ3（ｘ3 ，ｙ3 ）を読取
り、ダイボンドコントローラ３１へ発信する（Ｓ８、図
６（ｂ））。ダイボンドコントローラ３１は、受信した
座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3 ）を予めメモリに記憶さ
れている正しい座標値Ｐn （ｘn ，ｙn ）と比較し、そ
の半導体素子３のＸ，Ｙ軸方向のズレ量を４式及び５式
で算出してＹ軸移動用モータ２４及びＸ軸移動用モータ
２６に位置修正情報信号を発信する（Ｓ９）。 Δｘ＝ｘn −ｘ3 ・・・・（４） Δｙ＝ｙn −ｙ3 ・・・・（５） 位置修正情報信号を受信したＹ軸移動用モータ２４及び
Ｘ軸移動用モータ２６は、情報信号に従いＹ軸動テーブ
ル２３及びＸ軸動テーブル２５をΔｘ，Δｙだけ移動さ
せて半導体素子３のズレ量を修正する（Ｓ１０、図６
（ｃ））。そして、ＣＣＤカメラ１３は上記コーナの修
正された座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3 ）を上記と同様
にして読取りダイボンドコントローラ３１へ送信する
（Ｓ１１）。ダイボンドコントローラ３１は、受信した
修正座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3）を基に上記半導体
素子３のＸ，Ｙ軸方向のズレ量が裕度内にあるか否かを
チェックし、裕度内になければ再び上記と同様に修正動
作を行い、裕度内にあれば次のステップへ進む（Ｓ１
２）。
とするコーナの座標位置情報Ｐ3（ｘ3 ，ｙ3 ）を読取
り、ダイボンドコントローラ３１へ発信する（Ｓ８、図
６（ｂ））。ダイボンドコントローラ３１は、受信した
座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3 ）を予めメモリに記憶さ
れている正しい座標値Ｐn （ｘn ，ｙn ）と比較し、そ
の半導体素子３のＸ，Ｙ軸方向のズレ量を４式及び５式
で算出してＹ軸移動用モータ２４及びＸ軸移動用モータ
２６に位置修正情報信号を発信する（Ｓ９）。 Δｘ＝ｘn −ｘ3 ・・・・（４） Δｙ＝ｙn −ｙ3 ・・・・（５） 位置修正情報信号を受信したＹ軸移動用モータ２４及び
Ｘ軸移動用モータ２６は、情報信号に従いＹ軸動テーブ
ル２３及びＸ軸動テーブル２５をΔｘ，Δｙだけ移動さ
せて半導体素子３のズレ量を修正する（Ｓ１０、図６
（ｃ））。そして、ＣＣＤカメラ１３は上記コーナの修
正された座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3 ）を上記と同様
にして読取りダイボンドコントローラ３１へ送信する
（Ｓ１１）。ダイボンドコントローラ３１は、受信した
修正座標位置情報Ｐ3 （ｘ3 ，ｙ3）を基に上記半導体
素子３のＸ，Ｙ軸方向のズレ量が裕度内にあるか否かを
チェックし、裕度内になければ再び上記と同様に修正動
作を行い、裕度内にあれば次のステップへ進む（Ｓ１
２）。
【００１８】次に、ダイボンドコントローラ３１は、ダ
イボンド手段８に動作命令信号を発信する（Ｓ１３）。
命令信号に従いボンディングヘッド４が所定位置まで下
降され、先端の切り刃６が半導体素子３の周囲の拡幅分
割溝４２のウエハシート２を切断し１素子化する（Ｓ１
４）。また、殆ど同じタイミングでダイボンドコントロ
ーラ３１は圧縮空気供給手段１１に動作命令信号を発信
し（Ｓ１５）、圧縮空気がフレキシブルチューブ１０、
圧縮空気通路５を経てボンディングヘッド４の凹部７へ
噴出され、半導体素子３はその圧力により押圧されてウ
エハシート２の他方の粘着面がダイパッド３０面上に接
着されダイボンドされる（Ｓ１６）。そうして、ダイパ
ッド３０がヒートブロック３４によって加熱されること
により熱硬化性粘着層４３は加熱硬化され、ダイボンド
が終了する（Ｓ１７）。
イボンド手段８に動作命令信号を発信する（Ｓ１３）。
命令信号に従いボンディングヘッド４が所定位置まで下
降され、先端の切り刃６が半導体素子３の周囲の拡幅分
割溝４２のウエハシート２を切断し１素子化する（Ｓ１
４）。また、殆ど同じタイミングでダイボンドコントロ
ーラ３１は圧縮空気供給手段１１に動作命令信号を発信
し（Ｓ１５）、圧縮空気がフレキシブルチューブ１０、
圧縮空気通路５を経てボンディングヘッド４の凹部７へ
噴出され、半導体素子３はその圧力により押圧されてウ
エハシート２の他方の粘着面がダイパッド３０面上に接
着されダイボンドされる（Ｓ１６）。そうして、ダイパ
ッド３０がヒートブロック３４によって加熱されること
により熱硬化性粘着層４３は加熱硬化され、ダイボンド
が終了する（Ｓ１７）。
【００１９】なお、上記実施の形態１におけるウエハシ
ート２は軟質塩化ビニールを基材としたものを示した
が、半導体装置としての半導体素子３とダイパッド３０
間の熱伝導を良好にするため、例えば、８０〜１２０μ
ｍ程度の厚さのボリイミド変性させたエポキシ樹脂に４
０ｗｔ％の銀フィラーを入れたものでもよい。この場
合、弾性を十分確保しながら良好な熱伝導特性を持つシ
ートが得られる。なお、この場合、シートの伸縮性を更
に増すため、次の実施の形態２の図７に示すように、直
径０．２ｍｍの貫通穴３６を０．３〜０．５ｍｍピッチ
で多数設けてもよい。
ート２は軟質塩化ビニールを基材としたものを示した
が、半導体装置としての半導体素子３とダイパッド３０
間の熱伝導を良好にするため、例えば、８０〜１２０μ
ｍ程度の厚さのボリイミド変性させたエポキシ樹脂に４
０ｗｔ％の銀フィラーを入れたものでもよい。この場
合、弾性を十分確保しながら良好な熱伝導特性を持つシ
ートが得られる。なお、この場合、シートの伸縮性を更
に増すため、次の実施の形態２の図７に示すように、直
径０．２ｍｍの貫通穴３６を０．３〜０．５ｍｍピッチ
で多数設けてもよい。
【００２０】実施の形態２．図７は、この発明の実施の
形態２における穴明きウエハシートの平面図である。
穴明きウエハシート３５は、８０〜１２０μｍ程度の厚
さのボリイミド変性させたエポキシ樹脂に少なくとも８
０ｗｔ％の銀フィラーを入れて導電性を持たせフィルム
状に形成し、シートの伸縮性を増すために、例えば、直
径０．２ｍｍの貫通穴３６を０．３〜０．５ｍｍピッチ
で多数設け、両面に７０ｗｔ％の銀を含む導電性の熱硬
化性樹脂粘着層４３を被着したものである。銀フィラー
の含有量は、樹脂シートでは８０ｗｔ％近傍で十分な導
電性を示し、ペースト樹脂材では７０ｗｔ％で十分な導
電性を示すからである。なお、本穴明きウエハシート３
５を用いたダイボンド工程は、実施の形態１におけるも
のと全く同様である。本穴明きウエハシート３５を導電
性を有するものとしたことにより、半導体素子の裏面を
接地レベルにする必要のある半導体装置のダイボンド作
業を、信頼性高く、少ない工程数で実施でき生産性を向
上できる効果がある。
形態２における穴明きウエハシートの平面図である。
穴明きウエハシート３５は、８０〜１２０μｍ程度の厚
さのボリイミド変性させたエポキシ樹脂に少なくとも８
０ｗｔ％の銀フィラーを入れて導電性を持たせフィルム
状に形成し、シートの伸縮性を増すために、例えば、直
径０．２ｍｍの貫通穴３６を０．３〜０．５ｍｍピッチ
で多数設け、両面に７０ｗｔ％の銀を含む導電性の熱硬
化性樹脂粘着層４３を被着したものである。銀フィラー
の含有量は、樹脂シートでは８０ｗｔ％近傍で十分な導
電性を示し、ペースト樹脂材では７０ｗｔ％で十分な導
電性を示すからである。なお、本穴明きウエハシート３
５を用いたダイボンド工程は、実施の形態１におけるも
のと全く同様である。本穴明きウエハシート３５を導電
性を有するものとしたことにより、半導体素子の裏面を
接地レベルにする必要のある半導体装置のダイボンド作
業を、信頼性高く、少ない工程数で実施でき生産性を向
上できる効果がある。
【００２１】実施の形態３．図８及び図９は、この発明
の実施の形態３におけるダイボンド装置のダイボンドヘ
ッドの構成を示す図であり、図８はその一部断面側面
図、図９は図８の底面図である。図に示すように、ダイ
ボンドすべき半導体素子３の拡幅分割溝４２に所定の隙
間をもって挿入可能に形成された切り刃６を有する切り
刃付属体３７が取付けネジ３８でボンデイングヘッド４
の先端部に取付けられている。ボンディングすべき半導
体素子３のサイズに対応する切り刃６を備えた切り刃付
属体３７をボンデイングヘッド４の先端部に着脱できる
ようにしたので、半導体装置の品種への対応が極めて容
易、かつ迅速にできる効果がある。
の実施の形態３におけるダイボンド装置のダイボンドヘ
ッドの構成を示す図であり、図８はその一部断面側面
図、図９は図８の底面図である。図に示すように、ダイ
ボンドすべき半導体素子３の拡幅分割溝４２に所定の隙
間をもって挿入可能に形成された切り刃６を有する切り
刃付属体３７が取付けネジ３８でボンデイングヘッド４
の先端部に取付けられている。ボンディングすべき半導
体素子３のサイズに対応する切り刃６を備えた切り刃付
属体３７をボンデイングヘッド４の先端部に着脱できる
ようにしたので、半導体装置の品種への対応が極めて容
易、かつ迅速にできる効果がある。
【００２２】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ので、以下に示すような効果を奏する。ウエハシートを
両面に熱硬化性粘着層が被着された伸縮性樹脂シートで
構成したので、ダイシング時に接着されている半導体素
子の１素子化とダイボンドとをほぼ同時に実現できる。
また、伸縮性樹脂シートとして軟質塩化ビニールを用い
たことにより、安価なウエハシートが得られる。また、
伸縮性樹脂シートとしてポリイミド変性エポキシ樹脂に
銀フィラー４０ｗｔ％を含むものを用いたことにより、
樹脂シートとしての伸縮性も大きく損なわれることなく
熱伝導性に優れたウエハシートが得られる。また、伸縮
性樹脂シート及びその両面に被着した熱硬化性粘着層共
に導電性を有するものとしたことにより、半導体素子の
裏面を接地レベルにする必要のある半導体装置への対応
が可能なウエハシートが得られる。
ので、以下に示すような効果を奏する。ウエハシートを
両面に熱硬化性粘着層が被着された伸縮性樹脂シートで
構成したので、ダイシング時に接着されている半導体素
子の１素子化とダイボンドとをほぼ同時に実現できる。
また、伸縮性樹脂シートとして軟質塩化ビニールを用い
たことにより、安価なウエハシートが得られる。また、
伸縮性樹脂シートとしてポリイミド変性エポキシ樹脂に
銀フィラー４０ｗｔ％を含むものを用いたことにより、
樹脂シートとしての伸縮性も大きく損なわれることなく
熱伝導性に優れたウエハシートが得られる。また、伸縮
性樹脂シート及びその両面に被着した熱硬化性粘着層共
に導電性を有するものとしたことにより、半導体素子の
裏面を接地レベルにする必要のある半導体装置への対応
が可能なウエハシートが得られる。
【００２３】また、伸縮性樹脂シートとして多数の貫通
穴を有するものとしたことにより、樹脂シートの伸縮性
が更に増し、ウエハシートのエキスパンド時により広い
拡幅分割溝が得られるため、高い裕度をもって拡幅分割
溝へのダイボンドヘッドの切り刃の挿入が可能となり１
素子化が容易となる。また、ウエハシートの一方の粘着
層に半導体ウエハの裏面を接着し、ダイシングによる分
割溝を拡幅した後、拡幅分割溝のウエハシートを切断し
て１素子化すると共に半導体素子を押圧して接着されて
いるウエハシートの他方の粘着面をダイパッド面上に接
着するようにしたので、少ない工程で確実に半導体素子
のダイボンドをすることができ、生産性が向上する。ま
た、ダイボンド時に圧縮空気圧により半導体素子を押圧
するようにしたので、半導体素子は機械的損傷を受ける
ことがない。さらに、半導体製造装置を、ウエハシート
が載置されるステージ部、圧縮空気通路及び半導体素子
間の拡幅分割溝のウエハシートを切断する切り刃を備え
たダイボンド手段、圧縮空気通路に圧縮空気を供給する
圧縮空気供給手段を備えるコンパクトな構成としたの
で、ダイシング時に接着されている半導体素子の１素子
化とダイボンドとを同一の場所でほぼ同時に実現できる
小型の半導体製造装置が安価に得られる。
穴を有するものとしたことにより、樹脂シートの伸縮性
が更に増し、ウエハシートのエキスパンド時により広い
拡幅分割溝が得られるため、高い裕度をもって拡幅分割
溝へのダイボンドヘッドの切り刃の挿入が可能となり１
素子化が容易となる。また、ウエハシートの一方の粘着
層に半導体ウエハの裏面を接着し、ダイシングによる分
割溝を拡幅した後、拡幅分割溝のウエハシートを切断し
て１素子化すると共に半導体素子を押圧して接着されて
いるウエハシートの他方の粘着面をダイパッド面上に接
着するようにしたので、少ない工程で確実に半導体素子
のダイボンドをすることができ、生産性が向上する。ま
た、ダイボンド時に圧縮空気圧により半導体素子を押圧
するようにしたので、半導体素子は機械的損傷を受ける
ことがない。さらに、半導体製造装置を、ウエハシート
が載置されるステージ部、圧縮空気通路及び半導体素子
間の拡幅分割溝のウエハシートを切断する切り刃を備え
たダイボンド手段、圧縮空気通路に圧縮空気を供給する
圧縮空気供給手段を備えるコンパクトな構成としたの
で、ダイシング時に接着されている半導体素子の１素子
化とダイボンドとを同一の場所でほぼ同時に実現できる
小型の半導体製造装置が安価に得られる。
【００２４】また、拡幅分割溝のウエハシートを切断す
る切り刃を半導体素子サイズに対応した寸法のものと
し、ダイボンドヘッドに着脱できるものとしたので、半
導体装置の品種への対応が極めて容易、かつ迅速にでき
る。また、ウエハシート保持体を載置したステージ部の
Ｘ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段を備えたので、
容易にダイボンドすべき半導体素子の位置ずれや傾きの
修正ができる。また、ダイボンドすべき半導体素子のセ
ット位置のずれ値及び傾きに関する位置情報信号を発信
する素子位置認識手段と、その情報に基づく修正情報信
号を発信してウエハシート保持体を載置したステージ部
のＸ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段を駆動するダ
イボンドコントローラとを備える構成としたので、ダイ
ボンドの進行に伴うウエハシート上の残留半導体素子の
位置ずれや角度の傾きに対し容易に正常なボンディング
位置への修正ができる。
る切り刃を半導体素子サイズに対応した寸法のものと
し、ダイボンドヘッドに着脱できるものとしたので、半
導体装置の品種への対応が極めて容易、かつ迅速にでき
る。また、ウエハシート保持体を載置したステージ部の
Ｘ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段を備えたので、
容易にダイボンドすべき半導体素子の位置ずれや傾きの
修正ができる。また、ダイボンドすべき半導体素子のセ
ット位置のずれ値及び傾きに関する位置情報信号を発信
する素子位置認識手段と、その情報に基づく修正情報信
号を発信してウエハシート保持体を載置したステージ部
のＸ−Ｙ軸方向移動手段及び素子回動手段を駆動するダ
イボンドコントローラとを備える構成としたので、ダイ
ボンドの進行に伴うウエハシート上の残留半導体素子の
位置ずれや角度の傾きに対し容易に正常なボンディング
位置への修正ができる。
【図１】 この発明の実施の形態１のダイボンド工程ま
での製造工程を工程順に示した図である。
での製造工程を工程順に示した図である。
【図２】 この発明の実施の形態１のエキスパンド工程
により作成されたウエハシート保持体の平面図である。
により作成されたウエハシート保持体の平面図である。
【図３】 図２のIII-III 方向に見た断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１のダイボンド装置の
構成の概要を示す斜視図である。
構成の概要を示す斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態１のダイボンド装置の
動作手順を示すフローチャートである。
動作手順を示すフローチャートである。
【図６】 この発明の実施の形態１のダイボンド装置の
ダイボンドすべき半導体素子の不適性な位置を修正する
手順を示す図である。
ダイボンドすべき半導体素子の不適性な位置を修正する
手順を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態２の穴明きウエハシー
トの平面図である。
トの平面図である。
【図８】 この発明の実施の形態３のダイボンド装置の
ダイボンドヘッドの構成を示す一部断面側面図である。
ダイボンドヘッドの構成を示す一部断面側面図である。
【図９】 図８の底面図である。
【図１０】 従来のダイレクトピックアップ方式ダイボ
ンド装置の概要を示す斜視図である。
ンド装置の概要を示す斜視図である。
１；半導体ウエハ ２；ウエハシート ３；半導体
素子 ４；ダイボンドヘッド ５；圧縮空気通路 ６；切
り刃 ７；凹部 ８；ダイボンド手段 ９；圧縮空気発生装置 １０；
フレキシブルチューブ １１；圧縮空気供給手段 １２；半導体レーザ １
３；ＣＣＤカメラ １４；素子位置認識手段 １５；ウエハシート保持体
１８；固定ローラ １９；可動ローラ ２０；ローラ駆動用モータ ２
１；素子回動手段 ２２ａ；ステージ部 ２３；Ｙ軸動テーブル ２
４；Ｙ軸移動用モータ ２５；Ｘ軸動テーブル ２６；Ｘ軸移動用モータ ２
７；固定台板 ２８；Ｘ−Ｙ軸方向移動手段 ２９；リードフレーム
３０；ダイパッド ３１；ダイボンドコントローラ ３５；穴明きウエハシ
ート ３６；貫通穴 ３７；切り刃付属体 ４１；分割溝 ４２；拡幅分
割溝 ４３；熱硬化性粘着層
素子 ４；ダイボンドヘッド ５；圧縮空気通路 ６；切
り刃 ７；凹部 ８；ダイボンド手段 ９；圧縮空気発生装置 １０；
フレキシブルチューブ １１；圧縮空気供給手段 １２；半導体レーザ １
３；ＣＣＤカメラ １４；素子位置認識手段 １５；ウエハシート保持体
１８；固定ローラ １９；可動ローラ ２０；ローラ駆動用モータ ２
１；素子回動手段 ２２ａ；ステージ部 ２３；Ｙ軸動テーブル ２
４；Ｙ軸移動用モータ ２５；Ｘ軸動テーブル ２６；Ｘ軸移動用モータ ２
７；固定台板 ２８；Ｘ−Ｙ軸方向移動手段 ２９；リードフレーム
３０；ダイパッド ３１；ダイボンドコントローラ ３５；穴明きウエハシ
ート ３６；貫通穴 ３７；切り刃付属体 ４１；分割溝 ４２；拡幅分
割溝 ４３；熱硬化性粘着層
Claims (11)
- 【請求項１】 ダイシング前に半導体ウエハの裏面が接
着されるウエハシートであって、両面に熱硬化性粘着層
が被着された伸縮性樹脂シートを備えたことを特徴とす
るウエハシート。 - 【請求項２】 伸縮性樹脂シートは、軟質塩化ビニール
であることを特徴とする請求項１記載のウエハシート。 - 【請求項３】 伸縮性樹脂シートは、ポリイミド変性エ
ポキシ樹脂に銀フィラーが４０ｗｔ％含まれたものであ
ることを特徴とする請求項１記載のウエハシート。 - 【請求項４】 伸縮性樹脂シートは導電性を有するもの
であり、両面に導電性の熱硬化性粘着層が被着されたも
のであることを特徴とする請求項１記載のウエハシー
ト。 - 【請求項５】 伸縮性樹脂シートは、多数の貫通穴が設
けられたものであることを特徴とする請求項１〜請求項
４のいずれか一項記載のウエハシート。 - 【請求項６】 集積回路が形成された半導体素子をリー
ドフレームのダイパッドに接合して上記半導体素子の電
極とインナーリード間を金属細線で電気的に接続し、上
記半導体素子、ダイパッド、金属細線及びインナーリー
ドを樹脂封止する半導体装置の製造方法において、半導
体ウエハの裏面に、伸縮性樹脂シートの両面に熱硬化性
粘着層が被着されたウエハシートの一方の面を接着し、
上記半導体ウエハをスルーカットダイシングして複数の
半導体素子に分割する工程、上記分割された半導体素子
が接着されているウエハシートを引き伸ばして各半導体
素子間の分割溝を広げる工程、上記半導体素子の内の所
要の素子をダイボンドすべきリードフレームのダイパッ
ド上に離隔位置決めする工程、上記ダイパッド上に離隔
位置決めされた半導体素子の周囲の拡幅分割溝のウエハ
シートを切断して上記半導体素子と一体に分離し、上記
分離された半導体素子が接着されているウエハシートの
他方の粘着面を上記ダイパッド面上に押圧する工程を含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 分離された半導体素子を圧縮空気圧によ
り押圧して、当該半導体素子が接着されているウエハシ
ートの他方の粘着面をダイパッド面上に押圧することを
特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 半導体素子が相互に分割状態で接着され
ているウエハシートを保持したウエハシート保持体がリ
ードフレームと離隔して載置されるステージ部、上記ス
テージ部のダイボンド位置上に上下動可能に配置され、
ダイボンド時に所定の隙間をもって上記半導体素子を覆
う凹部及びこの凹部の底部に開口された圧縮空気通路並
びに上記半導体素子間の拡幅分割溝のウエハシートを切
断する切り刃をその先端部に有するダイボンドヘッドと
上記ダイボンドヘッドを駆動する駆動部とを備えたダイ
ボンド手段、上記半導体素子のダイボンド時に上記圧縮
空気通路に圧縮空気を供給する圧縮空気供給手段を備え
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項９】 切り刃は、ダイボンドすべき半導体素子
の周囲の拡幅分割溝の側面と所定の隙間をもって挿入可
能に配置されダイボンドヘッドの先端部に着脱可能なも
のであることを特徴とする請求項８記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１０】 ウエハシート保持体がリードフレーム
と離隔して載置されたステージ部をＸ，Ｙ軸方向に移動
させて相互に分割された半導体素子の内の所要の素子を
ダイボンドすべきリードフレームのダイパッド上に移動
しセットするＸ−Ｙ軸方向移動手段、上記ステージ部に
載置されたウエハシート保持体を回動して上記所要の半
導体素子のセット位置における傾き角度を回動修正する
素子回動手段を備えたことを特徴とする請求項８または
請求項９記載の半導体製造装置。 - 【請求項１１】 ダイボンドヘッドの圧縮空気通路がダ
イボンドすべき半導体素子表面中心の鉛直線上に配置さ
れており、上記鉛直線上で上記半導体素子表面へ向けて
放射光を発するように上記ダイボンドヘッドに配置され
た半導体レーザ、上記半導体レーザの放射光による半導
体素子表面上の照射点を認識し、上記照射点を零点とす
る上記半導体素子の正常位置からのＸ，Ｙ軸方向へのず
れ値及び正常位置からの傾き角度に関する位置情報信号
を発信する素子位置認識手段、上記素子位置認識手段の
位置情報信号を受けて、Ｘ−Ｙ軸方向移動手段又は素子
回動手段にそれぞれＸ，Ｙ軸方向のずれ値又は傾き角度
の修正情報信号を発信し、上記半導体素子の位置が修正
されたときは、ダイボンド手段及び圧縮空気供給手段に
所定の動作をすべき動作命令信号を発信するダイボンド
コントローラを備えたことを特徴とする請求項８記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280172A JP2000114204A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
| US09/287,105 US6215194B1 (en) | 1998-10-01 | 1999-04-07 | Wafer sheet with adhesive on both sides and attached semiconductor wafer |
| TW088106274A TW410437B (en) | 1998-10-01 | 1999-04-20 | Wafer and the manufacturing method of semiconductor device using the same and the semiconductor manufacturing device |
| US09/741,081 US6461938B2 (en) | 1998-10-01 | 2000-12-21 | Method of producing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280172A JP2000114204A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114204A true JP2000114204A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17621317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10280172A Withdrawn JP2000114204A (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6215194B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000114204A (ja) |
| TW (1) | TW410437B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006257422A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Ls Cable Ltd | 半導体製造用接着テープの製造装置及びその製造方法 |
| JP2006324292A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、そのボンディングテープおよびその製造方法 |
| JP2009170455A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011071553A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2014068638A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士機械製造株式会社 | 部品供給装置 |
| WO2014068639A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士機械製造株式会社 | 部品供給装置 |
| JP7455117B2 (ja) | 2018-09-28 | 2024-03-25 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 微調整により半導体デバイスの転写速度を加速する方法および装置 |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114204A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
| EP1029893B1 (en) * | 1999-02-16 | 2004-12-01 | Nichias Corporation | Resin composition |
| WO2001017005A1 (fr) * | 1999-08-27 | 2001-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede et appareil de manipulation de pieces |
| US6723620B1 (en) * | 1999-11-24 | 2004-04-20 | International Rectifier Corporation | Power semiconductor die attach process using conductive adhesive film |
| JP4239352B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2009-03-18 | 株式会社日立製作所 | 電子装置の製造方法 |
| JP2002026182A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3738176B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-01-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6946366B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-09-20 | Analog Devices, Inc. | Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer |
| JP2002298865A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Nichias Corp | 燃料電池用セパレータ及びその製造方法 |
| JP2003045901A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| JP2003100666A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3745260B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2006-02-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6772509B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-08-10 | Motorola, Inc. | Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer |
| DE60331423D1 (de) * | 2002-04-01 | 2010-04-08 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Teilverfahren für substrat aus zerbrechlichem material und das verfahren verwendende teilvorrichtung |
| WO2003090258A2 (en) | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Xsil Technology Limited | Laser machining |
| US7023347B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-04-04 | Symbol Technologies, Inc. | Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith |
| US6848162B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-02-01 | Matrics, Inc. | System and method of transferring dies using an adhesive surface |
| DE10238444B4 (de) * | 2002-08-22 | 2011-05-12 | United Monolithic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von vereinzelten monolithisch integrierten Halbleiterschaltungen |
| US6780733B2 (en) * | 2002-09-06 | 2004-08-24 | Motorola, Inc. | Thinned semiconductor wafer and die and corresponding method |
| JP2004221187A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| JP2004273895A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
| US7033847B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Determining the maximum number of dies fitting on a semiconductor wafer |
| US7101141B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-09-05 | Intel Corporation | System for handling microelectronic dies having a compact die ejector |
| US7795076B2 (en) * | 2003-06-12 | 2010-09-14 | Symbol Technologies, Inc. | Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate having die cavities |
| JP4093930B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2008-06-04 | 株式会社東京精密 | フレーム搬送プローバ |
| WO2005015611A2 (de) * | 2003-08-08 | 2005-02-17 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zur stabilisierung von dünnen scheiben |
| JP2005175384A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Nitto Denko Corp | 保護テープの貼付方法及び剥離方法 |
| US6933209B2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-08-23 | Super Talent Electronics Inc. | Stacking memory chips using flat lead-frame with breakaway insertion pins and pin-to-pin bridges |
| JP2005223244A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップの飛び出し位置検出方法 |
| JP2006108280A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品ピックアップ方法および電子部品搭載方法ならびに電子部品搭載装置 |
| GB2420443B (en) * | 2004-11-01 | 2009-09-16 | Xsil Technology Ltd | Increasing die strength by etching during or after dicing |
| US20060225273A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Symbol Technologies, Inc. | Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate |
| US20070107186A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-17 | Symbol Technologies, Inc. | Method and system for high volume transfer of dies to substrates |
| US7534320B2 (en) * | 2005-11-15 | 2009-05-19 | Northrop Grumman Corporation | Lamination press pad |
| JP4791843B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-10-12 | 株式会社ディスコ | 接着フィルム付きデバイスの製造方法 |
| EP2063465A4 (en) * | 2006-09-15 | 2012-08-08 | Lintec Corp | PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT |
| US7390681B1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-06-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Derived metric for monitoring die placement |
| JP5032231B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2012-09-26 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8746669B2 (en) * | 2008-02-08 | 2014-06-10 | Panasonic Corporation | Chip supply pallet and chip supply apparatus |
| US20090217953A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hui Chen | Drive roller for a cleaning system |
| US8701276B2 (en) * | 2008-08-19 | 2014-04-22 | Zamtec Ltd | Placement head for a die placing assembly |
| WO2013150427A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Koninklijke Philips N.V. | Led thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal |
| CN109427566A (zh) * | 2017-09-01 | 2019-03-05 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种晶圆切割方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018145B2 (ja) * | 1980-09-22 | 1985-05-09 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US4872825A (en) * | 1984-05-23 | 1989-10-10 | Ross Milton I | Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices |
| US5178957A (en) * | 1989-05-02 | 1993-01-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Noble metal-polymer composites and flexible thin-film conductors prepared therefrom |
| US5679977A (en) * | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
| US5730922A (en) * | 1990-12-10 | 1998-03-24 | The Dow Chemical Company | Resin transfer molding process for composites |
| JPH06204267A (ja) | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5353498A (en) * | 1993-02-08 | 1994-10-11 | General Electric Company | Method for fabricating an integrated circuit module |
| US5543585A (en) * | 1994-02-02 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Direct chip attachment (DCA) with electrically conductive adhesives |
| US5730992A (en) | 1994-09-13 | 1998-03-24 | Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development, Ltd. | Compositions for the treatment of skin disorders |
| US5761801A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-09 | The Dexter Corporation | Method for making a conductive film composite |
| US5971253A (en) * | 1995-07-31 | 1999-10-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic component mounting with deformable shell terminals |
| US5866952A (en) * | 1995-11-30 | 1999-02-02 | Lockheed Martin Corporation | High density interconnected circuit module with a compliant layer as part of a stress-reducing molded substrate |
| MY118036A (en) * | 1996-01-22 | 2004-08-30 | Lintec Corp | Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device |
| US5952725A (en) * | 1996-02-20 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor devices |
| US5692950A (en) * | 1996-08-08 | 1997-12-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive construction for semiconductor wafer modification |
| US5958995A (en) * | 1996-08-29 | 1999-09-28 | Xerox Corporation | Blends containing photosensitive high performance aromatic ether curable polymers |
| US5766979A (en) * | 1996-11-08 | 1998-06-16 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Wafer level contact sheet and method of assembly |
| US5780525A (en) * | 1997-02-14 | 1998-07-14 | Reliance Electric Industrial Company | Photocurable composition for electrical insulation |
| JPH10242084A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Lintec Corp | ウェハ貼着用粘着シートおよび電子部品の製造方法 |
| JP2000114204A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハシート及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置 |
| US6321739B1 (en) * | 1999-04-16 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Film frame substrate fixture |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP10280172A patent/JP2000114204A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-04-07 US US09/287,105 patent/US6215194B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-20 TW TW088106274A patent/TW410437B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-12-21 US US09/741,081 patent/US6461938B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006257422A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Ls Cable Ltd | 半導体製造用接着テープの製造装置及びその製造方法 |
| JP4522960B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-08-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体製造用接着テープの製造装置及びその製造方法 |
| JP2006324292A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、そのボンディングテープおよびその製造方法 |
| JP4528668B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-08-18 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009170455A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011071553A (ja) * | 2010-12-24 | 2011-04-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2014068638A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士機械製造株式会社 | 部品供給装置 |
| WO2014068639A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士機械製造株式会社 | 部品供給装置 |
| JP5885856B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2016-03-16 | 富士機械製造株式会社 | 部品供給装置 |
| US9781870B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-10-03 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Component supply device |
| US9896277B2 (en) | 2012-10-29 | 2018-02-20 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Component supply device |
| JP7455117B2 (ja) | 2018-09-28 | 2024-03-25 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 微調整により半導体デバイスの転写速度を加速する方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW410437B (en) | 2000-11-01 |
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| US6461938B2 (en) | 2002-10-08 |
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