JP2006257422A - 半導体製造用接着テープの製造装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 接着テープを製造するとき、保護フィルムの消費量を減らし、全工程を一つのラインに構成し、生産速度を増大させるとともに、複雑な工程によるテープの汚染を防止することを課題とする。
【解決手段】 半導体製造用接着テープの製造装置は、接着層、上記接着層の上下面に接着された上面及び下面保護層を備えるフィルムを供給するフィルム供給機と、上記フィルム供給機から供給されたフィルムの上面保護層及び接着層に半導体ウエハーの形状に対応する切断線を形成する切断部材と、上記切断線の外郭の上面保護層と接着層とからなるスクラップ（ｓｃｒａｐ）を回収する回収機と、上記切断線の内部領域の上面保護層を除去する除去機と、マウントテープを供給するマウントテープ供給機と、上記切断線の内部領域の接着層及び下面保護層が残ったフィルムと上記マウントテープとをラミネートさせて接着テープを完成させるラミネーターを含む。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体製造用接着テープの製造装置及びその製造方法に関するものであって、より詳しくは半導体ウエハーのダイシング工程において用いられるマウントテープが付着された接着テープの製造装置及びその製造方法に関する。

従来には、ポリイミドフィルムにアクリル系またはエポキシ系の熱硬化性接着剤が付着されたＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）テープをリードフレームにテーピングして半導体チップと基板とを固定した。しかし、このような方法は、チップと基板間の熱膨張係数（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）の差により誘発される熱応力のため、リード部分が切れたり変形されワイヤボンディングがうまくできない問題点がある。
従って、半導体チップと基板間の熱膨張係数が異なることによって発生する物理的・機械的な副作用を解決するために、エラストマーテープを介在させて半導体ウエハーと基板とを接続させる方法を用いる。
一方、半導体ウエハーから半導体素子を製造するためには、半導体ウエハーの一面に、マウントテープを付着するテーピング（ｔａｐｉｎｇ）工程、半導体ウエハーを分割切断してダイを製作するダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）工程、ダイシング工程で発生するシリコンダスト（ｄｕｓｔ）を除去する洗浄工程、及び各々のダイを分離して基板に接着するダイボンディング工程を経る。
従来、ダイシング工程において半導体ウエハーを固定させるためのマウントテープと、切断されたダイをダイボンディング工程において基板またはリードフレームに付着させるための接着テープとを別途製作して用いた。
最近は、より簡便に半導体製造工程を行うためにダイボンディング用接着テープにマウントテープを付着したテープを用いる。
図１ないし図６は、従来技術による半導体製造用接着テープの製造過程を示す図面である。図１を参照すれば、接着テープの製造過程は、まず、ラミネーター３０を用いて接着層２１の両面に保護フィルム１１、１２を付着して原フィルム１を製作する。その後、図２のように、原フィルムを切断機器３２、３３を用いて円形に切断する。それから、図３のように、円形のフィルム２から下面にある保護フィルム１２を除去し、マウントテープ２２の付着工程を行う。即ち、マウントテープ２２の円形マーク２２'に下面の保護フィルム１２が除去された円形フィルム３を付着し上面に保護フィルム１４をさらに接着する。そうすれば、図４のような断面を有する中間フィルム４が形成される。その後、図５のように、円形の接着層２１の上面に付着された円形の保護層１１を除去する工程を行う。即ち、保護フィルム１４層を除去し接着層２１の上面にある円形の保護フィルム１１を除去しながらさらに他の保護層１５を付着させる。そうすれば、図６のように、保護層１５、接着層２１、及びマウントテープ２２が順次積層された接着テープ５が完成する。
このような従来の接着テープの製造工程は、上述したように多くの工程を経なければならないため工程スクラップ（ｓｃｒａｐ）が多く発生する問題点がある。それだけでなく、接着層が汚染されることを防止するために数枚の保護フィルムを用いるため材料が過度に消費される問題点がある。また、反復される工程中にテープに汚染が発生する恐れがあるため清浄を要する半導体素子の製造工程において多くの不良を引き起こす恐れがある。

また、特許文献１のような技術も知られている。

特開２００５−１２３３４６号公報

本発明は、上記のような問題点を解決するために創案されたものであって、製造工程において保護フィルムの消費量を減らし、全工程を一つのラインに構成して複雑な工程を縮減することができる半導体製造用接着テープの製造装置及びこれを用いた接着テープの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の目的を達成するための本発明による半導体製造用接着テープの製造装置は、接着層、上記接着層の上下面に接着された上面及び下面保護層を備えるフィルムを供給するフィルム供給機と、上記フィルム供給機により供給されたフィルムの上面保護層及び接着層に半導体ウエハーの形状に対応する切断線を形成する切断部材と、上記切断線の外郭の上面保護層と接着層とからなるスクラップ（ｓｃｒａｐ）を回収する回収機と、上記切断線の内部領域の上面保護層を除去する除去機と、マウントテープを供給するマウントテープ供給機と、上記切断線の内部領域の接着層及び下面保護層が残ったフィルムと上記マウントテープとをラミネートさせて半導体素子製造用接着テープを完成させるラミネーターを含む。

望ましくは、上記マウントテープの表面には上記切断線に対応するマーキングがされている。この場合、本発明の接着テープの製造装置は、上記切断線の内部領域の接着層及び下面保護層が残ったフィルムとマウントテープとが会う地点に設けられ、上記切断線と上記マウントテープのマーキングとが正確に合わせられるように感知する非接触センサーをさらに含む。
望ましくは、上記切断部材は、上記切断線が下面保護層の一部まで延長されるように切断線を形成する。この場合、上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内とする。

本発明の接着テープの製造装置は、上記ラミネーターの後段に、上記切断線から所定の距離だけ離隔された地点に円形状の切断線をマウントテープに形成するマウントテープ切断部材と、上記マウントテープに形成された切断線の外郭のマウントテープを回収するマウントテープ回収機と、をさらに含むことができる。この場合、上記マウントテープ切断部材は切断線が下面保護層の一部まで延長されるようにマウントテープに切断線を形成することが望ましい。上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内とする。

本発明の接着テープの製造装置は、上記ラミネートされた接着テープの両端を切断する切断機と、上記ラミネートされて完成された接着テープを巻取る巻取りローラーと、をさらに含むことができる。
望ましくは、上記切断部材は、トムソン方式のプレス機またはロータリー式カッティング機である。

本発明の目的を達成するための本発明による半導体素子製造用接着テープの製造方法は、（ａ）接着層、上記接着層の上下面に接着された上面及び下面保護層を備えるフィルムを供給する段階と、（ｂ）上記フィルムの上面保護層及び接着層に半導体ウエハーの形状に合う切断線を形成する段階と、（ｃ）上記切断線の外郭の上面保護層及び接着層からなるスクラップを回収する段階と、（ｄ）上記切断線内部の上面保護層を除去する段階と、（ｅ）上記上面保護層が除去されたフィルムの保護層と対向するようにマウントテープを供給する段階と、（ｆ）上記切断線内部の接着層及び下面保護層が残ったフィルムと上記マウントテープとをラミネートする段階とを含む。

上述したように、本発明によると半導体素子製造用接着テープの製造工程において保護フィルムの消費量を減少させることができる。また、全工程を一つのラインに構成し複雑な工程を縮減することができるため、生産速度を増加させ複雑な工程で発生する汚染を防止することができる。

以下添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立って、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限られて解釈されてはいけず、発明者は自分の発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に基づいて本発明の技術的思想に符合する意味と概念として解釈されるべきである。従って、本明細書に記載された実施例と図面とに示された構成は本発明の最も望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想の全てを代弁するものではないため、本出願時点においてこれらに代替できる多様な均等物と変形例とがあり得ることを理解すべきである。

まず、以下で説明する実施例は、半導体素子製造用接着テープのうちエラストマーテープの製造装置及び製造方法に対するものであることを予め明らかにしておく。しかし、本発明が接着テープの種類により限定されるのではない。
図７は、本発明の望ましい実施例によるエラストマーテープの製造装置を概略的に示す図面である。
図７を参照すれば、本実施例によるエラストマーテープの製造装置は、エラストマー層及びエラストマー層の上下面に接着された保護層を備えるフィルム５０を供給するフィルム供給機１１０、上記フィルム供給機１１０により供給されたフィルム５０において上面保護層及びエラストマー層に切断線６０を形成する切断部材１２０、上記切断線６０の外部にある上面保護層とエラストマー層とからなるスクラップ（ｓｃｒａｐ）６２を回収する回収機１３０、切断線６０の内部にある上面保護層６１を除去する除去機１４０、マウントテープ５４を供給するマウントテープ供給機１５０、及び上記上面保護層が除去されたフィルム６４とマウントテープ５４とをラミネートさせるラミネーター１６０を含む。

上記フィルム供給機１１０は、本実施例によるエラストマーテープの製造装置の一側に設けられる巻取りローラーの形態であって、フィルム５０を巻取ってから順次巻き出してフィルム５０を連続的に供給する。

上記フィルム５０は、図７のＩＶ‐ＩＶ'線による断面図である図９に示したように、エラストマー層５２、上記エラストマー層５２の上面及び下面に接着されている上面保護層５１及び下面保護層５３を含む。エラストマー層５２は、半導体チップと基板との熱膨張係数の差による熱応力の発生を減らして半導体パッケージングの信頼性を向上させ得る低弾性（ｌｏｗ ｍｏｄｕｌｕｓ）の物質特性を有するエポキシ‐ゴム系の物質である。上面及び下面保護層５１、５３は、エラストマーテープの製造過程において外部環境からエラストマー層５２を保護するためのものであって、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなることが望ましい。エラストマー層５２は、一層または多層の接着層からなることができる。

上記切断部材１２０は、フィルム供給機１１０により巻き出されたフィルム５０の移送ライン上に設けられ、半導体ウエハーの形状に対応する切断線６０（例えば、円形切断線）を上面保護層５１及びエラストマー層５２に形成する。望ましくは、切断線６０は上面保護層５１の上部面からエラストマー層５２の下部面まで形成する（図９の（ａ）参照）。より望ましくは、切断線６０は上面保護層５１の上部面からエラストマー層５２を過ぎて下面保護層５３まで形成する（図９の（ｂ）参照）。下面保護層５３まで切断線６０が形成される場合、切断深さは下面保護層５３の厚さの９０％以下となるようにすることが望ましい。切断線６０が下面保護層５３の一部まで形成されれば、切断線６０の外郭にある上面保護層５１とエラストマー層５２との除去がより容易になる。望ましくは、切断部材１２０は、トムソン方式のプレス機またはロータリー式カッティング機である。しかし、本発明の切断部材がこれに限定されるのではない。

上記回収機１３０は、切断部材１２０の次に設けられフィルム５０から切断線６０の外郭にある上面保護層５１及びエラストマー層５２からなるスクラップ６２を回収する。上記回収機１３０は、ローラーで構成してフィルム５０から離脱されるスクラップ６２を連続的に巻取る。

上記除去機１４０は、回収機１３０によりスクラップ６２が回収されたフィルム（６３）から切断線６０の内部領域６１の上面保護層５１を除去する。除去機１４０は、本発明の目的内で公知の技術を用いて多様に採択されることができる。

上記マウントテープ供給機１５０は、上記フィルムの移送ラインの一側に設けられてマウントテープ５４を連続的に供給する。マウントテープ５４は半導体ウエハーのダイシング工程でウエハーを支持する役割を果たす。マウントテープ５４上には上記切断線６０に対応するマーク５６が表示される。
マウントテープ５４は、一層または多層からなることができ、またエラストマー層５２との接合面に粘着層を有することができる。
マウントテープ５４上には、テープを保護する保護層５５が備えられる。従って、保護層５５を除去しマウントテープをエラストマーテープの製造装置に供給するために保護層回収機１５１が設けられることができる。

上記ラミネーター１６０は、上記上面保護層５１が除去されたフィルム６４とマウントテープ５４とをラミネートさせる。このとき、エラストマー層５２の切断線６０の内部領域とマウントテープ５４のマーク５６とを正確に合わせるようにフィルム６４とマウントテープ５４とが接合される部分に非接触センサー１７０が設けられることが望ましい。

上記エラストマーテープの製造装置は、フィルム６５に内挿されているエラストマー層５２の外郭から所定の距離だけ離隔された地点に切断線６６を形成する切断部材１２５をさらに備える（図１４参照）。望ましくは、上記切断線６６は、マウントテープ５４の下部面から上部面まで形成される。より望ましくは、上記切断線６６は、マウントテープ５４の下部面から上部面を過ぎて下面保護層５３まで延長されるように形成する。下面保護層５３に形成される切断線６６の深さは、下面保護層５３の厚さの９０％以内であることが望ましい。切断線６６が下面保護層５３まで延長されれば後続するスクラップ除去工程においてスクラップの除去がより容易になる。上記切断部材１２５の後段には、切断線６６の外郭にあるマウントテープ５４を除去する回収機１３５が備えられ不要なスクラップを連続的に除去する。
望ましくは、上記エラストマーテープの製造装置は、エラストマーテープ６５の両端を所望の幅でカッティングする切断機１８０をさらに含む。
望ましくは、上記エラストマーテープの製造装置は、完成したエラストマーテープ６５を巻取って保管する巻取りローラー１９０をさらに含む。

図面に示さなかったが、切断部材１２０、除去機１４０、切断部材１２５及び切断機１８０をフィルムの幅方向に沿って並列で多条配置することができる。このような場合、一回の工程で複数の半導体製造用接着テープを製造することができるため生産性が向上される。

このようなエラストマーテープの製造装置は、数回の工程でなく一つの生産ラインを形成してより簡単な工程によりエラストマーテープが製造可能であり、複数の工程で発生する汚染を最小化することができて、生産速度も増加させることができる。

図８は、本発明によるエラストマーテープの製造方法を示す流れ図であり、図９ないし図１４は、図７の製造装置を用いて行われるエラストマーテープの製造段階における各段階のフィルム断面を示した断面図である。
図８ないし図１４を参照すれば、本発明によるエラストマーテープの製造方法は、まず、エラストマー層５２、エラストマー層５２の上下面に接着された保護層５１、５３を備えたフィルム５０と、を供給する（Ｓ１０）。

続いて、図９に示したように、上記供給されたフィルム５０の上面保護層５１及びエラストマー層５２に切断線６０（例えば、円形切断線）を形成する（Ｓ２０）。切断線６０は、半導体ウエハーの形状に対応する。切断線６０は、図９の（ｂ）のように、下面保護層５１まで延長されることがさらに望ましい。
それから、切断線６０の外郭にある上面保護層５１とエラストマー層５２とからなるスクラップを回収する（Ｓ３０）。回収されるスクラップ６２の断面は図１０に示されたようである。

スクラップ６２が除去されたフィルム５３の断面は図１１に示したように、下面保護層５３とその上面に積層された円形のエラストマー層５２及び円形の上面保護層５１が積層された構造となっている。
続いて、図１２に示したように、切断線６０の内部領域から上面保護層５１を除去する（Ｓ４０）。本段階まで進んだフィルム６４は下面保護層５３とその上に円形のエラストマー層５２とが積層された構造となっている。

その後、別途用意されたマウントテープ５４をフィルムの移送ライン内に供給する（Ｓ５０）。そうすれば、マウントテープは図１３に示したように、上面保護層が除去されたフィルム６４とラミネートされる（Ｓ６０）。このとき、マウントテープに表示されたマークとフィルムの円形エラストマー層５２が正確に接合されるようにする。本段階においてラミネートされたフィルム６５の断面は、マウントテープ５４、エラストマー層５２、及び下面保護層５３が順次積層された構造となっている。

マウントテープ５４のラミネート工程の後、図１４に示したように、エラストマー層５２の外郭から所定の距離だけ離隔された地点に切断線６６を形成する（Ｓ７０）。望ましくは、切断線６６は、マウントテープ５４の下部面から上部面まで形成する。より望ましくは、切断線６６はマウントテープ５４の下部面から上部面を過ぎて下面保護層５３まで延長されるように形成する。
それから、切断線６６の外郭にあるマウントテープ５４からなるスクラップを除去する（Ｓ８０）。それから、スクラップが除去されたフィルムの両端を適切な幅でカッティングし（Ｓ９０）巻取ればエラストマーテープの製造が完了する（Ｓ１００）。
図１５ないし図２０は、上記のように製造されたエラストマーテープ６５を用いて半導体ウエハーを製造した後行われる工程を示す図面である。
図１５及び図１６を参照すれば、上記のような工程を経て完成されたエラストマーテープ６５は、下面保護層５３が除去された後半導体ウエハー７１の一面に付着され、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ ｕｓｅ ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）リングフレーム７２がマウントテープ５４に付着される。

上記のようにエラストマーテープが付着された半導体ウエハー７１は、図１７のように、ダイシングソー（ｄｉｃｉｎｇ ｓａｗ）７３を用いたダイシング工程を経てダイ７５に切断される。ダイ７５とエラストマー層５２とは、図１８のように、ピックアップ機器７４によりピックアップされる。それから、図１９のように、ピックアップされたダイ７５とエラストマー層と５２を熱硬化させダイをダイパッド７７に接合する。その後、図２０のように、半導体ダイ７５とダイパッド７７とに対してワイヤボンディング７８を行えばパッケージング前の半導体素子が完成する。

以上のように、本発明はたとえ限定された実施例と図面とによって説明されたが、本発明はこれによって限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者により本発明の技術思想と特許請求範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。
本明細書に添付される以下の図面は本発明の望ましい実施例を例示するものであって、発明の詳細な説明とともに本発明の技術思想をさらに理解させる役割を果たすため、本発明はこのような図面に記載された事項にのみ限定されて解釈されてはいけない。

従来技術による半導体製造用接着テープの製造過程を示す図面。 従来技術による半導体製造用接着テープの製造過程を示す図面。 従来技術による半導体製造用接着テープの製造過程を示す図面。 図３のｄ‐ｄ'線による断面図。 従来技術による半導体製造用接着テープの製造過程を示す図面。 図５のｆ‐ｆ'線による断面図。 本発明の望ましい実施例による半導体製造用接着テープの製造装置を示す図面。 本発明の望ましい実施例による半導体製造用接着テープの製造方法を説明する流れ図。 図７のＩＶ‐ＩＶ'線による断面図。 図７のＶ‐Ｖ'線による断面図。 図７のＶＩ‐ＶＩ'線による断面図。 図７のＶＩＩ‐ＶＩＩ'線による断面図。 図７のＶＩＩＩ‐ＶＩＩＩ'線による断面図。 図１３のフィルムに切断線を形成した様子を示した断面図。 本発明の実施例による半導体製造用接着テープの製造装置を用いて製造された接着テープが半導体ウエハーに付着された様子を示す平面図。 図１５のＸ‐Ｘ'線による断面図。 接着テープが付着された半導体ウエハーのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイパディング工程、ワイヤボンディング工程を各々示す断面図。 接着テープが付着された半導体ウエハーのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイパディング工程、ワイヤボンディング工程を各々示す断面図。 接着テープが付着された半導体ウエハーのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイパディング工程、ワイヤボンディング工程を各々示す断面図。 接着テープが付着された半導体ウエハーのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイパディング工程、ワイヤボンディング工程を各々示す断面図。

符号の説明

１１０ フィルム供給機
１２０ 切断部材
１３０ スクラップ回収機
１４０ 除去機
１５０ マウントテープ供給機
１６０ ラミネーター
１７０ 非接触センサー
１９０ 巻取りローラー

Claims (19)

1. 半導体素子製造用接着テープの製造装置において、
   接着層、上記接着層の上下面に接着された上面及び下面保護層を備えるフィルムを供給するフィルム供給機と、
   上記フィルム供給機により供給されたフィルムの上面保護層及び接着層に半導体ウエハーの形状に対応する切断線を形成する切断部材と、
   上記切断線の外郭の上面保護層と接着層とからなるスクラップ（ｓｃｒａｐ）を回収する回収機と、
   上記切断線の内部領域の上面保護層を除去する除去機と、
   マウントテープを供給するマウントテープ供給機と、
   上記切断線の内部領域の接着層及び下面保護層が残ったフィルムと上記マウントテープとをラミネートさせて接着テープを完成させるラミネーターとを含む半導体素子製造用接着テープの製造装置。
2. 上記マウントテープは上記切断線に対応するマーキングがされており、
   上記切断線の内部領域の接着層及び下面保護層が残ったフィルムとマウントテープとが会う地点に設けられて、上記切断線と上記マウントテープのマーキングとが正確に合わせられるように感知する非接触センサーをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
3. 上記切断部材は、上記切断線が下面保護層の一部まで延長されるように切断線を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
4. 上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
5. 上記ラミネーターの後段に、上記切断線から所定の距離だけ離隔された地点に円形状の切断線をマウントテープに形成するマウントテープ切断部材と、
   上記マウントテープに形成された切断線の外郭のマウントテープを回収するマウントテープ回収機と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
6. 上記マウントテープ切断部材は、切断線が下面保護層の一部まで延長されるようにマウントテープに切断線を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
7. 上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内であることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
8. 上記ラミネートされた接着テープの両端を切断する切断機をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
9. 上記ラミネートされ完成された接着テープを巻取る巻取りローラーをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
10. 上記切断部材は、トムソン方式のプレス機またはロータリー式カッティング機であることを特徴とする請求項１または請求項５に記載の半導体素子製造用接着テープの製造装置。
11. （ａ）接着層、上記接着層の上下面に接着された上面及び下面保護層を備えるフィルムを供給する段階と、
    （ｂ）上記フィルムの上面保護層及び接着層に半導体ウエハーの形状に合う切断線を形成する段階と、
    （ｃ）上記切断線の外郭の上面保護層及び接着層からなるスクラップを回収する段階と、
    （ｄ）上記切断線内部の上面保護層を除去する段階と、
    （ｅ）上記上面保護層が除去されたフィルムの接着層と対向するようにマウントテープを供給する段階と、
    （ｆ）上記切断線内部の接着層及び下面保護層が残ったフィルムと上記マウントテープとをラミネートする段階とを含むことを特徴とする半導体素子製造用接着テープの製造方法。
12. 上記マウントテープは切断線に対応するマーキングを備え、
    上記（ｆ）段階において、非接触センサーを用いて上記切断線とマウントテープのマーキングとを正確に合わせることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
13. 上記（ｂ）段階において、上記切断線を下面保護層の一部まで延長されるように形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
14. 上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
15. 上記（ｆ）段階以後に、
    （ｇ）上記切断線から所定の距離だけ離隔された地点に円形状の切断線をマウントテープに形成する段階と、
    （ｈ）上記マウントテープに形成された切断線の外郭のマウントテープを回収する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
16. 上記（ｇ）段階において、上記切断線は下面保護層の一部まで延長されるように形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
17. 上記下面保護層の切断深さは、下面保護層の厚さの９０％以内であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
18. 上記ラミネートされた接着テープの両端を切断する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
19. 上記ラミネートされた接着テープを巻取る段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用接着テープの製造方法。
    
    

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